JP2022082187A - 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の半導体基体の間の接合強度を改善しつつ、複数の半導体基体の一方から他方へノイズが通過するのを抑制する。【解決手段】固体撮像装置は、光電変換部が形成された第１の半導体層、及び層間絶縁膜を含む第１の多層配線層を有する第１半導体基体と、回路が形成された第２の半導体層、及び層間絶縁膜を含む第２の多層配線層を有し、第２の多層配線層が第１の多層配線層と接合された第２半導体基体と、第１の多層配線層及び第２の多層配線層のうち少なくとも一方に、第１の多層配線層と第２の多層配線層との接合面に露出するように設けられた遮光層と、第１の多層配線層及び第２の多層配線層のうちの少なくとも一方に設けられ、遮光層と第１の多層配線層の層間絶縁膜との間、及び遮光層と第２の多層配線層の層間絶縁膜との間の少なくとも一方に設けられた酸化防止層と、を備える。【選択図】図３

Description

本技術（本開示に係る技術）は、固体撮像装置及びその製造方法に関し、特に、複数の半導体基体を接合して構成される固体撮像装置の技術に関する。

近年、半導体基体同士を貼り合わせて３次元集積回路等を作製する方法の中に、半導体基体の貼り合せ面に設けられた電極同士を直接接合する方法がある。例えば、受光素子が形成された第１半導体基体と周辺回路が形成された第２半導体基体とを、電極、例えばＣｕ電極（Ｃｕ Ｐａｄ）によって接合する方法がある。
また、以下の特許文献１に記載されたように、半導体基体同士を貼り合わせて３次元集積回路等を作製する方法の中に、半導体基体の接合面に金属薄膜を形成し、金属薄膜同士を接触させて貼り合わせる原子拡散接合という方法がある。そして、貼り合わせた後、熱処理を行うことにより、金属薄膜の一部を絶縁膜化していた。

特開２０１３－１６８４１９号公報

上述のような複数の半導体基体を接合して構成される固体撮像装置では、一方の半導体基体からのノイズにより、他方の半導体基体に設けられた素子、例えば光電変換部が影響を受けることがあった。また、複数の半導体基体を接合する場合、その接合強度が十分とは言えない場合もあった。

本技術は、複数の半導体基体の間の接合強度を改善しつつ、複数の半導体基体の一方から他方へノイズが通過するのを抑制することが可能な固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供することを目的とする。

本技術の一態様に係る固体撮像装置は、光電変換を行う光電変換部が形成された第１の半導体層、及び上記第１の半導体層の光入射面とは反対側に形成された層間絶縁膜を含む第１の多層配線層を有する第１半導体基体と、回路が形成された第２の半導体層、及び上記第２の半導体層の光入射面側に形成された層間絶縁膜を含む第２の多層配線層を有し、上記第２の多層配線層が上記第１の多層配線層と接合された第２半導体基体と、上記第１の多層配線層及び上記第２の多層配線層のうち少なくとも一方に、上記第１の多層配線層と上記第２の多層配線層との接合面に露出するように設けられた遮光層と、上記第１の多層配線層及び上記第２の多層配線層のうちの少なくとも一方に設けられ、上記遮光層と上記第１の多層配線層の上記層間絶縁膜との間、及び上記遮光層と上記第２の多層配線層の上記層間絶縁膜との間の少なくとも一方に設けられた酸化防止層と、を備える。

本技術の他の態様に係る固体撮像装置は、第１配線と第１層間絶縁膜とを含む第１配線層と、第２配線と第２層間絶縁膜とを含む第２配線層とを有し、上記第１配線層の第１面と上記第２配線層の第２面は対向するように配置され、上記第１面は第１領域と第２領域と第３領域とを有し、上記第１領域に設けられた、上記第１層間絶縁膜とは異なる第１絶縁膜と、上記第２領域に設けられた、上記第１配線と接する第１金属膜と、上記第３領域に設けられた、上記第１絶縁膜と上記第１層間絶縁膜とは異なる第２絶縁膜と接する第２金属膜と、を含む。

本技術の他の態様に係る固体撮像装置の製造方法は、光電変換を行う光電変換部が形成された第１の半導体層、及び上記第１の半導体層の光入射面とは反対側に形成された層間絶縁膜を含む第１の多層配線層を有する第１半導体基体と、回路が形成された第２の半導体層、及び上記第２の半導体層の光入射面側に形成された層間絶縁膜を含む第２の多層配線層を有する第２半導体基体と、を準備し、上記第１半導体基体の上記層間絶縁膜と上記第２半導体基体の上記層間絶縁膜とのうち少なくとも一方に酸化防止層を形成し、上記第１半導体基体の上記層間絶縁膜側の面と、上記第２半導体基体の上記層間絶縁膜側の面とに高融点金属膜を形成し、上記第１半導体基体と上記第２半導体基体とを、各々の上記高融点金属膜を接合することにより接合し、接合された上記第１半導体基体と上記第２半導体基体とを熱処理する。

本技術の他の態様に係る電子機器は、上記固体撮像装置と、被写体からの像光を上記固体撮像装置の撮像面上に結像させる光学レンズと、上記固体撮像装置から出力される信号に信号処理を行う信号処理回路と、を備える。

図１は、本技術に係る固体撮像装置の構成例を示すブロック図である。 図２Ａは、本技術に係る固体撮像装置の積層構造例を示す模式図である。 図２Ｂは、本技術に係る固体撮像装置の積層構造例を示す模式図である。 図２Ｃは、本技術に係る固体撮像装置の積層構造例を示す模式図である。 図３は、本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の要部を示す概略構成図である。 図４Ａは、本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置を模式的に示す平面図である。 図４Ｂは、図３のＡ－Ａ切断線に沿った断面構造の要部を模式的に示す断面図である。 図５は、本技術の第１実施形態に係る第１半導体基体側の要部を示す概略構成図である。 図６Ａは、本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の第１半導体基体側要部の製造方法の工程断面図である。 図６Ｂは、図６Ａに引き続く工程断面図である。 図６Ｃは、図６Ｂに引き続く工程断面図である。 図６Ｄは、図６Ｃに引き続く工程断面図である。 図６Ｅは、図６Ｄに引き続く工程断面図である。 図６Ｆは、図６Ｅに引き続く工程断面図である。 図６Ｇは、図６Ｆに引き続く工程断面図である。 図６Ｈは、図６Ｇに引き続く工程断面図である。 図７は、本技術の第１実施形態に係る第２半導体基体側の要部を示す概略構成図である。 図８Ａは、本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の第２半導体基体側要部の製造方法の工程断面図である。 図８Ｂは、図８Ａに引き続く工程断面図である。 図８Ｃは、図８Ｂに引き続く工程断面図である。 図８Ｄは、図８Ｃに引き続く工程断面図である。 図８Ｅは、図８Ｄに引き続く工程断面図である。 図８Ｆは、図８Ｅに引き続く工程断面図である。 図８Ｇは、図８Ｆに引き続く工程断面図である。 図８Ｈは、図８Ｇに引き続く工程断面図である。 図９Ａは、本技術の第１実施形態に係る接合層の製造方法の工程断面図である。 図９Ｂは、図９Ａに引き続く工程断面図である。 図１０は、遮光層の比較例を説明する図である。 図１１は、本技術の第１実施形態の変形例１に係る第１半導体基体と第２半導体基体との接合部分を模式的に示す概略構成図である。 図１２Ａは、本技術の第１実施形態の変形例１に係る固体撮像装置の第２半導体基体側要部の製造方法の工程断面図である。 図１２Ｂは、図１２Ａに引き続く工程断面図である。 図１２Ｃは、本技術の第１実施形態の変形例１に係る接合層の製造方法の工程断面図である。 図１２Ｄは、図１２Ｃに引き続く工程断面図である。 図１３は、本技術の第１実施形態の変形例２に係る第１半導体基体と第２半導体基体との接合部分を模式的に示す概略構成図である。 図１４は、本技術の第１実施形態の変形例２に係る接合層の製造方法の工程断面図である。 図１５は、本技術の第１実施形態の変形例３に係る第１半導体基体と第２半導体基体との接合部分を模式的に示す概略構成図である。 図１６Ａは、本技術の第１実施形態の変形例３に係る固体撮像装置の第２半導体基体側要部の製造方法の工程断面図である。 図１６Ｂは、図１６Ａに引き続く工程断面図である。 図１６Ｃは、図１６Ｂに引き続く工程断面図である。 図１６Ｄは、図１６Ｃに引き続く工程断面図である。 図１６Ｅは、本技術の第１実施形態の変形例３に係る接合層の製造方法の工程断面図である。 図１６Ｆは、図１６Ｅに引き続く工程断面図である。 図１７は、本技術の第１実施形態の変形例４に係る第１半導体基体と第２半導体基体との接合部分を模式的に示す概略構成図である。 図１８Ａは、本技術の第１実施形態の変形例４に係る固体撮像装置の第２半導体基体側要部の製造方法の工程断面図である。 図１８Ｂは、図１８Ａに引き続く工程断面図である。 図１８Ｃは、本技術の第１実施形態の変形例４に係る接合層の製造方法の工程断面図である。 図１８Ｄは、図１８Ｃに引き続く工程断面図である。 図１９は、本技術の第２実施形態に係る第１半導体基体と第２半導体基体との接合部分を模式的に示す概略構成図である。 図２０は、本技術の第２実施形態に係る固体撮像装置の酸化防止層及び遮光層の平面図である。 図２１Ａは、本技術の第２実施形態に係る固体撮像装置の第１半導体基体側要部の製造方法の工程断面図である。 図２１Ｂは、図２１Ａに引き続く工程断面図である。 図２１Ｃは、図２１Ｂに引き続く工程断面図である。 図２２Ａは、本技術の第２実施形態に係る固体撮像装置の第２半導体基体側要部の製造方法の工程断面図である。 図２２Ｂは、図２２Ａに引き続く工程断面図である。 図２２Ｃは、図２２Ｂに引き続く工程断面図である。 図２３Ａは、本技術の第２実施形態に係る接合層の製造方法の工程断面図である。 図２３Ｂは、図２３Ａに引き続く工程断面図である。 図２４は、本技術の第２実施形態の他の実施例に係る固体撮像装置の酸化防止層及び遮光層の平面図である。 図２５は、本技術の第２実施形態の他の実施例に係る固体撮像装置の酸化防止層及び遮光層の平面図である。 図２６は、本技術の第２実施形態の他の実施例に係る固体撮像装置の酸化防止層及び遮光層の平面図である。 図２７は、本技術の第３実施形態に係る電子機器を示す概略構成図である。

〔実施形態〕
以下、本技術を実施するための好適な形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。
以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
また、以下に示す第１～第３の実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。

説明は以下の順序で行う。
１．固体撮像装置の構成例
２．固体撮像装置の積層構造例
３．第１実施形態
４．第１実施形態の変形例１
５．第１実施形態の変形例２
６．第１実施形態の変形例３
７．第１実施形態の変形例４
８．第２実施形態
９．第３実施形態

＜固体撮像装置の構成例＞
図１は、本技術に係る固体撮像装置の構成例を示すブロック図である。図１に示すように、固体撮像装置１は、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサとして構成されている。固体撮像装置１は、図示しない半導体基板（例えばＳｉ基板）に複数の画素２が規則的に２次元アレイ状に配列された画素領域（画素アレイ）３と、周辺回路部とを有する。

画素２は、光電変換を行う光電変換部（例えばフォトダイオード）と、複数の画素トランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）を有する。複数の画素トランジスタは、例えば、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、および増幅トランジスタの３つのトランジスタで構成することができる。また、複数の画素トランジスタは、選択トランジスタを追加して４つのトランジスタで構成することもできる。なお、単位画素の等価回路は周知な技術と同様であるので、詳細な説明は省略する。

また、画素２は、１つの単位画素として構成することもできるし、共有画素構造とすることもできる。この画素共有構造は、複数のフォトダイオードが、フローティングディフュージョン、および複数の転送トランジスタ以外の他のトランジスタを共有する構造である。すなわち、共有画素では、複数の単位画素を構成するフォトダイオードおよび転送トランジスタが、他の１つずつの画素トランジスタを共有して構成されている。

周辺回路部は、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、水平駆動回路６、出力回路７、および制御回路８を有する。

垂直駆動回路４は、例えばシフトレジスタによって構成されている。垂直駆動回路４は、画素駆動配線を選択し、選択された画素駆動配線に画素を駆動するためのパルスを供給し、行単位で画素を駆動する。すなわち、垂直駆動回路４は、画素領域３の各画素２を行単位で順次垂直方向に選択走査する。そして、垂直駆動回路４は、垂直信号線９を通して各画素２の光電変換部において受光量に応じて生成された信号電荷に基づく画素信号を、カラム信号処理回路５に供給する。

カラム信号処理回路５は、例えば画素２の列毎に配置されている。カラム信号処理回路５は、１行分の画素２から出力される信号に対して画素列毎に、ノイズ除去などの信号処理を行う。具体的には、カラム信号処理回路５は、画素２固有の固定パターンノイズを除去するためのＣＤＳ（Correlated Double Sampling）や、信号増幅、Ａ／Ｄ（Analog/Digital）変換等の信号処理を行う。カラム信号処理回路５の出力段には、水平選択スイッチ（図示せず）が水平信号線１０との間に接続されて設けられている。

水平駆動回路６は、例えばシフトレジスタによって構成されている。水平駆動回路６は、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路５それぞれを順番に選択し、カラム信号処理回路５それぞれからの画素信号を水平信号線１０に出力させる。

出力回路７は、カラム信号処理回路５の各々から水平信号線１０を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。出力回路７は、例えば、バッファリングだけ行う場合もあるし、黒レベル調整、列ばらつき補正、各種デジタル信号処理等を行う場合もある。

制御回路８は、入力クロックと、動作モード等を指令するデータを受け取り、また固体撮像装置１の内部情報等のデータを出力する。また、制御回路８は、垂直同期信号、水平同期信号、およびマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５および水平駆動回路６等の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、制御回路８は、これらの信号を垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、および水平駆動回路６等に入力する。
入出力端子１２は、外部と信号のやりとりをする。

＜固体撮像装置の積層構造例＞
図２Ａないし図２Ｃは、本技術に係る固体撮像装置の積層構造例を示す模式図である。図２Ａないし図２Ｃを用いて、本技術が適用される固体撮像装置の積層構造例について説明する。

第１の例として、図２Ａに示される固体撮像装置１ａは、第１の半導体基板２１と第２の半導体基板２２とから構成されている。第１の半導体基板２１には、画素領域２３と制御回路２４が搭載されている。第２の半導体基板２２には、信号処理回路を含むロジック回路２５が搭載されている。そして、第１の半導体基板２１と第２の半導体基板２２とが相互に電気的に接続されていることで、１つの半導体チップとしての固体撮像装置１ａが構成されている。

第２の例として、図２Ｂに示される固体撮像装置１ｂは、第１の半導体基板２１と第２の半導体基板２２とから構成されている。第１の半導体基板２１には、画素領域２３が搭載されている。第２の半導体基板２２には、制御回路２４と、信号処理回路を含むロジック回路２５とが搭載されている。そして、第１の半導体基板２１と第２の半導体基板２２とが相互に電気的に接続されていることで、１つの半導体チップとしての固体撮像装置１ｂが構成されている。

第３の例として、図２Ｃに示される固体撮像装置１ｃは、第１の半導体基板２１と第２の半導体基板２２とから構成されている。第１の半導体基板２１には、画素領域２３と、画素領域２３を制御する制御回路２４－１が搭載されている。第２の半導体基板２２には、ロジック回路２５を制御する制御回路２４－２と、信号処理回路を含むロジック回路２５とが搭載されている。そして、第１の半導体基板２１と第２の半導体基板２２とが相互に電気的に接続されていることで、１つの半導体チップとしての固体撮像装置１ｃが構成されている。

図示しないが、ＣＭＯＳ固体撮像装置の構成によっては、２つ以上の半導体基体を貼り合わせて構成することもできる。例えば、上記の第１および第２半導体基体以外に、メモリ素子アレイを備えた半導体基体、その他の回路素子を備えた半導体基体などを追加して３つ以上の半導体基体を貼り合わせて、１つのチップとしたＣＭＯＳ固体撮像装置を構成することもできる。

＜第１実施形態の固体撮像装置＞
〈固体撮像装置の構成例〉
図３に、本技術に係る固体撮像装置、すなわち、裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置の第１実施形態を示す。裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置は、受光部が回路部の上部に配置され、表面照射型に比べて高感度で低ノイズのＣＭＯＳ固体撮像装置である。第１実施形態に係る固体撮像装置３１は、図２Ａの固体撮像装置１ａと同様の、画素領域２３と制御回路２４が形成された第１半導体基体２６と、ロジック回路２５が形成された第２半導体基体２８とが積層されて貼り合わされた積層半導体チップ３２を有して構成されている。ここで、第１半導体基体２６と第２半導体基体２８との積層方向を、固体撮像装置３１の厚み方向とする。

［第１半導体基体の構成例］
第１半導体基体２６は、薄膜化されたシリコンによる第１の半導体層（半導体層）３３と、層間絶縁膜５３を有する多層配線層３７（第１の多層配線層、第１配線層）とを備える。多層配線層３７に形成されている層間絶縁膜５３は、多層の絶縁膜で形成されても良い。第１の半導体層３３には、光電変換部となるフォトダイオードＰＤと複数の画素トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２からなる複数の画素を列状に２次元配列した画素領域３４が形成されている。すなわち、第１半導体基体２６は、複数のフォトダイオード（光電変換部）ＰＤが設けられた画素領域３４を有する。また、図示しないが、第１の半導体層３３に制御回路２４を構成する複数のＭＯＳトランジスタが形成されている。第１の半導体層３３の表面（主面）３３ａ側には、層間絶縁膜５３を介して複数、この例では５層のメタルＭ_１～Ｍ_５による配線３５［３５ａ～３５ｄ］および第１接続配線３６を配置した多層配線層３７が形成されている。配線３５および第１接続配線３６は、デュアルダマシン法で形成された銅（Ｃｕ）配線が用いられている。なお配線３５及び第１接続配線３６は銅以外の金属やその合金を用いても良い。
また、第１の半導体層３３の、表面３３ａとは反対側の面は、光入射面３３ｂである。

ここで、多層配線層３７の、第１の半導体層３３側の面と反対側の面を、表面Ｓ１（第１面）と表す。第１半導体基体２６は多層配線層３７を有するので、表面Ｓ１は第１半導体基体２６の表面Ｓ１でもある。層間絶縁膜５３は、表面Ｓ１に臨んでいる第１最上層層間絶縁膜５３ｃ（第１層間絶縁膜）を含む。表面Ｓ１は、第１半導体基体２６の第１最上層層間絶縁膜５３ｃ側の面である。

第１最上層層間絶縁膜５３ｃは、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＨｆＯ、ＧｅＯ、ＧａＯ、ＳｉＯＮ等から構成されている。本第１実施形態では、第１最上層層間絶縁膜５３ｃはＳｉＯ_２により構成されていることとする。第１最上層層間絶縁膜５３ｃ以外の層間絶縁膜５３は、第１最上層層間絶縁膜５３ｃと同じ材料又は従来公知の半導体装置の層間絶縁層に適用される材料を用いることができる。

そして、この第１最上層層間絶縁膜５３ｃには、第１接続パッド３６ｂが設けられている。図４Ｂは、図３のＡ－Ａ切断線に沿った断面構造の要部を示す断面図であり、第１半導体基体と第２半導体基体との接合部分を模式的に示す概略構成図である。図４Ｂに示すように、第１接続パッド３６ｂは、第１接続配線３６とＣｕ拡散バリア性メタル膜７２とを含む。図３に示すように、第１最上層層間絶縁膜５３ｃには表面Ｓ１に臨む配線溝３６ａが設けられていて、第１接続配線３６は、配線溝３６ａに埋め込まれている。これにより、５層目のメタルＭ_５による第１接続配線３６が形成されている。第１接続配線３６は、図示してはいないが、導電ビア５２を介して４層目のメタルＭ_４による配線３５ｄ等に接続されている。図４Ｂに示すように、Ｃｕ拡散バリア性メタル膜は、第１接続配線３６と第１最上層層間絶縁膜５３ｃとの間に設けられている。図４Ｂに示すように、第１接続配線３６とＣｕ拡散バリア性メタル膜７２とは、表面Ｓ１に臨んでいる。つまり、第１接続パッド３６ｂは、表面Ｓ１に臨んでいる。Ｃｕ拡散バリア性メタル膜としては、例えばＴａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ，ＷＮ、Ｒｕ、ＴｉＺｒＮ、これらを含む合金膜が挙げられる。また、第１接続パッド３６ｂ及び第１接続パッド３６ｂと同じレイヤのメタルによる配線を、他の配線と区別するために第１配線と呼ぶ。

また、第１半導体基体２６は、第１最上層層間絶縁膜５３ｃに設けられた第１酸化防止層７１を有する。第１酸化防止層７１の、第１最上層層間絶縁膜５３ｃ側の面と反対側の面は、表面Ｓ１に臨んでいる。

第１酸化防止層７１は、層間絶縁膜５３より吸湿性の低い物質（絶縁膜）で構成されている。第１酸化防止層７１は、第１最上層層間絶縁膜５３ｃより吸湿性の低い絶縁膜で構成されている。第１酸化防止層７１として、例えば、窒化シリコン（Ｓｉ_ｘＮ_ｙ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）等が挙げられる。本第１実施形態では、第１酸化防止層７１は窒化シリコンにより構成されていることとする。窒化シリコンの吸湿性は、ＳｉＯ_２の吸湿性より低い。

固体撮像装置３１は、受光側絶縁膜３８と、受光側遮光膜３９と、平坦化膜４３と、カラーフィルタ４４と、オン半導体チップレンズ４５とをさらに備える。

第１の半導体層３３の裏面側には、受光側絶縁膜３８を介してオプティカルブラック領域４１上を含んで受光側遮光膜３９が形成され、さらに平坦化膜４３を介して有効画素領域４２上にカラーフィルタ４４およびオン半導体チップレンズ４５が形成されている。オプティカルブラック領域４１上にもオン半導体チップレンズ４５を形成することもできる。

図３において、画素トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２は、複数の画素トランジスタを代表して示している。第１半導体基体２６では、薄膜化された第１の半導体層３３にフォトダイオードＰＤが形成されている。フォトダイオードＰＤは、画素領域３４を構成する有効画素領域４２およびオプティカルブラック領域４１に設けられている。

第１半導体基体２６の多層配線層３７では、対応する画素トランジスタと配線３５間、隣り合う上下層の配線３５間が、導電ビア５２を介して接続されている。

［第２半導体基体の構成例］
第２半導体基体２８は、シリコンによる第２の半導体層（半導体層）５４と、層間絶縁膜５６を有する多層配線層５９（第２の多層配線層、第１配線層）とを備える。多層配線層５９に形成されている層間絶縁膜５６は、多層の絶縁膜で形成されても良い。第２の半導体層５４は、半導体ウェル領域５０を有する。第２の半導体層５４の各半導体チップ部となる領域には、周辺回路を構成するロジック回路５５が形成されている。ロジック回路５５は、ＣＭＯＳトランジスタを含む複数のＭＯＳトランジスタＴｒ１１～Ｔｒ１４で形成されている。第２の半導体層５４の表面５４ａ（主面、光入射面３３ｂ側の面、第１半導体２６寄りの面）上には、層間絶縁膜５６を介して複数層、本例では４層のメタルＭ_１１～Ｍ_１４による配線５７［５７ａ～５７ｃ］および第２接続配線５８を配置した多層配線層５９が形成されている。配線５７および第２接続配線５８は、デュアルダマシン法による銅（Ｃｕ）配線が用いられている。なお配線５７及び第２接続配線５８は銅以外の金属やその合金を用いても良い。

ここで、多層配線層５９の、第２半導体基体２８側の面と反対側の面を、表面Ｓ２（第２面）と表す。第２半導体基体２８は多層配線層５９を有するので、表面Ｓ２は第２半導体基体２８の表面Ｓ２でもある。層間絶縁膜５６は、表面Ｓ２に臨んでいる第２最上層層間絶縁膜５６ｃ（第２層間絶縁膜）を含む。表面Ｓ２は、第２半導体基体２８の第２最上層層間絶縁膜５６ｃ側の面である。

第２最上層層間絶縁膜５６ｃは、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＨｆＯ、ＧｅＯ、ＧａＯ、ＳｉＯＮ等から構成されている。本第１実施形態では、第２最上層層間絶縁膜５６ｃはＳｉＯ_２により構成されていることとする。第１最上層層間絶縁膜５３ｃ以外の層間絶縁膜５３は、第２最上層層間絶縁膜５６ｃと同じ材料又は従来公知の半導体装置の層間絶縁層に適用される材料を用いることができる。

そして、この第２最上層層間絶縁膜５６ｃには、第２接続パッド５８ｂが設けられている。図４Ｂに示すように、第２接続パッド５８ｂは、第２接続配線５８とＣｕ拡散バリア性メタル膜７２とを含む。図３に示すように、第２最上層層間絶縁膜５６ｃには表面Ｓ２に臨む配線溝５８ａが設けられていて、第２接続配線５８は、配線溝５８ａに埋め込まれている。これにより、４層目のメタルＭ_１４による第２接続配線５８が形成されている。第２接続配線５８は、図示してはいないが、導電ビア６４を介して３層目のメタルＭ_１３による配線５７ｃ等に接続されている。図４Ｂに示すように、Ｃｕ拡散バリア性メタル膜７２は、第２接続配線５８と第２最上層層間絶縁膜５６ｃとの間に設けられている。第２接続配線５８とＣｕ拡散バリア性メタル膜７２とは、表面Ｓ２に臨んでいる。つまり、第２接続パッド５８ｂは、表面Ｓ２に臨んでいる。Ｃｕ拡散バリア性メタル膜としては、例えばＴａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ，ＷＮ、Ｒｕ、ＴｉＺｒＮ、これらを含む合金膜が挙げられる。また、第２接続パッド５８ｂ及び第２接続パッド５８ｂと同じレイヤのメタルによる配線を、他の配線と区別するために第２配線と呼ぶ。

また、第２半導体基体２８は、第２最上層層間絶縁膜５６ｃに設けられた第２酸化防止層７６を有する。第２酸化防止層７６の、第２最上層層間絶縁膜５６ｃ側の面と反対側の面は、表面Ｓ２に臨んでいる。

第２酸化防止層７６は、層間絶縁膜５６より吸湿性の低い物質（絶縁膜）で構成されている。第２酸化防止層７６は、第２最上層層間絶縁膜５６ｃより吸湿性の低い絶縁膜で構成されている。第２酸化防止層７６として、例えば、窒化シリコン、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等が挙げられる。本第１実施形態では、第２酸化防止層７６は窒化シリコンにより構成されていることとする。窒化シリコンの吸湿性は、ＳｉＯ_２の吸湿性より低い。

図３において、ロジック回路５５の複数のＭＯＳトランジスタを、ＭＯＳトランジスタＴｒ１１～Ｔｒ１４で代表して示している。

第２半導体基体２８の多層配線層５９では、ＭＯＳトランジスタＴｒ１１～Ｔｒ１４と配線５７間、隣り合う上下層の配線５７間が、導電ビア６４を介して接続されている。

［接合層の構成例］
第１半導体基体２６と第２半導体基体２８とは、原子拡散接合により貼り合わされている。第１半導体基体２６と第２半導体基体２８とは、第１半導体基体２６の最上層層間絶縁膜である第１最上層層間絶縁膜５３ｃと、第２半導体基体２８の最上層層間絶縁膜である第２最上層層間絶縁膜５６ｃとが対向するように貼り合わされている。第１半導体基体２６と第２半導体基体２８とは、最上層層間絶縁膜同士が対向するように貼り合わされている。

原子拡散接合とは、具体的には、まず、第１半導体基体２６の表面Ｓ１と第２半導体基体２８の表面Ｓ２とに対して高融点金属膜を成膜し、成膜された高融点金属膜同士を接合させることにより、第１半導体基体２６と第２半導体基体２８とを接合させることである。つまり、この接合は金属同士の接合である。次いで、接合された第１半導体基体２６と第２半導体基体２８とに対して熱処理をして、高融点金属膜の一部を絶縁化させる。これにより、例えば電極と電極の間が短絡しないようにする。このような高融点金属膜により、後述する接合層８４が形成される。

また、原子拡散接合に用いられる高融点金属の材料としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）等が挙げられる。本第１実施形態では、高融点金属としてチタン（Ｔｉ）を用いる例について、説明する。

接合層８４は、第１半導体基体２６と第２半導体基体２８との間に設けられていて、上述のように一部が絶縁化されている。図３に示すように、接合層８４は、絶縁層８５と、遮光層８６と、導通層８７とを含む。

まず、絶縁層８５について説明する。絶縁層８５は、上述の高融点金属膜が熱処理により酸化されて絶縁化した絶縁体（酸化物）、すなわち二酸化チタン（ＴｉＯ_２）である。絶縁層８５は、高融点金属膜のうちの一部が、第１最上層層間絶縁膜５３ｃ及び第２最上層層間絶縁膜５６ｃからの湿度の影響を受け、酸素と反応して酸化膜となったものである。絶縁層８５は、複数の導体の間を絶縁している。絶縁層８５は、例えば、遮光層８６と導通層８７との間、複数の導通層８７の間などを、電気的に絶縁している。

次に、導通層８７について説明する。導通層８７は、高融点金属膜が酸化されずにそのまま残ったものであり、導体、すなわちチタン（Ｔｉ）である。導通層８７は、高融点金属膜のうちの一部が、第１接続パッド３６ｂにより第１最上層層間絶縁膜５３ｃと隔てられ、第２接続パッド５８ｂにより第２最上層層間絶縁膜５６ｃと隔てられることにより、湿度の影響を受けず、酸化されずに残ったものである。導通層８７は、第１接続パッド３６ｂと第２接続パッド５８ｂとを電気的に導通させている。

最後に、遮光層８６について説明する。遮光層８６は、高融点金属膜が酸化されずにそのまま残ったものであり、導体、すなわちチタン（Ｔｉ）である。遮光層８６は、高融点金属膜のうちの一部が、第１酸化防止層７１により第１最上層層間絶縁膜５３ｃと隔てられ、第２酸化防止層７６により第２最上層層間絶縁膜５６ｃと隔てられることより、湿度の影響を受けず、酸化されずに残ったものである。

図４Ａは本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置３１を模式的に示す平面図である。図４は、遮光層８６、第１酸化防止層７１、第２酸化防止層７６、第１接続パッド３６ｂ、及び第２接続パッド５８ｂ等について分かりやすく説明するために模式化されている。そのため、図４Ａに示す固体撮像装置３１は、図３に示す固体撮像装置３１と多少異なって見える部分がある。
遮光層８６は、第１半導体基体２６と第２半導体基体２８との間を遮蔽し、第１半導体基体２６及び第２半導体基体２８のうちの一方の半導体基体から他方の半導体基体へ向かうノイズの通過を抑制する機能及び遮蔽する機能を有する。なお、ノイズには例えば光学的ノイズや電気的なノイズが含まれ、遮光層８６はそれらいずれかのノイズを遮蔽する機能を有する。遮光層８６は、例えば、第２半導体基体２８のロジック回路５５と第１半導体基体２６の画素領域３４との間を遮蔽し、第２半導体基体２８のロジック回路５５から第１半導体基体２６の画素領域３４へ向かう電磁波等のノイズの通過を抑制する機能を有する。この機能を実現するために、図３に示すように、遮光層８６は、第２半導体基体２８と第１半導体基体２６との間に設けられている。また、遮光層８６は、厚み方向に投影した場合つまり平面視で、ノイズから保護したい部分及びノイズの主な発生源となる部分の少なくとも一方と重なるように設けられる。例えば、図４Ａに示すように、ノイズから保護したい部分が画素領域３４である場合、遮光層８６は、厚み方向に投影した場合、つまり平面視で画素領域３４と重なる位置に設けられている。ここで、図４Ａの固体撮像装置３１の長手方向はＸ方向に平行であり、短手方向はＹ方向に平行である。さらに、固体撮像装置３１の厚み方向はＺ方向に平行である。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は互いに直交している。遮光層８６の面積は画素領域３４の面積より大きく、遮光層８６の輪郭８６ａは、画素領域３４の輪郭３４ａより外側に設けられている。外側に設けられているというのは、遮光層８６の輪郭８６ａが画素領域３４の輪郭３４ａより固体撮像装置３１の輪郭３１ａに近いということである。このように、画素領域３４の投影面全面に遮光層８６を設けている。

また、上述のような遮光層８６を図４Ａに示す位置に設けるために、第１酸化防止層７１および第２酸化防止層７６も、厚み方向に投影した場合、つまり平面視で画素領域３４と重なる位置に設けられている。第１酸化防止層７１の面積は画素領域３４の面積より大きく、第１酸化防止層７１の輪郭７１ａは、画素領域３４の輪郭３４ａより外側に設けられている。第２酸化防止層７６の面積は画素領域３４の面積より大きく、第２酸化防止層７６の輪郭７６ａは、画素領域３４の輪郭３４ａより外側に設けられている。

そして、図３及び図４Ａに示すように、遮光層８６は、平面視で第１酸化防止層７１および第２酸化防止層７６と丁度重なる位置に設けられ、厚み方向において第１酸化防止層７１および第２酸化防止層７６と丁度重なっている。具体的には、遮光層８６は、第１酸化防止層７１の、表面Ｓ１に臨む面の全面に設けられ、遮光層８６の第１半導体基体２６側の面は、第１酸化防止層７１の、表面Ｓ１に臨む面と接している。また、遮光層８６は、第２酸化防止層７６の、表面Ｓ２に臨む面の全面に設けられ、遮光層８６の第２半導体基体２８側の面は、第２酸化防止層７６の、表面Ｓ２に臨む面と接している。このように、遮光層８６は、第１酸化防止層７１と第２酸化防止層７６との間に設けられている。また、図４Ａに示すように、遮光層８６、第１酸化防止層７１、及び第２酸化防止層７６は、一辺の長さＬｃを有する正方形であり、互いに等しい面積を有している。

図４Ｂは、図４ＡのＡ－Ａ切断線に沿った断面構造を示す断面図である。絶縁層８５は、第１半導体基体２６側の第１絶縁層（第１絶縁膜）７８と、第２半導体基体２８側の第２絶縁層（第３絶縁膜）７９とを含む。遮光層８６は、第１半導体基体２６側の第１遮光層（第２金属膜）８０と、第２半導体基体２８側の第２遮光層（第４金属膜）８１とを含む。導通層８７は、第１半導体基体２６側の第１導通層（第１金属膜）８２と、第２半導体基体２８側の第２導通層（第３金属膜）８３とを含む。第１酸化防止層７１は第１半導体基体２６に設けられた酸化防止層であり、第２酸化防止層７６は第２半導体基体２８に設けられた酸化防止層である。つまり、第１半導体基体２６及び第２半導体基体２８の両方に酸化防止層が設けられている。第１遮光層、第２遮光層、第１導通層、及び第２導通層は、いずれも金属膜である。また、第１最上層層間絶縁膜５３ｃは、第１配線、第１絶縁層７８、第１酸化防止層７１と接している。

第１酸化防止層（第２絶縁膜）７１は、遮光層８６と第１最上層層間絶縁膜５３ｃとの間を隔てている。具体的には、第１酸化防止層７１は、第１遮光層８０と第１最上層層間絶縁膜５３ｃとの間を隔てている。

第１遮光層８０は、平面視で第１酸化防止層７１と丁度重なる位置に設けられ、厚み方向において第１酸化防止層７１と丁度重なっている。具体的には、第１遮光層８０は、第１酸化防止層７１の、表面Ｓ１に臨む面の全面に設けられ、第１遮光層８０の第１半導体基体２６側の面は、第１酸化防止層７１の、表面Ｓ１に臨む面と接している。

第２酸化防止層（第４絶縁膜）７６は、遮光層８６と第２最上層層間絶縁膜５６ｃとの間を隔てている。具体的には、第２酸化防止層７６は、第２遮光層８１と第２最上層層間絶縁膜５６ｃとの間を隔てている。

第２遮光層８１は、平面視で第２酸化防止層７６と丁度重なる位置に設けられ、厚み方向において第２酸化防止層７６と丁度重なっている。具体的には、第２遮光層８１は、第２酸化防止層７６の、表面Ｓ２に臨む面の全面に設けられ、第２遮光層８１の第２酸化防止層７６側の面は、第２酸化防止層７６の、表面Ｓ２に臨む面と接している。

また、第１遮光層８０の第２半導体基体２８側の面と、第２遮光層８１の第１半導体基体２６側の面とは、原子拡散接合されている。

第１接続パッド３６ｂは、導通層８７と第１最上層層間絶縁膜５３ｃとの間を隔てている。具体的には、第１接続パッド３６ｂは、第１導通層８２と第１最上層層間絶縁膜５３ｃとの間を隔てている。第２導通層８３は、第１接続パッド３６ｂの、表面Ｓ１に臨む面の全面に設けられ、第１導通層８２の第１半導体基体２６側の面は、第１接続パッド３６ｂの、表面Ｓ１に臨む面と接している。また、第１導通層８２は、第１接続パッド３６ｂと厚み方向において丁度重なっている。

第２接続パッド５８ｂは、導通層８７と第２最上層層間絶縁膜５６ｃとの間を隔てている。具体的には、第２接続パッド５８ｂは、第２導通層８３と第２最上層層間絶縁膜５６ｃとの間を隔てている。第２導通層８３は、第２接続パッド５８ｂの、表面Ｓ２に臨む面の全面に設けられ、第２導通層８３の第２半導体基体２８側の面は、第２接続パッド５８ｂの、表面Ｓ２に臨む面と接している。また、第２導通層８３は、第２接続パッド５８ｂと厚み方向において丁度重なっている。

また、第１導通層８２の第２半導体基体２８側の面と、第２導通層８３の第１半導体基体２６側の面とは、原子拡散接合されている。

第１絶縁層７８は、第１最上層層間絶縁膜５３ｃの、表面Ｓ１に臨む面の全面に設けられ、第１絶縁層７８の第１半導体基体２６側の面は、第１最上層層間絶縁膜５３ｃの、表面Ｓ１に臨む面と接している。

第２絶縁層７９は、第２最上層層間絶縁膜５６ｃの、表面Ｓ２に臨む面の全面に設けられ、第２絶縁層７９の第２半導体基体２８側の面は、第２最上層層間絶縁膜５６ｃの、表面Ｓ２に臨む面と接している。

また、第１絶縁層７８の第２半導体基体２８側の面と、第２絶縁層７９の第１半導体基体２６側の面とは、酸化される前に原子拡散接合されている。

〈固体撮像装置の製造方法例〉
以下、図面を参照して第１実施形態に係る固体撮像装置３１の製造方法例を説明する。まず、画素領域を有する第１半導体基体２６側の製造方法例について、説明する。

［第１半導体基体側の製造方法例］

図５は、本技術の第１実施形態に係る第１半導体基体２６側の要部を示す概略構成図である。このような第１半導体基体２６側を得るために、例えばシリコンによる第１の半導体ウエハの各半導体チップ部となる領域に、各画素の光電変換部となるフォトダイオードＰＤを形成する。フォトダイオードＰＤは、画素領域３４を構成する有効画素領域４２およびオプティカルブラック領域４１に形成する。

さらに、第１の半導体層３３の表面３３ａ側に各画素を構成する複数の画素トランジスタを形成する。画素トランジスタは、例えば、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタで構成することができる。ここでは、前述したように、画素トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２を代表して示す。各画素トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２は、図示しないが、一対のソース・ドレイン領域と、ゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極とを有して形成されている。

第１の半導体層３３の表面３３ａには、層間絶縁膜５３を介して複数層、本例では４層メタルＭ_１～Ｍ_４による配線３５［３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ］を、導電ビア５２を含めて形成する。配線３５は、デュアルダマシン法で形成することができる。すなわち、層間絶縁膜５３にビアファーストによる接続孔と配線溝を同時に形成し、Ｃｕ拡散を防止するためのＣｕ拡散バリア性メタル膜を形成した後、めっき法によりＣｕ材料層を埋め込む。次いで、ＣＭＰ（化学機械研磨）法により余剰のＣｕ材料層を除去し、平坦化された導電ビアと一体のＣｕ配線が形成されている。その後、図示しないがＣｕ拡散バリア性絶縁膜を成膜する。Ｃｕバリア性絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン、ＳｉＣ、ｓｉＣＮ，ＳｉＯＮ等の絶縁膜を用いることができる。この工程を繰り返して、４層のメタルＭ_１～Ｍ_４による配線３５ａ～３５ｄを形成する。

その後、図５に示すように、メタルＭ_４を覆うように層間絶縁膜５３を形成する。次いで、第１酸化防止層７１、第１接続パッド３６ｂ、及び、第１接続パッド３６ｂと配線３５とを接続する図示しない導電ビア５２を形成し、第１高融点金属膜７５を形成する。この第１酸化防止層７１、第１接続パッド３６ｂ、及び第１高融点金属膜７５の形成方法について、図６Ａから図６Ｈを参照して詳細に説明する。ここでは、メタルＭ_４以前の層は図示を省略する。

まず、図６Ａに示すように、メタルＭ_４を覆うように層間絶縁膜５３ａを形成する。さらに、層間絶縁膜５３ａを覆うように、酸化防止膜７０を形成する。次いで、図６Ｂに示すように、リソグラフィおよびエッチング技術を用いて、酸化防止膜７０の不要な部分を除去して第１酸化防止層７１を形成する。エッチング技術としては、ドライエッチング技術を用いる。不要な部分を除去することにより、第１遮光層８０を配置したい領域に第１酸化防止層７１を形成することができる。

そして、図６Ｃに示すように、第１酸化防止層７１を覆うように層間絶縁膜５３ｂを形成する。ここで、第１最上層層間絶縁膜５３ｃは、層間絶縁膜５３ａと層間絶縁膜５３ｂとを含む。次いで、図６Ｄに示すように、第１最上層層間絶縁膜５３ｃ（層間絶縁膜５３ｂ）の表面をＣＭＰ法により平坦化する。この時点では、第１酸化防止層７１は層間絶縁膜５３ｂの表面に露出していない。

次いで、図６Ｅに示すように、第１最上層層間絶縁膜５３ｃに対し、リソグラフィおよびエッチング技術を用いて、配線溝３６ａを形成する。そして、図６Ｆに示すように、配線溝３６ａが形成された第１最上層層間絶縁膜５３ｃを覆うようにＣｕ拡散バリア性メタル膜７２を形成する。その後、Ｃｕ拡散バリア性メタル膜７２が形成された配線溝３６ａに対し、めっき法によりＣｕ材料層７４を埋め込む。

次いで、ＣＭＰ法により、余剰のＣｕ材料層７４、Ｃｕ拡散バリア性メタル膜７２、及び第１最上層層間絶縁膜５３ｃを除去する。余剰部分の研磨は、表面が平坦化され、かつ第１酸化防止層７１が露出するまで行う。なお、ＣＭＰ法の条件は、例えば第１酸化防止層７１がディッシングしにくい条件に設定されている。これにより、図６Ｇに示すように、平坦化された表面Ｓ１が得られ、第１接続パッド３６ｂが形成される。そして、表面Ｓ１は、第１酸化防止層７１の、表面Ｓ１に臨む面Ｓ１１（第３領域）と、第１接続パッド３６ｂ及び第１接続パッド３６ｂと同じレイヤのメタルによる配線の、表面Ｓ１に臨む面Ｓ１２（第２領域）と、第１最上層層間絶縁膜５３ｃの、表面Ｓ１に臨む面Ｓ１３（第１領域）とを含む。

次いで、図６Ｈに示すように、上述のようにして得られた第１半導体基体２６の表面Ｓ１を覆うように、第１高融点金属膜７５を形成する。第１高融点金属膜７５は、真空中で高融点金属をスパッタ（Sputtering）することにより形成されている。ここで、第１高融点金属膜７５のうち、面Ｓ１１と接触する部分を第１部分Ａ、面Ｓ１２と接触する部分を第２部分Ｂ、面Ｓ１３と接触する部分を第３部分Ｃと表す。以上が第１半導体基体側の製造方法例の説明である。

［第２半導体基体側の製造方法例］
次に、ロジック回路を有する第２半導体基体２８側の製造方法例について、説明する。図７は、本技術の第１実施形態に係る第２半導体基体２８側の要部を示す概略構成図である。このような第２半導体基体２８側を得るために、例えばシリコンによる第２の半導体ウエハの各半導体チップ部となる領域に、ロジック回路５５を構成する複数のＭＯＳトランジスタＴｒ１１～Ｔｒ１４を形成する。ここでは、前述したように、ＭＯＳトランジスタＴｒ１１～Ｔｒ１４を代表して示す。

第２の半導体層５４の表面側の上部には、層間絶縁膜５６を介して複数層、本例では３層のメタルＭ_１１～Ｍ_１３による配線５７［５７ａ、５７ｂ、５７ｃ］を、導電ビア６４を含めて形成する。配線５７は、デュアルダマシン法で形成することができる。すなわち、層間絶縁膜にビアファーストによる接続孔と配線溝を同時に形成し、Ｃｕ拡散を防止するためのＣｕ拡散バリア性メタル膜とＣｕシード膜を形成した後、めっき法によりＣｕ材料層を埋め込む。次いで、ＣＭＰ（化学機械研磨）法により余剰のＣｕ材料層を除去し、平坦化された導電ビアと一体のＣｕ配線が形成される。その後、図示しないがＣｕ拡散バリア性絶縁膜を成膜する。Ｃｕバリア性絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン、ＳｉＣ、ｓｉＣＮ，ＳｉＯＮ等の絶縁膜、を用いることができる。この工程を繰り返して、３層のメタルＭ_１１～Ｍ_１３による配線５７ａ～５７ｃを形成する。

その後、図７に示すように、メタルＭ_１３を覆うように層間絶縁膜５６を形成する。次いで、第２酸化防止層７６、第２接続パッド５８ｂ、及び、第２接続パッド５８ｂを配線５７と接続する図示しない導電ビア６４を形成する。そして、第２高融点金属膜７７を形成する。この第２酸化防止層７６、第２接続パッド５８ｂ、及び第２高融点金属膜７７の形成方法について、図８Ａから図８Ｈを参照して詳細に説明する。ここでは、メタルＭ_１３以前の層は図示を省略する。

まず、図８Ａに示すように、メタルＭ_１３を覆うように層間絶縁膜５６ａを形成する。さらに、層間絶縁膜５６ａを覆うように、酸化防止膜７０を形成する。次いで、図８Ｂに示すように、リソグラフィおよびエッチング技術を用いて、酸化防止膜７０の不要な部分を除去して第２酸化防止層７６を形成する。エッチング技術としては、ドライエッチング技術を用いる。不要な部分を除去することにより、第２遮光層８１を配置したい領域に第２酸化防止層７６を形成することができる。

そして、図８Ｃに示すように、第２酸化防止層７６を覆うように層間絶縁膜５６ｂを形成する。ここで、第２最上層層間絶縁膜５６ｃは、層間絶縁膜５６ａと層間絶縁膜５６ｂとを含む。次いで、図８Ｄに示すように、第２最上層層間絶縁膜５６ｃ（層間絶縁膜５６ｂ）の表面をＣＭＰ法により平坦化する。この時点では、第２酸化防止層７６は層間絶縁膜５６ｂの表面に露出していない。

次いで、図８Ｅに示すように、第２最上層層間絶縁膜５６ｃに対し、リソグラフィおよびエッチング技術を用いて、配線溝５８ａを形成する。そして、図８Ｆに示すように、配線溝５８ａが形成された第２最上層層間絶縁膜５６ｃを覆うようにＣｕ拡散バリア性メタル膜７２を形成する。その後、Ｃｕ拡散バリア性メタル膜７２が形成された配線溝５８ａに対し、めっき法によりＣｕ材料層７４を埋め込む。

次いで、ＣＭＰ法により、余剰のＣｕ材料層７４、Ｃｕ拡散バリア性メタル膜７２、及び第２最上層層間絶縁膜５６ｃを除去する。余剰部分の研磨は、表面が平坦化され、かつ第２酸化防止層７６が露出するまで行う。なお、ＣＭＰ法の条件は、例えば第２酸化防止層７６がディッシングしにくい条件に設定されている。これにより、図８Ｇに示すように、平坦化された表面Ｓ２が得られ、第２接続パッド５８ｂが形成される。そして、表面Ｓ２は、第２酸化防止層７６の、表面Ｓ２に臨む面Ｓ２１（第６領域）と、第２接続パッド５８ｂ及び第２接続パッド５８ｂと同じレイヤのメタルによる配線の、表面Ｓ２に臨む面Ｓ２２（第５領域）と、第２最上層層間絶縁膜５６ｃの、表面Ｓ２に臨む面Ｓ２３（第４領域）とを含む。

次いで、図８Ｈに示すように、上述のようにして得られた第２半導体基体２８の表面Ｓ２を覆うように、第２高融点金属膜７７を形成する。第２高融点金属膜７７は、真空中で高融点金属をスパッタ（Sputtering）することにより形成されている。ここで、第２高融点金属膜７７のうち、面Ｓ２１と接触する部分を第１部分Ａ、面Ｓ２２と接触する部分を第２部分Ｂ、面Ｓ２３と接触する部分を第３部分Ｃと表す。以上が第２半導体基体２８側の製造方法例の説明である。なお、第２高融点金属膜７７は、例えば、第１高融点金属膜７５と同じ材料を用いて形成され、第１高融点金属膜７５と同じ膜厚を有していても良い。

［接合層の形成例］
以下、図９Ａから図９Ｂを参照して、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側とを接合して、接合層８４を形成する例について詳細に説明する。まず、図９Ａに示すように、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側とを、互いの高融点金属膜同士が向かい合うように準備する。この時、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側との位置合わせを行い、厚み方向において、第１半導体基体２６側の第１部分Ａと第２半導体基体２８側の第１部分Ａとが重なり、第１半導体基体２６側の第２部分Ｂと第２半導体基体２８側の第２部分Ｂとが重なり、第１半導体基体２６側の第３部分Ｃと第２半導体基体２８側の第３部分Ｃとが重なるようにする。

次いで、図９Ｂに示すように、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側とを、互いの高融点金属膜同士が接触するように重ねる。すると、互いの高融点金属膜同士が接合されて、一体化する。そして、接合された第１半導体基体２６及び第２半導体基体２８を熱処理する。この熱処理は、第１高融点金属膜７５及び第２高融点金属膜７７の第３部分Ｃを絶縁膜化するために行う。この熱処理は、例えば、酸素ガス雰囲気中又は水蒸気雰囲気中でわれる。

上述の第１高融点金属膜７５の第３部分Ｃは、第１最上層層間絶縁膜５３ｃに直接接触している部分である。熱処理されると、第１高融点金属膜７５の第３部分Ｃは、第１最上層層間絶縁膜５３ｃからの湿度の影響を受け、酸素と反応して酸化膜となる。本第１実施形態では高融点金属としてチタン（Ｔｉ）を用いているので、第１部分のＴｉは酸素と反応し、絶縁膜であるＴｉＯ_２になる。

同様に、上述の第２高融点金属膜７７の第３部分Ｃは、第２最上層層間絶縁膜５６ｃに直接接触している部分である。熱処理されると、第２高融点金属膜７７の第３部分Ｃは、第２最上層層間絶縁膜５６ｃからの湿度の影響を受け、酸素と反応して酸化膜となる。本第１実施形態では高融点金属としてチタン（Ｔｉ）を用いているので、第１部分のＴｉは酸素と反応し、絶縁膜である二酸化チタン（ＴｉＯ_２）になる。

このように、第１高融点金属膜７５及び第２高融点金属膜７７の第３部分Ｃは酸化され、第１絶縁層７８及び第２絶縁層７９を形成する。

第１高融点金属膜７５の第１部分Ａは、第１最上層層間絶縁膜５３ｃより吸湿性が低い第１酸化防止層７１と接している。すなわち、第１最上層層間絶縁膜５３ｃと第１高融点金属膜７５の第１部分Ａとの間は、吸湿性が低い第１酸化防止層７１により隔てられている。このような構造により、第１高融点金属膜７５の第１部分Ａは、第１最上層層間絶縁膜５３ｃの湿度の影響を直接受けることはない。これにより、第１高融点金属膜７５の第１部分Ａは酸化されることなくそのまま残る。本第１実施形態では高融点金属としてチタン（Ｔｉ）を用いているので、チタン（Ｔｉ）は酸化されることはなくそのまま残る。

同様に、第２高融点金属膜７７の第１部分Ａは、第２最上層層間絶縁膜５６ｃより吸湿性が低い第２酸化防止層７６と接している。すなわち、第２最上層層間絶縁膜５６ｃと第２高融点金属膜７７の第１部分Ａとの間は、吸湿性が低い第２酸化防止層７６により隔てられている。このような構造により、第２高融点金属膜７７の第１部分Ａは、第２最上層層間絶縁膜５６ｃの湿度の影響を直接受けることはない。これにより、第２高融点金属膜７７の第１部分Ａは酸化されることなくそのまま残る。本第１実施形態では高融点金属としてチタン（Ｔｉ）を用いているので、チタン（Ｔｉ）は酸化されることはなくそのまま残る。

このように、第１高融点金属膜７５及び第２高融点金属膜７７の第１部分Ａは、酸化されることなく熱処理後もそのまま残り、第１遮光層８０及び第２遮光層８１を形成する。

第１高融点金属膜７５の第２部分Ｂは、第１接続パッド３６ｂと接している。すなわち第１最上層層間絶縁膜５３ｃと第１高融点金属膜７５の第２部分Ｂとの間は、第１接続パッド３６ｂにより隔てられている。このような構造により、第１高融点金属膜７５の第２部分Ｂは、第１最上層層間絶縁膜５３ｃの湿度の影響を直接受けることはない。これにより、第１高融点金属膜７５の第２部分Ｂは酸化されることなくそのまま残る。本第１実施形態では高融点金属としてチタン（Ｔｉ）を用いているので、チタン（Ｔｉ）は酸化されることはなくそのまま残る。

同様に、第２高融点金属膜７７の第２部分Ｂは、第２接続パッド５８ｂと接している。すなわち第２最上層層間絶縁膜５６ｃと第２高融点金属膜７７の第２部分Ｂとの間は、第２接続パッド５８ｂにより隔てられている。このような構造により、第２高融点金属膜７７の第２部分Ｂは、第２最上層層間絶縁膜５６ｃの湿度の影響を直接受けることはない。これにより、第２高融点金属膜７７の第２部分Ｂは酸化されることなくそのまま残る。以上が、第１半導体基体２６と第２半導体基体２８との接合及び接合された第１半導体基体２６及び第２半導体基体２８の熱処理についての説明である。本第１実施形態では高融点金属としてチタン（Ｔｉ）を用いているので、チタン（Ｔｉ）は酸化されることはなくそのまま残る。

このように、第１高融点金属膜７５及び第２高融点金属膜７７の第２部分Ｂは、酸化されることなく熱処理後もそのまま残り、第１導通層８２及び第２導通層８３を形成する。第２接続パッド５８ｂは、導通層８７を介して、第１接続パッド３６ｂと電気的に接続されている。

以上のようにして、第１半導体基体２６と第２半導体基体２８とが接合される。そして図４Ｂに示すように、絶縁層８５と、遮光層８６と、導通層８７とを含む接合層８４が形成される。

［薄膜化、レンズ形成、チップ化］
次に、このように接合された第１の半導体ウエハ及び第２の半導体ウエハを、裏面側からフォトダイオードＰＤの必要膜厚が残るようにＣＭＰ法等を用いて研削、研磨して薄膜化する。次いで、薄膜化した表面上に受光側絶縁膜３８を介して、オプティカルブラック領域に対応するフォトダイオードＰＤ上を含んで受光側遮光膜３９を形成する。また、平坦化膜４３を介して有効画素領域に対応するフォトダイオードＰＤ上にカラーフィルタ４４およびオン半導体チップレンズ４５を形成する。

次いで、接合された第１の半導体ウエハおよび第２の半導体ウエハを各半導体チップに分離する半導体チップ化を行い、図３に示す目的の固体撮像装置３１を得る。以上が固体撮像装置３１の製造方法例である。

〈効果〉
ここで、まず、遮光層の比較例について、説明する。図１０に示すように、ノイズ対策として大面積の遮光層１８６を、第１半導体基体２６の表面Ｓ１に臨む５層目のメタルＭ_５と第２半導体基体２８の表面Ｓ２に臨む４層目のメタルＭ_１４で構成した場合、貼り合わせ前のＣＭＰにより、メタルＭ_５及びメタルＭ_１４がディッシングして、メタルＭ_５とメタルＭ_１４との間に空隙Ｖが生じてしまう場合がある。その場合、第１半導体基体２６と第２半導体基体２８の接合強度が低下してしまう。

また、接合強度を改善するために、メタルＭ_５及びメタルＭ_１４で一部に穴をあけて、絶縁膜同士の接合部分を設けることもできる。しかし、これでは遮光層１８６にノイズが通過可能な隙間が生じてしまう。

また、金属と絶縁膜、例えばＣＵとＳｉＯ_２のような異種材料同士の接合の場合、接合強度は、同種材料同士、例えば金属同士、絶縁膜同士の場合より、低下してしまう。よって、金属同士の接合、絶縁膜同士の接合を用いる方が、強度面では有用である。

この第１実施形態に係る固体撮像装置３１では、第１高融点金属膜７５と第２高融点金属膜７７とを原子拡散接合させて遮光層８６を形成し、第１半導体基体２６と第２半導体基体２８とを接合している。この接合は金属同士の接合であるため、例えば金属と絶縁膜のような異種素材間接合より高い接合強度を得ることができる。

また、この第１実施形態に係る固体撮像装置３１では、第１酸化防止層７１および第２酸化防止層７６を設けることにより高融点金属を遮光層８６として残すことができるので、画素領域３４の下に大面積の遮光層８６を設けることができる。これにより、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側との間の接合強度を改善しつつ、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側との間で電磁波などのノイズが通過するのを抑制できる。

なお、図４Ａにおいて、遮光層８６は電位固定されていないが、電位固定されていても良い。電位固定は、例えば接地電位であっても良い。

＜第１実施形態の変形例１＞
〈固体撮像装置の構成例〉
本技術の第１実施形態の変形例１について、以下に説明する。本第１実施形態の変形例１が上述の第１実施形態と相違する点は、接合層８４に替えて接合層８４Ａを有する点であり、それ以外の固体撮像装置３１の構成は、基本的に上述の第１実施形態の固体撮像装置３１と同様の構成になっている。

［接合層の構成例］
図１１に示すように、接合層８４Ａは、絶縁層８５Ａと、遮光層８６と、導通層８７と、空隙８８とを含む。絶縁層８５Ａは、第１半導体基体２６側の第１絶縁層７８Ａと、第２半導体基体２８側の第２絶縁層７９Ａを含む。第１絶縁層７８Ａと第２絶縁層７９Ａとは、厚み方向において離れて設けられている。

第１絶縁層７８Ａの、第１最上層層間絶縁膜５３ｃ側の面と反対側の面Ｓ７８Ａは、面Ｓ１２より第１最上層層間絶縁膜５３ｃ側寄りに設けられている。すなわち、面Ｓ７８Ａは、第１接続パッド３６ｂと第１導通層８２との境界より第１最上層層間絶縁膜５３ｃ側寄りに設けられている。これにより、第１接続パッド３６ｂは、面Ｓ７８Ａから突出している。

また、第２絶縁層７９Ａの、第２最上層層間絶縁膜５６ｃ側の面と反対側の面Ｓ７９Ａは、面Ｓ２２より第２最上層層間絶縁膜５６ｃ側寄りに設けられている。すなわち、面Ｓ７９Ａは、第２接続パッド５８ｂと第２導通層８３との境界より第２最上層層間絶縁膜５６ｃ側寄りに設けられている。これにより、第２接続パッド５８ｂは、面Ｓ７９Ａから突出している。

面Ｓ７８Ａと面Ｓ７９Ａとは、厚み方向に離れている。また、厚み方向における面Ｓ７８Ａと面Ｓ７９Ａとの間の距離は、導通層８７の厚みより大きい。

空隙８８は、厚み方向において、第１絶縁層７８Ａと第２絶縁層７９Ａとの間に設けられている。空隙８８は、第１接続パッド３６ｂと、導通層８７と、導通層８７を介して第１接続パッド３６ｂに電気的に接続された第２接続パッド５８ｂとの各々に接している。また、空隙８８は、厚み方向と垂直な方向において、第１接続パッド３６ｂと第１導通層８２との境界、第１導通層８２と第２導通層８３との境界、及び第２接続パッド５８ｂと第２導通層８３との境界に隣接して設けられている。

絶縁層８５Ａ及び空隙８８は、例えば、遮光層８６と導通層８７との間、複数の導通層８７の間、遮光層８６と第１接続パッド３６ｂとの間、遮光層８６と第２接続パッド５８ｂとの間などを、電気的に絶縁している。

〈固体撮像装置の製造方法例〉
以下、図１２Ａから図１２Ｄを参照して、固体撮像装置３１の製造方法について説明する。ここでは、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側とを準備するが、接合部分に関連する構成は第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側とで同じであるため、以下、代表して第２半導体基体２８側の製造方法について、図面を参照して説明する。なお、第１実施形態と同じ工程については、詳細な説明は省略する。

まず、第１実施形態の図８Ｆに示すように、第２酸化防止層７６、配線溝５８ａ、Ｃｕ拡散バリア性メタル膜７２、及びＣｕ材料層７４を順次形成する。次いで、図１２Ａに示すように、ＣＭＰ法により、余剰のＣｕ拡散バリア性メタル膜７２、Ｃｕ材料層７４、及び第２最上層層間絶縁膜５６ｃを除去する。このとき、スラリーの選択比をうまく利用して、第２最上層層間絶縁膜５６ｃだけディッシングさせる。これにより、第２半導体基体２８の表面Ｓ２が得られる。表面Ｓ２は、凹凸を有している。そして、表面Ｓ２は、第２酸化防止層７６の、表面Ｓ２に臨む面Ｓ２１と、第２接続パッド５８ｂの、表面Ｓ２に臨む面Ｓ２２と、第２最上層層間絶縁膜５６ｃの、表面Ｓ２に臨む面Ｓ２３とを含む。面Ｓ２１、面Ｓ２２、及び面Ｓ２３は、厚み方向に垂直な面である。次いで、図１２Ｂに示すように、第２半導体基体２８の表面Ｓ２を覆うように、第２高融点金属膜７７を形成する。ここで、第２高融点金属膜７７のうち、面Ｓ２１と接触する部分を第１部分Ａ、面Ｓ２２と接触する部分を第２部分Ｂ、面Ｓ２３と接触する部分を第３部分Ｃと表す。このようにして、第２半導体基体２８側を得る。そして、同様に、第１最上層層間絶縁膜５３ｃだけディッシングさせた第１半導体基体２６側を得る。

次いで、図１２Ｃに示すように、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側とを、互いの高融点金属膜同士が向かい合うように準備する。この時、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側との位置合わせを行い、厚み方向において、第１半導体基体２６側の第１部分Ａと第２半導体基体２８側の第１部分Ａとが重なり、第１半導体基体２６側の第２部分Ｂと第２半導体基体２８側の第２部分Ｂとが重なり、第１半導体基体２６側の第３部分Ｃと第２半導体基体２８側の第３部分Ｃとが重なるようにする。

次いで、図１２Ｄに示すように、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側とを、互いの高融点金属膜同士が接触するように重ねる。すると、互いの高融点金属膜同士が接合されて、一体化する。第１半導体基体２６側の第１部分Ａと第２半導体基体２８側の第１部分Ａとが接触すると、遮光層８６が形成される。第１半導体基体２６側の第２部分Ｂと第２半導体基体２８側の第２部分Ｂとが接触すると、導通層８７が形成される。一方、第１半導体基体２６側の第３部分Ｃと第２半導体基体２８側の第３部分Ｃとは、第１最上層層間絶縁膜５３ｃ及び第２最上層層間絶縁膜５６ｃがディッシングされているため接触せず、それ故接合されない。そして、第１半導体基体２６側の第３部分Ｃと第２半導体基体２８側の第３部分Ｃとの間に空隙８８が形成される。

次いで、図１２Ｄの第１半導体基体２６及び第２半導体基体２８を熱処理する。熱処理により、第１半導体基体２６側の第３部分Ｃは酸素と反応して二酸化チタン（ＴｉＯ_２）になり、第２絶縁層７９Ａが形成される。そして、第２半導体基体２８側の第３部分Ｃは酸素と反応して二酸化チタン（ＴｉＯ_２）になり、第１絶縁層７８Ａが形成される。このようにして、絶縁層８５Ａが形成される。

以上のようにして、図１１に示す、絶縁層８５Ａと、遮光層８６と、導通層８７と、空隙８８とを含む接合層８４Ａが形成される。以上が固体撮像装置３１の製造方法例である。

〈効果〉
この第１実施形態に係る固体撮像装置３１では、上述の第１実施形態に係る固体撮像装置３１と同様の効果が得られる。

また、この第１実施形態に係る固体撮像装置３１では、空隙８８を有するので、第１接続パッド３６ｂおよび第２接続パッド５８ｂの耐エレクトロマイグレーション性を向上できる。

＜第１実施形態の変形例２＞
〈固体撮像装置の構成例〉
本技術の第１実施形態の変形例２について、以下に説明する。本第１実施形態の変形例２が上述の第１実施形態と相違する点は、接合層８４に替えて接合層８４Ｂを有する点であり、それ以外の固体撮像装置３１の構成は、基本的に上述の第１実施形態の固体撮像装置３１と同様の構成になっている。

［接合層の構成例］
接合層８４Ｂは、絶縁層８５Ｂと、遮光層８６Ｂと、導通層８７Ｂとを含む。接合層８４Ｂは、第１半導体基体２６側と第１半導体基体２６側の接合時に、接合位置のずれが生じた場合に得られるものである。図１３は、そのような位置ずれの一例であり、第１半導体基体２６側と第１半導体基体２６側との間には、Ｘ方向に沿って距離Ｌａの位置ずれがある場合を示している。

位置ずれにより、第１酸化防止層７１と第２酸化防止層７６とは、厚み方向に投影した場合、つまり平面視で、一部が重なっていない。そして、第１酸化防止層７１と第２酸化防止層７６とは、平面視で上述の一部を除く部分は重なっている。第１酸化防止層７１は、平面視で第２酸化防止層７６と重なる第４部分７１ｂと、平面視で第２酸化防止層７６と重ならない第５部分７１ｃとを有する。同様に、第２酸化防止層７６も、厚み方向に投影した場合、つまり平面視で第１酸化防止層７１と重なる第４部分７６ｂと、平面視で第１酸化防止層７１と重ならない第５部分７６ｃとを有する。

遮光層８６Ｂは、厚み方向において第１酸化防止層７１および第２酸化防止層７６の少なくとも一方と重なっている。遮光層８６Ｂは、第１遮光層８０と第２遮光層８１とを含む。第１遮光層８０は、厚み方向において第２遮光層８１と重なる第４部分８０ａと、厚み方向において第２遮光層８１と重ならない第５部分８０ｂとを有する。同様に、第２遮光層８１は、厚み方向において第１遮光層８０と重なる第４部分８１ａと、厚み方向において第２遮光層８１と重ならない第５部分８１ｂとを有する。

第１遮光層８０の第４部分８０ａは、第１酸化防止層７１の第４部分７１ｂの、表面Ｓ１に臨む面の全面に設けられ、第４部分８０ａの第１半導体基体２６側の面は、第４部分７１ｂの、表面Ｓ１に臨む面と接している。第１遮光層８０の第５部分８０ｂは、第１酸化防止層７１の第５部分７１ｃの、表面Ｓ１に臨む面の全面に設けられ、第５部分８０ｂの第１半導体基体２６側の面は、第５部分７１ｃの、表面Ｓ１に臨む面と接している。

第２遮光層８１の第４部分８１ａは、第２酸化防止層７６の第４部分７６ｂの、表面Ｓ２に臨む面の全面に設けられ、第４部分８１ａの第２半導体基体２８側の面は、第４部分７６ｂの、表面Ｓ２に臨む面と接している。第２遮光層８１の第５部分８１ｂは、第２酸化防止層７６の第５部分７６ｃの、表面Ｓ２に臨む面の全面に設けられ、第５部分８１ｂの第２半導体基体２８側の面は、第５部分７６ｃの、表面Ｓ２に臨む面と接している。

遮光層８６ＢのＸ方向の長さは、第２遮光層８１のＸ方向の長さ（距離Ｌａと距離Ｌｂとの和）と、第１遮光層８０の第５部分８０ｂのＸ方向の長さ（距離Ｌａ）との和に等しい。ここで、第２遮光層８１のＸ方向の長さと、第１遮光層８０のＸ方向の長さは等しく、どちらの長さも距離Ｌａと距離Ｌｂとの和に等しい。このように、遮光層８６Ｂは、距離Ｌａの位置ずれに応じて、そのＸ方向の長さ及び面積が大きくなっている。

導通層８７Ｂは、第１導通層８２と第２導通層８３とを含む。図１３に示すように、第１導通層８２及び第２導通層８３は、厚み方向において、重なる部分と重ならない部分とを有する。絶縁層８５Ｂは、第１絶縁層７８と第２絶縁層７９とを含む。第１絶縁層７８及び第２絶縁層７９は、厚み方向において、重なる部分と重ならない部分とを有する。以上が固体撮像装置３１の構成例である。

〈固体撮像装置の製造方法例〉
以下、図面を参照して、固体撮像装置３１の製造方法について説明する。まず、第１実施形態と同じ工程を経て、第１半導体基体２６側と、第２半導体基体２８側とを、互いの高融点金属膜同士が向かい合うように準備する。そして、図１４に示すように、準備した第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側とを、位置合わせを行った後に接合する。これにより、第１高融点金属膜７５と第２高融点金属膜７７とが接合される。しかし、このとき結果として、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側との間にＸ方向に沿って距離Ｌａの位置ずれが生じている。

次いで、原子拡散接合された第１半導体基体２６及び第２半導体基体２８を熱処理する。熱処理されると、第１高融点金属膜７５のうち、第１酸化防止層７１の第４部分７１ｂ及び第５部分７１ｃと接する部分は、酸化されずにチタン（Ｔｉ）のまま残り、図１３の第１遮光層８０が形成される。

ここで、第１高融点金属膜７５のうち第５部分７１ｃに接する部分と第２半導体基体２８の第２最上層層間絶縁膜５６ｃとの間には第２高融点金属膜７７が存在する。よって、第１高融点金属膜７５のうち第５部分７１ｃに接する部分と第２半導体基体２８の第２最上層層間絶縁膜５６ｃとは直接接触しておらず、両者の間には第２高融点金属膜７７の厚み相当の距離がある。故に、第１高融点金属膜７５のうち第５部分７１ｃと接する部分は、酸化されずにチタン（Ｔｉ）のまま残る。なお、第１高融点金属膜７５のうち第５部分７１ｃに接する部分と第２半導体基体２８の第２最上層層間絶縁膜５６ｃとの間に存在する第２高融点金属膜７７は、熱処理により酸化される。

同様に、第２高融点金属膜７７のうち、第２酸化防止層７６の第４部分７６ｂ及び第５部分７６ｃと接する部分は、酸化されずにチタン（Ｔｉ）のまま残り、図１３の第２遮光層８１が形成される。

ここで、第２高融点金属膜７７のうち第５部分７６ｃに接する部分と第１半導体基体２６の第１最上層層間絶縁膜５３ｃとの間には第１高融点金属膜７５が存在する。よって、第２高融点金属膜７７のうち第５部分７６ｃに接する部分と第１半導体基体２６の第１最上層層間絶縁膜５３ｃとは直接接触しておらず、両者の間には第１高融点金属膜７５の厚み相当の距離がある。故に、第２高融点金属膜７７のうち第５部分７６ｃに接する部分は、酸化されずにチタン（Ｔｉ）のまま残る。なお、第２高融点金属膜７７のうち第５部分７６ｃに接する部分と第１半導体基体２６の第１最上層層間絶縁膜５３ｃとの間に存在する第１高融点金属膜７５は、熱処理により酸化される。

また、熱処理されると、第１高融点金属膜７５のうち、第１接続パッド３６ｂと接する部分は、酸化されずにチタン（Ｔｉ）のまま残り、図１３の第１導通層８２が形成される。同様に、第２高融点金属膜７７のうち、第２接続パッド５８ｂと接する部分は、酸化されずにチタン（Ｔｉ）のまま残り、図１３の第２導通層８３が形成される。

また、熱処理されると、第１高融点金属膜７５のうち、第１酸化防止層７１及び第１接続パッド３６ｂのいずれにも接しない部分は、酸化されて二酸化チタン（ＴｉＯ_２）になり、図１３の第１絶縁層７８が形成される。同様に、第２高融点金属膜７７のうち、第２酸化防止層７６及び第２接続パッド５８ｂのいずれにも接しない部分は、酸化されて二酸化チタン（ＴｉＯ_２）になり、図１３の第２絶縁層７９が形成される。以上が固体撮像装置３１の製造方法例である。

〈効果〉
この第１実施形態の変形例２に係る固体撮像装置３１では、上述の第１実施形態に係る固体撮像装置３１と同様の効果が得られる。さらに、接続パッドがずれた部分から生じる電極材料の拡散を絶縁層８５Ｂが抑制する。

また、この第１実施形態の変形例２に係る固体撮像装置３１では、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側との間に接合ずれが生じた場合であっても、ずれに応じて遮光層８６Ｂの面積も広がるので、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側との間の接合強度を改善しつつ、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側との間で電磁波などのノイズが通過するのを抑制できる。

＜第１実施形態の変形例３＞
〈固体撮像装置の構成例〉
本技術の第１実施形態の変形例３について、以下に説明する。本第１実施形態の変形例３が上述の第１実施形態と相違する点は、接合層８４に替えて接合層８４Ｃを有する点、及び第１酸化防止層７１のみを有する点であり、それ以外の固体撮像装置３１の構成は、基本的に上述の第１実施形態の固体撮像装置３１と同様の構成になっている。

［接合層の構成例］
図１５に示すように、接合層８４Ｃは、絶縁層８５Ｃと、遮光層８６Ｃと、導通層８７とを含む。絶縁層８５Ｃは、第１絶縁層７８と第２絶縁層７９Ｃとを含む。遮光層８６Ｃは、第１遮光層８０を含むが、第１実施形態の第２遮光層８１を含んでいない。また、酸化防止層は、第１半導体基体２６のみに設けられていて（第１酸化防止層７１）、第２半導体基体２８には設けられていない。

遮光層８６Ｃは、平面視で第１酸化防止層７１と丁度重なる位置に設けられ、厚み方向において第１酸化防止層７１と丁度重なっている。具体的には、遮光層８６Ｃは、第１酸化防止層７１の、表面Ｓ１に臨む面の全面に設けられ、遮光層８６Ｃの第１半導体基体２６側の面は、第１酸化防止層７１の、表面Ｓ１に臨む面と接している。

また、遮光層８６Ｃすなわち第１遮光層８０の第２半導体基体２８側の面は、第１実施形態では第２遮光層８１と接していたが、本第１実施形態の変形例３では第２遮光層８１は設けられておらず、第２絶縁層７９Ｃと接している。遮光層８６Ｃと接する第２絶縁層７９Ｃは、第２半導体基体２８側の面が第２半導体基体２８の第２最上層層間絶縁膜５６ｃと接している。第２絶縁層７９Ｃは、このように遮光層８６Ｃと第２最上層層間絶縁膜５６ｃとの間に形成される部分を有するので、第１実施形態の第２絶縁層７９より広範囲に設けられている。以上が固体撮像装置３１の構成例である。

〈固体撮像装置の製造方法例〉
以下、図面を参照して、固体撮像装置３１の製造方法について説明する。ここでは、第１半導体基体２６側のみに酸化防止層を設ける。第１半導体基体２６側の製造方法については、すでに第１実施形態において説明したので、ここではその詳細な説明は、省略する。そして、酸化防止層を設けない第２半導体基体２８側製造方法については、図１６Ａから図１６Ｄを参照して説明する。まず、図１６Ａに示すように、第２最上層層間絶縁膜５６ｃに対し、リソグラフィおよびエッチング技術を用いて、配線溝５８ａを形成する。

そして、図１６Ｂに示すように、配線溝５８ａが形成された第２最上層層間絶縁膜５６ｃを覆うようにＣｕ拡散バリア性メタル膜７２を形成する。その後、図１６Ｂに示すように、Ｃｕ拡散バリア性メタル膜７２が形成された配線溝５８ａに対し、めっき法によりＣｕ材料層７４を埋め込む。

次いで、ＣＭＰ法により、余剰のＣｕ材料層７４、Ｃｕ拡散バリア性メタル膜７２、及び第２最上層層間絶縁膜５６ｃを除去する。これにより、図１６Ｃに示すように、平坦化された表面Ｓ２が得られ、第２接続パッド５８ｂが形成される。そして、表面Ｓ２は、第２接続パッド５８ｂの、表面Ｓ２に臨む面Ｓ２２と、第２最上層層間絶縁膜５６ｃの、表面Ｓ２に臨む面Ｓ２３とを含む。

次いで、図１６Ｄに示すように、上述のようにして得られた第２半導体基体２８の表面Ｓ２を覆うように、第２高融点金属膜７７を形成する。ここで、第２高融点金属膜７７のうち、面Ｓ２２と接触する部分を第２部分Ｂ、面Ｓ２３と接触する部分を第３部分Ｃと表す。このようにして、第２半導体基体２８側を得る。さらに、第１実施形態で説明した製造方法により、第１半導体基体２６側を得る。

次いで、図１６Ｅに示すように、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側とを、互いの高融点金属膜同士が向かい合うように準備する。この時、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側との位置合わせを行い、厚み方向において、第１半導体基体２６側の第２部分Ｂと第２半導体基体２８側の第２部分Ｂとが重なり、第１半導体基体２６側の第３部分Ｃと第２半導体基体２８側の第３部分Ｃとが重なるようにする。ここで、第２半導体基体２８側は第１部分Ａを有さないので、第１半導体基体２６側の第１部分Ａを、第２半導体基体２８側の第３部分Ｃと重なるようにする。

次いで、図１６Ｆに示すように、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側とを、互いの高融点金属膜同士が接触するように重ねる。すると、互いの高融点金属膜同士が接合されて、一体化する。

次いで、原子拡散接合された第１半導体基体２６及び第２半導体基体２８を熱処理する。熱処理されると、第１高融点金属膜７５の第１部分Ａは、酸化されずにチタン（Ｔｉ）のまま残り、図１５の第１遮光層８０が形成される。ここで、第２半導体基体２８には酸化防止層が形成されていないが、第１高融点金属膜７５の第１部分Ａと第２半導体基体２８の第２最上層層間絶縁膜５６ｃとの間には第２高融点金属膜７７が存在する。よって、第１高融点金属膜７５の第１部分Ａと第２半導体基体２８の第２最上層層間絶縁膜５６ｃとは直接接触しておらず、両者の間には第２高融点金属膜７７の厚み相当の距離がある。故に、第１高融点金属膜７５の第１部分Ａは、酸化されずにチタン（Ｔｉ）のまま残る。なお、第１高融点金属膜７５の第１部分Ａと第２半導体基体２８の第２最上層層間絶縁膜５６ｃとの間に存在する第２高融点金属膜７７は、熱処理により酸化される。

また、熱処理されると、第１高融点金属膜７５の第２部分Ｂは、酸化されずにチタン（Ｔｉ）のまま残り、図１５の第１導通層８２が形成される。同様に、第２高融点金属膜７７の第２部分Ｂは、酸化されずにチタン（Ｔｉ）のまま残り、図１５の第２導通層８３が形成される。

また、熱処理されると、第１高融点金属膜７５の第３部分Ｃは、酸化されて二酸化チタン（ＴｉＯ_２）になり、図１５の第１絶縁層７８が形成される。同様に、第２高融点金属膜７７の第３部分Ｃは、酸化されて二酸化チタン（ＴｉＯ_２）になり、図１５の第２絶縁層７９が形成される。以上が固体撮像装置３１の製造方法例である。

〈効果〉
この第１実施形態の変形例３に係る固体撮像装置３１では、上述の第１実施形態に係る固体撮像装置３１と同様の効果が得られる。

また、この第１実施形態の変形例３に係る固体撮像装置３１では、第１半導体基体２６のみに第１酸化防止層７１が設けられるので、第２半導体基体２８の製造工程を削減できる。

なお、酸化防止層は、第１半導体基体２６のみに設けられていたが、第２半導体基体２８のみに設けられていても良い。酸化防止層は、第１半導体基体２６及び第２半導体基体２８のいずれか一方のみに設けられていれば良い。

酸化防止層が第２半導体基体２８のみに設けられている場合、遮光層８６Ｃは、平面視で第２酸化防止層７６と丁度重なる位置に設けられ、厚み方向において第２酸化防止層７６と丁度重なっている。具体的には、遮光層８６Ｃは、第２酸化防止層７６の、表面Ｓ２に臨む面の全面に設けられ、遮光層８６Ｃの第２半導体基体２８側の面は、第２酸化防止層７６の、表面Ｓ２に臨む面と接している。

＜第１実施形態の変形例４＞
〈固体撮像装置の構成例〉
本技術の第１実施形態の変形例４について、以下に説明する。本第１実施形態の変形例３が上述の第１実施形態と相違する点は、接合層８４に替えて接合層８４Ｄを有する点、及び第２酸化防止層７６Ｄがディッシングされた形状を有する点であり、それ以外の固体撮像装置３１の構成は、基本的に上述の第１実施形態の固体撮像装置３１と同様の構成になっている。

［接合層の構成例］
図１７に示すように、接合層８４Ｄは、絶縁層８５と、遮光層８６Ｄと、導通層８７と、空隙８９を含む。遮光層８６Ｄは、第１遮光層８０と第２遮光層８１Ｄとを含む。第１半導体基体２６には第１酸化防止層７１が設けられ、第２半導体基体２８には第２酸化防止層７６Ｄが設けられている。

第２酸化防止層７６Ｄは、表面Ｓ２に臨む面がディッシングされた形状を有している。第２酸化防止層７６Ｄの、表面Ｓ２に臨む面は、厚み方向に垂直な方向における中央部分が、第２半導体基体２８側へ窪んだ形状を有している。ＣＭＰ処理の条件又はその他の条件等によっては、このように、ディッシングが生じる場合がある。

第２遮光層８１Ｄは、平面視で第２酸化防止層７６Ｄと丁度重なる位置に設けられ、厚み方向において第２酸化防止層７６Ｄと丁度重なっている。具体的には、第２遮光層８１Ｄは、第２酸化防止層Ｄの、表面Ｓ２に臨む面の全面に設けられ、第２遮光層８１Ｄの第２酸化防止層７６Ｄ側の面は、第２酸化防止層Ｄの、表面Ｓ２に臨む面と接している。ここで、第２遮光層８１Ｄの第２酸化防止層７６Ｄ側と反対側の面、すなわち第１半導体基体２６側の面を面Ｓ８１Ｄと表す。

第２酸化防止層７６Ｄがディッシングされた形状を有しているので、第２遮光層８１Ｄも、第２酸化防止層７６Ｄのディッシングされた形状に沿って設けられている。第２遮光層８１Ｄは、厚み方向に垂直な方向における中央部分が、第２半導体基体２８側へ窪んだ形状を有している。そのため、第１遮光層８０の第２半導体基体２８側の面、すなわち第１酸化防止層７１側と反対側の面（以下、面Ｓ８０Ｄと表す）の中央部分と、第２遮光層８１ＤのＳ８１Ｄの中央部分とは、厚み方向に離れて設けられていて、接触していない。そのため、厚み方向に垂直な方向における中央部分において、第１半導体基体２６側寄りの第１遮光層８０と第２半導体基体２８側寄りの第２遮光層８１Ｄとの間に空隙８９が設けられている。このように、第１遮光層８０と第２遮光層８１Ｄとは、厚み方向において接触する部分と接触しない部分とを有している。

〈固体撮像装置の製造方法例〉
以下、図面を参照して、固体撮像装置３１の製造方法について説明する。第１半導体基体２６側の製造方法については、すでに第１実施形態において説明したので、ここではその詳細な説明は、省略する。以下、第２半導体基体２８側製造方法について、説明する。なお、第１実施形態と同じ工程については、詳細な説明は省略する。

まず、第１実施形態の図８Ｆに示すように、第２酸化防止層７６、配線溝５８ａ、Ｃｕ拡散バリア性メタル膜７２、及びＣｕ材料層７４を順次形成する。次いで、図１８Ａに示すように、ＣＭＰ法により、余剰のＣｕ拡散バリア性メタル膜７２、Ｃｕ材料層７４、及び第２最上層層間絶縁膜５６ｃを除去し、第２接続パッド５８ｂと、第２半導体基体２８の表面Ｓ２とを得る。第２酸化防止層７６は、表面Ｓ２に臨む面がＣＭＰ処理によりディッシングされ、第２酸化防止層７６Ｄになっている。そして、表面Ｓ２は、第２酸化防止層７６Ｄの、表面Ｓ２に臨む面Ｓ２１と、第２接続パッド５８ｂの、表面Ｓ２に臨む面Ｓ２２と、第２最上層層間絶縁膜５６ｃの、表面Ｓ２に臨む面Ｓ２３とを含む。

次いで、図１８Ｂに示すように、第２半導体基体２８の表面Ｓ２を覆うように、第２高融点金属膜７７を形成する。ここで、第２高融点金属膜７７のうち、面Ｓ２１と接触する部分を第１部分Ａ、面Ｓ２２と接触する部分を第２部分Ｂ、面Ｓ２３と接触する部分を第３部分Ｃと表す。このようにして、第２半導体基体２８側を得る。

次いで、図１８Ｃに示すように、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側とを、互いの高融点金属膜同士が向かい合うように準備する。この時、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側との位置合わせを行い、厚み方向において、第１半導体基体２６側の第１部分Ａと第２半導体基体２８側の第１部分Ａとが重なり、第１半導体基体２６側の第２部分Ｂと第２半導体基体２８側の第２部分Ｂとが重なり、第１半導体基体２６側の第３部分Ｃと第２半導体基体２８側の第３部分Ｃとが重なるようにする。

次いで、図１８Ｄに示すように、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側とを、互いの高融点金属膜同士が接触するように重ねる。すると、互いの高融点金属膜同士が接合されて、一体化する。しかし、第１遮光層８０と第２遮光層８１Ｄとは、厚み方向において接触しない部分を有している。これにより、空隙８９が形成される。

そして、図１８Ｄの第１半導体基体２６及び第２半導体基体２８を熱処理することにより、図１７に示す固体撮像装置３１が形成される。以上が固体撮像装置３１の製造方法例である。

〈効果〉
この第１実施形態の変形例３に係る固体撮像装置３１では、上述の第１実施形態に係る固体撮像装置３１と同様の効果が得られる。

また、この第１実施形態の変形例３に係る固体撮像装置３１では、Ｃｕ材料層７４を形成した後の平坦化の負担を少なくすることができる。

なお、第２酸化防止層７６Ｄがディッシングされた形状を有していたが、第１酸化防止層７１がディッシングされた形状を有していても良い。その場合、第１遮光層８０も、第１酸化防止層７１のディッシングされた形状に沿って設けられることになる。さらに、第２酸化防止層７６Ｄ及び、第１酸化防止層７１の両方がディッシングされた形状を有していても良い。
また、図１７及び図１８Ａから１８Ｄに示すディッシング量は強調して描かれたものであり、実際のディッシング量はそれに限定されるものではない。

＜第２実施形態＞
〈固体撮像装置の構成例〉
本技術の第２実施形態について、以下に説明する。本第２実施形態が上述の第１実施形態と相違する点は、接合層８４に替えて接合層８４Ｅを有する点、第１酸化防止層７１に替えて第１酸化防止層７１Ｅを有する点、及び第２酸化防止層７６に替えて第２酸化防止層７６Ｅを有する点であり、それ以外の固体撮像装置３１の構成は、基本的に上述の第１実施形態の固体撮像装置３１と同様の構成になっている。

［接合層の構成例］
図１９及び図２０に示すように、接合層８４Ｅは、絶縁層８５と、遮光層８６Ｅと、導通層８７とを含む。遮光層８６Ｅは、第１半導体基体２６側の第１遮光層８０Ｅと、第２半導体基体２８側の第２遮光層８１Ｅとを含む。

第１酸化防止層７１Ｅは、第１半導体基体２６に設けられた酸化防止層であり、第１最上層層間絶縁膜５３ｃより吸湿性の低い物質（絶縁膜）で構成されている。第２酸化防止層７６Ｅは、第２半導体基体２８に設けられた酸化防止層であり、第２最上層層間絶縁膜５６ｃより吸湿性の低い物質（絶縁膜）で構成されていて、第２酸化防止層７６Ｅ－１と第２酸化防止層７６Ｅ－２とを含む。

第１酸化防止層７１Ｅと第２酸化防止層７６Ｅとは、厚み方向と垂直な方向に沿って交互（互い違い）に設けられている。図１９及び図２０は、第１酸化防止層７１Ｅと第２酸化防止層７６Ｅとが、Ｘ方向に沿って交互に設けられている例を示している。具体的には、Ｘ方向に沿って、導通層８７側寄りから、第２酸化防止層７６Ｅ－１、第１酸化防止層７１Ｅ、第２酸化防止層７６Ｅ－２の順序で設けられている。

図２０は、第１半導体基体２６側上方から、遮光層８６Ｅと、第１酸化防止層７１Ｅと、第２酸化防止層７６Ｅとを観察した平面図である。第１酸化防止層７１Ｅと第２酸化防止層７６Ｅとは、厚み方向に離れた位置に設けられているが、平面視では、図２０のように重なって見える。この平面視において第１酸化防止層７１Ｅと第２酸化防止層７６Ｅとが占める領域を、酸化防止層形成領域９０Ｅと表す。このように、酸化防止層形成領域９０Ｅは、厚み方向に離れた位置に設けられた、酸化防止層形成領域９０Ｅの平面視における面積より小さい複数の酸化防止層が占める領域である。また、図２０に示すように、酸化防止層形成領域９０Ｅは、平面視で一辺の長さＬｃを有する正方形である。

第２酸化防止層７６Ｅ－１と第２酸化防止層７６Ｅ－２との間のＸ方向の距離は、第１酸化防止層７１ＥのＸ方向の幅より小さい距離に設けている。第２酸化防止層７６Ｅ－１と第１酸化防止層７１Ｅとは、厚み方向に投影した場合、つまり平面視で一部が重なっている。第２酸化防止層７６Ｅ－１と第１酸化防止層７１Ｅとは、平面視で重なる部分と重ならない部分とを有する。さらに、第１酸化防止層７１Ｅと第２酸化防止層７６Ｅ－２とは、厚み方向に投影した場合、つまり平面視で一部が重なっている。第１酸化防止層７１Ｅと第２酸化防止層７６Ｅ－２とは、平面視で重なる部分と重ならない部分とを有する。平面視において、複数の酸化防止層である第１酸化防止層７１Ｅ、第２酸化防止層７６Ｅ－１、及び第２酸化防止層７６Ｅ－２は、一部が平面視で重なりながら酸化防止層形成領域９０Ｅを隙間なく埋め尽くしている。

図２０に示すように、第１酸化防止層７１Ｅ、第２酸化防止層７６Ｅ－１、及び第２酸化防止層７６Ｅ－２は、いずれも平面視で長方形である。第１酸化防止層７１Ｅ、第２酸化防止層７６Ｅ－１、及び第２酸化防止層７６Ｅ－２のＸ方向の長さは、酸化防止層形成領域９０Ｅの一辺の長さＬｃより小さく、Ｙ方向の長さは、長さＬｃと等しく設けられている。第１酸化防止層７１Ｅ、第２酸化防止層７６Ｅ－１、及び第２酸化防止層７６Ｅ－２のＸ方向の長さは、等しく設けられている。

第２遮光層８１Ｅは、第２遮光層８１Ｅ－１と第２遮光層８１Ｅ－２とを含む。第２遮光層８１Ｅ－１は、平面視で第２酸化防止層７６Ｅ－１と丁度重なる位置に設けられ、厚み方向において第２酸化防止層７６Ｅ－１と丁度重なっている。具体的には、第２遮光層８１Ｅ－１は、第２酸化防止層７６Ｅ－１の、表面Ｓ２に臨む面の全面に設けられ、第２遮光層８１Ｅ－１の第２酸化防止層７６Ｅ－１側の面は、第２酸化防止層７６Ｅ－１の、表面Ｓ２に臨む面と接している。

第１遮光層８０Ｅは、平面視で第１酸化防止層７１Ｅと丁度重なる位置に設けられ、厚み方向において第１酸化防止層７１Ｅと丁度重なっている。具体的には、第１遮光層８０Ｅは、第１酸化防止層７１Ｅの、表面Ｓ１に臨む面の全面に設けられ、第１遮光層８０Ｅの第１半導体基体２６側の面は、第１酸化防止層７１Ｅの、表面Ｓ１に臨む面と接している。

第２遮光層８１Ｅ－２は、平面視で第２酸化防止層７６Ｅ－２と丁度重なる位置に設けられ、厚み方向において第２酸化防止層７６Ｅ－２と丁度重なっている。具体的には、第２遮光層８１Ｅ－２は、第２酸化防止層７６Ｅ－２の、表面Ｓ２に臨む面の全面に設けられ、第２遮光層８１Ｅ－２の第２酸化防止層７６Ｅ－２側の面は、第２酸化防止層７６Ｅ－２の、表面Ｓ２に臨む面と接している。

第１遮光層８０Ｅと第２遮光層８１Ｅとは、厚み方向と垂直な方向に沿って交互に設けられている。具体的には、Ｘ方向に沿って、導通層８７側寄りから、第２遮光層８１Ｅ－１、第１遮光層８０Ｅ、第２遮光層８１Ｅ－２の順序で設けられている。

第２遮光層８１Ｅ－１と第１遮光層８０Ｅとは、平面視及び厚み方向において、一部が重なり、重なった部分は接合されている。さらに、第１遮光層８０Ｅと第２遮光層８１Ｅ－２とは、平面視及び厚み方向において、一部が重なり、重なった部分は接合されている。図２０に示すように、遮光層８６Ｅは、平面視において、一辺の長さＬｃを有する正方形である。平面視において、第１遮光層８０Ｅ、第２遮光層８１Ｅ－１、第２遮光層８１Ｅ－２は、Ｘ方向に沿って一部が重なりながら遮光層８６Ｅの領域を隙間なく埋め尽くしている。

〈固体撮像装置の製造方法例〉
以下、図面を参照して、固体撮像装置３１の製造方法について説明する。まず、第１半導体基体２６側から説明する。図２１Ａに示すように、リソグラフィおよびエッチング技術を用いて、第１酸化防止層７１Ｅを形成する。そして、図２１Ｂに示すように、第１接続パッド３６ｂ及び表面Ｓ１を形成する。表面Ｓ１は、第１酸化防止層７１Ｅの、表面Ｓ１に臨む面Ｓ１１と、第１接続パッド３６ｂの、表面Ｓ１に臨む面Ｓ１２と、第１最上層層間絶縁膜５３ｃの、表面Ｓ１に臨む面Ｓ１３とを含む。

次いで、図２１Ｃに示すように、上述のようにして得られた第１半導体基体２６の表面Ｓ１を覆うように、第１高融点金属膜７５を形成する。第１高融点金属膜７５のうち、面Ｓ１１と接触する部分を第１部分Ａ、面Ｓ１２と接触する部分を第２部分Ｂ、面Ｓ１３と接触する部分を第３部分Ｃと表す。このようにして、第１半導体基体２６側を得る。

次に第２半導体基体２８側について説明する。図２２Ａに示すように、リソグラフィおよびエッチング技術を用いて、第２酸化防止層７６Ｅ－１および７６Ｅ－２を形成する。第２酸化防止層７６Ｅ－１と第２酸化防止層７６Ｅ－２との間のＸ方向の距離は、第１酸化防止層７１ＥのＸ方向の幅より小さく形成する。そして、図２２Ｂに示すように、第２接続パッド５８ｂ及び表面Ｓ２を形成する。表面Ｓ２は、第２酸化防止層７６Ｅ－１の、表面Ｓ２に臨む面Ｓ２１－１と、第２酸化防止層７６Ｅ－２の、表面Ｓ２に臨む面Ｓ２１－２と、第２接続パッド５８ｂの、表面Ｓ２に臨む面Ｓ２２と、第２最上層層間絶縁膜５６ｃの、表面Ｓ２に臨む面Ｓ２３とを含む。

次いで、図２２Ｃに示すように、上述のようにして得られた第２半導体基体２８の表面Ｓ２を覆うように、第２高融点金属膜７７を形成する。第２高融点金属膜７７のうち、面Ｓ２１－１と接触する部分を第１部分Ａ－１、面Ｓ２１－２と接触する部分を第１部分Ａ－２、面Ｓ２２と接触する部分を第２部分Ｂ、面Ｓ２３と接触する部分を第３部分Ｃと表す。このようにして、第２半導体基体２８側を得る。

その後、図２３Ａに示すように、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側とを、互いの高融点金属膜同士が向かい合うように準備する。この時、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側との位置合わせを行い、厚み方向において、第１半導体基体２６側の第２部分Ｂと第２半導体基体２８側の第２部分Ｂとが重なり、第１半導体基体２６側の第３部分Ｃと第２半導体基体２８側の第３部分Ｃとが重なるようにする。ここで、第２酸化防止層７６Ｅ－１と第２酸化防止層７６Ｅ－２との間のＸ方向の距離が、第１酸化防止層７１ＥのＸ方向の幅より小さく形成されている。それ故、Ｘ方向における第１酸化防止層７１Ｅと第２酸化防止層７６Ｅとの平面視の重ね合わせのマージンは、大きく設定されている。

次いで、図２３Ｂに示すように、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側とを、互いの高融点金属膜同士が接触するように重ねる。すると、互いの高融点金属膜同士が接合されて、一体化する。そして、図２３Ｂの第１半導体基体２６及び第２半導体基体２８を熱処理することにより、図１９に示す固体撮像装置３１が形成される。以上が固体撮像装置３１の製造方法例である。

〈効果〉
この第２実施形態に係る固体撮像装置３１では、上述の第１実施形態に係る固体撮像装置３１と同様の効果が得られる。

また、この第２実施形態に係る固体撮像装置３１では、面積が小さい複数の酸化防止層を備えているので、Ｃｕ材料層７４を形成した後の平坦化において、酸化防止層のディッシングを低減、抑制できる。これにより、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側との接触をより確実にし、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側との間の接合強度を改善しつつ、第１半導体基体２６側と第２半導体基体２８側との間で電磁波などのノイズが通過するのを抑制できる。

また、この第２実施形態に係る固体撮像装置３１では、厚み方向に投影した場合、つまり平面視で第２酸化防止層７６Ｅ－１、第１酸化防止層７１Ｅ、第２酸化防止層７６Ｅ－２の一部を平面視で重ねて設けることにより、第１半導体基体２６側と第１半導体基体２６側との接合ずれを吸収できる。これにより、第１遮光層８０Ｅ、第２遮光層８１Ｅ－１、第２遮光層８１Ｅ－２は、一部が重なりながら遮光層８６Ｅの領域を隙間なく埋め尽くすことができる。

なお、第１酸化防止層７１Ｅ、第２酸化防止層７６Ｅ－１、及び第２酸化防止層７６Ｅ－２のＸ方向の長さは、等しく設けられていたが、異なる長さに設けられていても良い。その場合、第１遮光層８０Ｅ、第２遮光層８１Ｅ－１、及び第２遮光層８１Ｅ－２のＸ方向の長さも異なる長さに設けられることになる。

また、第１酸化防止層７１Ｅと、第２酸化防止層７６Ｅ－１と、第２酸化防止層７６Ｅ－２とは、Ｘ方向に沿って交互に設けられていたが、Ｙ方向に沿って交互に設けられていても良い。その場合、第１遮光層８０Ｅ、第２遮光層８１Ｅ－１、第２遮光層８１Ｅ－２は、Ｙ方向に沿って交互に設けられ，一部が重なりながら遮光層８６Ｅの領域を隙間なく埋め尽くすことになる。

また、第２酸化防止層７６Ｅ－１と第２酸化防止層７６Ｅ－２との間のＸ方向の距離は、第１酸化防止層７１ＥのＸ方向の幅より小さい距離に設けていたが、第１酸化防止層７１ＥのＸ方向の幅と同じ距離に設けても良い。その場合、第１遮光層８０Ｅ、第２遮光層８１Ｅ－１、第２遮光層８１Ｅ－２は、Ｙ方向に沿って一部が重なり合うことなく、遮光層８６Ｅの領域を隙間なく埋め尽くすことになる。これは、第１半導体基体２６側と第１半導体基体２６側との間の接合ずれが無い又は小さい場合に有用である。

また、第２酸化防止層７６Ｅは第２酸化防止層７６Ｅ－１と、第２酸化防止層７６Ｅ－２との複数の酸化防止層を含んでいたが、複数の酸化防止層を含むのは第１酸化防止層７１Ｅの方であっても良い。その場合、遮光層８６Ｅは、複数の第１遮光層８０Ｅと一つの第２遮光層８１Ｅを含むことになる。

また、酸化防止層形成領域９０Ｅは、第１酸化防止層７１Ｅと、第２酸化防止層７６Ｅ－１と、第２酸化防止層７６Ｅ－２との３つの酸化防止層により占められていたが、図２４に示す他の実施例のように、第１酸化防止層７１Ｅと、第２酸化防止層７６Ｅとの２つの酸化防止層により占められていても良い。その場合、遮光層８６Ｅは第１遮光層８０Ｅと第２遮光層８１Ｅとの２つの遮光層を含む。そして、第１遮光層８０Ｅ及び第２遮光層８１Ｅは、Ｘ方向に沿って交互に設けられ、一部が重なりながら遮光層８６Ｅの領域を隙間なく埋め尽くすことになる。さらに、第１酸化防止層７１Ｅが２つ以上の酸化防止層を含み、かつ第２酸化防止層７６Ｅが２つ以上の酸化防止層を含み、第１酸化防止層７１Ｅと第２酸化防止層７６Ｅとが交互に設けられていても良い。その場合、第１遮光層８０Ｅが複数の遮光層を含み、第２遮光層８１Ｅが複数の遮光層を含み、第１遮光層８０Ｅと第２遮光層８１Ｅが交互に設けられることになる。

また、第１酸化防止層７１Ｅと、第２酸化防止層７６Ｅ－１と、第２酸化防止層７６Ｅ－２とは、Ｘ方向に沿って交互に設けられていたが、図２５の他の実施例に示すように、Ｘ方向に対して斜めの方向に沿って交互に設けられていても良い。Ｘ方向に対して斜めの方向とは、Ｘ方向に対して９０度より小さい角度をなす方向である。その場合、第１遮光層８０Ｅ、第２遮光層８１Ｅ－１、第２遮光層８１Ｅ－２は、Ｘ方向に対して斜めの方向に沿って交互に設けられ、一部が重なりながら遮光層８６Ｅの領域を隙間なく埋め尽くすことになる。

また、図２６の他の実施例に示すように、第１酸化防止層７１Ｅ及び第２酸化防止層７６Ｅのいずれか一方、本例では、第１酸化防止層７１Ｅが上面から見て縦横所定のピッチで複数の開口９１を有する形状９２に形成され、他方、本例では第２酸化防止層７６Ｅが上面から見て第１酸化防止層７１Ｅの開口９１を塞ぐドット９３に設けられていても良い。平面視における酸化防止層形成領域９０Ｅは、厚み方向に離れた位置に設けられた、第１酸化防止層７１Ｅと第２酸化防止層７６Ｅとにより、隙間なく埋め尽くされている。

同様に、第１遮光層８０Ｅ及び第２遮光層８１Ｅのいずれか一方、本例では、第１遮光層８０Ｅが上面から見て縦横所定のピッチで複数の開口９１を有する形状９２に形成され、他方、本例では第２遮光層８１Ｅが上面から見て第１遮光層８０Ｅの開口９１を塞ぐドット９３に設けられていても良い。平面視における遮光層８６Ｅの領域は、一部が接合された第１遮光層８０Ｅと第２遮光層８１Ｅとにより、隙間なく埋め尽くされている。

＜第３実施形態：電子機器＞
次に、本技術の第３実施形態に係る電子機器について説明する。図２７は、本技術の第３実施形態に係る電子機器１００の概略構成図である。

第３実施形態に係る電子機器１００は、固体撮像装置１０１と、光学レンズ１０２と、シャッタ装置１０３と、駆動回路１０４と、信号処理回路１０５とを備えている。第３実施形態の電子機器１００は、固体撮像装置１０１として、本技術の第１実施形態及びその変形例、第２実施形態のいずれかに係る固体撮像装置３１を電子機器（例えば、カメラ）に用いた場合の実施形態を示す。

光学レンズ１０２は、被写体からの像光（入射光１０６）を固体撮像装置１０１の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置１０１内に一定期間にわたって信号電荷が蓄積される。シャッタ装置１０３は、固体撮像装置１０１への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路１０４は、固体撮像装置１０１の転送動作及びシャッタ装置１０３のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路１０４から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置１０１の信号転送を行なう。信号処理回路１０５は、固体撮像装置１０１から出力される信号（画素信号）に各種信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリ等の記憶媒体に記憶され、或いはモニタに出力される。

なお、固体撮像装置３１を適用できる電子機器１００としては、カメラに限られるものではなく、他の電子機器にも適用することができる。例えば、携帯電話機やタブレット端末等のモバイル機器向けカメラモジュール等の撮像装置に適用してもよい。

（その他の実施形態）
上記のように、本発明は第１～第３実施形態及びその変形例によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
又、第１～第３実施形態及びその変形例で説明したそれぞれの技術的思想を互いに組み合わせることも可能である。例えば、第１実施形態の変形例２で説明した位置ずれがある場合の接合層８４Ｂに係る技術的思想を、第２実施形態に係る接合層８４Ｅに適用する等、それぞれの技術的思想に沿った種々の組み合わせが可能である。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に記載された発明特定事項によってのみ定められるものである。

また、上述の第１実施形態及びその変形例１から変形例４と、上述の第２実施形態とにおいて、平面視で画素領域３４の投影面全面に遮光層を設けていたが、画素領域３４の投影面の一部に遮光層を設けても良い。その場合、ノイズがより多く発生する領域例えば第２半導体基体２８の信号読み出し回路と、第１半導体基体２６の画素領域３４との間に遮光層を設けても良い。

また、上述の第１実施形態及びその変形例１から変形例４と、上述の第２実施形態とにおいて、第１酸化防止層、第２酸化防止層、及び酸化防止層形成領域９０Ｅは、正方形であったが、例えば長方形等、その他の形状であっても良い。

また、上述の第１実施形態及びその変形例１から変形例４と、上述の第２実施形態とにおいて、多層配線層３７の表面Ｓ１に第１高融点金属膜７５が設けられていた。すなわち第１高融点金属膜７５は多層配線層３７に含まれていなかった。しかし、第１高融点金属膜７５が多層配線層３７に含まれる構成であっても良い。その場合、熱処理後の第１高融点金属膜７５の各部、例えば第１実施形態を例に挙げて説明すると、図４Ｂに示す第１絶縁層７８、第１遮光層８０、及び第１導通層８２についても、多層配線層３７に含まれる。
さらに、上述の第１実施形態及びその変形例１から変形例４と、上述の第２実施形態とにおいて、多層配線層５９の表面Ｓ２に第２高融点金属膜７７が設けられていた。すなわち第２高融点金属膜７７は多層配線層５９に含まれていなかった。しかし、第２高融点金属膜７７が多層配線層５９に含まれる構成であっても良い。その場合、熱処理後の第２高融点金属膜７７の各部、例えば第１実施形態を例に挙げて説明すると、図４Ｂに示す第２絶縁層７９、第２遮光層８１、及び第２導通層８３についても、多層配線層５９に含まれる。
上述のような第１高融点金属膜７５を含む多層配線層３７と第２高融点金属膜７７を含む多層配線層５９との接合面は、例えば第１実施形態を例に挙げて説明すると、図４Ｂに示す接合面Ｓ３である。そして、多層配線層３７に含まれる第１絶縁層７８、第１遮光層８０、及び第１導通層８２と、多層配線層５９に含まれる第２絶縁層７９、第２遮光層８１、及び第２導通層８３とは、接合面Ｓ３に露出している。

また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があっても良い。

なお、本技術は、以下のような構成としてもよい。
（１）
光電変換を行う光電変換部が形成された第１の半導体層、及び前記第１の半導体層の光入射面とは反対側に形成された層間絶縁膜を含む第１の多層配線層を有する第１半導体基体と、
回路が形成された第２の半導体層、及び前記第２の半導体層の光入射面側に形成された層間絶縁膜を含む第２の多層配線層を有し、前記第２の多層配線層が前記第１の多層配線層と接合された第２半導体基体と、
前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層のうち少なくとも一方に、前記第１の多層配線層と前記第２の多層配線層との接合面に露出するように設けられた遮光層と、
前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層のうちの少なくとも一方に設けられ、前記遮光層と前記第１の多層配線層の前記層間絶縁膜との間、及び前記遮光層と前記第２の多層配線層の前記層間絶縁膜との間の少なくとも一方に設けられた酸化防止層と、
を備えた固体撮像装置。
（２）
前記遮光層はTi、Mn、Cr、Auのいずれかを含む、（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
前記酸化防止層は前記層間絶縁膜よりも吸湿性の低い物質である、（１）または（２）に記載の固体撮像装置。
（４）
前記酸化防止層は窒化シリコンまたは酸化アルミニウムである、（３）に記載の固体撮像装置。
（５）
前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層のうち少なく一方に、前記接合面のうちの前記遮光層が露出する領域とは異なる領域に露出するように設けられ、前記遮光層と同じ材料の導通層を含む、（１）から（４）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（６）
前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層のうち少なくとも一方に、前記接合面に露出するように設けられ、前記層間絶縁膜とは異なる材料の絶縁層を含む、（１）から（５）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（７）
前記絶縁層は前記遮光層と同じ材料の酸化物である、（６）に記載の固体撮像装置。
（８）
前記第１半導体基体は、前記光電変換部が複数設けられた画素領域を有し
前記酸化防止層は、平面視で前記画素領域に重なっている、（１）から（７）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（９）
前記酸化防止層の平面視の輪郭は、前記画素領域の平面視の輪郭より外側にある、（８）に記載の固体撮像装置。
（１０）
前記酸化防止層は、前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層の両方に設けられ、
前記第１の多層配線層に設けられた前記酸化防止層と前記第２の多層配線層に設けられた前記酸化防止層とは、平面視で重なる部分を有する、（１）から（９）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１１）
前記酸化防止層は、前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層の両方に設けられ、
前記第１の多層配線層に設けられた前記酸化防止層と前記第２の多層配線層に設けられた前記酸化防止層とは、平面視で重ならない部分を有する、（１）から（１０）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１２）
前記酸化防止層は、前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層の両方に設けられ、
前記第１の多層配線層に設けられた前記酸化防止層と前記第２の多層配線層に設けられた前記酸化防止層とは、厚み方向と垂直な方向に沿って交互に設けられている、（１）から（１１）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１３）
前記遮光層は、前記第１の多層配線層に設けられた前記酸化防止層により前記第１半導体基体の前記層間絶縁膜との間が隔てられた第１遮光層と、前記第２の多層配線層に設けられた前記酸化防止層により前記第２半導体基体の前記層間絶縁膜との間が隔てられた第２遮光層と、を含み、
前記第１遮光層と前記第２遮光層とは、厚み方向において接触しない部分を有している、（１）から（１１）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１４）
前記第１半導体基体の前記第１の多層配線層に設けられた第１接続パッドと、
前記第２半導体基体の前記第２の多層配線層に設けられ、前記第１接続パッドと電気的に接続された第２接続パッドと、
前記第１接続パッドと前記第２接続パッドとの各々に接している空隙と、
を有する、（１）から（１３）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１５）
第１配線と第１層間絶縁膜とを含む第１配線層と、
第２配線と第２層間絶縁膜とを含む第２配線層とを有し、
前記第１配線層の第１面と前記第２配線層の第２面は対向するように配置され、
前記第１面は第１領域と第２領域と第３領域とを有し、
前記第１領域に設けられた、前記第１層間絶縁膜とは異なる第１絶縁膜と、
前記第２領域に設けられた、前記第１配線と接する第１金属膜と、
前記第３領域に設けられた、前記第１絶縁膜と前記第１層間絶縁膜とは異なる第２絶縁膜と接する第２金属膜と、を含む
固体撮像装置。
（１６）
前記第１配線層に接するように配置された半導体層は、光電変換部またはロジック回路を有する（１５）に記載の固体撮像装置。
（１７）
前記第２面は第４領域と第５領域と第６領域とを有し、
前記第４領域に設けられ、前記第２層間絶縁膜とは異なる第３絶縁膜と、
前記第５領域に設けられ、前記第２配線と接する第３金属膜と、
前記第６領域に設けられ、前記第３絶縁膜と前記第２層間絶縁膜とは異なる第４絶縁膜と接する第４金属膜と、を含み、
前記第１領域と前記第２領域と前記第３領域とは、それぞれ前記第４領域と前記第５領域と前記第６領域と対向する、
（１５）または（１６）に記載の固体撮像装置。
（１８）
前記第１層間絶縁膜は前記第１配線または前記第１絶縁膜または前記第２絶縁膜と接している（１５）から（１７）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１９）
光電変換を行う光電変換部が形成された第１の半導体層、及び前記第１の半導体層の光入射面とは反対側に形成された層間絶縁膜を含む第１の多層配線層を有する第１半導体基体と、回路が形成された第２の半導体層、及び前記第２の半導体層の光入射面側に形成された層間絶縁膜を含む第２の多層配線層を有する第２半導体基体と、を準備し、
前記第１半導体基体の前記層間絶縁膜と前記第２半導体基体の前記層間絶縁膜とのうち少なくとも一方に酸化防止層を形成し、
前記第１半導体基体の前記層間絶縁膜側の面と、前記第２半導体基体の前記層間絶縁膜側の面とに高融点金属膜を形成し、
前記第１半導体基体と前記第２半導体基体とを、各々の前記高融点金属膜を接合することにより接合し、
接合された前記第１半導体基体と前記第２半導体基体とを熱処理する、固体撮像装置の製造方法。
（２０）
光電変換を行う光電変換部が形成された第１の半導体層、及び前記第１の半導体層の光入射面とは反対側に形成された層間絶縁膜を含む第１の多層配線層を有する第１半導体基体と、回路が形成された第２の半導体層、及び前記第２の半導体層の光入射面側に形成された層間絶縁膜を含む第２の多層配線層を有し、前記第２の多層配線層が前記第１の多層配線層と接合された第２半導体基体と、前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層のうち少なくとも一方に、前記第１の多層配線層と前記第２の多層配線層との接合面に露出するように設けられた遮光層と、前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層のうちの少なくとも一方に設けられ、前記遮光層と前記第１の多層配線層の前記層間絶縁膜との間、及び前記遮光層と前記第２の多層配線層の前記層間絶縁膜との間の少なくとも一方に設けられた酸化防止層と、を備えた固体撮像装置と、
被写体からの像光を前記固体撮像装置の撮像面上に結像させる光学レンズと、
前記固体撮像装置から出力される信号に信号処理を行う信号処理回路と、
を備えた電子機器。

本技術の範囲は、図示され記載された例示的な実施形態に限定されるものではなく、本技術が目的とするものと均等な効果をもたらす全ての実施形態をも含む。さらに、本技術の範囲は、請求項により画される発明の特徴の組み合わせに限定されるものではなく、全ての開示されたそれぞれの特徴のうち特定の特徴のあらゆる所望する組み合わせによって画されうる。

２６...第１半導体基体
２８...第２半導体基体
３１...固体撮像装置
３１ａ、３４ａ、７１ａ、７６ａ、８６ａ...輪郭
３４...画素領域
３６...第１接続配線
３６ａ、５８ａ...配線溝
３６ｂ...第１接続パッド
５３ｃ...第１最上層層間絶縁膜
５６ｃ...第２最上層層間絶縁膜
５８...第２接続配線
５８ｂ...第２接続パッド
７０...酸化防止膜
７１、７１Ｅ...第１酸化防止層
７２...Ｃｕ拡散バリア性メタル膜
７４...Ｃｕ材料層
７５...第１高融点金属膜
７６、７６Ｄ、７６Ｅ、７６Ｅ－１、７６Ｅ－２...第２酸化防止層
７７...第２高融点金属膜
７８、７８Ａ...第１絶縁層
７９、７９Ａ、７９Ｃ...第２絶縁層
８０、８０Ｅ...第１遮光層
８１、８１Ｅ、８１Ｅ－１、８１Ｅ－２...第２遮光層
８２...第１導通層
８３...第２導通層
８４、８４Ａ、８４Ｂ、８４Ｃ、８４Ｄ、８４Ｅ...接合層
８５、８５Ａ、８５Ｂ、８５Ｃ...絶縁層
８６、８６Ｂ、８６Ｃ、８６Ｄ、８６Ｅ...遮光層
８７、８７Ｂ...導通層
８８、８９...空隙
９０Ｅ...酸化防止層形成領域
２０１...距離画像機器

Claims (20)

1. 光電変換を行う光電変換部が形成された第１の半導体層、及び前記第１の半導体層の光入射面とは反対側に形成された層間絶縁膜を含む第１の多層配線層を有する第１半導体基体と、
   回路が形成された第２の半導体層、及び前記第２の半導体層の光入射面側に形成された層間絶縁膜を含む第２の多層配線層を有し、前記第２の多層配線層が前記第１の多層配線層と接合された第２半導体基体と、
   前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層のうち少なくとも一方に、前記第１の多層配線層と前記第２の多層配線層との接合面に露出するように設けられた遮光層と、
   前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層のうちの少なくとも一方に設けられ、前記遮光層と前記第１の多層配線層の前記層間絶縁膜との間、及び前記遮光層と前記第２の多層配線層の前記層間絶縁膜との間の少なくとも一方に設けられた酸化防止層と、
   を備えた固体撮像装置。
2. 前記遮光層はTi、Mn、Cr、Auのいずれかを含む、請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記酸化防止層は前記層間絶縁膜よりも吸湿性の低い物質である、請求項１に記載の固体撮像装置。
4. 前記酸化防止層は窒化シリコンまたは酸化アルミニウムである、請求項３に記載の固体撮像装置。
5. 前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層のうち少なく一方に、前記接合面のうちの前記遮光層が露出する領域とは異なる領域に露出するように設けられ、前記遮光層と同じ材料の導通層を含む、請求項１に記載の固体撮像装置。
6. 前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層のうち少なくとも一方に、前記接合面に露出するように設けられ、前記層間絶縁膜とは異なる材料の絶縁層を含む、請求項１に記載の固体撮像装置。
7. 前記絶縁層は前記遮光層と同じ材料の酸化物である、請求項６に記載の固体撮像装置。
8. 前記第１半導体基体は、前記光電変換部が複数設けられた画素領域を有し
   前記酸化防止層は、平面視で前記画素領域に重なっている、請求項１に記載の固体撮像装置。
9. 前記酸化防止層の平面視の輪郭は、前記画素領域の平面視の輪郭より外側にある、請求項８に記載の固体撮像装置。
10. 前記酸化防止層は、前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層の両方に設けられ、
    前記第１の多層配線層に設けられた前記酸化防止層と前記第２の多層配線層に設けられた前記酸化防止層とは、平面視で重なる部分を有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
11. 前記酸化防止層は、前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層の両方に設けられ、
    前記第１の多層配線層に設けられた前記酸化防止層と前記第２の多層配線層に設けられた前記酸化防止層とは、平面視で重ならない部分を有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
12. 前記酸化防止層は、前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層の両方に設けられ、
    前記第１の多層配線層に設けられた前記酸化防止層と前記第２の多層配線層に設けられた前記酸化防止層とは、厚み方向と垂直な方向に沿って交互に設けられている、請求項１に記載の固体撮像装置。
13. 前記遮光層は、前記第１の多層配線層に設けられた前記酸化防止層により前記第１半導体基体の前記層間絶縁膜との間が隔てられた第１遮光層と、前記第２の多層配線層に設けられた前記酸化防止層により前記第２半導体基体の前記層間絶縁膜との間が隔てられた第２遮光層と、を含み、
    前記第１遮光層と前記第２遮光層とは、厚み方向において接触しない部分を有している、請求項１に記載の固体撮像装置。
14. 前記第１半導体基体の前記第１の多層配線層に設けられた第１接続パッドと、
    前記第２半導体基体の前記第２の多層配線層に設けられ、前記第１接続パッドと電気的に接続された第２接続パッドと、
    前記第１接続パッドと前記第２接続パッドとの各々に接している空隙と、
    を有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
15. 第１配線と第１層間絶縁膜とを含む第１配線層と、
    第２配線と第２層間絶縁膜とを含む第２配線層とを有し、
    前記第１配線層の第１面と前記第２配線層の第２面は対向するように配置され、
    前記第１面は第１領域と第２領域と第３領域とを有し、
    前記第１領域に設けられた、前記第１層間絶縁膜とは異なる第１絶縁膜と、
    前記第２領域に設けられた、前記第１配線と接する第１金属膜と、
    前記第３領域に設けられた、前記第１絶縁膜と前記第１層間絶縁膜とは異なる第２絶縁膜と接する第２金属膜と、を含む
    固体撮像装置。
16. 前記第１配線層に接するように配置された半導体層は、光電変換部またはロジック回路を有する請求項１５に記載の固体撮像装置。
17. 前記第２面は第４領域と第５領域と第６領域とを有し、
    前記第４領域に設けられ、前記第２層間絶縁膜とは異なる第３絶縁膜と、
    前記第５領域に設けられ、前記第２配線と接する第３金属膜と、
    前記第６領域に設けられ、前記第３絶縁膜と前記第２層間絶縁膜とは異なる第４絶縁膜と接する第４金属膜と、を含み、
    前記第１領域と前記第２領域と前記第３領域とは、それぞれ前記第４領域と前記第５領域と前記第６領域と対向する、
    請求項１５に記載の固体撮像装置。
18. 前記第１層間絶縁膜は前記第１配線または前記第１絶縁膜または前記第２絶縁膜と接している請求項１５に記載の固体撮像装置。
19. 光電変換を行う光電変換部が形成された第１の半導体層、及び前記第１の半導体層の光入射面とは反対側に形成された層間絶縁膜を含む第１の多層配線層を有する第１半導体基体と、回路が形成された第２の半導体層、及び前記第２の半導体層の光入射面側に形成された層間絶縁膜を含む第２の多層配線層を有する第２半導体基体と、を準備し、
    前記第１半導体基体の前記層間絶縁膜と前記第２半導体基体の前記層間絶縁膜とのうち少なくとも一方に酸化防止層を形成し、
    前記第１半導体基体の前記層間絶縁膜側の面と、前記第２半導体基体の前記層間絶縁膜側の面とに高融点金属膜を形成し、
    前記第１半導体基体と前記第２半導体基体とを、各々の前記高融点金属膜を接合することにより接合し、
    接合された前記第１半導体基体と前記第２半導体基体とを熱処理する、固体撮像装置の製造方法。
20. 光電変換を行う光電変換部が形成された第１の半導体層、及び前記第１の半導体層の光入射面とは反対側に形成された層間絶縁膜を含む第１の多層配線層を有する第１半導体基体と、回路が形成された第２の半導体層、及び前記第２の半導体層の光入射面側に形成された層間絶縁膜を含む第２の多層配線層を有し、前記第２の多層配線層が前記第１の多層配線層と接合された第２半導体基体と、前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層のうち少なくとも一方に、前記第１の多層配線層と前記第２の多層配線層との接合面に露出するように設けられた遮光層と、前記第１の多層配線層及び前記第２の多層配線層のうちの少なくとも一方に設けられ、前記遮光層と前記第１の多層配線層の前記層間絶縁膜との間、及び前記遮光層と前記第２の多層配線層の前記層間絶縁膜との間の少なくとも一方に設けられた酸化防止層と、を備えた固体撮像装置と、
    被写体からの像光を前記固体撮像装置の撮像面上に結像させる光学レンズと、
    前記固体撮像装置から出力される信号に信号処理を行う信号処理回路と、
    を備えた電子機器。

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