JP5803398B2 - 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 - Google Patents
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Description
また、本技術の電子機器は、上記半導体装置と、半導体装置の出力信号を処理する信号処理回路とを備える。
なお、説明は以下の順序で行う。
1.半導体装置の概要
2.半導体装置の実施形態
3.実施形態の半導体装置の製造方法
4.半導体装置の変形例1
5.半導体装置の変形例1の製造方法
6.半導体装置の変形例2
7.電子機器の実施形態
半導体装置の接合電極の構成の概要について説明する。
図1に、従来の一般的な接合電極の構成を示す。図1は接合電極を備える接合部の構成を示す断面図である。
第1配線層12は、層間絶縁層19内に形成されている。そして、層間絶縁層19上に中間層18を介して、層間絶縁層17が形成されている。さらに、層間絶縁層17上に中間層16を介して、層間絶縁層15を備える。
第1接合電極11は、層間絶縁層15内に形成され、第1接合電極11の表面が、層間絶縁層15の表面から露出されている。この露出面は、層間絶縁層15の表面と同一面に形成されている。
また、中間層16、層間絶縁層17及び中間層18を貫通するビア13により、第1配線層12と第1接合電極11とが電気的に接続されている。
第1接合電極11、ビア13と層間絶縁層15,17、中間層16との間には、電極材料の絶縁層への拡散を防ぐためのバリアメタル層14を備える。また、第1配線層12と層間絶縁層19との間にバリアメタル層31を備える。
第2配線層22は、層間絶縁層29内に形成されている。そして、層間絶縁層29上に中間層28を介して、層間絶縁層27が形成されている。さらに、層間絶縁層27上に中間層26を介して、層間絶縁層25を備える。
第2接合電極21は、層間絶縁層25内に形成され、第2接合電極21の表面が、層間絶縁層25の表面から露出されている。この露出面は、層間絶縁層25の表面と同一面に形成されている。
また、中間層26、層間絶縁層27及び中間層28を貫通するビア23により、第2配線層22と第2接合電極21とが電気的に接続されている。
第2接合電極21、ビア23と層間絶縁層25,27、中間層26との間には、電極材料の絶縁層への拡散を防ぐためのバリアメタル層24を備える。また、第2配線層22と層間絶縁層29との間にバリアメタル層32を備える。
また、第1接合電極11と第2接合電極21との接合では、接合信頼性を確保するために、一方の電極の面積を大きくすることにより、接合位置がずれた場合にも、接合面積に差が発生しないように設計されている。図1に示す構成では、第2接合電極21の面積を大きくすることにより、位置ずれに対する接続信頼性を確保している。
この接触部33は、Cu等の金属層が層間絶縁層15と直接接触している構成となる。
このため、第2接合電極21と層間絶縁層15とが直接接する接触部33では、層間絶縁層15等に含まれる水30と第2接合電極21とが接触する。この場合、第2接合電極21を構成するCu等の金属が腐食する可能性がある。
このため、接合電極により接合された半導体装置では、層間絶縁層に含まれる水による接合電極の腐食を防ぐ構成が求められている。
以下、接合電極を備える半導体装置の実施形態について説明する。
図2に、本実施形態の接合電極を備える半導体装置の概略構成を示す。図2Aは、本実施形態の半導体装置の接合電極領域付近の断面図である。図2Bは、図2Aに示す第1接合部40の接合面50の平面図である。なお、図2A,Bでは、接合電極の形成領域付近の概略構成のみを示し、接合電極が形成される半導体基体及び接合電極周囲に設けられる各構成部の図示を省略する。
第1接合部40は、接合面50に第1接合電極41、第2接合電極42、及び、第3接合電極43を備える。また、第2接合部60は、接合面50に、第4接合電極61、第5接合電極62、及び、第6接合電極63を備える。
そして、第1接合部40の第1接合電極41と、第2接合部60の第4接合電極61とが接合されている。また、第2接合電極42と第5接合電極62とが接合され、第3接合電極43と第6接合電極63とが接合されている。
第1接合部40及び第2接合部60は、複数の配線層と絶縁層が積層されて構成されている。
第1接合部40の絶縁層は、接合面50側から順に、第1層間絶縁層51、第1中間層52、第2層間絶縁層53、第2中間層54、及び、第3層間絶縁層55から構成されている。また、第2接合部60の絶縁層は、接合面50側から順に、第4層間絶縁層71、第3中間層72、第5層間絶縁層73、第4中間層74、及び、第6層間絶縁層75から構成されている。
第1接合部40の第1接合電極41、第2接合電極42、及び、第3接合電極43は、第1層間絶縁層51に形成されている。そして、接合面50に、第1接合電極41、第2接合電極42、及び、第3接合電極43の表面が露出し、第1層間絶縁層51と同一面に形成されている。
第1配線46、第2配線47、及び、第3配線48は、第3層間絶縁層55内に第2中間層54と接する位置に形成されている。
第2接合部60の第4接合電極61、第5接合電極62、及び、第6接合電極63は、第4層間絶縁層71に形成されている。そして、接合面50に第4接合電極61、第5接合電極62、及び、第6接合電極63の表面が露出し、第4層間絶縁層71と同一面に形成されている。
第4配線66、第5配線67、及び、第6配線68は、第6層間絶縁層75内に第4中間層74と接する位置に形成されている。
上述の第1配線46、第2配線47、第3配線48、第4配線66、第5配線67、及び、第6配線68は、半導体装置の配線として一般的に用いられる材料、例えばAl、Cu等から形成される。
また、第1接合電極41、第2接合電極42、第3接合電極43、第4接合電極61、第5接合電極62、及び、第6接合電極63は、半導体基体の接合が可能な導電体、例えばCuから形成される。
各バリアメタル層は、半導体装置にバリアメタル層として一般的に適用される材料、例えば、Ta、Ti、Ru、TaN、TiN等から形成される。
図2Aに示すように、上述の第1〜6層間絶縁層51,53,55,71,73,75には、絶縁層の吸湿により水(H2O)70が含まれやすい。
上述のように、第1接合電極41、第2接合電極42及び第3接合電極43と、第4接合電極61、第5接合電極62及び第6接合電極63とが接合された状態で、半導体基体同士が接合された半導体装置が構成される。
図2Aに示す構成では、第2接合電極42、第4接合電極61、及び、第6接合電極63が、対向する接合電極よりも大きな面積で形成されている。このため、第2接合電極42には、第4層間絶縁層71と直接接触する接触部49が形成される。また、第4接合電極61、及び、第6接合電極63の表面には、第1層間絶縁層51と直接接触する接触部69,79が形成される。
第1接合部40は、第1接合電極41の周囲に、第1保護層44を備える。また、第2接合電極42と第3接合電極43の周囲を囲む第2保護層45を備える。
第1保護層44及び第2保護層45は、図2Bに示すように、第1接合電極41の周囲を囲む一連の層から形成される。そして、図2Aに示すように、第1保護層44は、第1接合部40の接合面50から、第1層間絶縁層51を貫通し、第1中間層52に達する深さの凹部内に形成されている。第2保護層45は、第1接合部40の接合面50から、第1層間絶縁層51、第1中間層52、及び、第2層間絶縁層53を貫通し、第2中間層54に達する深さの凹部内に形成されている。
第3保護層64は、第4接合電極61の周囲を囲み、第2接合部60の接合面50から、第4層間絶縁層71を貫通し、第3中間層72に達する深さの凹部内に形成されている。
第4保護層65は、第5接合電極62と第6接合電極63の周囲を囲み、第2接合部60の接合面50から、第4層間絶縁層71を貫通し、第3中間層72に達する深さの凹部内に形成されている。
また、接合面50において、第2保護層45と第4保護層65とが、それぞれ接触する位置に設けられている。このため、第2接合電極42と第5接合電極62との接合部、及び、第3接合電極43と第6接合電極63との接合部が第2保護層45、第4保護層65、第2中間層54、及び、第3中間層72により囲まれる。
上述のように、第1層間絶縁層51や第4層間絶縁層71等に適用されるSiO2やlow−k材料等は、吸湿しやすい性質を持つ。特に、層間絶縁層同士をプラズマ接合法を用いて接合した場合には、絶縁層の表面処理及び熱処理により、接合面に水が発生する。このため、絶縁層材料の吸湿により水(H2O)70が、第1層間絶縁層51や第4層間絶縁層71等に含まれやすい。
このため、第1保護層44、第3保護層64、第1中間層52、及び、第3中間層72により、第1層間絶縁層51や第4層間絶縁層71に含まれている水70を遮断することができる。
また、第2保護層45、第4保護層65、第2中間層54、及び、第3中間層72により第1層間絶縁層51や第4層間絶縁層71に含まれている水70を遮断することができる。
また、保護層は、接合電極が形成されている層間絶縁層よりも深い位置まで形成してもよい。例えば、第2保護層45のように、接合面50から第1層間絶縁層51、第1中間層52、及び、第2層間絶縁層53を貫通して第2中間層54と接する位置まで形成してもよい。第2保護層45の構成によれば、第2層間絶縁層53内の水を遮断することができるため、第2層間絶縁層53から、第1中間層52を透過する水70を防ぐことができる。
上述の構成により、位置ずれに対する保護層の接続信頼性を確保することができる。
上述の本実施形態の半導体装置の構成によれば、接合電極を囲む保護層を形成することにより、接合部の腐食の要因となる水分と接合電極との接触を最小限に抑えることができる。このため、接合電極の腐食を抑制することができ、良好な電気特性と信頼性を有した半導体装置を構成することができる。
従って、半導体装置の電気特性、及び、信頼性の向上が可能となる。また、腐食による抵抗値の上昇を抑えることができ、半導体装置の処理速度の向上や、消費電力の低下が可能となる。
また、接合電極を保護層で囲むことにより、電極接合部を流れる電気信号に対して外部からの混信も低減することできる。従って、半導体装置のノイズ低減が可能となる。
次に、実施形態の半導体装置の製造方法の一例を説明する。なお、以下の製造方法の説明では、上述の図2A,Bに示す第1接合電極41と、第4接合電極61との接合部付近の製造方法のみを示し、その他の構成の製造方法は説明を省略する。第2接合電極42と第5接合電極62との接合部、及び、第3接合電極43と第6接合電極63との接合部等については、第1接合電極41と第4接合電極61との接合部付近の製造方法と同様に製造することができる。また、半導体基体、配線層、他の各種トランジスタ、各種素子の作製方法については説明を省略する。これらは従来公知の方法により作製することができる。
また、上述の図2に示す本実施形態の半導体装置の構成と同様の構成には同じ符号を付して各構成の詳細な説明は省略する。
上述の第1層間絶縁層51、第1中間層52、第2層間絶縁層53、第2中間層54、及び、第3層間絶縁層55の各層は、例えばCVD法又はスピンコート法を用いて形成する。
第1層間絶縁層51、第1中間層52、及び、第2層間絶縁層53エッチングした後、例えば酸素(O2)プラズマをベースとしたアッシング処理と有機アミン系の薬液処理を施す。この処理により、レジスト層101及びエッチング処理の際に生じた残留付着物を完全に除去する。
さらに、第1層間絶縁層51の開口部に残存するバリア材料層105により、第1保護層44を形成する。
以上の工程により第1接合部40を形成する。
そして、上述の方法により形成した二枚の半導体基体(第1接合部40及び第2接合部60)の表面に、例えば蟻酸を用いたWet処理、或いは、Ar、NH3、H2等のプラズマを用いたDry処理を施す。この処理により、第1接合電極41、及び、第4接合電極61の表面の酸化膜を除去し、清浄な金属面を露出させる。
そして、図5Kに示すように、二枚の半導体基体の表面同士を対向させた後、両者を接触させることにより、第1接合部40と第2接合部60の接合を行う。
その際、ホットプレートやRTAといったアニール装置にて、例えば大気圧にてN2雰囲気もしくは真空中で、100℃〜400℃で5分〜2時間程度熱処理を行う。
以上の工程により、図5Kに示す本実施形態の半導体装置を製造することができる。
このため、従来の半導体装置の製造方法から、保護層を形成するための工程を追加することなく、本実施形態の半導体装置を製造することができる。
第1配線46又は第4配線66と接続する第1ビア56、第4ビア76の開口径は50nm〜200nmである。第1接合電極41、及び、第4接合電極61の開口径は200nm〜20μmである。第1接合電極41、及び、第4接合電極61の周囲に形成され、接合部を囲う第1保護層44及び第3保護層64の開口幅は10nm〜20μmである。
次に、本実施形態の半導体装置の変形例1について説明する。図6に変形例1の半導体装置の構成を示す。なお、図6に示す半導体装置において、上述の実施形態の半導体装置と同様の構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。また、図6に示す変形例1の半導体装置の構成は、保護層以外の構成が上述の実施形態の半導体装置と同様である。このため、保護層以外の構成の説明は省略する。
図6Aに示すように、第1接合部40は、第1接合電極41の周囲に、第1保護層81を備える。そして、第2接合電極42と第3接合電極43の周囲を囲む第2保護層82を備える。
また、第1保護層81は、図6Bに示すように、第1接合電極41の周囲を囲む一連の層から形成されている。また、第2保護層82は、第2接合電極42及び第3接合電極43の周囲を囲む一連の層から形成されている。
そして、第1保護層81は、第1接合部40の接合面50から、第1層間絶縁層51を貫通し、第1中間層52に達する深さに形成されている。
そして、この構成により、第1保護層81、第3保護層64、第1中間層52、及び、第3中間層72により囲まれた領域内に、第1接合電極41と第4接合電極61との接合部が形成される。また、第2保護層82、第4保護層65、第2中間層54、及び、第3中間層72により囲まれた領域内に、第2接合電極42と第5接合電極62との接合部、及び、第3接合電極43と第6接合電極63との接合部が形成される。
図6Aに示す本実施形態の半導体装置の構成では、第1保護層81及び第2保護層82の接合面での幅を、第3保護層64及び第4保護層65の幅よりも大きくすることにより、位置ずれに対する接続信頼性を確保している。
第1保護層81及び第2保護層82の構成は、例えば、保護層同士の接続信頼性を確保するために、接合する一方の保護層の幅を他方の幅よりも大きくする場合に好適である。例えば、第1保護層81の開口径(幅)を30nm程度〜20μm程度とした場合には、バリアメタル層81B,82Bによる埋め込みだけでは、絶縁層に形成した開口部を埋め込むことが難しい。このため、開口部の内面をバリアメタル層81B,82Bで被覆した後、このバリアメタル層81B,82B内を導体層81A.81Bで埋め込むことにより、接合面の幅が大きい第1保護層81及び第2保護層82を構成することができる。
次に、上述の変形例1の半導体装置の製造方法を説明する。以下の製造方法の説明では、上述の図6A,Bに示す第1接合電極41と、第4接合電極61との接合部付近の製造方法のみを示し、その他の構成の製造方法は説明を省略する。
さらに、第1層間絶縁層51の開口部に残存するバリア材料層108と電極材料層109より、第1保護層81を形成する。
以上の工程により第1接合部40を形成する。
そして、上述の方法により形成した二枚の半導体基体(第1接合部40及び第2接合部60)の表面に、例えば蟻酸を用いたWet処理、或いは、Ar、NH3、H2等のプラズマを用いたDry処理を施す。この処理により、第1接合電極41、及び、第4接合電極61の表面の酸化膜を除去し、清浄な金属層を露出させる。
そして、図8Kに示すように、二枚の半導体基体の表面同士を対向させた後、両者を接触させることにより、第1接合部40と第2接合部60の接合を行う。
その際、ホットプレートやRTAといったアニール装置にて、例えば大気圧にてN2雰囲気もしくは真空中で、100℃〜400℃で5分〜2時間程度熱処理を行う。
以上の工程により、図8Kに示す本実施形態の半導体装置を製造することができる。
次に、本実施形態の半導体装置の変形例2について説明する。図9に変形例2の半導体装置の構成を示す。なお、図9に示す半導体装置において、上述の実施形態の半導体装置と同様の構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。また、図9に示す変形例2の半導体装置の構成は、層間絶縁層以外の構成が上述の実施形態の半導体装置と同様である。このため、層間絶縁層以外の構成の説明は省略する。
第1接合部40及び第2接合部60は、複数の配線層と絶縁層とが積層されて構成されている。
第1接合部40の絶縁層は、接合面50側から順に、第1層間絶縁層83、及び、第2層間絶縁層84から構成される。また、第2接合部60の絶縁層は、接合面50側から順に、第3層間絶縁層85、及び、第4層間絶縁層86から構成されている。
また、第1層間絶縁層83内に、第1ビア56、第2ビア57、及び、第3ビア58が形成されている。
さらに、第1層間絶縁層83内に、第1接合電極41の周囲を囲む第1保護層44と、第2接合電極42と第3接合電極43の周囲を囲む第2保護層45を備える。
また、第3層間絶縁層85内に、第4ビア76、第5ビア77、及び、第6ビア78が形成されている。
さらに、第3層間絶縁層85内に、第4接合電極61の周囲を囲む第3保護層64と、第5接合電極62と第6接合電極63の周囲を囲む第4保護層65とを備える。
図9に示す変形例2の半導体装置は、上述の実施形態の半導体装置の製造方法において、積層する層間絶縁層の材料と、層間絶縁層のエッチング条件を変更することにより製造することができる。例えば、上述の図3A及び図3Bに示す層間絶縁層と中間層とを形成する工程において、単一層の層間絶縁層を形成する。そして,エッチングする工程において、エッチング時間を制御することにより、層間絶縁層の所望の深さに凹部を形成する。このように製造工程を変更することにより、上述の実施形態の半導体装置と同様の方法で、変形例2の半導体装置を製造することができる。
上述の実施形態の半導体装置は、2つの半導体部材を貼り合わせて配線接合を行う任意の電子機器、例えば、固体撮像装置、半導体メモリ、半導体ロジックデバイス(IC等)に適用可能である。
以下、上述の実施形態における電極接合の構成を固体撮像装置に適用した例を説明する。
図10に、本実施形態に係る固体撮像装置の要部の概略断面図を示す。なお、図10では、説明を簡略化するため、電極接合部、ビア及び層間絶縁膜との間に形成されるバリアメタル層の図示は省略する。
上述の固体撮像装置は、例えば、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステム、撮像機能を有する携帯電話、又は、撮像機能を備えた他の機器などの電子機器に適用することができる。以下、電子機器の一構成例として、カメラを例に挙げ説明する。
この例のカメラ300は、固体撮像装置301と、固体撮像装置301の受光センサ部に入射光を導く光学系302と、固体撮像装置301及び光学系302間に設けられたシャッタ装置303と、固体撮像装置301を駆動する駆動回路304とを備える。さらに、カメラ300は、固体撮像装置301の出力信号を処理する信号処理回路305を備える。
(1)半導体基体と、前記半導体基体上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された接合電極と、前記絶縁層表面に形成され、前記絶縁層を介して前記接合電極の周囲を囲む保護層と、を備える半導体装置。
(2)前記接合電極が形成されている表面に露出する保護層が、Ta、Ti、Ru、TaN、及び、TiNから選ばれる少なくとも1種を含んで構成されている(1)に記載の半導体装置。
(3)前記保護層は、Ta、Ti、Ru、TaN、及び、TiNから選ばれる少なくとも1種を含む前記絶縁層の凹部内面を被覆する被覆層と、前記被覆層上に形成された前記接合電極を構成する材料からなる導体層とから構成されている(1)又は(2)に記載の半導体装置。
(4)前記保護層が1つの前記接合電極、又は、複数の前記接合電極の周囲を囲む(1)から(3)のいずれかに請求項1に記載の半導体装置。
(5)前記接合電極及び前記保護層が形成される絶縁層が、SiNからなる(1)から(4)のいずれかに記載の半導体装置。
(6)半導体基体上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の表面に接合電極を形成する工程と、前記絶縁層の表面に、前記絶縁層を介して前記接合電極の周囲を囲む位置に保護層を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
(7)(1)から(5)のいずれかに記載された半導体装置と、前記半導体装置の出力信号を処理する信号処理回路と、を備える電子機器。
Claims (7)
- 第1半導体基体と第2半導体基体とが、接合電極の形成面を対向させて接合された半導体装置であって、
前記第1半導体基体と、
前記第1半導体基体上に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の表面に形成された第1接合電極と、
少なくとも前記第1絶縁層表面から前記第1絶縁層の上層までの深さに形成され、前記第1絶縁層を介して前記第1接合電極の周囲を囲む第1保護層と、
前記第2半導体基体と、
前記第2半導体基体上に形成された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層の表面に形成された第2接合電極と、
少なくとも前記第2絶縁層表面から前記第2絶縁層の上層までの深さに形成され、前記第2絶縁層を介して前記第2接合電極の周囲を囲む第2保護層と、を備え、
前記第1半導体基体と前記第2半導体基体との接合面において、前記第1接合電極と前記第2接合電極とが接合し、
前記第1保護層と前記第2保護層とが、前記接合面において接触する位置に設けられ、
前記第1接合電極と前記第2接合電極との接合部が、前記第1保護層と前記第2保護層とで囲まれ、
前記第1保護層と前記第2保護層とにより、前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層中の水から前記第1接合電極と前記第2接合電極とが保護される
半導体装置。 - 前記第1接合電極及び前記第2接合電極が形成されている表面に露出する前記第1保護層と前記第2保護層が、Ta、Ti、Ru、TaN、及び、TiNから選ばれる少なくとも1種を含んで構成されている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1保護層と前記第2保護層は、Ta、Ti、Ru、TaN、及び、TiNから選ばれる少なくとも1種を含む前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層の凹部内面を被覆する被覆層と、前記被覆層上に形成された前記第1接合電極及び前記第2接合電極を構成する材料からなる導体層とから構成されている請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第1保護層と前記第2保護層が1つの前記第1接合電極及び前記第2接合電極の接合部、又は、複数の前記第1接合電極及び前記第2接合電極の接合部と、他の接合電極同士の接合部との周囲を囲む請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層が、SiNからなる請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- 第1半導体基体上に第1絶縁層を形成する工程と、
前記第1絶縁層の表面に第1接合電極を形成する工程と、
少なくとも前記第1絶縁層の表面から前記第1絶縁層の上層までの深さに、前記第1絶縁層を介して前記第1接合電極の周囲を囲む位置に第1保護層を形成する工程と、
第2半導体基体上に第2絶縁層を形成する工程と、
前記第2絶縁層の表面に第2接合電極を形成する工程と、
少なくとも前記第2絶縁層の表面から前記第2絶縁層の上層までの深さに、前記第2絶縁層を介して前記第2接合電極の周囲を囲む位置に第2保護層を形成する工程と、
前記第1半導体基体と前記第2半導体基体とを、前記第1接合電極と前記第2接合電極の形成面で対向させ、前記第1接合電極と前記第2接合電極との位置、及び、前記第1保護層と前記第2保護層との位置を合わせて接触させ、前記第1接合電極と前記第2接合電極とを接合する工程と、を有し、
前記接合する工程において、前記第1保護層と前記第2保護層とを接合して、前記第1接合電極と前記第2接合電極との接合部を前記第1保護層と前記第2保護層とで囲みを、前記第1保護層と前記第2保護層とにより、前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層中の水から、前記第1接合電極と前記第2接合電極と保護する
半導体装置の製造方法。 - 半導体装置と、前記半導体装置の出力信号を処理する信号処理回路と、を備え、
前記半導体装置は、第1半導体基体と第2半導体基体とが、接合電極の形成面を対向させて接合され、
前記第1半導体基体と、
前記第1半導体基体上に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の表面に形成された第1接合電極と、
少なくとも前記第1絶縁層表面から前記第1絶縁層の上層までの深さに形成され、前記第1絶縁層を介して前記第1接合電極の周囲を囲む第1保護層と、
前記第2半導体基体と、
前記第2半導体基体上に形成された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層の表面に形成された第2接合電極と、
少なくとも前記第2絶縁層表面から前記第2絶縁層の上層までの深さに形成され、前記第2絶縁層を介して前記第2接合電極の周囲を囲む第2保護層と、を備え、
前記第1半導体基体と前記第2半導体基体との接合面において、前記第1接合電極と前記第2接合電極とが接合し、
前記第1保護層と前記第2保護層とが、前記接合面において接触する位置に設けられ、
前記第1接合電極と前記第2接合電極との接合部が、前記第1保護層と前記第2保護層とで囲まれ、
前記第1保護層と前記第2保護層とにより、前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層中の水から前記第1接合電極と前記第2接合電極とが保護される
電子機器。
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