JP4708849B2 - 固体撮像装置の駆動方法 - Google Patents
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(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態の固体撮像装置について説明する。図1は第1の実施形態の固体撮像装置の駆動タイミングパルスであり、図2は第1の実施形態の固体撮像装置の等価回路図であり、2次元的に画素を配列したうちのある2×2画素にかかわる部分を図示している。図1の駆動タイミングパルス図を用いてこの固体撮像装置の動作を詳細に説明する。図1と従来技術の駆動タイミングパルスである図3と異なるところは、信号PTX1、PTS、PTNのタイミングの違いにある。その他の基本動作は従来技術と同様であるので説明は省略する。前記問題であるCFDの電位の振られによる出力への影響を無くすために、信号PTX1がローレベル(オフ)になった瞬間から、所定時間経過後にCFDの電位が定常状態になってから信号PTSをハイレベル(オン)にすることにより、蓄積容量112にCFDの電位の振られによる影響を受けないレベルの電圧を書き込むことができる。信号PTX1のローレベル(オフ)から信号PTSのハイレベル(オン)までの時間は長ければ長いほど良いが、画像信号の読出し時間を考えなければならないので、固体撮像装置の動作周波数を考慮して設定することが望ましい。よって、本発明の第1の実施形態の固体撮像装置及び駆動方法によって、前記問題であった垂直走査回路123に近い画素部の出力と、水平方向に離れた画素部の出力が異なってしまうという問題が解決する。
本発明の第2の実施形態の固体撮像装置について説明する。第2の実施形態の固体撮像装置の等価回路図は図2であり、基本的な動作は従来技術と同様であるので説明は省略する。前記問題である、垂直走査回路123に近い画素部の出力と、水平方向に離れた画素部の出力が異なってしまうといった現象は、演算増幅器120の電圧増幅率を開ループゲインに近づけた時に発生し易いので、電圧増幅率によって駆動タイミングを変えることとする。本固体撮像装置では感度切り替えスイッチ122a,122bによって帰還容量121a,121b,121cの容量値を変えることにより、電圧増幅率を設定している。よって、開ループゲインに近い電圧増幅率に設定する時のモードでは図1の駆動タイミングパルスで動作し、それ以下の電圧増幅率を設定した時のモードでは図3の駆動タイミングパルスで動作する。すなわち、入射光の弱い被写体を想定していて高ISO感度設定にする場合で開ループゲイン限界の時には図1の駆動タイミングパルスで動作させ、それ以外のISO感度設定の場合には図3の駆動タイミングパルスで動作させる。よって、高ISO感度設定以外の動作においては高速な動作が可能である。図3の駆動タイミングパルスでは、画素転送スイッチ102のオン時間はMOSFET110のオン時間内にありかつMOSFET110のオン時間よりも短い。
本発明の第3の実施形態の固体撮像装置について説明する。本発明の第3の実施形態の固体撮像装置は、図1の駆動タイミングパルス図において、信号PTSのハイレベル(オン状態)と信号PTNのハイレベル(オン状態)の時間が同一である駆動タイミングパルスであることを特徴としている。第3の実施形態の固体撮像装置の等価回路図は図2であり、基本的な動作は従来技術と同様であるので説明は省略する。寄生容量や配線抵抗などによって垂直出力線に流れる電流が垂直走査回路123に近いところと、水平方向に離れたところで異なるために演算増幅器120の動作速度も異なる。そして、信号PTSとPTNのハイレベル時間が異なると、サンプリングのタイミングが異なるので垂直走査回路123に近い蓄積容量112、113と、水平方向に離れたそれらに書き込まれる電圧が異なってしまう。本発明の第3の実施形態の固体撮像装置は、図1の駆動タイミングパルス図において、信号PTSのハイレベルと信号PTNのハイレベルの時間が同一である駆動タイミングパルスであることを特徴としている。すなわち、MOSFET110のオン時間とMOSFET111のオン時間が等しい。この信号PTSとPTNのハイレベル時間を同一にすることは明時出力信号と暗時出力信号のサンプリング間隔を同一にして差分演算するので精度良く光応答信号を出力することができる。よって、本発明の第3の実施形態の駆動タイミングパルスを使用することにより、垂直走査回路123に近い画素部の出力と、水平方向に離れた画素部の出力を均一にすることが可能となる。
本発明の第4の実施形態の固体撮像装置について説明する。本発明の第4の実施形態の固体撮像装置は、図1の駆動タイミングパルス図において、信号PTX1のローレベル(オフ)から信号PTSのハイレベル(オン)までの所定時間は信号PTX1のハイレベル時間(画素転送スイッチ102のオン時間)の1.5倍以上の時間であり、また、信号PTSのハイレベル時間(MOSFET110のオン時間)は信号PTX1のハイレベル時間の2倍から5倍の時間であることを特徴とする固体撮像装置である。第4の実施形態の固体撮像装置の等価回路図は図2であり、基本的な動作は従来技術と同様であるので説明は省略する。第1の実施形態で説明したように信号PTX1のローレベル(オフ)から所定時間経過後にCFDの電位が定常状態になってから信号PTSをハイレベル(オン)にすることにより、蓄積容量112に所望のレベルの電圧を書き込むことができる。このCFDの電位が定常状態になる設定時間は寄生容量と配線抵抗などから時定数を考慮して信号PTX1のハイレベル時間の1.5倍以上とすることで定常状態にすることができる。この前記設定時間を設けることでCFDの電位揺られによる影響を受けることが無くなるので垂直走査回路123に近い画素部の出力と、水平方向に離れた画素部の出力が異なってしまうという問題が解決する。また、信号PTSのハイレベル時間をあまり短くすると、特開2001−230974号公報のような、強いスポット光が入射した画像で、スポットの左右に白っぽい帯が発生するといった問題があるが、これは信号PTSのハイレベル時間を短くすると、寄生容量や配線抵抗などによるリンギングやオーバーシュートをサンプリングしてしまうために強いスポット光が入射した画像で、スポットの左右に白っぽい帯が発生してしまう。よって、信号PTSのハイレベル時間は信号PTX1のハイレベル時間の2倍から5倍の時間にすることで、前記問題は解決する。
図5は、本発明の第5の実施形態の撮像装置として、前述した各実施形態の固体撮像装置を用いた撮像システム(スチルビデオカメラ)の構成図である。撮像装置は、レンズのプロテクトとメインスイッチを兼ねるバリア1、被写体の光学像を固体撮像素子4に結像させるレンズ2、レンズ2を通った光量を可変するための絞り3、レンズ2で結像された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像素子4(上記の各実施形態で説明した固体撮像装置に相当する)、固体撮像素子4から出力される画像信号に各種の補正、クランプ等の処理を行う撮像信号処理回路5、固体撮像素子4より出力される画像信号のアナログ−ディジタル変換を行うA/D変換器6、A/D変換器6より出力された画像データに各種の補正を行ったりデータを圧縮する信号処理部7、固体撮像素子4及び撮像信号処理回路5及びA/D変換器6及び信号処理部7に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部8で構成される。なお、5〜8の各回路は固体撮像素子4と同一チップ上に形成しても良い。また、各種演算とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御・演算部9、画像データを一時的に記憶するためのメモリ部10、記録媒体に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部11、画像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体12、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース(I/F)部13で固体撮像システムは構成される。
2 レンズ
3 絞り
4 固体撮像素子
5 撮像信号処理回路
6 A/D変換器
7 信号処理部
8 タイミング発生部
9 全体制御・演算部
10 メモリ部
11 記録媒体制御インターフェース(I/F)部
12 記録媒体
13 外部インターフェース(I/F)部
101 フォトダイオード
102 画素転送スイッチ
103 リセットスイッチ
104 ドライバMOSFET
105 行選択スイッチ
106 垂直出力線
107 負荷MOSFET
108 クランプ容量
109 クランプスイッチ
110、111 転送ゲート
112、113 蓄積容量
114、115 水平転送スイッチ
116、117 水平出力線
118 出力アンプ
119 水平走査回路
120 演算増幅器
121 帰還容量
122 感度切り替えスイッチ
123 垂直走査回路
Claims (7)
- 光電変換により電荷が生じる光電変換素子と、
前記光電変換素子で生じた電荷に基づく信号を増幅する増幅MOSトランジスタと、
導通状態において、前記光電変換素子の電荷を前記増幅MOSトランジスタのゲート電極へ転送する転送スイッチと、
を有する画素と、
前記増幅MOSトランジスタにより増幅された信号を転送する信号線と、
前記信号線に接続される演算増幅器と、
前記演算増幅器から出力される信号を蓄積する第1の信号蓄積手段と、
前記演算増幅器の反転入力端子及び出力端子間に接続される第1の容量と、
前記演算増幅器の前記反転入力端子及び前記信号線間に接続される第2の容量と、
を有する列が複数設けられた固体撮像装置の駆動方法であって、
前記第1の容量と前記第2の容量との容量比が可変であり、設定された感度に応じて前記容量比を切り替えて、前記演算増幅器の増幅率を切り替え、
前記転送スイッチへ供給する第1のパルスを、前記光電変換素子と前記増幅MOSトランジスタの前記ゲート電極との間が導通する第1の状態から、前記光電変換素子と前記増幅MOSトランジスタの前記ゲート電極との間が非導通となる第2の状態へ変化させた後、前記演算増幅器の前記出力端子と前記第1の信号蓄積手段とを導通させることを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。 - 前記増幅MOSトランジスタの前記ゲート電極の電位が定常状態になった後に、前記演算増幅器の前記出力端子と前記第1の信号蓄積手段とを導通させることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 前記第1のパルスを前記第2の状態としてから、前記演算増幅器の前記出力端子と前記第1の信号蓄積手段とを導通させるまでの時間が、前記第1のパルスが前記第1の状態である期間の1.5倍以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 前記固体撮像装置は、前記第1の信号蓄積手段と並列に設けられ、前記演算増幅器により出力される信号を蓄積する第2の信号蓄積手段と、
をさらに有し、前記演算増幅器の前記出力端子と前記第1の信号蓄積手段とが導通している期間と、前記演算増幅器の前記出力端子と前記第2の信号蓄積手段とが導通している期間とが等しいことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記演算増幅器の前記容量比に応じて、前記第1のパルスを前記第2の状態としてから、前記演算増幅器の前記出力端子と前記第1の信号蓄積手段とを導通させるまでの時間を異ならせることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 前記演算増幅器は、第1の増幅率と、該第1の増幅率よりも増幅率が高い第2の増幅率とを切り替えて動作する少なくとも2つのモードを有し、
前記第1の増幅率で動作する場合には、前記第1のパルスが前記第1の状態である期間は、前記演算増幅器の前記出力端子と前記第1の信号蓄積手段とを導通させている期間よりも短く、且つ前記第1のパルスを前記第1の状態から前記第2の状態に変化させるよりも先に、前記演算増幅器の前記出力端子と前記第1の信号蓄積手段とを導通させ、
前記第2の増幅率で動作する場合には、前記第1のパルスを前記第1の状態から前記第2の状態に変化させた後に、前記演算増幅器の前記出力端子と前記第1の信号蓄積手段とを導通させることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記演算増幅器の前記出力端子と前記第1の信号蓄積手段とが導通している期間は、前記第1のパルスが前記第1の状態である期間の2倍から5倍の時間であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の固体撮像装置の駆動方法。
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