JP2010219437A - 固体撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】フローティングディフュージョン部での同色電荷加算が可能な固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】4行2列の光電変換部(1〜8)と、4行2列のフローティングディフュージョン部(29〜36)と、4行2列の光電変換部により変換された電荷を4行2列のフローティングディフュージョン部に転送する4行2列の転送トランジスタ(11〜18)と、転送トランジスタのゲートに接続された転送ゲート制御線(20〜23)と、第1行第1列、第1行第2列、第3行第1列及び第3行第2列のフローティングディフュージョン部に接続された第1のフローティングディフュージョンノード部(9)と、第2行第1列、第2行第2列、第4行第1列及び第4行第2列のフローティングディフュージョン部に接続された第2のフローティングディフュージョンノード部(10)とを有することを特徴とする固体撮像装置が提供される。
【選択図】図1

Description

本発明は、固体撮像装置に関する。
近年の微細加工技術の進歩によって、CMOSイメージセンサの画素ピッチは縮小されてきている。それに伴い、画素の光電変換部の面積及び開口率が縮小されてきている。画素ピッチの縮小や開口率の減少により、光電変換部に入射する光量が減少して信号量が減少し、信号対ノイズ比が悪化してしまうという欠点がある。
また、画素内のトランジスタやフローティングディフュージョンの共有化を行い、開口率を確保し、複数画素の信号を加算することで画素面積の縮小による光量の減少を抑制する方法が特許文献1に開示されている。特許文献1では、4つの画素で1つの画素アンプトランジスタ、1つのリセットトランジスタを共有している構成が開示されている。また、画素アンプトランジスタの入力ノードであるフローティングディフュージョン上にて電荷を加算し、信号対ノイズ比を大きし、高いS/Nを得ることを可能としている。
また、特許文献2では、2行2列にわたる4画素でトランジスタを共有することで開口率を向上させる構成が開示されている。特許文献2によれば、4つの画素で1つの画素アンプトランジスタ、1つのリセットトランジスタが共有されており、隣接する2つの行と2つの列の計4画素の加算を行うことが出来る。
特開2005−198001号公報 特開2005−167958号公報
しかしながら、特許文献1では、4行1列の光電変換部で1つのフローティングディフュージョン部を共有させ、水平方向の配列ピッチを同じにするために、以下の構成を有する。すなわち、特許文献1では、光電変換部の列と、フローティングディフュージョン部やリセットトランジスタ、画素アンプトランジスタを配置した領域の列が交互に配置される構成となる。従って、画素ピッチの微細化が進んだ場合に、トランジスタの占める面積の割合が大きくなり、開口面積を確保することが困難となる。
また、カラー固体撮像装置で最も一般的なベイヤー配列では、同色は1行おきに配列されているため、1行おきの画素信号を加算させたい。しかしながら、画素ピッチの縮小に有効な特許文献2の構成においては、1行おきの画素信号をフローティングディフュージョン上で加算することができない。
よって、本発明においては、画素ピッチを縮小した場合でも、高い開口率及び広い開口面積を確保しながら、フローティングディフュージョン部での同色電荷加算が可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像装置は、ベイヤー配列のカラーフィルターに対応して4行2列のアレイ状に配置され、光を電荷に変換する光電変換部と、前記4行2列の光電変換部に対応して配置され、電荷を蓄積する4行2列のフローティングディフュージョン部と、前記4行2列の光電変換部に対応して配置され、前記4行2列の光電変換部により変換された電荷を前記4行2列のフローティングディフュージョン部に転送する4行2列の転送トランジスタと、前記転送トランジスタのゲートと接続された複数の転送ゲート制御線と、各行に含まれる前記複数のフローティングディフュージョン部が接続されたフローティングディフュージョンノード部とを有し、第1行のフローティングディフュージョン部を接続する第1のフローティングディフュージョンノード部と第3行のフローティングディフュージョン部を接続する第3のフローティングディフュージョンノード部とが接続され、第2行のフローティングディフュージョン部を接続する第2のフローティングディフュージョンノード部と第4行のフローティングディフュージョン部を接続する第4のフローティングディフュージョンノード部とが接続され、前記複数の転送ゲート制御線は、第1行と第2行の転送トランジスタのゲートと接続された複数の第1の転送ゲート制御線と、第3行と第4行の転送トランジスタのゲートと接続された複数の第2の転送ゲート制御線とを有することを特徴とする。
また、本発明の固体撮像装置は、ベイヤー配列のカラーフィルターに対応して4行2列のアレイ状に配置され、光を電荷に変換する光電変換部と、前記4行2列の光電変換部に対応して配置され、電荷を蓄積する4行2列のフローティングディフュージョン部と、前記4行2列の光電変換部に対応して配置され、前記4行2列の光電変換部により変換された電荷を前記4行2列のフローティングディフュージョン部に転送する4行2列の転送トランジスタと、第1行第1列の前記転送トランジスタのゲート及び第2行第2列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第1の転送ゲート制御線と、第1行第2列の前記転送トランジスタのゲート及び第2行第1列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第2の転送ゲート制御線と、第3行第1列の前記転送トランジスタのゲート及び第4行第2列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第3の転送ゲート制御線と、第3行第2列の前記転送トランジスタのゲート及び第4行第1列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第4の転送ゲート制御線と、第1行第1列、第1行第2列、第3行第1列及び第3行第2列の前記フローティングディフュージョン部に接続された第1のフローティングディフュージョンノード部と、第2行第1列、第2行第2列、第4行第1列及び第4行第2列の前記フローティングディフュージョン部に接続された第2のフローティングディフュージョンノード部とを有することを特徴とする。
また、本発明の固体撮像装置は、ベイヤー配列のカラーフィルターに対応して4行2列のアレイ状に配置され、光を電荷に変換する光電変換部と、前記4行2列の光電変換部に対応して配置され、電荷を蓄積する4行2列のフローティングディフュージョン部と、前記4行2列の光電変換部に対応して配置され、前記4行2列の光電変換部により変換された電荷を前記4行2列のフローティングディフュージョン部に転送する4行2列の転送トランジスタと、第1行第1列の前記転送トランジスタのゲート及び第2行第1列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第1の転送ゲート制御線と、第1行第2列の前記転送トランジスタのゲート及び第2行第2列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第2の転送ゲート制御線と、第3行第1列の前記転送トランジスタのゲート及び第4行第1列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第3の転送ゲート制御線と、第3行第2列の前記転送トランジスタのゲート及び第4行第2列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第4の転送ゲート制御線と、第1行第1列、第1行第2列、第3行第1列及び第3行第2列の前記フローティングディフュージョン部に接続された第1のフローティングディフュージョンノード部と、第2行第1列、第2行第2列、第4行第1列及び第4行第2列の前記フローティングディフュージョン部に接続された第2のフローティングディフュージョンノード部とを有することを特徴とする。
画素ピッチを縮小した場合でも、高い開口率及び広い開口面積を確保しながら、フローティングディフュージョン部での同色電荷加算を行うことができる。
本発明の第1の実施形態による固体撮像装置の構成例を示す回路図である。 本発明の第1の実施形態による固体撮像装置の平面レイアウト図である。 本発明の第2の実施形態による固体撮像装置の構成例を示す回路図である。 本発明の第2の実施形態による固体撮像装置の平面レイアウト図である。 図5(A)は従来の技術による単位画素群の模式図であり、図5(B)は本発明の第1の実施形態による単位画素群の模式図である。 光電変換装置を適用した撮像システムの構成図である。
(第1の実施形態)
図1及び図2を参照しながら、本発明の第1の実施形態を説明する。図1は、本発明の第1の実施形態による固体撮像装置の構成例を示す回路図である。固体撮像装置は、4行2列単位画素群を有する。入射光を電子エネルギーに変換する光電変換部は例えばフォトダイオード(PD)からなり、行方向にPD部1,2,3,4が配置されている。さらに、各PD部1〜4と列方向に隣接してPD部5,6,7,8が配置されている。本明細書において列方向を列番号が増加する方向、行方向を行番号が増加する方向とする。
1行目と2行目の間にはPD部からの電荷を一時的に保持するフローティングディフュージョン(FD)部29〜36があり、更にフローティングディフュージョン(FD)ノード部9と10が設けられている。FD部29,31,33,35はFDノード部9に接続され、FD部30,32,34,36はFDノード部10に接続されている。FDノード部9は1行目と3行目のPD部1,3,5,7で光電変換された電荷を蓄積する。FDノード部10は2行目と4行目のPD部2,4,6,8で光電変換された電荷を蓄積する。このように、各FDノード部9,10は4つのPD部により共有されている。
PD部1,3,5,7とFD部29,31,33,35との間にはPD部1、3、5,7で光電変換された電荷を転送する転送トランジスタ11,13,15,17が接続されている。PD部2,4,6,8とFD部30,32,34,36との間にはPD部2,4,6,8で光電変換された電荷を転送する転送トランジスタ12,14,16,18が接続されている。
PD部1〜8、FD部29〜36、FDノード部9,10、転送トランジスタ11〜18を含むセルを単位画素群19とする。
本実施形態では、1行目に含まれる転送トランジスタ11と2行目に含まれる転送トランジスタ16は、転送ゲート制御線20に接続され、1行目に含まれる転送トランジスタ15と2行目に含まれる転送トランジスタ12は、転送ゲート制御線21に接続される。
また、3行目に含まれる転送トランジスタ13と4行目に含まれる転送トランジスタ18は、転送ゲート制御線22に接続され、3行目に含まれる転送トランジスタ17と4行目に含まれる転送トランジスタ14は、転送ゲート制御線23に接続される。
FDノード部9にはリセットトランジスタ24が接続され、FDノード部10にはリセットトランジスタ25が接続されている。リセットトランジスタ24,25は共通のリセット制御線26に接続されている。
FDノード部9とリセットトランジスタ24は画素アンプトランジスタ27に接続されている。また、FDノード部10とリセットトランジスタ25は画素アンプトランジスタ28に接続されている。
図2は、図1の固体撮像装置に対応する平面レイアウト図である。図2において、図1と同じ部品は同じ番号を付してある。すなわち、固体撮像装置は、光電変換部(PD部)1〜8、フローティングディフュージョンノード部(FDノード部)9,10、転送トランジスタ11〜18、光電変換セル(単位画素群)19、転送ゲート制御線20,21,22,23を有する。さらに、固体撮像装置は、各転送トランジスタ11〜18と各転送ゲート制御線20〜23を接続する配線49〜56、リセットトランジスタ24,25と画素アンプトランジスタ27,28を含む画素トランジスタ領域44、リセット制御線26を有する。
FDノード部9はFD部29,31,33,35によって共有されており、FDノード部10はFD部30,32,34,36によって共有されている。FDノード部9,10とFD部29〜36は異なり、FD部29〜36はPD部1〜8や画素トランジスタ領域44と同様にアクティブ領域である。そのため、FD部29〜36及び画素トランジスタ領域44の配置がPD部1〜8の面積に影響する。また、FDノード部9,10は配線層を含み、PD部1〜8の上にも配置できる。FDノード部9,10はPD部1〜4の列とPD部5〜8の列の間に配置される。リセットトランジスタはFDノード部9,10の重なる部分に配置され、共通のリセット制御線26によって制御される。
転送ゲート制御線20は接続線49,54とコンタクト(図中の黒四角で記述)、及びスルーホールを介して、PD部1に蓄積された電荷を転送する転送トランジスタ11とPD部6に蓄積された電荷を転送する転送トランジスタ16を制御する。転送ゲート制御線21は接続線50、53とコンタクト、及びスルーホールを介して、PD部2に蓄積された電荷を転送する転送トランジスタ12とPD部5に蓄積された電荷を転送する転送トランジスタ15を制御する。転送ゲート制御線20,21はPD部1,5の含まれる行とPD部2,6の含まれる行の間に配置される。
転送ゲート制御線22はPD部3に蓄積された電荷を転送する転送トランジスタ13とPD部8に蓄積された電荷を転送する転送トランジスタ18を制御する。転送ゲート制御線23はPD部4に蓄積された電荷を転送する転送トランジスタ14とPD部7に蓄積された電荷を転送する転送トランジスタ17を制御する。転送ゲート制御線22,23はPD部3,7の含まれる行とPD部4,8の含まれる行の間に配置される。
以上のような配置にすることで、PD部の電荷を読み出す際に、転送ゲート制御線20と転送ゲート制御線22、もしくは転送ゲート制御線21と転送ゲート制御線23にそれぞれ同時に転送パルスを送ることができる。これにより、FDノード部9,10上で同色信号加算を行うことができる。そのため、光電変換感度を向上させることができる。
また、PD部1〜4とPD部5〜8の間にリセットトランジスタ24,25と転送トランジスタ11〜18、画素アンプトランジスタ27,28を配置する。図5(B)において、光電変換部領域41は、第1列の光電変換部1〜4を有する。光電変換部領域42は、第2列の光電変換部5〜8を有する。光電変換部領域41及び42の2列に対し、フローティングディフュージョン部29〜36、リセットトランジスタ24,25、画素アンプトランジスタ27,28を配置した素子領域43が1列ですむ。そのため、PD部の面積を増大することができ、飽和電子数を増大させることができる。また、感度を向上させることができ、S/N比を増大させることができる。
リセットトランジスタ24,25は同じパルスでリセットすることができるので、光電変換セルを横切る配線数を1本にすることができるため、PD部の開口率を確保することができる。
簡略化した平面レイアウトである図5(A)及び図5(B)を用いて、本実施形態の効果を説明する。光電変換部として利用できる領域を37,38で示し、フローティングディフュージョン部、リセットトランジスタ、画素アンプトランジスタ等の素子領域を39,40で示す。図5(A)は、特許文献1を組み合わせて構成された平面レイアウト図、図5(B)は本実施形態による簡略化されたレイアウト図である。図5(A)で、光電変換部37,38の2列に対して、転送トランジスタ、フローティングディフュージョン、リセットトランジスタ等の素子領域39,40は2列必要になる。一方、図5(B)では、光電変換部領域41,42の2列に対して素子領域43は1列となる。
以上のように、本実施形態の固体撮像装置は、ベイヤー配列のカラーフィルターに対応して4行2列のアレイ状に配置され、光を電荷に変換する光電変換部1〜8を有する。4行2列のフローティングディフュージョン部29〜36は、4行2列の光電変換部1〜8に対応して配置され、電荷を蓄積する。4行2列の転送トランジスタ11〜18は、4行2列の光電変換部1〜8に対応して配置され、4行2列の光電変換部1〜8により変換された電荷を4行2列のフローティングディフュージョン部29〜36に転送する。第1の転送ゲート制御線20は、第1行第1列の前記転送トランジスタ11のゲート及び第2行第2列の前記転送トランジスタ16のゲートに接続される。第2の転送ゲート制御線21は、第1行第2列の前記転送トランジスタ15のゲート及び第2行第1列の前記転送トランジスタ12のゲートに接続される。第3の転送ゲート制御線22は、第3行第1列の前記転送トランジスタ13のゲート及び第4行第2列の前記転送トランジスタ18のゲートに接続される。第4の転送ゲート制御線23は、第3行第2列の前記転送トランジスタ17のゲート及び第4行第1列の前記転送トランジスタ14のゲートに接続される。第1のフローティングディフュージョンノード部9は、第1行第1列、第1行第2列、第3行第1列及び第3行第2列の前記フローティングディフュージョン部29,33,31,35に接続される。第2のフローティングディフュージョンノード部10は、第2行第1列、第2行第2列、第4行第1列及び第4行第2列の前記フローティングディフュージョン部31,34,32,36に接続される。
第1のリセットトランジスタ24は、第1のフローティングディフュージョンノード部9に接続され、第1のフローティングディフュージョンノード部9の電荷をリセットする。第2のリセットトランジスタ25は、第2のフローティングディフュージョンノード部10に接続され、第2のフローティングディフュージョンノード部10の電荷をリセットする。第1の画素アンプトランジスタ27は、第1のフローティングディフュージョンノード部9に接続され、第1のフローティングディフュージョンノード部9の電圧を増幅する。第2の画素アンプトランジスタ28は、第2のフローティングディフュージョンノード部10に接続され、第2のフローティングディフュージョンノード部10の電圧を増幅する。
図5(B)の素子領域43は、図1の4行2列のフローティングディフュージョン部29〜36、第1のリセットトランジスタ24、第2のリセットトランジスタ25、第1の画素アンプトランジスタ27及び第2の画素アンプトランジスタ28を有する。素子領域43は、第1列の4個の光電変換部1〜4の光電変換部領域41及び第2列の4個の光電変換部5〜8の光電変換部領域42の間に配置されている。
図1において、リセット制御線26は、第1のリセットトランジスタ24のゲート及び第2のリセットトランジスタ25のゲートに共通に接続される。
(第2の実施形態)
図3は、本発明の第2の実施形態による固体撮像装置の構成例を示す回路図である。図4に本発明の第2の実施形態による固体撮像装置のレイアウト図を示す。本発明の第1の実施形態との違いを以下に説明する。
本実施形態では、1行目に含まれる転送トランジスタ11と2行目に含まれる転送トランジスタ12は転送ゲート制御線20に接続され、1行目に含まれる転送トランジスタ15と2行目に含まれる転送トランジスタ16は転送ゲート制御線21に接続される。転送トランジスタ11と転送トランジスタ12のゲートは転送トランジスタのゲートを繋ぐ配線45によって接続され、転送トランジスタ15と転送トランジスタ16のゲートは転送トランジスタのゲートを繋ぐ配線47によって接続される。
また、3行目に含まれる転送トランジスタ13と4行目に含まれる転送トランジスタ14は転送ゲート制御線22に接続され、3行目に含まれる転送トランジスタ17と4行目に含まれる転送トランジスタ18は転送ゲート制御線23に接続される。転送トランジスタ13と転送トランジスタ14のゲートは転送トランジスタのゲートを繋ぐ配線46によって接続され、転送トランジスタ17と転送トランジスタ18のゲートは転送トランジスタのゲートを繋ぐ配線48によって接続される。
上記のような配置にすることで、転送トランジスタのゲートを繋ぐ配線を隣接する列まで引き伸ばす必要がなくなる。そのため、転送トランジスタ近傍の配線を短くすることができ、開口を広げることができる。このことにより、感度を上げ、S/N比を向上させることができる。
以上述べた技術を用いることにより、画素ピッチを縮小したカラー固体撮像装置でも、高い開口率及び広い開口面積を確保しながら、フローティングディフュージョン部での同色電荷加算を行うことができる。
以上のように、本実施形態の固体撮像装置は、ベイヤー配列のカラーフィルターに対応して4行2列のアレイ状に配置され、光を電荷に変換する光電変換部1〜8を有する。4行2列のフローティングディフュージョン部29〜36は、4行2列の光電変換部1〜8に対応して配置され、電荷を蓄積する。4行2列の転送トランジスタ11〜18は、4行2列の光電変換部1〜8に対応して配置され、4行2列の光電変換部1〜8により変換された電荷を4行2列のフローティングディフュージョン部29〜36に転送する。第1の転送ゲート制御線20は、第1行第1列の前記転送トランジスタ11のゲート及び第2行第1列の前記転送トランジスタ12のゲートに接続される。第2の転送ゲート制御線21は、第1行第2列の前記転送トランジスタ15のゲート及び第2行第2列の前記転送トランジスタ16のゲートに接続される。第3の転送ゲート制御線22は、第3行第1列の前記転送トランジスタ13のゲート及び第4行第1列の前記転送トランジスタ14のゲートに接続される。第4の転送ゲート制御線23は、第3行第2列の前記転送トランジスタ17のゲート及び第4行第2列の前記転送トランジスタ18のゲートに接続される。第1のフローティングディフュージョンノード部9は、第1行第1列、第1行第2列、第3行第1列及び第3行第2列の前記フローティングディフュージョン部29,33,31,35に接続される。第2のフローティングディフュージョンノード部10は、第2行第1列、第2行第2列、第4行第1列及び第4行第2列の前記フローティングディフュージョン部31,34,32,36に接続される。
また、第1行のフローティングディフュージョン部29,33を接続する第1のフローティングディフュージョンノード部9と第3行のフローティングディフュージョン部31,35を接続する第3のフローティングディフュージョンノード部9とが接続される。また、第2行のフローティングディフュージョン部30,34を接続する第2のフローティングディフュージョンノード部10と第4行のフローティングディフュージョン部32,36を接続する第4のフローティングディフュージョンノード部10とが接続される。複数の第1の転送ゲート制御線と20,21は、第1行と第2行の転送トランジスタ11,12,15,16のゲートと接続される。複数の第2の転送ゲート制御線22,23は、第3行と第4行の転送トランジスタ13,14,17,18のゲートと接続される。
第1のリセットトランジスタ24は、第1のフローティングディフュージョンノード部9に接続され、第1のフローティングディフュージョンノード部9の電荷をリセットする。第2のリセットトランジスタ25は、第2のフローティングディフュージョンノード部10に接続され、第2のフローティングディフュージョンノード部10の電荷をリセットする。第1の画素アンプトランジスタ27は、第1のフローティングディフュージョンノード部9に接続され、第1のフローティングディフュージョンノード部9の電圧を増幅する。第2の画素アンプトランジスタ28は、第2のフローティングディフュージョンノード部10に接続され、第2のフローティングディフュージョンノード部10の電圧を増幅する。
図5(B)の素子領域43は、図3の4行2列のフローティングディフュージョン部29〜36、第1のリセットトランジスタ24、第2のリセットトランジスタ25、第1の画素アンプトランジスタ27及び第2の画素アンプトランジスタ28を有する。素子領域43は、第1列の4個の光電変換部1〜4の光電変換部領域41及び第2列の4個の光電変換部5〜8の光電変換部領域42の間に配置されている。
図3において、リセット制御線26は、第1のリセットトランジスタ24のゲート及び第2のリセットトランジスタ25のゲートに共通に接続される。
以上のように、第1及び第2の実施形態によれば、画素ピッチを縮小した場合でも、高い開口率及び広い開口面積を確保しながら、フローティングディフュージョン部での同色電荷加算を行うことができる。
次に、本発明の光電変換装置を適用した撮像システムの一例を図6に示す。撮像システム90は、図6に示すように、主として、光学系、撮像装置1086及び信号処理部を備える。光学系は、主として、シャッター1091、レンズ1092及び絞り1093を備える。撮像装置1086は、光電変換装置100を含む。信号処理部は、撮像信号処理回路1095、A/D変換器1096、画像信号処理部1097、メモリ部1087、外部I/F部1089、タイミング発生部1098、全体制御・演算部1099、記録媒体1088及び記録媒体制御I/F部1094を備える。なお、信号処理部は、記録媒体1088を備えなくても良い。
シャッター1091は、光路上においてレンズ1092の手前に設けられ、露出を制御する。レンズ1092は、入射した光を屈折させて、撮像装置1086の光電変換装置100の撮像面に被写体の像を形成する。絞り1093は、光路上においてレンズ1092と光電変換装置100との間に設けられ、レンズ1092を通過後に光電変換装置100へ導かれる光の量を調節する。撮像装置1086の光電変換装置100は、光電変換装置100の撮像面に形成された被写体の像を画像信号に変換する。撮像装置1086は、その画像信号を光電変換装置100から読み出して出力する。
撮像信号処理回路1095は、撮像装置1086に接続されており、撮像装置1086から出力された画像信号を処理する。A/D変換器1096は、撮像信号処理回路1095に接続されており、撮像信号処理回路1095から出力された処理後の画像信号(アナログ信号)を画像信号(デジタル信号)へ変換する。画像信号処理部1097は、A/D変換器1096に接続されており、A/D変換器1096から出力された画像信号(デジタル信号)に各種の補正等の演算処理を行い、画像データを生成する。この画像データは、メモリ部1087、外部I/F部1089、全体制御・演算部1099及び記録媒体制御I/F部1094などへ供給される。メモリ部1087は、画像信号処理部1097に接続されており、画像信号処理部1097から出力された画像データを記憶する。外部I/F部1089は、画像信号処理部1097に接続されている。これにより、画像信号処理部1097から出力された画像データを、外部I/F部1089を介して外部の機器(パソコン等)へ転送する。
タイミング発生部1098は、撮像装置1086、撮像信号処理回路1095、A/D変換器1096及び画像信号処理部1097に接続されている。これにより、撮像装置1086、撮像信号処理回路1095、A/D変換器1096及び画像信号処理部1097へタイミング信号を供給する。そして、撮像装置1086、撮像信号処理回路1095、A/D変換器1096及び画像信号処理部1097がタイミング信号に同期して動作する。全体制御・演算部1099は、タイミング発生部1098、画像信号処理部1097及び記録媒体制御I/F部1094に接続されており、タイミング発生部1098、画像信号処理部1097及び記録媒体制御I/F部1094を全体的に制御する。記録媒体1088は、記録媒体制御I/F部1094に取り外し可能に接続されている。これにより、画像信号処理部1097から出力された画像データを、記録媒体制御I/F部1094を介して記録媒体1088へ記録する。
以上の構成により、光電変換装置100において良好な画像信号が得られれば、良好な画像(画像データ)を得ることができる。
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
1〜8 光電変換部(PD部)
9,10 フローティングディフュージョンノード部(FDノード部)
11〜18 転送トランジスタ
19 単位画素群
20〜23 転送ゲート制御線
24,25 リセットトランジスタ
26 リセット制御線
27,28 画素アンプトランジスタ
29〜36 フローティングディフュージョン部(FD部)
37,38 光電変換部
39,40 素子領域
41,42 光電変換部領域
43 素子領域
44 素子領域(画素トランジスタ領域)
45〜48 転送トランジスタのゲートを繋ぐ配線
49〜56 転送線と転送トランジスタのゲートを繋ぐ配線

Claims (9)

  1. ベイヤー配列のカラーフィルターに対応して4行2列のアレイ状に配置され、光を電荷に変換する光電変換部と、
    前記4行2列の光電変換部に対応して配置され、電荷を蓄積する4行2列のフローティングディフュージョン部と、
    前記4行2列の光電変換部に対応して配置され、前記4行2列の光電変換部により変換された電荷を前記4行2列のフローティングディフュージョン部に転送する4行2列の転送トランジスタと、
    前記転送トランジスタのゲートと接続された複数の転送ゲート制御線と、
    各行に含まれる前記複数のフローティングディフュージョン部が接続されたフローティングディフュージョンノード部とを有し、
    第1行のフローティングディフュージョン部を接続する第1のフローティングディフュージョンノード部と第3行のフローティングディフュージョン部を接続する第3のフローティングディフュージョンノード部とが接続され、
    第2行のフローティングディフュージョン部を接続する第2のフローティングディフュージョンノード部と第4行のフローティングディフュージョン部を接続する第4のフローティングディフュージョンノード部とが接続され、
    前記複数の転送ゲート制御線は、第1行と第2行の転送トランジスタのゲートと接続された複数の第1の転送ゲート制御線と、第3行と第4行の転送トランジスタのゲートと接続された複数の第2の転送ゲート制御線とを有することを特徴とする固体撮像装置。
  2. ベイヤー配列のカラーフィルターに対応して4行2列のアレイ状に配置され、光を電荷に変換する光電変換部と、
    前記4行2列の光電変換部に対応して配置され、電荷を蓄積する4行2列のフローティングディフュージョン部と、
    前記4行2列の光電変換部に対応して配置され、前記4行2列の光電変換部により変換された電荷を前記4行2列のフローティングディフュージョン部に転送する4行2列の転送トランジスタと、
    第1行第1列の前記転送トランジスタのゲート及び第2行第2列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第1の転送ゲート制御線と、
    第1行第2列の前記転送トランジスタのゲート及び第2行第1列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第2の転送ゲート制御線と、
    第3行第1列の前記転送トランジスタのゲート及び第4行第2列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第3の転送ゲート制御線と、
    第3行第2列の前記転送トランジスタのゲート及び第4行第1列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第4の転送ゲート制御線と、
    第1行第1列、第1行第2列、第3行第1列及び第3行第2列の前記フローティングディフュージョン部に接続された第1のフローティングディフュージョンノード部と、
    第2行第1列、第2行第2列、第4行第1列及び第4行第2列の前記フローティングディフュージョン部に接続された第2のフローティングディフュージョンノード部と
    を有することを特徴とする固体撮像装置。
  3. さらに、前記第1のフローティングディフュージョンノード部に接続され、前記第1のフローティングディフュージョンノード部の電荷をリセットする第1のリセットトランジスタと、
    前記第2のフローティングディフュージョンノード部に接続され、前記第2のフローティングディフュージョンノード部の電荷をリセットする第2のリセットトランジスタと、
    前記第1のフローティングディフュージョンノード部に接続され、前記第1のフローティングディフュージョンノード部の電圧を増幅する第1の画素アンプトランジスタと、
    前記第2のフローティングディフュージョンノード部に接続され、前記第2のフローティングディフュージョンノード部の電圧を増幅する第2の画素アンプトランジスタとを有することを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
  4. 前記4行2列のフローティングディフュージョン部、前記第1のリセットトランジスタ、前記第2のリセットトランジスタ、前記第1の画素アンプトランジスタ及び前記第2の画素アンプトランジスタは、第1列の4個の前記光電変換部及び第2列の4個の前記光電変換部の間に配置されていることを特徴とする請求項3記載の固体撮像装置。
  5. さらに、前記第1のリセットトランジスタのゲート及び前記第2のリセットトランジスタのゲートに共通に接続されたリセット制御線を有することを特徴とする請求項3又は4記載の固体撮像装置。
  6. ベイヤー配列のカラーフィルターに対応して4行2列のアレイ状に配置され、光を電荷に変換する光電変換部と、
    前記4行2列の光電変換部に対応して配置され、電荷を蓄積する4行2列のフローティングディフュージョン部と、
    前記4行2列の光電変換部に対応して配置され、前記4行2列の光電変換部により変換された電荷を前記4行2列のフローティングディフュージョン部に転送する4行2列の転送トランジスタと、
    第1行第1列の前記転送トランジスタのゲート及び第2行第1列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第1の転送ゲート制御線と、
    第1行第2列の前記転送トランジスタのゲート及び第2行第2列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第2の転送ゲート制御線と、
    第3行第1列の前記転送トランジスタのゲート及び第4行第1列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第3の転送ゲート制御線と、
    第3行第2列の前記転送トランジスタのゲート及び第4行第2列の前記転送トランジスタのゲートに接続された第4の転送ゲート制御線と、
    第1行第1列、第1行第2列、第3行第1列及び第3行第2列の前記フローティングディフュージョン部に接続された第1のフローティングディフュージョンノード部と、
    第2行第1列、第2行第2列、第4行第1列及び第4行第2列の前記フローティングディフュージョン部に接続された第2のフローティングディフュージョンノード部と
    を有することを特徴とする固体撮像装置。
  7. さらに、前記第1のフローティングディフュージョンノード部に接続され、前記第1のフローティングディフュージョンノード部の電荷をリセットする第1のリセットトランジスタと、
    前記第2のフローティングディフュージョンノード部に接続され、前記第2のフローティングディフュージョンノード部の電荷をリセットする第2のリセットトランジスタと、
    前記第1のフローティングディフュージョンノード部に接続され、前記第1のフローティングディフュージョンノード部の電圧を増幅する第1の画素アンプトランジスタと、
    前記第2のフローティングディフュージョンノード部に接続され、前記第2のフローティングディフュージョンノード部の電圧を増幅する第2の画素アンプトランジスタとを有することを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置。
  8. 前記4行2列のフローティングディフュージョン部、前記第1のリセットトランジスタ、前記第2のリセットトランジスタ、前記第1の画素アンプトランジスタ及び前記第2の画素アンプトランジスタは、第1列の4個の前記光電変換部及び第2列の4個の前記光電変換部の間に配置されていることを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置。
  9. さらに、前記第1のリセットトランジスタのゲート及び前記第2のリセットトランジスタのゲートに共通に接続されたリセット制御線を有することを特徴とする請求項7又は8記載の固体撮像装置。
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