JP4086798B2 - 増幅型固体撮像装置 - Google Patents

増幅型固体撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4086798B2
JP4086798B2 JP2004049482A JP2004049482A JP4086798B2 JP 4086798 B2 JP4086798 B2 JP 4086798B2 JP 2004049482 A JP2004049482 A JP 2004049482A JP 2004049482 A JP2004049482 A JP 2004049482A JP 4086798 B2 JP4086798 B2 JP 4086798B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoelectric conversion
transfer
imaging device
state imaging
switched capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004049482A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005244435A (ja
Inventor
恭志 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2004049482A priority Critical patent/JP4086798B2/ja
Priority to EP05251102A priority patent/EP1569278A3/en
Priority to CNB2005100516764A priority patent/CN100338946C/zh
Priority to KR1020050016037A priority patent/KR100678612B1/ko
Priority to US11/067,393 priority patent/US6992341B2/en
Publication of JP2005244435A publication Critical patent/JP2005244435A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4086798B2 publication Critical patent/JP4086798B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
    • DTEXTILES; PAPER
    • D21PAPER-MAKING; PRODUCTION OF CELLULOSE
    • D21HPULP COMPOSITIONS; PREPARATION THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASSES D21C OR D21D; IMPREGNATING OR COATING OF PAPER; TREATMENT OF FINISHED PAPER NOT COVERED BY CLASS B31 OR SUBCLASS D21G; PAPER NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D21H27/00Special paper not otherwise provided for, e.g. made by multi-step processes
    • D21H27/18Paper- or board-based structures for surface covering
    • D21H27/20Flexible structures being applied by the user, e.g. wallpaper
    • DTEXTILES; PAPER
    • D21PAPER-MAKING; PRODUCTION OF CELLULOSE
    • D21HPULP COMPOSITIONS; PREPARATION THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASSES D21C OR D21D; IMPREGNATING OR COATING OF PAPER; TREATMENT OF FINISHED PAPER NOT COVERED BY CLASS B31 OR SUBCLASS D21G; PAPER NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D21H17/00Non-fibrous material added to the pulp, characterised by its constitution; Paper-impregnating material characterised by its constitution
    • D21H17/63Inorganic compounds
    • DTEXTILES; PAPER
    • D21PAPER-MAKING; PRODUCTION OF CELLULOSE
    • D21HPULP COMPOSITIONS; PREPARATION THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASSES D21C OR D21D; IMPREGNATING OR COATING OF PAPER; TREATMENT OF FINISHED PAPER NOT COVERED BY CLASS B31 OR SUBCLASS D21G; PAPER NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D21H19/00Coated paper; Coating material
    • D21H19/10Coatings without pigments
    • D21H19/14Coatings without pigments applied in a form other than the aqueous solution defined in group D21H19/12
    • D21H19/24Coatings without pigments applied in a form other than the aqueous solution defined in group D21H19/12 comprising macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • DTEXTILES; PAPER
    • D21PAPER-MAKING; PRODUCTION OF CELLULOSE
    • D21HPULP COMPOSITIONS; PREPARATION THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASSES D21C OR D21D; IMPREGNATING OR COATING OF PAPER; TREATMENT OF FINISHED PAPER NOT COVERED BY CLASS B31 OR SUBCLASS D21G; PAPER NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D21H21/00Non-fibrous material added to the pulp, characterised by its function, form or properties; Paper-impregnating or coating material, characterised by its function, form or properties
    • D21H21/14Non-fibrous material added to the pulp, characterised by its function, form or properties; Paper-impregnating or coating material, characterised by its function, form or properties characterised by function or properties in or on the paper
    • D21H21/34Ignifugeants
    • DTEXTILES; PAPER
    • D21PAPER-MAKING; PRODUCTION OF CELLULOSE
    • D21HPULP COMPOSITIONS; PREPARATION THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASSES D21C OR D21D; IMPREGNATING OR COATING OF PAPER; TREATMENT OF FINISHED PAPER NOT COVERED BY CLASS B31 OR SUBCLASS D21G; PAPER NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D21H27/00Special paper not otherwise provided for, e.g. made by multi-step processes
    • D21H27/001Release paper
    • DTEXTILES; PAPER
    • D21PAPER-MAKING; PRODUCTION OF CELLULOSE
    • D21HPULP COMPOSITIONS; PREPARATION THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASSES D21C OR D21D; IMPREGNATING OR COATING OF PAPER; TREATMENT OF FINISHED PAPER NOT COVERED BY CLASS B31 OR SUBCLASS D21G; PAPER NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D21H27/00Special paper not otherwise provided for, e.g. made by multi-step processes
    • D21H27/02Patterned paper
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/46Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Description

この発明は、増幅型固体撮像装置に関する。
従来、増幅型固体撮像装置としては、増幅機能を持たせた画素部とその画素部の周辺に配置された走査回路を有し、その走査回路により画素部から画素データを読み出すものが提案されている。特に、画素構成を周辺の駆動回路および信号処理回路と一体化するのに有利なCMOS(コンプリメンタリ・メタル・オキサイド・セミコンダクタ)により構成されたAPS(Active Pixel Sensor)型イメージセンサが知られている。
上記APS型イメージセンサは、通常1画素内に光電変換部と増幅部と画素選択部およびリセット部を形成する必要がある。このため、APS型イメージセンサには、通常フォトダイオード(PD)からなる光電変換部の他に3個〜4個のMOS型トランジスタ(Tr)が用いられている。
図8に1個のフォトダイオード(PD)と4個のMOS型トランジスタ(Tr)を用いて、PD+4Tr方式としたAPS型イメージセンサの構成を示している。このPD+4Tr方式のAPS型イメージセンサは、例えば文献「I.Inoue et al., IEDM Tech.Digest, pp883 (1999)」に開示されている。
図8に示すPD+4Tr方式のAPS型イメージセンサは、「PD」としてフォトダイオード201、「4Tr」としては、フォトダイオード201に蓄積した信号電荷を転送するための転送トランジスタ202、リセットトランジスタ231、増幅用トランジスタ232、画素選択トランジスタ233によって構成されている。ここで、フォトダイオード201を埋め込み型とし、フォトダイオード201からの信号電荷転送を完全とすれば、極めて低ノイズ化でき、高画質の画像を得ることが可能となることが知られている。
上記転送トランジスタ202の駆動パルスはφTで表し、リセットトランジスタ231の駆動パルスはφRで表し、画素選択トランジスタ233の駆動パルスはφSで表している。また、垂直信号線235は、駆動パルスφLが印加される定電流負荷トランジスタ234を介して接地され、出力信号VSを得る。なお、VDDは電源電圧(一定電圧)である。
固体撮像装置では、静止画モードでは全ての画素を独立して読み出し高い解像度を得ると共に、動画モードでは画素間で加算を行い、解像度は犠牲になるものの読み出しフレーム速度の向上や感度の向上を図ることが有用である。
しかしながら、図8に示す増幅型固体撮像装置の場合には、次のような問題が生じる。即ち、画素毎に信号電荷を電圧信号に変換して増幅した後に読み出すため、画素間での加算動作は、読み出された電圧信号間となる。従って、加算動作のためには画素部の外にアナログないしデジタルのメモリ素子が必要となり、読み出し回路構成が複雑になる。更に、この方法によるS/N向上の効果も乏しい。以下にその理由を述べる。
2つの画素P1とP2での加算を考える。各々での信号をs1,s2とする。また、光電変換部で発生するノイズをnp1,np2とし、画素内増幅部で発生するノイズをna1,na2とする。np1とnp2,na1とna2は互いに相関がなく独立であるから、全体ノイズn12は次の(式1)のようになる。
n12=√(np12+np22+na12+na22)・・・(式1)
全体の信号s12は、s1とs2の加算により次の(式2)のようになる。
s12=s1+s2・・・(式2)
光電変換部で発生するノイズを抑え、(np1,np2)<<(na1,na2)とし、P1とP2の信号が同じで発生ノイズも同等の場合を考えると、
s12=2・s1、n12=√2・na1より、
s12/n12=√2・(s1/na1)・・・(式3)
となり、S/Nの向上は√2倍に止まる。
画素間での加算動作を電圧に変換して増幅する前に行って、加算後の信号を読み出す場合を考える。
この時、加算後のノイズは、次の(式4)で表され、(式1)に比べ少なくなる。
n12=√(np12+np22+na12)・・・(式4)
他方、信号は電荷加算により(式2)で表されるから、(np1,np2)<<(na1)とし、P1とP2の信号が同じ場合を考えると、
s12=2・s1、n12=na1より、
s12/n12=2・(s1/na1)・・・(式5)
となり、S/Nの向上は2倍に達する。本動作の例を以下に示す。
図9は、複数のフォトダイオード201および転送トランジスタ202に対して、共通の信号電荷蓄積部208、リセットトランジスタ231、増幅用トランジスタ232および画素選択トランジスタ233を設けた増幅型固体撮像装置である(例えば、特開平9−46596号公報(特許文献1)参照)。
図9において、図8と同じ記号は同じ内容を表す。図8との相違は、電荷検出部208、リセットトランジスタ231、増幅用トランジスタ232および画素選択トランジスタ233が、上下2画素に共通に1組で構成されている点である。これにより、(m,1)行目の画素用転送トランジスタ202の駆動パルスφT(m,1)と、(m,2)行目の画素用転送トランジスタ202の駆動パルスφT(m,2)とを、同時にオンすれば、上下2画素のフォトダイオード201の信号電荷を加算して読み出すことができる。
しかしながら、図9に示す増幅型固体撮像装置の構成および動作において、次のような問題が生じる。即ち、フォトダイオード201からの信号電荷Qsigを電圧信号Vsigに変換する電荷電圧変換効率ηは、共通の信号電荷蓄積部208の容量をCFDとすると、
η = GSF・Vsig/Qsig = GSF/CFD・・・(式6)
となる。ここで、GSFは増幅用トランジスタ232と定電流負荷トランジスタ234とで構成されるソースフォロワ回路のゲインであり、1より小さい値となる。
上記(式6)から明らかなように、電荷電圧変換効率ηを大きくするには、容量CFDを小さくする必要がある。上記共通の信号電荷蓄積部208の容量CFDは、信号電荷蓄積部208に接続された転送トランジスタ202のドレイン側接合容量と増幅トランジスタ232のゲート容量との和である。従って、共通の信号電荷蓄積部に接続されるフォトダイオードおよび転送トランジスタの数が多くなる程、転送トランジスタのドレイン接合容量や配線容量が増大するために、電荷電圧変換効率ηが低下するという問題がある。
特開平9−46596号公報
そこで、この発明は、このような問題を解決するものであり、その目的は、画素内で信号電荷同士の加算を行い、読み出し回路に負担をかけず加算動作が可能となると共に、加算によるS/N向上効果を高めることができるだけでなく、加算構造においても電荷電圧変換効率を高く保つことが可能な増幅型固体撮像装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、この発明の増幅型固体撮像装置は、
光電変換素子と上記光電変換素子の信号電荷を転送する転送トランジスタとを有する光電変換転送部が画素毎に設けられた増幅型固体撮像装置であって、
上記画素毎に設けられた光電変換転送部が少なくとも二つ以上の所定数毎に光電変換転送部群を構成し、
上記光電変換転送部群に夫々設けられ、上記光電変換転送部群の各転送トランジスタの出力側に入力側が接続され、出力側が信号線に接続された複数のスイッチトキャパシタアンプ部と、
上記光電変換転送部群内の全ての上記光電変換転送部の内、複数の上記光電変換転送部を選択して、この選択された複数の光電変換転送部の転送トランジスタを介してこの選択された複数の光電変換転送部の光電変換素子の信号電荷を共に上記スイッチトキャパシタアンプ部入力側へ転送することにより上記複数の信号電荷の加算を行って、この加算された信号電荷を上記スイッチトキャパシタアンプ部により読み出す動作を繰り返すように、上記転送トランジスタと上記スイッチトキャパシタアンプ部を制御する制御部と
を備え
上記光電変換転送部群は、マトリクス状に配列され、
上記光電変換転送部は、一つの光電変換素子と、この一つの光電変換素子の信号電荷を転送する奇数フィールド用転送トランジスタおよび偶数フィールド用転送トランジスタとを有し、上記光電変換素子の出力側に、上記奇数フィールド用転送トランジスタの入力側と上記偶数フィールド用転送トランジスタの入力側とが接続され、
上記スイッチトキャパシタアンプ部は、上記奇数フィールド用転送トランジスタの出力側に入力側が接続される奇数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部と、上記偶数フィールド用転送トランジスタの出力側に入力側が接続される偶数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部とを含み、
上記奇数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部は、反転増幅器と、この反転増幅器の入出力間に挿入されたリセットトランジスタおよびキャパシタンス素子と、上記反転増幅器の出力側と上記信号線との間に挿入された選択トランジスタとを有し、上記反転増幅器の入力側は、上記光電変換転送部群の各奇数フィールド用転送トランジスタの出力側に接続され、
上記偶数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部は、反転増幅器と、この反転増幅器の入出力間に挿入されたリセットトランジスタおよびキャパシタンス素子と、上記反転増幅器の出力側と上記信号線との間に挿入された選択トランジスタとを有し、上記反転増幅器の入力側は、上記光電変換転送部群の各偶数フィールド用転送トランジスタの出力側に接続され、
上記制御部は、上記奇数フィールド用転送トランジスタと上記奇数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部を制御する奇数フィールド用制御部と、上記偶数フィールド用転送トランジスタと上記偶数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部を制御する偶数フィールド用制御部とを含み、
上記奇数フィールド用制御部と上記偶数フィールド用制御部は、上記奇数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部側に加算される光電変換素子の行方向の組み合わせと、上記偶数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部側に加算される光電変換素子の行方向の組み合わせとを、行方向に一つずらすことにより、インターレース読み出しすることを特徴としている。
この発明の増幅型固体撮像装置によれば、複数の光電変換素子の信号電荷が、転送トランジスタを介して、上記スイッチトキャパシタアンプ部の入力側にて加算される。これは、電荷による加算であり、S/N向上の効果が大きい。また、画素部での加算動作であり、読み出し回路が複雑になることはない。更に、上記増幅回路(アンプ)をスイッチトキャパシタ型とすることにより、上記スイッチトキャパシタアンプ部の入力側の信号電荷蓄積部の容量を実効的に低減することが可能となり、電荷電圧変換ゲインを高めることができる。また、上記光電変換転送部群内の全ての上記光電変換転送部の内、複数の上記光電変換転送部を選択して、この選択された光電変換転送部の光電変換素子の信号電荷を加算するので、画素(光電変換素子)の組み合わせを様々に選択できて、応用範囲の広いものになる。また、フィールド毎に加算する画素の組み合わせを1水平行ずらす(すなわち、行方向に一つずらす)ことにより、インターレース読み出ししているので、特にカラー素子において困難であったインターレース読み出しが可能となる。
また、一実施形態の増幅型固体撮像装置では、上記制御部は、上記信号電荷の加算を行う加算動作モードと、上記信号電荷の加算を行わずに上記各光電変換素子の信号電荷を独立に読み出す独立動作モードと、に切り替え可能である。
この一実施形態の増幅型固体撮像装置によれば、上記制御部の駆動方法を変えるのみで、加算動作をせず高い解像度を確保する独立動作モードと、加算して解像度は犠牲にするが高いフレーム読み出し速度および感度の向上を確保する加算動作モードとが選択可能となる。
また、一実施形態の増幅型固体撮像装置では、上記各光電変換素子は、埋め込み型のフォトダイオードであることが望ましい。
また、一実施形態の増幅型固体撮像装置では、上記各光電変換素子は、複数の色特性の何れかを有し、上記加算される光電変換素子は、各々、同一の色特性を有する。
この一実施形態の増幅型固体撮像装置によれば、カラー固体撮像装置となり、カラー素子においても画素加算が可能となり、特に原色系のカラー素子において、同じ色の信号量を高めることにより、感度を増大することができる。
また、一実施形態の増幅型固体撮像装置では、上記各光電変換素子は、複数の色特性の何れかを有し、上記加算される光電変換素子は、各々、特定の複数種類の組み合わせからなる異なる色特性を有する。
この一実施形態の増幅型固体撮像装置によれば、カラー固体撮像装置となり、カラー素子においても画素加算が可能となり、特に補色系のカラー素子において、特定の組み合わせの色信号同士の加算により、必要なカラー信号を高めることにより、感度を増大することができる。
この発明の増幅型固体撮像装置によれば、複数の光電変換素子の信号電荷が、転送トランジスタを介して、上記スイッチトキャパシタアンプ部の入力側にて電荷加算されるので、S/N向上の効果が大きくなる。また、画素部での加算動作であり、読み出し回路が複雑になることはない。更に、上記増幅回路をスイッチトキャパシタ型とすることにより、上記スイッチトキャパシタアンプ部の入力側の信号電荷蓄積部の容量を実効的に低減することが可能となり、電荷電圧変換ゲインを高めることができる。また、駆動方法を変えるのみで、加算動作をせず高い解像度を確保する動作モードと、加算して解像度は犠牲にするが高いフレーム読み出し速度および感度の向上を確保する動作モードとが選択可能となる。
以上により、高い解像度の静止画と、高感度および高速の動画とを、切り替え可能なイメージセンサの形成に本発明は極めて有用となる。
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図1A〜図1Cは、本発明の一実施形態である増幅型固体撮像装置の一例として2次元増幅型固体撮像装置を示す。図1Aは、画素加算の一例を示す説明図であり、図1Bは、画素加算の他の例を示す説明図であり、図1Cは、増幅型固体撮像装置の回路図である。
図1Aは、緑(G)、赤(R)、青(B)の3原色からなるベーヤー配列カラーフィルタにおいて、同じ色同士を上下2つの画素30,30で加算する方法の一例であり、1つ置きの加算動作となる。
図1Bは、イェロー(Ye)、シアン(Cy)、マゼンタ(Ma)の補色、及び緑(G)からなるカラーフィルタにおいて、特定の色の組み合わせ同士を上下2つの画素30,30で加算する方法の一例であり、
[Ye+G,Cy+Ma]行 ---> 輝度+色差信号(2B−G)
[Cy+G,Ye+Ma]行 ---> 輝度+色差信号(2R−G)
を1H周期で交互に得ることができる。これにより、必要なカラー信号を得ることができる。
図1Aおよび図1Bに示す画素加算を実現するための回路は、図1Cに示すように、全ての画素30毎に存在する光電変換転送部10と、この光電変換転送部10からの信号電荷を電圧に変換して増幅するスイッチトキャパシタアンプ部20と、上記光電変換転送部10および上記スイッチトキャパシタアンプ部20を制御する制御部の一例としての垂直走査回路25とを備える。
図1Cでは、複数行および複数列の光電変換転送部10のうちのj列目とj+1列目の2列のみを示しており、各列においてk個の光電変換転送部10毎に構成された光電変換転送部群にスイッチトキャパシタアンプ部20を接続している。ここで、kは2以上の整数であり、図1Cではk=4の例を示している。
上記光電変換転送部10は、アノードがグランドに接続された光電変換素子の一例としてのフォトダイオード1と、上記フォトダイオード1のカソードにドレインが接続された転送トランジスタ2とを有する。
上記スイッチトキャパシタアンプ部20は、反転増幅器3と、この反転増幅器3の入出力間に挿入されたリセットトランジスタ5および(キャパシタンス素子の一例としての)キャパシタ4と、上記反転増幅器3の出力側と垂直信号線7との間に挿入された選択トランジスタ6とを有する。
上記反転増幅器3の入力側は、4個の光電変換転送部10の出力側(すなわち、転送トランジスタ2のソース)が共通接続された信号電荷蓄積部8となる。すなわち、この信号電荷蓄積部8は、スイッチトキャパシタアンプ部20の入力端から各転送トランジスタ2の出力側まで延びている。ここで、信号電荷蓄積部8の容量をCFD、キャパシタ4の容量をCinで表す。
垂直走査回路25は、転送トランジスタ駆動信号ライン21と、選択トランジスタ駆動信号ライン22と、リセットトランジスタ駆動信号ライン23とを有する。
上記転送トランジスタ駆動信号ライン21は、行方向に配列された各光電変換転送部10の転送トランジスタ2のゲートに接続している。上記選択トランジスタ駆動信号ライン22は、スイッチトキャパシタアンプ部20の選択トランジスタ6のゲートに接続している。上記リセットトランジスタ駆動信号ライン23は、スイッチトキャパシタアンプ部20のリセットトランンジスタ5のゲートに接続している。
図1Cにおいて、n番目のスイッチトキャパシタアンプ部20に接続された1行目の画素を(n,1)、2行目の画素を(n,2)、…、4行目の画素を(n,4)で表す。(n,1)画素、(n,2)画素、…、(n,4)画素の転送トランジスタ2のゲートには、それぞれ、垂直走査回路25からの駆動パルスφT(n,1)、φT(n,2)、…、φT(n,4)が、転送トランジスタ駆動信号ライン21を介して印加される。
また、n番目のスイッチトキャパシタアンプ部20のリセットトランジスタ5のゲートに、駆動パルスφR(n)が、リセットトランジスタ駆動信号ライン23を介して印加され、選択トランジスタ6の駆動パルスφS(n)が、選択トランジスタ駆動信号ライン22を介して印加される。
そうして、j列目の出力信号線7からは出力信号Vs,jが得られ、j+1列目の出力信号線11からは出力信号Vs,j+1が得られる。
なお、反転増幅器3のゲインGAMは可能な限り大きい値とする。ゲインGAMが十分大であれば、図1Cにおいて、反転増幅器3、リセットスイッチ5およびキャパシタ4はスイッチトキャパシタアンプを構成することになる。従って、信号電荷蓄積部8の信号電荷は、キャパシタ4(容量Cin)に転送され、蓄積される。即ち、信号電荷を電圧に変換する容量は、実効的に、CFDからCinになり、CFD>>Cinとすることにより、電荷電圧変換効率を大きくすることが可能となる。
更に、図1Cにおいて、フォトダイオード1を埋め込み型とし、フォトダイオード1から転送トランジスタ2を介して信号電荷蓄積部8への電荷転送を完全とすれば、光電変換転送部10で発生するノイズを大幅に抑えることができる。
図2A〜図2Cは、図1A〜図1Cで示した2次元増幅型固体撮像装置の動作を説明するタイミングチャートであり、図2Aは図1Aに対応し、図2Bは図1Bに対応し、図2Cは画素加算を行わない場合のタイミングを示す。画素加算動作が行われるのは期間T3Aであり、図2A〜図2Cでは、それぞれの期間T3Aの動作のみが異なる。
図2A〜図2Cに共通して、期間T1では、n番目のスイッチトキャパシタアンプ部20のリセットトランジスタ5に印加される駆動パルスφR(n)がハイレベルとなり、リセットトランジスタ5がオン状態となって反転増幅器3の入出力間が短絡され、信号電荷蓄積部8の電位が一定電圧にリセットされる。
次の期間T2では、図2A〜図2Cに共通して、駆動パルスφR(n)がローレベルとなってリセットトランジスタ5はオフ状態となるが、駆動パルスφS(n)がハイレベルのため、選択トランジスタ6はオン状態となる。また、反転増幅器3は信号電荷蓄積部8の電位を反転増幅し、選択トランジスタ6を介してリセットレベルが垂直信号線7に読み出される。
次の期間T3Bでは、駆動パルスφS(n)がローレベルとなり、選択トランジスタ6はオフとなる。
図2Aの場合において、期間T3Aの最初の1Hでは、 (n,1)行目の画素に印加される駆動パルスφT(n,1)、および、(n,3)行目の画素に印加される駆動パルスφT(n,3)が、ハイレベルとなり、ゲートのポテンシャル電位が上がるため、(n,1)行目および(n,3)行目の画素のフォトダイオード1に蓄積された信号電荷が信号電荷蓄積部8に転送される。即ち、 (n,1)行目および(n,3)行目の画素信号電荷が加算される。次の1Hでは、(n,2)行目の画素に印加される駆動パルスφT(n,2)、および、(n,4)行目の画素に印加される駆動パルスφT(n,4)が、ハイレベルとなり、ゲートのポテンシャル電位が上がるため、(n,2)行目および(n,4)行目の画素のフォトダイオード1に蓄積された信号電荷が信号電荷蓄積部8に転送される。即ち、(n,2)行目および(n,4)行目の画素信号電荷が加算される。このように、図2Aに示す動作は、図1Aに対応する。
図2Bの場合において、期間T3Aの最初の1Hでは、 (n,1)行目の画素に印加される駆動パルスφT(n,1)、および、(n,2)行目の画素に印加される駆動パルスφT(n,2)が、ハイレベルとなり、ゲートのポテンシャル電位が上がるため、(n,1)行目および(n,2)行目の画素のフォトダイオード1に蓄積された信号電荷が信号電荷蓄積部8に転送される。即ち、(n,1)行目および(n,2)行目の画素信号電荷が加算される。次の1Hでは、(n,3)行目の画素に印加される駆動パルスφT(n,3)、および、(n,4)行目の画素に印加される駆動パルスφT(n,4)が、ハイレベルとなり、ゲートのポテンシャル電位が上がるため、(n,3)行目および(n,4)行目の画素のフォトダイオード1に蓄積された信号電荷が信号電荷蓄積部8に転送される。即ち、(n,3)行目および(n,4)行目の画素信号電荷が加算される。このように、図2Bに示す動作は、図1Bに対応する。
図2Cの場合において、期間T3Aの動作では、 (n,i)行目の画素に印加される駆動パルスφT(n,i)がハイレベルとなり、ゲートのポテンシャル電位が上がるため、(n,i)行目の画素のフォトダイオード1に蓄積された信号電荷が信号電荷蓄積部8に転送される。即ち、(n,i)行目の画素信号電荷が単独で読み出される。ここで、iは、1から4まで、1H毎に、順次シフトするため、(n,1)行目の画素から(n,4)行目の画素までが、1H毎に、順次独立に読み出される。
次の期間T4では、図2A〜図2Cに共通して、駆動パルスφT(n,1)がローレベルとなって転送トランジスタ2はオフ状態となり、信号電荷蓄積部8では、期間T2での電位から信号電荷転送による変化分ずれた電位が保持され、駆動パルスφS(n)がハイレベルでオン状態のため、信号レベルが、反転増幅器3で増幅されて、選択トランジスタ6を介して垂直信号線7に読み出される。
上記画素信号の加算動作は、スイッチトキャパシタアンプ部20の入力側で信号電荷を加算するため、加算後のノイズは、上記(式4)で表され、上記(式1)に比べて少なくなる。
本発明の加算動作では、信号は電荷加算により上記(式2)で表されるから、(np1,np2)<<(na1)とし、P1とP2の信号が同じ場合を考えると、
s12=2・s1、n12=na1より、S/Nは上記(式5)のようになって、S/Nの向上は2倍に拡大する。
さらに、本発明では、前述のように反転増幅器3のゲインGAMが十分大であれば、スイッチトキャパシタアンプ部20の入力容量CFDは無視することができ、画素電荷加算構造でありながら電荷電圧変換効率を大きくすることができるという、大きな利点を有する。
なお、図2Aおよび図2Bにおいては、2つの画素信号電荷の加算期間T3Aは2行間で同時の場合を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、T3AがT3B期間内であれば、2行間でT3Aが一致しなくても良い。即ち、読み出し動作に時間差があっても正しく加算される。
(第2の実施形態)
図3は、本発明の他の実施形態である増幅型固体撮像装置の一例として2次元増幅型固体撮像装置の画素加算の例を示す。図4は、図3に示す画素加算を実現する回路図を示し、図5Aと図5Bは、図4に示す回路の動作を説明するタイミングチャートを示す。
図3は、緑(G)、赤(R)、青(B)の3原色からなるベーヤー配列カラーフィルタにおいて、同じ色同士を、上下2つの画素30,30および左右2つの画素30,30の合計4つの画素30で加算する方法の一例であり、水平方向および垂直方向共に1つ置きの加算動作となる。
図4において、図1Cと共通する記号は同じ内容を表す。図1Cとの相違点は、j列の第1の信号電荷蓄積部81とj+2列の第3の信号電荷蓄積部83とが結線され、j+1列の第2の信号電荷蓄積部82とj+3列の第4の信号電荷蓄積部84とが結線されていること、および、4列単位の1列目と2列目の転送トランジスタ2は水平方向にφT(n,Ai)に接続され、4列単位の3列目と4列目の転送トランジスタ2は水平方向にφT(n,Bi)に接続されていることである。
図5Aおよび図5Bにおいて、図2Aと同じ記号は同じ内容を表す。
図5Aは、図3の動作のタイミングチャートを示す。図5Aにおいて、最初の1Hにおける期間T3Aでは、φT(n,A1)とφT(n,B1)、および、φT(n,A3)とφT(n,B3)が同時にオンとなり、1行目の1列目と3列目の画素信号、および、3行目の1列目と3列目の画素信号の合計4画素が、加算されて、j列目信号線7へ導かれ、1行目の2列目と4列目の画素信号、および、3行目の2列目と4列目の画素信号の合計4画素が、加算されて、j+1列目信号線11へ導かれる。
次の1Hにおける期間T3Aでは、φT(n,A2)とφT(n,B2)、および、φT(n,A4)とφT(n,B4)が同時にオンとなり、2行目の1列目と3列目の画素信号、および、4行目の1列目と3列目の画素信号の合計4画素が、加算されて、j列目信号線7へ導かれ、2行目の2列目と4列目の画素信号、および、4行目の2列目と4列目の画素信号の合計4画素が、加算されて、j+1列目信号線11へ導かれる。
図5Bにおいて、期間T3Aの動作では、 (n,i)行目の画素に印加される駆動パルスφT(n,Ai)及びφT(n,Bi)が、1H期間ずれてハイレベルとなって、ゲートのポテンシャル電位が上がるため、(n,i)行目の画素のフォトダイオード1に蓄積された信号電荷が、第1と第3の信号電荷蓄積部81,83、および、第2と第4の信号電荷蓄積部82,84に、1H期間ずれて転送される。即ち、(n,i)行目で4列単位の1列目と3列目画素信号が、各々、1H期間ずれて、j列目信号線7へ導かれ、(n,i)行目で4列単位の2列目と4列目画素信号が、各々、1H期間ずれて、j+1列目信号線11へ導かれる。ここで、iは、1から4まで、2H毎に、順次シフトするため、(n,1)行目の画素から(n,4)行目のすべての画素が、1H毎に、順次独立に読み出される。
(第3の実施形態)
図6Aと図6Bは、本発明の更に他の実施形態である増幅型固体撮像装置の一例として2次元増幅型固体撮像装置の画素加算の例を示す。また、図7は、図6Aと図6Bに示す画素加算を実現する回路図を示す。
図6Aと図6Bは、図1Bと同様に、イェロー(Ye)、シアン(Cy)、マゼンタ(Ma)の補色、及び緑(G)からなるカラーフィルタにおいて、特定の色の組み合わせ同士を上下2つの画素30,30で加算する方法の一例であり、
[Ye+G,Cy+Ma]行 ---> 輝度+色差信号(2B−G)
[Cy+G,Ye+Ma]行 ---> 輝度+色差信号(2R−G)
を1H周期で交互に得ることができる。図1Bとの相違は、フィールド毎に加算する画素30の組み合わせを1水平行ずらすことにより、インターレース読み出しを可能にする点である。即ち、図6Aに示す奇数フィールドでは、奇数行と偶数行との加算により上記信号が得られ、図6Bに示す偶数フィールドでは、偶数行と奇数行との加算により上記信号が得られる。
図7において、図1Cと共通する記号は同じ内容を表す。図1Cとの相違点は、フォトダイオード1から電荷を転送する転送トランジスタが、奇数フィールド用転送トランジスタ2aおよび偶数フィールド用転送トランジスタ2bを含み、奇数フィールド用転送トランジスタ2aが奇数フィールド用信号電荷蓄積部8aへ接続され、偶数フィールド用転送トランジスタ2bが偶数フィールド用信号電荷蓄積部8bへ接続されており、奇数フィールド用信号電荷蓄積部8aが奇数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部20aに接続され、偶数フィールド用信号電荷蓄積部8bが偶数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部20bに接続されていることである。
奇数フィールドでは、上記奇数フィールド用転送トランジスタ2aと上記奇数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部20aに対して、奇数フィールド用駆動系(奇数フィールド用垂直走査回路)25aから駆動パルスが印加される。即ち、i行目の転送トランジスタ2aは、水平方向に駆動パルスφT(On,i)に接続され、リセットトランジスタ5は、駆動パルスφR(On)に接続され、選択トランジスタ6は、駆動パルスφS(On)に接続される。
同様に、偶数フィールドでは、上記偶数フィールド用転送トランジスタ2bと上記偶数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部20bに対して、偶数フィールド用駆動系(偶数フィールド用垂直走査回路)25bから駆動パルスが印加される。即ち、i行目の転送トランジスタ2bは、水平方向に駆動パルスφT(En,i)に接続され、リセットトランジスタ5は、駆動パルスφR(En)に接続され、選択トランジスタ6は、駆動パルスφS(En)に接続される。
つまり、奇数フィールドと偶数フィールドでは、スイッチトキャパシタアンプ部20a,20bに接続されるフォトダイオード1の(方向の)組み合わせが、1水平行ずれている(方向に一つずれている)。従って、駆動パルスが、奇数フィールド用駆動系25aから印加された場合と、偶数フィールド用駆動系25bから印加された場合とでは、加算される画素の組み合わせが1水平行ずれることになる。即ち、インターレース読み出しが可能となる。これにより、APS型イメージセンサのカラー素子において困難であったインターレース読み出しが可能となる。
図1Aは本発明の一実施形態による2次元増幅型固体撮像装置の動作説明図である。 図1Bは本発明の一実施形態による2次元増幅型固体撮像装置の他の動作説明図である。 図1Cは本発明の一実施形態による2次元増幅型固体撮像装置の回路図である。 図2Aは図1Aに対応すると共に図1Cに示す2次元増幅型固体撮像装置における駆動パルスのタイミングチャートである。 図2Bは図1Bに対応すると共に図1Cに示す2次元増幅型固体撮像装置における駆動パルスのタイミングチャートである。 図2Cは図1Cに示す2次元増幅型固体撮像装置における駆動パルスのタイミングチャートである。 図3は本発明の他の実施形態による2次元増幅型固体撮像装置の動作説明図である。 図4は図3に示す2次元増幅型固体撮像装置における回路図である。 図5Aは図3に対応すると共に図4に示す2次元増幅型固体撮像装置における駆動パルスのタイミングチャートである。 図5Bは図4に示す2次元増幅型固体撮像装置における駆動パルスのタイミングチャートである。 図6Aは本発明の更に他の実施形態による2次元増幅型固体撮像装置の奇数フィールドでの動作説明図である。 図6Bは本発明の更に他の実施形態による2次元増幅型固体撮像装置の偶数フィールドでの動作説明図である。 図7は図6Aと図6Bに示す2次元増幅型固体撮像装置における回路図である。 図8は従来の増幅型固体撮像装置における複数画素の回路図である。 図9は従来の他の増幅型固体撮像装置における複数画素の回路図である。
符号の説明
1…フォトダイオード
2…転送トランジスタ
2a…奇数フィールド用転送トランジスタ
2b…偶数フィールド用転送トランジスタ
3…反転増幅器
4…キャパシタ
5…リセットトランジスタ
6…選択トランジスタ
7,11…垂直信号線
8…信号電荷蓄積部
8a…奇数フィールド用信号電荷蓄積部
8b…偶数フィールド用信号電荷蓄積部
81…第1の信号電荷蓄積部
82…第2の信号電荷蓄積部
83…第3の信号電荷蓄積部
84…第4の信号電荷蓄積部
10…光電変換転送部
20…スイッチトキャパシタアンプ部
20a…奇数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部
20b…偶数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部
21…転送トランジスタ駆動信号ライン
22…選択トランジスタ駆動信号ライン
23…リセットトランジスタ駆動信号ライン
25…垂直走査回路
25a…奇数フィールド用垂直走査回路
25b…偶数フィールド用垂直走査回路
30…画素

Claims (5)

  1. 光電変換素子と上記光電変換素子の信号電荷を転送する転送トランジスタとを有する光電変換転送部が画素毎に設けられた増幅型固体撮像装置であって、
    上記画素毎に設けられた光電変換転送部が少なくとも二つ以上の所定数毎に光電変換転送部群を構成し、
    上記光電変換転送部群に夫々設けられ、上記光電変換転送部群の各転送トランジスタの出力側に入力側が接続され、出力側が信号線に接続された複数のスイッチトキャパシタアンプ部と、
    上記光電変換転送部群内の全ての上記光電変換転送部の内、複数の上記光電変換転送部を選択して、この選択された複数の光電変換転送部の転送トランジスタを介してこの選択された複数の光電変換転送部の光電変換素子の信号電荷を共に上記スイッチトキャパシタアンプ部入力側へ転送することにより上記複数の信号電荷の加算を行って、この加算された信号電荷を上記スイッチトキャパシタアンプ部により読み出す動作を繰り返すように、上記転送トランジスタと上記スイッチトキャパシタアンプ部を制御する制御部と
    を備え
    上記光電変換転送部群は、マトリクス状に配列され、
    上記光電変換転送部は、一つの光電変換素子と、この一つの光電変換素子の信号電荷を転送する奇数フィールド用転送トランジスタおよび偶数フィールド用転送トランジスタとを有し、上記光電変換素子の出力側に、上記奇数フィールド用転送トランジスタの入力側と上記偶数フィールド用転送トランジスタの入力側とが接続され、
    上記スイッチトキャパシタアンプ部は、上記奇数フィールド用転送トランジスタの出力側に入力側が接続される奇数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部と、上記偶数フィールド用転送トランジスタの出力側に入力側が接続される偶数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部とを含み、
    上記奇数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部は、反転増幅器と、この反転増幅器の入出力間に挿入されたリセットトランジスタおよびキャパシタンス素子と、上記反転増幅器の出力側と上記信号線との間に挿入された選択トランジスタとを有し、上記反転増幅器の入力側は、上記光電変換転送部群の各奇数フィールド用転送トランジスタの出力側に接続され、
    上記偶数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部は、反転増幅器と、この反転増幅器の入出力間に挿入されたリセットトランジスタおよびキャパシタンス素子と、上記反転増幅器の出力側と上記信号線との間に挿入された選択トランジスタとを有し、上記反転増幅器の入力側は、上記光電変換転送部群の各偶数フィールド用転送トランジスタの出力側に接続され、
    上記制御部は、上記奇数フィールド用転送トランジスタと上記奇数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部を制御する奇数フィールド用制御部と、上記偶数フィールド用転送トランジスタと上記偶数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部を制御する偶数フィールド用制御部とを含み、
    上記奇数フィールド用制御部と上記偶数フィールド用制御部は、上記奇数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部側に加算される光電変換素子の行方向の組み合わせと、上記偶数フィールド用スイッチトキャパシタアンプ部側に加算される光電変換素子の行方向の組み合わせとを、行方向に一つずらすことにより、インターレース読み出しすることを特徴とする増幅型固体撮像装置。
  2. 請求項1に記載の増幅型固体撮像装置において、
    上記制御部は、上記信号電荷の加算を行う加算動作モードと、上記信号電荷の加算を行わずに上記各光電変換素子の信号電荷を独立に読み出す独立動作モードと、に切り替え可能であることを特徴とする増幅型固体撮像装置。
  3. 請求項1に記載の増幅型固体撮像装置において、
    上記各光電変換素子は、埋め込み型のフォトダイオードであることを特徴とする増幅型固体撮像装置。
  4. 請求項1に記載の増幅型固体撮像装置において、
    上記各光電変換素子は、複数の色特性の何れかを有し、
    上記加算される光電変換素子は、各々、同一の色特性を有することを特徴とする増幅型固体撮像装置。
  5. 請求項1に記載の増幅型固体撮像装置において、
    上記各光電変換素子は、複数の色特性の何れかを有し、
    上記加算される光電変換素子は、各々、特定の複数種類の組み合わせからなる異なる色特性を有することを特徴とする増幅型固体撮像装置。
JP2004049482A 2004-02-25 2004-02-25 増幅型固体撮像装置 Expired - Fee Related JP4086798B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004049482A JP4086798B2 (ja) 2004-02-25 2004-02-25 増幅型固体撮像装置
EP05251102A EP1569278A3 (en) 2004-02-25 2005-02-24 Amplifying solid-state image pickup device
CNB2005100516764A CN100338946C (zh) 2004-02-25 2005-02-25 放大固态图像拾取装置
KR1020050016037A KR100678612B1 (ko) 2004-02-25 2005-02-25 증폭형 고체 촬상 장치
US11/067,393 US6992341B2 (en) 2004-02-25 2005-02-25 Amplifying solid-state image pickup device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004049482A JP4086798B2 (ja) 2004-02-25 2004-02-25 増幅型固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005244435A JP2005244435A (ja) 2005-09-08
JP4086798B2 true JP4086798B2 (ja) 2008-05-14

Family

ID=34747465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004049482A Expired - Fee Related JP4086798B2 (ja) 2004-02-25 2004-02-25 増幅型固体撮像装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6992341B2 (ja)
EP (1) EP1569278A3 (ja)
JP (1) JP4086798B2 (ja)
KR (1) KR100678612B1 (ja)
CN (1) CN100338946C (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4071190B2 (ja) * 2003-12-02 2008-04-02 シャープ株式会社 増幅型固体撮像装置およびその駆動方法
JP4051034B2 (ja) * 2004-01-28 2008-02-20 シャープ株式会社 増幅型固体撮像装置およびその駆動方法
KR100871688B1 (ko) * 2004-02-27 2008-12-08 삼성전자주식회사 고체 촬상 장치 및 그 구동 방법
JP2005348041A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Canon Inc 固体撮像装置および撮像システム
JP4713997B2 (ja) * 2005-10-28 2011-06-29 株式会社東芝 固体撮像装置
JP4902308B2 (ja) * 2006-10-10 2012-03-21 Hoya株式会社 撮像素子
JP4242427B2 (ja) * 2007-02-01 2009-03-25 シャープ株式会社 増幅型固体撮像装置
KR100823173B1 (ko) 2007-02-16 2008-04-21 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서
JP2008278453A (ja) * 2007-04-03 2008-11-13 Canon Inc 撮像装置及び撮像システム
JP4446259B2 (ja) * 2007-04-18 2010-04-07 株式会社 Rosnes 固体撮像装置
JP2009010862A (ja) * 2007-06-29 2009-01-15 Canon Inc 撮像装置の駆動方法
JP2009021809A (ja) * 2007-07-11 2009-01-29 Canon Inc 撮像装置の駆動方法、撮像装置、及び撮像システム
JP5188221B2 (ja) * 2008-03-14 2013-04-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5164719B2 (ja) * 2008-07-29 2013-03-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5213632B2 (ja) * 2008-10-09 2013-06-19 キヤノン株式会社 撮像装置
JP5374110B2 (ja) 2008-10-22 2013-12-25 キヤノン株式会社 撮像センサ及び撮像装置
JP5267867B2 (ja) * 2009-03-06 2013-08-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像装置
JP5233828B2 (ja) 2009-05-11 2013-07-10 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
JP5146499B2 (ja) * 2009-08-08 2013-02-20 株式会社ニコン 固体撮像素子
JP5232189B2 (ja) * 2010-03-11 2013-07-10 株式会社東芝 固体撮像装置
CN104272718B (zh) * 2012-04-19 2017-08-25 国立大学法人东北大学 固体摄像装置
EP2890118B1 (en) * 2012-08-23 2019-07-24 Sony Corporation Current/voltage conversion circuit and image pickup device
US9560301B2 (en) * 2014-05-16 2017-01-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pixel unit cell having conversion circuit
JP6353300B2 (ja) * 2014-07-08 2018-07-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 画素回路、半導体光検出装置および放射線計数装置
EP3252445B1 (en) * 2016-06-01 2024-01-03 ams International AG Photodetector arrangement having an adjustable output and method for adjusting an output of a photodetector arrangement
EP3516691B1 (en) * 2016-10-14 2021-09-22 Huawei Technologies Co., Ltd. Cmos image sensor

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2977060B2 (ja) * 1992-01-29 1999-11-10 オリンパス光学工業株式会社 固体撮像装置及びその制御方法
US6903771B2 (en) * 2000-03-02 2005-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
US5739562A (en) * 1995-08-01 1998-04-14 Lucent Technologies Inc. Combined photogate and photodiode active pixel image sensor
JP3031606B2 (ja) 1995-08-02 2000-04-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置と画像撮像装置
JPH09260627A (ja) * 1996-03-18 1997-10-03 Sharp Corp 増幅型固体撮像装置
JP2871640B2 (ja) * 1996-12-18 1999-03-17 日本電気株式会社 固体撮像素子の駆動方法
US6037577A (en) * 1997-03-11 2000-03-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Amplifying solid-state image pickup device and operating method of the same
JP2894341B1 (ja) * 1998-03-12 1999-05-24 日本電気株式会社 固体撮像装置の駆動方法
US6836291B1 (en) * 1998-04-30 2004-12-28 Minolta Co., Ltd. Image pickup device with integral amplification
US6956605B1 (en) * 1998-08-05 2005-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
JP3697073B2 (ja) * 1998-08-05 2005-09-21 キヤノン株式会社 撮像装置及びそれを用いた撮像システム
US6445022B1 (en) * 1999-04-23 2002-09-03 Micron Technology, Inc. Increasing pixel conversion gain in CMOS image sensors
JP3944829B2 (ja) * 2002-01-17 2007-07-18 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法
JP4071190B2 (ja) * 2003-12-02 2008-04-02 シャープ株式会社 増幅型固体撮像装置およびその駆動方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005244435A (ja) 2005-09-08
EP1569278A3 (en) 2007-05-30
KR100678612B1 (ko) 2007-02-02
CN1662040A (zh) 2005-08-31
KR20060042392A (ko) 2006-05-12
EP1569278A2 (en) 2005-08-31
US6992341B2 (en) 2006-01-31
CN100338946C (zh) 2007-09-19
US20050185073A1 (en) 2005-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4086798B2 (ja) 増幅型固体撮像装置
US6784928B1 (en) Solid state image pickup device and signal reading method thereof
JP6239975B2 (ja) 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム
EP1416721B1 (en) Image pickup apparatus
EP0757497B1 (en) Photoelectric conversion apparatus for colour images
US9241117B2 (en) Image pickup apparatus
US8614757B2 (en) Arrangement of circuits in pixels, each circuit shared by a plurality of pixels, in image sensing apparatus
US20160014304A1 (en) Solid-state imaging device
KR102553988B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 촬상 장치
JP2006253876A (ja) 物理量分布検知装置および物理量分布検知装置の駆動方法
US7745773B1 (en) Multi-color CMOS pixel sensor with shared row wiring and dual output lines
US20050224842A1 (en) Solid-state imaging device, method for driving dolid-state imaging device, imaging method, and imager
KR100660862B1 (ko) 동일 색상의 화소 데이터를 가산하여 출력하는 컬러 촬상장치 및 그 화소 데이터 독출 방법
US8754971B2 (en) Image sensing apparatus and image capturing system
KR20150013454A (ko) 촬상 장치 및 촬상 방법, 전자 기기, 및 프로그램
JP2010239317A (ja) 固体撮像素子
JP4051034B2 (ja) 増幅型固体撮像装置およびその駆動方法
US20100245628A1 (en) Imaging apparatus and imaging system
US20120038808A1 (en) Solid state imaging device
US20100012993A1 (en) Solid-state imaging device
JP3956875B2 (ja) 固体撮像装置
WO2011007562A1 (ja) 画像読取装置
JP3988886B2 (ja) カラー固体撮像装置
JP2007312047A (ja) 固体撮像装置
JP2013106280A (ja) カラー固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080118

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080219

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140228

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees