JPWO2006025079A1 - Cmos撮像素子 - Google Patents
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Abstract
Description
行列状に配列された複数のCMOSフォトセンサよりなるCMOS撮像素子であって、
列方向に隣接する第1のCMOSフォトセンサと第2のCMOSフォトセンサとは、半導体基板上に素子分離領域により画成された、単一の、連続した素子領域中に形成されるCMOS撮像素子を提供する。
行列状に配列された複数のCMOSフォトセンサよりなるCMOS撮像素子であって、
列方向に隣接する第1のCMOSフォトセンサと第2のCMOSフォトセンサと、前記第1のCMOSフォトセンサおよび前記第2のCMOSフォトセンサに対してそれぞれ行方向に隣接する第3のCMOSフォトセンサと第4のCMOSフォトセンサとは、半導体基板上に素子分離領域により画成された、単一の、連続した素子領域中に形成されるCMOS撮像素子を提供する。
10A リセット電圧端子
10B リセットトランジスタ
10C 転送ゲートトランジスタ
10D,D11〜D44 フォトダイオード
10F 読出しトランジスタ
10f 配線パターン
10S 選択トランジスタ
10I 素子分離領域
10W1,10W2,10W11,10W12,W31,W32,W41,W42 素子領域
20,40,60,80,100,120 CMOS撮像素子
20B リセットトランジスタ
20C1,20C2、T11〜T44 転送ゲートトランジスタ
20D1,20D2,120D11〜120D24 フォトダイオード拡散領域
20CG1,20CG2,20BG,20FG,20SG,G1〜G7 ゲート電極
20F 読出しトランジスタ
20H,20h1,20h2,20h3 配線パターン
20I 素子分離領域
20PW,120I,120i,120PW 素子分離拡散領域
20S,SL1,SL2 選択トランジスタ
20W,120W 素子領域
20W1,20W2,20W3,120W1,120W2,120W3 素子領域部分
20c1〜20c8,120c1,120c2 コンタクト
FD,FD1,FD2 共有浮遊拡散領域
M1〜M4,120M1〜120M9 第1配線層
N1〜N3,120N1〜120N8 第2配線層
PX1,PX2 画素
図11は、本発明の第1の実施形態によるCMOS撮像素子20のレイアウトを示す。
[第2の実施形態]
図16は、本発明の第2実施形態によるCMOS素子40の構成を示す。ただし図16中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
[第3の実施形態]
図18は、本発明の第3の実施形態によるCMOS撮像素子60のレイアウトを示す平面図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
[第4の実施形態]
図19は、本発明の第4実施形態によるCMOS撮像素子80のレイアウトを示す平面図である。ただし図19中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
[第5の実施形態]
図20は、本発明の第5実施形態によるCMOS撮像素子100の構成を示す。ただし図20中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
[第6の実施形態]
図22は、本発明の第6実施形態によるCMOS撮像素子120の構成を示す等価回路図である。
Claims (27)
- 行列状に配列された複数のCMOSフォトセンサよりなるCMOS撮像素子であって、
列方向に隣接する第1のCMOSフォトセンサと第2のCMOSフォトセンサとは、半導体基板上に素子分離領域により画成された、単一の、連続した素子領域中に形成されるCMOS撮像素子。 - 請求項1に記載のCMOS撮像素子であって、
前記素子領域は前記半導体基板上を前記列方向に延在する第1の素子領域部分と、前記第1の素子領域部分から分岐し、前記第1の素子領域部分に平行に、前記第1の素子領域部分から前記行方向に離間して延在する第2の素子領域部分とよりなるCMOS撮像素子。 - 請求項2に記載のCMOS撮像素子であって、
各々のCMOSフォトセンサは、フォトダイオードと、前記フォトダイオードにより形成されたフォトキャリアを蓄積する浮遊拡散領域と、リセット制御信号により駆動され、前記浮遊拡散領域をリセットするリセットトランジスタと、転送制御信号により駆動され、前記フォトキャリアの前記浮遊拡散領域への転送を制御する転送ゲートトランジスタと、前記浮遊拡散領域において前記フォトキャリアにより誘起される電圧変化を検出する読出しトランジスタと、選択制御信号により制御され、前記読出しトランジスタの出力信号を選択的に出力する選択トランジスタとよりなり、
前記第1のCMOSフォトセンサと前記第2のCMOSフォトセンサとは、それぞれの浮遊拡散領域を前記第1の素子領域部分中に、共有浮遊拡散領域として共有し、前記第1のCMOSフォトセンサのフォトダイオードを構成する第1の拡散領域と、前記第2のCMOSフォトセンサのフォトダイオードを構成する第2の拡散領域とは、前記第1の素子領域部分中において前記共有浮遊拡散領域を挟んで前記列方向に対向し、
前記共有浮遊拡散領域と前記第1の拡散領域との間には、前記第1のCMOSフォトセンサの転送ゲートトランジスタが設けられ、
前記共有浮遊拡散領域と前記第2の拡散領域との間には、前記第2のCMOSフォトセンサの転送ゲートトランジスタが設けられるCMOS撮像素子。 - 請求項3記載のCMOS撮像素子であって、
前記第2の素子領域部分中に、それぞれのリセットトランジスタを共有リセットトランジスタとして共有するCMOS撮像素子。 - 請求項4記載のCMOS撮像素子であって、
前記第1の素子領域部分と前記第2の素子領域部分とは、前記素子分離領域中を前記共有浮遊拡散領域から延在し前記共有浮遊拡散領域の一部を構成する第3の素子領域部分により接続され、
前記第2の素子領域部分には単一の電源コンタクトホールが形成され、
前記共有リセットトランジスタは、前記第2の素子領域部分のうち、前記単一の電源コンタクトホールに対して前記第3の素子領域部分に近い側に形成されるCMOS撮像素子。 - 請求項5記載のCMOS撮像素子であって、
前記第1のCMOSフォトセンサと前記第2のCMOSフォトセンサとは第1のCMOSフォトセンサ対を構成し、前記第1のCMOSフォトセンサと前記第2のCMOSフォトセンサとは、第3のCMOSフォトセンサと第4のCMOSフォトセンサよりなり、前記第1のCMOSフォトセンサ対と同一の構成を有し前記第1のCMOSフォトセンサ対に前記列方向上で隣接する第2のCMOSフォトセンサ対の第2の素子領域部分中に、それぞれの読出しトランジスタを共有読出しトランジスタとして共有し、さらにそれぞれの選択トランジスタを共有選択トランジスタとして共有するCMOS撮像素子。 - 請求項6記載のCMOS撮像素子であって、
前記共有読出しトランジスタと前記共有選択トランジスタとは、前記第2のCMOSフォトセンサ対の第2の素子領域部分のうち、前記単一の電源コンタクトホールに対応する単一の電源コンタクトホールに対して、前記第2のCMOSフォトセンサ対の共有リセットトランジスタの反対側に形成されるCMOS撮像素子。 - 請求項7記載のCMOS撮像素子であって、
前記共有読出しトランジスタは、前記第2のCMOSフォトセンサ対の前記第2の素子領域部分中、前記共有選択トランジスタよりも、前記第2のCMOSフォトセンサ対の第2の素子領域部分の前記単一の電源コンタクトホールに近く配設されるCMOS撮像素子。 - 請求項7記載のCMOS撮像素子であって、
前記共有選択トランジスタは、前記第2のCMOSフォトセンサ対の前記第2の素子領域部分中、前記共有読出しトランジスタよりも、前記第2のCMOSフォトセンサ対の第2の素子領域部分の前記電源コンタクトホールに近く配設されるCMOS撮像素子。 - 請求項4記載のCMOS撮像素子であって、
前記共有浮遊拡散領域には単一のコンタクトホールが形成されており、
前記第1のCMOSフォトセンサと前記第2のCMOSフォトセンサとは第1のCMOSフォトセンサ対を構成し、前記第1のCMOSフォトセンサと前記第2のCMOSフォトセンサとは、第3のCMOSフォトセンサと第4のCMOSフォトセンサよりなり前記第1のCMOSフォトセンサ対と同一の構成を有し前記第1のCMOSフォトセンサ対に前記列方向上で隣接する第2のCMOSフォトセンサ対の第2の素子領域部分中に、それぞれの読出しトランジスタを共有読出しトランジスタとして共有し、
前記単一のコンタクトホールは、前記第2のCMOSフォトセンサ対の前記第2の素子領域部分中に形成された前記共有読出しトランジスタのゲート電極に、前記半導体基板上を延在する配線パターンにより接続されるCMOS撮像素子。 - 請求項10記載のCMOS撮像素子であって、
前記配線パターンは、前記単一のコンタクトホールから延出する第1層の配線パターンと、前記第1層の配線パターンおよび前記共有読出しトランジスタのゲート電極に接続され、前記列方向に延在する第2層の配線パターンとよりなるCMOS撮像素子。 - 請求項10記載のCMOS撮像素子であって、
前記第1の素子領域部分と前記第2の素子領域部分とは、前記共有浮遊拡散領域から延在し前記共有浮遊拡散領域の一部を構成する第3の素子領域部分により接続され、前記第2の素子領域部分のうち、前記第3の素子領域部分に接続する部分も前記共有浮遊拡散領域の一部を構成し、
前記単一のコンタクトホールは、前記第2の素子領域部分のうち、前記第3の素子領域部分に接続する部分に形成されるCMOS撮像素子。 - 請求項3記載のCMOS撮像素子であって、
前記第1の転送ゲートトランジスタと前記第2の転送ゲートトランジスタとは、前記第1および第2の拡散領域の前記行方向に測った幅と実質的に等しいゲート幅を有するCMOS撮像素子。 - 請求項3記載のCMOS撮像素子であって、
前記第1および第2の拡散領域の各々は、前記素子領域を構成する逆導電型の拡散領域中に埋設されており、前記第1の拡散領域は、前記第1の転送ゲートトランジスタのゲート電極直下の部分まで延在し、前記第2の拡散領域は、前記第2の転送ゲートトランジスタのゲート電極直下の領域まで延在するCMOS撮像素子。 - 請求項6記載のCMOS撮像素子であって、
前記共有リセットトランジスタは、前記共有読み出しトランジスタおよび共有選択トランジスタのいずれよりも大きなゲート長を有するCMOS撮像素子。 - 請求項6記載のCMOS撮像素子であって、
前記共有読出しトランジスタは、前記共有リセットトランジスタおよび共有選択トランジスタのいずれよりも大きなゲート幅を有するCMOS撮像素子。 - 請求項16記載のCMOS撮像素子であって、
前記共有読出しトランジスタのゲートコンタクトは、前記共有読出しトランジスタのゲート電極の延長線上から外れた位置に形成されるCMOS撮像素子。 - 請求項14記載のCMOS撮像素子であって、
前記第1の素子領域部分のうち、前記第1の転送ゲートトランジスタと前記第2の転送ゲートトランジスタとの間の表面部分には、前記共有浮遊拡散領域に隣接して、前記第1および第2の拡散領域と同じ導電型の拡散領域が、前記第1および第2の転送ゲートトランジスタのLDD領域として形成されているCMOS撮像素子。 - 請求項3記載のCMOS撮像素子であって、
前記第1のCMOSフォトセンサと前記第2のCMOSフォトセンサとは第1のCMOSフォトセンサ対を形成し、
前記半導体基板上には、前記第1のCMOSフォトセンサ対に前記行方向において隣接して、前記第1および第2のCMOSフォトセンサとそれぞれ同一構成を有する第3および第4のCMOSフォトセンサよりなる第2のCMOSフォトセンサ対が形成されており、
前記第3のCMOSフォトセンサの転送ゲートトランジスタのゲート電極および前記第4のCMOSフォトセンサの転送ゲートトランジスタのゲート電極には、それぞれのコンタクトが、前記第2の素子領域部分の前記列方向への延長線上に形成されるCMOS撮像素子。 - 請求項3記載のCMOS撮像素子であって、
前記第1のCMOSフォトセンサと前記第2のCMOSフォトセンサとはCMOSフォトセンサ対を形成し、
前記第1の素子領域部分は、前記半導体基板上を前記列方向に連続して延在し、
前記CMOSフォトセンサ対は、前記第1の素子領域部分において前記列方向に繰り返し形成されており、前記第1の素子領域部分には、一のCMOSフォトセンサ対とこれに前記列方向上に隣接するCMOSフォトセンサ対との間に、素子分離ウェルが形成されているCMOS撮像素子。 - 請求項3記載のCMOS撮像素子であって、
前記第1の素子領域部分には、コンタクトホールが形成されないCMOS撮像素子。 - 行列状に配列された複数のCMOSフォトセンサよりなるCMOS撮像素子であって、
列方向に隣接する第1のCMOSフォトセンサと第2のCMOSフォトセンサと、前記第1のCMOSフォトセンサおよび前記第2のCMOSフォトセンサに対してそれぞれ行方向に隣接する第3のCMOSフォトセンサと第4のCMOSフォトセンサとは、半導体基板上に素子分離領域により画成された、単一の、連続した素子領域中に形成されるCMOS撮像素子。 - 請求項22記載のCMOS撮像素子であって、
前記素子領域は前記半導体基板上を前記列方向に、前記素子分離領域を隔てて互いに離間して延在する第1および第2の素子領域部分と、前記第1の素子領域部分と前記第2の素子領域部分を、前記素子分離領域を横切って連結する第3の素子領域部分と、前記第3の素子領域部分から分岐し、前記第1および第2の素子領域部分を隔てる素子分離領域部分中を、前記列方向に、前記第1および第2の素子領域部分から離間して延在する第4の素子領域部分とよりなり、
各々のCMOSフォトセンサは、フォトダイオードと、前記フォトダイオードにより形成されたフォトキャリアを蓄積する浮遊拡散領域と、リセット制御信号により駆動され、前記浮遊拡散領域をリセットするリセットトランジスタと、転送制御信号により駆動され、前記フォトキャリアの前記浮遊拡散領域への転送を制御する転送ゲートトランジスタと、前記浮遊拡散領域において前記フォトキャリアにより誘起される電圧変化を検出する読出しトランジスタと、選択制御信号により制御され、前記読出しトランジスタの出力信号を選択的に出力する選択トランジスタとよりなり、
前記第1のCMOSフォトセンサと前記第2のCMOSフォトセンサとは、それぞれの浮遊拡散領域を前記第1の素子領域部分中に、第1の共有浮遊拡散領域として共有し、
前記第3のCMOSフォトセンサと前記第4のCMOSフォトセンサとは、それぞれの浮遊拡散領域を前記第2の素子領域部分中に、第2の共有浮遊拡散領域として共有し、
前記第3の素子領域は、前記第1の共有浮遊拡散領域と前記第2の共有浮遊拡散領域とを結合して、第3の共有浮遊拡散領域を形成し、
前記第1のCMOSフォトセンサのフォトダイオードを構成する第1の拡散領域と、前記第2のCMOSフォトセンサのフォトダイオードを構成する第2の拡散領域とは、前記第1の素子領域部分中において前記第1の共有浮遊拡散領域を挟んで前記列方向に対向し、
前記第3のCMOSフォトセンサのフォトダイオードを構成する第3の拡散領域と、前記第4のCMOSフォトセンサのフォトダイオードを構成する第4の拡散領域とは、前記第3の素子領域部分中において前記第2の共有浮遊拡散領域を挟んで前記列方向に対向し、
前記第1の拡散領域と前記第1の共有浮遊拡散領域との間には、前記第1のCMOSフォトセンサの転送ゲートトランジスタが形成され、前記第2の拡散領域と前記第1の共有浮遊拡散領域との間には、前記第2のCMOSフォトセンサの転送ゲートトランジスタが形成され、
前記第3の拡散領域と前記第2の共有浮遊拡散領域との間には、前記第3のCMOSフォトセンサの転送ゲートトランジスタが形成され、前記第4の拡散領域と前記第2の共有浮遊拡散領域との間には、前記第4のCMOSフォトセンサの転送ゲートトランジスタが形成されるCMOS撮像素子。 - 請求項23記載のCMOS撮像素子において、
前記第4の素子領域部分には前記第1〜第4のCMOSフォトセンサのリセットトランジスタを共有リセットトランジスタとして有するCMOS撮像素子。 - 請求項24記載のCMOS撮像素子において、
前記第4の素子領域部分には単一の電源コンタクトホールが形成され、
前記共有リセットトランジスタは、前記単一の電源コンタクトホールに対して前記第3の素子領域部分に近い側に形成されるCMOS撮像素子。 - 請求項23記載のCMOS撮像素子であって、
前記第3の共有浮遊拡散領域には単一のコンタクトホールが形成されており、
前記第1のCMOSフォトセンサと前記第2のCMOSフォトセンサとは第1のCMOSフォトセンサ対を構成し、前記第3のCMOSフォトセンサと前記第4のCMOSフォトセンサとは第2のCMOSフォトセンサ対を構成し、前記第1〜第4のCMOSフォトセンサは、第5のCMOSフォトセンサと第6のCMOSフォトセンサよりなり前記第1のCMOSフォトセンサ対と同一の構成を有し前記第1のCMOSフォトセンサ対に前記列方向上で隣接する第3のCMOSフォトセンサ対と、第7のCMOSフォトセンサと第8のCMOSフォトセンサよりなり前記第2のCMOSフォトセンサ対と同一の構成を有し前記第2のフォトセンサ対に前記列方向上で隣接する第4のCMOSフォトセンサ対とに対して形成された第4の素子領域部分中に、それぞれの読出しトランジスタを共有読出しトランジスタとして共有し、
前記単一のコンタクトホールは前記共有読出しトランジスタに、前記半導体基板上を延在する配線パターンにより接続されるCMOS撮像素子。 - 請求項26記載のCMOS撮像素子であって、
前記第1〜第4のCMOSフォトセンサは、それぞれの選択トランジスタを、前記第3および第4のCMOSフォトセンサ対に形成された前記第4の素子領域部分に、共有選択トランジスタとして有するCMOS撮像素子。
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