JP3496918B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JP3496918B2 JP36108497A JP36108497A JP3496918B2 JP 3496918 B2 JP3496918 B2 JP 3496918B2 JP 36108497 A JP36108497 A JP 36108497A JP 36108497 A JP36108497 A JP 36108497A JP 3496918 B2 JP3496918 B2 JP 3496918B2
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    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像装置に係わ
り、特に行方向及び列方向に配列された複数の光電変換
部と、該光電変換部で発生した信号電荷を転送する電荷
転送手段と、該電荷転送手段又は該電荷転送手段とこれ
に対応する光電変換部とをリセットするリセット手段
と、該電荷転送手段から転送された信号電荷に対応した
信号を増幅して出力するための増幅手段とを有する固体
撮像装置に関する。

【0002】

【従来の技術】従来、固体撮像素子として、光電変換部
にフォトダイオードを用い、このフォトダイオードに蓄
積された光キャリアをFETやCCD型を用いて移動す
る方式のものがある。この固体撮像素子は太陽電池、イ
メージカメラ、複写機、ファクシミリなど種々な方面に
使用され、技術的にも変換効率や集積密度の改良改善が
図られている。

【0003】上記のFET型の移動方式のものは、MO
S型固体撮像装置として知られている。例えば、特開昭
9−46596号公報には、CMOSセンサと呼ばれる
固体撮像装置が開示されている。以下、その構成につい
て簡単に説明する。

【0004】図13は上記特開昭9−46596号公報
の図8に開示されたCMOSセンサの一画素の構成に対
応する画素構成を示す説明図である。

【0005】図13に示すように、一画素はフォトダイ
オード部PD、フォトダイオード部PDからの信号電荷
を転送するための転送用スイッチMS11、転送された信
号を増幅して出力するための増幅手段MS14、画素を選
択するための選択スイッチMS13、残留した信号を除去
し電位VRにリセットするためのリセットスイッチMS
12から構成される。φTX、φRES、φSELはそれぞれ転送
スイッチMS11、リセットスイッチMS12、選択スイッ
チMS13を制御するための信号である。

【0006】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記固体撮
像装置においては、画素の構成部材(転送用スイッチ、
増幅手段、選択スイッチ、リセットスイッチ)の最適な
レイアウトについては開示されておらず、本発明者らの
検討によれば、画素の構成部材や接続配線の配置によっ
ては、信号φRES、信号φSELからのクロストークが問題
となったり、配線による開口率の低下を招いたり、配線
による容量増大により感度が低下したりすることが分か
った。

【0007】

【課題を解決するための手段】本発明の第1の固体撮像
装置は、2次元状に一配列方向及び該一配列方向と垂直
な他の配列方向に複数の光電変換部を配置し、該光電変
換部で発生した信号電荷を転送するための転送スイッチ
と該信号電荷が転送されるフローティングディフュージ
ョン領域とを、各光電変換部に対応するように、前記一
配列方向に該光電変換部を介さないように並べて配置
し、前記フローティングディフュージョン領域を基準と
して、前記一配列方向における一方の側には、前記フロ
ーティングディフュージョン領域にリセット電圧を供給
するリセットスイッチを配置し、前記一配列方向におけ
る他方の側には、前記フローティングディフュージョン
領域に転送された信号電荷を受け、増幅して出力する増
幅手段を配置した固体撮像装置であって、前記増幅手段
に隣接して前記増幅手段に電圧を供給するための選択ス
イッチを配置し、前記増幅手段に電圧を供給するための
電源と前記リセット電圧を供給する電源とが共通である
ことを特徴とする。

【0008】 本発明の第2の固体撮像装置は、2次元
状に一配列方向及び該一配列方向と垂直な他の配列方向
に複数の光電変換部を配置し、該光電変換部で発生した
信号電荷を転送するための転送スイッチと該信号電荷が
転送されるフローティングディフュージョン領域とを、
各光電変換部に対応するように、前記一配列方向に該光
電変換部を介さないように並べて配置し、前記フローテ
ィングディフュージョン領域を基準として、前記一配列
方向における一方の側には、前記フローティングディフ
ュージョン領域にリセット電圧を供給するリセットスイ
ッチを配置し、前記一配列方向における他方の側には、
前記フローティングディフュージョン領域に転送された
信号電荷を受け、増幅して出力する増幅手段を配置した
固体撮像装置であって、前記他の配列方向に配列された
複数の光電変換部毎に一つずつ設けられた前記増幅手段
からの信号を出力する複数の出力線を有し、前記出力線
を基準にして、前記フローティングディフュージョン領
域が前記光電変換部を介さないように並んで配置される
前記一配列方向における一方の側には、前記フローティ
ングディフュージョン領域を配置し、前記フローティン
グディフュージョン領域が前記光電変換部を介さないよ
うに並んで配置される前記一配列方向における他方の側
には、前記増幅手段に電圧を供給するための電源を配置
したことを特徴とする。本発明の第3の固体撮像装置
は、2次元状に一配列方向及び該一配列方向と垂直な他
の配列方向に複数の光電変換部を配置し、該光電変換部
で発生した信号電荷を転送するための転送スイッチと、
該信号電荷が転送されるフローティングディフュージョ
ン領域と、前記フローティングディフュージョン領域に
リセット電圧を供給するリセットスイッチとを、各光電
変換部に対応するように、前記一配列方向に前記光電変
換部を介さないように並べて配置した固体撮像装置であ
って、前記複数の光電変換部のうちの一つの第1の光電
変換部と、該第1の光電変換部に対して前記他の配列方
向に配置した他の一つである第2の光電変換部との間に
前記転送スイッチ、前記フローティングディフュージョ
ン領域及びリセットスイッチを配置し、前記第2の光電
変換部と、前記フローティングディフュージョン領域を
基準にして前記リセットスイッチと反対の方向であって
前記第2の光電変換部に対して前記一配列方向に配置し
たさらに他の一つである第3の光電変換部との間に、前
記第1の光電変換部の前記フローティングディフュージ
ョン領域に転送された信号電荷を受け、増幅して出力す
る増幅手段を配置したことを特徴とする。

【0009】

【0010】

【0011】

【0012】

【0013】

【0014】

【0015】また本発明の第8の固体撮像装置は、光電
変換部と、前記光電変換部からの信号を転送するための
転送手段と、前記転送手段を介した前記第1の光電変換
部からの信号を増幅して出力する増幅手段と、前記転送
手段の入力部をリセットするリセット手段とを有し、前
記増幅手段は、前記転送手段からみた方向が前記リセッ
ト手段とは異なる方向に配置されていることを特徴とす
る。

【0016】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明するが、それに先だって、本発明に至る技術的背景
に基づき説明する。

【0017】以下の説明では、固体撮像装置の一画素の
構成として、フォトダイオード部(PD)、転送スイッ
チ(TX)、フローティングディフージョン(FD)、
リセットスイッチ(RES)、リセット電源(VR)、
選択スイッチ(SEL)、増幅手段(SF)、出力部
(OUT)、VDD電源(VDD)からなる場合を取り上
げて説明する。

【0018】このような固体撮像装置においては、配列
された画素において、光電変換された電荷が蓄積される
フォトダイオード部(PD)の面積を大きくするには、
PD以外の構成部材をPDの周囲に高密度に配置するこ
とが求められる。そして、画素の開口率を上げるために
は、コンタクトの数を少なくし、可能な限り同一の拡散
領域となるようにすることが望ましい。

【0019】上記の観点から検討を行なうと、リセット
電源としてVDD電源を用いた場合には図3のような配置
が望ましく、リセット電源(VR)をVDD電源と別に設
ける場合は、図4のような配置が望ましい。

【0020】しかし、図3及び図4の配置でFDとSF
のゲートとの接続を行なった場合には、次のような不都
合がある。 (1) 図3及び図4に示すような配置の場合、転送ス
イッチ(TX)を制御する信号φTXの制御線、リセット
スイッチ(RES)を制御する信号φRESの制御線、選
択スイッチ(SEL)を制御する信号φSELの制御線
は、隣接するPD間の水平方向(列方向)に設けられ
る。

【0021】各制御線で占有されるPD間の間隔を増や
さずに、フローティングディフージョン(FD)と増幅
手段(SF)のゲートとの接続配線を設けるには、多層
配線でリセットスイッチ(RES)のゲート上や選択ス
イッチ(SEL)のゲート上を配線することになる。

【0022】しかし、この場合には、信号φRES、信号
φSELからフローティングディフージョン(FD)への
クロストークが問題となる。 (2) 一方、RESのゲート上やSELのゲート上を
避けて接続配線をしようとすると、PD上を配線するこ
とになり、開口率が下がる。 (3) また、フローティングディフージョン(FD)
と増幅手段(SF)のゲートとの接続配線の配線長さが
長くなると、FD容量が大きくなり、感度が低下する。

【0023】本発明者は、図3および図4の配置を維持
しつつ、上記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、本
発明に到達したものである。

【0024】以下、本発明の構成を実施形態に基づき説
明する。

【0025】なお、以下に説明する各図において、P
D、TX、SEL、OUT、RES、SF、FDに添え
る数字は、同一のPDからの信号を転送、出力、リセッ
ト等する部材であることを示すのではなく、通常一画素
と認識されるであろう、同一のPDの周囲に設けられた
部材を示すものである。

【0026】なお、この種のセンサの構成としては、例
えば、「"CMOS Active Pixel ImageSensors for Highly
Integrated Imaging Systems",IEEE Journal of Solid
-State Circuits. Vol.32.No2,February 1997.P187-19
7」のFig.6,Fig.9(b)(フォトゲートを用いたCMOS
センサ)、Fig.10(フォトダイオードを用いたCMOS
センサ)にレイアウト図が記載されているが、この種の
センサの一画素は通常、ほぼ四角形状またはそれに近い
形状をなし、PD等の光電変換部の周囲にTXやRES
等の画素構成部材が設けられていることが分かる。して
みると、本発明は、図1や図2、図9や図11等で示さ
れるPD2、TX2、FD2、RES2、SEL2、SF2、
OUT2で構成されるものを一画素とし、他の画素のS
F1やSF3を用いてPD2を有する画素からの信号出力
を行なうものと考えることもできる。

【0027】図1は本発明の第1実施形態を示す概略的
レイアウト図である。本実施形態はリセット電源として
VDD電源を用いた場合の図3の配置に対応するものであ
る。図1に示すように、本実施形態では、隣接するPD
1側に設けられた、増幅手段(SF1),出力部(OUT
1)を用いて、PD2からの信号の読み出しを行なうべ
く、PD2の周囲に設けられたFD2と、PD1側に設け
られたSF1とを接続する。

【0028】このような構成とすると、FD2とSF2の
ゲートとを接続する場合に比べて、接続配線の長さが短
くなり、接続配線をRES2のゲート上、SEL2のゲー
ト上で配線することがなくなる。その結果、上記(1)
〜(3)の問題を解決することができる。

【0029】図2は本発明の第2実施形態を示す概略的
レイアウト図である。本実施形態はリセット電源をVDD
電源と別に設けた場合の図4の配置に対応するものであ
る。図2に示すように、本実施形態では、斜め方向に配
列されたPD3の周辺に設けられた、増幅手段(SF
3)、出力部(OUT3)を用いて、PD2からの信号出
力を行なうべく、PD2の周囲に設けられたFD2とPD
3の周囲に設けられたSF3とを接続する。

【0030】このような構成とすると、第1実施形態と
同様に、接続配線の長さが短くなり、接続配線をRES
2のゲート上で配線することがなくなるので、上記
(1)〜(3)の課題を解決することができる。

【0031】加えて、本実施形態では、信号φSELの制
御線上に多層配線で接続配線を設けても、クロストーク
が生じない構成となっている。すなわち、本実施形態で
は、選択スイッチ(SEL)を制御する信号φSELの制
御線がFD2の上を通っても、その制御線は選択スイッ
チSEL3ではなく一行上の選択スイッチSEL2に接続
されるため(この選択スイッチSEL2には選択のため
のパルス信号が印加されない)、クロストークの問題は
生じない。

【0032】なお、第2の実施形態は以下に示すような
種々の変形形態が可能である。 (イ) 図5に示すように、SFとSELとの配置を逆
にして配置する。 (ロ) 図6に示すように、TX2、FD2、RES2、
VRをPD2の上側に配置し、FD2を上の行のSF(不
図示)と接続する。 (ハ) 図7に示すように、SEL、OUT、VDD、
SFの配置をPDの左側に配置する。 (ニ) 図8に示すように、FDを図中右側に配置し、
TX・FD、RES、VRの配列方向を図2と逆にする
とともに、下側のPDのSFに接続する。

【0033】転送スイッチ(TX)と増幅手段(SF)
との接続において、RESスイッチ(RES)等のクロ
ストーク等の周辺ノイズの影響となるようなものが少な
い方向の増幅手段(SF)との接続における距離が、ク
ロストーク等の周辺ノイズの影響となるものが多い方向
の増幅手段(SF)との接続における距離に等しいか又
はその距離もより大きい場合には、周辺ノイズの影響を
受けない方向の増幅手段(SF)と接続する。

【0034】以上説明した各図において、PDの形状は
四角として示してあるが、かかる形状に限定されず、溜
められる電荷量をできるだけ大きくし得る形状であれば
よい。

【0035】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。 (第1実施例) 図9および図10は本発明の固体撮像装置の第1実施例
を示すレイアウト図である。図9は上層配線のアルミ第
2層を省いたレイアウト図、図10は上層配線のアルミ
第2層を含むレイアウト図である。図9及び図10にお
いては、4画素のみ示している。本実施例は図1に示し
た第1の実施形態を具体的に示すものである。なお、以
下の説明では、フォトダイオード部PD2からの信号読
出しについてのみ説明するが、他のフォトダイオード部
についても同様である。

【0036】図9に示すように、フォトダイオード部P
D2の周囲には、転送スイッチTX2、フローティングデ
ィフージョンFD2、リセットスイッチRES2、選択ス
イッチSEL2、増幅手段SF2、出力部OUT2が設け
られている。また、リセットスイッチRES2と選択ス
イッチSEL2との間に、リセット電源を兼ねるVDD電
源が設けられている。図中、太線で囲った領域はアクテ
ィブ領域を示す。

【0037】本実施例では、フォトダイオード部PD2
からの信号の出力を、増幅手段SF2、出力部OUT2を
介して行なうのではなく、同一行に配列された隣接する
PD1の側に設けられた、増幅手段SF1、出力部OUT
1を介して行なう。そのために、PD2の周囲に設けられ
たFD2とPD1側に設けられたSF1とを、ポリシリコ
ン層及びアルミ第1層を用いて接続する。なお、増幅手
段SF1、出力部OUT1はPD1が設けられているアク
ティブ領域と同一のアクティブ領域内に形成される。

【0038】本実施例によれば、FDとSFとの間の接
続配線の長さが短くなり、接続配線をRESのゲート
上、SELのゲート上で配線することがなくなる。ま
た、本実施例では、図10に示すように、FD2とSF1
との接続配線は信号φnSELの制御線と信号φnRESの制御
線との間に配置して、出力信号が信号φnSELや信号φnR
ESの影響を受けにくいようにしている。 (第2実施例) 図11および図12は本発明の固体撮像装置の第2実施
例を示すレイアウト図である。図11は上層配線のアル
ミ第2層を省いたレイアウト図、図12は上層配線のア
ルミ第2層を含むレイアウト図である。図11及び図1
2においては、4画素のみ示している。本実施例は図2
に示した第2の実施形態を具体的に示すものである。な
お、以下の説明では、フォトダイオード部PD2からの
信号読出しについてのみ説明するが、他のフォトダイオ
ード部についても同様である。

【0039】図11に示すように、フォトダイオード部
PD2の周囲には、転送スイッチTX2、フローティング
ディフージョンFD2、リセットスイッチRES2、選択
スイッチSEL2、増幅手段SF2、出力部OUT2が設
けられている。また、リセットスイッチRES2,選択
スイッチSEL2に隣接して、それぞれリセット電源V
R,VDD電源が設けられている。図中、太線で囲った二
つの領域はアクティブ領域を示す。

【0040】本実施例では、フォトダイオード部PD2
からの信号の出力を、増幅手段SF2、出力部OUT2を
介して行なうのではなく、斜め方向に配列されたPD3
の周辺に設けられた、増幅手段SF3、出力部OUT3を
介して行なう。そのために、PD2の周囲に設けられた
FD2とPD3の周囲に設けられたSF3とを、ポリシリ
コン層及びアルミ第1層を用いて接続する。

【0041】本実施例によれば、FDとSFとの間の接
続配線の長さが短くなり、接続配線をRESのゲート
上、SELのゲート上で配線することがなくなる。

【0042】なお本実施例では、図12に示すように、
選択スイッチSEL3のゲートは信号φnSELの制御線に
接続されるので、信号φn+1SELの制御線がFD2の上を
通っても、クロストークの問題は生じない。

【0043】図14に実施例1および実施例2の固体撮
像装置の画素部の回路構成図を示す。同図においては、
4×4の画素構成を示しており、一画素の構成は図13
の構成と同じである。 (第3実施例) 本発明は、図13に示した画素構成に限定されず、図1
5のように、選択手段が増幅手段と出力との間に接続さ
れた画素構成を取ることもできる。

【0044】図15のような画素構成をとった場合の固
体撮像装置の概略的レイアウト図を図16に示す。

【0045】図16に示すレイアウトは、図2のレイア
イトにおけるVDDとOUTとの配置を逆にしたもので
ある。このようなレイアウトとすると、FD2とSF2の
ゲートとを接続する場合に比べて、接続配線の長さが短
くなり、接続配線をRES2のゲート上、SEL2のゲー
ト上で配線することがなくなる。

【0046】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フローティングディフージョン(FD)と増幅手段(S
F)との間の接続配線の長さが短くなり、接続配線をリ
セット手段(RES)のゲート上や、選択手段(SE
L)のゲート上で配線することがなくなる。その結果、
信号φRES、信号φSELからのクロストークを生ずること
がなく、開口率の大きい、高感度の固体撮像装置を得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明の第1実施形態を示す概略的レイアウト
図である。

【図2】本発明の第2実施形態を示す概略的レイアウト
図である。

【図3】本発明に係わる固体撮像装置の概略的レイアウ
ト図である。

【図4】本発明に係わる固体撮像装置の概略的レイアウ
ト図である。

【図5】本発明の第2実施形態の変形例を示す概略的レ
イアウト図である。

【図6】本発明の第2実施形態の変形例を示す概略的レ
イアウト図である。

【図7】本発明の第2実施形態の変形例を示す概略的レ
イアウト図である。

【図8】本発明の第2実施形態の変形例を示す概略的レ
イアウト図である。

【図9】本発明の固体撮像装置の第1実施例を示すレイ
アウト図である。

【図10】本発明の固体撮像装置の第1実施例を示すレ
イアウト図である。

【図11】本発明の固体撮像装置の第2実施例を示すレ
イアウト図である。

【図12】本発明の固体撮像装置の第2実施例を示すレ
イアウト図である。

【図13】CMOSセンサの一画素の構成を示す説明図
である。

【図14】実施例1および実施例2の固体撮像装置の画
素部の回路構成図である。

【図15】CMOSセンサの一画素の他の構成を示す説
明図である。

【図16】本発明の固体撮像装置の第3実施例を示す概
略的レイアウト図である。

【符号の説明】

PD1〜PD4 フォトダイオード部 TX1,TX2 転送スイッチ SEL1〜SEL4 選択スイッチ OUT1〜OUT4 出力部 RES1,RES2 リセットスイッチ SF1〜SF4 増幅手段 VR リセット電源 VDD VDD電源 FD1,FD2 フローティングディフージョン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小泉 徹 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 光地 哲伸 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 樋山 拓己 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 須川 成利 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平9−92809(JP,A) 特開 平10−256520(JP,A) 特開 平11−121732(JP,A) 特開 平3−3486(JP,A) 特開 平9−46596(JP,A) IEEE Journal of S olid−State Circuit s,1997年,Vol.32, No.2, pp.187−197 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 27/146 H04N 5/335

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2次元状に一配列方向及び該一配列方向
    と垂直な他の配列方向に複数の光電変換部を配置し、該
    光電変換部で発生した信号電荷を転送するための転送ス
    イッチと該信号電荷が転送されるフローティングディフ
    ュージョン領域とを、各光電変換部に対応するように、
    前記一配列方向に該光電変換部を介さないように並べて
    配置し、 前記フローティングディフュージョン領域を基準とし
    て、前記一配列方向における一方の側には、前記フロー
    ティングディフュージョン領域にリセット電圧を供給す
    るリセットスイッチを配置し、前記一配列方向における
    他方の側には、前記フローティングディフュージョン領
    域に転送された信号電荷を受け、増幅して出力する増幅
    手段を配置した固体撮像装置であって、 前記増幅手段に隣接して前記増幅手段に電圧を供給する
    ための選択スイッチを配置し、前記増幅手段に電圧を供
    給するための電源と前記リセット電圧を供給する電源と
    が共通であることを特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項2】 2次元状に一配列方向及び該一配列方向
    と垂直な他の配列方向に複数の光電変換部を配置し、該
    光電変換部で発生した信号電荷を転送するための転送ス
    イッチと該信号電荷が転送されるフローティングディフ
    ュージョン領域とを、各光電変換部に対応するように、
    前記一配列方向に該光電変換部を介さないように並べて
    配置し、 前記フローティングディフュージョン領域を基準とし
    て、前記一配列方向における一方の側には、前記フロー
    ティングディフュージョン領域にリセット電圧を供給す
    るリセットスイッチを配置し、前記一配列方向における
    他方の側には、前記フローティングディフュージョン領
    域に転送された信号電荷を受け、増幅して出力する増幅
    手段を配置した固体撮像装置であって、 前記他の配列方向に配列された複数の光電変換部毎に一
    つずつ設けられた前記増幅手段からの信号を出力する複
    数の出力線を有し、 前記出力線を基準にして、前記フローティングディフュ
    ージョン領域が前記光電変換部を介さないように並んで
    配置される前記一配列方向における一方の側には、前記
    フローティングディフュージョン領域を配置し、前記フ
    ローティングディフュージョン領域が前記光電変換部を
    介さないように並んで配置される前記一配列方向におけ
    る他方の側には、前記増幅手段に電圧を供給するための
    電源を配置したことを特徴とする固体撮像装置。
  3. 【請求項3】 2次元状に一配列方向及び該一配列方向
    と垂直な他の配列方向に複数の光電変換部を配置し、該
    光電変換部で発生した信号電荷を転送するための転送ス
    イッチと、該信号電荷が転送されるフローティングディ
    フュージョン領域と、前記フローティングディフュージ
    ョン領域にリセット電圧を供給するリセットスイッチと
    を、各光電変換部に対応するように、前記一配列方向に
    前記光電変換部を介さないように並べて配置した固体撮
    像装置であって、 前記複数の光電変換部のうちの一つの第1の光電変換部
    と、該第1の光電変換部に対して前記他の配列方向に配
    置した他の一つである第2の光電変換部との間に前記転
    送スイッチ、前記フローティングディフュージョン領域
    及びリセットスイッチを配置し、 前記第2の光電変換部と、前記フローティングディフュ
    ージョン領域を基準にして前記リセットスイッチと反対
    の方向であって前記第2の光電変換部に対して前記一配
    列方向に配置したさらに他の一つである第3の光電変換
    部との間に、前記第1の光電変換部の前記フローティン
    グディフュージョン領域に転送された信号電荷を受け、
    増幅して出力する増幅手段を配置したことを特徴とする
    固体撮像装置。
  4. 【請求項4】 請求項に記載の固体撮像装置におい
    て、各光電変換部について前記増幅手段に隣接して前記
    増幅手段を選択して電圧を供給するための選択スイッチ
    を設け、 前記一配列方向に前記第1の光電変換部を含む光電変換
    部の複数が配置された一の光電変換部列と、前記一配列
    方向に前記第2及び第3の光電変換部を含む光電変換部
    の複数が配置された他の光電変換部列との間に、前記一
    の光電変換部列の各転送スイッチを制御する第1制御線
    と、各リセットスイッチを制御する第2制御線と、前記
    一の光電変換部列以外の光電変換部列の前記選択スイッ
    チを制御する第3制御線とを設けたことを特徴とする固
    体撮像装置。
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