JP2008067107A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 信号線に信号を出力する画素と、前記画素から前記信号線を介して提供される前記信号を増幅する増幅器とを有する光電変換装置であって、
   前記信号線と前記増幅器の入力ノードとの間に配置された遮断スイッチを備え、
   前記画素は、フォトダイオードと、フローティングディフュージョンと、前記フォトダイオードの電荷を前記フローティングディフュージョンに転送する転送スイッチと、前記フローティングディフュージョンの電位に応じた信号を前記信号線に出力する増幅トランジスタとを含み、
   前記遮断スイッチは、少なくとも、前記転送スイッチを制御する転送パルスが遷移している間は、オフにされることを特徴とする光電変換装置。
2. 前記遮断スイッチは、ＮＭＯＳトランジスタで構成されることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
3. 前記遮断スイッチは、並列接続されたＮＭＯＳトランジスタ及びＰＭＯＳトランジスタで構成され、前記ＮＭＯＳトランジスタ及び前記ＰＭＯＳトランジスタは、論理レベルが互いに反対の信号によって駆動されることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
4. 前記ＮＭＯＳトランジスタ及びＰＭＯＳトランジスタは、サイズが同一であることを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
5. 前記遮断スイッチは、
   前記信号線と前記増幅器の前記入力ノードとの間に接続された第１ＮＭＯＳトランジスタと、
   前記信号線と前記増幅器の前記入力ノードとの間に接続された第１ＰＭＯＳトランジスタと、
   ソース及びドレインが前記増幅器の前記入力ノードに接続された第２ＮＭＯＳトランジスタ及び第２ＰＭＯＳトランジスタと、
   を含み、
   前記第１ＮＭＯＳトランジスタ及び前記第２ＰＭＯＳトランジスタは、遮断信号によって駆動され、
   前記第１ＰＭＯＳトランジスタ及び前記第２ＮＭＯＳトランジスタは、前記遮断信号の反転信号である反転遮断信号によって駆動される、
   ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
6. 前記第１ＮＭＯＳトランジスタとＯＮ抵抗と前記第１ＰＭＯＳトランジスタのＯＮ抵抗とが等しいことを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
7. 前記遮断信号が印加されるノードと前記入力ノードとの間の寄生容量が、前記反転遮断信号が印加されるノードと前記入力ノードとの間の寄生容量と等しいことを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。
8. 前記増幅器の増幅率が可変であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
9. 前記光電変換装置と、
   前記光電変換装置から提供される信号を処理する処理回路と、
   を備えることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置。