JP3031606B2 - 固体撮像装置と画像撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置と画像撮像装置

Info

Publication number
JP3031606B2
JP3031606B2 JP7197471A JP19747195A JP3031606B2 JP 3031606 B2 JP3031606 B2 JP 3031606B2 JP 7197471 A JP7197471 A JP 7197471A JP 19747195 A JP19747195 A JP 19747195A JP 3031606 B2 JP3031606 B2 JP 3031606B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
imaging device
photoelectric conversion
state imaging
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP7197471A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0946596A (ja
Inventor
秀和 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP7197471A priority Critical patent/JP3031606B2/ja
Priority to ES96305660T priority patent/ES2218571T3/es
Priority to DE69631932T priority patent/DE69631932T2/de
Priority to EP96305660A priority patent/EP0757476B1/en
Publication of JPH0946596A publication Critical patent/JPH0946596A/ja
Priority to US08/934,561 priority patent/US5955753A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3031606B2 publication Critical patent/JP3031606B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/135—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on four or more different wavelength filter elements
    • H04N25/136—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on four or more different wavelength filter elements using complementary colours
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/42—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by switching between different modes of operation using different resolutions or aspect ratios, e.g. switching between interlaced and non-interlaced mode
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
    • H04N25/441—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by reading contiguous pixels from selected rows or columns of the array, e.g. interlaced scanning
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H04N25/57—Control of the dynamic range
    • H04N25/59—Control of the dynamic range by controlling the amount of charge storable in the pixel, e.g. modification of the charge conversion ratio of the floating node capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
    • H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
    • H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
    • H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
    • H04N3/155—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像信号を得る画
像撮像装置に関し、特にＣＭＯＳプロセスコンパチブル
ＸＹアドレス型増幅型固体撮像装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体撮像素子としては、光電変換
を可能とする金属と酸化物と半導体からなるＭＯＳ構造
を有し、光キャリアの移動方式でＦＥＴ型とＣＣＤ型と
分けられる。この固体撮像素子は太陽電池、イメージカ
メラ、複写機、ファクシミリなど種々な方面に使用さ
れ、技術的にも変換効率や集積密度の改良改善が図られ
ている。このような増幅型固体撮像装置の１つに、ＣＭ
ＯＳプロセスコンパチブルのセンサ（以後ＣＭＯＳセン
サと略す）がある。このタイプのセンサはＩＥＥＥＴＲ
ＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥ
ＶＩＣＥ，ＶＯＬ４１，ＰＰ４５２〜４５３，１９９４
などの文献で発表されている。図１１にＣＭＯＳセンサ
の回路構成図（Ｂ）及び断面図（Ａ）を示す。また、図
１１（Ｃ）は光電変換部の光子ｈνの蓄積中の電荷の状
態図を、図１１（Ｄ）は光子ｈνの蓄積後の電荷の状態
図を示す。
【０００３】図１１（Ａ）（Ｂ）において、１は光電変
換部、２はＭＯＳトランジスタによるフォトゲート、３
は転送スイッチＭＯＳトランジスタ、４はリセット用Ｍ
ＯＳトランジスタ、５はソースフォロワアンプＭＯＳト
ランジスタ、６は水平選択スイッチＭＯＳトランジス
タ、７はソースフォロワ負荷ＭＯＳトランジスタ、８は
暗出力転送ＭＯＳトランジスタ、９は明出力転送ＭＯＳ
トランジスタ、１０は暗出力蓄積容量、１１は明出力蓄
積容量で有る。
【０００４】また、１７はＰ型ウェル、１８はゲート酸
化膜、１９は一層目ポリＳｉ、２０は二層目ポリＳｉ、
２１はｎ+ フローティングディフュージョン領域（Ｆ
Ｄ）である。本センサの特徴の１つはフルＣＭＯＳトラ
ンジスタ・プロセスコンパチブルであり、画素部のＭＯ
Ｓトランジスタと周辺回路のＭＯＳトランジスタを同一
工程で形成できるため、マスク枚数、プロセス工程がＣ
ＣＤと比較して大幅に削減できるということが挙げられ
る。
【０００５】次に動作方法を簡単に述べる。先ず、フォ
トゲート２の下に空乏層を拡げるため制御パルスφPGに
正の電圧を印加する。ＦＤ部２１は蓄積中、ブルーミン
グ防止のため制御パルスφRをハイにして電源ＶDDに固
定しておく。光子ｈνが照射されフォトゲート２下でキ
ャリアが発生すると、フォトゲート２下の空乏層中に電
子が蓄積されていき、正孔はＰ型ウェル１７を通して排
出される。
【０００６】光電変換部１，Ｐ型ウェル１７とＦＤ部２
１の間には転送ＭＯＳトランジスタ３によるエネルギー
障壁が形成されているため、光電荷蓄積中は電子はフォ
トゲート２下に存在する（図１１（Ｃ））。読み出し状
態になると転送ＭＯＳトランジスタ３下の障壁をなく
し、フォトゲート２下の電子をＦＤ部２１へ完全に転送
させる様に制御パルスφPG，制御パルスφTXを設定する
（図１１（Ｄ））。完全転送であるため、残像やノイズ
は光電変換部１においては発生しない。ＦＤ部２１に電
子が転送されると電子の数に応じてＦＤ部２１の電位が
変化する。その電位変化をソースフォロワ動作でソース
フォロワアンプＭＯＳトランジスタ５のソースを介して
外部の水平選択スイッチＭＯＳトランジスタ６へ出力す
ることにより、線形性の良い光電変換特性を得ることが
できる。ＦＤ部２１において、リセットによるｋＴＣノ
イズが発生するが、これは光キャリア転送前の暗出力を
サンプリングして蓄積しておき、明出力との差を取れば
除去できる。従ってこのＣＭＯＳセンサは低ノイズで高
Ｓ／Ｎ信号が特徴となる。又、完全非破壊読み出しであ
るため多機能化が実現できる。更にＸＹアドレス方式に
よる高歩留り、低消費電力というメリットもある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、各画素にフォトゲートが１つ、ＭＯＳトラン
ジスタが４つ、水平駆動線が４本あるため、ＣＣＤタイ
プのセンサと比較して画素の縮少化が難しく、又、開口
率も小さくなってしまうといった欠点があった。
【０００８】又、ＴＶ走査を行うための光電変換信号の
加算も周辺回路で行うため、動作速度が遅速になってし
まうといった欠点もあった。
【０００９】本発明に係る第１の目的はＣＭＯＳセンサ
の縮少化を実現することであり、第２の目的は画素信号
加算を画素部で行うことを実現し、さらに加算、非加算
を任意に行える多機能センサを実現することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、従来各画素毎に設けてい
たＦＤ領域とソースフォロワアンプを数画素に１個形成
し、そのＦＤ領域に複数の光電変換領域をＭＯＳトラン
ジスタスイッチを介して接続させたことを特徴とする。
つまり、本発明による固体撮像装置は、水平方向及び垂
直方向に配列された光電変換素子と、１つのフローティ
ングディフュージョン部毎に複数の前記光電変換素子を
それぞれ転送スイッチを介して共通接続した、複数の前
記フローティングディフュージョン部と、前記転送スイ
ッチを介して前記光電変換素子からの信号が前記フロー
ティングディフュージョン部に転送されることによって
生じる前記フローティングディフュージョン部のレベル
変化が読み出される垂直出力線と、前記光電変換素子か
らの信号を前記垂直出力線へ読み出すためのタイミング
を制御するためのパルスを供給するための垂直走査回路
と、を有し、前記垂直走査回路は、前記パルスのタイミ
ングを制御することにより、前記フローティングディフ
ュージョン部において、前記複数の前記光電変換素子中
の少なくとも２つの前記光電変換素子からの信号の加算
を行うことを特徴とする。
【００１１】この構成によりソースフォロワのＭＯＳト
ランジスタアンプ、水平線選択用ＭＯＳトランジスタ、
リセット用ＭＯＳトランジスタを数画素周期に１組設け
ればよいので、従来より各画素に占める素子数、配線数
を減らせるので微細化が可能となる。
【００１２】又、ＦＤ部への転送ＭＯＳトランジスタの
タイミングで、２画素の信号電荷の加算、非加算が簡単
に行えるので、色差線順次駆動、全画素独立出力駆動等
の様々な駆動方式に対応できる。
【００１３】さらに、固体撮像装置おいて、光電変換素
子がＭＯＳトランジスタゲートとゲート下の空乏層から
なることを特徴とする。また、上記光電変換素子のＭＯ
Ｓトランジスタゲートを周辺回路のＭＯＳトランジスタ
と同一工程で作製したことを特徴とする。また、上記光
電変換素子がＰｎ接合フォトダイオードであることを特
徴とする。さらに、複数の上記光電変換素子の電荷を同
時又は別に前記フローティングディフュージョン部へ転
送できることを特徴とする。また上記固体撮像装置を複
数個並べて画像信号出力を得る画像撮像装置を特徴とす
る。かかる構成により、多彩な画像信号を得ることがで
きる。また、本発明は、行方向及び列方向に配列された
複数の光亀変換索子で発生した電荷を転送スイッチを介
してフローティングディフュージョン部へ転送させ、そ
のフローティングディフュージョン部の電位変化を選択
スイッチによって選択的にソースフォロワアンプで外部
へ出力する固体撮像装置において、１つの前記フローテ
ィングディフュージョン部に数個の前記光電変換素子を
転送スイッチを介して接続し、前記ソースフォロワアン
プと前記選択スイッチを数画素に１組形成し、前記行方
向の複数の前記選択スイッチは共通の信号線によって制
御されることを特徴とする。かかる構成により、各画素
に占める素子数や配線数を削減でき、パッケージの小型
化を実現できる。また、本発明は、光電変換素子で発生
した電荷を転送スイッチを介してフローティングディフ
ュージョン部へ転送させ、そのフローティングディフュ
ージョン部の電位変化をソースフォロワアンプで垂直出
力線へ出力する固体撮像装置において、１つの前記フロ
ーティングディフュージョン部に数個の前記光電変換素
子を転送スイッチを介して接続し、前記ソースフォロワ
アンプを数画素に１組形成され、暗出力信号を蓄積する
蓄積手段と明出力信号を蓄積する蓄積手段を前記垂直出
力線に設け、前記蓄積手段からのそれぞれの信号を差分
する差分手段を水平出力線に設けたことを特徴とする。
かかる構成により、暗出力信号と明出力信号とを相殺し
て、センサの小型化と高Ｓ／Ｎの画像信号を得ることが
できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、各
実施例とともに図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１５】（第１実施例）図１に、本発明による第１
実施例の概略的回路構成図を示す。同図において、２列
×４行画素の２次元エリアセンサを示したものである
が、実際は、本センサを拡大して、１９２０列×１０８
０行等と画素数を多くして、解像度を高めている。
【００１６】図１において、１はＭＯＳトランジスタゲ
ートとゲート下の空乏層からなる光電変換素子の光電変
換部、２はフォトゲート、３は転送スイッチＭＯＳトラ
ンジスタ、４はリセット用ＭＯＳトランジスタ、５はソ
ースフォロワアンプＭＯＳトランジスタ、６は水平選択
スイッチＭＯＳトランジスタ、７はソースフォロワの負
荷ＭＯＳトランジスタ、８は暗出力転送ＭＯＳトランジ
スタ、９は明出力転送ＭＯＳトランジスタ、１０は暗出
力蓄積容量ＣTN、１１は明出力蓄積容量ＣTS、１２は水
平転送ＭＯＳトランジスタ、１３は水平出力線リセット
ＭＯＳトランジスタ、１４は差動出力アンプ、１５は水
平走査回路、１６は垂直走査回路である。
【００１７】図２に画素部の断面図を示す。同図におい
て、１７はＰ型ウェル、１８はゲート酸化膜、１９は一
層目ポリＳｉ、２０は二層目ポリＳｉ、２１はｎ+ フロ
ーティングディフュージョン部（ＦＤ）である。２１の
ＦＤは別の転送ＭＯＳトランジスタを介して別の光電変
換部と接続される。同図において、２つの転送ＭＯＳト
ランジスタ３のドレインとＦＤ部２１を共通化して微細
化とＦＤ部２１の容量低減による感度向上を図っている
が、Ａｌ配線でＦＤ部２１を接続しても良い。
【００１８】次に、図３のタイミングチャートを用いて
動作を説明する。このタイミングチャートは全画素独立
出力の場合である。
【００１９】まず垂直走査回路１６からのタイミング出
力によって、制御パルスφLをハイとして垂直出力線を
リセットする。また制御パルスφＲ0,φＰＧ00,φＰＧe
0をハイとし、リセット用ＭＯＳトランジスタ４をオン
とし、フォトゲート２の一層目ポリＳｉ１９をハイとし
ておく。時刻Ｔ0において、制御パルスφＳ0をハイと
し、選択スイッチＭＯＳトランジスタ６をオンさせ、第
１，第２ラインの画素部を選択する。次に制御パルスφ
Ｒ0をロウとし、ＦＤ部２１のリセットを止め、ＦＤ部
２１をフローティング状態とし、ソースフォロワアンプ
ＭＯＳトランジスタ５のゲート・ソース間をスルーとし
た後、時刻Ｔ1において制御パルスφＴNをハイとし、Ｆ
Ｄ部２１の暗電圧をソースフォロワ動作で蓄積容量ＣTN
１０に出力させる。
【００２０】次に、第１ラインの画素の光電変換出力を
行うため、第１ラインの制御パルスφＴＸ00をハイとし
て転送スイッチＭＯＳトランジスタ３を導通した後、時
刻Ｔ 2 において制御パルスφＰＧ00をローとして下げ
る。この時フォトゲート２の下に拡がっていたポテンシ
ャル井戸を上げて、光発生キャリアをＦＤ部２１に完全
転送させるような電圧関係が好ましい。従って完全転送
が可能であれば制御パルスφＴＸはパルスではなくある
固定電位でもかまわない。
【００２１】時刻Ｔ2 でフォトダイオードの光電変換部
１からの電荷がＦＤ部２１に転送されることにより、Ｆ
Ｄ部２１の電位が光に応じて変化することになる。この
時ソースフォロワアンプＭＯＳトランジスタ５がフロー
ティング状態であるので、ＦＤ部２１の電位を時刻Ｔ3
において制御パルスφＴs をハイとして蓄積容量ＣTS１
１に出力する。この時点で第１ラインの画素の暗出力と
光出力はそれぞれ蓄積容量ＣTN１０とＣTS１１に蓄積さ
れおり、時刻Ｔ4 の制御パルスφＨＣを一時ハイとして
水平出力線リセットＭＯＳトランジスタ１３を導通して
水平出力線をリセットし、水平転送期間において水平走
査回路１５の走査タイミング信号により水平出力線に画
素の暗出力と光出力を出力される。この時、蓄積容量Ｃ
TN１０とＣTS１１の差動増幅器１４によって、差動出力
ＶOUTを取れば、画素のランダムノイズ、固定パターン
ノイズを除去したＳ／Ｎの良い信号が得られる。また画
素３０ー１２、３０ー２２の光電荷は画素３０ー１１、
３０ー２１と同時に夫々の蓄積容量ＣTN１０とＣTS１１
に蓄積されるが、その読み出しは水平走査回路１５から
のタイミングパルスを１画素分遅らして水平出力線に読
み出して差動増幅器１４から出力される。
【００２２】本実施例では、差動出力ＶOUTをチップ内
で行う構成を示しているが、チップ内に含めず、外部で
従来のＣＤＳ（Correlated Double Sampling：相関二重
サンプリング）回路を用いても同様の効果が得られる。
【００２３】蓄積容量ＣTS１１に明出力を出力した後、
制御パルスφＲ0をハイとしてリセット用ＭＯＳトラン
ジスタ４を導通しＦＤ部２１を電源ＶDDにリセットす
る。第１ラインの水平転送が終了した後、第２ラインの
読み出しを行う。第２ラインの読み出しは、制御パルス
φＴＸe0，制御パルスφＰＧe0を同様に駆動させ、制御
パルスφＴN、φＴSに夫々ハイパルスを供給して、蓄積
容量ＣTN１０とＣTS１１に夫々光電荷を蓄積し、暗出力
及び明出力を取り出す。以上の駆動により、第１，第２
ラインの読み出しが夫々独立に行える。この後、垂直走
査回路を走査させ、同様に第２ｎ＋１，第２ｎ＋２（ｎ
＝１，２，…）の読み出しを行えば全画素独立出力が行
える。即ち、ｎ＝１の場合は、まず制御パルスφＳ1を
ハイとし、次に次にφＲ1をローとし、続いて制御パル
スφＴN、φＴＸ01をハイとし、制御パルスφＰＧ01を
ロー、制御パルスφＴSをハイ、制御パルスφＨＣを一
時ハイとして画素３０ー３１，３０ー３２の画素信号を
読み出す。続いて、制御パルスφＴＸe1，φＰＧe1及び
上記と同様に制御パルスを印加して、画素３０ー４１，
３０ー４２の画素信号を読み出す。
【００２４】本実施例において、１画素に１組のソース
フォロワを設けずに、２画素に１組のソースフォロワを
設けたことにより、ソースフォロワアンプＭＯＳトラン
ジスタ５、選択スイッチＭＯＳトランジスタ６、リセッ
トＭＯＳトランジスタ４を従来の半分にすることができ
る。これにより、画素の光電変換部の開口率が向上し、
画素の集積化による微細化が実現できる。又、ＦＤ部２
１を２画素で共有化させることにより、ソースフォロワ
アンプＭＯＳトランジスタ５のゲート部分の容量を増や
さず済むため、感度の低下を防ぐことができる。
【００２５】本発明の別の特徴として、２画素以上の信
号をＦＤ部２１において加算することによりＳ／Ｎを向
上させることも挙げられる。これは、回路は全く変えず
に印加パルスのタイミングのみの変更で実現できる。上
下２画素信号の加算の場合のタイミングチャートを図４
に示す。非加算モードの図３では制御パルスφＴＸ00と
制御パルスφＴＸe0，制御パルスφＰＧ00と制御パルス
φＰＧe0のタイミングを１画素分ずらしていたが、加算
の場合は同じタイミングである。即ち画素３０ー１１と
画素３０ー２１とから同時に読み出すために、まず制御
パルスφＴNをハイとして垂直出力線からノイズ成分を
読み出し、制御パルスφＴＸ00と制御パルスφＴＸe0
を、及び制御パルスφＰＧ00と制御パルスφＰＧe0を、
夫々同時にハイ、ローとして、ＦＤ部２１に転送する。
これにより、同時刻に上下２つの光電変換部１の信号を
ＦＤ部２１で加算することが可能となる。従って、図３
のタイミングによる２つのタイミングを準備しておけ
ば、例えば明るい時には高解像度撮像を、一方図４のタ
イミングによる同時読み出しのタイミングによって、例
えば暗い時には高感度撮像を行うことが１つのセンサで
可能となる。
【００２６】上記実施例においては、ＦＤ部２１に２つ
の光電変換部を接続した例を示したが、この光電変換部
を３，４個等と複数個であっても良い。そうすること
で、例えばＣＭＯＳプロセスによる短工程で、高感度の
固体撮像装置、高密度の装置等と活用幅の広い装置を提
供できる。
【００２７】本実施例において画素部３０の各ＭＯＳト
ランジスタは全てｎ型で構成して製造工程を簡単化して
いるが、ｐ型のサブストレートにｎ型ウェルを用いて全
てＰＭＯＳトランジスタで構成するのも当然可能であ
り、この逆の構成でもよい。
【００２８】（第２実施例）図５に本発明による第２実
施例の概略回路図を示す。本実施例において、色差線順
次駆動ができる様に転送スイッチ２２を設けたことを特
徴とする。第１実施例では第１ラインと第２ラインの加
算、第３ラインと第４ラインの加算が行えるが、第２ラ
インと第３ラインの加算は行えない。本実施例において
は転送スイッチ２２があるため、第２と第３ラインの加
算が可能となった。
【００２９】第２と第３ラインの加算の場合、第１ライ
ンの読み出しは図３のタイミングでＴ0〜Ｔ4と進み、そ
の後第２ラインを読み出す際に、制御パルスφＴＸe0と
制御パルスφＴＸ01，制御パルスφＰＧe0と制御パルス
φＰＧe1を同時にハイ、ローとし、制御パルスφＦも制
御パルスφＴＸe0と同時にハイとし、他の制御パルスも
同様に供給して、画素３０ー２１と画素３０ー３１の画
素信号を蓄積容量１１に蓄積し、ノイズ成分をキャンセ
ルして画素信号出力ＶOUTを得ることができる。その後
画素３０ー２２と画素３０ー３２の画素信号を蓄積容量
１１に蓄積して画素信号出力ＶOUTを得ることができ
る。、続けて第３ラインと第４ラインとも同様な制御パ
ルスを供給印加して、画素３０ー３１と画素３０ー４１
の画素信号を、及び画素３０ー３２と画素３０ー４２の
画素信号を順次読み出すことができる。
【００３０】従って、図５の回路構成チップ上に、図６
のような補色モザイク型フィルタを形成すれば、ＮＴＳ
Ｃ方式の走査によれば、ＯＤＤ（奇数）フィールドでは
例えば第１ラインと第２ラインの和としてＣy ＋Ｍg ，
Ｙe ＋Ｇの出力と、例えば第３ラインと第４ラインの和
としてＣy＋Ｇ，Ｙe ＋Ｍg の出力を順に得ることがで
き、ＥＶＥＮ（偶数）フィールドにおいても、例えば第
２ラインと第３ラインの和としてＣy ＋Ｍg ，Ｙe ＋Ｇ
の出力と、例えば第３ラインと第４ラインＣy＋Ｇ，Ｙ
e ＋Ｍg の出力を順に得ることができ、インターレス走
査のＴＶ走査（ＮＴＳＣ，ＨＤ）におけるＩ軸（オレン
ジ・シアン系）とＱ軸（緑・マゼンタ系）の２つの搬送
色信号を容易に生成すること等が可能となる。
【００３１】又、本実施例においても、駆動タイミング
の供給タイミングを変更すれば、全画素の独立出力が可
能であるのは当然である。即ち、制御パルスφＦを常時
ローとすれば、転送スイッチ２２の動作をオフして、図
３に示すタイミングによって時系列に従って各画素の出
力毎に読み出すことができる。
【００３２】従って、本実施例によれば、１ラインずれ
た画素の和信号を出力することが可能となってＴＶ走査
に対応するばかりでなく、図３及び図４に示すタイミン
グで各画素毎に時系列に独立して読み出したり、２画素
の和信号を読み出したりできるので、撮像環境に応じて
多彩な撮像ができる。
【００３３】本実施例において、特に色差線順次駆動
（インターレース、色信号加算出力）方式を行えば、第
１実施例で必要であった、メモリ、外部加算回路が不必
要となり、従来のＣＣＤ用の信号処理回路がそのまま使
用できるため、コスト、実装の面で有利となる。
【００３４】（第３実施例）図７に本発明による第３実
施例の概念回路図を示す。本実施例においては、画素信
号の加算をする際に、図４に示すタイミングによるＦＤ
部での加算のみでなく、光電変換部で加算できるスイッ
チＭＯＳトランジスタ２３を設けたことを特徴とする。
【００３５】図７において、各制御パルスのタイミング
は第２実施例と同様であり、第１ラインを読み出して、
次に第２、第３ラインの読み出しにおいても、制御パル
スφＦも制御パルスφＴＸe0と同時にハイとし、画素３
０ー２１の光電変換部１の電荷と画素３０ー３１の光電
変換部１の電荷とがスイッチＭＯＳトランジスタ２３を
導通することで加算され、画素３０ー２１の転送ＭＯＳ
トランジスタ３を導通してソースフォロワＭＯＳトラン
ジスタ５、選択スイッチＭＯＳトランジスタ６を介して
蓄積容量１１に転送される。
【００３６】こうして、図６に示す補色モザイク型フィ
ルタを形成すれば、第２実施例と同様に、ＯＤＤ（奇
数）フィールドでは例えば第１ラインと第２ラインの和
としてＣy ＋Ｍg ，Ｙe ＋Ｇの出力と、例えば第３ライ
ンと第４ラインの和としてＣy＋Ｇ，Ｙe ＋Ｍg の出力
を順に得ることができ、ＥＶＥＮ（偶数）フィールドに
おいても、例えば第２ラインと第３ラインの和としてＣ
y ＋Ｍg ，Ｙe ＋Ｇの出力と、例えば第３ラインと第４
ラインＣy ＋Ｇ，Ｙe ＋Ｍg の出力を順に得ることがで
きる。
【００３７】従って、インターレス駆動において、ＯＤ
ＤフィールドではＦＤ部で加算を行い、ＥＶＥＮフィー
ルドでは画素部で片方の電荷をもう片方の井戸へ転送加
算して、ＦＤ部へ出力させる。もちろんＥＶＥＮフィー
ルド，ＯＤＤフィールドで逆でも良い。本実施例におい
て、ＦＤ部容量を増やすことなく、ＴＶ走査が可能とな
る。また、各制御パルスのタイミングを種々変更するこ
とで、第２実施例と同様に、多彩な画像信号を得ること
ができる。さらに、本実施例においても、第２実施例都
同様に、色差線順次駆動を行なうことにより、従来の信
号処理回路をそのまま使用できるメリットが出てくる。
【００３８】（第４実施例）図８に本発明による第４実
施例の概念回路図を示す。本実施例においては、光電変
換部にフォトゲートを用いず、ｐｎフォトダイオード２
４を用いたことを特徴とする。図９に画素の断面図を示
す。同図において、２５はｎ層であり完全空乏化できる
濃度である。制御パルスφＴＸにより発生した電荷をＦ
Ｄ部へ完全転送させる。本実施例の場合も制御パルスφ
ＴＸにより信号の加算、非加算を行うことができる。
【００３９】図８、図９の動作を説明する。まず制御パ
ルスφＲをハイとしてＦＤ部２１を電源ＶDDにリセット
し、制御パルスφＳをハイとして暗出力を蓄積容量１０
に蓄積し、次に制御パルスφＴＸ00をハイとして、ｐｎ
フォトダイオード２４に蓄積された光電荷をソースフォ
ロワＭＯＳトランジスタ５、選択スイッチＭＯＳトラン
ジスタ６を介して蓄積容量１１に転送して、ノイズ成分
を差動増幅器１４によってキャンセルし、画像信号ＶOU
Tを出力する。また、図４によるタイミングに相当する
制御パルスを供給することで、２つのｐｎフォトダイオ
ード２４に電荷を加算して読み出すことができる。
【００４０】また、スイッチＭ０Ｓトランジスタを追加
することで、第２実施例及び第３実施例と同様に、イン
ターレス走査に効率の良い画像出力を得ることができ
る。
【００４１】（第５実施例）図１０に本発明による第５
実施例の画素断面図を示す。同図において、２６は表面
Ｐ+層であり、ｎ層２５と光電変換部を構成し、埋込み
型フォトダイオードで画素を形成したことを特徴とす
る。この構造により表面で発生する暗電流を抑制するこ
とができる。図９と比較して効率の良い高い光電荷を得
ることができるので、Ｓ／Ｎの高い高品質の画像信号を
得ることができる。
【００４２】図１０に示す構造の画素は、図８のｐｎフ
ォトダイオード２４の代わりに設ける、第４実施例と同
様な各制御パルスのタイミングによって、同様な画像出
力を得ることができる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
素子数を減らした高開口率、微細化可能なＣＭＯＳトラ
ンジスタ型センサが実現できるため、収率アップによる
高歩留り、低コスト、パッケージ小型化、光学系システ
ム小型化という効果がある。
【００４４】又、画素信号の加算、非加算を駆動方法の
みで実現できるため、従来のＸＹアドレス機能を含め
て、様々な動作方法に対応できるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による第１実施例の概略的回路構成図で
ある。
【図２】本発明による第１実施例の画素断面図である。
【図３】本発明による第１実施例のタイミングチャート
（１）である。
【図４】本発明による第１実施例のタイミングチャート
（２）である。
【図５】本発明による第２実施例の概略的回路構成図で
ある。
【図６】本発明による第２実施例のオンチップカラーフ
ィルタ図である。
【図７】本発明による第３実施例の概略的回路構成図で
ある。
【図８】本発明による第４実施例の概略的回路構成図で
ある。
【図９】本発明による第４実施例の画素断面図である。
【図１０】本発明による第５実施例の画素断面図であ
る。
【図１１】従来の固体撮像装置の概略回路構成図であ
る。
【符号の説明】
１ 光電変換部 ２ フォトゲート ３ 転送スイッチＭＯＳトランジスタ ４ リセットＭＯＳトランジスタ ５ ソースフォロワアンプ ６ 水平線選択スイッチＭＯＳトランジスタ ７ ソースフォロワ負荷ＭＯＳトランジスタ ８ 暗出力転送ＭＯＳトランジスタ ９ 明出力転送ＭＯＳトランジスタ １０ 暗出力蓄積容量 １１ 明出力蓄積容量 １２ 水平転送ＭＯＳトランジスタ １３ 水平出力線リセットＭＯＳトランジスタ １４ 差動アンプ １５ 水平走査回路 １６ 垂直走査回路 １７ Ｐウェル １８ ゲート酸化膜 １９ 一層目ポリＳｉ ２０ 二層目ポリＳｉ ２１ ｎ+ フローティングディフュージョン ２２ 転送スイッチＭＯＳトランジスタ ２３ 加算スイッチＭＯＳトランジスタ ２４ Ｐｎフォトダイオード ２５ ｎ型層 ２６ 表面Ｐ+ 層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−4681（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−290081（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−289778（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−144374（ＪＰ，Ａ) Ｓｕｎｅｔｒａ Ｍｅｎｄｉｓ ｅｔ ａｌ”ＣＭＯＳ Ａｃｔｉｖｅ Ｐｉ ｘｅｌ Ｉｍａｇｅ Ｓｅｎｓｏｒ”Ｉ ＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ Ｏ Ｎ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ Ｖｏｌ．41，Ｎｏ．３，ＰＰ452−453 （ＭＡＲＣＨ 1994) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04N 5/30 - 5/335 H01L 27/146

Claims (19)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 水平方向及び垂直方向に配列された光電
    変換素子と、 １つのフローティングディフュージョン部毎に複数の前
    記光電変換素子をそれぞれ転送スイッチを介して共通接
    続した、複数の前記フローティングディフュージョン部
    と、前記転送スイッチを介して前記光電変換素子からの信号
    が前記フローティングディフュージョン部に転送される
    ことによって生じる前記フローティングディフュージョ
    ン部のレベル変化が読み出される垂直出力線と、 前記光電変換素子からの信号を前記垂直出力線へ読み出
    すためのタイミングを制御するためのパルスを供給する
    ための垂直走査回路と、を有し、 前記垂直走査回路は、前記パルスのタイミングを制御す
    ることにより、前記フローティングディフュージョン部
    において、前記複数の前記光電変換素子中の少なくとも
    ２つの前記光電変換素子からの信号の加算を行う ことを
    特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の固体撮像装置おいて、
    前記光電変換素子がＭＯＳトランジスタゲートとゲート
    下の空乏層からなることを特徴とする固体撮像装置。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の固体撮像装置おいて、
    前記光電変換素子のＭＯＳトランジスタゲートを前記垂
    直走査回路と同一工程で作製したことを特徴とする固体
    撮像装置。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の固体撮像装置おいて、
    前記光電変換素子がｐｎ接合フォトダイオードであるこ
    とを特徴とする固体撮像装置。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載の固体撮像装置おいて、
    複数の前記光電変換素子の電荷を同時又は個別に、前記
    パルスを前記転送スイッチに供給することにより前記フ
    ローティングディフュージョン部へ転送できることを特
    徴とする固体撮像装置。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載の固体撮像装置におい
    て、前記垂直走査回路は、前記パルスのタイミングを制
    御することにより、１つの前記光電変換素子からの信号
    によって生じる前記フローティングディフュージョン部
    のレベル変化を 、前記垂直出力線に読み出すことを特徴
    とする固体撮像装置。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載の固体撮像装置におい
    て、それぞれの前記光電変換素子における、前記垂直方
    向の両方向に隣接する前記光電変換素子との信号の加算
    が前記フローテイングデイフュージョン部において行え
    るように、前記転送スイツチは、前記光電変換素子と、
    前記フローティングディフュージョン部とを接続した構
    成であることを特徴とする固体撮像装置。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載の固体撮像装置におい
    て、前記垂直走査回路は、前記パルスのタイミングを制
    御することにより、前記フローティングディフュージョ
    ン部において、ＯＤＤ（奇数）フィールドでは、水平方
    向の第ｍ行と、第ｍ＋１行（ｍは奇数）の光電変換素子
    の信号を加算するように制御し、ＥＶＥＮ（偶数）フィ
    ールドでは、水平方向の第ｋ行と、第ｋ＋１行（ｋは偶
    数）の光電変換素子の信号を加算するように制御するこ
    とを特徴とする固体撮像装置。
  9. 【請求項９】 請求項１に記載の固体撮像装置におい
    て、１つの前記フローティングディフュージョン部毎
    に、垂直方向に隣接する複数の光電変換素子がそれぞれ
    前記転送スイッチを介して接続され、異なる前記フロー
    ティングディフュージョン部に前記転送スイッチを介し
    て接続される前記垂直方向の前記複数の光電変換素子同
    士を接続するための第２の転送スイッチを設け、前記第
    ２の転送スイッチを前記垂直走査回路から供給されるパ
    ルスによって制御することを特徴とする固体撮像装置。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載の固体撮像装置におい
    て、前記垂直走査回路は、前記パルスのタイミングを制
    御することにより、ＯＤＤ（奇数）フィールドでは、前
    記フローティングデイフュージョン部において、水平方
    向の第ｍ行と、第ｍ＋１行（ｍは奇数）の光電変換素子
    の信号を加算するように制御し、ＥＶＥＮ（偶数）フィ
    ールドでは、前記光電変換素子において、水平方向の第
    ｋ行と、第ｋ＋１行（ｋは偶数）の光電変換素子の信号
    を加算するように制御することを特徴とする固体撮像装
    置。
  11. 【請求項１１】 請求項１に記載の固体撮像装置におい
    て、前記垂直走査回路は、前記パルスを制御することに
    より、前記１つのフローティングディフュージョン部で
    加算する前記光電変換素子の信号の組み合わせを変える
    ことを特徴と する固体撮像装置。
  12. 【請求項１２】 水平方向及び垂直方向に配列された光
    電変換素子と、 １つのフローティングディフュージョン部毎に複数の前
    記光電変換素子をそれぞれ転送スイッチを介して接続し
    た、複数の前記フローティングディフュージョン部と、 前記転送スイッチを介して前記光電変換素子からの信号
    が、前記フローティングディフュージョン部に転送され
    る異によって生じる前記フローティングディフュージョ
    ン部のレベル変化が読み出される垂直出力線と、 前記光電変換素子からの信号を前記垂直出力線へ読み出
    すためのタイミングを制御するためのパルスを供給する
    ための垂直走査回路と、 前記パルスが印加されることにより、前記フローティン
    グディフュージョン部のレベル変化を選択的に前記垂直
    出力線に読み出すための、１つのフローティングディフ
    ュージョン部毎に設けた選択スイッチと、 前記水平方向の複数の前記選択スイッチを同一タイミン
    グで制御するために、前記水平方向の複数の前記選択ス
    イッチに同一タイミングでパルスを印加するための共通
    信号線と、を有したことを特徴とする固体撮像装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の固体撮像装置にお
    いて、前記垂直走査回路は、前記光電変換素子からの信
    号が前記フローティングディフュージョン部に転送され
    ない状態において、前記フローティングディフュージョ
    ン部の第１のレベルの変化を読み出すとともに、前記光
    電変換素子からの信号が前記フローテイングデイフュー
    ジョン部に転送された状態において、前記フローテイン
    グディフュージョン部の第２のレベルの変化を読み出す
    ように制御し、 前記第１のレベルの変化によって生じる信号を蓄積する
    第１の蓄積手段と、前記第２のレベルの変化によって生
    じる信号を蓄積する第２の蓄積手段とを垂直出力線に設
    け、前記第１の蓄積手段からの信号及び前記第２の蓄積
    手段からの信号を出力する水平出力線と、 前記水平出力線に設けた前記第１の蓄積手段からの信号
    と、前記第２の蓄積手段からの信号の差分演算を行う差
    分手段と、を有することを特徴とする固体撮像装置。
  14. 【請求項１４】 請求項１２又は請求項１３に記載の固
    体撮像装置において、 前記垂直走査回路は、前記パルスのタイミングを制御す
    ることにより、１つの光電変換素子からの信号による前
    記フローティングディフュージョン部のレベル変化の読
    み出しと、前記複数の光電変換素子内の少なくとも２つ
    以上の光電変換素子からの信号の加算信号による前記フ
    ローティングディフュージョン部のレベル変化の読み出
    しと、を行うように制御することを特徴とする固体撮像
    装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１２又は請求項１３に記載の固
    体撮像装置において、それぞれの前記光電変換素子にお
    ける、前記垂直方向の両方向に隣接する光電変換素子と
    の信号の加算が前記フローティングディフュージョン部
    において行えるように、前記転送スイッチは、前記光電
    変換素子と、前記フローティングディフュージョン部と
    を接続した構成であることを特徴とする固体撮像装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１５に記載の固体撮像装置にお
    いて、前記垂直走査回路は、前記パルスを前記転送スイ
    ッチに供給・制御することにより、前記フローティング
    ディフュージョン部において、ＯＤＤ（奇数）フィール
    ドでは、前記水平方向の第ｍ行と、第ｍ＋１行（ｍは奇
    数）の光電変換素子の信号を加算するように制御し、Ｅ
    ＶＥＮ（偶数）フィールドでは、前記水平方向の第ｋ行
    と、第ｋ＋１行（ｋは偶数）の光電変換素子の信号を加
    算するように制御することを特徴とする固体撮像装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１２又は請求項１３に記載の固
    体撮像装置において、１つの前記フローティングディフ
    ュージョン部毎に、垂直方向に隣接する複数の前記光電
    変換素子がそれぞれ前記転送スイッチを介して接続さ
    れ、異なる前記フローティングディフュージョン部に前
    記転送スイッチを介して接続される垂直方向の複数の光
    電変換素子同士を接続するための第２の転送スイッチを
    設け、前記第２の転送スイッチを前記垂直走査回路から
    供給される前記パルスによって制御することを特徴とす
    る固体撮像装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１７に記載の固体撮像装置にお
    いて、前記垂直走査回路は、前記パルスのタイミングを
    制御することにより、前記複数のフローティングディフ
    ュージョン部において、ＯＤＤ（奇数）フィールドで
    は、前記フロー ティングディフュージョン部において、
    前記水平方向の第ｍ行と、第ｍ＋１行（ｍは奇数）の光
    電変換素子の信号を加算するように制御し、ＥＶＥＮ
    （偶数）フィールドでは、前記光電変換素子において、
    前記水平方向の第ｋ行と、第ｋ＋１行（ｋは偶数）の光
    電変換素子の信号を加算するように前記第２のスイッチ
    を導通制御することを特徴とする固体撮像装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１又は請求項１４に記載の固体
    撮像装置おいて、前記１つのフローテイングデイフュー
    ジョン部に前記転送スイッチを介して接続されている前
    記複数の光電変換素子は、２つであることを特徴とする
    固体撮像装置。
JP7197471A 1995-08-02 1995-08-02 固体撮像装置と画像撮像装置 Expired - Fee Related JP3031606B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7197471A JP3031606B2 (ja) 1995-08-02 1995-08-02 固体撮像装置と画像撮像装置
ES96305660T ES2218571T3 (es) 1995-08-02 1996-07-31 Captador de imagenes en estado solido.
DE69631932T DE69631932T2 (de) 1995-08-02 1996-07-31 Halbleiter-Bildaufnahmevorrichtung
EP96305660A EP0757476B1 (en) 1995-08-02 1996-07-31 Solid state image pickup apparatus
US08/934,561 US5955753A (en) 1995-08-02 1997-09-22 Solid-state image pickup apparatus and image pickup apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7197471A JP3031606B2 (ja) 1995-08-02 1995-08-02 固体撮像装置と画像撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0946596A JPH0946596A (ja) 1997-02-14
JP3031606B2 true JP3031606B2 (ja) 2000-04-10

Family

ID=16375041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7197471A Expired - Fee Related JP3031606B2 (ja) 1995-08-02 1995-08-02 固体撮像装置と画像撮像装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5955753A (ja)
EP (1) EP0757476B1 (ja)
JP (1) JP3031606B2 (ja)
DE (1) DE69631932T2 (ja)
ES (1) ES2218571T3 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10020333B2 (en) 2016-05-10 2018-07-10 Seiko Epson Corporation Solid-state imaging device

Families Citing this family (184)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3432051B2 (ja) * 1995-08-02 2003-07-28 キヤノン株式会社 光電変換装置
EP0845900B1 (en) 1995-08-11 2002-11-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Image system, solid-state imaging device semiconductor integrated circuit
JP3845449B2 (ja) 1995-08-11 2006-11-15 株式会社東芝 Ｍｏｓ型固体撮像装置
JP3838665B2 (ja) * 1995-08-11 2006-10-25 株式会社 東芝 Ｍｏｓ型固体撮像装置
US7199410B2 (en) * 1999-12-14 2007-04-03 Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba Pixel structure with improved charge transfer
US6815791B1 (en) * 1997-02-10 2004-11-09 Fillfactory Buried, fully depletable, high fill factor photodiodes
US6160281A (en) * 1997-02-28 2000-12-12 Eastman Kodak Company Active pixel sensor with inter-pixel function sharing
JP3911788B2 (ja) * 1997-03-10 2007-05-09 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法
US6107655A (en) 1997-08-15 2000-08-22 Eastman Kodak Company Active pixel image sensor with shared amplifier read-out
US6055322A (en) * 1997-12-01 2000-04-25 Sensor, Inc. Method and apparatus for illuminating and imaging eyes through eyeglasses using multiple sources of illumination
JP3496918B2 (ja) * 1997-12-26 2004-02-16 キヤノン株式会社 固体撮像装置
EP0928103A3 (en) * 1997-12-31 2000-08-02 Texas Instruments Incorporated CMOS imaging sensors
JPH11261046A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Canon Inc 固体撮像装置
JP3571909B2 (ja) * 1998-03-19 2004-09-29 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP3103064B2 (ja) * 1998-04-23 2000-10-23 松下電子工業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US6977684B1 (en) 1998-04-30 2005-12-20 Canon Kabushiki Kaisha Arrangement of circuits in pixels, each circuit shared by a plurality of pixels, in image sensing apparatus
KR19990084630A (ko) 1998-05-08 1999-12-06 김영환 씨모스 이미지 센서 및 그 구동 방법
DE19821974B4 (de) * 1998-05-18 2008-04-10 Schwarte, Rudolf, Prof. Dr.-Ing. Vorrichtung und Verfahren zur Erfassung von Phase und Amplitude elektromagnetischer Wellen
JP4200545B2 (ja) * 1998-06-08 2008-12-24 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム
US6215165B1 (en) * 1998-06-17 2001-04-10 Intel Corporation Reduced leakage trench isolation
JP3164069B2 (ja) 1998-07-21 2001-05-08 日本電気株式会社 固体撮像装置
US6956605B1 (en) 1998-08-05 2005-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
US6239456B1 (en) 1998-08-19 2001-05-29 Photobit Corporation Lock in pinned photodiode photodetector
JP2000078473A (ja) 1998-08-31 2000-03-14 Canon Inc 光電変換装置
US7015964B1 (en) 1998-11-02 2006-03-21 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device and method of resetting the same
JP3011207B1 (ja) * 1998-11-06 2000-02-21 日本電気株式会社 イメージセンサ
KR100344505B1 (ko) * 1998-11-30 2002-07-24 가부시끼가이샤 도시바 고체 이미징 장치
US6654057B1 (en) * 1999-06-17 2003-11-25 Micron Technology, Inc. Active pixel sensor with a diagonal active area
WO2001010117A1 (en) * 1999-07-29 2001-02-08 Vision - Sciences Inc. Multi-photodetector unit cell
US6693670B1 (en) * 1999-07-29 2004-02-17 Vision - Sciences, Inc. Multi-photodetector unit cell
JP3624140B2 (ja) * 1999-08-05 2005-03-02 キヤノン株式会社 光電変換装置およびその製造方法、デジタルスチルカメラ又はデジタルビデオカメラ
JP3774597B2 (ja) 1999-09-13 2006-05-17 キヤノン株式会社 撮像装置
EP2244295B1 (en) * 1999-10-05 2011-12-21 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device
US6812963B1 (en) * 1999-10-29 2004-11-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Focus and exposure measurement in digital camera using charge binning
US6867806B1 (en) * 1999-11-04 2005-03-15 Taiwan Advanced Sensors Corporation Interlace overlap pixel design for high sensitivity CMOS image sensors
JP3467013B2 (ja) 1999-12-06 2003-11-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US6995800B2 (en) * 2000-01-27 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus utilizing a plurality of converging lenses
US7092021B2 (en) 2000-02-22 2006-08-15 Micron Technology, Inc. Frame shuttering scheme for increased frame rate
US6960817B2 (en) 2000-04-21 2005-11-01 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device
JP3658278B2 (ja) 2000-05-16 2005-06-08 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびそれを用いた固体撮像システム
TW516184B (en) * 2000-06-20 2003-01-01 Pixelplus Co Ltd CMOS active pixel for improving sensitivity
JP2004507910A (ja) 2000-07-05 2004-03-11 ビジョン−サイエンシズ・インコーポレーテッド ダイナミック・レンジ圧縮方法
JP3585219B2 (ja) 2000-08-25 2004-11-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
US6759641B1 (en) 2000-09-27 2004-07-06 Rockwell Scientific Licensing, Llc Imager with adjustable resolution
WO2002037837A1 (en) 2000-10-30 2002-05-10 Simon Fraser University Active pixel sensor with built in self-repair and redundancy
AU2002221005A1 (en) * 2000-11-27 2002-06-03 Vision Sciences, Inc. Programmable resolution cmos image sensor
JP4500434B2 (ja) 2000-11-28 2010-07-14 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム、並びに撮像方法
JP2002252338A (ja) * 2000-12-18 2002-09-06 Canon Inc 撮像装置及び撮像システム
JP3962561B2 (ja) * 2001-07-12 2007-08-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム
JP2003057113A (ja) * 2001-08-13 2003-02-26 Canon Inc 光電変換装置、測光センサ及び撮像装置
JP3870088B2 (ja) * 2001-12-26 2007-01-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びシステム
JP4086514B2 (ja) * 2002-02-13 2008-05-14 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像装置
JP4027113B2 (ja) * 2002-02-19 2007-12-26 キヤノン株式会社 撮像装置及びシステム
JP3720036B2 (ja) * 2002-10-11 2005-11-24 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 Ｃｍｏｓイメージセンサ
US7489352B2 (en) * 2002-11-15 2009-02-10 Micron Technology, Inc. Wide dynamic range pinned photodiode active pixel sensor (APS)
JP3988189B2 (ja) 2002-11-20 2007-10-10 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP4248256B2 (ja) * 2003-01-07 2009-04-02 パナソニック株式会社 固体撮像装置
CN100362854C (zh) 2003-02-13 2008-01-16 松下电器产业株式会社 固体摄像装置、其驱动方法及使用它的照相机
JP4228947B2 (ja) 2003-05-20 2009-02-25 日産自動車株式会社 撮像装置
US7105793B2 (en) * 2003-07-02 2006-09-12 Micron Technology, Inc. CMOS pixels for ALC and CDS and methods of forming the same
US7859581B2 (en) 2003-07-15 2010-12-28 Eastman Kodak Company Image sensor with charge binning and dual channel readout
JP2005050951A (ja) 2003-07-31 2005-02-24 Toshiba Corp 固体撮像装置および電荷転送装置
US7227692B2 (en) * 2003-10-09 2007-06-05 Micron Technology, Inc Method and apparatus for balancing color response of imagers
US7476562B2 (en) * 2003-10-09 2009-01-13 Aptina Imaging Corporation Gapless microlens array and method of fabrication
US7332786B2 (en) * 2003-11-26 2008-02-19 Micron Technology, Inc. Anti-blooming storage pixel
JP4071190B2 (ja) 2003-12-02 2008-04-02 シャープ株式会社 増幅型固体撮像装置およびその駆動方法
JP4371797B2 (ja) * 2003-12-12 2009-11-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 固体撮像装置
CN1910910B (zh) * 2004-01-13 2010-09-08 松下电器产业株式会社 固体摄像器件及使用它的摄像机
JP4051034B2 (ja) * 2004-01-28 2008-02-20 シャープ株式会社 増幅型固体撮像装置およびその駆動方法
US7087883B2 (en) 2004-02-04 2006-08-08 Omnivision Technologies, Inc. CMOS image sensor using shared transistors between pixels with dual pinned photodiode
JP4086798B2 (ja) 2004-02-25 2008-05-14 シャープ株式会社 増幅型固体撮像装置
KR100871688B1 (ko) * 2004-02-27 2008-12-08 삼성전자주식회사 고체 촬상 장치 및 그 구동 방법
US7332703B2 (en) * 2004-03-22 2008-02-19 Micron Technology, Inc. Imaging structure including a pixel with multiple signal readout circuits and methods of operation for imaging structure
JP4074599B2 (ja) 2004-03-26 2008-04-09 シャープ株式会社 増幅型固体撮像装置
JP4403387B2 (ja) 2004-04-26 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
JP4230406B2 (ja) 2004-04-27 2009-02-25 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
US7385636B2 (en) * 2004-04-30 2008-06-10 Eastman Kodak Company Low noise sample and hold circuit for image sensors
US7582876B2 (en) 2004-05-05 2009-09-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electronic device with an array of processing units
WO2005122555A1 (fr) * 2004-06-09 2005-12-22 Via Technologies, Inc. Fonctionnement d'un bloc capteur d'images et un dispositif capteur d'images equipe d'un tel bloc
JP2006005711A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Iwate Toshiba Electronics Co Ltd Ｃｍｏｓイメージセンサ
JP4229884B2 (ja) * 2004-07-29 2009-02-25 シャープ株式会社 増幅型固体撮像装置
JP2006042121A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Sharp Corp 増幅型固体撮像装置
JP2006049611A (ja) * 2004-08-05 2006-02-16 Iwate Toshiba Electronics Co Ltd Ｃｍｏｓイメージセンサ
JP4971586B2 (ja) 2004-09-01 2012-07-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5089017B2 (ja) 2004-09-01 2012-12-05 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び固体撮像システム
US20060125947A1 (en) * 2004-12-09 2006-06-15 Packer Jimmy L Imaging with clustered photosite arrays
KR100680469B1 (ko) 2005-01-31 2007-02-08 매그나칩 반도체 유한회사 인접한 화소들 사이의 센싱노드들이 공유된 씨모스 이미지센서
US7750958B1 (en) 2005-03-28 2010-07-06 Cypress Semiconductor Corporation Pixel structure
US7808022B1 (en) 2005-03-28 2010-10-05 Cypress Semiconductor Corporation Cross talk reduction
JP4561439B2 (ja) * 2005-03-30 2010-10-13 株式会社デンソー 撮像装置
JP4340660B2 (ja) * 2005-04-14 2009-10-07 シャープ株式会社 増幅型固体撮像装置
JP4340640B2 (ja) 2005-04-20 2009-10-07 シャープ株式会社 増幅型固体撮像装置
JP4518996B2 (ja) * 2005-04-22 2010-08-04 シャープ株式会社 固体撮像装置の製造方法および電子情報装置
JP4708849B2 (ja) * 2005-04-28 2011-06-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置の駆動方法
US7830437B2 (en) * 2005-05-11 2010-11-09 Aptina Imaging Corp. High fill factor multi-way shared pixel
US7446357B2 (en) * 2005-05-11 2008-11-04 Micron Technology, Inc. Split trunk pixel layout
US7705900B2 (en) * 2005-06-01 2010-04-27 Eastman Kodak Company CMOS image sensor pixel with selectable binning and conversion gain
JP2006345330A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Hitachi Medical Corp 撮像装置
US7728896B2 (en) * 2005-07-12 2010-06-01 Micron Technology, Inc. Dual conversion gain gate and capacitor and HDR combination
US7468532B2 (en) * 2005-07-12 2008-12-23 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus providing capacitor on an electrode of an imager photosensor
JP2007028339A (ja) 2005-07-19 2007-02-01 Canon Inc 撮像装置及びその制御方法及びプログラム及び記憶媒体
US7432540B2 (en) * 2005-08-01 2008-10-07 Micron Technology, Inc. Dual conversion gain gate and capacitor combination
US20070035649A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Micron Technology, Inc. Image pixel reset through dual conversion gain gate
US7511323B2 (en) * 2005-08-11 2009-03-31 Aptina Imaging Corporation Pixel cells in a honeycomb arrangement
US20070040922A1 (en) * 2005-08-22 2007-02-22 Micron Technology, Inc. HDR/AB on multi-way shared pixels
US7804117B2 (en) * 2005-08-24 2010-09-28 Aptina Imaging Corporation Capacitor over red pixel
US7800146B2 (en) * 2005-08-26 2010-09-21 Aptina Imaging Corporation Implanted isolation region for imager pixels
US7714917B2 (en) * 2005-08-30 2010-05-11 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus providing a two-way shared storage gate on a four-way shared pixel
JP4486015B2 (ja) 2005-09-13 2010-06-23 パナソニック株式会社 固体撮像装置
EP1781015A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-02 Thomson Licensing S.A. Method for controlling an image sensor
JP2007129581A (ja) * 2005-11-04 2007-05-24 Canon Inc 撮像装置及び撮像システム
TWI342618B (en) * 2005-11-07 2011-05-21 Sharp Kk Solid-state image capturing device, manufacturing method for the same and electronic information device
JP4723994B2 (ja) * 2005-12-19 2011-07-13 株式会社東芝 固体撮像装置
JP2007175294A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc イメージセンサ及びその制御方法並びにｘ線検出器及びｘ線ｃｔ装置
KR100738551B1 (ko) * 2006-01-17 2007-07-11 삼성전자주식회사 화상형성기기의 히터롤러
JP4649623B2 (ja) * 2006-01-18 2011-03-16 国立大学法人静岡大学 固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法
JP4948089B2 (ja) * 2006-08-25 2012-06-06 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法
US8026966B2 (en) 2006-08-29 2011-09-27 Micron Technology, Inc. Method, apparatus and system providing a storage gate pixel with high dynamic range
KR100808014B1 (ko) * 2006-09-11 2008-02-28 (주)실리콘화일 3개의 트랜지스터를 구비하는 단위픽셀 및 이를 구비하는픽셀 어레이
US8049256B2 (en) 2006-10-05 2011-11-01 Omnivision Technologies, Inc. Active pixel sensor having a sensor wafer connected to a support circuit wafer
EP1919191A1 (en) * 2006-11-06 2008-05-07 Dialog Imaging Systems GmbH On chip test mode implementation
JP2008205659A (ja) * 2007-02-17 2008-09-04 Nikon Corp 固体撮像素子
EP1976264A1 (en) * 2007-03-28 2008-10-01 Dialog Imaging Systems GmbH Photon transfer curve test time reduction
US8009211B2 (en) 2007-04-03 2011-08-30 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing apparatus and image capturing system
JP2008258885A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Texas Instr Japan Ltd 撮像装置および撮像装置の駆動方法
WO2008124605A1 (en) * 2007-04-04 2008-10-16 Texas Instruments Incorporated Imaging device and imaging device drive method
JP5028154B2 (ja) 2007-06-20 2012-09-19 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法
JP2009021809A (ja) 2007-07-11 2009-01-29 Canon Inc 撮像装置の駆動方法、撮像装置、及び撮像システム
JP5262028B2 (ja) 2007-09-10 2013-08-14 ソニー株式会社 イメージセンサおよび制御方法
JP4720813B2 (ja) * 2007-10-19 2011-07-13 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP4367963B2 (ja) * 2007-10-24 2009-11-18 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置の駆動方法
JP5153378B2 (ja) * 2008-02-15 2013-02-27 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
JP5221982B2 (ja) 2008-02-29 2013-06-26 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
US7858915B2 (en) 2008-03-31 2010-12-28 Eastman Kodak Company Active pixel sensor having two wafers
JP4582198B2 (ja) 2008-05-30 2010-11-17 ソニー株式会社 固体撮像装置、撮像装置、固体撮像装置の駆動方法
JP2010016056A (ja) 2008-07-01 2010-01-21 Canon Inc 光電変換装置
US8264581B2 (en) 2008-07-17 2012-09-11 Microsoft International Holdings B.V. CMOS photogate 3D camera system having improved charge sensing cell and pixel geometry
JP5317562B2 (ja) 2008-07-17 2013-10-16 キヤノン株式会社 位相差検出装置、撮像装置、位相差検出方法、位相差検出プログラム
JP5276374B2 (ja) 2008-07-25 2013-08-28 キヤノン株式会社 焦点検出装置
EP2154879A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-17 Thomson Licensing CMOS image sensor with selectable hard-wired binning
US8476567B2 (en) 2008-09-22 2013-07-02 Semiconductor Components Industries, Llc Active pixel with precharging circuit
JP5322561B2 (ja) 2008-09-25 2013-10-23 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法
JP5408954B2 (ja) 2008-10-17 2014-02-05 キヤノン株式会社 撮像装置、及び撮像システム
JP5237059B2 (ja) 2008-11-14 2013-07-17 キヤノン株式会社 焦点検出装置及び方法、及び撮像装置
JP5302663B2 (ja) 2008-12-24 2013-10-02 キヤノン株式会社 焦点検出装置及び方法、及び撮像装置
JP5455397B2 (ja) 2009-03-02 2014-03-26 キヤノン株式会社 光学機器
JP5478935B2 (ja) 2009-05-12 2014-04-23 キヤノン株式会社 撮像装置
JP2011015219A (ja) * 2009-07-02 2011-01-20 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP5173954B2 (ja) 2009-07-13 2013-04-03 キヤノン株式会社 画像処理装置及び画像処理方法
JP5359636B2 (ja) 2009-07-17 2013-12-04 リコーイメージング株式会社 焦点検出装置
US8488025B2 (en) * 2009-10-20 2013-07-16 AltaSens, Inc Sub-frame tapered reset
JP2010034576A (ja) * 2009-10-30 2010-02-12 Renesas Technology Corp 撮像装置
JP2011114292A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法、並びに撮像装置、並びに半導体素子及びその製造方法
JP5422362B2 (ja) * 2009-12-15 2014-02-19 株式会社東芝 固体撮像装置
JP5091964B2 (ja) * 2010-03-05 2012-12-05 株式会社東芝 固体撮像装置
US20130068932A1 (en) * 2010-06-01 2013-03-21 Boly Media Communications (Shenzen) Co., Ltd. Photosensitive devices and methods and circuits for reading the same
JP5511541B2 (ja) 2010-06-24 2014-06-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
US8445828B2 (en) 2010-07-01 2013-05-21 Silicon Optronics, Inc. High dynamic range image sensor with in pixel memory
JP5763474B2 (ja) 2010-08-27 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光センサ
JP5578993B2 (ja) 2010-08-27 2014-08-27 キヤノン株式会社 光電変換装置、焦点検出装置、および撮像システム
JP5645553B2 (ja) 2010-08-30 2014-12-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP4821921B2 (ja) * 2010-09-03 2011-11-24 ソニー株式会社 固体撮像装置および電子機器
CN102158663B (zh) * 2011-04-15 2013-09-11 北京思比科微电子技术股份有限公司 Cmos图像传感器像素及其控制时序
JP5956782B2 (ja) 2011-05-26 2016-07-27 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
JP5885403B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-15 キヤノン株式会社 撮像装置
KR101962261B1 (ko) * 2011-07-15 2019-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
JP5885431B2 (ja) 2011-08-29 2016-03-15 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
JP5518025B2 (ja) * 2011-10-14 2014-06-11 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像装置
JP5914055B2 (ja) 2012-03-06 2016-05-11 キヤノン株式会社 撮像装置
JP6103859B2 (ja) 2012-09-05 2017-03-29 キヤノン株式会社 光電変換装置
CN102856339B (zh) * 2012-09-24 2015-09-02 北京思比科微电子技术股份有限公司 Cmos图像传感器列共享像素单元及像素阵列
WO2014118868A1 (ja) * 2013-01-30 2014-08-07 パナソニック株式会社 撮像装置及び固体撮像装置
JP5569760B2 (ja) * 2013-03-06 2014-08-13 ソニー株式会社 イメージセンサおよび制御方法
JP6207243B2 (ja) * 2013-06-07 2017-10-04 キヤノン株式会社 測距装置、撮像装置及び測距装置の制御方法
US9654714B2 (en) 2013-11-01 2017-05-16 Silicon Optronics, Inc. Shared pixel with fixed conversion gain
JP2015142351A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム
JP6274904B2 (ja) 2014-02-25 2018-02-07 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP6525539B2 (ja) * 2014-10-08 2019-06-05 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
JP2017085065A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE102016122658B4 (de) * 2015-12-04 2021-07-15 Canon Kabushiki Kaisha Abbildungsvorrichtung und Abbildungssystem
JP2018022935A (ja) * 2016-08-01 2018-02-08 ソニー株式会社 撮像装置、および、撮像装置の制御方法
JP7014734B2 (ja) 2016-12-08 2022-02-01 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 固体撮像装置および撮像装置
US10616519B2 (en) 2016-12-20 2020-04-07 Microsoft Technology Licensing, Llc Global shutter pixel structures with shared transfer gates
US10389957B2 (en) 2016-12-20 2019-08-20 Microsoft Technology Licensing, Llc Readout voltage uncertainty compensation in time-of-flight imaging pixels

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0232593B1 (en) * 1985-11-15 1994-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric transducer apparatus
US5220170A (en) * 1985-12-11 1993-06-15 General Imaging Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
JP3050583B2 (ja) * 1990-10-17 2000-06-12 ソニー株式会社 固体撮像装置
US5376813A (en) * 1993-06-02 1994-12-27 California Institute Of Technology Adaptive photoreceptor including adaptive element for long-time-constant continuous adaptation with low offset and insensitivity to light
US5631704A (en) * 1994-10-14 1997-05-20 Lucent Technologies, Inc. Active pixel sensor and imaging system having differential mode

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ｓｕｎｅｔｒａ Ｍｅｎｄｉｓ ｅｔ ａｌ"ＣＭＯＳ Ａｃｔｉｖｅ Ｐｉｘｅｌ Ｉｍａｇｅ Ｓｅｎｓｏｒ"ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ Ｖｏｌ．４１，Ｎｏ．３，ＰＰ４５２−４５３（ＭＡＲＣＨ １９９４）

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10020333B2 (en) 2016-05-10 2018-07-10 Seiko Epson Corporation Solid-state imaging device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0757476B1 (en) 2004-03-24
EP0757476A3 (en) 1998-04-22
JPH0946596A (ja) 1997-02-14
US5955753A (en) 1999-09-21
ES2218571T3 (es) 2004-11-16
DE69631932D1 (de) 2004-04-29
EP0757476A2 (en) 1997-02-05
DE69631932T2 (de) 2005-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3031606B2 (ja) 固体撮像装置と画像撮像装置
JP4267095B2 (ja) 共有された増幅器読出しを有する能動画素画像センサ
JP5089017B2 (ja) 固体撮像装置及び固体撮像システム
EP1900191B1 (en) Cmos image sensor pixel with selectable binning
JP5267867B2 (ja) 撮像装置
JP4372789B2 (ja) ２段階変換利得イメージャ
US20080088725A1 (en) Solid-state imaging device
WO2015072575A1 (ja) 固体撮像素子および撮像装置
JP2013005396A (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
JP2000224495A (ja) 撮像装置及びそれを用いた撮像システム
JP2000350103A (ja) 光電変換装置
Mori et al. 1/4-inch 2-mpixel MOS image sensor with 1.75 transistors/pixel
JP5526342B2 (ja) 固体撮像装置
JP3919243B2 (ja) 光電変換装置
JP6702371B2 (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP6825675B2 (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP6217338B2 (ja) 固体撮像素子及び撮像装置
JP7156330B2 (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP6375613B2 (ja) 固体撮像素子及び撮像装置
JP7160129B2 (ja) 撮像素子および撮像装置
JP6760907B2 (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP2021073772A (ja) 固体撮像素子及び撮像装置
JP2013008989A (ja) 固体撮像装置及び固体撮像システム
JP2004228524A (ja) 固体撮像装置およびカメラ

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080210

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120210

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210

Year of fee payment: 14

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees