이하, 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태에 관해서 실시예마다 도면에 근거하여 설명한다.
우선 이하에 설명하는 각 실시예의 TFT-OELD(즉, 구동용의 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 의해 전류 구동되는 유기 EL 소자)를 구비한 표시장치에 있어서 공통하는 기본적인 구성에 관해서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 여기에서, 도 1은 표시장치의 기본적인 전체구성을 도시하는 블록도로서, 특히 4개의 서로 인접하는 화소에 각각 설치된 화소회로의 기본적인 회로구성을 도시하는 회로도를 포함한다. 또한, 도 2는 이 표시장치의 1화소의 평면도이다.
도 1에 도시되는 바와 같이, 표시장치(100)는 TFT 배열기판(1)상에, X방향으로 각각 연장되고 있으며 Y방향으로 배열된 복수의 주사선(131)과, Y방향으로 각각 연장되고 있으며 X방향으로 배열된 복수의 신호선(132) 및 복수의 공통선(공통 급전선)(133)과, 주사선(131)에 주사신호를 공급하는 주사선 구동회로(11)와, 신호선(132)에 데이터 신호를 공급하는 신호선 구동회로(12)와, 공통선(133)에 소정 전위의 정전원(또는 부전원)을 공급하는 공통선 구동회로(13)를 구비하여 구성되어 있다. 그리고, TFT 배열기판(1)의 중앙에는 표시영역(15)이 설치되어 있으며, 표시 영역(15)내에는 복수의 화소(10)가 매트릭스 형상으로 규정되어 있다.
도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이, 각 화소(10)에는 제 2 박막 트랜지스터의 일례로서 스위칭 TFT(221), 스위칭 TFT(221)에 제어되어 각 화소에 전류를 제어하는 제 1 박막 트랜지스터의 일례로서 TFT(이하, 커런트 TFT로 칭함)(223), 유기 EL 소자(224) 및 유지용량(222)으로 이루어지는 화소회로가 설치되고 있다. 또, 커런트 TFT(223)의 드레인에는 IT0(Indium Tin 0xide)막 등으로 이루어지는 화소전극(141)이 접속되어 있으며(도 2참조), 화소전극(141)에 대하여 유기 EL 소자(224)를 거쳐서 A1(알루미늄)막 등으로 이루어지는 대향전극이 대향배치되어 있다. 이 대향전극은 예를 들면 접지되어 있든지 또는 소정 전위의 부전원(또는 정전원)에 접속되어 있다.
이상과 같이 구성되어 있기 때문에, 1화소에 있어서의 발광동작은 이하와 같이 행하여진다. 즉, 주사선 구동회로(11)로부터 주사선(131)에 주사신호의 출력이 있으며 또한 신호선 구동회로(12)로부터 신호선(132)에 데이터 신호가 공급되었을 때에, 이들의 주사선(131) 및 신호선(132)에 대응하는 화소(10)에 있어서의 스위칭 TFT(221)가 온으로 되어, 신호선(132)에 공급되는 데이터 신호의 전압(Vsig)이 커런트 TFT(223)의 게이트에 인가된다. 이것에 의해, 게이트 전압에 따른 구동전류(Id)가 공통선 구동회로(13)로부터 공통선(133)을 거쳐서 커런트 TFT(223)의 드레인·소스간에 흐르며, 또한 화소전극(141)(도 2참조)을 거쳐서 유기 EL 소자(224)로부터 대향전극으로 흘러서, 유기 EL 소자(224)가 발광한다. 그리고, 스위칭 TFT(221)가 온 사이에 유지용량(222)에 충전된 전하가 스위칭 TFT(221)가 오프로 된 후에 방전되어, 이 유기 EL 소자(224)를 흐르는 전류는 스위칭 TFT(221)이 오프로 된 후에도 소정 기간에 걸쳐 흐르기를 계속한다.
한편, 이하의 각 실시예로서는, 표시장치의 각 화소에 있어서 전류 구동되는 전류 구동형 발광소자는 유기 EL 소자로 되어 있지만, 이 유기 EL 소자를 대신하여, 그 밖의 예를 들면, 무기의 전기 루미네선스(이하, 무기 EL 소자와 칭함), LED(라이트·이미팅·다이오드=발광 다이오드), LEP(라이트·이미팅·폴리머)등 공지의 전류 구동형 발광소자를 사용하여 상기 표시장치를 구성해도 된다. 또한, 각 전류 구동형 발광소자의 구동전류를 제어하는 구동소자는 커런트 TFT로 되어 있지만, 이 커런트 TFT를 대신하여, 그 밖의 예를 들면 FET(전계 효과 트랜지스터), 바이폴러 트랜지스터등 구동소자를 사용하여 상기 표시장치를 구성해도 된다. 전류 구동형 발광소자나 전류 구동용의 구동소자이면, 구동전류가 흐름에 따라서 시간 경과에 따른 열화가 약간은 발생하기 때문에, 이하에 설명하는 각 실시예의 효과가 발휘된다. 단, 시간 경과에 따른 열화가 특히 현저한 유기 EL 소자(224) 및 커런트 TFT(223)을 사용하여 표시장치를 구성한 경우에, 이하에 설명하는 각 실시예의 효과가 유효하게 발휘된다.
이상 설명한 기본구성에 있어서, 하기의 제 1 실시예 내지 제 13 실시예에 나타낸 유기 EL 소자(224)나 커런트 TFT(223)에서의 시간 경과에 따른 열화나 특성의 격차를 적시 보정하는 회로나 소자를 부가함으로서, 표시영역(15)에서의 화면 휘도의 저하나 복수의 화소(10)사이에서의 화면 얼룩 발생을 방지하는 것이 가능하게 된다. 이하, 각 실시예에 관해서 설명한다.
<제 1 실시예>
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 관계되는 TFT-0ELD를 구비한 표시장치의 블록도이다. 본 실시예에서는 공통전극 구동회로(13)는 공통선(133)(도 1 및 도 2참조)에 소정 전위(예를 들면 정전위)의 전원신호를 공급하는 회로이다. 대향전극 구동회로(14)는 화소전극(141)(도 2참조)에 유기 EL 소자(224)를 끼워 대향 배치된 대향전극에 대하여, 소정 전위(예를 들면, 접지 전위)의 전원신호를 공급하는 회로이다.
본 실시예에서는 특히 유기 EL 소자(224)나 커런트 TFT(223)가 시간 경과에 따른 열화에 의한 구동전류의 저하(따라서, 유기 EL 소자(224)의 발광량 저하)를 보정하기 위해서, 전류량 측정기(16), 비교회로(21a), 전압 제어회로(22a) 및 제어기(23)가 설치되어 있다. 한편, 이것들의 공통전극 구동회로(13), 대향전극 구동회로(14), 전류량 측정기(16), 비교회로(21a), 전압 제어회로(22a) 및 제어기(23) 중 적어도 하나는 도 1에 도시된 TFT 배열기판(1)상에 설치되어도 되고 또는 외부 IC로서 구성되어 TFT 배열기판(1)에 대하여 외부 부착되어도 된다.
전류량 측정기(16)는 공통전극 구동회로(13)로부터 표시영역(15)내의 표시용 유기 EL 소자(224)(도 1참조)에 흐르는 구동전류를 측정한다.
비교회로(21a)는 전류량 측정기(16)에 의해 측정된 측정 전류량(ID)과 미리 설정된 기준 전류량(Iref)을 비교하여, 전압 제어회로(22a)는 그 비교 결과에 근거하여 양전류량 차가 작게 되도록 공통전극 구동회로(13)의 출력전압(Vcom)을 조정한다. 즉, 공통전극 구동회로(13)로부터의 출력전압(Vcom)에 대하여, 측정전류량(ID)이 기준 전류량(Iref)에 근접하도록 피드백이 걸어진다. 이 결과, 가령 이러한 피드백을 걸지 않은 경우에 유기 EL 소자(224)나 커런트 TFT(223)가 시간 경과에 따른 열화에 의한 유기 EL 소자(224)를 흐르는 구동전류의 감소분은 공통전극 구동회로(13)의 출력전압(Vcom)의 증가에 의한 구동전류의 증가분에 따라 보정된다.
이러한 본 실시예에 의한 보정작용을 도 4를 참조하여 설명한다.
우선, 본 실시예와 같은 보정을 하지 않은 경우에 대해서 도 4의 상단을 참조하여 설명한다. 이 경우, 화상신호의 계조레벨(D1)에 대응하여 화소표시할 때에 전압(V1)의 데이터 신호를 신호선에 공급하면, 구동전류(Id1)가 흐르도록 표시장치에서의 공통 전극전위, 대향 전극전위, 데이터 신호의 전원전위 등이 초기 설정되어 있다고 한다. 그 후, 유기 EL 소자나 커런트 TFT가 시간 경과에 따른 열화하면, 같은 전압(V1)의 데이터 신호를 공급해도, 유기 EL 소자를 흐르는 구동전류(Id)는 감소해 버린다(여기서, 감소 후의 전류를 Idl'로 한다). 따라서, 이대로 여러 가지 전압의 설정상태로 화상표시를 하면 구동전류(Id)에 따라서 발광하는 유기 EL 소자의 밝기(휘도)는 저하되어 버린다.
다음에, 본 실시예와 같은 보정을 하는 경우에 관해서 도 4의 하단을 참조하여 설명한다. 이 경우에는 유기 EL 소자(224)나 커런트 TFT(223)가 시간 경과에 따른 열화하더라도, 같은 계조레벨(D1)에 대해서는 초기 상태와 같은 구동전류(Id1)가 얻어지도록, 공통전극 구동회로(13)로부터의 출력전압(Vcom)이 증가된다. 즉, 공통전극 구동회로(13)로부터의 출력전압(Vcom)을 증가시킴에 따라, 계조레벨(D1)의 화상신호에 대해서는 전압(V1)보다도 △V1만 높은 전압(V1')의 데이터 신호가 공급되었을 때와 같은 구동전류(Id1)가 흐른다.
이와 같이, 유기 EL 소자(224)를 흐르는 구동전류(Id)는 공통전극 구동회로(13)의 출력전압(Vcom)을 상승시킴에 따라, 화상신호에 대한 전류특성이 초기 상태와 같게 되도록 보정되는 것이다. 따라서, 이러한 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정처리(즉, 공통전극 구동회로(13)의 출력전압(Vcom)의 조정처리)후에 화상표시를 하면, 유기 EL 소자(224)나 커런트 TFT(223)에 있어서 현저한 시간 경과에 따른 열화가 발생한 경우에도, 유기 EL 소자(224)의 밝기(휘도)의 저하를 저감할 수 있다.
이상과 같은 보정처리는 표시동작과 병행하여 실시간에서 행하는 것도 가능하다. 단, 시간 경과에 따른 열화의 진행속도를 감안하면, 표시장치(100)의 표시동작 사이중에 상시 행할 필요성은 적고, 적당한 기간에서 행하면 충분하다. 그래서 본 실시예에서는 제어기(23)에 의해, 예를 들면 표시 기간에 앞서 표시장치(100)의 주전원 투입시나 일정한 기간마다 통상의 표시동작과는 독립해서, 이러한 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정처리를 행하여, 하나의 보정처리로부터 다음 보정처리까지의 사이는 공통전극 구동회로(13)의 출력전압치(Vcom)를 최후에 보정(조정)된 값으로 고정하도록 구성되어 있다. 이 구성에 의하면, 보정처리에 의해 표시화상의 화질에 악영향을 주지 않은 이점이나, 표시장치(100)에서의 동작속도나 재생률을 저하시키지 않은 이점이 얻어진다.
또한 본 실시예에서는 제어기(23)에 의해, 예를 들면 모든 유기 EL 소자(224)를 최대한으로 발광시키는 데이터 신호를 공급하는 등, 소정 패턴의 화상표시를 표시영역(15)에서 행하면서, 이러한 전압 제어회로(22a)등에 의한 보정처리를 행하도록 구성되어 있다. 이 구성에 의해, 좋은 정밀도로 전류량을 측정할 수 있어, 정확하게 시간 경과에 따른 열화에 의한 영향을 보정하는 것이 가능하게 된다.
이상의 결과, 본 실시예에 의하면, 유기 EL 소자(224)를 흐르는 구동전류(Id)의 전류량이 저하하는 시간 경과에 따른 열화가 발생하였을 때에, 그 시간 경과에 따른 열화에 의한 전류 저하분을 좋은 정밀도로 보정하여, 화면 휘도의 저하를 발생시키지 않도록 하는 것이 가능하게 된다.
한편, 본 실시예에서는 측정한 유기 EL 소자(224)를 흐르는 측정 전류량(ID)에 대응하여, 공통선(133)에 인가되는 전압, 즉 화소전극(141)에 인가되는 전압을 조정하도록 구성되어 있다. 그러나, 본 실시예의 변형예로서, 이와 같이 측정된 측정 전류량(ID)에 대응하여, 주사선(131), 신호선(132)(주사선(131) 및 신호선(132)을 총칭하여 "버스배선"이라고 칭함) 또는, 대향전극(화소전극(141) 및 대향전극을 총칭하여 "전극"이라고 칭함)에 인가되는 전압을 조정하도록 구성해도 된다.
즉, 예를 들면, 도 5에 도시되는 바와 같이, 도 3에 도시된 전압 제어회로(22a)를 대신하여, 비교회로(21a)에 있어서 비교되는 측정 전류량(ID)과 기준 전류량(Iref)이 일치하도록 대향전극 구동회로(14)의 전압을 조정하는 전압 제어회로(22b)를 설치해도, 상술의 제 1 실시예와 같은 효과가 얻어진다. 단, 이 경우에는 대향전극을 접지한 것으로는 기능하지 않은 것은 말할 필요도 없다.
또는, 도 6에 도시되는 바와 같이, 도 3에 도시된 전압 제어회로(22a)를 대신하여, 비교회로(21a)에 있어서 비교되는 측정 전류량(ID)과 기준 전류량(Iref)이 일치하도록 신호선 구동회로(12)의 전압을 조정하는 전압 제어회로(22c)를 설치해도 상술의 제 1 실시예와 같은 효과가 얻어진다.
또한, 이상의 제 1 실시예 및 그 변형예에 있어서, 보정처리(전압 제어회로(22a)등에 의한 전압 조정처리)를 할 때에 표시영역(15)에 표시하는 소정 패턴으로서는 예를 들면, 상술한 바와 같게 모든 유기 EL 소자(224)를 최대한으로 발광시키는 데이터 신호를 공급하는 한 종류의 패턴을 사용해도 좋고, 또는 제어기(23)에 의한 제어하에서 복수의 패턴에 대해서의 측정 전류량(ID)을 미리 각 패턴에 대하여 설정된 기준 전류량(Iref)과 각각 비교하여, 예를 들면, 복수의 패턴에 관해서 양자의 차의 합계가 가장 작게 되도록 전압 제어회로(22a) 등에 의한 전압 조정을 행하도록 구성해도 된다.
특히, 도 6에 도시된 신호선 구동회로(12)의 출력전압(즉, 데이터 신호의 전압(Vsig))을 조정하는 변형예의 경우에는, 제어기(23)에 의한 제어하에서 이와 같이 복수의 패턴에 관해서 측정 전류량(ID)을 각각 대응하는 기준 전류량(Iref) 에 일치시키도록 데이터 신호의 전압(Vsig)을 조정함에 따라, 도 7에 도시되는 바와 같이, 데이터 신호의 각 전압(Vn)을 구동전류(Id)의 각 값(Idl, Id2, …, Idn, …)에 관해서 별도로, 각 전압(Vn')에까지 각각 높이는 것도 가능하게 된다. 즉, 데이터 신호(Vsig)에 대한 구동전류(Id)의 전압전류 특성 곡선이 C1로부터 C2와 같이 시간 경과에 따른 열화에 의해 복잡하게 변화한 경우(예를 들면, 시간 경과에 따른 열화에 의한 변화가 저전류측에서 고전류측보다 심한 경우 또는 그 반대 경우 등)에, 이와 같이 각 구동전류(Id) 값에 따라서 보정량을 결정하면, 입력되는 화상신호의 각 계조레벨에 대하여, 유기 EL 소자(224)에 있어서의 구동전류(Id)나 발광량을 좋은 정밀도로 유지하는 것이 가능하게 된다.
이상 상세히 설명한 바와 같이 본 실시예 및 그 변형예에 의하면, 실제로 유기 EL 소자(224)를 흐르는 구동전류(측정 전류량(ID))와 미리 설정된 기준전류(기준전류량(Iref))과의 차에 대응하여, 버스배선 또는 전극에 인가되는 전압을 조정하기 때문에, 유기 EL 소자(224)나 커런트 TFT(223)에 있어서의 시간 경과에 따른 열화를 보정하는 것이 가능하게 된다.
<제 2 실시예>
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 관계되는 TFT-OELD를 구비한 표시장치의 블록도이다. 도 8에 있어서, 도 3에 도시된 제 1실시예와 같은 구성요소에는 같은 참조 부호를 붙이며 그 설명은 생략한다.
본 실시예에서는 표시영역(15)에 인접하여 설치된 전류 모니터 영역(17)내의 모니터용 유기 EL 소자(17a)에 대하여 공통전극 및 대향전극 사이의 전압이 인가되어 있으며, 표시 기간에는 표시용의 유기 EL 소자(224)(도 1참조)와 거의 같은 조건에서 모니터용 유기 EL 소자(17a)는 전류 구동된다. 그리고, 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정처리를 행할 때는 전류량 측정기(16)는 모니터용 유기 EL 소자(17a)를 흐르는 전류(Idm)를 측정한다. 이 전류량 측정기(16)에 의한 전류(Idm)의 측정치인 측정 전류량(ID)을 기준 전류량(Iref)에 일치시키도록, 비교회로(21a), 전압 제어회로(22a) 및 제어기(23)에 의해, 공통전극 구동회로(13)의 출력전압(Vcom)을 조정하도록 구성되어 있다. 그 밖의 구성에 관해서는 제 1 실시예의 경우와 같다.
이상과 같이 구성되어 있기 때문에 제 2 실시예에 의하면, 유기 EL 소자(224)나 커런트 TFT(223)(도 1 및 도 2참조)의 전류량이 저하하는 시간 경과에 따른 열화가 발생하였을 때에, 그 시간 경과에 따른 열화에 의한 전류저하를 보정하여 표시영역(15)에서의 화면 휘도의 저하를 저감하는 것이 가능하게 된다.
한편, 본 실시예에서는 특히 표시용의 유기 EL 소자(224)와 모니터용 EL 소자(17a)는 동일 TFT 배열기판(l)상에 동일한 제조공정으로 형성되어 있다. 따라서, 모니터용 유기 EL 소자(17a)를 형성하기 위한 공정을 별도 설치할 필요가 없다. 더구나, 전류 구동되는 표시용의 유기 EL 소자(224)와 모니터용 유기 EL 소자(17a)에 있어서 시간 경과에 따른 열화 경향을 서로 유사하게 할 수 있어, 모니터용 유기 EL 소자(17a)를 흐르는 전류(Idm)에 근거하여 표시용의 유기 EL 소자(224)에 있어서의 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정을 매우 적절하게 행하는 것이 가능하게 된다.
또한 제 2 실시예에 있어서도, 제 1 실시예의 경우와 마찬가지로, 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정처리는 예를 들면 표시 기간에 앞서 표시장치(100)의 주전원 투입시나 일정한 기간마다 행하여도 좋고 실시간에서 행하여도 좋다. 또한, 변형예로서, 이와 같이 측정된 측정 전류량(ID)에 대응하여, 주사선 구동회로(11), 신호선 구동회로(12) 또는 대향전극 구동회로(14)에서의 출력전압을 조정하도록 구성해도 된다. 특히, 신호선 구동회로(12)의 출력전압을 조정하는 변형예의 경우에는 제어기(23)에 의한 제어하에서 밝기가 상이한 복수의 표시를 전류 모니터 영역(17)에서 행하도록 모니터용 유기 EL 소자(17a)를 구동하면, 각 밝기에 대하여 얻어지는 측정 전류량(ID)을 각각 대응하는 기준 전류량(Iref)에 일치시키도록 데이터 신호의 전압(Vsig)을 조정함으로서, 시간 경과에 따른 열화에 의한 전류 전압특성에 복잡한 변화가 발생한 경우 등에도 대처 가능하다.
<제 3 실시예>
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 관계되는 TFT―OELD를 구비한 표시장치의 블록도이다. 도 9에 있어서, 도 3에 도시된 제 1 실시예와 같은 구성요소에는 같은 참조 부호를 붙이며 그 설명은 생략한다.
본 실시예에서는, 제 1 실시예에 있어서의 전류량 측정기(16)를 대신하여, 표시영역(15)내의 표시용 유기 EL 소자(224)(도 1참조)의 발광량을 측정하는 발광량 측정기(18)가 구비되어 있다. 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정을 행할 때는, 주사선 구동회로(11)로부터의 소정 전압의 주사신호, 신호선 구동회로(12)로부터의 소정 전압의 데이터 신호 및 공통전극 구동회로(13) 및 대향전극 구동회로(14)로부터의 소정 전압의 전원신호가 인가된다. 발광량 측정기(18)는 이것에 따라서 발광하는 유기 EL 소자(224)로부터 발생되는 빛을 검출한다. 비교회로(21b)는 그 측정 발광량(LD)과 미리 설정된 기준 발광량(Lref)을 비교한다. 그리고, 이 비교되는 발광량(LD)과 기준 발광량(Lref)을 일치시키도록, 비교회로(21b), 전압 제어회로(22a) 및 제어기(23)에 의해, 공통전극 구동회로(13)의 출력전압을 조정하도록 구성되어 있다. 그 밖의 구성에 관해서는 제 1 실시예의 경우와 같다.
이상과 같이 구성된 제 3 실시예에 의하면, 커런트 TFT(223)(도 1 및 도 2참조)에서의 게이트 전압에 대한 드레인 전류(구동전류)량이 저하하는 시간 경과에 따른 열화, 유기 EL 소자(224)에서의 전압에 대한 전류량이 저하하는 시간 경과에 따른 열화, 유기 EL 소자(224)에서의 구동전류에 대한 발광량이 저하하는 시간 경과에 따른 열화 등이 발생하여, 최종적으로 유기 EL 소자(224)에서의 발광량이 저하하였을 때에, 그 시간 경과에 따른 열화에 의한 발광량 저하분을 유기 EL 소자(224)에 인가되는 전압을 증가함에 따라 보정하여, 표시영역(15)에서의 화면 휘도의 저하를 방지하는 것이 가능하게 된다.
또한 제 3 실시예에 있어서도, 제 1 실시예의 경우와 마찬가지로, 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정은 예를 들면 표시 기간에 앞서 표시장치(100)의 주전원 투입시나 일정한 기간마다 행하여도 좋고 실시간에서 행하여도 좋다. 또한, 변형예로서, 이와 같이 측정된 측정 발광량(LD)에 대응하여, 주사선 구동회로(11), 신호선 구동회로(12) 또는 대향전극 구동회로(14)에서의 출력전압을 조정하도록 구성해도 되고, 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정을 행할 때 소정 패턴은 한 종류라도 복수종류라도 좋다. 특히, 신호선 구동회로(12)의 출력전압을 조정하는 변형예의 경우에는 제어기(23)에 의한 제어하에서 복수의 소정 패턴에 대하여 측정 발광량(LD)을 각각 대응하는 기준 발광량(Lref)에 일치시키도록 데이터 신호의 전압(Vsig)을 조정함으로서, 시간 경과에 따른 열화에 의한 전류 전압특성의 복잡한 변화에도 대처 가능하게 된다.
<제 4 실시예>
도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 관계되는 TFT-OELD를 구비한 표시장치의 블록도이다. 도 10에 있어서, 도 3 및 도 9에 각각 도시된 제 1 및 제 3 실시예와 같은 구성요소에는 같은 참조부호를 붙이며 그 설명은 생략한다.
본 실시예에서는 표시영역(15)에 인접하여 설치된 발광 모니터영역(19)내의 모니터용 유기 EL 소자(19a)에 대하여 공통전극 및 대향전극간의 전압이 인가되어 있고, 표시 기간에는 표시용 유기 EL 소자(224)(도 1참조)와 거의 같은 조건으로 모니터용 유기 EL 소자(19a)는 전류 구동된다. 그리고 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정을 할 경우, 발광량 측정기(18)는 모니터용 유기 EL 소자(19a)의 발광을 측정한다. 이 발광량 측정기(18)에 의한 발광의 측정치인 측정 발광량(LD)을 기준 발광량(Lref)에 일치시키도록, 비교회로(21b), 전압제어회로(22a) 및 제어기(23)에 의해, 공통전극 구동회로(13)의 출력전압을 조정하도록 구성되어 있다. 그 외의 구성에 관해서는, 제 1 및 제 3 실시예의 경우와 같다.
이상과 같이 구성된 제 4 실시예에 의하면, 제 3 실시예의 경우와 같이 커런트 TFT(223)(도 1및 도 2참조)나 유기 EL 소자(224)에 있어서의 전압에 대한 전류량이 저하하는 시간 경과에 따른 열화, 유기 EL 소자(224)에 있어서의 구동전류에 대한 발광량이 저하하는 시간 경과에 따른 열화등이 발생하여, 최종적으로 유기 EL 소자(224)에 있어서의 발광량이 저하하였을 때, 그 발광량 저하분을 보정하여 표시영역(15)에 있어서의 화면 휘도의 저하를 방지할 수 있게 된다.
또한 제 4 실시예에 있어서도, 제 1 실시예의 경우와 같이, 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정은 예를 들면 표시 기간에 앞서 표시장치(100)의 주전원 투입시나 일정한 기간마다 행하여도 되며 실시간에서 행하여도 된다. 또, 변형예에서 이와 같이 측정된 측정 발광량(LD)에 대응하여, 주사선 구동회로(11), 신호선 구동회로(12) 또는 대향전극 구동회로(14)에 있어서의 출력전압을 조정하도록 구성해도 되고, 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정을 할 때의 소정 패턴은 한 종류이거나 여러 종류라도 좋다. 특히, 신호선 구동회로(12)의 출력전압을 조정하는 변형예의 경우에는 제어기(23)에 의한 제어하에서 복수의 소정 패턴에 대하여 측정 발광량(LD)을 각각 대응하는 기준 발광량(Lref)에 일치시키도록 데이터 신호의 전압(Vsig)을 조정함으로써, 시간 경과에 따른 열화에 의한 전류전압 특성의 복잡한 변화에도 대처 가능하게 된다.
한편, 본 실시예에서는 특히 표시용의 유기 EL 소자(224)와 모니터용 유기 EL 소자(19a)와는 동일의 TFT 배열기판(1)상에 동일 제조공정에 의해 형성되어 있다. 따라서, 모니터용 EL 소자(19a)를 형성하기 위한 공정을 별도로 설치할 필요가 없다. 더구나, 전류 구동되는 표시용의 유기 EL 소자(224)와 모니터용 유기 EL 소자(19a)에 있어서 시간 경과에 따른 열화 경향은 서로 유사한 것으로 할 수 있으며 모니터용 EL 소자(19a)에서 발생하는 빛에 의하여 표시용 유기 EL 소자(224)에서의 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정을 정확하게 하는 것이 가능하게 된다.
<제 5 실시예>
이하에 설명하는 제 5 실시예로부터 제 10 실시예는 상술의 제 1 실시예로부터 제 4 실시예의 경우와는 달리 각 화소의 단위에서 발생하는 유기 EL 소자(224)나 커런트 TFT(223)에서의 시간 경과에 따른 열화에 의한 구동 전류량 저하 또는 유기 EL 소자(224)의 발광량 저하를 각 화소의 단위에서 보정하는 화소회로에 관하는 것이다.
한편, 이하의 제 5 실시예로부터 제 l0 실시예에서는 복수의 화소회로를 화소마다 구비하여 이루어지는 표시장치의 구성은 도 1에 도시된 것과 같기 때문에 그 설명은 생략한다.
도 11은 본 발명의 제 5 실시예에 관계되는 TFT―0ELD를 포함하여 구성된 화소회로의 등가회로도이다. 한편, 도 11에 있어서, 도 1의 각 화소(10)내에서의 회로도 부분에 도시된 구성요소와 같은 구성요소에는 같은 참조부호를 붙이며 그 설명은 생략한다.
도 11에 있어서, 본 실시예의 화소회로에서는 유기 EL 소자(224) 양단의 전압과 이것을 흐르는 구동전류(Id)의 전류량과의 관계에 의존하여, 제 1 급전선(213)과 제 2 급전선간(215)의 저항을 변화시킨다. 여기에, 제 1 급전선(213)이란 공통선 구동회로에서의 소정 전위의 전원신호가 공급되는 화소전극에 접속된 각 화소내에서의 공통선 부분이다. 한편, 제 2 급전선간(215)이란 대향전극 구동회로에서의 소정전위의 전원신호가 공급되는 대향전극에 접속된 각 화소내에서의 급전선 부분이다.
보다 구체적으로는 제 1 급전선(공통전극)(213)의 전위가 제 2 급전선(대향전극)(215)보다도 고전위인(즉, 공통전극에 정전원이 공급됨과 동시에 대향전극에 부전원가 공급된다) 경우에는, 도 11에 도시된 대로 n채널형의 제 1 보정용 TFT(231)는 그 게이트 전극이 유기 EL 소자(224)의 제 1 급전선측의 전극에 접속되어 소스전극 및 드레인전극이 유기 EL 소자(224)와 제 2 급전선(215)간에 유기 EL 소자(224)와 직렬로 접속되도록 부가된다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하면 제 1 보정용 TFT(231)의 게이트 전압이 상승하여 그 소스 전극과 드레인 전극 사이의 저항이 감소한다.
따라서 제 5 실시예에 의하면, 시간 경과에 따른 열화에 의해 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하더라도, 제 1 보정용 TFT(231)의 소스 및 드레인 사이의 저항 감소에 의해, 그 유기 EL 소자(224)에서의 저항증가에 의한 구동전류(Id)의 전류량 저하를 보정하여 화면 휘도의 저하를 저감하는 것이 가능하게 된다. 또한, 이러한 보정은 화소단위로 행하여지기 때문에, 시간 경과에 따른 열화가 복수의 화소사이에서 분산에 의해 발생하였을 때에, 또는 초기 상태에서 복수의 화소 사이에서 전류 전압특성에 분산이 존재할 때에, 화면 얼룩을 발생시키지 않은 것이 가능하게 된다.
또, 제 5 실시예의 변형예로서, 제 1 급전선(213)의 전위가 제 2 급전선(215)보다도 저전위인(즉, 공통전극에 부전원이 공급됨과 동시에 대향전극에 정전원이 공급된다) 경우에는 제 1 보정용 TFT(231)을 p채널형으로서, 그 게이트 전극을 유기 EL 소자(224)의 제 1 급전선측의 전극에 접속하여, 소스 전극 및 드레인 전극을 유기 EL 소자(224)와 제 2 급전선(215)간에 유기 EL 소자(224)와 직렬로 접속하도록 구성하면 된다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하면 제 1 보정용 TFT(231) 게이트 전압이 하강하며, 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소하여 자동적으로 보정이 행하여진다.
본 실시예에서는 바람직하게는 스위칭 TFT(221), 커런트 TFT(223) 및 제 1 보정용 TFT(231)은 동일 TFT 배열 기판상에 동일 제조공정으로 형성되어 있다. 이 구성에 의하면 제조공정을 증가시키는 일없이 시간 경과에 따른 열화에 의한 구동전류(Id)의 저하를 화소마다 보정하는 것이 가능하게 된다.
<제 6 실시예>
도 12는 본 발명의 제 6 실시예에 관계되는 TFT-OELD를 포함하여 구성된 화소회로의 등가회로도이다. 한편, 도 12에 있어서, 도 1 및 도 11에 도시된 구성요소와 같은 구성요소에는 같은 참조부호를 붙이며 그 설명은 생략한다.
도 12에 있어서, 본 실시예의 화소회로에서는 유기 EL 소자(224) 양단의 전압 과 이것을 흐르는 구동전류(Id)의 전류량과의 관계에 의존하여, 제 1 급전선(213) 과 제 2 급전선간(215)의 저항을 변화시킨다.
보다 구체적으로는 제 1 급전선(213)의 전위가 제 2 급전선(215)보다도 고전위인 경우에는 도 12에 도시된 대로, p채널형 제 2 보정용 TFT(232)은 그 게이트 전극이 유기 EL 소자(221)의 제 2 급전선측의 전극에 접속되어, 소스 전극 및 드레인 전극이 유기 EL 소자(224)와 제 1 급전선간에 유기 EL 소자(224)와 직렬로 접속되도록 부가된다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하면 제 2 보정용 TFT(232)의 게이트 전압이 하강하여 그 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소한다.
따라서 제 6 실시예에 의하면, 시간 경과에 따른 열화에 의해 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하더라도, 제 2 보정용 TFT(232) 소스 및 드레인 사이의 저항감소에 의해, 그 유기 EL 소자(224)에서의 저항증가에 의한 구동전류(Id)의 전류량 저하를 보정하여 화면 휘도의 저하를 저감하는 것이 가능하게 된다. 또한, 이러한 보정은 화소 단위에서 행하여지기 때문에, 시간 경과에 따른 열화가 복수의 화소사이에서 분산에 의해 발생하였을 때에 또는 초기 상태에서 복수의 화소 사이에서 전류 전압특성에 분산이 존재할 때에 화면 얼룩을 발생시키지 않은 것이 가능하게 된다.
또한, 제 6 실시예의 변형예로서, 제 1 급전선(213)의 전위가 제 2 급전선(215)보다도 저전위인 경우에는 제 2 보정용 TFT(232)을 n채널형 TFT로서, 그 게이트 전극을 유기 EL 소자(224)의 제 2 급전선측의 전극에 접속하여 소스 전극 및 드레인 전극을 유기 EL 소자(224)와 제 1 급전선간에 유기 EL 소자(224)와 직렬로 접속하도록 구성하면 된다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하면 제 2 보정용 TFT(232) 게이트 전압이 상승하여 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소하여 자동적으로 보정이 행하여진다.
본 실시예에서는 바람직하게는 스위칭 TFT(221), 커런트 TFT(223) 및 제 2 보정용 TFT(232)는 동일 TFT 배열기판상에 동일 제조공정으로 형성되어 있다. 이 구성에 의하면, 제조공정을 증가시키는 일없이 시간 경과에 따른 열화에 의한 구동전류(Id)의 저하를 화소마다 보정하는 것이 가능하게 된다.
<제 7 실시예>
도 13은 본 발명의 제 7 실시예에 관계되는 TFT-OELD를 포함하여 구성된 화소회로의 등가회로도이다. 한편, 도 13에 있어서, 도 1 및 도 11에 도시된 구성요소와 같은 구성요소에는 같은 참조부호를 붙이며 그 설명은 생략한다.
도 13에 있어서, 본 실시예의 화소회로에서는 유기 EL 소자(224) 양단의 전압과 이것을 흐르는 구동전류(Id)의 전류량과의 관계에 의존하여 유지용량(222)과 제 1 급전선(213) 간의 저항을 변화시킨다.
보다 구체적으로는 제 1 급전선(213)의 전위가 제 2 급전선(215)보다도 고전위인 경우에는, 도 13에 도시된 대로 커런트 TFT(223)와 같은 n채널형의 제 3 보정용 TFT(233)는 그 게이트 전극이 유기 EL 소자(224)의 제 1 급전선측의 전극에 접속되어 소스 전극 및 드레인 전극을 유지용량(222)과 제 1 급전선(213)간에 접속되도록 부가되어 있다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하면 제 3 보정용 TFT(233)의 게이트 전압이 상승하여 그 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소한다. 이 때문에, 커런트 TFT(223)의 게이트 전압이 상승하여 그 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소한다.
따라서 제 7 실시예에 의하면, 시간 경과에 따른 열화에 의해 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하더라도, 제 3 보정용 TFT(233)의 소스 및 드레인 사이의 저항감소에 의해, 그 유기 EL 소자(224)에서의 저항증가에 의한 구동전류(Id)의 전류량저하를 보정하여 화면 휘도의 저하를 저감하는 것이 가능하게 된다. 또한, 이러한 보정은 화소 단위에서 행하여지기 때문에, 시간 경과에 따른 열화가 복수의 화소 사이에서 분산에 의해 발생하였을 때에 또는 초기상태에서 복수의 화소간에 전류 전압특성에 분산이 존재할 때에 화면 얼룩을 발생시키지 않는 것이 가능하게 된다.
또한, 제 7 실시예의 한 변형예로서, 제 1 급전선(213) 전위가 제 2 급전선보다도 고전위인 경우에, 커런트 TFT(223)를 p채널형으로 하여, 제 3 보정용 TFT(233)을 p채널형으로 함과 동시에 그 게이트 전극을 유기 EL 소자(224)의 제 1 급전선측의 전극에 접속하여, 소스 전극 및 드레인 전극을 유지용량(222)과 제 1 급전선(213)간에 접속하도록 구성해도 된다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하면 제 3 보정용 TFT(233)의 게이트 전압이 상승하여 그 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 증가한다. 이 때문에, 커런트 TFT(223)의 게이트 전압이 하강하며, 그 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소하여 자동적으로 보정이 행하여진다.
또한 제 7 실시예의 다른 변형예로서, 제 1 급전선(213)의 전위가 제 2 급전선(215)보다도 저전위인 경우에는, 커런트 TFT(223)를 n채널형으로 하며 제 3 보정용 TFT(233)을 n채널형으로 함과 동시에 그 게이트 전극을 유기 EL 소자(224)의 제 1 급전선측의 전극에 접속하여 소스 전극 및 드레인 전극을 유지용량(222)과 제 1 급전선(213) 사이에 접속하도록 구성해도 된다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하면 제 3 보정용 TFT(233)의 게이트 전압이 하강하여 그 소드 전극과 드레인 전극간의 저항이 증가한다. 이 때문에 커런드 TFT(223)의 게이트 전압이 상승하여 그 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소하여 자동적으로 보정이 행하여진다.
또한, 제 7 실시예의 다른 변형예로서, 제 1 급전선(213)의 전위가 제 2 급전선(215)보다도 저전위인 경우에, 커런트 TFT(223)를 p채널형으로 하여 제 3 보정용 TFT(233)을 p채널형으로 함과 동시에 그 게이트 전극을 유기 EL 소자(224)의 제 1 급전선측의 전극에 접속하여 소스 전극 및 드레인 전극을 유지용량(222)과 제 1 급전선(213)간에 접속하도록 구성해도 된다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하면 제 3 보정용 TFT(233)의 게이트 전압이 하강하여 그 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소한다. 이 때문에 커런트 TFT(223)의 게이트 전압이 하강하며, 그 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소하여 자동적으로 보정이 행하여진다.
본 실시예에서는 바람직하게 스위칭 TFT(221), 커런트 TFT(223) 및 제 3 보정용 TFT(233)는 동일 TFT 배열기판상에 동일 제조공정으로 형성되어 있다. 이 구성에 의하면, 제조공정을 증가시키는 일없이 시간 경과에 따른 열화에 의한 구동전류(Id)의 저하를 화소마다 보정하는 것이 가능하게 된다.
<제 8 실시예>
도 14는 본 발명의 제 8 실시예에 관계되는 TFT-OELD를 포함하여 구성된 화소회로의 등가회로도이다. 한편, 도 14에 있어서 도 1 및 도 11에 도시되는 구성요소와 같은 구성요소에는 같은 참조부호를 붙이며 그 설명은 생략한다.
도 14에 있어서, 본 실시예의 화소회로에서는 유기 EL 소자(224) 양단의 전압과 이것을 흐르는 구동전류(Id)의 전류량과의 관계에 의존하여 유지용량(222)과 제 2 급전선(215) 간의 저항을 변화시킨다.
보다 구체적으로는 제 1 급전선(213)의 전위가 제 2 급전선(215)보다도 고전위인 경우에는, 도 14에 도시된 대로 n채널형의 TFT(223)에 대하여 p채널형의 제 4 보정용 TFT(234)는 그 게이트 전극이 유기 EL 소자(224)의 제 1 급전선측의 전극에 접속되어 소스 전극 및 드레인 전극이 유지용량(222)과 제 2 급전선(215) 간에 접속되도록 부가되어 있다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하면, 제 4 보정용 TFT(234)의 게이트 전압이 상승하여 그 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 증가한다. 이 때문에, 커런트 TFT(223)의 게이트 전압이 상승하여 그 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소한다.
따라서 제 8 실시예에 의하면, 시간 경과에 따른 열화에 의해 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하더라도, 제 4 보정용 TFT(234)의 소스 및 드레인간의 저항증가에 의해, 그 유기 EL 소자(224)에 있어서의 저항증가에 의한 구동전류(Id)의 전류량 저하를 보정하여 화면 휘도의 저하를 저감하는 것이 가능하게 된다. 또한 이러한 보정은 화소단위로 행하여지기 때문에, 시간 경과에 따른 열화가 복수의 화소사이에서 분산에 의해 발생하였을 때에 또는 초기 상태에서 복수의 화소 사이에서 전류 전압특성에 분산이 존재할 때에 화면 얼룩을 발생시키지 않는 것이 가능하게 된다.
또한, 제 8 실시예의 한 변형예로서, 제 1 급전선(213)의 전위가 제 2 급전선(215)보다도 고전위인 경우에, 커런트 TFT(223)를 p채널형으로 하여 제 4 보정용 TFT을 n채널형으로 함과 동시에 그 게이트 전극을 유기 EL 소자(224)의 제 1 급전선측의 전극에 접속하여 소스 전극 및 드레인 전극을 유지용량(222)과 제 2 급전선(215)간에 접속하도록 구성해도 된다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하면, 제 4 보정용 TFT(234)의 게이트 전압이 상승하여 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소한다. 이 때문에, 커런트 TFT(223)의 게이트 전압이 하강하며 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소하여 자동적으로 보정이 행하여진다.
또한, 제 8 실시예의 다른 변형예로서, 제 1 급전선(213)의 전위가 제 2 급전선(215)보다도 저전위인 경우에는, n채널형의 커런트 TFT(223)에 대하여 제 4 보정용 TFT을 p채널형으로 하며, 그 게이트 전극을 유기 EL 소자(224)의 제 1 급전선측 전극에 접속하여 소스 전극 및 드레인 전극을 유지용량(222)과 제 2 급전선(215) 사이에 접속하도록 구성해도 된다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하면 제 4 보정용 TFT(234)의 게이트 전압이 하강하여 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소한다. 이 때문에, 커런트 TFT(223)의 게이트 전압이 상승하며 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소하여 자동적으로 보정이 행하여진다.
또한, 제 8 실시예의 다른 변형예로서 제 1 급전선(213)의 전위가 제 2 급전선(215)보다도 저전위인 경우에, 커런트 TFT(223)를 p채널형으로 하여 제 4 보정용 TFT(234)을 n채널형으로 함과 동시에 그 게이트 전극을 유기 EL 소자(224)의 제 1 급전선측의 전극에 접속하여 소스 전극 및 드레인 전극을 유지용량(222)과 제 2 급전선(215) 사이에 접속하도록 구성된다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 저항이 증가하면 제 4 보정용 TFT(234)의 게이트 전압이 하강하여 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 증가한다. 이 때문에 커런트 TFT(223)의 게이트 전압이 하강하여 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소하여 자동적으로 보정이 행하여진다.
본 실시예에서는 바람직하게는 스위칭 TFT(221), 커런트 TFT(223) 및 제 4 보정용 TFT(234)은 동일 TFT 배열기판상에 동일 제조공정으로 형성되어 있다. 이 구성에 의하면, 제조공정을 증가시키는 일없이 시간 경과에 따른 열화에 의한 구동전류(Id)의 저하를 화소마다 보정하는 것이 가능하게 된다.
<제 9 실시예>
도 15는 본 발명의 제 9 실시예에 관계되는 TFT-0ELD를 포함하여 구성된 화소회로의 등가회로도이다. 한편, 도 15에 있어서, 도 1 및 도 11에 도시된 구성요소와 같은 구성요소에는 같은 참조부호를 붙이며 그 설명은 생략한다.
도 15에 있어서, 본 실시예의 화소회로에 구비된 제 1 보정용 박막 포토다이오드(241)에는 빛을 조사하면 저저항이 되는 성질이 있다.
본 실시예로서는 유기 EL 소자(224) 양단의 전압과 발광량과의 관계에 의존하여 유지용량(222)과 제 1 급전선(213)간의 저항을 변화시킨다.
보다 구체적으로는 제 1 급전선(213)의 전위가 제 2 급전선(215)보다도 고전위인 경우에는 도 15에 도시된 대로, p채널형의 커런트 TFT(223)에 대하여, 제 1 보정용 박막 포토다이오드(241)는 유지용량(222)과 제 1 급전선(213)간에 접속되어 있다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 발광이 감소하면 제 1 보정용 박막 포토다이오드(241)의 저항이 증가한다. 이 때문에, 커런트 TFT(223)는 그 게이트 전압이 강하하여 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소한다.
따라서 제 9 실시예에 의하면, 시간 경과에 따른 열화에 의해 유기 EL 소자(224)의 발광량이 저하하더라도, 제 1 보정용 박막 포토다이오드(241)의 저항증가에 따라, 그 유기 EL 소자(224)에서의 발광량 저하를 보정하는 것이 가능하게 된다. 또한, 이러한 보정은 화소단위로 행하여지기 때문에, 시간 경과에 따른 열화가 복수의 화소 사이에서 분산에 의해 발생하였을 때에, 또는 초기 상태에 있어서 복수의 유기 EL 소자간에서 발광특성에 분산이 존재할 때에, 화면 얼룩을 발생시키지 않는 것이 가능하게 된다.
또, 제 9 실시예의 한 변형예로서, 제 5 보정용 TFT(도시 생략)를 그 소스 전극 및 드레인 전극을 유지용량(222)과 제 1 급전선(213)간에 접속하도록 설치해도 된다.
또한, 제 9 실시예의 다른 변형예로서, 제 1 급전선(213)의 전위가 제 2 급전선(215)보다도 저전위인 경우에는 커런트 TFT(223)을 n채널형으로 하며, 제 1 보정용 박막 포토다이오드(241)를 유지용량(222)과 제 1 급전선(213)간에 접속하도록 구성하면 된다. 이 경우 또한, 제 5 보정용 TFT(도시 생략)를 그 소스 전극 및 드레인 전극을 유지용량과 제 1 급전선간에 접속하도록 설치해도 된다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 발광량이 감소하면 제 1 보정용 박막 포토다이오드(241)의 저항이 증가하며, 또한 커런트 TFT(223)의 게이트 전압이 상승하여 그 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소하여 자동적으로 보정이 행하여진다.
본 실시예로서는 바람직하게는 스위칭 TFT(221), 커런트 TFT(223) 및 제 1 보정용 박막 포토다이오드(241)는 동일 TFT 배열기판상에 동일 제조공정으로 형성되어 있다. 이 구성에 의하면, 제조공정을 증가시키는 일없이 시간 경과에 따른 열화에 의한 구동전류(Id)의 저하를 화소마다 보정하는 것이 가능하게 된다.
<제 10 실시예>
도 16은 본 발명의 제 10 실시예에 관계되는 TFT―0ELD를 포함하여 구성된 화소회로의 등가회로도이다. 한편, 도 16에 있어서, 도 1 및 도 11에 도시된 구성요소와 같은 구성요소에는 같은 참조부호를 붙이며 그 설명은 생략한다.
도 16에 있어서, 본 실시예의 화소회로에 구비된 제 2 보정용 박막 포토다이오드(242)에는 빛을 조사하면 저저항이 되는 성질이 있다.
본 실시예에서는 유기 EL 소자(224) 양단의 전압과 발광량과의 관계에 의존하여 유지용량(222)과 제 2 급전선(215)간의 저항을 변화시킨다.
보다 구체적으로는 제 1 급전선(213)의 전위가 제 2 급전선(215)보다도 고전위인 경우에는 도 16에 도시된 대로, n채널형의 커런트 TFT(223)에 대하여, 제 2 보정용 박막 포토다이오드(242)가 유지용량(222)과 제 2 급전선(215)간에 접속되어 있다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 발광량이 감소하면 제 2 보정용 박막 포토다이오드(242)의 저항이 증가한다. 이 때문에, 커런트 TFT(223)는 그 게이트 전압이 상승되어 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소한다.
따라서 제 10 실시예에 의하면, 시간 경과에 따른 열화에 의해 유기 EL 소자(224)의 발광량이 저하하더라도, 제 2 보정용 박막 포토다이오드(242)의 저항증가에 의해, 그 유기 EL 소자(224)에서의 발광량 저하를 보정하는 것이 가능하게 된다. 또한, 이러한 보정은 화소단위로 행하여지기 때문에 시간 경과에 따른 열화가 복수의 화소 사이에서 분산에 의해 발생하였을 때에, 또는 초기 상태에서 복수의 유기 EL 소자간에서 발광특성에 분산이 존재할 때에 화면 얼룩을 발생시키지 않는 것이 가능하게 된다.
또한, 제 10 실시예의 한 변형예로서, 제 6 보정용 TFT(도시 생략)를 그 소스 전극 및 드레인 전극이 유지용량과 제 2 급전선(215)간에 접속되도록 설치해도 된다.
또한, 제 10 실시예의 다른 변형예로서, 제 1 급전선(213)의 전위가 제 2 급전선(215)보다도 저전위인 경우에는 커런트 TFT(223)를 p채널형으로 하며, 제 2 보정용 박막 포토다이오드(242)를 유지용량(222)과 제 2 급전선(215)간에 접속하도록 구성하면 된다. 이 경우 또한, 제 6 보정용 TFT(도시 생략)를 그 소스 전극 및 드레인 전극이 유지용량(222)과 제 2 급전선(215)간에 접속되도록 설치해도 된다. 이 구성에 의하면, 유기 EL 소자(224)의 발광량이 감소하면 제 2 보정용 박막 포토다이오드(242)의 저항이 증가하며, 또한 커런트 TFT(223)의 게이트 전압이 하강하여 그 소스 전극과 드레인 전극간의 저항이 감소하여 자동적으로 보정이 행하여진다.
본 실시예로서는 바람직하게는 스위칭 TFT(221), 커런트 TFT(223) 및 제 2 보정용 박막 포토다이오드(242)는 동일 TFT 배열기판상에 동일 제조공정으로 형성되어 있다. 이 구성에 의하면, 제조공정을 증가시키는 일없이 시간 경과에 따른 열화에 의한 구동전류(Id)의 저하를 화소마다 보정하는 것이 가능하게 된다.
<제 11 실시예>
다음에 본 발명의 제 11 실시예를 도 17 및 도 18을 참조하여 설명한다.
도 17은 제 11 실시예에 관계되는 TFT-OELD를 구비하는 표시장치의 블록도 이며, 도 18은 이 표시장치에 구비된 공통선 구동회로(13')의 블록도이다. 한편, 도 17에 있어서, 표시영역(115)내에는 1화소만에 관해서 화소회로를 도시 기재하고 있지만, 실제로는 각 화소마다 같은 화소회로가 설치되어 있다.
도 17에 있어서, 본 실시예의 표시장치(200a)는 주사선 구동회로(11) 및 신호선 구동회로(12)의 외에 복수의 공통선(133) 각각에 대하여 따로따로 전원신호를 공급 가능하게 구성된 공통선 구동회로(13')와 공통선 구동회로(13')에 전원을 공급하는 공통선 전원(205)과 전류 측정회로(16')에 의해 측정된 표시영역(15)내의 복수의 화소(10) 각각에 관해서 측정 전류량(IDmn)(m: 신호선의 번호(1 내지 M), n:신호선의 번호(1 내지 N))를 격납하는 프레임 메모리(207)와 화상 신호원(208)과 신호선 구동회로(12)의 사이에 끼우는 열화 보정회로(209)를 또한 구비하여 구성되어 있다. 열화 보정회로(209)는 복수의 화소(10) 각각에서의 시간 경과에 따른 열화에 의한 구동전류(Id)의 전류량 저하를 보정해야 하며, 화상 신호원(208)으로부터 입력되는 화상 신호의 계조(휘도) 레벨을 프레임 메모리(207)에 격납된 각 측정 전류량(IDn)에 따라서 화소(10)마다 보정한 후에 신호선 구동회로(12)에 출력하도록 구성되어 있다. 한편, 공통선 구동회로(13'), 공통선 전원(205), 전류 측정회로(16'), 프레임 메모리(207) 및 열화 보정회로(209)의 적어도 하나는 중앙에 표시영역(115)이 설치된 TFT 배열기판상에 형성되어도 좋으며(도 1참조), 또는 외부(IC)로서 구성되어 TFT 배열기판에 대하여 외부부착되어도 좋다.
도 17에 있어서, 공통선 구동회로(13')는 전환 스위치(301), 시프트 레지스터(302) 및 전송 스위치(303)를 구비하여 구성되어 있다.
전환 스위치(301)는 통상의 표시동작시에 배선(310)을 거쳐서 복수의 공통선(133)에 대하여 일괄하여 소정 전위의 전원신호가 공급되도록(즉, 모든 공통선(133)의 전위는 동일하게 된다), 제어기에 의한 제어하에서 공통선 전원(205)에 접속된 전원배선(310)측으로 전환된다. 한편, 전환 스위치(301)는 후술과 같이 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정(각 공통선(133)에 공급하는 전원신호의 전압 조정)을 할 때에, 배선(320)을 거쳐서 복수의 공통선(133)에 대하여 측정용 전원신호가 순차 공급되도록, 전송 스위치(303)를 거쳐서 전류량 측정회로(16')에 접속된 배선(320)측으로 전환되도록 구성되어 있다. 한편, 측정용 전원신호는 전류 측정회로(16')가 내장하는 전원으로부터 배선(320)을 거쳐서 공급해도 좋고, 공통선 전원(205)의 전원을 이용하여 배선(320)을 거쳐서 공급해도 좋다.
전송 스위치(303)는 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정을 할 때에 시프트 레지스터(302)로부터 순차 출력되는 전송신호에 따라서 측정용 전원신호를 전환 스위치(301)에 전송하며, 전환 스위치(301)는 이것을 공통선(133)을 거쳐서 각 화소회로에 공급한다. 이 때, 시프트 레지스터(302)는 도시하지 않는 제어기에 의한 제어하에서 전송신호를 복수의 공통선(133) 각각에 대응하여 순차 출력하도록 구성되어 있다.
다음에 이상과 같이 구성된 본 실시예의 동작에 관해서 설명한다.
우선, 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정을 할 때는 시프트 레지스터(302)로부터 순차 출력되는 전송신호에 따라서 전송 가능하게 되는 각 전송 스위치(303)를 거쳐서, 복수의 공통선(133)에 대하여 순차 측정용 전원신호가 공급된다. 그리고 이 측정용 전원신호의 전류량이 각각 공통선(133)에 대하여 측정된다. 여기서, 각 화소(10)에는 주사선 구동회로(11)로부터 주사신호가 순차 공급되기 때문에 전원신호가 하나의 공통선(133)으로부터 공급되는 화소열 중, 주사신호가 공급된 화소마다 커런트 TFT(223)를 거쳐서 유기 EL 소자(224)에 구동전류로서 측정용 전원신호가 흐른다. 즉, 주사선 구동회로(11)로부터 주사신호를 순차 공급하면서, 시프트 레지스터(302)에 의한 전송신호의 타이밍으로 공통선(133)에 측정용 전원신호를 순차 공급함으로서, 각 화소(10)마다의 구동전류(Id)가 전류량 측정회로(16')에서 점순차로 측정된다. 그리고, 그 측정 전류량(IDmn)은 프레임 메모리(207)에 기억된다.
다음에 통상의 표시동작을 할 때는 화상 신호원(208)으로부터의 화상 신호는 열화 보정회로(209)에 보내어진다. 열화 보정회로(209)는 프레임 메모리(207)에 기억된 각 화소(10)의 전류량(IDmn)에 근거하여 결정되는 시간 경과에 따른 열화의 정도(즉, 기준전류량에 대한 측정 구동 전류량의 저하 정도)에 따라서, 그 시간 경과에 따른 열화에 의한 전류 저하분을 보정하도록, 각 화소(10)마다 화상 신호의 계조레벨을 보정하여 신호선 구동회로(12)에 출력한다. 이 결과, 각 화소(10)에서의 유기 EL 소자(224)의 발광량 변화는 열화 보정회로(209)에 의한 계조레벨 변화에 의해 보정된다. 한편, 통상의 표시동작을 할 때는 공통선 구동회로(203)의 전환 스위치(301)는 공통선전원(205)측으로 전환되어 공통선(103)에는 소정의 전위가 공급된다.
또한, 본 실시예에서는 모든 화소(10)에 대하여 각각 전류량 측정을 하여, 그 측정치(IDmn)를 프레임 메모리(207)에 기억하도록 하였지만, 몇 갠가의 골라낸 화소(10)에 대하여, 또는 종합된 화소 블록에 대하여 전류량 측정을 하여, 그 측정치를 기억해도 좋다. 또한, 본 실시예에서는 모든 화소(10)에 대하여 각각 다른 보정량을 실시하였지만, 적당한 처리 후에 종합된 화소 블록이나 패널 전체에 대하여 보정을 하도록 해도 좋다.
또한, 본 실시예에서는 각 구동회로내의 각 TFT 및 화소회로내의 각 TFT은 예를 들면, 600℃이하의 저온 프로세스로 형성된 다결정 실리콘 TFT이고, 각 유기 EL 소자(224)는 예를 들면, 잉크 제트 프로세스로 형성된다.
<제 12 실시예>
다음에, 본 발명의 제 12 실시예를 도 19 및 도 20을 참조하여 설명한다.
도 19는 제 12 실시예에 관계되는 TFT-OELD를 구비하는 표시장치의 블록도이며, 도 20은 이 표시장치의 각 화소에 구비되는 화소회로의 단면도이다. 한편, 도 19에 있어서, 표시영역(115)내에는 1화소만에 대해서의 회로를 도시 기재하고 있지만, 실제로는 각 화소마다 같은 회로가 설치되어 있다. 또한, 도 19에 있어서, 도 17에 도시된 제 11 실시예와 같은 구성요소에는 같은 참조부호를 붙이며 그 설명은 생략한다.
도 19에 있어서, 본 실시예의 표시장치(200b)는 주사선 구동회로(11), 신호선 구동회로(12), 공통선(133)에 일괄해서 소정 전위의 전원신호를 공급하는 공통선전원(205), 전류측정회로(16"), 프레임 메모리(207) 및 열화 보정회로(209)를 구비하여 구성되어 있다. 표시장치(200b)는 특히, 공통선(133)에 일단이 접속된 발광량 측정용 반도체 소자의 일례로서의 PIN 다이오드(110)를 각 화소회로내에 구비하고 있으며, 각 PIN 다이오드(110)의 타단에는 측정용 전류를 PIN 다이오드(110)에 흘리기 위해서 검광선(104)이 신호선(132) 및 공통선(133)과 평행하게 설치되어 있다. 그리고, 표시장치(200b)는 또한 각 검광선(104)을 거쳐서 각 화소에 있어서의 PIN 다이오드(110)를 구동하는 검광선 구동회로(204)를 구비하고 있으며, 전류측정회로(16")는 검광선 구동회로(204)에 의해 구동되는 PIN 다이오드(110)에 흐르는 측정용 전류를 각 화소(10)마다 측정하도록 구성되어 있다. 한편, 검광선 구동회로(204), 공통선전원(205), 전류측정회로(16"), 프레임 메모리(207) 및 열화 보정회로(209)의 적어도 하나는 중앙에 표시영역(115)이 설치된 TFT 배열기판상에 형성되어도 좋으며(도 1참조), 또는 외부(IC)로서 구성되어 TFT 배열기판에 대하여 외부부착되어도 좋다. 또한, PIN 다이오드(110)를 대신하여 발광량 측정용 반도체 소자의 다른 예로서는 채널부에 빛이 입사하는 것에 의해 광여기 전류가 흐르는 전계효과 트랜지스터를 들 수 있다.
도 20에 도시되는 바와 같이, 본 실시예에서는 각 화소(10)에 있어서, PIN 다이오드(110)는 스위칭 TFT(221) 및 커런트 TFT(223) 형성에 사용하는 반도체막과 동일한 막을 사용하여 TFT 배열기판(1)상에 형성되어 있으며, 불순물 도프에 의해 형성된 PIN 접합을 갖는다. 그리고, 층간절연막(251 내지 253)을 거쳐서 유기 EL 소자(224)로부터 PIN 접합에 빛이 입사하면 광여기 전류가 흐르도록, 이 PIN 접합에 대하여 역바이어스 전압이 검광선(104)을 거쳐서 검광선 구동회로(204)로부터 공급되도록 구성되어 있다. 또한, 각 TFT의 게이트나 주사선(131)은 Ta등 금속막이나 저저항 폴리실리콘막으로 구성되어 있으며, 신호선(132), 공통선(133) 및 검광선(104)은 A1등의 저저항 금속막으로 구성되어 있다. 그리고, 커런트 TFT(223)를 거쳐서 구동전류가 IT0등으로 이루어지는 화소전극(141)으로부터 EL 소자(224)를 경유하여, 대향전극(105)(상전극)으로 흐르도록 구성되어 있다. 대향전극(105)을 ITO등의 투명재료로 구성하면, 표시장치(200a)의 도 20에 있어서의 상측면을 표시면으로 할 수 있다. 한편, 대향전극(105)을 A1등의 광반사성 또는 차광성의 금속재료등으로 구성하면, 표시장치(200a)의 도 20에 있어서의 하측면을 표시면으로 할 수 있다. 여기서는, 대향전극(105)은 A1을 주성분으로서 구성하는 것으로 한다.
다음에 이상과 같이 구성된 본 실시예의 동작에 관해서 설명한다.
우선, 시간 경과에 따른 열화에 대한 보정처리를 할 때는 주사선 구동회로(11) 및 신호선 구동회로(12)로부터 소정 패턴을 표시하기 위한 주사신호 및 데이터 신호를 공급함으로서 유기 EL 소자(224)를 발광시킨다. 그러면, 대향전극(105)은 A1을 주로 하는 재료이기 때문에, 빛은 반사되어 화소전극(141)을 통해서 하측으로 방사된다. 이 때, 광로의 일부에 검광선(104)에 의해 역바이어스가 걸린 PIN 다이오드(110)가 배치되어 있기 때문에, PIN 다이오드(110)로서는 광여기 전류가 발생하여 검광선(l04)을 통과시켜 검광선 구동회로(204)에 이른다. 검광선 구동회로(204)는 제 11 실시예에 있어서의 공통선 구동회로(203)와 같이 복수의 전송 스위치를 구비하고 있으며, PIN 다이오드(110)의 역바이어스 전원을 검광선(204)으로부터 PIN 다이오드(110)에 순차 공급하여 측정용 전류를 전류측정회로(16")에 순차 공급한다. 그리고, 제 11실시예의 경우와 같이, 전류측정회로(16")에서는 이러한 측정용 전류를 각 화소(10)에 대하여 점순차로 측정한다. 한편, 각 화소(10)에 설치된 유기 EL 소자(224)의 발광량은 이 측정용 전류의 측정전류량(IDmn')의 증가에 따라서 거의 증가한다. 그리고, 측정용전류의 측정전류량(IDmn')(측정 발광량)에 대응하는 프레임 메모리(207)에 의한 기억, 열화 보정회로(209)에 의한 보정도 제 11 실시예와 마찬가지로 행하여진다.
보다 구체적으로는 도 21에 도시되는 바와 같이, 제 11 실시예에서의 열화 보정 방법은 행하여진다.
즉, 우선 초기 상태에서는 도 21a에 도시되는 바와 같이, 열화 보정회로(209)가 보정을 하지 않기 때문에, 화상 신호(208)의 계조레벨(D1, D2, …, D6)로부터 신호 변환 곡선(404)에 따라서, 신호선 구동회로(12)는 신호 레벨(V1, V2, …, V6)의 데이터 신호를 출력한다. 이 데이터 신호가 신호선 구동회로(12)로부터 신호선(132), 스위칭 TFT(221) 및 유지용량(222)에 의해, 커런트 TFT(223)의 게이트 전극에 인가된다. 이 결과, 커런트 TFT(223)의 게이트 전극에 인가되는 전위와 유기 EL 소자(224)의 발광량과의 관계를 도시한 발광 특성 곡선(405)에 대응하여, 유기 EL 소자(224)에 의해 발광 레벨(L1, L2, …, V6)의 발광이 얻어진다. 또한, 여기서는 신호 레벨(Vb)이 있는 임계치 전압을 초과한 후, 유기 EL 소자(224)가 발광하기 시작하는 것도 고려하고 있다.
다음에, 유기 EL 소자(224)나 커런트 TFT(223)가 열화하여 발광량이 변화한 상태에서는 도 21b에 도시되는 바와 같이, 발광 특성 곡선(405)은 변화한다. 상술한 보정처리에 있어서 검광선 구동회로(204), 전류 측정 회로(16")등을 사용한 발광량 측정에 의해, 이 발광 특성 곡선(405)이 얻어진다. 열화 보정회로(209)에는 이 발광 특성 곡선(405)에 근거하여 적절한 신호 변환 곡선(4O4)이 설정된다. 그 후, 통상의 표시 기간에 있어서는 이 신호 변환 곡선(404)을 이용하여 열화 보정회로(209)에 의해, 계조 레벨(D1, D2, …, D6)에 대하여 신호 레벨(V1, V2,…, V6)의 화상 신호가 신호선 구동회로(12)로부터 출력되도록 각 계조 레벨에 대한 조정이 실시된다. 이 때문에, 각 화소(10)에 있어서는, 열화후의 발광 특성 곡선(405)에 따라서, 열화전과 같은 발광량이 열화후에도 얻어지는 것으로 된다. 또, 본 실시예에서는 유기 EL 소자(224)의 발광에 대한 임계치 전압의 열화도 고려된다.
이상과 같이 제 12 실시예에 의하면, 각 화소(10)에 있어서의 유기 EL 소자(224)의 발광량을 PIN 다이오드(110)를 이용하여 측정하기 때문에, 구동 전류량을 측정하는 제 11 실시예의 경우보다도 열화에 의한 발광량 저하를 보다 정확하게 보정하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 실시예에서는 모든 화소(10)에 대하여 발광량의 측정을 하여 그 측정치를 프레임 메모리(207)에 기억하였지만, 몇 갠가의 골라낸 화소(10)에 대하여, 또는 종합된 화소 블록에 대하여 발광량 측정을 하여 그 측정치를 기억해도 좋다. 또한, 여기서는 모든 화소(10)에 대하여 각각 다른 보정량을 실시하였지만, 적당한 처리 후에 종합된 화소 블록이나 패널전체에 대하여 보정해도 좋다.
또한, 본 실시예에서는 광여기 전류를 발생시키는 모니터용 수광소자로서 PIN 다이오드(110)를 사용하였지만, 전계 효과형 트랜지스터 등의 반도체 소자를 사용해도 좋다. 이 때, 전계 효과형 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 전위로서는 유효하게 광여기 전류를 발생시키는 전위가 선택된다. 또한 유기 EL 소자(224)로부터의 발광이 채널에 도달하기 위해서, 톱 게이트형, 정스태거형, 역스태거형, 채널 H형 또는 채널 스토퍼형 등으로부터 알맞은 구성이 이용되고 게이트 전극도 ITO로 형성될 가능성이 있다. 또한, 본 실시예에서는 바람직하게는 각 구동회로나 각 화소회로내에 형성되는 TFT와 광여기 전류를 발생시키는 반도체 소자로서의 PIN 다이오드가 동일 공정으로 형성된다. 이와 같이하면, PIN 다이오드를 형성하기 위한 공정을 별도 설치하지 않아도 되기 때문에 유리하다.
<제 13 실시예>
도 22에 본 발명의 제 13 실시예의 TFT-OELD를 구비한 표시장치에 있어서의 열화 보정방법을 도시한다. 제 13 실시예의 표시장치의 하드웨어 구성은 제 11 실시예 또는 제 12 실시예의 경우와 같기 때문에 그 설명은 생략한다.
제 13 실시예에서는 도 21을 이용하여 설명한 열화 보정회로(209)에 있어서의 발광량 측정에 의해 얻어진 발광특성곡선(405)에 근거하는 신호변환곡선(404)의 설정방법이 제 12 실시예의 경우와 다르다.
제 13 실시예에서는 데이터 신호의 전압치 조정이 어떤 기정의 신호 레벨로부터 다른 기정의 신호 레벨로 변환하는 것에 의해 행하여진다. 즉, 유기 EL 소자(224)가 열화하여 발광량이 저하한 경우에 대응하는 도 21b에 있어서, 보정된 후의 데이터 신호의 신호 레벨(V1, V2, …, V6)을 신호선 구동회로(12)의 전원 등의 제약에 의해 미리 결정되어 있는 이산화된 전위중에서 선택함으로서, 발광특성곡선(405)에 대한 신호변환곡선(404)을 설정한다. 이것에 의해, 발광량의 선형성은 손상되지만, 계조반전은 일어나지 않기 때문에 육안으로서는 양호한 계조성이 얻어진다.
이상과 같이 제 13 실시예에 의하면, 신호선 구동회로(12)에 있어서 한정된 종류 전위의 전원을 이용하여 시간 경과에 따른 열화에 의한 발광량 저하에 대한 보정을 하는 것이 가능하게 된다.
한편, 이상의 제 1 실시예로부터 제 13 실시예에서는 스위칭 TFT을 구비하여 화소회로를 구성하였지만, 예를 들면 구동용 TFT의 게이트에 주사신호를 주사선으로부터 직접 공급함과 동시에 데이터 신호를 구동용 TFT 소스에 신호선으로부터 직접 공급함에 의해, 데이터 신호를 구동용 TFT 소스 및 드레인을 거쳐서 유기 EL 소자에 공급하여 유기 EL 소자를 구동하도록 구성해도 된다. 즉, 이 경우에도 각 화소에 설치된 유기 EL 소자나 구동용 TFT에서의 시간 경과에 따른 열화에 의한 구동전류나 발광량의 저하를 본 발명에 의해 보정하는 것이 가능하게 된다. 또한, 각 화소회로에 설치된 스위칭 TFT는 그 게이트에 표시가 생긴 주사신호의 전압극성을 합치기만 하면 n채널형 TFT에서 구성해도 되며 p채널형 TFT에서 구성해도 된다.
<전자기기>
다음에, 이상 각 실시예에 있어서 상세히 설명한 표시장치를 구비한 전자기기의 실시예에 관해서 도 23으로부터 도 26을 참조하여 설명한다.
우선 도 23에 이와 같이 표시장치를 구비한 전자기기의 개략구성을 도시한다.
도 23에 있어서, 전자기기는 표시정보 출력원(1000), 표시정보 처리회로(1002), 구동회로(1004), 표시 패널(1006), 클록 발생회로(1008) 및 전원회로(1010)를 구비하여 구성되어 있다.
상술한 각 실시예에서의 표시장치는 본 실시예에 있어서의 표시 패널(1006) 및 구동회로(1004)에 상당한다. 따라서, 표시 패널(1006)을 구성하는 TFT 배열 기판상에 구동회로(1004)를 탑재해도 좋고 또한 표시정보 처리회로(1002) 등을 탑재해도 좋다. 또는 표시 패널(1006)을 탑재하는 TFT 배열 기판에 대하여 구동회로(1004)를 외부 부착하여 구성해도 된다.
표시정보 출력원(1000)은 R0M(Read 0nly Memory), RAM(Random Access Memory), 광디스크 장치등의 메모리, 텔레비전 신호를 동조하여 출력하는 동조회로등을 포함하며, 클록 발생회로(1008)로부터의 클록신호에 근거하여 소정 포맷 화상 신호등의 표시정보를 표시정보 처리회로(1002)에 출력한다. 표시정보 처리회로(1002)는 증폭·극성 반전회로, 상전개회로, 회전회로, 감마 보정회로, 클램프 회로등 주지의 각종 처리회로를 포함하여 구성되어 있으며, 클록신호에 근거하여 입력된 표시정보로부터 디지털 신호를 순차 생성하여, 클록신호(CLX)와 함께 구동회로(1004)에 출력한다. 구동회로(1004)는 표시 패널(200)을 구동한다. 전원회로(1010)는 상술의 각 회로에 소정 전원을 공급한다.
다음에 도 24로부터 도 25에 이와 같이 구성된 전자기기의 구체예를 각각 도시한다.
도 24에 있어서, 전자기기의 다른 예인 멀티미디어 대응의 랩탑형의 퍼스널 컴퓨터(PC)(1200)는 상술한 표시 패널(200)이 톱 커버 케이스(1206)내에 구비되고 있으며, 또한 CPU, 메모리, 모뎀 등을 수용함과 동시에 키보드(1202)가 설치된 본체(1204)를 구비하고 있다.
또한 도 25에 도시되는 바와 같이, 구동회로(1004)나 표시정보 처리회로(1002)를 탑재하지 않은 표시 패널(1304)의 경우에는, 구동회로(1004)나 표시정보 처리회로(1002)를 포함하는 IC(1324)가 폴리이미드 테이프(1322)상에 설치된 TCP(Tape Carrie Package)(1320)에 TFT 배열기판(1)의 주변부에 설치된 이방성 전도 필름을 거쳐서 물리적 또한 전기적으로 접속하고, 표시 패널로서 생산, 판매, 사용 등을 하는 것도 가능하다.
이상 도 24로부터 도 25을 참조하여 설명한 전자기기의 그 외에도, 텔레비전, 뷰파인더형 또는 모니터 직시형의 비디오 테이프 리코더, 자동차 내비게이션 장치, 전자수첩, 전자계산기, 워드 프로세서, 엔지니어링·워크 스테이션(EWS), 휴대전화, 텔레비전 전화, P0S단말, 터치 패널을 구비한 장치 등이 도 23에 도시된 전자기기의 예로서 들 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 의하면 유기 EL 소자 등의 전류 구동형 발광소자나 커런트 TFT 등의 구동소자에 있어서의 시간 경과에 따른 열화에 의한 악영향이 표시상에 미치는 일없이, 고품질의 화상표시를 장기간에 걸쳐 할 수 있는 각종의 전자기기를 실현할 수 있다.