JP6094511B2 - 撮像素子および撮像装置 - Google Patents
撮像素子および撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6094511B2 JP6094511B2 JP2014034369A JP2014034369A JP6094511B2 JP 6094511 B2 JP6094511 B2 JP 6094511B2 JP 2014034369 A JP2014034369 A JP 2014034369A JP 2014034369 A JP2014034369 A JP 2014034369A JP 6094511 B2 JP6094511 B2 JP 6094511B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- pixel
- transistor
- unit
- pixel region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 66
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 70
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 58
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 45
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 35
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 35
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 23
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 19
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 15
- 238000013461 design Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
- H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/65—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to reset noise, e.g. KTC noise related to CMOS structures by techniques other than CDS
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/709—Circuitry for control of the power supply
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
1.電源電位の低電位化
2.第1の実施の形態(撮像素子)
3.第2の実施の形態(撮像素子)
4.第3の実施の形態(撮像素子)
5.第4の実施の形態(撮像装置)
<低電位化と画素特性>
近年、製造技術の向上とともに、電子機器や情報処理装置等の小型化・低消費電力化が進んでおり、それに伴い、それらの内部等に設けられる電子回路についても小型化・低消費電力化が進んでいる。同様に、それらに設けられる撮像素子においても低消費電力化の要求が高まっている。
ところで、単位画素において、フォトダイオードからの電荷の読み出しを制御する読み出しトランジスタのオフ時のゲート電位を負電位とするようにし、ノイズの発生を抑制する方法がある。
ところで、特許文献1には、光電変換を行う受光素子を負電源に接続することにより、ノイズを低減し、かつ、低電圧駆動に適するようにすることが開示されている。
<画素領域のウェル電位の負電位化>
そこで、撮像素子が、入射光を光電変換する光電変換部と、その光電変換部に蓄積される電荷の転送を制御するトランジスタとが単位画素としてウェル上に形成される画素領域を備えるようにし、光電変換部は、画素領域のウェル電位に接続され、画素領域のウェル電位は、負電位に設定されるようにする。
このような本技術を適用した撮像素子の構成例を、図7に示す。図7に示される撮像素子100は、被写体からの光を光電変換して画像データとして出力するデバイスである。図7に示されるように、撮像素子100は、画素部101、増幅部102、読出し部(A/D変換部)103、および負電圧生成部104を有する。
<撮像素子>
なお、撮像素子は、は、光電変換部が、画素領域のウェル電位に接続されるフォトダイオードを有し、トランジスタが、フォトダイオードからの読み出しを制御する読み出しトランジスタと、フォトダイオードから読み出された電荷が転送されるフローティングディフュージョンをリセットするリセットトランジスタと、フローティングディフュージョンの電位を増幅する増幅トランジスタと、増幅トランジスタから出力される信号の転送を制御するセレクトトランジスタとを有するようにしてもよい。
<撮像素子>
なお、本技術を適用する撮像素子が、互いに重畳される複数の半導体基板を有し、画素領域と周辺回路領域とが、互いに異なる前記半導体基板に形成されるようにしてもよい。
<撮像装置>
本技術は、撮像素子以外にも適用することができる。例えば、撮像装置のような、撮像素子を有する装置(電子機器等)に本技術を適用するようにしてもよい。図15は、本技術を適用した電子機器の一例としての撮像装置の主な構成例を示すブロック図である。図15に示される撮像装置600は、被写体を撮像し、その被写体の画像を電気信号として出力する装置である。
(1) 入射光を光電変換する光電変換部と、
前記光電変換部に蓄積される電荷の転送を制御するトランジスタと
が単位画素としてウェル上に形成される画素領域を備え、
前記光電変換部は、前記画素領域のウェル電位に接続され、
前記画素領域のウェル電位は、負電位に設定される
撮像素子。
(2) 前記画素領域外に、前記単位画素から前記電荷が信号として伝送される回路が形成される周辺回路領域をさらに備え、
前記画素領域のウェル電位は、前記周辺回路領域のウェル電位よりも低電位に設定される
(1)、(3)乃至(9)のいずれかに記載の撮像素子。
(3) 前記光電変換部および前記トランジスタを含む回路の電源電位は、前記周辺回路領域の前記回路の電源電位と同電位に設定される
(1)、(2)、(4)乃至(9)のいずれかに記載の撮像素子。
(4) 前記回路は、前記単位画素から伝送される前記信号をA/D変換するA/D変換部を有する
(1)乃至(3)、(5)乃至(9)のいずれかに記載の撮像素子。
(5) 互いに重畳される複数の半導体基板を有し、
前記画素領域と前記周辺回路領域とは、互いに異なる前記半導体基板に形成される
(1)乃至(4)、(6)乃至(9)のいずれかに記載の撮像素子。
(6) 前記周辺回路領域に、前記画素領域のウェル電位を生成する負電位生成部をさらに備える
(1)乃至(5)、(7)乃至(9)のいずれかに記載の撮像素子。
(7) 前記光電変換部は、前記画素領域のウェル電位に接続されるフォトダイオードを有し、
前記トランジスタは、
前記フォトダイオードからの読み出しを制御する読み出しトランジスタと、
前記フォトダイオードから読み出された電荷が転送されるフローティングディフュージョンをリセットするリセットトランジスタと、
前記フローティングディフュージョンの電位を増幅する増幅トランジスタと、
前記増幅トランジスタから出力される信号の転送を制御するセレクトトランジスタと
を有する
(1)乃至(6)、(8)、(9)のいずれかに記載の撮像素子。
(8) 前記読み出しトランジスタのオフ時のゲート電位は、前記画素領域のウェル電位よりも低電位に設定される
(1)乃至(7)、(9)のいずれかに記載の撮像素子。
(9) 前記周辺回路領域に、前記読み出しトランジスタのオフ時の前記ゲート電位を生成する負電位生成部をさらに備える
(1)乃至(8)のいずれかに記載の撮像素子。
(10) 入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部に蓄積される電荷の転送を制御するトランジスタとが単位画素としてウェル上に形成される画素領域を備え、前記光電変換部は、前記画素領域のウェル電位に接続され、前記画素領域のウェル電位は、負電位に設定される撮像素子と、
前記撮像素子において光電変換された被写体の画像を画像処理する画像処理部と
を備える撮像装置。
Claims (10)
- 入射光を光電変換する光電変換部と前記光電変換部に蓄積される電荷の転送を制御するトランジスタとが単位画素としてウェル上に形成され、前記光電変換部がウェル電位に接続される画素領域と、
前記トランジスタの制御により前記光電変換部から読み出され信号線を介して伝送される前記電荷に対応する信号を処理する回路が形成され、前記信号線が所定の負荷を介してウェル電位に接続される周辺回路領域と
を備え、
前記画素領域と前記周辺回路領域とが互いに異なる半導体基板に形成され、
前記画素領域のウェル電位が前記周辺回路領域のウェル電位よりも低電位に設定される
撮像素子。 - 前記画素領域のウェル電位は負電位に設定される
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記画素領域の電源電位は、前記周辺回路領域の電源電位と同電位に設定される
請求項1または請求項2に記載の撮像素子。 - 前記周辺回路領域の前記回路は、前記信号線を介して伝送される前記信号をA/D変換するA/D変換部を有する
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の撮像素子。 - 前記画素領域が形成される半導体基板と前記周辺回路領域が形成される半導体基板とが互いに重畳される
請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の撮像素子。 - 前記周辺回路領域の前記回路は、前記画素領域のウェル電位を生成する画素領域ウェル電位生成部を有する
請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の撮像素子。 - 前記光電変換部は、前記画素領域のウェル電位に接続されるフォトダイオードを有し、
前記トランジスタは、
前記フォトダイオードからの読み出しを制御する読み出しトランジスタと、
前記フォトダイオードから読み出された電荷が転送されるフローティングディフュージョンをリセットするリセットトランジスタと、
前記フローティングディフュージョンの電位を増幅する増幅トランジスタと、
前記増幅トランジスタから出力される信号の転送を制御するセレクトトランジスタと
を有する
請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の撮像素子。 - 前記読み出しトランジスタのオフ時のゲート電位は、前記画素領域のウェル電位よりも低電位に設定される
請求項7に記載の撮像素子。 - 前記周辺回路領域の前記回路は、前記読み出しトランジスタのオフ時の前記ゲート電位を生成するゲート電位生成部を有する
請求項8に記載の撮像素子。 - 入射光を光電変換する光電変換部と前記光電変換部に蓄積される電荷の転送を制御するトランジスタとが単位画素としてウェル上に形成され、前記光電変換部がウェル電位に接続される画素領域と、
前記トランジスタの制御により前記光電変換部から読み出され信号線を介して伝送される前記電荷に対応する信号を処理する回路が形成され、前記信号線が所定の負荷を介してウェル電位に接続される周辺回路領域と
を備え、
前記画素領域と前記周辺回路領域とが互いに異なる半導体基板に形成され、
前記画素領域のウェル電位が前記周辺回路領域のウェル電位よりも低電位に設定される
撮像素子と、
前記撮像素子において光電変換された被写体の画像を画像処理する画像処理部と
を備える撮像装置。
Priority Applications (15)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014034369A JP6094511B2 (ja) | 2014-02-25 | 2014-02-25 | 撮像素子および撮像装置 |
TW104104823A TWI656630B (zh) | 2014-02-25 | 2015-02-12 | 成像元件及成像裝置 |
US15/118,956 US10008525B2 (en) | 2014-02-25 | 2015-02-17 | Imaging element and imaging apparatus |
KR1020237005817A KR102551950B1 (ko) | 2014-02-25 | 2015-02-17 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
CN201580007518.0A CN106030803B (zh) | 2014-02-25 | 2015-02-17 | 摄像元件和摄像装置 |
CN201910504605.7A CN110190081B (zh) | 2014-02-25 | 2015-02-17 | 摄像元件和电子装置 |
CN201910504668.2A CN110248122B (zh) | 2014-02-25 | 2015-02-17 | 摄像元件和摄像装置 |
EP15709558.9A EP3111479B1 (en) | 2014-02-25 | 2015-02-17 | Imaging element and imaging apparatus |
KR1020167021504A KR102369400B1 (ko) | 2014-02-25 | 2015-02-17 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
EP22215435.3A EP4181204A1 (en) | 2014-02-25 | 2015-02-17 | Imaging element and imaging apparatus |
EP19174781.5A EP3547370B1 (en) | 2014-02-25 | 2015-02-17 | Imaging element |
KR1020227004827A KR102503871B1 (ko) | 2014-02-25 | 2015-02-17 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
PCT/JP2015/000720 WO2015129197A1 (en) | 2014-02-25 | 2015-02-17 | Imaging element and imaging apparatus |
US15/982,717 US10529756B2 (en) | 2014-02-25 | 2018-05-17 | Imaging element and imaging apparatus |
US16/698,615 US10840283B2 (en) | 2014-02-25 | 2019-11-27 | Imaging element and imaging apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014034369A JP6094511B2 (ja) | 2014-02-25 | 2014-02-25 | 撮像素子および撮像装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015159501A JP2015159501A (ja) | 2015-09-03 |
JP2015159501A5 JP2015159501A5 (ja) | 2016-02-18 |
JP6094511B2 true JP6094511B2 (ja) | 2017-03-15 |
Family
ID=52669640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014034369A Active JP6094511B2 (ja) | 2014-02-25 | 2014-02-25 | 撮像素子および撮像装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10008525B2 (ja) |
EP (3) | EP4181204A1 (ja) |
JP (1) | JP6094511B2 (ja) |
KR (3) | KR102503871B1 (ja) |
CN (3) | CN110248122B (ja) |
TW (1) | TWI656630B (ja) |
WO (1) | WO2015129197A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6094511B2 (ja) * | 2014-02-25 | 2017-03-15 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
US9960783B2 (en) * | 2015-09-18 | 2018-05-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Conditional correlated multiple sampling single slope analog-to-digital converter, and associated image sensor system and method |
KR102114629B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2020-05-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 전자 카메라 |
JP6646824B2 (ja) * | 2016-01-22 | 2020-02-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2018019335A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
WO2019167551A1 (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
US20220141411A1 (en) * | 2019-03-13 | 2022-05-05 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, electronic device, and control method of solid-state imaging device |
KR20210034918A (ko) * | 2019-09-23 | 2021-03-31 | 삼성전자주식회사 | 전하 펌프 회로 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
EP3828846B1 (en) * | 2019-11-26 | 2022-07-13 | Axis AB | Camera device |
US11095843B2 (en) * | 2019-12-02 | 2021-08-17 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging devices and imaging apparatuses, and methods for the same |
WO2021153428A1 (ja) * | 2020-01-29 | 2021-08-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、電子機器及び撮像方法 |
WO2023002566A1 (ja) * | 2021-07-20 | 2023-01-26 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 撮像装置、スコープ、および内視鏡システム |
JP2023142256A (ja) * | 2022-03-24 | 2023-10-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2024176641A1 (ja) * | 2023-02-24 | 2024-08-29 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3618248B2 (ja) * | 1999-03-26 | 2005-02-09 | シャープ株式会社 | 増幅型固体撮像装置用出力回路 |
JP2003023573A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-24 | Asahi Kasei Corp | ビジョンチップ |
JP3951879B2 (ja) * | 2002-10-04 | 2007-08-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
JP4807014B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2011-11-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
JP4848739B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2011-12-28 | ソニー株式会社 | 物理量検出装置および撮像装置 |
US20070129067A1 (en) | 2005-11-04 | 2007-06-07 | Summer Robert D | Ring-tone system and methodology |
KR100871714B1 (ko) | 2005-12-05 | 2008-12-05 | 한국전자통신연구원 | 트랜스퍼 트랜지스터 및 이를 구비한 저잡음 이미지 센서 |
TWI479887B (zh) * | 2007-05-24 | 2015-04-01 | Sony Corp | 背向照明固態成像裝置及照相機 |
JP2009117613A (ja) | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2009253559A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Sharp Corp | 固体撮像装置および電子情報機器 |
JP5568880B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2014-08-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
JP2013090127A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Olympus Corp | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP6018376B2 (ja) * | 2011-12-05 | 2016-11-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
KR20130106978A (ko) * | 2012-03-21 | 2013-10-01 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 단위 픽셀 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
JP5973758B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2016-08-23 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5421475B2 (ja) * | 2012-07-04 | 2014-02-19 | 誠 雫石 | 撮像素子、半導体集積回路及び撮像装置 |
JP6083977B2 (ja) * | 2012-08-23 | 2017-02-22 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP6176990B2 (ja) * | 2013-04-25 | 2017-08-09 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP6094511B2 (ja) * | 2014-02-25 | 2017-03-15 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
-
2014
- 2014-02-25 JP JP2014034369A patent/JP6094511B2/ja active Active
-
2015
- 2015-02-12 TW TW104104823A patent/TWI656630B/zh active
- 2015-02-17 KR KR1020227004827A patent/KR102503871B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-17 EP EP22215435.3A patent/EP4181204A1/en active Pending
- 2015-02-17 CN CN201910504668.2A patent/CN110248122B/zh active Active
- 2015-02-17 US US15/118,956 patent/US10008525B2/en active Active
- 2015-02-17 CN CN201910504605.7A patent/CN110190081B/zh active Active
- 2015-02-17 EP EP19174781.5A patent/EP3547370B1/en active Active
- 2015-02-17 KR KR1020237005817A patent/KR102551950B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-17 EP EP15709558.9A patent/EP3111479B1/en active Active
- 2015-02-17 CN CN201580007518.0A patent/CN106030803B/zh active Active
- 2015-02-17 WO PCT/JP2015/000720 patent/WO2015129197A1/en active Application Filing
- 2015-02-17 KR KR1020167021504A patent/KR102369400B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-05-17 US US15/982,717 patent/US10529756B2/en active Active
-
2019
- 2019-11-27 US US16/698,615 patent/US10840283B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106030803A (zh) | 2016-10-12 |
WO2015129197A1 (en) | 2015-09-03 |
US10840283B2 (en) | 2020-11-17 |
CN110248122B (zh) | 2021-09-17 |
US10008525B2 (en) | 2018-06-26 |
CN106030803B (zh) | 2019-07-12 |
CN110190081A (zh) | 2019-08-30 |
EP3547370A1 (en) | 2019-10-02 |
KR102551950B1 (ko) | 2023-07-06 |
US20170053957A1 (en) | 2017-02-23 |
US20180269243A1 (en) | 2018-09-20 |
EP4181204A1 (en) | 2023-05-17 |
TWI656630B (zh) | 2019-04-11 |
KR102369400B1 (ko) | 2022-03-04 |
CN110248122A (zh) | 2019-09-17 |
CN110190081B (zh) | 2020-12-18 |
EP3547370B1 (en) | 2023-06-28 |
KR102503871B1 (ko) | 2023-02-27 |
KR20230030034A (ko) | 2023-03-03 |
KR20160125954A (ko) | 2016-11-01 |
US20200098805A1 (en) | 2020-03-26 |
KR20220025915A (ko) | 2022-03-03 |
TW201535702A (zh) | 2015-09-16 |
EP3111479B1 (en) | 2019-05-22 |
JP2015159501A (ja) | 2015-09-03 |
EP3111479A1 (en) | 2017-01-04 |
US10529756B2 (en) | 2020-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6094511B2 (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
JP4821921B2 (ja) | 固体撮像装置および電子機器 | |
KR102146231B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 촬상 장치 | |
JP6413401B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
TW201541963A (zh) | 固體攝像裝置 | |
JP6702371B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JP6217338B2 (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
JP6375613B2 (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
JP7247975B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JP2004007781A (ja) | 撮像装置及びそれを用いた撮像システム | |
JP2021100289A (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
JP2017220957A (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
JP2008211006A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151222 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160902 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170130 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6094511 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |