JPH11195776A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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Abstract
われていない。 【解決手段】 行方向及び列方向に複数の光電変換部
(PD1、PD2)を配置し、該光電変換部で発生した信
号電荷を転送する電荷転送手段(TX1,FD1、TX
2,FD2)を、各光電変換部(PD1、PD2)に対応す
るように該行方向又は該列方向に配置し、電荷転送手段
(TX2,FD2)を中心として、電荷転送手段の並び方
向の一方の側(X1側)には、該電荷転送手段又は該電
荷転送手段とこれに対応する光電変換部とをリセットす
るリセット手段(RES2)を配置し、該電荷転送手段
の並び方向の他方の側(X2側)には、該電荷転送手段
から転送された信号電荷に対応した信号を増幅して出力
するための増幅手段(SF1)を配置した。
Description
り、特に行方向及び列方向に配列された複数の光電変換
部と、該光電変換部で発生した信号電荷を転送する電荷
転送手段と、該電荷転送手段又は該電荷転送手段とこれ
に対応する光電変換部とをリセットするリセット手段
と、該電荷転送手段から転送された信号電荷に対応した
信号を増幅して出力するための増幅手段とを有する固体
撮像装置に関する。
にフォトダイオードを用い、このフォトダイオードに蓄
積された光キャリアをFETやCCD型を用いて移動す
る方式のものがある。この固体撮像素子は太陽電池、イ
メージカメラ、複写機、ファクシミリなど種々な方面に
使用され、技術的にも変換効率や集積密度の改良改善が
図られている。
S型固体撮像装置として知られている。例えば、特開昭
9−46596号公報には、CMOSセンサと呼ばれる
固体撮像装置が開示されている。以下、その構成につい
て簡単に説明する。
の図8に開示されたCMOSセンサの一画素の構成に対
応する画素構成を示す説明図である。
オード部PD、フォトダイオード部PDからの信号電荷
を転送するための転送用スイッチMS11、転送された信
号を増幅して出力するための増幅手段MS14、画素を選
択するための選択スイッチMS13、残留した信号を除去
し電位VRにリセットするためのリセットスイッチMS
12から構成される。φTX、φRES、φSELはそれぞれ転送
スイッチMS11、リセットスイッチMS12、選択スイッ
チMS13を制御するための信号である。
像装置においては、画素の構成部材(転送用スイッチ、
増幅手段、選択スイッチ、リセットスイッチ)の最適な
レイアウトについては開示されておらず、本発明者らの
検討によれば、画素の構成部材や接続配線の配置によっ
ては、信号φRES、信号φSELからのクロストークが問題
となったり、配線による開口率の低下を招いたり、配線
による容量増大により感度が低下したりすることが分か
った。
装置は、光電変換部と、前記光電変換部で発生した信号
電荷を転送するための電荷転送手段と、前記電荷転送手
段から転送された信号電荷に対応した信号を増幅して出
力するための増幅手段とを行方向又は列方向に複数備え
た固体撮像装置において、前記電荷転送手段と前記増幅
手段との接続を周辺ノイズの影響を最も受けない位置に
ある増幅手段との接続としたことを特徴とする。
の固体撮像装置において、周辺ノイズの影響を最も受け
ない位置にある増幅手段との接続とは、前記電荷転送手
段と前記増幅手段との距離を最も短くした接続であるこ
とを特徴とする。
ついては、図1及び図2を用いて説明する。なお、本発
明の第3〜5の発明は図1を用いて、第6,7の発明は
図2を用いて説明する。
び列方向に複数の光電変換部(PD1、PD2)を配置
し、該光電変換部で発生した信号電荷を転送する電荷転
送手段(TX1,FD1、TX2,FD2)を、各光電変換
部(PD1、PD2)に対応するように該行方向又は該列
方向に配置し、電荷転送手段(TX2,FD2)を中心と
して、電荷転送手段の並び方向の一方の側(X1側)に
は、該電荷転送手段又は該電荷転送手段とこれに対応す
る光電変換部とをリセットするリセット手段(RES
2)を配置し、該電荷転送手段の並び方向の他方の側
(X2側)には、該電荷転送手段から転送された信号電
荷に対応した信号を増幅して出力するための増幅手段
(SF1)を配置したことを特徴とする。
第3の固体撮像装置において、前記光電変換部(PD
2)と前記電荷転送手段(TX2,FD2)は同一のアク
ティブ領域に形成され、前記増幅手段(SF1)は該光
電変換部と隣接する他の光電変換部(PD1)を含む他
のアクティブ領域に形成されていることを特徴とする。
第3又は第4の固体撮像装置において、前記電荷転送手
段の並び方向の他方の側に、前記増幅手段(SF1)に
隣接して前記増幅手段を選択して電圧を供給するための
選択手段(SEL1)を配置し、該電圧と前記リセット
手段に供給されるリセット電圧が共通の電源(VDD)
から供給されることを特徴とする。
向及び列方向に複数の光電変換部(PD2〜PD4)を配
置し、該光電変換部で発生した信号電荷を転送する電荷
転送手段(TX2,FD2;PD3とPD4の電荷転送手段
は不図示)と、該電荷転送手段又は該電荷転送手段と該
光電変換部とをリセットするリセット手段(RES2;
PD3とPD4のリセット手段は不図示)と、を各光電変
換部の周囲の該行方向又は該列方向のいずれかの一方向
(X方向)に配置した固体撮像装置であって、該電荷転
送手段(TX2,FD2)及び該リセット手段(RES
2)がその周囲に設けられた一の光電変換部(PD2)の
前記一方向とは異なる他の方向(Y方向)又は斜め方向
に配置された他の光電変換部(PD3;PD3は斜め方向
に配置されたもの)における周囲の該他の方向(Y方
向)の側であって、且つ該一の光電変換部の電荷転送手
段に近い側(図2中右側)に、前記一の光電変換部から
転送された信号電荷に対応した信号を増幅して出力する
ための増幅手段(SF3)を配置したことを特徴とす
る。
第6の固体撮像装置において、各光電変換部について前
記増幅手段に隣接して前記増幅手段を選択して電圧を供
給するための選択手段(SEL3)を設け、前記一の光
電変換部(PD2)を含む前記一方向に配列された一の
光電変換部列と前記他の光電変換部(PD3)を含む前
記一方向に配列された他の光電変換部列との間に、該一
の光電変換部列の各電荷転送手段(TX2)を制御する
第1制御線と、各リセット手段(RES2)を制御する
第2制御線と、前記一の光電変換部列以外の光電変換部
列の前記選択手段(SEL2)を制御する第3制御線
と、を設けたことを特徴とする。
説明するが、それに先だって、本発明に至る技術的背景
に基づき説明する。
構成として、フォトダイオード部(PD)、転送スイッ
チ(TX)、フローティングディフージョン(FD)、
リセットスイッチ(RES)、リセット電源(VR)、
選択スイッチ(SEL)、増幅手段(SF)、出力部
(OUT)、VDD電源(VDD)からなる場合を取り上
げて説明する。
された画素において、光電変換された電荷が蓄積される
フォトダイオード部(PD)の面積を大きくするには、
PD以外の構成部材をPDの周囲に高密度に配置するこ
とが求められる。そして、画素の開口率を上げるために
は、コンタクトの数を少なくし、可能な限り同一の拡散
領域となるようにすることが望ましい。
電源としてVDD電源を用いた場合には図3のような配置
が望ましく、リセット電源(VR)をVDD電源と別に設
ける場合は、図4のような配置が望ましい。
のゲートとの接続を行なった場合には、次のような不都
合がある。 (1) 図3及び図4に示すような配置の場合、転送ス
イッチ(TX)を制御する信号φTXの制御線、リセット
スイッチ(RES)を制御する信号φRESの制御線、選
択スイッチ(SEL)を制御する信号φSELの制御線
は、隣接するPD間の水平方向(列方向)に設けられ
る。
さずに、フローティングディフージョン(FD)と増幅
手段(SF)のゲートとの接続配線を設けるには、多層
配線でリセットスイッチ(RES)のゲート上や選択ス
イッチ(SEL)のゲート上を配線することになる。
φSELからフローティングディフージョン(FD)への
クロストークが問題となる。 (2) 一方、RESのゲート上やSELのゲート上を
避けて接続配線をしようとすると、PD上を配線するこ
とになり、開口率が下がる。 (3) また、フローティングディフージョン(FD)
と増幅手段(SF)のゲートとの接続配線の配線長さが
長くなると、FD容量が大きくなり、感度が低下する。
しつつ、上記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、本
発明に到達したものである。
明する。
D、TX、SEL、OUT、RES、SF、FDに添え
る数字は、同一のPDからの信号を転送、出力、リセッ
ト等する部材であることを示すのではなく、通常一画素
と認識されるであろう、同一のPDの周囲に設けられた
部材を示すものである。
えば、「"CMOS Active Pixel ImageSensors for Highly
Integrated Imaging Systems",IEEE Journal of Solid
-State Circuits. Vol.32.No2,February 1997.P187-19
7」のFig.6,Fig.9(b)(フォトゲートを用いたCMOS
センサ)、Fig.10(フォトダイオードを用いたCMOS
センサ)にレイアウト図が記載されているが、この種の
センサの一画素は通常、ほぼ四角形状またはそれに近い
形状をなし、PD等の光電変換部の周囲にTXやRES
等の画素構成部材が設けられていることが分かる。して
みると、本発明は、図1や図2、図9や図11等で示さ
れるPD2、TX2、FD2、RES2、SEL2、SF2、
OUT2で構成されるものを一画素とし、他の画素のS
F1やSF3を用いてPD2を有する画素からの信号出力
を行なうものと考えることもできる。
レイアウト図である。本実施形態はリセット電源として
VDD電源を用いた場合の図3の配置に対応するものであ
る。図1に示すように、本実施形態では、隣接するPD
1側に設けられた、増幅手段(SF1),出力部(OUT
1)を用いて、PD2からの信号の読み出しを行なうべ
く、PD2の周囲に設けられたFD2と、PD1側に設け
られたSF1とを接続する。
ゲートとを接続する場合に比べて、接続配線の長さが短
くなり、接続配線をRES2のゲート上、SEL2のゲー
ト上で配線することがなくなる。その結果、上記(1)
〜(3)の問題を解決することができる。
レイアウト図である。本実施形態はリセット電源をVDD
電源と別に設けた場合の図4の配置に対応するものであ
る。図2に示すように、本実施形態では、斜め方向に配
列されたPD3の周辺に設けられた、増幅手段(SF
3)、出力部(OUT3)を用いて、PD2からの信号出
力を行なうべく、PD2の周囲に設けられたFD2とPD
3の周囲に設けられたSF3とを接続する。
同様に、接続配線の長さが短くなり、接続配線をRES
2のゲート上で配線することがなくなるので、上記
(1)〜(3)の課題を解決することができる。
御線上に多層配線で接続配線を設けても、クロストーク
が生じない構成となっている。すなわち、本実施形態で
は、選択スイッチ(SEL)を制御する信号φSELの制
御線がFD2の上を通っても、その制御線は選択スイッ
チSEL3ではなく一行上の選択スイッチSEL2に接続
されるため(この選択スイッチSEL2には選択のため
のパルス信号が印加されない)、クロストークの問題は
生じない。
種々の変形形態が可能である。 (イ) 図5に示すように、SFとSELとの配置を逆
にして配置する。 (ロ) 図6に示すように、TX2、FD2、RES2、
VRをPD2の上側に配置し、FD2を上の行のSF(不
図示)と接続する。 (ハ) 図7に示すように、SEL、OUT、VDD、
SFの配置をPDの左側に配置する。 (ニ) 図8に示すように、FDを図中右側に配置し、
TX・FD、RES、VRの配列方向を図2と逆にする
とともに、下側のPDのSFに接続する。
との接続において、RESスイッチ(RES)等のクロ
ストーク等の周辺ノイズの影響となるようなものが少な
い方向の増幅手段(SF)との接続における距離が、ク
ロストーク等の周辺ノイズの影響となるものが多い方向
の増幅手段(SF)との接続における距離に等しいか又
はその距離もより大きい場合には、周辺ノイズの影響を
受けない方向の増幅手段(SF)と接続する。
四角として示してあるが、かかる形状に限定されず、溜
められる電荷量をできるだけ大きくし得る形状であれば
よい。
説明する。 (第1実施例)図9および図10は本発明の固体撮像装
置の第1実施例を示すレイアウト図である。図9は上層
配線のアルミ第2層を省いたレイアウト図、図10は上
層配線のアルミ第2層を含むレイアウト図である。図9
及び図10においては、4画素のみ示している。本実施
例は図1に示した第1の実施形態を具体的に示すもので
ある。なお、以下の説明では、フォトダイオード部PD
2からの信号読出しについてのみ説明するが、他のフォ
トダイオード部についても同様である。
D2の周囲には、転送スイッチTX2、フローティングデ
ィフージョンFD2、リセットスイッチRES2、選択ス
イッチSEL2、増幅手段SF2、出力部OUT2が設け
られている。また、リセットスイッチRES2と選択ス
イッチSEL2との間に、リセット電源を兼ねるVDD電
源が設けられている。図中、太線で囲った領域はアクテ
ィブ領域を示す。
からの信号の出力を、増幅手段SF2、出力部OUT2を
介して行なうのではなく、同一行に配列された隣接する
PD1の側に設けられた、増幅手段SF1、出力部OUT
1を介して行なう。そのために、PD2の周囲に設けられ
たFD2とPD1側に設けられたSF1とを、ポリシリコ
ン層及びアルミ第1層を用いて接続する。なお、増幅手
段SF1、出力部OUT1はPD1が設けられているアク
ティブ領域と同一のアクティブ領域内に形成される。
続配線の長さが短くなり、接続配線をRESのゲート
上、SELのゲート上で配線することがなくなる。ま
た、本実施例では、図10に示すように、FD2とSF1
との接続配線は信号φnSELの制御線と信号φnRESの制御
線との間に配置して、出力信号が信号φnSELや信号φnR
ESの影響を受けにくいようにしている。 (第2実施例)図11および図12は本発明の固体撮像
装置の第2実施例を示すレイアウト図である。図11は
上層配線のアルミ第2層を省いたレイアウト図、図12
は上層配線のアルミ第2層を含むレイアウト図である。
図11及び図12においては、4画素のみ示している。
本実施例は図2に示した第2の実施形態を具体的に示す
ものである。なお、以下の説明では、フォトダイオード
部PD2からの信号読出しについてのみ説明するが、他
のフォトダイオード部についても同様である。
PD2の周囲には、転送スイッチTX2、フローティング
ディフージョンFD2、リセットスイッチRES2、選択
スイッチSEL2、増幅手段SF2、出力部OUT2が設
けられている。また、リセットスイッチRES2,選択
スイッチSEL2に隣接して、それぞれリセット電源V
R,VDD電源が設けられている。図中、太線で囲った二
つの領域はアクティブ領域を示す。
からの信号の出力を、増幅手段SF2、出力部OUT2を
介して行なうのではなく、斜め方向に配列されたPD3
の周辺に設けられた、増幅手段SF3、出力部OUT3を
介して行なう。そのために、PD2の周囲に設けられた
FD2とPD3の周囲に設けられたSF3とを、ポリシリ
コン層及びアルミ第1層を用いて接続する。
続配線の長さが短くなり、接続配線をRESのゲート
上、SELのゲート上で配線することがなくなる。
選択スイッチSEL3のゲートは信号φnSELの制御線に
接続されるので、信号φn+1SELの制御線がFD2の上を
通っても、クロストークの問題は生じない。
像装置の画素部の回路構成図を示す。同図においては、
4×4の画素構成を示しており、一画素の構成は図13
の構成と同じである。 (第3実施例)本発明は、図13に示した画素構成に限
定されず、図15のように、選択手段が増幅手段と出力
との間に接続された画素構成を取ることもできる。
体撮像装置の概略的レイアウト図を図16に示す。
イトにおけるVDDとOUTとの配置を逆にしたもので
ある。このようなレイアウトとすると、FD2とSF2の
ゲートとを接続する場合に比べて、接続配線の長さが短
くなり、接続配線をRES2のゲート上、SEL2のゲー
ト上で配線することがなくなる。
フローティングディフージョン(FD)と増幅手段(S
F)との間の接続配線の長さが短くなり、接続配線をリ
セット手段(RES)のゲート上や、選択手段(SE
L)のゲート上で配線することがなくなる。その結果、
信号φRES、信号φSELからのクロストークを生ずること
がなく、開口率の大きい、高感度の固体撮像装置を得る
ことができる。
図である。
図である。
ト図である。
ト図である。
イアウト図である。
イアウト図である。
イアウト図である。
イアウト図である。
アウト図である。
イアウト図である。
イアウト図である。
イアウト図である。
である。
素部の回路構成図である。
明図である。
略的レイアウト図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 光電変換部と、前記光電変換部で発生し
た信号電荷を転送するための電荷転送手段と、前記電荷
転送手段から転送された信号電荷に対応した信号を増幅
して出力するための増幅手段とを行方向又は列方向に複
数備えた固体撮像装置において、 前記電荷転送手段と前記増幅手段との接続を周辺ノイズ
の影響を最も受けない位置にある増幅手段との接続とし
たことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の固体撮像装置におい
て、周辺ノイズの影響を最も受けない位置にある増幅手
段との接続とは、前記電荷転送手段と前記増幅手段との
距離を最も短くした接続であることを特徴とする固体撮
像装置。 - 【請求項3】 行方向及び列方向に複数の光電変換部を
配置し、該光電変換部で発生した信号電荷を転送する電
荷転送手段を、各光電変換部に対応するように該行方向
又は該列方向に配置し、 電荷転送手段を中心として、電荷転送手段の並び方向の
一方の側には、該電荷転送手段又は該電荷転送手段とこ
れに対応する光電変換部とをリセットするリセット手段
を配置し、該電荷転送手段の並び方向の他方の側には、
該電荷転送手段から転送された信号電荷に対応した信号
を増幅して出力するための増幅手段を配置したことを特
徴とする固体撮像装置。 - 【請求項4】 請求項3に記載の固体撮像装置におい
て、前記光電変換部と前記電荷転送手段は同一のアクテ
ィブ領域に形成され、前記増幅手段は該光電変換部と隣
接する他の光電変換部を含む他のアクティブ領域に形成
されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項5】 請求項3又は請求項4に記載の固体撮像
装置において、前記電荷転送手段の並び方向の他方の側
に、前記増幅手段に隣接して前記増幅手段を選択して電
圧を供給するための選択手段を配置し、該電圧と前記リ
セット手段に供給されるリセット電圧が共通の電源から
供給されることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項6】 行方向及び列方向に複数の光電変換部を
配置し、該光電変換部で発生した信号電荷を転送する電
荷転送手段と、該電荷転送手段又は該電荷転送手段と該
光電変換部とをリセットするリセット手段と、を各光電
変換部の周囲の該行方向又は該列方向のいずれかの一方
向に配置した固体撮像装置であって、 該電荷転送手段及び該リセット手段がその周囲に設けら
れた一の光電変換部の前記一方向とは異なる他の方向又
は斜め方向に配置された他の光電変換部における周囲の
該他の方向の側であって、且つ該一の光電変換部の電荷
転送手段に近い側に、前記一の光電変換部から転送され
た信号電荷に対応した信号を増幅して出力するための増
幅手段を配置したことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項7】 請求項6に記載の固体撮像装置におい
て、各光電変換部について前記増幅手段に隣接して前記
増幅手段を選択して電圧を供給するための選択手段を設
け、 前記一の光電変換部を含む前記一方向に配列された一の
光電変換部列と前記他の光電変換部を含む前記一方向に
配列された他の光電変換部列との間に、該一の光電変換
部列の各電荷転送手段を制御する第1制御線と、各リセ
ット手段を制御する第2制御線と、前記一の光電変換部
列以外の光電変換部列の前記選択手段を制御する第3制
御線と、を設けたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004111871A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Canon Inc | 半導体集積回路装置及びその素子配置方法 |
WO2004073301A1 (ja) * | 2003-02-13 | 2004-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置、その駆動方法及びそれを用いたカメラ |
JP2004336006A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Hynix Semiconductor Inc | 複数のフローティング拡散領域を備えるcmosイメージセンサの単位画素 |
WO2006025079A1 (ja) * | 2004-07-20 | 2006-03-09 | Fujitsu Limited | Cmos撮像素子 |
JP2006222427A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 共有構造相補性金属酸化膜半導体センサアレイのレイアウト |
JP2009296016A (ja) * | 2009-09-18 | 2009-12-17 | Renesas Technology Corp | 固体撮像素子 |
US7688373B2 (en) | 2003-03-07 | 2010-03-30 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device with specific contact arrangement |
WO2023074461A1 (ja) * | 2021-10-25 | 2023-05-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4006075B2 (ja) * | 1998-01-30 | 2007-11-14 | キヤノン株式会社 | Cmosセンサ及び撮像システム |
US6977684B1 (en) | 1998-04-30 | 2005-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Arrangement of circuits in pixels, each circuit shared by a plurality of pixels, in image sensing apparatus |
JP4200545B2 (ja) * | 1998-06-08 | 2008-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム |
US7015964B1 (en) | 1998-11-02 | 2006-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device and method of resetting the same |
US6850278B1 (en) * | 1998-11-27 | 2005-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup apparatus |
US7324144B1 (en) * | 1999-10-05 | 2008-01-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid image pickup device, image pickup system and method of driving solid image pickup device |
US6995800B2 (en) * | 2000-01-27 | 2006-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus utilizing a plurality of converging lenses |
US7057656B2 (en) * | 2000-02-11 | 2006-06-06 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Pixel for CMOS image sensor having a select shape for low pixel crosstalk |
US6965408B2 (en) * | 2000-02-28 | 2005-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device having a photoelectric conversion unit and a punch-through current suppression circuit |
KR100359770B1 (ko) * | 2000-03-02 | 2002-11-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 씨모스 이미지 센서의 액티브 픽셀 회로 |
JP3667214B2 (ja) * | 2000-08-25 | 2005-07-06 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
JP3880345B2 (ja) * | 2001-08-27 | 2007-02-14 | キヤノン株式会社 | 差動増幅回路及びそれを用いた固体撮像装置並びに撮像システム |
JP3641260B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2005-04-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP4154268B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
CN1574370A (zh) * | 2003-05-30 | 2005-02-02 | 松下电器产业株式会社 | 固体摄像器件 |
JP4018644B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び同光電変換装置を用いた撮像システム |
WO2005122555A1 (fr) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Via Technologies, Inc. | Fonctionnement d'un bloc capteur d'images et un dispositif capteur d'images equipe d'un tel bloc |
JP4971586B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
US20060113460A1 (en) * | 2004-11-05 | 2006-06-01 | Tay Hiok N | Image sensor with optimized wire routing |
KR100690880B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2007-03-09 | 삼성전자주식회사 | 픽셀별 광감도가 균일한 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
KR100680469B1 (ko) | 2005-01-31 | 2007-02-08 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 인접한 화소들 사이의 센싱노드들이 공유된 씨모스 이미지센서 |
KR100718781B1 (ko) | 2005-06-15 | 2007-05-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 콤팩트 픽셀 레이아웃을 갖는 cmos 이미지 센서 |
ZA200605213B (en) * | 2005-06-24 | 2007-09-26 | J Lok Co | Device for forming partitioned film packages |
JP4752447B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP4144892B2 (ja) * | 2006-08-28 | 2008-09-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像装置 |
KR100849825B1 (ko) * | 2007-03-14 | 2008-07-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
JP5130946B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2013-01-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、カメラ及び電子機器 |
US9526468B2 (en) * | 2014-09-09 | 2016-12-27 | General Electric Company | Multiple frame acquisition for exposure control in X-ray medical imagers |
JP2016111425A (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置 |
JP6246144B2 (ja) * | 2015-02-16 | 2017-12-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE34309E (en) | 1984-12-26 | 1993-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor device having plural photoelectric converting elements |
US4835404A (en) | 1986-09-19 | 1989-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus with a switching circuit and a resetting circuit for reading and resetting a plurality of lines sensors |
JPH07120767B2 (ja) | 1986-09-19 | 1995-12-20 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
EP0272152B1 (en) | 1986-12-18 | 1994-08-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Signal reading out circuit |
US4879470A (en) | 1987-01-16 | 1989-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus having carrier eliminating means |
US5262870A (en) | 1989-02-10 | 1993-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor in which reading and resetting are simultaneously performed |
US5162912A (en) | 1989-04-10 | 1992-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus eliminating noise in an output signal |
US5184006A (en) | 1990-04-23 | 1993-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus having clock signals of different frequencies |
JPH06339082A (ja) | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP3431995B2 (ja) | 1993-06-03 | 2003-07-28 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP3571770B2 (ja) | 1994-09-16 | 2004-09-29 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
JP3031606B2 (ja) | 1995-08-02 | 2000-04-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置と画像撮像装置 |
JPH09215001A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-15 | Hitachi Ltd | 撮像装置 |
US6160281A (en) | 1997-02-28 | 2000-12-12 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor with inter-pixel function sharing |
US6107655A (en) * | 1997-08-15 | 2000-08-22 | Eastman Kodak Company | Active pixel image sensor with shared amplifier read-out |
-
1997
- 1997-12-26 JP JP36108497A patent/JP3496918B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1998
- 1998-12-18 US US09/215,195 patent/US6633334B1/en not_active Expired - Fee Related
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Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004111871A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Canon Inc | 半導体集積回路装置及びその素子配置方法 |
US7436010B2 (en) | 2003-02-13 | 2008-10-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state imaging apparatus, method for driving the same and camera using the same |
WO2004073301A1 (ja) * | 2003-02-13 | 2004-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置、その駆動方法及びそれを用いたカメラ |
US8378401B2 (en) | 2003-02-13 | 2013-02-19 | Panasonic Corporation | Solid state imaging apparatus, method for driving the same and camera using the same |
US8106431B2 (en) | 2003-02-13 | 2012-01-31 | Panasonic Corporation | Solid state imaging apparatus, method for driving the same and camera using the same |
US8084796B2 (en) | 2003-02-13 | 2011-12-27 | Panasonic Corporation | Solid state imaging apparatus, method for driving the same and camera using the same |
US7696543B2 (en) | 2003-03-07 | 2010-04-13 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device |
US8299512B2 (en) | 2003-03-07 | 2012-10-30 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device |
US8592880B2 (en) | 2003-03-07 | 2013-11-26 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device |
US7688373B2 (en) | 2003-03-07 | 2010-03-30 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device with specific contact arrangement |
US7944493B2 (en) | 2003-03-07 | 2011-05-17 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device with specific contact arrangement |
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US8017983B2 (en) | 2003-03-07 | 2011-09-13 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device |
JP2004336006A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Hynix Semiconductor Inc | 複数のフローティング拡散領域を備えるcmosイメージセンサの単位画素 |
JP4634722B2 (ja) * | 2003-04-30 | 2011-02-16 | クロステック・キャピタル,リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 複数のフローティング拡散領域を備えるcmosイメージセンサの単位画素 |
WO2006025079A1 (ja) * | 2004-07-20 | 2006-03-09 | Fujitsu Limited | Cmos撮像素子 |
JPWO2006025079A1 (ja) * | 2004-07-20 | 2008-05-08 | 富士通株式会社 | Cmos撮像素子 |
US8610177B2 (en) | 2004-07-20 | 2013-12-17 | Fujitsu Semiconductor Limited | CMOS imaging device having U-shaped device isolation regions |
JP2006222427A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 共有構造相補性金属酸化膜半導体センサアレイのレイアウト |
US7244920B2 (en) | 2005-02-07 | 2007-07-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | CMOS sensor array with a shared structure |
JP2009296016A (ja) * | 2009-09-18 | 2009-12-17 | Renesas Technology Corp | 固体撮像素子 |
WO2023074461A1 (ja) * | 2021-10-25 | 2023-05-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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