JP7154795B2 - 撮像装置、撮像システム、および移動体 - Google Patents
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Description
光電変換部と、
前記光電変換部からの光電変換信号を蓄積する蓄積部と、
前記蓄積部の光電変換信号を出力する第1の増幅トランジスタと、
前記第1の増幅トランジスタの出力信号を保持容量の第1の端子に書き込むトランジスタと、
前記第1の端子がゲートに接続され、前記第1の端子の電圧に応じた電圧を出力する第2の増幅トランジスタと、
前記保持容量の第2の端子の電圧を切り替える制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
前記蓄積部をリセットした電位に対応した信号を第1読み出す第1期間と前記光電変換信号を読み出す第2期間において、前記第2の端子の電圧を第1の電圧とし、
前記第1の増幅トランジスタの出力信号を前記保持容量の第1の端子に書き込む期間および前記第2の増幅トランジスタが電圧を出力する期間を含む、前記第1期間および前記第2期間以外の期間において、前記第2の端子の電圧を第2の電圧とする、
を備えることを特徴とする。
(撮像装置の全体的構成)
図1は、本実施形態に係る撮像装置100のブロック図である。撮像装置100は、画素領域121と、垂直走査回路122と、2つの読み出し回路123と、2つの水平走査回路124と、2つの出力アンプ125を備えている。画素領域121以外の領域は周辺回路領域である。画素領域121には、複数の画素が2次元状に配列されている。周辺回路領域には、読み出し回路123、例えば、列アンプ、相関二重サンプリング(CDS)回路、加算回路等が設けられ、垂直走査回路122によって選択された行の画素から垂直信号線を介して読み出された信号に対して増幅、加算等を行う。水平走査回路124は、読み出し回路123から画素信号に基づく信号を順番に読み出すための信号を生成する。出力アンプ125は、水平走査回路124によって選択された列の信号を増幅して出力する。以下では、信号電荷として電子を用いる構成を例示するが、信号電荷として正孔を用いることも可能である。
図2は、図1に示した読み出し回路123の構成例を示す。図1と同じ符号は同じ部材である。図2において、読み出し回路123は、画素電極に対応した出力線491と、定電流回路113と、出力線491に対応した増幅回路211と、信号蓄積部116と、水平転送回路118を有する。また図2には、水平走査回路124と、出力アンプ125も記載されている。出力線491には、後述する画素回路に配置された第2の増幅トランジスタの負荷手段としての定電流回路113と、増幅回路211が接続され、増幅回路211の出力ノードには、信号蓄積部116が接続されている。
図3は、各画素に対応して設けられた画素回路の等価回路図である。以下の説明では、
画素回路の各トランジスタとしてNMOSを使用した構成を説明するが、PMOSを使用してもよい。
図4を用いて、図3の画素回路の駆動について説明する。図4において、PSELは選択トランジスタ480のゲートに入力される波形、PBIASはトランジスタ440のゲートに入力される波形、PRESはリセットトランジスタ410のゲートに入力される波形である。また、PSHはトランジスタ450のゲートに入力される波形、PVCは保持容量Cの端子に入力される波形である。
第2ノードMEMの電位が0.9Vに上昇し、出力線POUTには0.8Vが出力される。このタイミングで読み出し回路123が出力線POUTの電位(S信号)を取り込む。
ΔVmem = ΔVc×C/(C+Cx)
と表すことができる。この関係より、PVCの電圧変化量ΔVcを決定することで、第2ノードMEMにおける電圧変化量を最適な値に設定することが可能ある。
図5を用いて、PVCの電位を変化させず、一定で動作させた場合の比較例を示す。
オンにする。これにより、第1ノードFD420に対応した電位であるノイズレベルの電位2.2Vが、第2ノードMEM460に転送される。
図6は、本実施形態における画素回路の等価回路図である。実施形態1では、従来例と比較してダイナミックレンジの拡大を達成しているが、本実施形態では、トランジスタ数の削減を行う。
明を省略する。
の電位は2.1Vから0.3Vに下降する。このとき、第2の増幅トランジスタ470は非駆動状態となっており、画素回路は非選択状態である。これにより、電荷蓄積が再開される。電荷蓄積の間は、容量Cにノイズレベルの電位が保持されている。
図8は、本実施形態における画素回路の等価回路図である。本実施形態では、電圧切り替え回路502の電圧を3レベルとすることで、実施形態1のダイナミックレンジ拡大と、実施形態2のトランジスタ数削減の両方を達成する。
図10は、本実施形態における画素回路の等価回路図である。実施形態3の図8と比較してリセットトランジスタ410が配置されない構成となっている。蓄積動作を行うときは、光電変換素子510に印加する電圧VPDの電圧を逆バイアス状態として印加する。一方、リセットする場合は、電圧VPDを切り替えて順バイアス状態とすることで、光電変換素子510から電流を流し、第1ノードFD420を所望の電圧にリセットすることができる。
図11は本実施形態における画素回路の等価回路図である。実施形態3の図8に対して光電変換部510として光電変換膜を配置した構成である。光電変換膜は画素回路が形成された半導体基板上に積層されている。
本発明の実施形態6による撮像システムについて、図13を用いて説明する。図13は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
な撮像レンズでもよい。
本発明の実施形態7による撮像システム及び移動体について、図14A及び図14Bを用いて説明する。図14A及び図14Bは、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
複数の画像データから視差(視差画像の位相差)の算出を行う処理装置である。距離取得部4160は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する処理装置である。衝突判定部4180は、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する処理装置である。ここで、視差取得部4140や距離取得部4160は、対象物までの距離情報等の情報を取得する情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部4180はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。上述の処理装置は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールに基づいて演算を行う汎用のハードウェアによって実現されてもよい。また、処理装置はFPGA(Field Programmable Gate Array)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)等によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
撮像装置は、画素が設けられた第1半導体チップと、読み出し回路(増幅器)が設けられた第2半導体チップとを積層した構造(チップ積層構造)を有していてもよい。第2半導体チップにおける読み出し回路(増幅器)は、それぞれ、第1半導体チップの画素列に対応した列回路とすることができる。また、第2半導体チップにおける読み出し回路(増幅器)は、それぞれ、第1半導体チップの画素あるいは画素ブロックに対応したマトリックス回路とすることもできる。第1半導体チップと第2半導体チップとの接続は貫通電極(TSV)、銅(Cu)等の金属の直接接合によるチップ間配線、チップ間のマイクロバンプによる接続などを採用することができる。
過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。また、これまで述べた各実施例を種々組み合わせて実施することができる。
420 第1ノードFD(フローティングディフュージョン)
430 第1の増幅トランジスタ
450 トランジスタ
460 第2ノードMEM
470 第2の増幅トランジスタ
500 電圧切り替え回路
510 光電変換素子
Claims (11)
- 光電変換部と、
前記光電変換部からの光電変換信号を蓄積する蓄積部と、
前記蓄積部の光電変換信号を出力する第1の増幅トランジスタと、
前記第1の増幅トランジスタの出力信号を保持容量の第1の端子に書き込むトランジスタと、
前記第1の端子がゲートに接続され、前記第1の端子の電圧に応じた電圧を出力する第2の増幅トランジスタと、
前記保持容量の第2の端子の電圧を切り替える制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
前記蓄積部をリセットした電位に対応した信号を第1読み出す第1期間と前記光電変換信号を読み出す第2期間において、前記第2の端子の電圧を第1の電圧とし、
前記第1の増幅トランジスタの出力信号を前記保持容量の第1の端子に書き込む期間および前記第2の増幅トランジスタが電圧を出力する期間を含む、前記第1期間および前記第2期間以外の期間において、前記第2の端子の電圧を第2の電圧とする、
ことを特徴とする、撮像装置。 - それぞれ前記光電変換部、前記蓄積部、前記第1の増幅トランジスタ、前記トランジスタ、および前記第2の増幅トランジスタを含む複数の画素が、2次元状に配置されている、
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記制御手段は、選択画素については前記第2の端子の電圧を第2の電圧とすることによって前記第2の増幅トランジスタを駆動状態とし、非選択画素について前記第2の端子の電圧を第3の電圧とすることによって、前記第2の増幅トランジスタは非駆動状態とする、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。 - 前記第1の増幅トランジスタと前記第2の増幅トランジスタはNMOSソースフォロア回路であり、
前記第1の電圧は前記第2の電圧より大きい、
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第1の増幅トランジスタと前記第2の増幅トランジスタはNMOSソースフォロア回路であり、
前記第3の電圧は前記第2の電圧より小さい、
ことを特徴とする請求項3に記載の撮像装置。 - 前記第1の増幅トランジスタと前記第2の増幅トランジスタはPMOSソースフォロア回路であり、
前記第1の電圧は前記第2の電圧より小さい、
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第1の増幅トランジスタと前記第2の増幅トランジスタはPMOSソースフォロア回路であり、
前記第3の電圧は前記第2の電圧より大きい、
ことを特徴とする請求項3に記載の撮像装置。 - 前記保持容量の第2の端子は、行毎に共通に接続され、
前記制御手段は、行毎に前記保持容量の第2の端子の電圧を切り替える、
ことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記光電変換部は、画素電極、光電変換膜、上部電極を備える、
ことを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 請求項1から9のいずれか1項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置から出力される信号を処理する信号処理部と、
を有することを特徴とする撮像システム。 - 移動体であって、
請求項1から9のいずれか1項に記載の撮像装置と、
移動装置と、
前記撮像装置から出力される信号から情報を取得する処理装置と、
前記情報に基づいて前記移動装置を制御する制御装置と、
を有することを特徴とする移動体。
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