JP4967489B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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そして、外部からの光をフォトダイオードに集光させて光電変換を起こさせ、各画素毎に光量に応じた信号電荷を発生させる。次に、周辺回路より各画素に設けられた読み出しゲートに制御パルスが入ると、信号電荷はフォトダイオードからFD(フローティングデフュージョン)に転送され、FDの電位が変動し、このFDにゲートが接続された増幅トランジスタの増幅出力が変化し、電位の変動に基づく出力電流として垂直信号線から周辺回路に出力される。
また、各画素からの信号の読み出し方式には、行と列の各スキャナを使い、各画素を選択的に読み出すX−Yアドレス方式と、行スキャナで選択された1行分の信号をまとめて各垂直信号線に設けたコンデンサ、ADC、シフトレジスタ等に読み出すカラム方式などがある。
これらの課題に対し、従来技術では読み出し方式のカラム化や、垂直信号線から読み出された信号を受ける水平転送回路のデータパスのパラレル化や、カラムADCによるデジタル化等を行い水平転送回路の高速伝送の手法が取られている。
一方で、撮像領域に存在する垂直信号線の高速伝送に関しては、撮像領域に占めるフォトダイオードの面積をできる限り大きくとる必要があり、高速化のために素子を追加するのは困難であった。しかし、高フレームレート・多画素化の実現には垂直信号線に対しても高速伝送を可能にする必要がある。
図6は従来のCMOSイメージセンサにおける画素110と、その信号の読み出しを行う駆動回路111の一部を示す回路図である。
図示のように、画素110は、光電変換の機能を有するフォトダイオード(PD)101と、このフォトダイオード101から転送される電荷量に応じた信号を得るために、転送された電荷量に応じた電位の変化を得るためのフローティングディフュージョン(FD)106と、フォトダイオード101に接続され、転送パルスφTGが入力されるとフォトダイオード101に蓄積した信号電荷をFD106に転送する転送トランジスタ102と、リセットパルスφRSTが供給された時にFD106を電源VDDに接続するリセットトランジスタ103と、FD106の電位変動を増幅した電気信号に変換する増幅トランジスタ105と、行選択パルスφVSELを供給することにより増幅トランジスタ105の出力信号を垂直信号線112に出力する選択トランジスタ104とを含んで構成されている。
垂直信号線112の下端側は、S/H・CDS回路等の信号処理回路(図示せず)への電圧出力端子φVn113と撮像領域の外にて存在する定電流源114に接続されている。
まず、図7の横軸に示すt0のタイミングでフォトダイオード101に光電子を蓄積する。また、t1のタイミングで選択トランジスタ104をオンにする。
次に、t2のタイミングでリセットトランジスタ103にリセットパルスを入力し、FD106のリセットを行う。また、t3のタイミングで垂直信号線の電位φVn113(リセットレベル)を後段のS/H・CDS回路で取り込む。
この後、t4のタイミングで転送トランジスタ105に転送パルスを入力し、フォトダイオード101からFD106に光電子を転送する。FD106に光電子が転送されると、FD106の電位が上昇する。この電位の変化が増幅トランジスタ105のゲートに入力され、その出力が垂直信号線を通して出力端子φVn113に現れる。
垂直信号線112には列方向の画素数に応じた増幅トランジスタ105が接続されており、寄生容量が存在する。そのため、転送トランジスタ102にパルスを入力してから、垂直信号線の出力端子φVn113が蓄積電荷に応じた出力レベルに安定するまでには無視できない期間を必要とする。なお、このリセットレベルからの蓄積電荷に応じたレベルへの遷移期間をH1と呼ぶことにする。この遷移期間H1の長さは垂直信号線に存在する寄生容量の総和と、定電流源114が流す電流値に強く依存する。
なお、図6のφVn113の出力信号の遷移期間H1を短くし、早期に安定期H2にするためには、定電流源114に流す電流を増やす方法がある。
しかし、仮に定電流源の電流値を増加させた場合、垂直信号線は数千本あるため、消費電力が無視できない範囲で上昇してしまい、CCDイメージセンサと比較して消費電力が小さいと言うCMOSイメージセンサのメリットを損なってしまう。
撮像部内に設けられた複数の画素に、受光量に応じて光電荷を蓄積する光電変換手段と、前記光電変換手段に蓄積された光電荷に対応する信号を取り出すための拡散領域と、前記光電変換手段の光電荷を前記拡散領域に転送する転送トランジスタと、前記拡散領域に接続された増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタの出力側に接続された信号線と、前記信号線に接続された電流源とを有し、
前記電流源には少なくとも1つのトランジスタが接続されており、
前記少なくとも1つのトランジスタは、当該トランジスタが接続されていないときの出力波形とダウンシュートを起こす出力波形の間になるように前記増幅トランジスタの出力波形を制御し、
前記少なくとも1つのトランジスタのゲート入力信号として、前記転送トランジスタのゲート入力信号をそのパルス幅を調整して利用することを特徴とする。
また本発明の固体撮像装置は、前記電流源に接続された少なくとも1つのトランジスタは前記電流源と並列に接続されていること、また前記電流源に接続された少なくとも1つのトランジスタはMOSトランジスタであることが好適である。
撮像部内に設けられた複数の画素に、受光量に応じて光電荷を蓄積する光電変換手段と、前記光電変換手段に蓄積された光電荷に対応する信号を取り出すための拡散領域と、前記光電変換手段の光電荷を前記拡散領域に転送するための転送トランジスタと、前記拡散領域に接続された増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタの出力側に接続された選択トランジスタと、前記選択トランジスタの出力側に接続された信号線と、前記信号線に接続された電流源とを有し、
前記選択トランジスタは1つの画素中に少なくとも2つ設けられ、
前記少なくとも2つの選択トランジスタは、少なくとも1つの選択トランジスタが、前記転送トランジスタがオンの状態にある期間のうちの、一部の期間でオフの状態になるように駆動されることを特徴とする。
また本発明の固体撮像装置は、前記少なくとも1つの選択トランジスタは、前記転送トランジスタのゲート入力信号に同期してオフの状態になるように駆動されることを特徴とする。
また、電源部に接続したトランジスタのゲート入力信号として、転送トランジスタのゲート入力信号をそのパルス幅を調整して利用することから、トランジスタの入力パルスの立ち上がりタイミング等を容易に設定できる利点がある。
また特にMOSトランジスタを電流源と並列に接続した構成により、画素内のMOSトランジスタと共通のプロセスで、微小な配置スペースに多数のトランジスタを配置でき、容易に実現できる利点がある。
また、図3は本例のCMOSイメージセンサの全体構成を示す概略平面図である。
図3に示す撮像部1に図1に示す画素が含まれており、この撮像部1の側部には、垂直方向スキャナ611、S/H・CDS回路2、水平方向データ転送部3が設けられている。
そして図1に示す回路では、図2のH1期間中の出力端子φVn313の出力信号に対する波形補正処理を実現するために、定電流源314に対して並列にMOSトランジスタ(M1)315を挿入したものである。なお、トランジスタ315のゲートへの入力をφM1とする。
また、個々の画素からの信号を読み出すために、行を選択するための垂直方向スキャナ311と、そこから配線される水平信号線316、読み出した画素からの信号をS/H・CDS回路部へ出力するための垂直信号線312が配線されている。そして、各行の水平信号線316は、各画素の選択トランジスタ304のゲート(入力)と接続され、選択トランジスタ304のドレインは電源線VDDに接続されている。
また、選択トランジスタ304のソースと増幅トランジスタ305のドレインが接続され、増幅トランジスタ305のゲート入力にはFD306が接続されている。また、FD306の電位変動を垂直信号線312に出力するために、増幅トランジスタ305のソース電極が垂直信号線312に接続されている。
まず、行選択パルスφVSELがt1でオンになり、選択トランジスタ304がオンになる。続いてタイミングt2で、リセットパルスφRSTの入力によってリセットトランジスタ303がオンになり、FD306をリセットする。FD306のリセットにより垂直信号線312の電位は若干低下する。次に、t3のタイミングで垂直信号線312の電位φVn313(リセットレベル)を後段のS/H・CDS回路で取り込む。蓄積期間中にフォトダイオードの中に蓄えられた光電子をFD305に転送するために、転送パルスφTGを転送トランジスタ302のゲートに入力する。この時、転送パルスφTGに同期する形で、定電流源314に並列に接続したトランジスタ(M1)315のゲートにもパルスを入力する。転送トランジスタ302のオンと同時にトランジスタM1をオンにすることで、期間H1の初期での寄生容量から電荷を引き抜く能力を高め、早期にφVn313が安定状態になり、波形3を得られる。
本例では、遷移期間H1を短くするために、トランジスタ(M1)315のチャネル長Lとチャネル幅Wと、トランジスタ315への入力パルスφM1の幅を、目標とする波形3が波形1と波形2の間になる様に設計している。
トランジスタ315のL/Wを小さくし、電流駆動能力を上げ、より遷移期間H1を短縮することは可能であるが、トランジスタ315と定電流源314が流す電流値と垂直信号線312に存在する寄生容量によっては波形2のようにダウンシュートを起こし、逆に遷移期間H1を短くするので注意が必要である。
また、トランジスタ315への入力パルスφM1の幅はトランジスタ315が垂直信号線312に流れる電流を増加させている時間に相当する。
また、本例では、トランジスタ315へのパルスφM1のパルス幅を転送パルスφTGのパルス幅とほぼ同じにしている。また、転送パルスφTGの立下りのタイミングが、無負荷の場合の出力波形φVnの最も電位が下がったタイミングにほぼ等しい。
この結果、全く新たなパルス信号を生成する場合に比べて、簡易に本発明の効果が得ることが可能になる。特に転送トランジスタのゲート入力パルスを利用することにより、入力パルスφM1の立ち上がりのタイミングを容易に設定でき、パルス幅だけの調整で簡単に実現できる。
また、本例では、転送トランジスタのゲート入力信号を用いてトランジスタ(M1)315のパルスφM1を生成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の方法を用いてもよい。また、電流源にMOSトランジスタを並列に接続した構成を採用したが、他の回路で実現することも可能であり、適宜採用できるものとする。
図4に示す回路は、H1期間中の出力端子φVn613の出力信号に対する波形強調処理を実現するために、図1に示した画素の構成(図4に示す第1の増幅トランジスタ605、第1の選択トランジスタ604)に加えて、第2の増幅トランジスタ618と第2の選択トランジスタ617を設け、さらに第1の選択トランジスタ604への行選択パルスVSEL1と別に、第2の選択トランジスタ617への行選択パルスVSEL2を設けたものである。なお、2つの増幅トランジスタ605、618のゲートには共通のFD電位が付与されている。
また、選択トランジスタ604のゲート幅W1と選択トランジスタ617のゲート幅W2が、図6に示す従来技術のように、選択トランジスタ604が1つの場合のゲート幅Wに対してW1≒W2≒W/2に設計した場合について説明する。
また、垂直方向スキャナ611の水平信号線VSEL1が選択トランジスタ604のゲートに接続され、水平信号線VSEL2が選択トランジスタ617のゲートに接続され、それぞれ独立した選択パルスを供給する構成となっている。なお、本例のように画素に新たなトランジスタを設ける手法は、トランジスタを追加しても1画素内におけるフォトダイオードの占有面積を十分確保可能な場合に適用しやすい。
まず、選択パルスφVSEL1とφVSEL2をt1で両者ともにHighにし、2つの選択トランジスタ604、617をオンにする。続いてt2のタイミングでリセットパルスφRSTを入力し、リセットトランジスタ603をオンにすることでFD606のリセットを行う。このFD606のリセットにより垂直信号線616の電位は若干低下する。
次に、t3のタイミングで垂直信号線の電位φVn(リセットレベル)を後段のS/H・CDS回路で取り込む。次に、t4にてφTGに転送パルスを入れ、転送トランジスタ602がオンになり、フォトダイオード601に蓄積された光電子のFDへの転送を開始する。ここで、φTGに転送パルスを入力するのに同期して、φVSEL1もしくはφVSEL2を期間H3の間だけLowにする。
ソースフォロア回路の入力電圧φVinと出力電圧φVnの差は、トランジスタのゲート長Lに比例し、ゲート幅Wに反比例する。本実施例では選択トランジスタのそれぞれのゲート幅をW1≒W2≒W/2に設計しており、片方の選択トランジスタがオフの瞬間はソースフォロア回路の実効的なゲート幅がW/2となり入力電圧と出力電圧の差が大きく、遷移期間H1の短縮を可能にしている。
なお、片方の選択トランジスタをLowにしている期間H3は、垂直信号線612に接続されている定電流源614に流す電流値や、付随する寄生容量の大きさに応じて最適な期間に設計する。期間H3が経過した後は、再び2つの選択トランジスタをオンの状態にする。
以上のように画素に選択トランジスタと増幅トランジスタを追加し、入力のタイミングを工夫することで、遷移期間H1を短くすることが可能になる。
Claims (3)
- 撮像部内に設けられた複数の画素に、受光量に応じて光電荷を蓄積する光電変換手段と、前記光電変換手段に蓄積された光電荷に対応する信号を取り出すための拡散領域と、前記光電変換手段の光電荷を前記拡散領域に転送する転送トランジスタと、前記拡散領域に接続された増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタの出力側に接続された信号線と、前記信号線に接続された電流源とを有し、
前記電流源には少なくとも1つのトランジスタが接続されており、
前記少なくとも1つのトランジスタは、当該トランジスタが接続されていないときの出力波形とダウンシュートを起こす出力波形の間になるように前記増幅トランジスタの出力波形を制御し、
前記少なくとも1つのトランジスタのゲート入力信号として、前記転送トランジスタのゲート入力信号をそのパルス幅を調整して利用する
固体撮像装置。 - 撮像部内に設けられた複数の画素に、受光量に応じて光電荷を蓄積する光電変換手段と、前記光電変換手段に蓄積された光電荷に対応する信号を取り出すための拡散領域と、前記光電変換手段の光電荷を前記拡散領域に転送するための転送トランジスタと、前記拡散領域に接続された増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタの出力側に接続された選択トランジスタと、前記選択トランジスタの出力側に接続された信号線と、前記信号線に接続された電流源とを有し、
前記選択トランジスタは1つの画素中に少なくとも2つ設けられ、
前記少なくとも2つの選択トランジスタは、少なくとも1つの選択トランジスタが、前記転送トランジスタがオンの状態にある期間のうちの、一部の期間でオフの状態になるように駆動される
固体撮像装置。 - 前記少なくとも1つの選択トランジスタは、前記転送トランジスタのゲート入力信号に同期してオフの状態になるように駆動される
請求項2記載の固体撮像装置。
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