JP5967915B2 - 固体撮像装置の駆動方法 - Google Patents

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Description

本発明は、固体撮像装置の駆動方法に関する。
固体撮像装置は、2次元アレイ状に配列された画素と画素の光電変換信号を駆動する垂直走査回路、水平走査回路、読み出し回路等から構成される。各画素は、光電変換部、信号電荷を転送するトランジスタ、光電変換部をリセットするためのリセットトランジスタ等から構成される。電荷蓄積動作は、光電変換部を転送トランジスタによりリセットし、転送トランジスタを導通状態から非道通状態へと変化させた時点で開始し、転送トランジスタで光電変換部からFD(フローティングディフュージョン)領域に電荷転送を開始する時点で終了する。この期間を蓄積期間と呼ぶ。光電変換部を完全にリセットできず残留電荷が存在すると、残像やノイズの原因となる。
特許文献1は、リセット動作を行う際には、リセットトランジスタと転送トランジスタの両方を導通させる。リセット動作を開始する際に、まず転送トランジスタを導通させた後、リセットトランジスタを導通させる動作が開示されている。この動作により、光電変換部に残る残留電荷を減らし、残像やノイズを低減する。
特開2000−201300号公報
デジタルカメラの多画素化、高速化に対応するために、固体撮像装置の画素寸法は年々縮小してきている。それに伴い、電源電圧が低下し、より微細な加工寸法で設計された装置が必要となってくる。画素寸法の微細化に伴い、画素内の素子が互いに近接して配置されるため寄生容量が増大する。前述の特許文献1の方法で光電変換部のリセットを行うと、リセットトランジスタを非道通状態にする際のゲート電圧の変化が前述の寄生容量を介してFD領域の電圧を変化させる結果、残留電荷が増大するという課題が顕著になってきた。これはFD領域の電位の変化が、転送トランジスタによる電荷転送がされにくい方向に作用するためである。
更に、このように電荷転送がされにくい状態では、行方向に延びる転送トランジスタのゲート線の時定数により、転送トランジスタのゲート電極に印加されるパルスの鈍りが残留電荷の量に敏感に影響を与える。ゲート線に印加されるパルスの鈍りは、転送線上の位置により異なるため、ノイズ出力が画面の水平方向に沿って傾斜する。固体撮像装置の水平走査方向と平行な方向にグラデーションを持った、ノイズ出力波形を「水平シェーディング」と呼ぶこととする。この水平シェーディングは、撮影した画像の暗部、及び被写体輝度が低い部分で特に無視できない形で現れるため、このようなシェーディングを低減させることが望まれている。
本発明の目的は、リセットの不完全性に起因した水平シェーディングを低減することができる固体撮像装置の駆動方法を提供することである。
本発明の固体撮像装置の駆動方法は、2次元に配列され、光電変換により信号を生成する複数の画素を有する固体撮像装置の駆動方法であって、前記複数の画素の各々は、光電変換により電荷を生成する光電変換部と、フローティングディフュージョン部と、前記光電変換により生成された電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する転送トランジスタと、前記フローティングディフュージョン部に転送された電荷に基づく信号を増幅する増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタにより増幅された信号の読み出しを制御する選択トランジスタと、前記フローティングディフュージョン部の電圧をリセットするリセットトランジスタとを有し、前記選択トランジスタを非導通状態に、前記転送トランジスタを導通状態にした後、前記リセットトランジスタ及び前記選択トランジスタが非導通状態のときに、前記転送トランジスタを非導通状態とすることにより、前記光電変換部の電荷をリセットする第1のステップと、前記第1のステップの後であって前記転送トランジスタ及び前記選択トランジスタを導通状態にした後、前記リセットトランジスタが非導通状態のときに、前記転送トランジスタを非導通状態とすることにより、前記光電変換部の電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する第2のステップと、を有し、前記第2のステップで転送された電荷に基づく信号を前記増幅トランジスタで増幅した信号を、前記選択トランジスタを介して出力することを特徴とする。
光電変換部をリセットした後に転送トランジスタを非導通状態にした時のフローティングディフュージョン部(FD部)の電位と、光電変換部の電荷をFD部に転送した後に転送トランジスタを非導通状態にした時のFD部の電位を同程度とすることができる。これにより、戻り電子の影響を相殺させることができ、画質を悪化させる原因である水平シェーディングを低減することができる。
第1の実施形態による固体撮像装置の構成例を示す図である。 比較例の駆動タイミングチャートである。 の実施形態の駆動タイミングチャートである。 第2の実施形態の駆動タイミングチャートである。 第3の実施形態の駆動タイミングチャートである。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態によるCMOS型固体撮像装置の構成例を示す図である。複数の画素101は、2次元行列状に配列され、光電変換により信号を生成する。複数の画素101の各々は、光電変換部102、転送トランジスタ103、フローティングディフュージョン部(FD部)104、増幅トランジスタ105、リセットトランジスタ106、選択トランジスタ107を有する。光電変換部102は、光電変換により電荷を生成する。FD部104は、電荷を電圧に変換する。転送トランジスタ103は、光電変換部102の電荷をFD部104に転送する。増幅トランジスタ105は、FD部104に転送された電荷に基づく信号を増幅して出力する。リセットトランジスタ106は、FD部104の電圧をリセットする。また、画素101には、画素101を駆動するための駆動線108〜110が接続されている。垂直走査回路117から駆動線108〜110へ駆動信号が入力される。光電変換部102は、光電変換により信号電荷を生成及び蓄積する。光電変換部102に蓄積された信号電荷はFD部104で電圧に変換される。FD部104に転送された電荷に基づく信号は増幅トランジスタ105により増幅された後、垂直出力線111に出力され、列回路113で処理された後、列メモリ114にサンプリングされる。電流源112は、垂直出力線111に接続される。列メモリ114に書き込まれた信号は、水平走査回路115により順次、最終段のアンプ116に送られ、増幅された後、出力される。列回路113としては、増幅回路、ノイズ低減回路、アナログデジタル変換回路などを含み得る。
本実施形態の特徴と構成を明らかにするために、図1の回路を駆動する比較例のタイミングチャートを以下に示す。
図2は、比較例の画素の駆動信号と、FD部104の電位と、信号のサンプリングタイミングを示した駆動タイミングチャートである。φ108〜φ110は、それぞれ図1の駆動線108〜110に入力される駆動信号である。サンプリングタイミングは、例えば、図1の列メモリにおいて、信号がサンプリングされるタイミングである。ノイズ読み出しと記載されている部分は、画素ノイズや列回路を有する場合には列回路のノイズの場合もある。
まず、時刻T201において、駆動信号φ108とφ110がローレベルにあり、駆動信号φ109がハイレベルにある。このとき、転送トランジスタ103と選択トランジスタ107は非導通となっており、リセットトランジスタ106が導通している。ここで、画素の電源電圧をVd、駆動信号φ109のハイレベルの電位をVh、リセットトランジスタ106の閾値電圧をVth_resとする。すると、これらの電位の間に、次式(1)の関係が成り立っているとき、リセットトランジスタ106は3極管領域で動作しており、時刻T201におけるFD部104の電位はVdとなる。式(1)が成り立っている状態をハードリセットの状態と呼ぶことにする。
Vd<Vh−Vth_res ・・・(1)
一方、次式(2)の関係が成り立っているとき、リセットトランジスタ106は飽和領域で動作しており、時刻T201におけるFD部104の電位はVh−Vth_resとなる。式(2)が成り立っている状態をソフトリセットの状態と呼ぶことにする。
Vd>Vh−Vth_res ・・・(2)
時刻T202において、駆動信号φ108をハイレベルとし、転送トランジスタ106を導通させる。リセットトランジスタ106を導通させた状態で転送トランジスタ103を導通させることにより、光電変換部102は信号電荷の蓄積開始前にリセットされ、残像やノイズの原因となる残留電荷を減らすことができる。このとき、転送トランジスタ103のゲートとFD部104は、転送トランジスタ103のゲートとソース間容量で容量結合しており、駆動信号φ108をローレベルからハイレベルに振り上げた際にFD部104の電位もΔ1だけ振り上げられる。このことにより、ハードリセットの場合、FD部104の電位はVd+Δ1となる。
次式(3)が成り立つ場合、リセットトランジスタ106は3極管領域で動作しており、Vd+Δ1に振り上げられたFD部104の電位は、すぐにVdに戻る。
Vd+Δ1<Vh−Vth_res ・・・(3)
次式(4)が成り立つ場合、リセットトランジスタ106は飽和領域で動作し、FD部104の電位は図2のハードリセットの場合に示したように緩やかにVdまで低下する。
Vd+Δ1>Vh−Vth_res ・・・(4)
一方、ソフトリセットの場合、時刻T202においてFD部104の電位は、Vh−Vth_res+Δ1に振り上げられる。このことにより、リセットトランジスタ106はオフし、FD部104の電位はVth−Vth_res+Δ1に保たれる。
時刻T203において、駆動信号φ108をローレベルとし、光電変換部102のリセットを終了する。駆動信号φ108をハイレベルからローレベルに振り下げたことで、転送トランジスタ103のゲートとカップリングしているFD部104の電位はΔ1だけ振り下げられる。このことにより、ハードリセットの場合、FD部104の電位は瞬間的にVd−Δ1まで低下した後、すぐにVdに復帰する。ソフトリセットの場合、FD部104の電位はVd−Vth_resに戻る。
時刻T204において、駆動信号φ110がハイレベルとなり、読み出し行の選択トランジスタ107が導通状態となる。
時刻T205において、駆動信号φ109がローレベルとなり、リセットトランジスタ106がオフする。FD部104はリセットトランジスタ106のゲートとカップリングしており、駆動信号φ109をハイレベルからローレベルに振り下げることで、FD部104の電位104はΔ2だけ振り下げられる。ハードリセットの場合、FD部104の電位はVd−Δ2となり、ソフトリセットの場合、FD部104の電位はVh−Vth_res−Δ2となる。転送トランジスタがN型のトランジスタの場合、駆動信号φ108のローレベルの電位は、光電変換部102からFD部104への信号電荷のリークを防ぐために負電位となっていることが多い。そのため、駆動信号φ108のローレベルとハイレベルの電位差の方が駆動信号φ109のローレベルとハイレベルの電位差よりも大きく、カップリングによるFD部104の電位の振り下げ量Δ1とΔ2の間に、Δ1>Δ2の関係が成り立つ。
時刻T206において、リセットトランジスタ106をオフした状態で転送トランジスタ103をオンし、光電変換部102からFD部104へ信号電荷の転送を行う。時刻T203〜T206の期間が信号電荷の蓄積期間である。FD部104の電位は駆動信号φ108が振り上げられることにより、Δ1だけ振り上がる。FD部104の電位は、ハードリセットの場合、Vd−Δ2+Δ1(>Vd)となり、ソフトリセットの場合、Vh−Vth_res−Δ2+Δ1(>Vh−Vth_res)となる。
図2においては、蓄積期間中に光電変換部102への光の入射がないとしている。そのため、光電変換部102に信号電荷が蓄積されていないため、光電変換部102からFD部104への電荷の転送もないと仮定している。
時刻T207において、駆動信号φ108をローレベルとし、転送トランジスタ103が非導通となり、光電変換部102からFD部104への信号電荷の転送が終了する。駆動信号φ108が振り下げられることに応じてFD部104の電位がΔ1だけ振り下げられ、FD部104の電位は、ハードリセットの場合Vd−Δ2、ソフトリセットの場合Vh−Vth_res−Δ2となる。
時刻T208において、駆動信号φ109がハイレベルとなり、リセットトランジスタ106が導通する。駆動信号φ109が振り上がることによりFD部104の電位はΔ2だけ振り上がり、FD部104の電位は、ハードリセットの場合Vd、ソフトリセットの場合Vh−Vth_resとなる。
時刻T209において、駆動信号φ110がローレベルとなり、選択トランジスタ107が非導通となり、行選択が解除される。
時刻T205とT206の間にノイズの読み出しが行われ、時刻T207とT208の間で信号+ノイズの読み出しが行われる。アンプ116が両者の引き算を行うことによりノイズを除去し、信号だけを読み出すことができる。
注目すべきことは、ハードリセットの場合もソフトリセットの場合も、転送トランジスタ103が非導通となるタイミングである時刻T203と時刻T207において、FD部104の電位が異なっている点である。
転送トランジスタ103を非導通とする際には、転送トランジスタ103のゲートの下に存在する電子の一部がFD部104へ転送されず、光電変換部102に戻るという現象が生じる。この転送トランジスタ103を非導通とする際に光電変換部102へ戻る電子を、戻り電子と呼ぶことにする。光電変換部102をリセットした後に転送トランジスタ103を非導通とする時刻T203における戻り電子の数をN_resとし、信号電荷を転送した後に転送トランジスタ103を非導通とする時刻T207における戻り電子の数をN_trとする。時刻T203において、転送トランジスタ103を非導通とした後には、光電変換部102にN_resの戻り電子が存在する。時刻T206において、転送トランジスタ103を導通することで光電変換部102に存在するN_resの電子がFD部104に転送される。その後、時刻T207において、転送トランジスタ103を非導通とする際に、N_res個の電子の内、N_tr個が光電変換部102に戻る。そのため、戻り電子が発生している場合、信号電荷がない場合にも、次式(5)の電子Nが偽信号として読み出されることになる。なお、図2に示したFD部104の電位には戻り電子の影響は考慮されていないが、戻り電子によるFD部104の電位の変化は、Δ1やΔ2に比べて十分小さい。
N=N_res−N_tr ・・・(5)
FD部104の電位が低いほど、転送トランジスタ103のゲート下の電子は光電変換部102へ戻りやすい。すなわち、戻り電子の数が多くなるという性質がある。図2によると、ハードリセットの場合、時刻T203において転送トランジスタ103を非導通とする直前のFD部104の電位はVdであり、時刻T207において転送トランジスタ103をオフする直前のFD部104の電位はVd−Δ2+Δ1(>Vd)である。したがって、N_res>N_trとなり、式(5)においてN>0となる。一方、ソフトリセットの場合、時刻T203において、転送トランジスタ103を非導通とする直前のFD部104の電位はVh−Vth_res+Δ1である。時刻T207において、転送トランジスタ103を非導通とする直前のFD部104の電位はVh−Vth_res−Δ2+Δ1(<Vh−Vth_res+Δ1)である。したがって、N_res<N_trとなり、式(5)においてN<0となる。
さらに、転送トランジスタ103を非導通とする際の駆動信号φ108の立ち下がりが急峻であるほど戻り電子数は多くなり、駆動信号φ108の立ち下がりが緩やかであるほど戻り電子数は少なくなるという性質がある。図1のように、駆動信号φ108を供給する垂直走査回路117が画素101の領域の左側にある場合、垂直走査回路117に近い画面左寄りの画素101に供給される駆動信号φ108の立ち下がりは急峻である。しかし、垂直走査回路117から遠い画面右寄りの画素101に供給される駆動信号φ108の立ち下がりは、駆動線108の抵抗及び寄生容量によって鈍り、緩やかになる。このことにより、式(5)のNの絶対値|N|は、画面左ほど大きく、画面右ほど小さい。ハードリセットの場合、N>0であり、かつ、|N|は画面左ほど大きいことから、画面左ほど出力が大きい水平方向のシェーディングが発生する。ソフトリセットの場合、N<0であり、かつ、|N|は画面左ほど大きいことから、画面左ほど出力が小さい水平方向のシェーディングが発生する。
これらの水平シェーディングは、式(5)においてN=0とならないことから生じる。光電変換部102に強い光が入射し、式(5)のNが無視できるほど多数の信号電荷が発生する場合には目立たない。しかしながら、Nが無視できない程度の信号電荷しか発生しない低照度の環境下において、図1の列アンプ113で高いゲインをかけて撮像する場合に、大きく画質を劣化させる要因となる。
以上のように、「水平シェーディング」の発生原因を簡潔にまとめると以下の2点となる。
(1)転送終了時と、リセット終了時に、それぞれ転送トランジスタ103を非導通とする際のFD部104の電位が異なることが偽信号の原因となる。
(2)転送トランジスタ103を非導通とする際の駆動信号φ108のパルスの立ち下がりの傾きが偽信号量に影響しており、その傾きが水平方向で異なるため偽信号量が水平方向で異なってしまう。
図3は、本発明の第1の実施形態の固体撮像装置の駆動方法を示す駆動タイミングチャートである。図2に示した駆動方法と異なるのは、時刻T302〜T305の期間に駆動信号φ109をローレベルとし、蓄積開始前に光電変換部102をリセットする時刻T303〜T304の期間にリセットトランジスタ106を非導通としている点である。
時刻T301において、駆動信号φ108とφ110がローレベルの電圧にあり、駆動信号φ109がハイレベルの電圧にある。転送トランジスタ103と選択トランジスタ107が非導通状態になっている状態で、リセットトランジスタ106を導通状態にすることにより、FD部104をリセットする。FD部104の電位は、ハードリセットの時はVdであり、ソフトリセットの時はVh−Vth_resである。
その後、時刻T302において、駆動信号φ109をローレベルとし、リセットトランジスタ106を非導通とする。これにより、FD部104の電位はΔ2だけ振り下げられ、ハードリセットの時はVd−Δ2となり、ソフトリセットの時はVh−Vth_res−Δ2となる。
その後、時刻T303において、駆動信号φ108をハイレベルとし、リセットトランジスタ106の非導通状態で、転送トランジスタ103を導通状態にすることにより、光電変換部102のリセットを開始する。FD部104の電位は、ハードリセットの場合Vd−Δ2+Δ1、ソフトリセットの場合Vh−Vth_res−Δ2+Δ1に振り上げられる。リセットトランジスタ106が非導通となっているため、FD部104の電位はこのまま保持される。なお、図3では水平シェーディングが顕著となる、光がわずかにしか入射しない場合のFD部104の電位を図示している。時刻T303の時点で光電変換部102に電子はほとんど蓄積されておらず、電子が光電変換部102からFD部104に転送されることによるFD部104の電位の変化は無視している。
その後、時刻T304において、駆動信号φ108をローレベルとし、光電変換部102のリセットを終了する。FD部104の電位は、ハードリセットの場合Vd−Δ2、ソフトリセットの場合Vh−Vth_res−Δ2に振り下げられる。
その後、時刻T305において、駆動信号φ109をハイレベルとすることで、転送トランジスタ103の非導通状態で、リセットトランジスタ106を導通状態にすることにより、FD部104をリセットする。FD部104の電位は、ハードリセットの場合Vd、ソフトリセットの場合Vh−Vth_resとなる。
時刻T306〜T311の駆動信号の電位は、図2の時刻T204〜T209の駆動信号の電位と全く同じである。時刻T308において、リセットトランジスタ106の非導通状態で、転送トランジスタ103を導通状態にすることにより、光電変換部102の電荷をFD部104に転送する。
蓄積開始前に光電変換部102をリセットした後に転送トランジスタ103を非導通とする際の時刻T304でのFD部104の電位と、信号電荷を転送した後に転送トランジスタ103を非導通とする際の時刻T309でのFD部104の電位を同程度にできる。FD部104の電位は、ハードリセットの場合Vd−Δ2+Δ1、ソフトリセットの場合Vh−Vth_res−Δ2+Δ1となる。このことにより、リセットの際の戻り電子と信号電荷の転送の際の戻り電子の影響が打ち消し合い、式(5)においてN=0とすることができるため、水平シェーディングを低減することができる。
なお、図3においてはリセットを1回しか行っていないが、複数回行ってもよい。また、本実施形態で「リセット」と述べた動作は、全行を同時刻にリセット終了させる、所謂「グローバルリセット」、及びリセットから読み出しまでの時間を全行で同時間にするために行毎のリセット終了を時間的にずらす「ローリングリセット」のいずれでもよい。また、本実施形態の「リセット」動作は、必要であればこれらの混合など、さまざまな動作を指している。あくまでもリセット終了時のFD部104の電位の状態が重要であり、各行でどのようにリセットを終了させるかの時間の前後関係に本実施形態の効果は依存しない。
(第2の実施形態)
図4は、本発明の第2の実施形態の固体撮像装置の駆動方法を示す駆動タイミングチャートである。時刻T401〜T404の駆動信号の電位は、図2の時刻T201〜T204の駆動信号の電位と全く同じである。また、時刻T404〜T413の駆動信号の電位は、図3の時刻T302〜T311の駆動信号の電位と全く同じである。
本実施形態は、蓄積開始前に光電変換部102のリセットを2回以上行い、蓄積開始前最後のリセットをリセットトランジスタ106が非導通となった状態で行い、それ以外の少なくとも1回のリセットをリセットトランジスタ106が導通した状態で行う。図4においては、蓄積開始前に2回のリセットを行い、1回目のリセットをリセットトランジスタ106が導通した状態で行い、2回目のリセットをリセットトランジスタ106が非導通の状態で行っている。時刻T403(T301)の前に、時刻T402〜T403において、駆動信号φ108及びφ109をハイレベルにする。これにより、リセットトランジスタ106の導通状態で、転送トランジスタ103を導通状態にすることにより、光電変換部102をリセットする。
時刻T402の1回目のリセットをリセットトランジスタ106が導通した状態で行う。これにより、光電変換部102に強い光が照射されている場合にも、1回目のリセットの時点でほとんどすべての余剰電荷をリセットトランジスタ106のドレインに排出することができる。そのため、最終リセットの終了時のFD部104の電位の変化は、第1の実施形態と同様に無視できる。
また、式(5)で示した偽信号として読み出される電子の数は、N=N_res_2−N_trである。ここで、N_res_2は蓄積開始直前の2回目のリセット後に転送トランジスタ103を非導通とする際の時刻T406における戻り電子数であり、N_trは信号電荷転送後に転送トランジスタ103を非導通とする際の時刻T411での戻り電子数である。
図4の駆動によると、時刻T406におけるFD部104の電位と時刻T411におけるFD部104の電位は、ハードリセットの場合もソフトリセットの場合も同程度であるから、N=0とすることができる。図4の駆動方法によると、強い光が照射された場合の残像及びノイズの問題と、光がほとんど照射されていない場合の水平シェーディングの問題を同時に解決することができる。
(第3の実施形態)
図5は、本発明の第3の実施形態の固体撮像装置の駆動方法を示す駆動タイミングチャートである。第3の実施形態では、信号電荷の蓄積開始前にリセットトランジスタ106が導通した状態で転送トランジスタ103を導通させ、光電変換部102のリセットを開始する。そして、リセットトランジスタ106を非導通とした後に転送トランジスタ103を非導通としてリセットを終了する。
時刻T501において、駆動信号φ109をハイレベルの電位とし、転送トランジスタ103の非導通状態で、リセットトランジスタ106を導通状態にすることにより、FD部104をリセットする。FD部104の電位は、ハードリセットの場合Vd、ソフトリセットの場合Vh−Vth_resとなる。
その後、時刻T502において、駆動信号φ108をハイレベルとし、リセットトランジスタ106の導通状態で、転送トランジスタ103を導通状態にすることにより、光電変換部102のリセットを開始する。ハードリセットの場合、FD部104の電位はVd+Δ1まで振り上がった後、リセットトランジスタ106が導通しているため、Vdに戻る。ソフトリセットの場合、FD部104の電位はVh−Vth_res+Δ1に振り上がった後、リセットトランジスタ106がオフするため、FD部104の電位はそのまま保持される。図5においては、光電変換部102に光がわずかにしか入射しておらず、転送トランジスタ103を導通させた際にFD部104へ転送される電子のFD部104の電位への影響は無視できる程度の場合を想定している。
その後、時刻T503において、駆動信号φ109をローレベルとし、リセットトランジスタ106の非導通状態で転送トランジスタ103を導通状態にする。FD部104の電位は、ハードリセットの場合Vd−Δ2、ソフトリセットの場合Vh−Vth_res+Δ1−Δ2まで振り下がり、そのまま保持される。
その後、時刻T504において、駆動信号φ108をローレベルとし、転送トランジスタ103を非導通とし、光電変換部102のリセットを終了する。FD部104の電位は、ハードリセットの場合Vd−Δ2−Δ1、ソフトリセットの場合Vh−Vth_res−Δ2まで振り下げられる。
その後、時刻T505において、駆動信号φ110をハイレベルとし、読み出す行の選択トランジスタ107を導通させる。
その後、時刻T506において、駆動信号φ108をハイレベルとし、リセットトランジスタ106の非導通状態で、転送トランジスタ103を導通状態にすることにより、光電変換部102の電荷をFD部104に転送する。FD部104の電位は、ハードリセットの場合Vd−Δ2、ソフトリセットの場合Vh−Vth_res−Δ2+Δ1に振り上げられる。ここで、光電変換部102に蓄積された電荷の転送によるFD部104の電位の変化は無視している。
その後、時刻T507において、駆動信号φ108をローレベルとし、転送トランジスタ103を非導通とし、信号電荷の転送を終了する。FD部104の電位は、ハードリセットの場合Vd−Δ2−Δ1、ソフトリセットの場合Vh−Vth_res−Δ2となる。
その後、時刻T508において、駆動信号φ110をローレベルとし、選択トランジスタ107を非導通とし、行選択を解除する。
時刻T505とT506の間でノイズの読み出しを行い、時刻T507とT508の間で信号+ノイズの読み出しを行う。アンプ116が両者の引き算を行うことによりノイズを除去し、信号のみを読み出すことが可能である。
蓄積開始前に光電変換部102をリセットした後に転送トランジスタ103を非導通とする際の時刻T504でのFD部104の電位と、信号電荷を転送した後に転送トランジスタ103を非導通とする際の時刻T507でのFD部104の電位は同程度である。FD部104の電位は、ハードリセットの場合Vd−Δ2、ソフトリセットの場合Vh−Vth_res−Δ2+Δ1である。このことにより、式(5)においてN=0となり、水平シェーディングは低減できる。
また、時刻T502の時点で光電変換部102に多くの電荷が蓄積されている場合にも、時刻T502〜T503のリセットトランジスタ106と転送トランジスタ103がともに導通している期間に光電変換部102を完全にリセットすることができる。そのため、蓄積開始前に光電変換部102に残留電荷が残ることによる残像やノイズの課題も軽減できる。
なお、図5においては、蓄積開始前に光電変換部102のリセットを1度しか行っていないが、複数回行ってもよい。また、蓄積開始前最後の光電変換部102のリセットは図5に示した方法で行えばよく、それ以前にリセットトランジスタ106が導通した状態で転送トランジスタ103を導通状態と非導通状態間を遷移するリセットを行ってもよい。また、リセットトランジスタ106を非導通とした状態で転送トランジスタ103を導通と非導通状態を遷移するリセットを行ってもよい。
第1〜第3の実施形態によれば、光電変換部をリセットした後に転送トランジスタを非導通状態にした時のFD部の電位と、光電変換部の電荷をFD部に転送した後に転送トランジスタを非導通状態にした時のFD部の電位を同程度とすることができる。これにより、戻り電子の影響を相殺させることができ、画質を悪化させる原因である水平シェーディング(暗時出力不均一性)を低減することができる。
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
例えば実施形態においては信号電荷を電子として説明したがホールを用いてもよい。この場合には各半導体領域の導電型が反対導電型になり、制御線に供給される電圧の大小関係が逆転する。
101 画素、102 光電変換部、103 転送トランジスタ、104 フローティングディフュージョン部、105 増幅トランジスタ、106 リセットトランジスタ、107 選択トランジスタ

Claims (13)

  1. 2次元に配列され、光電変換により信号を生成する複数の画素を有する固体撮像装置の駆動方法であって、
    前記複数の画素の各々は、
    光電変換により電荷を生成する光電変換部と、
    フローティングディフュージョン部と、
    前記光電変換により生成された電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する転送トランジスタと、
    前記フローティングディフュージョン部に転送された電荷に基づく信号を増幅する増幅トランジスタと、
    前記増幅トランジスタにより増幅された信号の読み出しを制御する選択トランジスタと、
    前記フローティングディフュージョン部の電圧をリセットするリセットトランジスタとを有し、
    前記選択トランジスタを非導通状態に、前記転送トランジスタを導通状態にした後、前記リセットトランジスタ及び前記選択トランジスタが非導通状態のときに、前記転送トランジスタを非導通状態とすることにより、前記光電変換部の電荷をリセットする第1のステップと、
    前記第1のステップの後であって前記転送トランジスタ及び前記選択トランジスタを導通状態にした後、前記リセットトランジスタが非導通状態のときに、前記転送トランジスタを非導通状態とすることにより、前記光電変換部の電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する第2のステップと、を有し、
    前記第2のステップで転送された電荷に基づく信号を前記増幅トランジスタで増幅した信号を、前記選択トランジスタを介して出力することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
  2. 2次元に配列され、光電変換により信号を生成する複数の画素を有する固体撮像装置の駆動方法であって、
    前記複数の画素の各々は、
    光電変換により電荷を生成する光電変換部と、
    フローティングディフュージョン部と、
    前記光電変換により生成された電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する転送トランジスタと、
    前記フローティングディフュージョン部に転送された電荷に基づく信号を増幅する増幅トランジスタと、
    前記フローティングディフュージョン部の電圧をリセットするリセットトランジスタとを有し、
    記リセットトランジスタが導通状態のときに前記転送トランジスタを導通状態にすることにより、前記光電変換部の電荷をリセットするステップと、
    前記転送トランジスタを導通状態にした後、前記リセットトランジスタが非導通状態のときに、前記転送トランジスタを非導通状態とすることにより、前記光電変換部の電荷をリセットする第1のステップと、
    前記第1のステップの後であって前記転送トランジスタを導通状態にした後、前記リセットトランジスタが非導通状態のときに、前記転送トランジスタを非導通状態とすることにより、前記光電変換部の電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する第2のステップと、を有し、
    前記第2のステップで転送された電荷に基づく信号を前記増幅トランジスタで増幅し出力することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
  3. 2次元に配列され、光電変換により信号を生成する複数の画素を有する固体撮像装置の駆動方法であって、
    前記複数の画素の各々は、
    光電変換により電荷を生成する光電変換部と、
    フローティングディフュージョン部と、
    前記光電変換により生成された電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する転送トランジスタと、
    前記フローティングディフュージョン部に転送された電荷に基づく信号を増幅する増幅トランジスタと、
    前記増幅トランジスタにより増幅された信号の読み出しを制御する選択トランジスタと、
    前記フローティングディフュージョン部の電圧をリセットするリセットトランジスタとを有し、
    前記選択トランジスタを非導通状態に、前記転送トランジスタを導通状態にした後、前記リセットトランジスタ及び前記選択トランジスタが非導通状態のときに、前記転送トランジスタを非導通状態とする第1のステップと、
    前記第1のステップの後であって前記転送トランジスタ及び前記選択トランジスタを導通状態にした後、前記リセットトランジスタが非導通状態のときに、前記転送トランジスタを非導通状態とする第2のステップと、を有し、
    前記第2のステップの後に、前記増幅トランジスタから出力された信号をサンプリングすることを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
  4. 2次元に配列され、光電変換により信号を生成する複数の画素を有する固体撮像装置の駆動方法であって、
    前記複数の画素の各々は、
    光電変換により電荷を生成する光電変換部と、
    フローティングディフュージョン部と、
    前記光電変換により生成された電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する転送トランジスタと、
    前記フローティングディフュージョン部に転送された電荷に基づく信号を増幅する増幅トランジスタと、
    前記フローティングディフュージョン部の電圧をリセットするリセットトランジスタとを有し、
    前記リセットトランジスタが導通状態のときに前記転送トランジスタを導通状態にすることにより、前記光電変換部の電荷をリセットするステップと、
    前記転送トランジスタを導通状態にした後、前記リセットトランジスタが非導通状態のときに、前記転送トランジスタを非導通状態とする第1のステップと、
    前記第1のステップの後であって前記転送トランジスタを導通状態にした後、前記リセットトランジスタが非導通状態のときに、前記転送トランジスタを非導通状態とする第2のステップと、を有し、
    前記第2のステップの後に、前記増幅トランジスタから出力された信号をサンプリングすることを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
  5. さらに、前記第1のステップの後かつ前記第2のステップの前に、前記転送トランジスタが非導通状態のときに前記リセットトランジスタを導通状態にすることにより、前記フローティングディフュージョン部の電荷をリセットするステップを有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体撮像装置の駆動方法。
  6. 前記第1のステップにおいて、前記リセットトランジスタが非導通状態のときに、前記転送トランジスタを導通状態にすることを特徴とする請求項1〜のいずれか1項に記載の固体撮像装置の駆動方法。
  7. 前記第1のステップにおける、前記転送トランジスタを非導通状態とする動作により、蓄積時間を開始し、
    前記第2のステップにおける、前記転送トランジスタを導通状態とする動作により、前記蓄積時間を終了することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の固体撮像装置の駆動方法。
  8. 前記第1のステップにおいて、前記リセットトランジスタが導通状態のときに、前記転送トランジスタを導通状態にすることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体撮像装置の駆動方法。
  9. 前記第1のステップの後かつ前記第2のステップの前に、前記フローティングディフュージョン部の電荷をリセットした際のノイズに基づく信号を前記増幅トランジスタで増幅して出力することを特徴とする請求項1〜のいずれか1項に記載の固体撮像装置の駆動方法。
  10. 前記第2のステップにおいて、前記リセットトランジスタが非導通状態のときに、前記転送トランジスタを導通状態にすることを特徴とする請求項1〜のいずれか1項に記載の固体撮像装置の駆動方法。
  11. 前記第1のステップにおける、前記転送トランジスタを非導通状態とする動作により、蓄積時間を開始し、
    前記第2のステップにおける、前記転送トランジスタを導通状態とする動作により、前記蓄積時間を終了することを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の固体撮像装置の駆動方法。
  12. 前記第1のステップの前に前記転送トランジスタを導通状態とする前記転送トランジスタの駆動電位と、前記第2のステップの前に前記転送トランジスタを導通状態とする前記転送トランジスタの駆動電位は等しいことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の固体撮像装置の駆動方法。
  13. 前記第1のステップにおいて前記転送トランジスタが非導通状態となるまで前記転送トランジスタが導通状態だった間に前記フローティングディフュージョン部に転送された電荷に基づく信号は、読み出されないことを特徴とする請求項1〜8及び10〜12のいずれか1項に記載の固体撮像装置の駆動方法。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5755111B2 (ja) * 2011-11-14 2015-07-29 キヤノン株式会社 撮像装置の駆動方法
JP5967944B2 (ja) 2012-01-18 2016-08-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP6023437B2 (ja) 2012-02-29 2016-11-09 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP6384795B2 (ja) * 2013-02-21 2018-09-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置
JP6174901B2 (ja) 2013-05-10 2017-08-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP6355311B2 (ja) 2013-10-07 2018-07-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その製造方法及び撮像システム
JP6109125B2 (ja) 2014-08-20 2017-04-05 キヤノン株式会社 半導体装置、固体撮像装置、および撮像システム
JP6508929B2 (ja) 2014-12-10 2019-05-08 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
US9900539B2 (en) 2015-09-10 2018-02-20 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup element, and image pickup system
JP6541523B2 (ja) 2015-09-11 2019-07-10 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、および、撮像装置の制御方法
JP6674219B2 (ja) 2015-10-01 2020-04-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP6738200B2 (ja) 2016-05-26 2020-08-12 キヤノン株式会社 撮像装置
US10319765B2 (en) 2016-07-01 2019-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device having an effective pixel region, an optical black region and a dummy region each with pixels including a photoelectric converter
JP6969224B2 (ja) * 2017-08-24 2021-11-24 株式会社リコー 固体撮像素子及び撮像装置
JP7154795B2 (ja) 2018-03-29 2022-10-18 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、および移動体
US11107847B2 (en) * 2019-04-19 2021-08-31 BAE Systems Imaging Solutions Inc. Pixel and imaging array with reduced dark current adapted to low light imaging
CN112291492B (zh) * 2019-07-25 2024-03-29 比亚迪半导体股份有限公司 去除图像传感器噪声的方法和装置、存储介质

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3833027B2 (ja) * 1998-11-02 2006-10-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び画像入力装置
US7324144B1 (en) * 1999-10-05 2008-01-29 Canon Kabushiki Kaisha Solid image pickup device, image pickup system and method of driving solid image pickup device
JP3667220B2 (ja) * 1999-10-05 2005-07-06 キヤノン株式会社 固体撮像装置、撮像システム及び固体撮像装置の駆動方法
US6307195B1 (en) * 1999-10-26 2001-10-23 Eastman Kodak Company Variable collection of blooming charge to extend dynamic range
US6965408B2 (en) * 2000-02-28 2005-11-15 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device having a photoelectric conversion unit and a punch-through current suppression circuit
JP3667186B2 (ja) * 2000-02-29 2005-07-06 キヤノン株式会社 信号転送装置及びそれを用いた固体撮像装置
JP4581792B2 (ja) * 2004-07-05 2010-11-17 コニカミノルタホールディングス株式会社 固体撮像装置及びこれを備えたカメラ
JP2006197392A (ja) 2005-01-14 2006-07-27 Canon Inc 固体撮像装置、カメラ、及び固体撮像装置の駆動方法
JP4459064B2 (ja) 2005-01-14 2010-04-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ
JP4416668B2 (ja) 2005-01-14 2010-02-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ
JP4677258B2 (ja) * 2005-03-18 2011-04-27 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP4794877B2 (ja) 2005-03-18 2011-10-19 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP4459099B2 (ja) 2005-03-18 2010-04-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP4194633B2 (ja) 2006-08-08 2008-12-10 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP4973115B2 (ja) * 2006-10-16 2012-07-11 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
JP4058459B1 (ja) 2007-03-02 2008-03-12 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP2008252195A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Yamaha Corp Cmos固体撮像装置
JP4644825B2 (ja) * 2007-03-30 2011-03-09 国立大学法人静岡大学 固体撮像装置及びその駆動方法
JP2008258885A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Texas Instr Japan Ltd 撮像装置および撮像装置の駆動方法
JP5167677B2 (ja) * 2007-04-12 2013-03-21 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置
JP4110193B1 (ja) 2007-05-02 2008-07-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
JP4991436B2 (ja) 2007-08-02 2012-08-01 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP2009141631A (ja) 2007-12-05 2009-06-25 Canon Inc 光電変換装置及び撮像装置
JP5014114B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-29 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP4685120B2 (ja) 2008-02-13 2011-05-18 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP5130946B2 (ja) * 2008-02-15 2013-01-30 ソニー株式会社 固体撮像装置、カメラ及び電子機器
JP5156434B2 (ja) 2008-02-29 2013-03-06 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
JP5089514B2 (ja) 2008-07-11 2012-12-05 キヤノン株式会社 撮像装置、及び撮像システム
JP4617372B2 (ja) 2008-08-29 2011-01-26 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
US8913166B2 (en) 2009-01-21 2014-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus
JP2011004390A (ja) 2009-05-18 2011-01-06 Canon Inc 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置の駆動方法
JP5538876B2 (ja) 2009-12-25 2014-07-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置

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