JP4997137B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
(2)続くリセットサンプル期間T2においては、リセットパルスφRST1をLレベルとする。この際、高輝度光が入射していない画素P11,P13ではフローティングディフュージョン部FD11,FD13の電圧VFD11,VFD13(VFD13は図示省略)は変化しないが、高輝度光の入射画素P12ではフォトダイオードPDからの電荷の漏れ込み等によってフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12が図示のように低下する。それにより画素P12が接続されている垂直信号線32の電位V32(Rst) も低下し、(VFD12−VGS-M312 )となる。なお、VGS-M312 は画素P12の増幅トランジスタM312 のゲート・ソース間電圧である。そして、リセットサンプル期間T2の終期において、CDS回路10のクランプパルスφCLをLレベルとして、各垂直信号線31〜33の電位をクランプする。
(3)続く信号転送期間T3では、転送パルスφTR1をHレベルとして、各画素P11〜P13のフォトダイオードPDの信号電荷をフローティングディフュージョン部FD11〜FD13へそれぞれ転送する。この際、高輝度光入射画素P12におけるフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は、リセットサンプル期間T2において既に下がっているため、フォトダイオードPDの電荷を転送しても、リセットサンプル期間T2の電圧から少ししか下がらない(電荷の漏れ込みによりフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12が下がり切っている場合は、変化しない)。したがって、垂直信号32の電位V32(Sig) も少ししか変化しない。なお、この際、他の垂直信号線31,33の電位も、画素P11,P13には殆ど光が入射していないものとしているため、殆ど変化しない。
(4)続く信号サンプリング期間T4では、CDS回路10の処理動作により、差分電位〔V32(Rst) −V32(Sig) 〕がサンプルホールド容量C12に保持される。次いで、CDS回路10で処理された差分電位が列選択トランジスタM6及び出力アンプ5を介して、画像信号として出力される。この際、高輝度光の入射画素P12では、リセットサンプル期間T2における垂直信号線32の電位V32(Rst) の変動により、CDS処理による差分電位〔V32(Rst) −V32(Sig) 〕が小さく、黒く沈んだ出力が画像信号として出力され、黒沈み現象が発生する。
(2)続くリセットサンプル期間T2においては、その終期にCDS回路10のクランプパルスφCLをLレベルとして、各画素のフローティングディフュージョン部FD11〜FD13の電圧を、垂直信号31〜33を介してCDS回路10にクランプする。
(3)続く信号転送期間T3において、転送パルスφTR1をHレベルとして、各画素P11〜P13のフォトダイオードPDの信号電荷をフローティングディフュージョン部FD11〜FD13にそれぞれ転送すると、高輝度光入射画素P12では信号電荷が多いため、そのフローティングディフュージョン部FD12の電位VFD12は電源電圧VDDから大きく下がる。したがって、画素P12が接続された垂直信号線32の電位V32は、(VFD12−VGS-M312 )となり、大きく下がる。これにより、垂直信号線32に接続されているバイアス用トランジスタM52のドレイン・ソース間電圧は小さくなるため、該バイアス用トランジスタM52に流れる電流が減少する。これにより、バイアス用トランジスタM51〜M53のソースに共通に接続されているGND線のGND抵抗による電圧降下が減少し、垂直信号線31,33に接続されているバイアス用トランジスタM51,M53のゲート・ソース間電圧が大きくなり、垂直信号線31,33に流れる電流が増加する。これにより、画素P11,P13の増幅トランジスタM311 ,M313 のゲート・ソース間電圧が大きくなり、垂直信号線31,33の電位V31,V33がリセットレベル出力(VDD)に対してΔV低下する。
(4)続く信号サンプリング期間T4では、CDS回路10の処理動作により、垂直信号線31〜33における、リセット電位と転送後の光信号読み出し電位との差分が、列選択トランジスタM6及び出力アンプ5を介して、画像信号として出力される。この際、高輝度光入射画素P12の周辺画素P11,P13では、上記のようにバイアス用トランジスタM52に接続されたGND線を介した電流変動により、リセットレベルとの差電位ΔVが検出され、これが白浮きとなり、画像信号にハイライト横すじ現象が発生する。
(1)まず、リセット期間T1では、選択パルスφROW1をHレベルとし、クリップ電圧Vclipを電源電圧VDDより低いが黒沈み現象が発生しないような第1のレベルVclipH に設定しておき、リセットパルスφRST1をHレベルとして、各画素のフローティングディフュージョン部FD11,FD12,FD13を電源電圧VDDに固定する。また、CDS回路10のクランプパルスφCL及びサンプルホールドパルスφSHもHレベルとする。
(2)続くリセットサンプル期間T2においては、高輝度光の入射画素P12ではフォトダイオードPDからの電荷の漏れ込み等によってフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12が大きく低下する。これにより、クリップ回路を設けていない場合は、垂直信号線32の電位V32も、(VFD12−VGS-M312 )に低下するが、クリップ回路72により垂直信号線32の電位V32(Rst) は、(VclipH −VGS-M72)にクリップされており、それ以下の電位には低下しない。したがって、引き続くCDS回路10の差分処理によっても、黒沈み現象の発生が回避される。なお、VGS-M72は、クリップトランジスタM72のゲート・ソース間電圧である。そして、リセットサンプル期間T2の終期において、CDS回路10でクランプパルスφCLをLレベルとして、各垂直信号線31〜33の電位をクランプする。
(3)続く信号転送期間T3では、クリップ電圧Vclipをハイライト横すじ現象が発生しないような第2のレベルVclipL に切り換え設定すると共に、転送パルスφTR1をHレベルにして、各画素P11〜P13のフォトダイオードPDの電荷をフローティングディフュージョン部FD11〜FD13へそれぞれ転送する。この際、高輝度光入射画素P12におけるフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は、リセットサンプル期間T2において既に下がっているため、フォトダイオードPDの電荷を転送しても、その電圧Vsig はリセットサンプル期間の電圧から少ししか下がらない。そして、垂直信号線32の電位V32(sig) は、クリップされない場合は、(Vsig −VGS-M312 )に変化するが、クリップ回路で第2のレベルVclipL が設定されているため、垂直信号線32の電位V32(sig) は(VclipL −VGS-M72)でクリップされ、これにより垂直信号線31,33の電位V31,V33がリセットレベル出力(VDD)からΔV低下することはなくなり、ハイライト横すじの発生が回避される。
(4)続く信号サンプリング期間T4では、CDS回路10の処理動作により、垂直信号線31〜33のリセット電位と転送後の光信号読み出し電位との差分がサンプルホールド容量C12に保持され、列選択トランジスタM6及び出力アンプ5を介して、黒沈み及びハイライト横すじ現象の阻止された画像信号として出力される。
まず、実施例1の概要について説明する。本発明は、別個のクリップ回路を設けずに、画素部の画素の出力を用いて、黒沈み現象及びハイライト横すじ現象防止のための垂直信号線のクリップ動作を行わせるようにするものであるが、本実施例1は読み出し中(CDS動作中)の画素行の隣接画素行を垂直信号線へのクリップ電圧の発生用画素行として用い、その画素行の画素のフローティングディフュージョン部の電圧VFDを、リセットサンプリング期間と信号サンプリング期間で変更し、垂直信号線の電位を、そのフローティングディフュージョン部電圧VFDを用いてクリップすることで、黒沈み現象とハイライト横すじ現象の両方を抑圧するように構成するものであり、そして、読み出し画素行の移動に応じてクリップ電圧発生用画素行も移動させるように構成するものである。
(1)まずFD部リセット期間T1においては、2行の選択パルスφROW1,φROW2をHレベルとして、2行の画素出力を垂直信号線32に接続し、差動入力回路を構成し、また2行目の画素電源VDD2は第1のクリップ電圧VclipH に設定されている。この状態において、2行のリセットパルスφRST1,φRST2をHレベルとする。これにより、1行目の読み出し行の画素P12のフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は電源電圧VDDに固定され、2行目のクリップ電圧発生用の画素P22のフローティングディフュージョン部FD22の電圧VFD22は、第1のクリップ電圧VclipH に固定される。これにより、垂直信号線32の電位V32は、(VDD−VGS-M312 )となる。また、CDS回路10のクランプパルスφCL及びサンプルホールドパルスφSHもHレベルとする。
(2)続くリセットサンプリング期間T2においては、2行目のリセットパルスφRST2はHレベルのまま、1行目のリセットパルスφRST1はLレベルとする。1行目の画素P12のフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は、高輝度光の入射によるフォトダイオードPDからの電荷の漏れ込み等によって、図示のように低下する。一方、2行目のクリップ電圧発生用画素P22では、リセットパルスφRST2はHレベルのままなので、フローティングディフュージョン部FD22の電圧VFD22は、第1のクリップ電圧VclipH に固定されたままである。したがって、垂直信号32の電位V32(Rst) は、(VclipH −VGS-M322 )にクリップされ、これにより、次に行われるCDS回路10における差分処理による黒沈み現象の発生が抑圧されるようになる。なお、VGS-M322 は画素22の増幅トランジスタM322 のゲート・ソース間電圧である。そして、リセットサンプリング期間T2の終期において、クランプパルスφCLをLレベルとし、垂直信号32の電位V32(Rst) (=VclipH −VGS-M322 )をCDS回路10にクランプする。
(3)続く転送期間T3においては、2行目のクリップ電圧発生用画素のリセットパルスφRST2はHレベルのまま、1行目の画素行の転送パルスφTR1をHレベルとする。これにより、1行目(読み出し行)の画素P12のフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は、フォトダイオードPDの蓄積電荷により電圧が下がる。また2行目のクリップ電圧発生用画素P22の画素電源VDD2を第2のクリップ電圧VclipL に切り換え、画素P22のフローティングディフュージョン部FD22の電圧VFD22を第2のクリップ電圧VclipL に切り換え固定する。
(4)続く信号サンプリング期間T4においては、2行目の画素行のリセットパルスφRST2をHレベルのまま、1行目の画素行の転送パルスφTR1をLレベルとする。この段階で、1行目の画素P12のフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は、ハイライト横すじ発生レベルまで低下するが、2行目のクリップ電圧発生用画素P22のフローティングディフュージョン部FD22の電圧VFD22は第2のクリップ電圧VclipL に固定されているので、垂直信号32の電位V32(Sig) は、(VclipL −VGS-M322 )にクリップされ、画素バイアス電流の変動を回避できるため、ハイライト横すじ現象は抑圧される。
次に、実施例2について説明する。この実施例は、読み出し中(CDS動作中)の画素行に隣接する2行をクリップ電圧発生用の画素行として用い、この2行の画素行の画素のフローティングディフュージョン部FDにそれぞれ異なるFDレベルをもたせ、その異なるFDレベルをリセットサンプリング期間と信号サンプリング期間で切り換えて用い、黒沈み及びハイライト横すじ現象の両方を抑圧するように構成するものである。
(1)まずFD部リセット期間T1においては、2行の選択パルスφROW1,φROW2をHレベルとして、2行の画素出力を垂直信号線32に接続し、差動入力回路を構成する。この状態において、2行のリセットパルスφRST1,φRST2をHレベルとする。これにより、1行目の読み出し行の画素P12のフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は電源電圧VDDに固定され、2行目の黒沈み防止クリップ電圧発生用の画素P22のフローティングディフュージョン部FD22の電圧VFD22は、第1のクリップ電圧VclipH に固定される。これにより、垂直信号線32の電位V32は、(VDD−VGS-M312 )となる。また、CDS回路10のクランプパルスφCL及びサンプルホールドパルスφSHもHレベルとする。
(2)続くリセットサンプリング期間T2においては、2行目のリセットパルスφRST2はHレベルのまま、1行目のリセットパルスφRST1はLレベルとする。1行目の画素P12のフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は、高輝度光の入射によるフォトダイオードPDからの電荷の漏れ込み等によって、図示のように低下する。一方、2行目の黒沈み防止クリップ電圧発生用画素P22では、リセットパルスφRST2はHレベルのままなので、フローティングディフュージョン部FD22の電圧VFD22は、第1のクリップ電圧VclipH に固定されたままである。したがって、垂直信号32の電位V32(Rst) は、(VclipH −VGS-M322 )にクリップされ、これにより、次に行われるCDS回路10における差分処理による黒沈み現象の発生が抑圧されるようになる。なお、VGS-M322 は画素P22の増幅トランジスタM322 のゲート・ソース間電圧である。そして、リセットサンプリング期間の終期において、クランプパルスφCLをLレベルとし、垂直信号32の電位V32(Rst) (=VclipH −VGS-M322 )をCDS回路10にクランプする。
(3)続く転送期間T3においては、1行目の画素行の転送パルスφTR1をHレベルとする。これにより、1行目(読み出し行)の画素P12のフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は、フォトダイオードPDの蓄積電荷により電圧が下がる。また2行目の黒沈み防止クリップ電圧発生用画素の選択パルスφROW2及びリセットパルスφRST2をLレベルとすると共に、3行目のハイライト横すじ防止クリップ電圧発生用画素の選択パルスφROW3をHレベルとし、1行目の読み出し画素行と3行目のハイライト横すじ防止クリップ電圧発生用画素行の画素出力を垂直信号線32に接続し、差動入力回路を構成する。また3行目のハイライト横すじ防止クリップ電圧発生用画素行のリセットパルスφRST3をHレベルとする。これにより、3行目の画素P32のフローティングディフュージョン部FD32の電圧VFD32を第2のクリップ電圧VclipL に切り換え固定する。
(4)続く信号サンプリング期間T4においては、3行目の画素行のリセットパルスφRST3をHレベルのまま、1行目の画素行の転送パルスφTR1をLレベルとする。この段階で、1行目の画素P12のフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は、ハイライト横すじ発生レベルまで低下するが、3行目のハイライト横すじ防止クリップ電圧発生用画素P32のフローティングディフュージョン部FD32の電圧VFD32は、第2のクリップ電圧VclipL に固定されているので、垂直信号32の電位V32(Sig) は、(VclipL −VGS-M332 )にクリップされ、画素バイアス電流の変動を回避できるため、ハイライト横すじ現象は抑圧される。なお、VGS-M332 は画素32の増幅トランジスタM332 のゲート・ソース間電圧である。
(5)続いて、CDS回路10の処理動作により、垂直信号線31〜33のリセット電位と転送後の光信号読み出し電位との差分がサンプルホールド容量C12に保持され、列選択トランジスタM6及び出力アンプ5を介して、黒沈み及びハイライト横すじ現象の阻止された画像信号として出力される。以下、読み出し画素行を変更して、更にはそれに対応させて、黒沈み防止クリップ電圧発生用画素行及びハイライト横すじ防止クリップ電圧発生用画素行も合わせて変更して、同様な動作を繰り返すことにより、一画面の画像信号が得られる。
次に、実施例3について説明する。この実施例3は、各画素のリセットのタイミングを、読み出し画素行とクリップ電圧発生用画素行とで変えると共に、画素電源VDD1をパルス的に駆動して、クリップ電圧発生用画素行の画素電源の電圧を第1のクリップ電圧VclipH 又は第2のクリップ電圧VclipL に設定するように構成するものである。
(1)まず1行目の画素行のFD部リセット期間T1においては、2行の選択パルスφROW1,φROW2をHレベルとして、2行の画素出力を垂直信号線32に接続し、差動入力回路を構成する。この状態において、画素電源VDD1は電源電圧VDDに設定され、1行目のリセットパルスφRST1をHレベルとする。これにより、1行目の読み出し行の画素P12のフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は電源電圧VDDに固定され、垂直信号線32の電位V32は、(VDD−VGS-M312 )となる。また、CDS回路10のクランプパルスφCL及びサンプルホールドパルスφSHもHレベルとする。
(2)続くリセットサンプリング期間T2においては、1行目のリセットパルスφRST1をLレベルとすると共に、2行目のリセットパルスφRST2をHレベルとする。また画素電源VDD1を第1のクリップ電圧に設定する。これにより1行目の画素P12のフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は、高輝度光の入射によるフォトダイオードPDからの電荷の漏れ込み等によって、図示のように低下する。一方、2行目のクリップ電圧発生用画素P22では、フローティングディフュージョン部FD22の電圧VFD22は、第1のクリップ電圧VclipH に固定される。したがって、垂直信号32の電位V32(Rst) は、(VclipH −VGS-M322 )にクリップされ、これにより、次に行われるCDS回路10における差分処理による黒沈み現象の発生が抑圧されるようになる。なお、VGS-M322 は画素P22の増幅トランジスタM322 のゲート・ソース間電圧である。そして、リセットサンプリング期間の終期において、クランプパルスφCLをLレベルとし、垂直信号32の電位V32(Rst) (=VclipH −VGS-M322 )をCDS回路10にクランプする。
(3)続く転送期間T3においては、2行目のクリップ電圧発生用画素のリセットパルスφRST2はHレベルのまま、画素電源VDD1を第2のクリップ電圧に設定する。これにより画素P22のフローティングディフュージョン部FD22の電圧VFD22を第2のクリップ電圧VclipL に切り換え固定する。次いで、画素電源VDD1を電源電圧VDDにしたのち、1行目の画素行の転送パルスφTR1をHレベルとする。これにより、1行目(読み出し行)の画素P12のフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は、フォトダイオードPDの蓄積電荷により電圧が下がる。
(4)続く信号サンプリング期間T4においては、1行目の画素行の転送パルスφTR1をLレベルとする。この段階で、1行目の画素P12のフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は、ハイライト横すじ発生レベルまで低下するが、2行目のクリップ電圧発生用画素P22のフローティングディフュージョン部FD22の電圧VFD22は、第2のクリップ電圧VclipL に固定されているので、垂直信号32の電位V32(Sig) は、(VclipL −VGS-M322 )にクリップされ、画素バイアス電流の変動を回避できるため、ハイライト横すじ現象は抑圧される。
次に、実施例4について説明する。この実施例は、画素部を構成する画素として、選択トランジスタを省いた3トランジスタ構成としたものを用い、画素電源を電源電圧VDDと、第1のクリップ電圧VclipH と、第2のクリップ電圧VclipL と、第2のクリップ電圧VclipL より低い電圧VDDLの4電位にパルス的に設定できるようにしたものである。
次に、実施例5について説明する。この実施例は、メカシャッタを備えた固体撮像装置に関するもので、固体撮像装置の構成自体は実施例1〜4に係るものと同一であり、図示していないメカシャッタと該メカシャッタの使用/不使用の設定を行うモード設定部を備え、モード設定部の設定によりタイミング制御部の制御態様も変更設定されるようになっている。
(1)メカシャッタを使用した撮影(静止画撮影等)の場合は、フォトダイオードPDへの信号電荷の蓄積後、FD部リセット期間T1に入る前に、メカシャッタは開から閉状態にされる。次いで、1行目の選択パルスφROW1がHレベルとされる。また、2行目のクリップ電圧発生行の画素電源VDD2は、信号読み出し時にはメカシャッタは閉状態となっているため、高輝度光入射によるフォトダイオードからの電荷の漏れ込み等はなく、黒沈み現象は発生しないので、第1のクリップ電圧VclipH を発生させる必要はなく、第2のクリップ電圧VclipL に固定される。
そして、FD部リセット期間T1に入ると1行目のリセットパルスφRST1をHレベルとする。これにより、1行目の読み出し行の画素P12のフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は電源電圧VDDに固定され、垂直信号線32の電位V32は、(VDD−VGS-M312 )となる。また、CDS回路10のクランプパルスφCL及びサンプルホールドパルスφSHもHレベルとする。
(2)続くリセットサンプリング期間T2においては、1行目のリセットパルスφRST1をLレベルとするが、高輝度光の入射によるフォトダイオードPDからの電荷の漏れ込み等はないので、1行目の画素P12のフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は電源電圧VDDを維持し、したがって、垂直信号線32の電位V32も、(VDD−VGS-M312 )のままである。そして、リセットサンプリング期間の終期において、クランプパルスφCLをLレベルとし、垂直信号32の電位(VDD−VGS-M312 )をCDS回路10にクランプする。
(3)続く転送期間T3においては、2行目のクリップ電圧発生用画素の選択パルスφROW2及びリセットパルスφRST2をHレベルとすると共に、1行目の画素行の転送パルスφTR1をHレベルとする。これにより、1行目(読み出し行)の画素P12のフローティングディフュージョン部電圧VFD12は、フォトダイオードPDの蓄積電荷により電圧が下がる。また、2行目のクリップ電圧発生用画P22のフローティングディフュージョン部電圧VFD22は第2のクリップ電圧VclipL に固定される。
(4)続く信号サンプリング期間T4においては、2行目の画素行のリセットパルスφRST2をHレベルのまま、1行目の画素行の転送パルスφTR1をLレベルとする。この段階で、1行目の画素P12のフローティングディフュージョン部FD12の電圧VFD12は、ハイライト横すじ発生レベルまで低下するが、2行目のクリップ電圧発生用画素P22のフローティングディフュージョン部FD22の電圧VFD22は第2のクリップ電圧VclipL に固定されているので、垂直信号32の電位V32(Sig) は、(VclipL −VGS-M322 )にクリップされ、画素バイアス電流の変動を回避できるため、ハイライト横すじ現象は抑圧される。
4 水平走査部
5 出力アンプ
6 タイミング制御部
7 水平信号線
10 CDS回路
31,32,33 垂直信号線
Claims (10)
- 入射光を信号電荷に変換する光電変換手段、該光電変換手段で発生した前記信号電荷を蓄積する蓄積部、該蓄積部に蓄積された前記信号電荷を増幅して出力信号線に出力する増幅手段、及びリセットラインに設定されているリセット電位に前記蓄積部をリセットするリセット手段を有する画素が複数、行列状に2次元に配列されてなる画素部と、
前記出力信号線に一端が接続され、他端が接地され、前記増幅手段に流れる電流を一定にする負荷手段と、
前記出力信号線に接続され、前記リセット手段によるリセット動作時における前記画素からの出力たる第1の信号を用いて、前記信号電荷に対応する第2の信号に含まれるノイズ成分を抑圧するノイズ抑圧動作を行うノイズ抑圧手段と、
前記ノイズ抑圧動作の対象たる第1の画素の前記出力信号線への出力を、前記第1の画素と同一の前記出力信号線に接続され前記第1の画素とは異なる第2の画素から前記出力信号線への前記リセット手段によるリセット動作に伴う出力を用いて、前記第1の信号を第1の電位に、前記第2の信号を第2の電位にそれぞれ制限する制御手段とを有することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第1の電位と前記第2の電位に制限するために用いる前記第2の画素は、同一の画素であることを特徴とする請求項1に係る固体撮像装置。
- 前記第1の電位と前記第2の電位に制限するために用いる前記第2の画素は、異なる画素であることを特徴とする請求項1に係る固体撮像装置。
- 前記第1の電位と前記第2の電位に制限するために用いる前記第2の画素は、前記第1の画素の近傍に位置する画素であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に係る固体撮像装置。
- 前記制御手段は、前記第2の電位として前記負荷手段がオフしない電位を設定することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に係る固体撮像装置。
- 前記制御手段は、前記第1の電位を前記第2の電位よりも高く設定することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に係る固体撮像装置。
- 前記リセットラインは、前記制御手段により、行単位で前記リセット電位を変更可能とされ、前記制御手段は、前記第1の電位と前記第2の電位を設定するために用いられる前記第2の画素の位置に応じて、対応する前記画素に係る前記リセットラインのリセット電位を可変することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に係る固体撮像装置。
- 前記リセットラインは、全画素に対して共通のリセット電位を前記制御手段により可変して供給可能とされ、前記制御手段は、前記第1の画素と第2の画素に対して、各々に対応したリセット電位を印加するタイミングが重ならないように前記リセット手段を制御することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に係る固体撮像装置。
- 撮影に係る複数の動作モードから1つの動作モードを設定するモード設定部を更に有し、前記制御手段は、設定された動作モードに応じて、異なった、前記第1の電位への制限動作を行わせることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に係る固体撮像装置。
- 前記制御手段は、前記設定動作モードとして、前記光電変換手段における前記信号電荷の蓄積後に前記光電変換手段に入射する光を遮光する動作モードが設定されたとき、前記第2の信号の第2の電位への制限動作のみを行わせることを特徴とする請求項9に係る固体撮像装置。
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