JP5153378B2 - 固体撮像装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明の第1の実施形態による画素の等価回路図である。以下、MOS電界効果トランジスタを単にMOSトランジスタという。101及び102は光電変換素子であり、それぞれ転送スイッチ103、104を介してフローティングディフュージョン部(以下、FD部)105に接続されている。FD部105は、実際には増幅MOSトランジスタ106のゲート容量、リセットMOSトランジスタ107のソース容量、転送スイッチ103、104のドレイン容量及びこれらを接続する配線の寄生容量によって形成されるノードである。転送スイッチ103及び104のゲートはそれぞれ信号Tx1(n)、Tx2(n)により制御される。リセットMOSトランジスタ107のゲートは信号Res(n)により制御される。ここでnは画素の行のアドレスを示している。増幅MOSトランジスタ106のドレインと、リセットMOSトランジスタ107のドレインは電源電圧Vrに接続されている。電源電圧Vrは可変電源であり、時刻によって異なる電位を与えることができる。増幅MOSトランジスタ106のソースは垂直信号線Out(m)に接続されている。ここでmは画素の列のアドレスを示している。垂直信号線Out(m)には不図示のサンプルホールド回路が設けられており、垂直信号線Out(m)に出力された信号を保持することができる。電源回路が電源電圧Vrを制御する。
本発明の第1の実施形態においては、信号Tx1(n)により転送した信号電荷量の読み出しの後、水平走査期間Hscan(n)を経た後に信号Tx2(n)により信号電荷の転送を行っている。本実施形態は信号Tx1(n)及びTx2(n)による信号電荷を水平走査回路203内に設けられたラインメモリに保持した後、水平走査を行う場合においても効果を得ることができる。
図5に本発明の第3の実施形態の固体撮像装置の駆動方法を示すタイミング図である。画素の等価回路及び固体撮像装置のブロック図は第1及び第2の実施形態と同等である。本実施形態が第2の実施形態と異なる点は、期間t1’が、リセット出力のサンプルホールド(t8)及び信号出力のサンプルホールド(t10)と、水平走査期間Hscan(n:1,n:2)の間にある点である。期間t1’は、信号Res(n)、Res(n+1)、Res(n+2)・・・を一斉にハイレベルにして、各FD部105を低い電位にリセットする期間である。FD部105を低い電位にリセットするためには電源電圧Vrを低い電位にする必要がある。時刻t1’においては信号Res(n+1)によりアドレスされる増幅MOSトランジスタ106は、他の行の増幅MOSトランジスタ106と同様に不活性状態になっている。本実施形態では、その直後の時刻t3’において信号Res(n+1)によりアドレスされる増幅MOSトランジスタ106は活性化される。水平走査期間Hscan(n:1,n:2)の間を含め増幅MOSトランジスタ106は活性化状態にあり、その後に信号Tx1(n+1)及びTx2(n+1)により転送される信号電荷を順次読み出している。本実施形態においては、信号Tx1(n+1)及びTx2(n+1)の両者の読み出しに対して、増幅MOSトランジスタ106に十分長い活性化期間を設けることができる。具体的には、増幅MOSトランジスタ106の活性化から読み出しまでの期間は、信号Tx1(n+1)に対応するノイズ出力の読み出しに対してはt3’〜t14、信号出力の読み出しに対してはt3’〜t16である。そして、信号Tx2(n+1)に対応するノイズ出力の読み出しに対してはt3’〜t18、信号出力の読み出しに対してはt3’〜t20である。
図6に本発明の第4の実施形態の固体撮像装置の駆動方法を示すタイミング図である。画素の等価回路及び固体撮像装置のブロック図は第1及び第3の実施形態と同等である。本実施形態が第3の実施形態と異なる点は信号Res(n+1)をハイレベルにして、FD部105を低い電位にリセットする期間t1’を、水平走査期間Hscan(n:1,n:2)の期間内に設けた点である。本実施形態では、増幅MOSトランジスタ106の活性化から読み出しまでの期間は、信号Tx1(n+1)に対応するノイズ出力の読み出しに対してはt3’〜t14、信号出力の読み出しに対してはt3’〜t16である。そして、信号Tx2(n+1)に対応するノイズ出力の読み出しに対してはt3’〜t18、信号出力の読み出しに対してはt3’〜t20である。
前記、本発明の第1〜第4の実施形態においては2つの光電変換素子101及び102で画素回路を共有化した例について記載した。本発明は上述の等価回路に限定されるものでは無く、3つ以上の光電変換素子にて画素回路を共有化した場合にもさらに大きな効果を得ることができる。例えば、上記の特許文献1の図1に記載されるように4つの光電変換素子にて画素回路を共有化した場合にも、第1から第4の実施形態と同様の考え方にて増幅MOSトランジスタを活性化する期間を長くすることが可能である。
103、104 転送スイッチ
105 FD部
106 増幅MOSトランジスタ
107 リセットMOSトランジスタ
201 撮像領域
202 垂直走査回路
203 水平走査回路
204 出力
Claims (4)
- 光電変換により電荷を生成及び蓄積する複数の光電変換素子と、
電荷を保持するための一のフローティングディフュージョン部と、
前記複数の光電変換素子に蓄積された電荷を前記一のフローティングディフュージョン部にそれぞれ転送する複数の転送スイッチと、
前記一のフローティングディフュージョン部に保持された電荷に対応する電圧を増幅する増幅トランジスタと
を含む複数の画素回路を2次元に配列した撮像領域と、
前記複数の転送スイッチを制御する垂直走査回路と、
前記増幅トランジスタにより増幅された電圧を読み出すための水平走査回路と、
前記増幅トランジスタに供給する電源電圧を制御することにより前記増幅トランジスタを活性状態にし、前記増幅トランジスタに供給する電源電圧を制御することにより前記増幅トランジスタを不活性状態にする電源回路とを有し、
前記増幅トランジスタの活性状態を維持したまま前記複数の転送スイッチが前記複数の光電変換素子の電荷を順次前記一のフローティングディフュージョン部に転送し、前記水平走査回路により前記複数の光電変換素子の電荷に応じた電圧を順次読み出し、
前記増幅トランジスタの活性状態を維持する期間は、水平走査期間の少なくとも一部を含み、
一の前記画素回路からの信号を読み出す水平走査期間に、別の一の前記画素回路の前記増幅トランジスタが活性状態であることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記水平走査回路は、前記一のフローティングディフュージョン部の電圧をリセットした状態で前記増幅トランジスタが出力するリセット出力電圧と前記光電変換素子の電荷を前記一のフローティングディフュージョン部に転送した状態で前記増幅トランジスタが出力する信号出力電圧との差分を出力し、
前記増幅トランジスタを活性状態にした後において、前記一のフローティングディフュージョン部をリセットしてから前記複数の光電変換素子のうちの最初の光電変換素子の前記リセット出力電圧のサンプルホールドまでの期間と、前記複数の光電変換素子のうちの最初の光電変換素子の電荷の転送から2番目の光電変換素子の前記リセット出力電圧のサンプルホールドまでの期間とが同じ長さであることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記画素回路は、さらに前記一のフローティングディフュージョン部の電圧をリセットするリセットトランジスタを有し、
前記複数の光電変換素子の電荷を前記一のフローティングディフュージョン部に転送し、該フローティングディフュージョン部に転送された電荷に対応する電圧を増幅した出力電圧をサンプルホールドしてから、前記一のフローティングディフュージョン部をリセットすることを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置。 - 光電変換により電荷を生成及び蓄積する複数の光電変換素子と、
電荷を保持するための一のフローティングディフュージョン部と、
前記複数の光電変換素子に蓄積された電荷を前記一のフローティングディフュージョン部にそれぞれ転送する複数の転送スイッチと、
前記一のフローティングディフュージョン部に保持された電荷に対応する電圧を増幅する増幅トランジスタと
を含む複数の画素回路を2次元に配列した撮像領域と、
前記複数の転送スイッチを制御する垂直走査回路と、
前記増幅トランジスタにより増幅された電圧を読み出すための水平走査回路と、
前記増幅トランジスタに供給する電源電圧を制御することにより前記増幅トランジスタを活性状態にして前記増幅トランジスタに供給する電源電圧を制御することにより前記増幅トランジスタを不活性状態にする電源回路とを有する固体撮像装置の駆動方法であって、
前記増幅トランジスタの活性状態を維持したまま前記複数の転送スイッチが前記複数の光電変換素子の電荷を順次前記一のフローティングディフュージョン部に転送し、前記水平走査回路により前記複数の光電変換素子の電荷に応じた電圧を順次読み出し、
前記増幅トランジスタの活性状態を維持する期間は、水平走査期間の少なくとも一部を含み、
一の前記画素回路からの信号を読み出す水平走査期間に、別の一の前記画素回路の前記増幅トランジスタを活性状態にすることを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
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