JP2009044462A - 固体撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】白浮きの横スミアを低減する。
【解決手段】定電流源15は、2次元に配置された画素11の各列に対応して設けられた垂直信号線14へ画素11の出力信号が供給されるときに、垂直信号線14に電流を流す。クリップ部18は、画素11で光電変換された光情報を含む画素11の出力信号が垂直信号線14に供給されるときに、垂直信号線14の電位を所定のクリップ電位よりも所定方向へ変動させないように制限する。前記所定方向は、垂直信号線14の電位が、定電流源15が垂直信号線14に定電流を流す電位範囲を逸脱して、定電流源15がより低い電流を垂直信号線14に流す電位に向かう方向である。
【選択図】図2

Description

本発明は、固体撮像装置に関するものである。
ビデオカメラや電子スチルカメラなどでは、CCD型や増幅型の固体撮像装置が使用されている。このような固体撮像装置では、光電変換部を有する画素がマトリクス状に複数配置されており、各画素の光電変換部にて信号電荷を生成する。増幅型固体撮像装置では、画素の光電変換部にて生成・蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョン等の電荷電圧変換部に導き、電荷電圧変換部で信号電荷を電圧に変換し、その電圧に応じた信号を画素に設けられた増幅部によって画素から出力する。
増幅型固体撮像装置では、一般的に、各画素は、入射光に応じた信号電荷を生成し蓄積する光電変換部、前記信号電荷を受け取って前記信号電荷を電圧に変換する等の電荷電圧変換部、該電荷電圧変換部の電位に応じた信号を出力する増幅部、前記光電変換部から前記電荷電圧変換部に電荷を転送する電荷転送部、前記電荷電圧変換部の電位をリセットするリセット部、及び、当該画素を選択する選択部を、有している(例えば、下記特許文献1)。
特開11−122532号公報
固体撮像装置では、有効画素領域のうちの一部の画素領域に局所的に強い光が入射しても、その強い光が入射した画素領域に相当する画像領域(以下、「高輝度領域」という。)のみが高い輝度を示す一方、他の画素領域に相当する画像領域では輝度が黒の基準レベル(ゼロのレベル)を示すことが、画質を向上させる上で理想的である。
しかしながら、前述したような従来の固体撮像装置では、有効画素領域のうちの一部の画素領域に局所的に強い光が入射すると、高輝度領域に対して横方向(水平走査方向)に位置する画像領域が、対応する画素領域にあたかも弱い光が入射したかのように、わずかながら所定の輝度値を示してしまう現象(本願明細書では、この現象を「白浮きの横スミア」と呼ぶ。)が生じていた。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、白浮きの横スミアを低減することができる固体撮像装置を提供することを第1の目的とする。
後に詳述するが、本発明者は、研究の結果として、白浮きの横スミアの原因を究明し、その対策を施したところ、白浮きの横スミアを解消することができた。しかしながら、白浮きの横スミアを解消した結果、本願明細書で「黒沈みの横スミア」と呼ぶ現象が顕在化してしまった。この黒沈みの横スミアは、有効画素領域のうちの一部の画素領域に局所的に強い光が入射したときに、高輝度領域に対して横方向に位置する画像領域が、高輝度領域以外の画像領域のうち高輝度領域に対して横方向には位置しない画像領域が示す黒の基準レベル(ゼロのレベル)よりも更に低い値を示してしまう現象である。黒沈みの横スミアが生ずると、例えば、有効画素領域のうちの一部の画素領域に局所的に強い光が入射するとともにその画素領域に対して横方向に位置する画素領域に弱い光が入射すると、当該弱い光が感知されなくなってしまう。
そこで、本発明は、白浮きの横スミアのみならず黒沈みの横スミアも低減することができる固体撮像装置を提供することを第2の目的とする。
前記課題を解決するため、本発明の第1の態様による固体撮像装置は、2次元に配置され入射光を光電変換する複数の画素と、前記複数の画素の各列に対応して設けられ対応する列の前記画素の出力信号が供給される垂直信号線と、前記画素の出力信号が前記垂直信号線へ供給されるときに前記垂直信号線に電流を流す定電流源と、前記画素で光電変換された光情報を含む前記画素の出力信号が前記垂直信号線に供給されるときに、前記垂直信号線の電位を所定電位よりも所定方向へ変動させないように制限する制限手段と、を備え、前記所定方向は、前記垂直信号線の電位が、前記定電流源が前記垂直信号線に定電流を流す電位範囲を逸脱して、前記定電流源がより低い電流を前記垂直信号線に流す電位に向かう方向であるものである。
本発明の第2の態様による固体撮像装置は、前記第1の態様において、前記所定電位を、前記定電流源が前記垂直信号線に前記定電流を流す電位範囲内の電位に設定する設定手段を、備えたものである。
本発明の第3の態様による固体撮像装置は、前記第1の態様において、前記所定電位を、前記定電流源が前記垂直信号線に前記定電流よりも低い電流を流す電位に設定する設定手段を、備えたものである。
本発明の第4の態様による固体撮像装置は、前記第1乃至第3のいずれかの態様において、前記制限手段はトランジスタを含むものである。
本発明の第5の態様による固体撮像装置は、前記第1乃至第4のいずれかの態様において、前記各垂直信号線の信号に応じた信号をサンプリング制御信号に従ってサンプリングして保持するとともに、当該保持された信号を水平走査信号に従って水平信号線へ供給するサンプルホールド部を、備え、前記サンプルホールド部は、前記各垂直信号線に対応して設けられ前記画素で光電変換された光情報を含む光信号が蓄積される光信号用蓄積容量、及び、前記各垂直信号線に対応して設けられ前記光信号から差し引くべきノイズ成分を含む差分用信号が蓄積される差分用信号用蓄積容量を、含むものである。
本発明の第6の態様による固体撮像装置は、前記第1乃至第5のいずれかの態様において、前記各画素は、入射光に応じた信号電荷を生成し蓄積する光電変換部、前記信号電荷を受け取って前記信号電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部、該電荷電圧変換部の電位に応じた信号を出力する増幅部、前記光電変換部から前記電荷電圧変換部に電荷を転送する電荷転送部、前記電荷電圧変換部の電位をリセットするリセット部、及び、当該画素を選択する選択部を有するものである。
本発明によれば、白浮きの横スミアを低減することができる固体撮像装置を提供することができる。
また、本発明によれば、白浮きの横スミアのみならず黒沈みの横スミアも低減することができる固体撮像装置を提供することができる。
以下、本発明による固体撮像装置について、図面を参照して説明する。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施の形態による固体撮像装置を示す概略ブロック図である。本実施の形態による固体撮像装置は、図1に示すように、イメージセンサ(固体撮像素子)1と、いわゆるタイミングジェネレータ(図示せず)を含みイメージセンサ1の垂直走査回路12(図2参照)及び水平走査回路13(図2参照)等に駆動パルス等を供給してイメージセンサ1を制御する外部制御部2と、イメージセンサ1から得られる信号を処理して画像信号を得る外部信号処理部3と、を備えている。
本実施の形態では、外部制御部2は、後述する設定信号Vdclipをイメージセンサ1に供給するクリップ電位設定部2aを有している。クリップ電位設定部2aは、当該固体撮像装置の出荷時等において、製造者等が設定信号Vdclipの大きさ(ひいては、後述するクリップ電位)を調整して設定することができるように構成されている。本実施の形態では、クリップ電位設定部2aは、調整が終了すると、当該固体撮像装置の作動時に、一定の大きさの設定信号Vdclipを継続してイメージセンサ1に供給するように構成されている。
図2は、図1中のイメージセンサ1を示す回路図である。このイメージセンサ1は、CMOS型固体撮像素子として構成されている。
図2に示すように、このイメージセンサ1は、一般的なCMOS型固体撮像素子と同様に、2次元状に配置された複数の単位画素11(図2では、2×2個の画素11のみを示す。)と、垂直走査回路(垂直走査部)12と、水平走査回路(水平走査部)13と、画素11の各列に対応して設けられ対応する列の画素11の出力信号が供給される垂直信号線14と、各垂直信号線14に接続された定電流源15とを有している。なお、画素11の数が限定されるものではないことは、言うまでもない。
各画素11は、一般的なCMOS型固体撮像素子と同様に、入射光に応じた信号電荷を生成し蓄積する光電変換部としてのフォトダイオードPDと、前記信号電荷を受け取って前記信号電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部としてのフローティングディフュージョンFDと、フローティングディフュージョンFDの電位に応じた信号を出力する増幅部としての増幅トランジスタAMPと、フォトダイオードPDからフローティングディフュージョンFDに電荷を転送する電荷転送部としての転送トランジスタTXと、フローティングディフュージョンFDの電位をリセットするリセット部としてのリセットトランジスタRESと、当該画素11を選択するための選択部としての選択トランジスタSELとを有し、図2に示すように接続されている。なお、本実施の形態では、画素11のトランジスタAMP,TX,RES,SELは、全てnMOSトランジスタである。図2において、Vddは電源電圧である。
転送トランジスタTXのゲートは、行毎に、垂直走査回路12からの転送トランジスタTXを制御する制御信号φTXを転送トランジスタTXに供給する制御線に、接続されている。リセットトランジスタRESのゲートは、行毎に、垂直走査回路12からのリセットトランジスタRESを制御する制御信号φRESをリセットトランジスタRESに供給する制御線に、接続されている。選択トランジスタSELのゲートは、行毎に、垂直走査回路12からの選択トランジスタSELを制御する制御信号φSELを選択トランジスタSELに供給する制御線に、接続されている。
フォトダイオードPDは、入射光の光量(被写体光)に応じて信号電荷を生成する。転送トランジスタTXは、転送パルス(制御信号)φTXのハイレベル期間にオンし、フォトダイオードPDに蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョンFDに転送する。リセットトランジスタRESは、リセットパルス(制御信号)φRESのハイレベル期間にオンし、フローティングディフュージョンFDをリセットする。
増幅トランジスタAMPは、そのドレインが電源電圧Vddに接続され、そのゲートがフローティングディフュージョンFDに接続され、そのソースが選択トランジスタSELのドレインに接続され、定電流源15を構成し各垂直信号線14に対応して設けられたトランジスタTDを負荷とするソースフォロア回路を構成している。各トランジスタTDのドレインは各垂直信号線14に接続され、各トランジスタTDのソースは接地されている。各トランジスタTDのゲートは共通に接続され、そこには、抵抗RL及びトランジスタTSからなる定電流設定回路15aによって得た一定電圧が与えられている。これにより、定電流源15は、垂直信号線14に対応する画素11の選択トランジスタSELがオンされたときに、当該垂直信号線14に電流を流す。この電流は、当該画素11の増幅トランジスタAMPのソースフォロアバイアス電流である。このとき、定電流源15は、図5に示すように、垂直信号線14の電位が所定の電位V以上であれば、当該垂直信号線14に定電流Iを流すが、垂直信号線14の電位が電位Vよりも低い電位であれば、当該電位に応じた低い電流を当該垂直信号線14に流す。図5は、垂直信号線14の電位と定電流源15が垂直信号線14に流す電流との関係を示す図である。
増幅トランジスタAMPは、フローティングディフュージョンFDの電圧値に応じて、選択トランジスタSELを介して垂直信号線14に読み出し電流を出力する。選択トランジスタSELは、選択パルス(画素制御信号)φSELのハイレベル期間にオンし、増幅トランジスタAMPのソースを垂直信号線14に接続する。
垂直走査回路12は、外部制御部2からの駆動パルス(図示せず)を受けて、画素11の行毎に、選択パルスφSEL、リセットパルスφRES及び転送パルスφTXをそれぞれ出力する。また、水平走査回路13は、外部制御部2からの駆動パルス(図示せず)を受けて、列毎に水平走査信号φHを出力する。
また、このイメージセンサ1は、各垂直信号線14の信号に応じた信号をサンプリング制御信号φTVN,φTVSに従ってサンプリングして保持するとともに、当該保持された信号を水平走査信号φHに従って水平信号線16N,16Sへ供給するサンプルホールド部17を、備えている。本実施の形態では、サンプルホールド部17は、各垂直信号線14に対応して設けられた光信号用蓄積容量CS及び暗信号用蓄積容量CNと、画素11で光電変換された光情報を含む光信号を光信号用サンプリング制御信号φTVSに従って光信号用蓄積容量CSに蓄積させる光信号用サンプリングスイッチTVSと、前記光信号から差し引くべきノイズ成分を含む差分用信号してのいわゆる暗信号を暗信号用サンプリング制御信号φTVNに従って暗信号用蓄積容量CNに蓄積させる暗信号用サンプリングスイッチTVNと、光信号用蓄積容量CSに蓄積された光信号を水平走査信号φHに従って光信号用水平信号線16Sに供給する光信号用水平転送スイッチTHSと、暗信号用蓄積容量CNに蓄積された暗信号を水平走査信号φHに従って暗信号用水平信号線16Nに供給する暗信号用水平転送スイッチTHNとを有している。なお、実際には、水平信号線16N,16Sをそれぞれ所定タイミングで所定の電位にリセットするための各トランジスタが設けられるが、それらのトランジスタの図示は省略している。水平信号線16N,16Sには、出力アンプAPN,APSがそれぞれ接続されている。本実施の形態では、スイッチTVS,TVN,THS,THNは、全てnMOSトランジスタである。
各光信号用サンプリングスイッチTVSのゲートは共通に接続され、そこには外部制御部2から光信号用サンプリング制御信号φTVSが供給される。光信号用サンプリング制御信号φTVSに応じて光信号用サンプリングスイッチTVSがオンすると、垂直信号線14の光信号が、対応する光信号用蓄積容量CSに蓄積される。各暗信号用サンプリングスイッチTVNのゲートは共通に接続され、そこには外部制御部2から暗信号用サンプリング制御信号φTVNが供給される。暗信号用サンプリング制御信号φTVNに応じて暗信号用サンプリングスイッチTVNがオンすると、垂直信号線14の暗信号が、対応する暗信号用蓄積容量CNに蓄積される。
各列毎に、光信号用水平転送スイッチTHS及び暗信号用水平転送スイッチTHNのゲートが共通に接続され、そこには水平走査回路13から対応する列の水平走査信号φHが供給される。各列の水平走査信号φHに応じて、各列の水平転送スイッチTHS,THNがオンすると、対応する列の光信号用蓄積容量CS及び暗信号用蓄積容量CNにそれぞれ蓄積されていた光信号及び暗信号が、光信号用水平信号線16S及び暗信号用水平信号線16Nにそれぞれ出力され、それぞれ出力アンプAPS,APNを介して、図1中の外部信号処理部3へ出力される。
図面には示していないが、外部信号処理部3は、出力アンプAPS,APNの出力間の差分を、差動アンプ等によって得る。これにより相関2重サンプリングが実現され、外部信号処理部3から、画像信号として、固定パターンノイズ等が除去された光情報信号が得られる。
そして、このイメージセンサ1は、図2に示すように、画素11で光電変換された光情報を含む画素11の出力信号(光信号)が垂直信号線14に供給されるときに、垂直信号線14の電位を所定電位(以下、「クリップ電位」と呼ぶ。)よりも所定方向へ変動させないように制限する制限手段としての、クリップ部18を、有している。前記所定方向は、垂直信号線14の電位が、定電流源15が垂直信号線14に定電流Iを流す電位範囲(本実施の形態では、図5中の電位V以上の電位範囲)を逸脱して、定電流源15がより低い電流を垂直信号線14に流す電位に向かう方向である。本実施の形態では、前記所定方向は、具体的には、垂直信号線14の電位が下がる方向である。
本実施の形態では、クリップ部18は、各垂直信号線14に対応して設けられたトランジスタ(以下、「クリップトランジスタ」と呼ぶ。)TCで構成されている。各クリップトランジスタTCのドレインは電源電圧Vddに接続され、各クリップトランジスタTCのソースは対応する垂直信号線14に接続されている。各クリップトランジスタTCのゲートは共通に接続され、そこには、外部制御部2のクリップ電位設定部2aから、調整された大きさの電圧値を持つ設定信号Vdclipが供給される。設定信号Vdclipの大きさに応じて垂直信号線14のクリップ電位が定まる。クリップ部18の意義とクリップ電位の調整に関しては、後に詳述する。なお、本実施の形態では、クリップトランジスタTCは、nMOSトランジスタである。
図3は、本実施の形態による固体撮像装置の読み出し動作の一例を示すタイミングチャートである。
本実施の形態では、メカニカルシャッタ(図示せず)が所定の露光期間だけ開かれて各画素11のフォトダイオードPDの電荷蓄積層に電荷が蓄積された後、1行ずつ順次選択され、各1行について順次同じ動作が行われていく。図3は、主として、n行目の画素11が選択され、引き続いてn+1行目の画素11が選択された場合の動作を示している。
期間T1は、n−1行目の画素11の出力の水平走査期間であり、後述する期間T3に対応している。期間T1後の期間T2は、n行目の画素11の出力の水平ブランキング期間である。
期間T2において、垂直走査回路12によりn行目の画素11が選択され、n行目のリセットパルスφRES(n)がローレベルに変化し、n行目のリセットトランジスタRESがオフする。また、期間T2において、n行目の選択パルスφSEL(n)がハイレベルに変化し、n行目の選択トランジスタSELがオンする。n行目の選択トランジスタSELのオンにより、n行目の増幅トランジスタAMPのソースは垂直信号線14に接続される。そして、n行目の増幅トランジスタAMPは、定電流源15によってソースフォロア回路として動作する。
期間T2が開始した後、期間T12が開始するまでの期間においては、n行目の選択トランジスタSELがオンし、同時にn行目のリセットトランジスタRESがオフすることで、n行目の画素11の増幅トランジスタAMPのゲート電圧が、フローティング状態となり、n行目の画素11のリセットレベルが垂直信号線14に現れる。このとき、期間T2が開始した後の期間T11において、暗信号用サンプリングパルス(制御信号)φTVNがハイレベルに変化し、暗信号用サンプリングスイッチTVNがオンする。これにより、n行目の画素11の暗信号が、暗信号用蓄積容量CNに蓄積される。この動作は、n行目の各列の画素11に対して同時並列に実行される。
次に、期間T2中の期間T12において、n行目の転送パルスφTX(n)がハイレベルに変化し、n行目の転送トランジスタTXがオンする。n行目の転送トランジスタTXのオンにより、n行目の画素11のフォトダイオードPDで光電変換され蓄積されていた信号電荷が、対応するフローティングディフュージョンFDに転送される。これによって、フローティングディフュージョンFDの電圧は転送されてきた電荷量に応じた電圧となり、この電圧が増幅トランジスタAMPのゲート電極に印加される。その結果、n行目の画素11の光情報を含んだレベルが、垂直信号線14に現れる。このとき、期間T12の後の期間T13において、光信号用サンプリングパルス(制御信号)φTVSがハイレベルに変化し、光信号用サンプリングスイッチTVSがオンする。これにより、n行目の画素11の光信号が、光信号用蓄積容量CSに蓄積される。この動作は、n行目の各列の画素11に対して同時並列に実行される。
このようにして、期間T2において、n行目の画素11の出力信号のサンプリングが行われ、各列毎に、暗信号用蓄積容量CNにはn行目の画素11の暗信号が蓄積され、光信号用蓄積容量CSにはn行目の画素11の光信号が蓄積される。
期間T2後の期間T3は、n行目の画素11の出力の水平走査期間である。期間T3において、水平走査回路13からの水平走査信号φHによる水平走査によって暗信号用水平転送スイッチTHN及び光信号用水平転送スイッチTHSが各垂直信号線14に対応するもの毎に順次オンされ、蓄積容量CN,CSにそれぞれ蓄積されていた暗信号及び光信号が各垂直信号線14に対応するもの毎に順次暗信号用水平信号線16N及び光信号用水平信号線16Sにそれぞれ読み出され、出力アンプAPN,APSをそれぞれ介して外部信号処理部3へ出力される。外部信号処理部3は、出力アンプAPS,APNの出力間の差分を、差動アンプ等によって得る。これにより、外部信号処理部3から、画像信号として、固定パターンノイズ等が除去された光情報信号が得られる。
次に、期間T4,T5において、n行目に関して期間T2,T3で行われたのと同様の動作が、n+1行目について行われ、それ以降においても同様の動作を繰り返す。
ここで、本実施の形態と比較される比較例について説明する。この比較例による固体撮像装置が本実施の形態による固体撮像装置と異なる所は、クリップ部18及びクリップ電位設定部2aが除去されている点のみである。この比較例は従来技術に相当している。
この比較例では、イメージセンサ1の有効画素領域21(図4参照)のうちの一部の画素領域21aに局所的に強い光が入射すると、その強い光が入射した画素領域21aに相当する画像領域(以下、「高輝度領域」という。)に対して横方向に位置する画像領域(画素領域21bに相当する画像領域)が、対応する画素領域21bにあたかも弱い光が入射したかのように、わずかながら所定の輝度値を示してしまう現象(白浮きの横スミア)が生ずる。図4は、イメージセンサ1の有効画素領域21を模式的に示す図である。
本発明者の研究の結果、白浮きの横スミアの原因が次の通りであることが判明した。すなわち、画素領域21aに局所的に強い光が入射すると、画素領域21aの画素11の列の垂直信号線14の電位が低下する。これにより、画素領域21aの画素11の列の垂直信号線14に設けられた定電流源15のトランジスタTDのソースドレイン間電圧が低下し、当該垂直信号線14の電位が図5中の電位Vを下回って例えば電位Vに低下する。このため、当該トランジスタTDに流れる電流が定電流Iよりも低下する。その結果、トランジスタTDのグランドのラインの電流減少により、イメージセンサ1内部のグランド電位が低下する。イメージセンサ1内部のグランド電位が低下することに伴い、画素領域21bの画素11のフローティングディフュージョンFDの電位(増幅トランジスタAMPのゲート電位)が低下する。これにより、画素領域21bの画素11の列の垂直信号線14の電位が低下する。よって、画素領域21bの画素11の列の垂直信号線14の電位は、本来の黒レベルよりも低い電位となって所定の輝度値を示してしまい、これが光信号用蓄積容量CSに蓄積される。これが、白浮きの横スミアの原因である。
これに対し、本実施の形態では、クリップ部18のトランジスタTCによって、垂直信号線14の電位が、設定信号Vdclipの大きさに応じて定まるクリップ電位よりも下がろうとしても当該クリップ電位に制限されて、クリップ電位より下がらなくなる。前述した白浮きの横スミアの原因に鑑みて、本実施の形態では、クリップ電位設定部2aによって、クリップ電位を電位V以上の電位Vに設定しておく。したがって、本実施の形態によれば、画素領域21aに局所的に強い光が入射しても、画素領域21aの画素11の列の垂直信号線14の電位はクリップ部18によりクリップされて電位Vよりも低下しなくなる。よって、本実施の形態によれば、前述した白浮きの横スミアの原因が除去され、白浮きの横スミアを解消することができる。本発明者は、実際に、本実施の形態と同様の固体撮像装置を作製し、白浮きの横スミアが解消されることを確認した。
[第2の実施の形態]
本発明者は、前記第1の実施の形態と同様の実際に作製した固体撮像装置において、前述したように白浮きの横スミアは解消されるが、これに伴い、黒沈みの横スミアが顕在化してしまうことを確認した。この黒沈みの横スミアは、有効画素領域21(図4参照)のうちの一部の画素領域21aに局所的に強い光が入射したときに、その強い光が入射した画素領域21aに相当する画像領域(以下、「高輝度領域」という。)に対して横方向に位置する画像領域(画素領域21bに相当する画像領域)が、高輝度領域以外の画像領域のうち高輝度領域に対して横方向には位置しない画像領域(画素領域21cに相当する画像領域)が示す黒の基準レベル(ゼロのレベル)よりも更に低い値を示してしまう現象である。現状では、黒沈みの横スミアの原因は必ずしも定かではない。
本発明の第2の実施の形態による固体撮像装置が前記第1の実施の形態による固体撮像装置と異なる所は、クリップ電位設定部2aによるクリップ電位の設定のみである。本実施の形態では、前述した比較例のようにクリップ部18を設けない場合において、画素領域21aに局所的に強い光が入射したときに画素領域21aの画素11の列の垂直信号線14の電位が電位Vに低下するとすれば、クリップ電位設定部2aによって、クリップ電位が電位Vと電位Vとの中間の電位V3(図5参照)に設定しておく。
このため、白浮きの横スミアを生ずる原因が完全に除去されるのではなく、その原因がある程度残されることになる。その結果、白浮きの横スミアがある程度発生しようとすることよって、黒沈みの横スミアが相殺され、全体として、白浮きの横スミア及び黒沈みの横スミアの両方を低減することができる。実際には、例えば、クリップ電位設定部2aにより設定信号Vdclipの大きさを変えながら、イメージセンサ1の有効画素領域21のうちの一部の画素領域21aに局所的に強い光を入射させた状態で撮像し、その画像から、白浮きの横スミア及び黒沈みの横スミアの両方が極力低減される調整状態を見出し、その状態に設定すればよい。本発明者は、実際にこのような調整を行うことで、白浮きの横スミア及び黒沈みの横スミアの両方を低減することができることを確認した。
このように、本実施の形態によれば、白浮きの横スミアのみならず黒沈みの横スミアも低減することができる。
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
例えば、前記各実施の形態では、画素11から垂直信号線14に得られる光信号及び暗信号が直接的に蓄積容量CS,CNにそれぞれ蓄積されているが、画素1から垂直信号線14に得られる光信号及び暗信号を所定の信号処理回路(例えば増幅と相関二重サンプリング処理を行う回路)で適宜処理し、その処理した後に得られる2つの信号(光情報を含む信号と、その信号から差し引かれるべきノイズ成分を含む信号。)を蓄積容量CS,CNにそれぞれ蓄積するように構成してもよい。このような信号処理回路の例としては、特開平7−203319号公報の図4に開示されている信号処理回路(2つのコンデンサと1つのオペアンプと1つのリセット用トランジスタからなる回路)を挙げることができる。この信号処理回路を用いる場合、垂直信号線14が前記2つのコンデンサのうちの一方を介して前記オペアンプの反転入力端子に接続され、前記オペアンプの非反転入力端子に基準電位が印加され、前記オペアンプの出力端子と前記オペアンプの非反転入力端子との間に前記2つのコンデンサのうちの他方が接続され、更に、前記オペアンプの出力端子と前記オペアンプの非反転入力端子との間にリセット用トランジスタが接続される。前記リセット用トランジスタのゲートには、外部制御部2から、所定のタイミングでリセット制御信号を与えられる。
また、前記各実施の形態では、暗信号と光信号との差分を外部信号処理部3で行うように構成されているが、本発明では、例えば、出力アンプAPS,APNの代わりに差動アンプを設け、該差動アンプによって、光信号用水平信号線16Sの光信号と暗信号用水平信号線16Nの暗信号との差分を当該イメージセンサ1から出力するように構成してもよい。
本発明の第1の実施の形態による固体撮像装置を示す概略ブロック図である。 図1中のイメージセンサを示す回路図である。 本発明の第1の実施の形態による固体撮像装置の読み出し動作の一例を示すタイミングチャートである。 イメージセンサの有効画素領域を模式的に示す図である。 垂直信号線の電位と定電流源が垂直信号線14に流す電流との関係を示す図である。
符号の説明
1 イメージセンサ(固体撮像素子)
2 外部制御部
11 画素
12 垂直走査回路
13 水平走査回路
14 垂直信号線
15 定電流源
16S,16N 水平信号線
17 サンプルホールド部
18 クリップ部(制限手段)

Claims (6)

  1. 2次元に配置され入射光を光電変換する複数の画素と、
    前記複数の画素の各列に対応して設けられ対応する列の前記画素の出力信号が供給される垂直信号線と、
    前記画素の出力信号が前記垂直信号線へ供給されるときに前記垂直信号線に電流を流す定電流源と、
    前記画素で光電変換された光情報を含む前記画素の出力信号が前記垂直信号線に供給されるときに、前記垂直信号線の電位を所定電位よりも所定方向へ変動させないように制限する制限手段と、
    を備え、
    前記所定方向は、前記垂直信号線の電位が、前記定電流源が前記垂直信号線に定電流を流す電位範囲を逸脱して、前記定電流源がより低い電流を前記垂直信号線に流す電位に向かう方向である、ことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記所定電位を、前記定電流源が前記垂直信号線に前記定電流を流す電位範囲内の電位に設定する設定手段を、備えたことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 前記所定電位を、前記定電流源が前記垂直信号線に前記定電流よりも低い電流を流す電位に設定する設定手段を、備えたことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  4. 前記制限手段はトランジスタを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像装置。
  5. 前記各垂直信号線の信号に応じた信号をサンプリング制御信号に従ってサンプリングして保持するとともに、当該保持された信号を水平走査信号に従って水平信号線へ供給するサンプルホールド部を、備え、
    前記サンプルホールド部は、前記各垂直信号線に対応して設けられ前記画素で光電変換された光情報を含む光信号が蓄積される光信号用蓄積容量、及び、前記各垂直信号線に対応して設けられ前記光信号から差し引くべきノイズ成分を含む差分用信号が蓄積される差分用信号用蓄積容量を、含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の固体撮像装置。
  6. 前記各画素は、入射光に応じた信号電荷を生成し蓄積する光電変換部、前記信号電荷を受け取って前記信号電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部、該電荷電圧変換部の電位に応じた信号を出力する増幅部、前記光電変換部から前記電荷電圧変換部に電荷を転送する電荷転送部、前記電荷電圧変換部の電位をリセットするリセット部、及び、当該画素を選択する選択部を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の固体撮像装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009200660A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Olympus Corp 固体撮像装置
JP2012119349A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Sony Corp 固体撮像装置とその駆動方法、及び電子機器
US9294698B2 (en) 2012-04-19 2016-03-22 Tohoku University Solid-state image pickup apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009200660A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Olympus Corp 固体撮像装置
JP2012119349A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Sony Corp 固体撮像装置とその駆動方法、及び電子機器
US9099373B2 (en) 2010-11-29 2015-08-04 Sony Corporation Solid-state imaging device, driving method thereof, and electronic device
US9343500B2 (en) 2010-11-29 2016-05-17 Sony Corporation Solid-state imaging device, driving method thereof, and electronic device
US9294698B2 (en) 2012-04-19 2016-03-22 Tohoku University Solid-state image pickup apparatus

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