JP2008042675A - 光電変換装置及び撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】N出力(ノイズレベル)の読み出し時とS出力(データレベル)の読み出し時とにおいてクリップトランジスタに流れる微小な電流の差が画質に与える影響を低減する。
【解決手段】光電変換装置100は、画素出力線130と、入射する光に応じて画素出力線130を駆動する画素101と、画素101からノイズレベルを読み出すときに画素出力線130の電位を制限するクリップトランジスタ121とを備える。光電変換装置100は、更に、クリップトランジスタ121のゲート電位を制御する制御回路140を備える。制御回路140は、ノイズレベルを読み出すときは、画素出力線130の電位を制限するための電位VCLIPをクリップトランジスタ121のゲートに提供する。制御回路140は、データレベルを読み出すときは、画素出力線130の電位に応じて定まる電位をクリップトランジスタ121のゲートに提供する。
【選択図】図1
【解決手段】光電変換装置100は、画素出力線130と、入射する光に応じて画素出力線130を駆動する画素101と、画素101からノイズレベルを読み出すときに画素出力線130の電位を制限するクリップトランジスタ121とを備える。光電変換装置100は、更に、クリップトランジスタ121のゲート電位を制御する制御回路140を備える。制御回路140は、ノイズレベルを読み出すときは、画素出力線130の電位を制限するための電位VCLIPをクリップトランジスタ121のゲートに提供する。制御回路140は、データレベルを読み出すときは、画素出力線130の電位に応じて定まる電位をクリップトランジスタ121のゲートに提供する。
【選択図】図1
Description
本発明は、光電変換装置及び撮像装置に関する。
近年、増幅型の固体撮像装置、特にCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型の固体撮像装置が注目されている。CMOS型固体撮像装置では、画角内に太陽が存在する場合のように非常に強い光が撮像面に入射した場合に、その強い光の入射部分が黒く映し出される現象が発生することがある。この現象は、高輝度黒沈み、黒沈み、或いは、黒化現象と呼ばれる。ここでは、この現象を"黒沈み"と呼ぶことにする。
黒沈みは、画素からS出力(データレベル)とN出力(ノイズレベル)を読み出し、両者の差分を演算して出力するCDS(Correlated Double Sampling)方式において見られる。N出力を読み出す際に高輝度の光が入射していると、それによって生成される電荷が浮遊拡散部に入り込んで該浮遊拡散部の電位を低下させる。これに応じて画素から出力されるN出力が低下する。この低下が過度になると、S出力とN出力との差分が極めて小さくなり、黒沈みが発生する。
特許文献1には、単位画素の出力端にクリップ(クランプ)トランジスタを接続し、N出力(リセット信号)の読み出し時にクリップトランジスタによって単位画素の出力端の電位が一定値以下に低下しないようにしたイメージセンサが開示されている。
特開2004−222273号公報
特許文献1において、クリップトランジスタは、N出力の読み出し時に画素に強い光が当るとオンして出力端の電位変化を制限する。一方、特許文献1において、クリップトランジスタは、N出力の読み出し時であっても画素に強い光が当らない場合にはオフしているし、また、S出力の読み出し時においてもオフしている。
つまり、画素に強い光が当らない場合には、N出力の読み出し時においてもS出力の読み出し時においてもクリップトランジスタはオフ状態である。しかしながら、N出力の読み出し時には、クリップトランジスタのゲートにクランプ用の電圧が印加され、S出力の読み出し時には、クリップトランジスタのゲートにそれが常にオフするような電圧が印加されうる。この場合、N出力の読み出し時とS出力の読み出し時とにおいて、共にクリップトランジスタがオフしているとしても、ゲートに印加される電圧が異なることになる。したがって、N出力の読み出し時とS出力の読み出し時とにおいて、オフ状態のクリップトランジスタに流れる微小な電流の大きさには差が存在しうる。
よって、S出力とN出力との差分を演算するCDS動作において、画素の増幅トランジスタの閾値ばらつきの影響については除去することが可能であるが、クリップトランジスタのばらつきの影響については除去することができない。
特に、クリップトランジスタを列単位で設けるような構成においては、N出力の読み出し時とS出力の読み出し時とにおいてオフ状態のクリップトランジスタに流れる微小な電流の差が列ことに異なるために、出力画像に縦筋(固定パターンノイズ)が現れる。
このような縦筋(固定パターンノイズ)は、特に、低輝度撮影において目立ち、高ゲイン、高ISOの設定において著しい画質劣化を引き起こしうる。
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、例えば、N出力(ノイズレベル)の読み出し時とS出力(データレベル)の読み出し時とにおいてクリップトランジスタに流れる微小な電流の差が画質に与える影響を低減することを目的とする。
本発明の第1の側面は、光電変換装置に係り、該光電変換装置は、画素出力線と、入射する光に応じて前記画素出力線を駆動する画素と、第1電圧を供給する電圧供給線にドレインが接続され、前記画素出力線にソースが接続され、前記画素からノイズレベルを読み出すときに前記画素出力線の電位を制限するクリップトランジスタと、前記画素から前記画素出力線を通してノイズレベルを読み出すときは、前記画素出力線の電位を制限するための第2電圧を前記クリップトランジスタのゲートに提供し、前記画素から前記画素出力線を通してデータレベルを読み出すときは、前記画素出力線の電位に応じて定まる電位を前記クリップトランジスタのゲートに提供する制御回路とを備える。
本発明の好適な実施形態によれば、前記制御回路は、前記画素からデータレベルを読み出すときは、前記画素出力線の電位に基づく電圧を前記クリップトランジスタのゲートに提供するように構成されうる。
本発明の好適な実施形態によれば、前記制御回路は、レベルシフト回路を含み、前記画素からデータレベルを読み出すときは、前記画素出力線の電位に基づく電圧を前記レベルシフト回路でレベルシフトさせた電圧を前記クリップトランジスタのゲートに提供するように構成されうる。
本発明の好適な実施形態によれば、前記画素からデータレベルを読み出すときに前記制御回路が前記クリップトランジスタのゲートに提供する電圧は、前記クリップトランジスタがオンしない電圧値である。
本発明の好適な実施形態によれば、前記光電変換装置は、前記画素出力線に出力されるデータレベルとノイズレベルとの差分を演算して画素信号を得るCDS回路を更に備える。
本発明の好適な実施形態によれば、前記画素は、光電変換部、転送ゲート、浮遊拡散部、増幅トランジスタ及びリセットトランジスタを含みうる。
本発明の第2の側面は、上記の光電変換装置と、前記光電変換装置から提供される信号を処理する処理回路とを備える。
本発明によれば、例えば、N出力(ノイズレベル)の読み出し時とS出力(データレベル)の読み出し時とにおいてクリップトランジスタに流れる微小な電流の差が画質に与える影響を低減することができる。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態の光電変換装置の概略構成を示す等価回路図である。図1に示すような光電変換装置(固体撮像装置)100は、増幅型固体撮像装置又は増幅型MOSセンサとも呼ばれうる。光電変換装置100は、一次元状又は二次元状に配列された複数の画素101を有する。画素101は、入射する光に応じて画素出力線130を駆動する。画素101は、例えば、光電変換部102、転送ゲート103、浮遊拡散部104、増幅トランジスタ105、リセットトランジスタ106を含みうるが、これに限定はされない。光電変換部102は、例えばフォトダイオードを含み、光を受けて電荷を発生する。転送ゲート103は、光電変換部102で発生した電荷を転送パルスPTXに従って浮遊拡散部(フローティングディフュージョン)104に転送する。浮遊拡散部104の電位は、それに転送された電荷の量によって決定される。よって、浮遊拡散部104は、電荷の量を電位に変換する素子として把握されうる。増幅トランジスタ105は、浮遊拡散部104の電圧を増幅して画素出力線130に出力する。
図1は、本発明の第1実施形態の光電変換装置の概略構成を示す等価回路図である。図1に示すような光電変換装置(固体撮像装置)100は、増幅型固体撮像装置又は増幅型MOSセンサとも呼ばれうる。光電変換装置100は、一次元状又は二次元状に配列された複数の画素101を有する。画素101は、入射する光に応じて画素出力線130を駆動する。画素101は、例えば、光電変換部102、転送ゲート103、浮遊拡散部104、増幅トランジスタ105、リセットトランジスタ106を含みうるが、これに限定はされない。光電変換部102は、例えばフォトダイオードを含み、光を受けて電荷を発生する。転送ゲート103は、光電変換部102で発生した電荷を転送パルスPTXに従って浮遊拡散部(フローティングディフュージョン)104に転送する。浮遊拡散部104の電位は、それに転送された電荷の量によって決定される。よって、浮遊拡散部104は、電荷の量を電位に変換する素子として把握されうる。増幅トランジスタ105は、浮遊拡散部104の電圧を増幅して画素出力線130に出力する。
リセットトランジスタ106は、浮遊拡散部104の電位を所定電位にリセットする。リセットトランジスタ106のソースは、浮遊拡散部104及び増幅トランジスタ105のゲートに接続され、リセットトランジスタ106のドレインは、増幅トランジスタ105のドレインと共にドレイン線VDに接続される。
図1では、説明の便宜のために、画素101の配列は、2行×2列の配列として簡略化されている。また、図1では、一例として、奇数列の画素の信号を下側の読み出し回路で読み出し、偶数列の画素の信号を上側の読み出し回路で読み出す方式の光電変換装置において上側の読み出し回路の図示が省略されている。
図3は、光電変換装置の動作を示すタイミングチャートである。この実施形態の光電変換装置100では、読み出し対象の行の選択は、増幅トランジスタ105のゲートの電位を制御することによってなされる。具体的には、非選択行の増幅用トランジスタ105がオフするようにそのゲート電位を低くし、選択行の増幅用トランジスタ105がオンするようにそのゲート電位を高くすることにより行選択が行われる。画素出力線130は、選択された行の増幅用トランジスタ105と定電流負荷109によって形成されるソースフォロア回路の出力ノードである。画素出力線130は、選択された行の浮遊拡散部104の電位に従った電位となる。なお、以下の説明において、"n"は、光電変換装置100の第n行を意味し、"n+1"は、光電変換装置100の第(n+1)行を意味する。
第n行の画素読み出し期間(n)中の画素非選択動作期間において、垂直走査回路110によって全行のリセット信号PRES(0)、・・・、PRES(n)、PRES(n+1)、・・・がハイレベルにされる。これにより、全画素の浮遊拡散部104がドレイン線VD及びリセットトランジスタ106を介してローレベルにリセットされる。このときのドレイン線VDは、ローレベルとなっている。
続いて、画素選択動作期間(n)において、選択行(第n行)を除く行のリセット信号がローレベルとなり、選択行(第n行)のドレイン線VDがハイレベルとなる。これにより、選択行(第n行)の浮遊拡散部104は、ハイレベルにリセットされる。その後、選択行(第n行)のリセット信号PRES(n)もローレベルとなる。このとき、画素リセット状態に対応する出力(すなわち、N出力或いはノイズレベル)が画素出力線130に読み出される。
画素出力線130の信号は、増幅回路111によって増幅される。増幅回路111は、例えば、演算増幅器(差動増幅回路)112、入力容量113、帰還容量114、クランプ制御スイッチ115を含んで構成されうる。この構成では、入力容量113と帰還容量114との比で反転ゲインが得られる。画素リセット状態に対応するN出力が画素出力線130に読み出された状態でクランプパルスPCLMPがハイレベルとなり、演算増幅器112の反転入力端子と出力端子とが短絡される。これにより、演算増幅器112の出力端子のレベルは、電圧VREFにほぼ等しくなる。その後、クランプパルスPCLMPがローレベルとなり、演算増幅器112の出力端子には、画素のリセット状態に対応するN出力(ノイズレベル)が現れる。この状態で、転送パルスPTNをハイレベルにすることによって、画素のリセット状態に対応するN出力が転送スイッチ(転送トランジスタ)117nを介してメモリ(容量)118nに蓄積される。
その後、第n行の転送パルスPTX(n)によって転送スイッチ103が一定期間オンとなり、光電変換部102から浮遊拡散部104に電荷が転送される。第n行の増幅トランジスタ105は、浮遊拡散部104の電位に基づく信号を画素出力線130に出力する。このとき、PCLMPはローレベルとなっていて、演算増幅器112は、光信号による画素出力線130の電圧変化成分に対して反転ゲインを与えた電圧成分がN出力に重畳されたS出力(データレベル)を出力端子に発生させる。
続いて、転送パルスPTSがハイレベルとなり、光信号に対応したS出力が転送スイッチ(転送トランジスタ)117sを介してメモリ(容量)118sに蓄積される。次に、第n行の水平走査期間(n)において水平転送動作が行われる。すなわち、水平走査回路119によって列が順に選択されながら、選択された列のS出力とN出力との差分が差分アンプ120で増幅され、第n行の画素信号が得られる。ここで、S出力とN出力との差分に基づいて光応答出力を得る動作は、周知のとおり、CDS(Correlated Double Sampling)動作と呼ばれる。この実施形態では、CDS動作のためのCDS回路は、増幅回路111、転送スイッチ117n、117s、メモリ118n、118s、差分アンプ120等を含んで構成される。
以上の動作を垂直走査回路110によって選択する行を走査しながら繰り返すことにより、画面内全画素の画素信号が得られる。
なお、一例を挙げると、電源電圧は3.3V、ドレイン線VDのローレベルは0.3V〜1.0V、ドレイン線VDのハイレベルは3.3Vに設定することができる。
この実施形態の光電変換装置100は、N出力の読み出し(メモリ118nへのN出力の蓄積)時にN出力レベルを制限することによって黒沈みを抑制する。具体的には、N出力の読み出し時に非常に強い光が光電変換装置に入射することによって浮遊拡散部に電荷が流入すると、それに応じて増幅トランジスタが画素出力線を駆動することによってN出力が低下し黒沈みが発生しうる。そこで、N出力の読み出し時は、クリップトランジスタ121によって、画素出力線130の電位が規定値を下回らないように制限(クリップ)する。
クリップトランジスタ121のゲートの電位は、制御回路140によって制御される。制御回路140は、クリップトランジスタ121ごと、すなわち、列毎に設けられる。制御回路140は、垂直走査回路110から提供されるクリップ制御信号PCLIPによって制御される伝送ゲート122、123を含む。
画素出力線130には、クリップトランジスタ121のソースが接続されている。クリップトランジスタ121のドレインには、所定の電圧(第1電圧)、例えば電源電圧VDDが提供される。トランジスタ121のゲートには、画素出力線130を通してN出力を読み出す時には、クリップ制御信号PCLIPによって制御される伝送ゲート122を介して、クリップ制御電圧(第2電圧)VCLIPが印加される。このとき、画素出力線130の電位は、トランジスタ121のゲートに印加されるクリップ制御電圧VCLIPで決まる電位(クリップ電位)によって下限が定まる。
一方、画素出力線130を通してS出力を読み出す時には、トランジスタ121のゲートには、クリップ制御信号PCLIPによって制御される伝送ゲート123を介して、画素出力線130の電位に基づく電圧が印加される。このときは、クリップトランジスタ121のソースの電位が画素出力線130の電位であるとともに、クリップトランジスタ121のゲートの電位が画素出力線130の電位とほぼ等しい。よって、S出力の読み出し時には、クリップトランジスタ121は、画素出力線130の電位に関係なく、オフ状態となる。これは、S出力の読み出し時には、クリップトランジスタ121が無効化されることを意味する。
この実施形態では、トランジスタ121のゲートには、クリップ制御信号PCLIPがハイレベルのときはクリップ制御電圧VCLIPが印加され、クリップ制御信号PCLIPがローレベルのときは画素出力線130の電位に基づく電圧が印加される。クリップ制御信号PCLIPは、選択行のリセット信号がインアクティブ(ここでは、ローレベル)になった後であってクランプパルスPCLMPの発生になる前にアクティブ(ここでは、ハイレベル)になる。また、クリップ制御信号PCLIPは、転送パルスPTNによるN出力の転送が完了した後であって転送パルスPTXの発生前にインアクティブ(ここでは、ローレベルになる。
以下、S出力の読み出し時にクリップトランジスタ121のゲートに画素出力線130の電位に基づく電圧を印加する理由を説明する。
S出力の読み出し時にクリップトランジスタ121のゲートに接地電位等の電圧を与えるとすると、N出力の読み出し時とS出力の読み出し時とで、クリップトランジスタ121のゲートに印加される電圧に基づくゲート電位が大きく異なることになる。よって、オフ状態のクリップトランジスタ121のリーク電流も、N出力の読み出し時とS出力の読み出し時とで異なることになる。更に、N出力の読み出し時とS出力の読み出し時とにおけるリーク電流の差は、列ごとに異なりうる。S出力とN出力との差分を演算するCDS動作において、画素の増幅トランジスタ105の閾値ばらつきの影響については除去することが可能であるが、クリップトランジスタ121のばらつきの影響については除去することができない。これは、黒沈みを抑えるためにクリップトランジスタ121を設けたことによる弊害であると言える。
そこで、この実施形態では、S出力の読み出し時にクリップトランジスタ121のゲートに画素出力線130の電位に応じた電圧(ここでは、画素出力線130の電位)を印加する。これにより、低輝度状態において、S出力の読み出し時のクリップトランジスタ121のゲート電位をN出力の読み出し時のクリップトランジスタ121のゲート電位に近づけることができる。これによって、N出力の読み出し時とS出力の読み出し時とにおけるリーク電流の差を低減し、更に、列間におけるばらつきを低減することができる。
なお、高輝度状態においては、S出力の読み出し時には浮遊拡散部104の電位が下がることで画素信号線130の電位が下がり、その電位に基づく電圧がクリップトランジスタ121のゲートに印加されるため、ダイナミックレンジを圧迫させることはない。この状態において、N信号読み出し時とS信号読み出し時のクリップMOSの動作状態が異なることになるが、高輝度状態であるため、数mVのばらつきは画像としては見えないため、実使用上は問題ない。
つまり、この実施形態では、ノイズが目立つ低輝度状態ではクリップトランジスタのばらつきに起因する列FPNを低減し、ノイズが目立ちにくい高輝度状態では列FPNを補正せずに画素のダイナミックレンジを維持できることができる。更に、高輝度状態の過度な状況における起こり得る黒沈みについては、クリップトランジスタによって、N出力の読み出し時の画素出力線130の電位を制限することによって低減される。
上記の例は、画素出力線130の電位に基づく電圧を伝送ゲート123を介してクリップトランジスタ121のゲートに提供するものであるが、本発明はこれに制限されない。例えば、画素出力線130の電位をホールドして、この電位をインピーダンス変換してクリップトランジスタ121のゲートに提供してもよい。
本発明の光電変換装置は、上記の例に限定されず、例えば、AMI、BASIS、VMIS、BCAST、LBCAST、CMD等にも適用可能である。
また、画素構成に関しても、本発明は、4画素共有、2画素共有、共有なしのどのタイプにでも適用可能である。また、本発明は、フォトダイオードが完全転送型である光電変換装置にも適用可能である。
[第2実施形態]
図2は、本発明の第2実施形態の光電変換装置の概略構成を示す等価回路図である。本発明の第2実施形態の光電変換装置は、制御回路140が伝送ゲート123と画素出力線130との間にレベルシフト回路124を有する点でのみ第1実施形態と異なる。
図2は、本発明の第2実施形態の光電変換装置の概略構成を示す等価回路図である。本発明の第2実施形態の光電変換装置は、制御回路140が伝送ゲート123と画素出力線130との間にレベルシフト回路124を有する点でのみ第1実施形態と異なる。
第1実施形態では、N出力の読み出し時には、クリップトランジスタ121のゲートにクリップ制御電圧VCLIPが印加され、S出力の読み出し時には、クリップトランジスタ121のゲートに画素出力線130の電位に基づく電圧が印加される。これにより、低輝度状態におけるS出力の読み出し時のクリップトランジスタ121のゲート電位をN出力の読み出し時のクリップトランジスタ121のゲート電位に近づけることができる。この実施形態は、レベルシフト回路124を設けることにより、低輝度状態におけるS出力の読み出し時のクリップトランジスタ121のゲート電位をN出力の読み出し時のクリップトランジスタ121のゲート電位に更に近づけようとするものである。
レベルシフト回路124は、画素出力線130の電位をクリップトランジスタ121の閾値よりも小さいシフト量だけ上方にレベルシフトした電位に基づく電圧を、伝送ゲート123を介して、クリップトランジスタ121のゲートに提供する。ここで、レベルシフト回路124によるレベルシフト量をクリップトランジスタ121の閾値よりも小さくする理由は、レベルシフト回路124によるシフトによってクリップトランジスタ121がオン状態になることを避けるためである。
第2実施形態によれば、第1実施形態によりも、クリップトランジスタ121の列間ばらつきの影響のCDS動作による低減効果が大きいい。
[応用例]
図4は、本発明の好適な実施形態の撮像装置の概略構成を示す図である。撮像装置400は、第1、第2実施形態の光電変換装置100に代表される固体撮像装置1004を備える。
図4は、本発明の好適な実施形態の撮像装置の概略構成を示す図である。撮像装置400は、第1、第2実施形態の光電変換装置100に代表される固体撮像装置1004を備える。
被写体の光学像は、レンズ1002によって固体撮像装置1004の撮像面に結像する。レンズ1002の外側には、レンズ002のプロテクト機能とメインスイッチを兼ねるバリア1001が設けられうる。レンズ1002には、それから出射される光の光量を調節するための絞り1003が設けられうる。固体撮像素子1004から複数チャンネルで出力される撮像信号は、撮像信号処理回路1005によって各種の補正、クランプ等の処理が施される。撮像信号処理回路1005から複数チャンネルで出力される撮像信号は、A/D変換器6でアナログ−ディジタル変換される。A/D変換器1006から出力される画像データは、信号処理部1007によって各種の補正、データ圧縮などがなされる。固体撮像素子1004、撮像信号処理回路1005、A/D変換器1006及び信号処理部1007は、タイミング発生部1008が発生するタイミング信号にしたがって動作する。
ブロック1005〜1008は、固体撮像素子1004と同一チップ上に形成されてもよい。撮像装置400の各ブロックは、全体制御・演算部1009によって制御される。撮像装置400は、その他、画像データを一時的に記憶するためのメモリ部1010、記録媒体への画像の記録又は読み出しのための記録媒体制御インターフェース部1011を備える。記録媒体1012は、半導体メモリ等を含んで構成され、着脱が可能である。撮像装置400は、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース(I/F)部1013を備えてもよい。
次に、図4に示す撮像装置400の動作について説明する。バリア1001のオープンに応じて、メイン電源、コントロール系の電源、A/D変換器1006等の撮像系回路の電源が順にオンする。その後、露光量を制御するために、全体制御・演算部1009が絞り1003を開放にする。固体撮像装置1004から出力された信号は、撮像信号処理回路1005をスルーしてA/D変換器1006へ提供される。A/D変換器1006は、その信号をA/D変換して信号処理部1007に出力する。信号処理部1007は、そのデータを処理して全体制御・演算部1009に提供し、全体制御・演算部1009において露出量を決定する演算を行う。全体制御・演算部1009は、決定した露出量に基づいて絞りを制御する。
次に、全体制御・演算部1009は、固体撮像装置1004から出力され信号処理部1007で処理された信号にから高周波成分を取り出して、高周波成分に基づいて被写体までの距離を演算する。その後、レンズ1002を駆動して、合焦か否かを判断する。合焦していないと判断したときは、再びレンズ1002を駆動し測距を行う。
そして、合焦が確認された後に本露光が始まる。露光が終了すると、固体撮像装置1004から出力された撮像信号は、撮像信号処理回路1005において補正等がされ、A/D変換器1006でA/D変換され、信号処理部1007で処理される。信号処理部1007で処理された画像データは、全体制御・演算1009によりメモリ部1010に蓄積される。
その後、メモリ部1010に蓄積された画像データは、全体制御・演算部9の制御により記録媒体制御I/F部を介して記録媒体1012に記録される。また、画像データは、外部I/F部1013を通してコンピュータ等に提供されて処理されうる。
Claims (7)
- 画素出力線と、
入射する光に応じて前記画素出力線を駆動する画素と、
第1電圧を供給する電圧供給線にドレインが接続され、前記画素出力線にソースが接続され、前記画素からノイズレベルを読み出すときに前記画素出力線の電位を制限するクリップトランジスタと、
前記画素から前記画素出力線を通してノイズレベルを読み出すときは、前記画素出力線の電位を制限するための第2電圧を前記クリップトランジスタのゲートに提供し、前記画素から前記画素出力線を通してデータレベルを読み出すときは、前記画素出力線の電位に応じて定まる電位を前記クリップトランジスタのゲートに提供する制御回路と、
を備えることを特徴とする光電変換装置。 - 前記制御回路は、前記画素からデータレベルを読み出すときは、前記画素出力線の電位に基づく電圧を前記クリップトランジスタのゲートに提供することを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記制御回路は、レベルシフト回路を含み、前記画素からデータレベルを読み出すときは、前記画素出力線の電位に基づく電圧を前記レベルシフト回路でレベルシフトさせた電圧を前記クリップトランジスタのゲートに提供することを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記画素からデータレベルを読み出すときに前記制御回路が前記クリップトランジスタのゲートに提供する電圧は、前記クリップトランジスタがオンしない電圧値であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記画素出力線に出力されるデータレベルとノイズレベルとの差分を演算して画素信号を得るCDS回路を更に備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記画素は、光電変換部、転送ゲート、浮遊拡散部、増幅トランジスタ及びリセットトランジスタを含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から提供される信号を処理する処理回路と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
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JP2006216215A JP2008042675A (ja) | 2006-08-08 | 2006-08-08 | 光電変換装置及び撮像装置 |
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2006
- 2006-08-08 JP JP2006216215A patent/JP2008042675A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8134622B2 (en) | 2007-10-09 | 2012-03-13 | Nikon Corporation | Imaging device |
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