JP2013225632A5 - - Google Patents

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Claims (11)

  1. 第1基板と第2基板とを結合して構成された固体撮像装置であって、
    前記第1基板は、光電変換部と、前記光電変換部において生じた電荷を保持する保持部と、前記光電変換部において生じた電荷を前記保持部に転送する転送部と、前記保持部に接続された第1電極と、を備え、
    前記第2基板は、第2電極と、前記第2電極に接続され、前記保持部の信号を増幅する増幅部と、を備え、
    前記保持部と前記増幅部とが、前記第1電極と前記第2電極とにより形成された容量によって電気的に接続されている、
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 第1基板と第2基板とを結合して構成された固体撮像装置であって、
    前記第1基板は、光電変換部と、前記光電変換部において生じた電荷を保持する保持部と、前記光電変換部において生じた電荷を前記保持部に転送する転送部と、前記保持部に接続された第1電極と、を備え、
    前記第2基板は、第2電極と、前記第2電極に接続され、前記保持部の信号を増幅する増幅部と、を備え、
    前記保持部に接続された前記第1電極と、前記増幅部に接続された前記第2電極との間で、容量性結合により前記電荷に基づく信号が伝達される、
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  3. 前記第1基板は、前記転送部を制御するための制御信号を伝搬する第1配線を有し、前記第2基板は、前記制御信号を伝搬する第2配線を有し、
    前記第1配線に接続された電極と前記第2配線に接続された電極とは、直接又は導電体を介して接触している、
    ことを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。
  4. 前記固体撮像装置は複数の画素と前記複数の画素からの信号を出力するための信号線とを備えており、前記複数の画素のそれぞれは、前記光電変換部、前記保持部、前記転送部、前記第1電極、前記第2電極および前記増幅部を含む
    ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  5. 前記第1基板は、前記複数の画素を駆動するための駆動信号を伝搬する第3配線を有し、前記第2基板は、前記駆動信号を伝搬する第4配線を有し、
    前記第3配線に接続された電極と前記第4配線に接続された電極とは、直接又は導電体を介して接触している
    ことを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。
  6. 前記第1電極と前記第2電極との間には絶縁体が配されている、
    ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  7. 前記第1基板は、前記保持部の電位をリセットするための第1リセットトランジスタを備え、前記第2基板は、前記増幅部の入力の電位の電位をリセットするための第2リセットトランジスタを備える、
    ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  8. 前記第1基板において、前記転送部はMOSFETで構成され、前記第1リセット部はJ−FETで構成されている、
    ことを特徴とする請求項に記載の固体撮像装置。
  9. 請求項1乃至のいずれか1項に記載の固体撮像装置を備える
    ことを特徴とするカメラ。
  10. 固体撮像装置の製造方法であって、
    前記固体撮像装置は、第1基板及び第2基板を備え、前記第1基板は、光電変換部、前記光電変換部において生じた電荷を保持する保持部、前記光電変換部において生じた電荷を前記保持部に転送する転送部、及び前記保持部に接続された第1電極を備え、前記第2基板は、第2電極、前記第2電極に接続され、前記保持部の信号を増幅する増幅部を備え、
    固体撮像装置の製造方法は、前記第1基板と前記第2基板とを結合し、前記第1電極と前記第2電極とが容量を形成することによって、前記保持部と前記増幅部とを電気的に接続する接続工程を含む、
    ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  11. 前記接続工程は、前記第1基板の前記第1電極が配された面及び前記第2基板の前記第2電極が配された面の少なくともいずれか一方に絶縁体を堆積してから為される、
    ことを特徴とする請求項10に記載の固体撮像装置の製造方法。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10297630B2 (en) * 2012-06-18 2019-05-21 Forza Silicon Corporation Pinned charge transimpedance amplifier
US9918017B2 (en) 2012-09-04 2018-03-13 Duelight Llc Image sensor apparatus and method for obtaining multiple exposures with zero interframe time
JP2016082306A (ja) 2014-10-10 2016-05-16 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム及び撮像装置の駆動方法
US9456157B2 (en) * 2014-11-25 2016-09-27 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor pixels having p-channel source follower transistors and increased photodiode charge storage capacity
US10574930B2 (en) * 2015-09-30 2020-02-25 Nikon Corporation Image sensor and electronic camera
JP6635121B2 (ja) 2015-09-30 2020-01-22 株式会社ニコン 撮像素子および電子カメラ
US10044960B2 (en) * 2016-05-25 2018-08-07 Omnivision Technologies, Inc. Systems and methods for detecting light-emitting diode without flickering
EP3484146A4 (en) * 2016-07-11 2019-08-21 Sony Semiconductor Solutions Corporation IMAGING MEMBER AND IMAGING DEVICE
US10002986B1 (en) * 2016-12-19 2018-06-19 Waymo Llc Hybrid integration of photodetector array with digital front end
JP7292860B2 (ja) 2018-11-22 2023-06-19 キヤノン株式会社 光電変換装置
US11425365B2 (en) 2018-12-14 2022-08-23 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device, method of manufacturing photoelectric conversion device, and method of manufacturing semiconductor device
CN117098422A (zh) * 2019-11-07 2023-11-21 华为技术有限公司 一种显示面板和电子设备

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11284911A (ja) * 1998-03-31 1999-10-15 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2004104116A (ja) * 2002-08-21 2004-04-02 Canon Inc 撮像装置
JP2005300844A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Canon Inc オートフォーカス用固体撮像装置とそれを用いたオートフォーカスカメラ
JP4349232B2 (ja) * 2004-07-30 2009-10-21 ソニー株式会社 半導体モジュール及びmos型固体撮像装置
JP5132102B2 (ja) 2006-08-01 2013-01-30 キヤノン株式会社 光電変換装置および光電変換装置を用いた撮像システム
JP4289377B2 (ja) * 2006-08-21 2009-07-01 ソニー株式会社 物理量検出装置及び撮像装置
JP2008085755A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Toshiba Corp 画像撮像装置
JP5259132B2 (ja) * 2006-12-27 2013-08-07 三星ディスプレイ株式會社 周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置
JP2009021809A (ja) 2007-07-11 2009-01-29 Canon Inc 撮像装置の駆動方法、撮像装置、及び撮像システム
JP5153378B2 (ja) 2008-02-15 2013-02-27 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
JP5335271B2 (ja) 2008-04-09 2013-11-06 キヤノン株式会社 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム
JP5188275B2 (ja) 2008-06-06 2013-04-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その駆動方法及び撮像システム
JP2010206181A (ja) 2009-02-06 2010-09-16 Canon Inc 光電変換装置及び撮像システム
JP2010206178A (ja) 2009-02-06 2010-09-16 Canon Inc 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法
JP2010199154A (ja) 2009-02-23 2010-09-09 Canon Inc 固体撮像素子
JP4835710B2 (ja) 2009-03-17 2011-12-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
JP5521721B2 (ja) 2009-08-28 2014-06-18 ソニー株式会社 撮像素子およびカメラシステム
JP5606182B2 (ja) 2010-06-30 2014-10-15 キヤノン株式会社 固体撮像装置
KR101717982B1 (ko) * 2010-09-14 2017-03-21 삼성전자 주식회사 커플링 도전 패턴을 포함하는 반도체 장치

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