JP2003317944A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
電気光学装置及び電子機器Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/13—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising photosensors that control luminance
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光素子における発光量が低下する経時劣化
が発生した場合や、経時劣化がバラツキをもって発生し
た場合に、その経時劣化を補正して画面輝度の低下や画
面ムラを低減することが可能な電気光学装置及び電子機
器を提供する。 【解決手段】 発光素子２２４と、駆動素子２２１、２
２３と、電源部と、画像信号源から入力される画像信号
に対応する電圧を持つデータ信号を信号線を介して駆動
素子に供給する信号線駆動回路と、信号線を介して所定
電圧のデータ信号を前記駆動素子に供給したときに発光
素子２２４から発せられる光を受光してその発光量を測
定する受光素子１１０と、測定された発光量が所定基準
値に近付くように画像信号を補正した後に信号線駆動回
路に入力する補正回路とを備えた電気光学装置である。
受光素子１１０が発光素子２２４から発せられる光を反
射する反射層としても機能している。
が発生した場合や、経時劣化がバラツキをもって発生し
た場合に、その経時劣化を補正して画面輝度の低下や画
面ムラを低減することが可能な電気光学装置及び電子機
器を提供する。 【解決手段】 発光素子２２４と、駆動素子２２１、２
２３と、電源部と、画像信号源から入力される画像信号
に対応する電圧を持つデータ信号を信号線を介して駆動
素子に供給する信号線駆動回路と、信号線を介して所定
電圧のデータ信号を前記駆動素子に供給したときに発光
素子２２４から発せられる光を受光してその発光量を測
定する受光素子１１０と、測定された発光量が所定基準
値に近付くように画像信号を補正した後に信号線駆動回
路に入力する補正回路とを備えた電気光学装置である。
受光素子１１０が発光素子２２４から発せられる光を反
射する反射層としても機能している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と称す）等の電
流駆動型発光素子やこれを駆動する薄膜トランジスタ等
の駆動素子を備えた電気光学装置と、これを備えた電子
機器に関する。
ミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と称す）等の電
流駆動型発光素子やこれを駆動する薄膜トランジスタ等
の駆動素子を備えた電気光学装置と、これを備えた電子
機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の電気光学装置として、薄膜トラ
ンジスタ（以下、ＴＦＴと称す）を駆動素子として用い
て有機ＥＬ素子等の電流駆動型発光素子を駆動する方式
の電気光学装置は、例えば以下のように構成されてい
る。すなわち、走査線駆動回路及び信号線駆動回路か
ら、表示領域内の信号線及び走査線に対しそれぞれ、表
示すべき画像に対応するデータ信号及び走査信号が供給
される。他方、共通電極駆動回路及び対向電極駆動回路
から、表示領域内にマトリクス状に規定された複数の画
素のそれぞれに設けられた駆動用ＴＦＴを介して各画素
における画素電極と対向電極との間に電圧が印加され
る。そして、各画素の駆動用ＴＦＴにより、走査線から
走査信号が供給されるタイミングで、信号線から供給さ
れるデータ信号の電圧に応じて、画素電極及び対向電極
間に配置された電流駆動型発光素子を流れる電流を制御
するように構成されている。
ンジスタ（以下、ＴＦＴと称す）を駆動素子として用い
て有機ＥＬ素子等の電流駆動型発光素子を駆動する方式
の電気光学装置は、例えば以下のように構成されてい
る。すなわち、走査線駆動回路及び信号線駆動回路か
ら、表示領域内の信号線及び走査線に対しそれぞれ、表
示すべき画像に対応するデータ信号及び走査信号が供給
される。他方、共通電極駆動回路及び対向電極駆動回路
から、表示領域内にマトリクス状に規定された複数の画
素のそれぞれに設けられた駆動用ＴＦＴを介して各画素
における画素電極と対向電極との間に電圧が印加され
る。そして、各画素の駆動用ＴＦＴにより、走査線から
走査信号が供給されるタイミングで、信号線から供給さ
れるデータ信号の電圧に応じて、画素電極及び対向電極
間に配置された電流駆動型発光素子を流れる電流を制御
するように構成されている。
【０００３】より具体的には例えば、各画素には、スイ
ツチング用ＴＦＴが設けられ、そのゲートに走査線から
走査信号が供給されると、そのソース及びドレインを介
して信号線からのデータ信号を駆動用ＴＦＴのゲートに
供給する。駆動用ＴＦＴのソース及びドレイン間のコン
ダクタンスは、このようにゲートに供給されたデータ信
号の電圧（すなわち、ゲート電圧）に応じて制御（変
化）される。この際、ゲート電圧は、当該ゲートに接続
された保持容量によりデータ信号が供給された期間より
も長い期間に亘って保持される。そして、このようにコ
ンダクタンスが制御されるソース及びドレインを介して
駆動電流を有機ＥＬ素子等に供給することにより、有機
ＥＬ素子等を駆動電流に応じて駆動するように構成され
ている。特にこのように駆動用ＴＦＴを備えた有機ＥＬ
素子は、大型・高精細・広視角・低消費電力の表示バネル
を実現するための電流制御型発光素子として（以下、Ｔ
ＦＴ−ＯＬＥＤと表記する）として有望視されている。
ツチング用ＴＦＴが設けられ、そのゲートに走査線から
走査信号が供給されると、そのソース及びドレインを介
して信号線からのデータ信号を駆動用ＴＦＴのゲートに
供給する。駆動用ＴＦＴのソース及びドレイン間のコン
ダクタンスは、このようにゲートに供給されたデータ信
号の電圧（すなわち、ゲート電圧）に応じて制御（変
化）される。この際、ゲート電圧は、当該ゲートに接続
された保持容量によりデータ信号が供給された期間より
も長い期間に亘って保持される。そして、このようにコ
ンダクタンスが制御されるソース及びドレインを介して
駆動電流を有機ＥＬ素子等に供給することにより、有機
ＥＬ素子等を駆動電流に応じて駆動するように構成され
ている。特にこのように駆動用ＴＦＴを備えた有機ＥＬ
素子は、大型・高精細・広視角・低消費電力の表示バネル
を実現するための電流制御型発光素子として（以下、Ｔ
ＦＴ−ＯＬＥＤと表記する）として有望視されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機Ｅ
Ｌ素子等の電流駆動型発光素子においては、素子内を駆
動電流が流れるために、大なり小なり経時劣化が存在す
る。例えば、有機ＥＬ素子の場合には、顕著な経時劣化
が存在すると報告されている（Jpn.J.Appl.Phys．,34,L
824(1995)）。有機ＥＬ素子の経時劣化は、２種類に大
別される。一つは、有機ＥＬ素子に印加される電圧に対
して、電流量が低下する劣化である。もう一つは、有機
ＥＬ素子に印加される電圧あるいは有機ＥＬ素子を流れ
る電流に対して発光量が低下する劣化である。また、こ
れらの経時劣化は、有機ＥＬ素子毎にバラツキをもって
発生する。さらに、ＴＦＴ−ＯＬＥＤでは、駆動素子と
してのＴＦＴを流れる電流によりＴＦＴの経時劣化が発
生することもある。
Ｌ素子等の電流駆動型発光素子においては、素子内を駆
動電流が流れるために、大なり小なり経時劣化が存在す
る。例えば、有機ＥＬ素子の場合には、顕著な経時劣化
が存在すると報告されている（Jpn.J.Appl.Phys．,34,L
824(1995)）。有機ＥＬ素子の経時劣化は、２種類に大
別される。一つは、有機ＥＬ素子に印加される電圧に対
して、電流量が低下する劣化である。もう一つは、有機
ＥＬ素子に印加される電圧あるいは有機ＥＬ素子を流れ
る電流に対して発光量が低下する劣化である。また、こ
れらの経時劣化は、有機ＥＬ素子毎にバラツキをもって
発生する。さらに、ＴＦＴ−ＯＬＥＤでは、駆動素子と
してのＴＦＴを流れる電流によりＴＦＴの経時劣化が発
生することもある。
【０００５】このため、ＴＦＴ−ＯＬＥＤを用いた電気
光学装置では、このような有機ＥＬ素子や駆動用ＴＦＴ
の経時劣化が生じたときに、画質劣化が問題となる。す
なわち、電流量が低下する劣化や発光量が低下する劣化
は、画面輝度の低下を招き、電流量の低下のバラツキや
発光量の低下のバラツキは、画面ムラを生じさせる。特
に、これらの劣化は、製造時における有機ＥＬ素子の発
光特性、駆動用ＴＦＴの電圧電流特性やしきい値特性の
バラツキ、表示パターンの履歴等に依存するため、表示
装麗全体の画質劣化につながると同時に、画面ムラの原
因となるのである。
光学装置では、このような有機ＥＬ素子や駆動用ＴＦＴ
の経時劣化が生じたときに、画質劣化が問題となる。す
なわち、電流量が低下する劣化や発光量が低下する劣化
は、画面輝度の低下を招き、電流量の低下のバラツキや
発光量の低下のバラツキは、画面ムラを生じさせる。特
に、これらの劣化は、製造時における有機ＥＬ素子の発
光特性、駆動用ＴＦＴの電圧電流特性やしきい値特性の
バラツキ、表示パターンの履歴等に依存するため、表示
装麗全体の画質劣化につながると同時に、画面ムラの原
因となるのである。
【０００６】ここで、例えば特開平０５−０１９２３４
号公報には、液晶表示パネルの背面光源（バツクライ
ト）としてＥＬ素子を用いて、該ＥＬ素子により背後か
ら照らされた液晶表示パネル全体の明るさが低下しない
ように該ＥＬ素子の輝度を検知して、背面光源全体の劣
化を補正する技術が開示されている。しかしながら、こ
の技術は、液晶表示パネルに関するものであり、且つＥ
Ｌ素子が表示素子として各画素に設けられている訳では
なく、単なる背面光源として用いられており、根本的に
本願発明の技術分野とは異なる技術分野に関するもので
ある。そして、各画素に有機ＥＬ素子等の電流駆動型発
光素子を備えて構成される電気光学装置において、上述
のような経時劣化を補正する有効な技術は提案されてい
ない。さらに、このような電流駆動型発光素子を各画素
に備えた電気光学装置において、電流駆動型発光素子や
駆動用ＴＦＴにおける経時劣化を補正することにより電
気光学装置の寿命を延ばすあるいは表示品質を向上させ
るという技術的課題自体が当業者間で認識されていない
のが現状である。
号公報には、液晶表示パネルの背面光源（バツクライ
ト）としてＥＬ素子を用いて、該ＥＬ素子により背後か
ら照らされた液晶表示パネル全体の明るさが低下しない
ように該ＥＬ素子の輝度を検知して、背面光源全体の劣
化を補正する技術が開示されている。しかしながら、こ
の技術は、液晶表示パネルに関するものであり、且つＥ
Ｌ素子が表示素子として各画素に設けられている訳では
なく、単なる背面光源として用いられており、根本的に
本願発明の技術分野とは異なる技術分野に関するもので
ある。そして、各画素に有機ＥＬ素子等の電流駆動型発
光素子を備えて構成される電気光学装置において、上述
のような経時劣化を補正する有効な技術は提案されてい
ない。さらに、このような電流駆動型発光素子を各画素
に備えた電気光学装置において、電流駆動型発光素子や
駆動用ＴＦＴにおける経時劣化を補正することにより電
気光学装置の寿命を延ばすあるいは表示品質を向上させ
るという技術的課題自体が当業者間で認識されていない
のが現状である。
【０００７】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、特に電流駆動型発光素子
における発光量が低下する経時劣化が発生した場合や、
該経時劣化がバラツキをもって発生した場合に、その経
時劣化を適宜補正し、画面輝度の低下や画面ムラを低減
することが可能な電流駆動型発光素子を備えた電気光学
装置及びこれを備えた電子機器を提供することにある。
で、その目的とするところは、特に電流駆動型発光素子
における発光量が低下する経時劣化が発生した場合や、
該経時劣化がバラツキをもって発生した場合に、その経
時劣化を適宜補正し、画面輝度の低下や画面ムラを低減
することが可能な電流駆動型発光素子を備えた電気光学
装置及びこれを備えた電子機器を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の電気光学装置では、複数の発光素子と、前記発
光素子に流れる駆動電流をデータ信号の電圧に応じて制
御する駆動素子と、前記発光素子に前記駆動電流を前記
駆動素子を介して流すための電源を電源配線を介して供
給する電源部と、画像信号源から入力される画像信号に
対応する電圧を持つデータ信号を信号線を介して前記駆
動素子に供給する信号線駆動回路と、前記発光素子から
発せられる光を受光し、その発光量を測定する受光素子
と、前記画像信号源と前記信号線駆動回路との間に介在
し、前記測定された発光量が所定基準値に近付くように
前記画像信号を補正する補正回路と、を備え、前記受光
素子が発光素子から発せられる光を反射する反射機能を
有することを特徴としている。
本発明の電気光学装置では、複数の発光素子と、前記発
光素子に流れる駆動電流をデータ信号の電圧に応じて制
御する駆動素子と、前記発光素子に前記駆動電流を前記
駆動素子を介して流すための電源を電源配線を介して供
給する電源部と、画像信号源から入力される画像信号に
対応する電圧を持つデータ信号を信号線を介して前記駆
動素子に供給する信号線駆動回路と、前記発光素子から
発せられる光を受光し、その発光量を測定する受光素子
と、前記画像信号源と前記信号線駆動回路との間に介在
し、前記測定された発光量が所定基準値に近付くように
前記画像信号を補正する補正回路と、を備え、前記受光
素子が発光素子から発せられる光を反射する反射機能を
有することを特徴としている。
【０００９】この電気光学装置によれば、電源部からの
電源供給により、発光素子には、駆動電流が駆動素子を
介して流れる。他方、駆動素子には、画像信号源から入
力され画像信号に対応する電圧を持つデータ信号が、信
号線駆動回路から信号線を介し て供給される。そし
て、駆動素子により、発光素子に流れる駆動電流がデー
タ信号の電圧に応じて制御される。これらの結果、電流
駆動型の発光素子は、駆動電流によりデータ信号の電圧
に対応して発売する。ここで、例えば非表示期間におい
て信号線を介して所定電圧のデータ信号が駆動素子に供
給されたときに、受光素子により、発光素子の発光量が
測定される。このように測定された発光量が所定基準値
（すなわち、基準発光量）に近付くように、画像信号が
補正回路により補正される。そして、補正された画像信
号が信号線駆動回路に入力される。したがって、駆動素
子には、補正された画像信号に対応する電圧を持つデー
タ信号が、信号線駆動回路から信号線を介して供給され
る。したがって、発光素子の経時劣化によって発光素子
が発光し難くなっても、該発光素子における発光量は、
ほぼ一定とされる。さらに、補正回路による補正を複数
の画素について個別に行うようにすれば、複数の画素間
で、発光素子や駆動素子の電圧電流特性や電流発光特性
にバラツキがあったとしても、当該複数の画素の発光素
子における駆動電流量或いは発光量を、ほぼ一定にでき
る。以上の結果、この電気光学装置によれば、有機ＥＬ
素子等の電流駆動型の発光素子を薄膜トランジスタ等の
駆動素子により駆動する電気光学装置において、発光素
子の経時劣化や特性バラツキによる画面輝度の低下や画
面ムラを低減できる。また、受光素子が反射層としても
機能するので、別に反射層を設ける必要がなく、したが
って工程の簡略化やコストの低減化を図ることができ
る。
電源供給により、発光素子には、駆動電流が駆動素子を
介して流れる。他方、駆動素子には、画像信号源から入
力され画像信号に対応する電圧を持つデータ信号が、信
号線駆動回路から信号線を介し て供給される。そし
て、駆動素子により、発光素子に流れる駆動電流がデー
タ信号の電圧に応じて制御される。これらの結果、電流
駆動型の発光素子は、駆動電流によりデータ信号の電圧
に対応して発売する。ここで、例えば非表示期間におい
て信号線を介して所定電圧のデータ信号が駆動素子に供
給されたときに、受光素子により、発光素子の発光量が
測定される。このように測定された発光量が所定基準値
（すなわち、基準発光量）に近付くように、画像信号が
補正回路により補正される。そして、補正された画像信
号が信号線駆動回路に入力される。したがって、駆動素
子には、補正された画像信号に対応する電圧を持つデー
タ信号が、信号線駆動回路から信号線を介して供給され
る。したがって、発光素子の経時劣化によって発光素子
が発光し難くなっても、該発光素子における発光量は、
ほぼ一定とされる。さらに、補正回路による補正を複数
の画素について個別に行うようにすれば、複数の画素間
で、発光素子や駆動素子の電圧電流特性や電流発光特性
にバラツキがあったとしても、当該複数の画素の発光素
子における駆動電流量或いは発光量を、ほぼ一定にでき
る。以上の結果、この電気光学装置によれば、有機ＥＬ
素子等の電流駆動型の発光素子を薄膜トランジスタ等の
駆動素子により駆動する電気光学装置において、発光素
子の経時劣化や特性バラツキによる画面輝度の低下や画
面ムラを低減できる。また、受光素子が反射層としても
機能するので、別に反射層を設ける必要がなく、したが
って工程の簡略化やコストの低減化を図ることができ
る。
【００１０】また、前記電気光学装置においては、前記
受光素子がシリコンフォトダイオードであるのが好まし
い。このようにすれば、特にシリコンにアルミニウムを
加えて合金化したシリコンフォトダイオードを用いるこ
とにより、このシリコンフォトダイオードがそのまま反
射層として機能するようになる。
受光素子がシリコンフォトダイオードであるのが好まし
い。このようにすれば、特にシリコンにアルミニウムを
加えて合金化したシリコンフォトダイオードを用いるこ
とにより、このシリコンフォトダイオードがそのまま反
射層として機能するようになる。
【００１１】また、前記電気光学装置においては、前記
受光素子は画素電極側に配置され、発光素子からの光を
反射して対向電極側から光を出射させるものであるのが
好ましい。このようにすれば、画素電極側に駆動素子な
どが配置されていても、これらが発光素子からの光の出
射を妨げることがなく、したがって開口率が高くなって
発光効率が高まる。
受光素子は画素電極側に配置され、発光素子からの光を
反射して対向電極側から光を出射させるものであるのが
好ましい。このようにすれば、画素電極側に駆動素子な
どが配置されていても、これらが発光素子からの光の出
射を妨げることがなく、したがって開口率が高くなって
発光効率が高まる。
【００１２】また、前記電気光学装置においては、前記
補正回路は、受光素子がモニタ用発光素子の発光を測定
したとき、経時劣化に対する補正を行うよう構成されて
なるのが好ましい。このようにすれば、モニタ用発光素
子の発光を李湯することにより、経時劣化に対する補正
を行うことが可能になる。
補正回路は、受光素子がモニタ用発光素子の発光を測定
したとき、経時劣化に対する補正を行うよう構成されて
なるのが好ましい。このようにすれば、モニタ用発光素
子の発光を李湯することにより、経時劣化に対する補正
を行うことが可能になる。
【００１３】また、前記電気光学装置においては、前記
測定された発光量を記憶するメモリ装置を備えており、
前記補正回路は、該記憶された発光量に基づいて前記画
像信号を補正するのが好ましい。このようにすれば、測
定された発光量が、メモリ装置に記憶される。そして、
画像信号は、該記憶された発光量に基づいて補正回路に
より補正される。したがって、表示期間とは時間的に相
前後する非表示期間における測定により、表示期間にお
ける補正を行うことが可能となる。さらに、複数の画素
に対する補正を同一の測定部や補正回路を用いて行うこ
とが可能となる。
測定された発光量を記憶するメモリ装置を備えており、
前記補正回路は、該記憶された発光量に基づいて前記画
像信号を補正するのが好ましい。このようにすれば、測
定された発光量が、メモリ装置に記憶される。そして、
画像信号は、該記憶された発光量に基づいて補正回路に
より補正される。したがって、表示期間とは時間的に相
前後する非表示期間における測定により、表示期間にお
ける補正を行うことが可能となる。さらに、複数の画素
に対する補正を同一の測定部や補正回路を用いて行うこ
とが可能となる。
【００１４】また、前記電気光学装置においては、前記
駆動素子は薄膜トランジスタからなり、該薄膜トランジ
スタと前記受光素子とが、同一の工程で形成されるのが
好ましい。このようにすれば、駆動素子と受光素子とを
同一の工程で形成できるので、製造上有利になる。
駆動素子は薄膜トランジスタからなり、該薄膜トランジ
スタと前記受光素子とが、同一の工程で形成されるのが
好ましい。このようにすれば、駆動素子と受光素子とを
同一の工程で形成できるので、製造上有利になる。
【００１５】また、前記電気光学装置においては、前記
駆動素子が、６００℃以下の低温プロセスで形成され
た、多結晶シリコン薄膜トランジスタからなっているの
が好ましい。このようにすれば、比較的低価格の大型ガ
ラス基板等の上に、高駆動能力を持つ駆動素子を、低コ
ストで作製することが可能となる。
駆動素子が、６００℃以下の低温プロセスで形成され
た、多結晶シリコン薄膜トランジスタからなっているの
が好ましい。このようにすれば、比較的低価格の大型ガ
ラス基板等の上に、高駆動能力を持つ駆動素子を、低コ
ストで作製することが可能となる。
【００１６】また、前記電気光学装置においては、前記
発光素子が、液滴吐出プロセスで形成された、有機エレ
クトロルミネッセンス素子からなるのが好ましい。この
ようにすれば、発光効率が高く長寿命の発光素子を作製
することができ、また基板上でのパターニングを容易に
行うことができる。さらに、プロセス中め廃棄材料が少
なく、プロセス用の装置も比較的低価格であるため、当
該電気光学装置における低コスト化を実現することがで
きる。
発光素子が、液滴吐出プロセスで形成された、有機エレ
クトロルミネッセンス素子からなるのが好ましい。この
ようにすれば、発光効率が高く長寿命の発光素子を作製
することができ、また基板上でのパターニングを容易に
行うことができる。さらに、プロセス中め廃棄材料が少
なく、プロセス用の装置も比較的低価格であるため、当
該電気光学装置における低コスト化を実現することがで
きる。
【００１７】また、前記電気光学装置においては、前記
受光素子が、発光量の測定を画素毎に行い、前記補正回
路が、該画素毎に前記画像信号を補正するのが好まし
い。このようにすれば、発光量の測定が受光素子により
画素毎に行われ、前記画像信号が補正回路により画素毎
に補正される。したがって、複数の画素間で、発光素子
の発光特性に製造バラツキや表示履歴による劣化の程度
の差に起因したバラツキ等のバラツキがあったとして
も、該複数の画素の発光素子における発光量を、ほぼ一
定にすることができる。この結果、各素子の特性バラツ
キによる画面ムラを低減することができる。
受光素子が、発光量の測定を画素毎に行い、前記補正回
路が、該画素毎に前記画像信号を補正するのが好まし
い。このようにすれば、発光量の測定が受光素子により
画素毎に行われ、前記画像信号が補正回路により画素毎
に補正される。したがって、複数の画素間で、発光素子
の発光特性に製造バラツキや表示履歴による劣化の程度
の差に起因したバラツキ等のバラツキがあったとして
も、該複数の画素の発光素子における発光量を、ほぼ一
定にすることができる。この結果、各素子の特性バラツ
キによる画面ムラを低減することができる。
【００１８】本発明の電子機器では、前記の電気光学装
置を備えたことを特徴としている。この電子機器によれ
ば、発光素子における経時劣化や特性バラツキによる画
面輝度の低下や画面ムラが低減された、高品位の画像表
示が可能な各種の電子機器を実現することができる。
置を備えたことを特徴としている。この電子機器によれ
ば、発光素子における経時劣化や特性バラツキによる画
面輝度の低下や画面ムラが低減された、高品位の画像表
示が可能な各種の電子機器を実現することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について、実施例毎に図面を参照して説明する。ま
ず、以下に説明する各実施例のＴＦＴ−ＯＬＥＤ（すな
わち、駆動用の薄膜トランジスタ及び該薄膜トランジス
タにより電流駆動される有機ＥＬ素子）を備えた電気光
学装置において共通する基本的な構成について、図１及
び図２を参照して説明する。ここに、図１は、電気光学
装置の基本的な全体構成を示すブロック図であり、特に
４つの相隣接する画素にそれぞれ設けられた画素回路の
基本的な回路構成を示す回路図を含む。また、図２は、
この電気光学装置の一画素の平面図である。
態について、実施例毎に図面を参照して説明する。ま
ず、以下に説明する各実施例のＴＦＴ−ＯＬＥＤ（すな
わち、駆動用の薄膜トランジスタ及び該薄膜トランジス
タにより電流駆動される有機ＥＬ素子）を備えた電気光
学装置において共通する基本的な構成について、図１及
び図２を参照して説明する。ここに、図１は、電気光学
装置の基本的な全体構成を示すブロック図であり、特に
４つの相隣接する画素にそれぞれ設けられた画素回路の
基本的な回路構成を示す回路図を含む。また、図２は、
この電気光学装置の一画素の平面図である。
【００２０】図１に示すように、電気光学装置１００
は、ＴＦＴアレイ基板１上に、Ｘ方向にそれぞれ延びて
おりＹ方向に配列された複数の走査線１３１と、Ｙ方向
にそれぞれ延びておりＸ方向に配列された複数の信号線
１３２及び複数の共通線（共通給電線）１３３と、走査
線１３１に走査信号を供給する走査線駆動回路１１と、
信号線１３２にデータ信号を洪給する信号線駆動回路１
２と、共通線１３３に所定電位の正電源（又は負電源）
を供給する共通線駆動回路１３とを備えて構成されてい
る。そして、ＴＦＴアレイ基板１の中央には、表示領域
１５が設けられており、表示領域１５内には、複数の画
素１０がマトリクス状に規定されている。
は、ＴＦＴアレイ基板１上に、Ｘ方向にそれぞれ延びて
おりＹ方向に配列された複数の走査線１３１と、Ｙ方向
にそれぞれ延びておりＸ方向に配列された複数の信号線
１３２及び複数の共通線（共通給電線）１３３と、走査
線１３１に走査信号を供給する走査線駆動回路１１と、
信号線１３２にデータ信号を洪給する信号線駆動回路１
２と、共通線１３３に所定電位の正電源（又は負電源）
を供給する共通線駆動回路１３とを備えて構成されてい
る。そして、ＴＦＴアレイ基板１の中央には、表示領域
１５が設けられており、表示領域１５内には、複数の画
素１０がマトリクス状に規定されている。
【００２１】図１及び図２に示すように、各画素１０に
は、第２薄膜トランジスタの一例としてのスイッチング
ＴＦＴ２２１、スイッチングＴＦＴ２２１に制御されて
各画素への電流を制御する第１薄膜トランジスタの一例
としてのＴＦＴ（以下、カレントＴＦＴと称す）２２
３、有機ＥＬ素子２２４及び保持容量２２２からなる画
素回路が設けられている。さらに、カレントＴＦＴ２２
３のドレインには、ＩＴＯ（Indium Tin ０xide ）膜等
からなる画素電極１４１が接続されており（図２参
照）、画素電極１４１に対して有機ＥＬ素子２２４を介
してＣａ（カルシウム）とＡ１（アルミニウム）との積
層膜等からなる透明の対向電極が対向配置されている。
この対向電極は、例えば接地されているかあるいは所定
電位の負電源（又は正電源）に接続されている。
は、第２薄膜トランジスタの一例としてのスイッチング
ＴＦＴ２２１、スイッチングＴＦＴ２２１に制御されて
各画素への電流を制御する第１薄膜トランジスタの一例
としてのＴＦＴ（以下、カレントＴＦＴと称す）２２
３、有機ＥＬ素子２２４及び保持容量２２２からなる画
素回路が設けられている。さらに、カレントＴＦＴ２２
３のドレインには、ＩＴＯ（Indium Tin ０xide ）膜等
からなる画素電極１４１が接続されており（図２参
照）、画素電極１４１に対して有機ＥＬ素子２２４を介
してＣａ（カルシウム）とＡ１（アルミニウム）との積
層膜等からなる透明の対向電極が対向配置されている。
この対向電極は、例えば接地されているかあるいは所定
電位の負電源（又は正電源）に接続されている。
【００２２】以上のように構成されているため、一画素
における発光動作は、以下のように行われる。すなわ
ち、走査線駆動回路１１から走査線１３１への走査信号
の出力があり且つ信号線駆動回路１２から信号線１３２
にデータ信号が供給された際に、これらの走査線１３１
及び信号線１３２に対応する画素１０におけるスイッチ
ングＴＦＴ２２１がオンとなり、信号線１３２に供給さ
れるデータ信号の電圧（Ｖｓｉｇ）がカレントＴＦＴ２
２３のゲートに印加される。これにより、ゲート電圧に
応じた駆動電流（Ｉｄ）が共通線駆動回路１３から共通
線１３３を介してカレントＴＦＴ２２３のドレイン・ソ
ース間に流れ、さらに画素電極１４１（図２参照）を介
して有機ＥＬ素子２２４から対向電極へと流れて、有機
ＥＬ素子２２４が発光する。そして、スイッチングＴＦ
Ｔ２ ２ １がオンの間に保持容量２２２に充電 一され
た電荷が、スイッチングＴＦＴ２２１がオフとなった後
に放電されて、この有機ＥＬ素子２２４を流れる電流は
スイッチングＴＦＴ２２１がオフとなった後にも所定期
間に亘り流れ続ける。
における発光動作は、以下のように行われる。すなわ
ち、走査線駆動回路１１から走査線１３１への走査信号
の出力があり且つ信号線駆動回路１２から信号線１３２
にデータ信号が供給された際に、これらの走査線１３１
及び信号線１３２に対応する画素１０におけるスイッチ
ングＴＦＴ２２１がオンとなり、信号線１３２に供給さ
れるデータ信号の電圧（Ｖｓｉｇ）がカレントＴＦＴ２
２３のゲートに印加される。これにより、ゲート電圧に
応じた駆動電流（Ｉｄ）が共通線駆動回路１３から共通
線１３３を介してカレントＴＦＴ２２３のドレイン・ソ
ース間に流れ、さらに画素電極１４１（図２参照）を介
して有機ＥＬ素子２２４から対向電極へと流れて、有機
ＥＬ素子２２４が発光する。そして、スイッチングＴＦ
Ｔ２ ２ １がオンの間に保持容量２２２に充電 一され
た電荷が、スイッチングＴＦＴ２２１がオフとなった後
に放電されて、この有機ＥＬ素子２２４を流れる電流は
スイッチングＴＦＴ２２１がオフとなった後にも所定期
間に亘り流れ続ける。
【００２３】なお、以下の各実施例では、電気光学装置
の各画素において電流駆動される電流駆動型発光素子は
有機ＥＬ素子とされているが、この有機ＥＬ素子に代え
て、その他の例えば、無機のエレクトロルミネッセンス
（以下、無機ＥＬ素子と称す）、無機ＬＥＤ（ライト・
エミッティング・ダイオード＝発光ダイオード）等の公
知の電流駆動型発光素子を用いて当該電気光学装置を構
成してもよい。また、各電流駆動型発光素子の駆動電流
を制御する駆動素子はカレントＴＦＴとされているが、
このカレントＴＦＴに代えて、その他の例えばＦＥＴ
（電界効果トランジスタ）、バイボーラトランジスタ等
の駆動素子を用いて当該電気光学装置を構成してもよ
い。電流駆動型発光素子や電流駆動用の駆動素子であれ
ば、駆動電流が流れるにつれて経時劣化が多少なりとも
生じるため、以下に説明する各実施例の効果が発揮され
る。ただし、経時劣化が特に顕著である有機ＥＬ素子２
２４及びカレントＴＦＴ２２３を用いて電気光学装置を
構成した場合に、以下に説明する各実施例の効果が有効
に発揮される。
の各画素において電流駆動される電流駆動型発光素子は
有機ＥＬ素子とされているが、この有機ＥＬ素子に代え
て、その他の例えば、無機のエレクトロルミネッセンス
（以下、無機ＥＬ素子と称す）、無機ＬＥＤ（ライト・
エミッティング・ダイオード＝発光ダイオード）等の公
知の電流駆動型発光素子を用いて当該電気光学装置を構
成してもよい。また、各電流駆動型発光素子の駆動電流
を制御する駆動素子はカレントＴＦＴとされているが、
このカレントＴＦＴに代えて、その他の例えばＦＥＴ
（電界効果トランジスタ）、バイボーラトランジスタ等
の駆動素子を用いて当該電気光学装置を構成してもよ
い。電流駆動型発光素子や電流駆動用の駆動素子であれ
ば、駆動電流が流れるにつれて経時劣化が多少なりとも
生じるため、以下に説明する各実施例の効果が発揮され
る。ただし、経時劣化が特に顕著である有機ＥＬ素子２
２４及びカレントＴＦＴ２２３を用いて電気光学装置を
構成した場合に、以下に説明する各実施例の効果が有効
に発揮される。
【００２４】以上説明した基本構成において、下記の第
１実施例〜第１３実施例に示した有機ＥＬ素子２２４や
カレントＴＦＴ２２３における経時劣化や特性のばらつ
きを適宜補正する回路や素子を付加することにより、表
示領域１５における画面輝度の低下や複数の画素１０間
における画面むらの発生を防止することが可能となる。
１実施例〜第１３実施例に示した有機ＥＬ素子２２４や
カレントＴＦＴ２２３における経時劣化や特性のばらつ
きを適宜補正する回路や素子を付加することにより、表
示領域１５における画面輝度の低下や複数の画素１０間
における画面むらの発生を防止することが可能となる。
【００２５】以下、各実施例について説明する。
（第１実施例）図３は、本発明の第１実施例に係るＴＦ
Ｔ−ＯＬＥＤを備えた電気光学装置のプロック図であ
る。本実施例では、共通電極駆動回路１３は、共通線１
３３（図１及び図２参照）に所定電位（例えば正電位）
の電源信号を供給する回路である。対向電極駆動回路１
４は、画素電極１４１（図２参照）に有機ＥＬ素子２２
４を挟んで対向配置された対向電極に対し、所定電位
（例えば、接地電位）の電源信号を供給する回路であ
る。
Ｔ−ＯＬＥＤを備えた電気光学装置のプロック図であ
る。本実施例では、共通電極駆動回路１３は、共通線１
３３（図１及び図２参照）に所定電位（例えば正電位）
の電源信号を供給する回路である。対向電極駆動回路１
４は、画素電極１４１（図２参照）に有機ＥＬ素子２２
４を挟んで対向配置された対向電極に対し、所定電位
（例えば、接地電位）の電源信号を供給する回路であ
る。
【００２６】本実施例では特に、有機ＥＬ素子２２４や
カレントＴＦＴ２２３の経時劣化による発光量の低下を
補正するために、受光素子からなる発光量測定器１８、
比較回路２１ａ、電圧制御回路２２ａ及びコントローラ
２３が設けられている。なお、これらの共通電極駆動回
路１３、対向電極駆動回路１４、電流量測定器１６、比
較回路２１ａ、電圧制御回路２２ａ及びコントローラ２
３のうち少なくとも一つは、図１に示したＴＦＴアレイ
基板１上に設けられてもよいし、あるいは、外部ＩＣと
して構成され、ＴＦＴアレイ基板１に対して外付けされ
てもよい。
カレントＴＦＴ２２３の経時劣化による発光量の低下を
補正するために、受光素子からなる発光量測定器１８、
比較回路２１ａ、電圧制御回路２２ａ及びコントローラ
２３が設けられている。なお、これらの共通電極駆動回
路１３、対向電極駆動回路１４、電流量測定器１６、比
較回路２１ａ、電圧制御回路２２ａ及びコントローラ２
３のうち少なくとも一つは、図１に示したＴＦＴアレイ
基板１上に設けられてもよいし、あるいは、外部ＩＣと
して構成され、ＴＦＴアレイ基板１に対して外付けされ
てもよい。
【００２７】発光量測定器１８は、発光した有機ＥＬ素
子２２４から発せられる光を検出する。比較回路２１ｂ
は、その測定発光量ＬＤと予め設定された基準発光量Ｌ
ref とを比較する。そして、この比較される発光量ＬＤ
と基準発光量Ｌref とを一致させるように、比較回路２
１ｂ、電圧制御回路２２ａ及びコントローラ２３によ
り、共通電極駆動回路１３の出力電圧（Ｖcom ）を調整
する。すなわち、共通電極駆動回路１３からの出力電圧
（Ｖcom ）に対して、測定発光量ＬＤが基準発光量Ｌre
f に近付くようにフィードバックが掛けられる。この結
果、仮にこのようなフィードバックを掛けなかった場合
に有機ＥＬ素子２２４やカレントＴＦＴ２２３の経時劣
化による有機ＥＬ素子２２４からの発光量の減少分は、
共通電極駆動回路１３の出力電圧（Ｖcom ）の増加によ
る電流の増加によって補正される。
子２２４から発せられる光を検出する。比較回路２１ｂ
は、その測定発光量ＬＤと予め設定された基準発光量Ｌ
ref とを比較する。そして、この比較される発光量ＬＤ
と基準発光量Ｌref とを一致させるように、比較回路２
１ｂ、電圧制御回路２２ａ及びコントローラ２３によ
り、共通電極駆動回路１３の出力電圧（Ｖcom ）を調整
する。すなわち、共通電極駆動回路１３からの出力電圧
（Ｖcom ）に対して、測定発光量ＬＤが基準発光量Ｌre
f に近付くようにフィードバックが掛けられる。この結
果、仮にこのようなフィードバックを掛けなかった場合
に有機ＥＬ素子２２４やカレントＴＦＴ２２３の経時劣
化による有機ＥＬ素子２２４からの発光量の減少分は、
共通電極駆動回路１３の出力電圧（Ｖcom ）の増加によ
る電流の増加によって補正される。
【００２８】このような本実施例による補正作用を図４
を参照して説明する。まず、本実施例の如き補正を行わ
ない場合について図４の上段を参照して説明する。この
場合、画像信号の階調レベルＤ１に対応して画素表示す
る際に電圧Ｖ１のデータ信号を信号線に供給すると、発
光量Ｌｄ１が得られるように電気光学装置における共通
電極電位、対向電極電位、データ信号の電源電位等が初
期設定されていたとする。その後、有機ＥＬ素子やカレ
ントＴＦＴが経時劣化すると、同じ電圧Ｖ１のデータ信
号を供給しても、有機ＥＬ素子からの発光量Ｌｄは減少
してしまう（ここで、減少後の発光量をＬｄ１’とす
る）。したがって、このままの諸電圧の設定状態で画像
表示を行うと、有機ＥＬ素子の発光量が少なくなり、そ
の明るさ（輝度）が低下してしまうのである。
を参照して説明する。まず、本実施例の如き補正を行わ
ない場合について図４の上段を参照して説明する。この
場合、画像信号の階調レベルＤ１に対応して画素表示す
る際に電圧Ｖ１のデータ信号を信号線に供給すると、発
光量Ｌｄ１が得られるように電気光学装置における共通
電極電位、対向電極電位、データ信号の電源電位等が初
期設定されていたとする。その後、有機ＥＬ素子やカレ
ントＴＦＴが経時劣化すると、同じ電圧Ｖ１のデータ信
号を供給しても、有機ＥＬ素子からの発光量Ｌｄは減少
してしまう（ここで、減少後の発光量をＬｄ１’とす
る）。したがって、このままの諸電圧の設定状態で画像
表示を行うと、有機ＥＬ素子の発光量が少なくなり、そ
の明るさ（輝度）が低下してしまうのである。
【００２９】次に、本実施例の如き補正を行う場合につ
いて図４の下段を参照して説明する。この場合には、有
機ＥＬ素子２２４やカレントＴＦＴ２２３が経時劣化し
ても、同じ階調レベルＤ１に対しては初期状態と同じ発
光量Ｌd１が得られるように、共通電極駆動回路１３か
らの出力電圧（Ｖcom ）が増加される。すなわち、共通
電極駆動回路１３からの出力電圧（Ｖcom ）を増加させ
ることにより、階調レベルＤ１の画像信号に対しては、
電圧Ｖ１よりも△Ｖ１だけ高い電圧Ｖ１’のデータ信号
が供給された時と同様の駆動電流が流れ、これにより初
期状態と同じ発光量Ｌd１が得られる。
いて図４の下段を参照して説明する。この場合には、有
機ＥＬ素子２２４やカレントＴＦＴ２２３が経時劣化し
ても、同じ階調レベルＤ１に対しては初期状態と同じ発
光量Ｌd１が得られるように、共通電極駆動回路１３か
らの出力電圧（Ｖcom ）が増加される。すなわち、共通
電極駆動回路１３からの出力電圧（Ｖcom ）を増加させ
ることにより、階調レベルＤ１の画像信号に対しては、
電圧Ｖ１よりも△Ｖ１だけ高い電圧Ｖ１’のデータ信号
が供給された時と同様の駆動電流が流れ、これにより初
期状態と同じ発光量Ｌd１が得られる。
【００３０】このように、有機ＥＬ素子２２４からの発
光量Ｌｄは、共通電極駆動回路１３の出力電圧（Ｖcom
）を上げることにより、画像信号に対する電流特性が
初期状態と同じになるように補正されるのである。した
がって、このような経時劣化に対する補正処理（すなわ
ち、共通電極駆動回路１３の出力電圧（Ｖcom ）の調整
処理）後に画像表示を行うと、有機ＥＬ素子２２４やカ
レントＴＦＴ２２３において顕著な経時劣化が発生して
いた場合にも、有機ＥＬ素子２２４の明るさ（輝度）の
低下を低減することができる。
光量Ｌｄは、共通電極駆動回路１３の出力電圧（Ｖcom
）を上げることにより、画像信号に対する電流特性が
初期状態と同じになるように補正されるのである。した
がって、このような経時劣化に対する補正処理（すなわ
ち、共通電極駆動回路１３の出力電圧（Ｖcom ）の調整
処理）後に画像表示を行うと、有機ＥＬ素子２２４やカ
レントＴＦＴ２２３において顕著な経時劣化が発生して
いた場合にも、有機ＥＬ素子２２４の明るさ（輝度）の
低下を低減することができる。
【００３１】以上のような補正処理は、表示動作と並行
してリアルタイムで行うことも可能である。ただし、経
時劣化の進行速度に鑑みれば、電気光学装置１００の表
示動作の間中常時行う必要性は低く、適当な期間をおい
て行えば十分である。そこで本実施例では、コントロー
ラ２３により、例えば表示期間に先立って電気光学装置
１００の主電源投入時や一定の期間毎に通常の表示動作
とは独立して、このような経時劣化に対する補正処理を
行い、一の補正処理から次の補正処理までの間は共通電
極駆動回路１３の出力電圧値（Ｖcom ）を最後に補正
（調整）された値に固定するように構成されている。こ
の構成によれば、補正処理により表示画像の画質に悪影
響を与えない利点や、電気光学装置１００における動作
速度やリフレッシュレートを低下させない利点が得られ
る。
してリアルタイムで行うことも可能である。ただし、経
時劣化の進行速度に鑑みれば、電気光学装置１００の表
示動作の間中常時行う必要性は低く、適当な期間をおい
て行えば十分である。そこで本実施例では、コントロー
ラ２３により、例えば表示期間に先立って電気光学装置
１００の主電源投入時や一定の期間毎に通常の表示動作
とは独立して、このような経時劣化に対する補正処理を
行い、一の補正処理から次の補正処理までの間は共通電
極駆動回路１３の出力電圧値（Ｖcom ）を最後に補正
（調整）された値に固定するように構成されている。こ
の構成によれば、補正処理により表示画像の画質に悪影
響を与えない利点や、電気光学装置１００における動作
速度やリフレッシュレートを低下させない利点が得られ
る。
【００３２】さらに本実施例では、コントローラ２３に
より、例えば、全ての有機ＥＬ素子２２４を最大限に発
光させるデータ信号を供給するなど、所定パターンの画
像表示を表示領域１５において行いつつ、このような電
圧制御回路２２ａ等による補正処理を行うように構成さ
れている。この構成により、精度よく電流量を測定する
ことができ、正確に経時劣化による影響を補正すること
が可能となる。
より、例えば、全ての有機ＥＬ素子２２４を最大限に発
光させるデータ信号を供給するなど、所定パターンの画
像表示を表示領域１５において行いつつ、このような電
圧制御回路２２ａ等による補正処理を行うように構成さ
れている。この構成により、精度よく電流量を測定する
ことができ、正確に経時劣化による影響を補正すること
が可能となる。
【００３３】以上の結果、本実施例によれば、有機ＥＬ
素子２２４からの発光量が低下する経時劣化が発生した
ときに、その経時劣化による発光量低下分を精度良く補
正し、画面輝度の低下を生じさせないようにすることが
可能となる。すなわち、カレントＴＦＴ２２３（図１及
び図２参照）におけるゲート電圧に対するドレイン電流
（駆動電流）量が低下する経時劣化、有機ＥＬ素子２２
４における電圧に対する電流量が低下する経時劣化、有
機ＥＬ素子２２４における駆動電流に対する発光量が低
下する経時劣化などが発生し、最終的に有機ＥＬ素子２
２４における発光量が低下したときに、その経時劣化に
よる発光量低下分を有機ＥＬ素子２２４に印加される電
圧を増加することにより補正し、表示領域１５における
画面輝度の低下を防ぐことが可能となる。
素子２２４からの発光量が低下する経時劣化が発生した
ときに、その経時劣化による発光量低下分を精度良く補
正し、画面輝度の低下を生じさせないようにすることが
可能となる。すなわち、カレントＴＦＴ２２３（図１及
び図２参照）におけるゲート電圧に対するドレイン電流
（駆動電流）量が低下する経時劣化、有機ＥＬ素子２２
４における電圧に対する電流量が低下する経時劣化、有
機ＥＬ素子２２４における駆動電流に対する発光量が低
下する経時劣化などが発生し、最終的に有機ＥＬ素子２
２４における発光量が低下したときに、その経時劣化に
よる発光量低下分を有機ＥＬ素子２２４に印加される電
圧を増加することにより補正し、表示領域１５における
画面輝度の低下を防ぐことが可能となる。
【００３４】また、変形例として、このように測定され
た測定発光量ＬＤに対応して、走査線駆動回路１１、信
号線駆動回路１２又は対向電極駆動回路１４における出
力電圧を調整するように構成してもよいし、経時劣化に
対する補正を行う際の所定パターンは一種類でも複数種
類でもよい。特に、信号線駆動回路１２の出力電圧を調
整する変形例の場合には、コントローラ２３による制御
下で、複数の所定パターンについて測定発光量ＬＤをそ
れぞれ対応する基準発光量Ｌref に一致させるようにデ
ータ信号の電圧Ｖsig を調整することにより、経時劣化
による電流電圧特性の複雑な変化にも対処可能となる。
た測定発光量ＬＤに対応して、走査線駆動回路１１、信
号線駆動回路１２又は対向電極駆動回路１４における出
力電圧を調整するように構成してもよいし、経時劣化に
対する補正を行う際の所定パターンは一種類でも複数種
類でもよい。特に、信号線駆動回路１２の出力電圧を調
整する変形例の場合には、コントローラ２３による制御
下で、複数の所定パターンについて測定発光量ＬＤをそ
れぞれ対応する基準発光量Ｌref に一致させるようにデ
ータ信号の電圧Ｖsig を調整することにより、経時劣化
による電流電圧特性の複雑な変化にも対処可能となる。
【００３５】（第２実施例）図５は、本発明の第２実施
例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを備えた電気光学装置のブロ
ック図である。図５において、図３に示した第１実施例
と同じ構成要素には同じ参照符号を付し、その説明は省
略する。本実施例では、表示領域１５に隣接して設けら
れた発光モニタ領域１９内のモニタ用有機ＥＬ素子１９
ａに対し共通電極及び対向電極間の電圧が印加されてお
り、表示期間には、表示用の有機ＥＬ素子２２４（図１
参照）とほぼ同じ条件で、モニタ用有機ＥＬ素子１９ａ
は電流駆動される。そして、経時劣化に対する補正を行
う際には、発光量測定器（受光素子）１８は、モニタ用
有機ＥＬ素子１９ａの発光を測定する。この発光量測定
器１８による発光の測定値である測定発光量ＬＤを基準
発光量Ｌref に一致させるように、比較回路２１ｂ、電
圧制御回路２２ａ及びコントローラ２３により、共通電
極駆動回路１３の出力電圧を調整するように構成されて
いる。その他の構成については、第１実施例の場合と同
様である。
例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを備えた電気光学装置のブロ
ック図である。図５において、図３に示した第１実施例
と同じ構成要素には同じ参照符号を付し、その説明は省
略する。本実施例では、表示領域１５に隣接して設けら
れた発光モニタ領域１９内のモニタ用有機ＥＬ素子１９
ａに対し共通電極及び対向電極間の電圧が印加されてお
り、表示期間には、表示用の有機ＥＬ素子２２４（図１
参照）とほぼ同じ条件で、モニタ用有機ＥＬ素子１９ａ
は電流駆動される。そして、経時劣化に対する補正を行
う際には、発光量測定器（受光素子）１８は、モニタ用
有機ＥＬ素子１９ａの発光を測定する。この発光量測定
器１８による発光の測定値である測定発光量ＬＤを基準
発光量Ｌref に一致させるように、比較回路２１ｂ、電
圧制御回路２２ａ及びコントローラ２３により、共通電
極駆動回路１３の出力電圧を調整するように構成されて
いる。その他の構成については、第１実施例の場合と同
様である。
【００３６】以上のように構成された第２実施例によれ
ば、第１実施例の場合と同様に、カレントＴＦＴ２２３
（図１及び図２参照）や有機ＥＬ素子２２４における電
圧に対する電流量が低下する経時劣化、有機ＥＬ素子２
２４における駆動電流に対する発光量が低下する経時劣
化などが発生し、最終的に有機ＥＬ素子２２４における
発光量が低下したときに、その発光量低下分を補正し、
表示領域１５における画面輝度の低下を防ぐことが可能
となる。また第２実施例においても、第１実施例の場合
と同様に、経時劣化に対する補正は、例えば表示期間に
先立って電気光学装置１００の主電源投入時や一定の期
間毎に行ってもよいし、リアルタイムで行ってもよい。
さらに、変形例として、このように測定された測定発光
量ＬＤに対応して、走査線駆動回路１１、信号線駆動回
路１２又は対向電極駆動回路１４における出力電圧を調
整するように構成してもよいし、経時劣化に対する補正
を行う際の所定パターンは一種類でも複数種類でもよ
い。特に、信号線駆動回路１２の出力電圧を調整する変
形例の場合には、コントローラ２３による制御下で、複
数の所定パターンについて測定発光量ＬＤをそれぞれ対
応する基準発光量Ｌref に一致させるようにデータ信号
の電圧Ｖsig を調整することにより、経時劣化による電
流電圧特性の複雑な変化にも対処可能となる。
ば、第１実施例の場合と同様に、カレントＴＦＴ２２３
（図１及び図２参照）や有機ＥＬ素子２２４における電
圧に対する電流量が低下する経時劣化、有機ＥＬ素子２
２４における駆動電流に対する発光量が低下する経時劣
化などが発生し、最終的に有機ＥＬ素子２２４における
発光量が低下したときに、その発光量低下分を補正し、
表示領域１５における画面輝度の低下を防ぐことが可能
となる。また第２実施例においても、第１実施例の場合
と同様に、経時劣化に対する補正は、例えば表示期間に
先立って電気光学装置１００の主電源投入時や一定の期
間毎に行ってもよいし、リアルタイムで行ってもよい。
さらに、変形例として、このように測定された測定発光
量ＬＤに対応して、走査線駆動回路１１、信号線駆動回
路１２又は対向電極駆動回路１４における出力電圧を調
整するように構成してもよいし、経時劣化に対する補正
を行う際の所定パターンは一種類でも複数種類でもよ
い。特に、信号線駆動回路１２の出力電圧を調整する変
形例の場合には、コントローラ２３による制御下で、複
数の所定パターンについて測定発光量ＬＤをそれぞれ対
応する基準発光量Ｌref に一致させるようにデータ信号
の電圧Ｖsig を調整することにより、経時劣化による電
流電圧特性の複雑な変化にも対処可能となる。
【００３７】なお、本実施例では特に、表示用の有機Ｅ
Ｌ素子２２４とモニタ用有機ＥＬ素子１９ａとは、同一
のＴＦＴアレイ基板１上に同一の製造工程により形成さ
れている。したがって、モニタ用ＥＬ素子１９ａを形成
するための工程を別途設ける必要が無い。しか，も、電
流駆動される表示用の有機ＥＬ素子２２４とモニタ用有
機ＥＬ素子１９ａとにおける経時劣化傾向は相類似した
ものにすることができ、モニタ用ＥＬ素子１９ａから発
せられる光に基づいて表示用の有機ＥＬ素子２２４にお
ける経時劣化に対する補正を正確に行うことが可能とな
る。
Ｌ素子２２４とモニタ用有機ＥＬ素子１９ａとは、同一
のＴＦＴアレイ基板１上に同一の製造工程により形成さ
れている。したがって、モニタ用ＥＬ素子１９ａを形成
するための工程を別途設ける必要が無い。しか，も、電
流駆動される表示用の有機ＥＬ素子２２４とモニタ用有
機ＥＬ素子１９ａとにおける経時劣化傾向は相類似した
ものにすることができ、モニタ用ＥＬ素子１９ａから発
せられる光に基づいて表示用の有機ＥＬ素子２２４にお
ける経時劣化に対する補正を正確に行うことが可能とな
る。
【００３８】（第３実施例）以下に説明する第３実施例
から第８実施例は、上述の第１実施例及び第２実施例の
場合とは異なり、各画素の単位で発生する有機ＥＬ素子
２２４やカレントＴＦＴ２２３における経時劣化による
有機ＥＬ素子２２４の発光量低下を、各画素の単位で補
正する画素回路に関するものである。なお、以下の第３
実施例から第８実施例では、複数の画素回路を画素毎に
備えてなる電気光学装置の構成は、図１に示したものと
同様であるので、その説明は省略する。図６は、本発明
の第３実施例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを含んで構成され
た画素回路の等価回路図である。なお、図６において、
図１の各画素１０内における回路図部分に示した構成要
素と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その
説明は省略する。
から第８実施例は、上述の第１実施例及び第２実施例の
場合とは異なり、各画素の単位で発生する有機ＥＬ素子
２２４やカレントＴＦＴ２２３における経時劣化による
有機ＥＬ素子２２４の発光量低下を、各画素の単位で補
正する画素回路に関するものである。なお、以下の第３
実施例から第８実施例では、複数の画素回路を画素毎に
備えてなる電気光学装置の構成は、図１に示したものと
同様であるので、その説明は省略する。図６は、本発明
の第３実施例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを含んで構成され
た画素回路の等価回路図である。なお、図６において、
図１の各画素１０内における回路図部分に示した構成要
素と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その
説明は省略する。
【００３９】図６において、本実施例の画素回路では、
有機ＥＬ素子２２４の両端の電圧と、これを流れる駆動
電流Ｉｄの電流量との関係に依存して、第１給電線２１
３と第２給電線間２１５の抵抗を変化させる。ここに、
第１給電線２１３とは、共通線駆動回路からの所定電位
の電源信号が供給される、画素電極に接続された各画素
内における共通線部分である。他方、第２給電線間２１
５とは、対向電極駆動回路からの所定電位の電源信号が
供給される、対向電極に接続された各画素内における給
電線部分である。より具体的には、第１給電線（共通電
極）２１３の電位が第２給電線（対向電極）２１５より
も高電位である（すなわち、共通電極に正電源が供給さ
れると共に対向電極に負電源が供給される）場合には、
図６に示した通りに、ｎチャネル型の第１の補正用ＴＦ
Ｔ２３１は、そのゲート電極が有機ＥＬ素子２２４の第
１給電線側の電極に接続されンソース電極及びドレイン
電極か有機ＥＬ素子２２４と第２給電線２１５間に有機
ＥＬ素子２２４と直列に接続されるように付加される。
この構成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加す
ると、第１の補正用ＴＦＴ２３１のゲート電圧が上昇
し、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少す
る。
有機ＥＬ素子２２４の両端の電圧と、これを流れる駆動
電流Ｉｄの電流量との関係に依存して、第１給電線２１
３と第２給電線間２１５の抵抗を変化させる。ここに、
第１給電線２１３とは、共通線駆動回路からの所定電位
の電源信号が供給される、画素電極に接続された各画素
内における共通線部分である。他方、第２給電線間２１
５とは、対向電極駆動回路からの所定電位の電源信号が
供給される、対向電極に接続された各画素内における給
電線部分である。より具体的には、第１給電線（共通電
極）２１３の電位が第２給電線（対向電極）２１５より
も高電位である（すなわち、共通電極に正電源が供給さ
れると共に対向電極に負電源が供給される）場合には、
図６に示した通りに、ｎチャネル型の第１の補正用ＴＦ
Ｔ２３１は、そのゲート電極が有機ＥＬ素子２２４の第
１給電線側の電極に接続されンソース電極及びドレイン
電極か有機ＥＬ素子２２４と第２給電線２１５間に有機
ＥＬ素子２２４と直列に接続されるように付加される。
この構成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加す
ると、第１の補正用ＴＦＴ２３１のゲート電圧が上昇
し、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少す
る。
【００４０】したがって、第３実施例によれば、経時劣
化により有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加しても、第１
の補正用ＴＦＴ２３１のソース及びドレイン間の抵抗減
少により、その有機ＥＬ素子２２４における抵抗増加に
よる駆動電流Ｉｄの電流量低下を補正し、画面輝度の低
下を低減することが可能となる。また、このような補正
は画素単位で行われるので、経時劣化が複数の画素間で
バラツキをもって発生したときに、あるいは初期状態に
おいて複数の画素間で電流電圧特性にバラツキが存在す
るときに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。
なお、第３実施例の変形例として、第１給電線２１３の
電位が第２給電線２１５よりも低電位である（すなわ
ち、共通電極に負電源が供給されると共に対向電極に正
電源が供給される）場合には、第１の補正用ＴＦＴ２３
１をｐチャネル型として、そのゲート電極を有機ＥＬ素
子２２４の第１給電線側の電極に接続し、ソース電極お
よびドレイン電極を有機ＥＬ素子２２４と第２給電線２
１５間に有機ＥＬ素子２２４と直列に接続するように構
成すればよい。この構成によれば、有機ＥＬ素子２２４
の抵抗が増加すると、第１の補正用ＴＦＴ２３１のゲー
ト電圧が下降し、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が
減少して、自動的に補正が行われる。本実施例では好ま
しくは、スイッチングＴＦＴ２２１、カレントＴＦＴ２
２３及び第１の補正用ＴＦＴ２３１は、同一のＴＦＴア
レイ基板上に同一の製造工程により形成されている。こ
の構成によれば、製造工程を増加させることなく、経時
劣化による駆動電流Ｉｄの低下を画素毎に補正すること
が可能となる。
化により有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加しても、第１
の補正用ＴＦＴ２３１のソース及びドレイン間の抵抗減
少により、その有機ＥＬ素子２２４における抵抗増加に
よる駆動電流Ｉｄの電流量低下を補正し、画面輝度の低
下を低減することが可能となる。また、このような補正
は画素単位で行われるので、経時劣化が複数の画素間で
バラツキをもって発生したときに、あるいは初期状態に
おいて複数の画素間で電流電圧特性にバラツキが存在す
るときに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。
なお、第３実施例の変形例として、第１給電線２１３の
電位が第２給電線２１５よりも低電位である（すなわ
ち、共通電極に負電源が供給されると共に対向電極に正
電源が供給される）場合には、第１の補正用ＴＦＴ２３
１をｐチャネル型として、そのゲート電極を有機ＥＬ素
子２２４の第１給電線側の電極に接続し、ソース電極お
よびドレイン電極を有機ＥＬ素子２２４と第２給電線２
１５間に有機ＥＬ素子２２４と直列に接続するように構
成すればよい。この構成によれば、有機ＥＬ素子２２４
の抵抗が増加すると、第１の補正用ＴＦＴ２３１のゲー
ト電圧が下降し、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が
減少して、自動的に補正が行われる。本実施例では好ま
しくは、スイッチングＴＦＴ２２１、カレントＴＦＴ２
２３及び第１の補正用ＴＦＴ２３１は、同一のＴＦＴア
レイ基板上に同一の製造工程により形成されている。こ
の構成によれば、製造工程を増加させることなく、経時
劣化による駆動電流Ｉｄの低下を画素毎に補正すること
が可能となる。
【００４１】（第４実施例）図７は、本発明の第４実施
例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを含んで構成された画素回路
の等価回路図である。なお、図４において、図１及び図
６に示した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符
号を付し、その説明は省略する。図７において、本実施
例の画素回路では、有機ＥＬ素子２２４の両端の電圧
と、これを流れる駆動電流Ｉｄの電流量との関係に依存
して、第１給電線２１３と第２給電線間２１５の抵抗を
変化させる。より具体的には、第１給電線２１３の電位
が第２給電線２１５よりも高電位である場合には、図１
２に示した通りに、ｐチャネル型の第２の補正用ＴＦＴ
２３２は、そのゲート電極が有機ＥＬ素子２２１の第２
給電線側の電極に接続され、ソース電極およびドレイン
電極が有機ＥＬ素子２２４と第１給電線間に有機ＥＬ素
子２２４と直列に接続されるように付加される。この構
成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加すると、
第２の補正用ＴＦＴ２３２のゲート電圧が下降し、その
ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。
例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを含んで構成された画素回路
の等価回路図である。なお、図４において、図１及び図
６に示した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符
号を付し、その説明は省略する。図７において、本実施
例の画素回路では、有機ＥＬ素子２２４の両端の電圧
と、これを流れる駆動電流Ｉｄの電流量との関係に依存
して、第１給電線２１３と第２給電線間２１５の抵抗を
変化させる。より具体的には、第１給電線２１３の電位
が第２給電線２１５よりも高電位である場合には、図１
２に示した通りに、ｐチャネル型の第２の補正用ＴＦＴ
２３２は、そのゲート電極が有機ＥＬ素子２２１の第２
給電線側の電極に接続され、ソース電極およびドレイン
電極が有機ＥＬ素子２２４と第１給電線間に有機ＥＬ素
子２２４と直列に接続されるように付加される。この構
成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加すると、
第２の補正用ＴＦＴ２３２のゲート電圧が下降し、その
ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。
【００４２】したがって、第４実施例によれば、経時劣
化により有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加しても、第２
の補正用ＴＦＴ２３２のソース及びドレイン間の抵抗減
少により、その有機ＥＬ素子２２４における抵抗増加に
よる駆動電流Ｉｄの電流量低下を補正し、画面輝度の低
下を低減することが可能となる。また、このような補正
は画素単位で行われるので、経時劣化が複数の画素間で
バラツキをもって発生したときに、あるいは初期状態に
おいて複数の画素間で電流電圧特性にパラツキが存在す
るときに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。
なお、第４実施例の変形例として、第１給電線２１３の
電位が第２給電線２１５よりも低電位である場合には、
第２の補正用ＴＦＴ２３２をｎチャネル型ＴＦＴとし
て、そのゲート電極を有機ＥＬ素子２２４の第２給電線
側の電極に接続し、ソース電極およびドレイン電極を有
機ＥＬ素子２２４と第１給電線間に有機ＥＬ素子２２４
と直列に接続するように構成すればよい。この構成によ
れば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加すると、第２の
補正用ＴＦＴ２３２のゲート電圧が上昇し、ソース電極
とドレイン電極間の抵抗が減少して、自動的に補正が行
われる。本実施例では好ましくは、スイツチングＴＦＴ
２２１、カレントＴＦＴ２２３及び第２の補正用ＴＦＴ
２３２は、同一のＴＦＴアレイ基板上に同一の製造工程
により形成されている。この構成によれば、製造工程を
増加させることなく、経時劣化による駆動電流Ｉｄの低
下を画素毎に補正することが可能となる。
化により有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加しても、第２
の補正用ＴＦＴ２３２のソース及びドレイン間の抵抗減
少により、その有機ＥＬ素子２２４における抵抗増加に
よる駆動電流Ｉｄの電流量低下を補正し、画面輝度の低
下を低減することが可能となる。また、このような補正
は画素単位で行われるので、経時劣化が複数の画素間で
バラツキをもって発生したときに、あるいは初期状態に
おいて複数の画素間で電流電圧特性にパラツキが存在す
るときに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。
なお、第４実施例の変形例として、第１給電線２１３の
電位が第２給電線２１５よりも低電位である場合には、
第２の補正用ＴＦＴ２３２をｎチャネル型ＴＦＴとし
て、そのゲート電極を有機ＥＬ素子２２４の第２給電線
側の電極に接続し、ソース電極およびドレイン電極を有
機ＥＬ素子２２４と第１給電線間に有機ＥＬ素子２２４
と直列に接続するように構成すればよい。この構成によ
れば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加すると、第２の
補正用ＴＦＴ２３２のゲート電圧が上昇し、ソース電極
とドレイン電極間の抵抗が減少して、自動的に補正が行
われる。本実施例では好ましくは、スイツチングＴＦＴ
２２１、カレントＴＦＴ２２３及び第２の補正用ＴＦＴ
２３２は、同一のＴＦＴアレイ基板上に同一の製造工程
により形成されている。この構成によれば、製造工程を
増加させることなく、経時劣化による駆動電流Ｉｄの低
下を画素毎に補正することが可能となる。
【００４３】（第５実施例）図８は、本発明の第５実施
例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを含んで構成された画素回路
の等価回路図である。なお、図８において、図１及び図
６に示した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符
号を付し、その説明は省略する。図８において、本実施
例の画素回路では、有機ＥＬ素子２２４の両端の電圧
と、これを流れる駆動電流Ｉｄの電流量との関係に依存
して、保持容量２２２と第１給電線２１３間の抵抗を変
化させる。より具体的には、第１給電線２１３の電位が
第２給電線２１５よりも高電位である場合には、図８に
示した通りに、カレントＴＦＴ２２３と同じｎチャネル
型の第３の補正用ＴＦＴ２３３は、そのゲート電極が有
機ＥＬ素子２２４の第１給電線側の電極に接続され、ソ
ース電極およびドレイン電極を保持容量２２２と第１給
電線２１３間に接続されるように付加されている。この
構成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加する
と、第３の補正用ＴＦＴ２３３のゲート電諏が上昇し
て、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少す
る。このため、カレントＴＦＴ２２３のゲート電圧が上
昇して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少
する。
例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを含んで構成された画素回路
の等価回路図である。なお、図８において、図１及び図
６に示した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符
号を付し、その説明は省略する。図８において、本実施
例の画素回路では、有機ＥＬ素子２２４の両端の電圧
と、これを流れる駆動電流Ｉｄの電流量との関係に依存
して、保持容量２２２と第１給電線２１３間の抵抗を変
化させる。より具体的には、第１給電線２１３の電位が
第２給電線２１５よりも高電位である場合には、図８に
示した通りに、カレントＴＦＴ２２３と同じｎチャネル
型の第３の補正用ＴＦＴ２３３は、そのゲート電極が有
機ＥＬ素子２２４の第１給電線側の電極に接続され、ソ
ース電極およびドレイン電極を保持容量２２２と第１給
電線２１３間に接続されるように付加されている。この
構成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加する
と、第３の補正用ＴＦＴ２３３のゲート電諏が上昇し
て、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少す
る。このため、カレントＴＦＴ２２３のゲート電圧が上
昇して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少
する。
【００４４】したがって、第５実施例によれば、経時劣
化により有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加しても、第３
の補正用ＴＦＴ２３３のソース及びドレイン間の抵抗減
少により、その有機ＥＬ素子２２４における抵抗増加に
よる駆動電流Ｉｄの電流量低下を補正し、画面輝度の低
下を低減することが可能となる。また、このような補正
は画素単位で行われるので、経時劣化が複数の画素間で
バラツキをもって発生したときに、あるいは初期状態に
おいて複数の画素間で電流電圧特性にバラツキが存在す
るときに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。
なお、第５実施例の一変形例として、第１給電線２１３
の電位が第２給電線よりも高電位である場合に、カレン
トＴＦＴ２２３をｐチャネル型とし、第３の補正用ＴＦ
Ｔ２３３をｐチャネル型とすると共にそのゲート電極を
有機ＥＬ素子２２４の第１給電線側の電極に接続し、ソ
ース電極およびドレイン電極を保持容量２２２と第１給
電線２１３間に接続するように構成してもよい。この構
成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加すると、
第３の補正用ＴＦＴ２３３のゲート電圧が上昇して、そ
のソース電極とドレイン電極間の抵抗が増加する。この
ため、レントＴＦＴ２２３のゲート電圧が下降し、その
ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少して、自動的
に補正が行われる。
化により有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加しても、第３
の補正用ＴＦＴ２３３のソース及びドレイン間の抵抗減
少により、その有機ＥＬ素子２２４における抵抗増加に
よる駆動電流Ｉｄの電流量低下を補正し、画面輝度の低
下を低減することが可能となる。また、このような補正
は画素単位で行われるので、経時劣化が複数の画素間で
バラツキをもって発生したときに、あるいは初期状態に
おいて複数の画素間で電流電圧特性にバラツキが存在す
るときに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。
なお、第５実施例の一変形例として、第１給電線２１３
の電位が第２給電線よりも高電位である場合に、カレン
トＴＦＴ２２３をｐチャネル型とし、第３の補正用ＴＦ
Ｔ２３３をｐチャネル型とすると共にそのゲート電極を
有機ＥＬ素子２２４の第１給電線側の電極に接続し、ソ
ース電極およびドレイン電極を保持容量２２２と第１給
電線２１３間に接続するように構成してもよい。この構
成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加すると、
第３の補正用ＴＦＴ２３３のゲート電圧が上昇して、そ
のソース電極とドレイン電極間の抵抗が増加する。この
ため、レントＴＦＴ２２３のゲート電圧が下降し、その
ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少して、自動的
に補正が行われる。
【００４５】また、第５実施例の他の変形例として、第
１給電線２１３の電位が第２給電線２１５よりも低電位
である場合には、カレントＴＦＴ２２３をｎチャネル型
とし、第３の補正用ＴＦＴ２３３をｎチャネル型とする
と共にそのゲート電極を有機ＥＬ素子２２４の第１給電
線側の電極に接続し、ソース電極およびドレイン電極を
保持容量２２２と第１給電線２１３間に接続するように
構成してもよい。この構成によれば、有機ＥＬ素子２２
４の抵抗が増加すると、第３の補正用ＴＦＴ２３３のゲ
ート電圧が下降して、そのソース電極とドレイン電極間
の抵抗が増加する。このため、カレントＴＦＴ２２３の
ゲート電圧が上昇し、そのソース電極とドレイン電極間
の抵抗が減少して、自動的に補正が行われる。さらにま
た、第７実施例の他の変形例として、第１給電線２１３
の電位が第２給電線２１５よりも低電位で場合に、カレ
ントＴＦＴ２２３をｐチャネル型とし、第３の補正用Ｔ
ＦＴ２３３をｐチャネル型とすると共にそのゲート電極
を有機ＥＬ素子２２４の第１給電線側の電極に接続し、
ソース電極およびドレイン電極を保持容量２２２と第１
給電線２１３間に接続するように構成してもよい。この
構成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加する
と、第３の補正用ＴＦＴ２３３のゲート電圧が下降し
て、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少す
る。このため、カレントＴＦＴ２２３のゲート電圧が下
降して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少
し、自動的に補正が行われる。本実施例では好ましく
は、スイッチングＴＦＴ２２１、カレントＴＦＴ２２３
及び第３の補正用ＴＦＴ２３３は、同一のＴＦＴアレイ
基板上に同一の製造工程により形成されている。この構
成によれば、製造工程を増加させることなく、経時劣化
による駆動電流Ｉｄの低下を画素毎に補正することが可
能となる。
１給電線２１３の電位が第２給電線２１５よりも低電位
である場合には、カレントＴＦＴ２２３をｎチャネル型
とし、第３の補正用ＴＦＴ２３３をｎチャネル型とする
と共にそのゲート電極を有機ＥＬ素子２２４の第１給電
線側の電極に接続し、ソース電極およびドレイン電極を
保持容量２２２と第１給電線２１３間に接続するように
構成してもよい。この構成によれば、有機ＥＬ素子２２
４の抵抗が増加すると、第３の補正用ＴＦＴ２３３のゲ
ート電圧が下降して、そのソース電極とドレイン電極間
の抵抗が増加する。このため、カレントＴＦＴ２２３の
ゲート電圧が上昇し、そのソース電極とドレイン電極間
の抵抗が減少して、自動的に補正が行われる。さらにま
た、第７実施例の他の変形例として、第１給電線２１３
の電位が第２給電線２１５よりも低電位で場合に、カレ
ントＴＦＴ２２３をｐチャネル型とし、第３の補正用Ｔ
ＦＴ２３３をｐチャネル型とすると共にそのゲート電極
を有機ＥＬ素子２２４の第１給電線側の電極に接続し、
ソース電極およびドレイン電極を保持容量２２２と第１
給電線２１３間に接続するように構成してもよい。この
構成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加する
と、第３の補正用ＴＦＴ２３３のゲート電圧が下降し
て、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少す
る。このため、カレントＴＦＴ２２３のゲート電圧が下
降して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少
し、自動的に補正が行われる。本実施例では好ましく
は、スイッチングＴＦＴ２２１、カレントＴＦＴ２２３
及び第３の補正用ＴＦＴ２３３は、同一のＴＦＴアレイ
基板上に同一の製造工程により形成されている。この構
成によれば、製造工程を増加させることなく、経時劣化
による駆動電流Ｉｄの低下を画素毎に補正することが可
能となる。
【００４６】（第６実施例）図９は、本発明の第８実施
例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを含んで構成された画素回路
の等価回路図である。なお、図９において、図１及び図
６に示した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符
号を付し、その説明は省略する。図９において、本実施
例の画素回路では、有機ＥＬ素子２２４の両端の電圧
と、これを流れる駆動電流Ｉｄの電流量との関係に依存
して、保持容量２２２と第２給電線２１５間の抵抗を変
化させる。より具体的には、第１給電線２１３の電位が
第２給電線２１５よりも高電位である場合には、図９に
示した通りに、ｎチャネル型のＴＦＴ２２３に対して、
ｐチャネル型の第４の補正用ＴＦＴ２３４は、そのゲー
ト電極が有機ＥＬ素子２２４の第１給電線側の電極に接
続され、ソース電極およびドレイン電極が保持容量２２
２と第２給電線２１５間に接続されるように付加されて
いる。この構成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が
増加すると、第４の補正用ＴＦＴ２３４のゲート電圧が
上昇して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が増
加する。このため、カレントＴＦＴ２２３のゲート電圧
が上昇して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が
減少する。
例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを含んで構成された画素回路
の等価回路図である。なお、図９において、図１及び図
６に示した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符
号を付し、その説明は省略する。図９において、本実施
例の画素回路では、有機ＥＬ素子２２４の両端の電圧
と、これを流れる駆動電流Ｉｄの電流量との関係に依存
して、保持容量２２２と第２給電線２１５間の抵抗を変
化させる。より具体的には、第１給電線２１３の電位が
第２給電線２１５よりも高電位である場合には、図９に
示した通りに、ｎチャネル型のＴＦＴ２２３に対して、
ｐチャネル型の第４の補正用ＴＦＴ２３４は、そのゲー
ト電極が有機ＥＬ素子２２４の第１給電線側の電極に接
続され、ソース電極およびドレイン電極が保持容量２２
２と第２給電線２１５間に接続されるように付加されて
いる。この構成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が
増加すると、第４の補正用ＴＦＴ２３４のゲート電圧が
上昇して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が増
加する。このため、カレントＴＦＴ２２３のゲート電圧
が上昇して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が
減少する。
【００４７】したがって、第６実施例によれば、経時劣
化により有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加しても、第４
の補正用ＴＦＴ２３４のソース及びドレイン間の抵抗増
加により、その有機ＥＬ素子２２４における抵抗増加に
よる駆動電流Ｉｄの電流量低下を補正し、画面輝度の低
下を低減することが可能となる。また、このような補正
は画素単位で行われるので、経時劣化が複数の画素間で
バラツキをもって発生したときに、あるいは初期状態に
おいて複数の画素間で電流電圧特性にバラツキが存在す
るときに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。
なお、第６実施例の一変形例として、第１給電線２１３
の電位が第２給電線２１５よりも高電位である場合に、
カレントＴＦＴ２２３をｐチャネル型とし、第４の補正
用ＴＦＴをｎチャネル型とすると共にそのゲート電極を
有機ＥＬ素子２２４の第１給電線側の電極に接続し、ソ
ース電極およびドレイン電極を保持容量２２２と第２給
電線２１５間に接続するように構成してもよい。この構
成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加すると、
第４の補正用ＴＦＴ２３４のゲート電圧が上昇して、ソ
ース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。このた
め、カレントＴＦＴ２２３のゲート電圧が下降して、ソ
ース電極とドレイン電極間の抵抗が減少し、自動的に補
正が行われる。
化により有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加しても、第４
の補正用ＴＦＴ２３４のソース及びドレイン間の抵抗増
加により、その有機ＥＬ素子２２４における抵抗増加に
よる駆動電流Ｉｄの電流量低下を補正し、画面輝度の低
下を低減することが可能となる。また、このような補正
は画素単位で行われるので、経時劣化が複数の画素間で
バラツキをもって発生したときに、あるいは初期状態に
おいて複数の画素間で電流電圧特性にバラツキが存在す
るときに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。
なお、第６実施例の一変形例として、第１給電線２１３
の電位が第２給電線２１５よりも高電位である場合に、
カレントＴＦＴ２２３をｐチャネル型とし、第４の補正
用ＴＦＴをｎチャネル型とすると共にそのゲート電極を
有機ＥＬ素子２２４の第１給電線側の電極に接続し、ソ
ース電極およびドレイン電極を保持容量２２２と第２給
電線２１５間に接続するように構成してもよい。この構
成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加すると、
第４の補正用ＴＦＴ２３４のゲート電圧が上昇して、ソ
ース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。このた
め、カレントＴＦＴ２２３のゲート電圧が下降して、ソ
ース電極とドレイン電極間の抵抗が減少し、自動的に補
正が行われる。
【００４８】また、第６実施例の他の変形例として、第
１給電線２１３の電位が第２給電線２１５よりも低電位
である場合には、ｎチャネル型のカレントＴＦＴ２２３
に対して第４の補正用ＴＦＴをｐチャネル型とし、その
ゲート電極を有機ＥＬ素子２２４の第１給電線側の電極
に接続し、ソース電極およびドレイン電極を保持容量２
２２と第２給電線２１５間に接続するように構成しても
よい。この構成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が
増加すると、第４の補正用ＴＦＴ２３４のゲート電圧が
下降して、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少す
る。このため、カレントＴＦＴ２２３のゲート電圧が上
昇して、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少し、
自動的に補正が行われる。さらにまた、第６実施例の他
の変形例として、第１給電線２１３の電位が第２給電線
２１５よりも低電位である場合に、カレントＴＦＴ２２
３をｐチャネル型とし、第４の補正用ＴＦＴ２３４をｎ
チャネル型とすると共にそのゲート電極を有機ＥＬ素子
２２４の第１給電線側の電極に接続し、ソース電極およ
びドレイン電極を保持容量２２２と第２給電線２１５間
に接続するように構成してもよい。この構成によれば、
有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加すると、第４の補正用
ＴＦＴ２３４のゲート電圧が下降して、ソース電極とド
レイン電極間の抵抗が増加する。このため、カレントＴ
ＦＴ２２３のゲート電圧が下降して、ソース電極とドレ
イン電極間の抵抗が減少し、自動的に補正が行われる。
本実施例では好ましくは、スイッチングＴＦＴ２２１、
カレントＴＦＴ２２３及び第４の補正用ＴＦＴ２３４
は、同一のＴＦＴアレイ基板上に同一の製造工程により
形成されている。この構成によれば、製造工程を増加さ
せるこどなく、経時劣化による駆動電流Ｉｄの低下を画
素毎に補正することが可能となる。
１給電線２１３の電位が第２給電線２１５よりも低電位
である場合には、ｎチャネル型のカレントＴＦＴ２２３
に対して第４の補正用ＴＦＴをｐチャネル型とし、その
ゲート電極を有機ＥＬ素子２２４の第１給電線側の電極
に接続し、ソース電極およびドレイン電極を保持容量２
２２と第２給電線２１５間に接続するように構成しても
よい。この構成によれば、有機ＥＬ素子２２４の抵抗が
増加すると、第４の補正用ＴＦＴ２３４のゲート電圧が
下降して、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少す
る。このため、カレントＴＦＴ２２３のゲート電圧が上
昇して、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少し、
自動的に補正が行われる。さらにまた、第６実施例の他
の変形例として、第１給電線２１３の電位が第２給電線
２１５よりも低電位である場合に、カレントＴＦＴ２２
３をｐチャネル型とし、第４の補正用ＴＦＴ２３４をｎ
チャネル型とすると共にそのゲート電極を有機ＥＬ素子
２２４の第１給電線側の電極に接続し、ソース電極およ
びドレイン電極を保持容量２２２と第２給電線２１５間
に接続するように構成してもよい。この構成によれば、
有機ＥＬ素子２２４の抵抗が増加すると、第４の補正用
ＴＦＴ２３４のゲート電圧が下降して、ソース電極とド
レイン電極間の抵抗が増加する。このため、カレントＴ
ＦＴ２２３のゲート電圧が下降して、ソース電極とドレ
イン電極間の抵抗が減少し、自動的に補正が行われる。
本実施例では好ましくは、スイッチングＴＦＴ２２１、
カレントＴＦＴ２２３及び第４の補正用ＴＦＴ２３４
は、同一のＴＦＴアレイ基板上に同一の製造工程により
形成されている。この構成によれば、製造工程を増加さ
せるこどなく、経時劣化による駆動電流Ｉｄの低下を画
素毎に補正することが可能となる。
【００４９】（第７実施例）図１０は、本発明の第７実
施例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを含んで構成された画回路
の等価回路図である。なお、図１０において、図１及び
図６に示した構成要素と同様の構成要素には同様の参照
符号を絆し、その説明は省略する。図１０において、本
実施例の画素回路に備えられた第１の補正用薄膜フォト
ダイオード２４１には、光を照射すると、低抵抗になる
性質がある。本実施例では、有機ＥＬ素子２２４の両端
の電圧と発光量との関係に依存して、保持容量２２２と
第１給電線２１３間の抵抗を変化させる。より具体的に
は、第１給電線２１３の電位が第２給電線２１５よりも
高電位である場合には、図１０に示した通りに、ｐチャ
ネル型のカレントＴＦＴ２２３に対し、第１の補正用薄
膜フォトダイオード２４１は、保持容量２２２と第１給
電線２１３間に接続されている。この構成によれば、有
機ＥＬ素子２２４の発光が減少すると、第１の補正用薄
膜フォトダイオード２４１の抵抗が増加する。このた
め、カレントＴＦＴ２２３は、そのゲート電圧が降下し
て、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。
施例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを含んで構成された画回路
の等価回路図である。なお、図１０において、図１及び
図６に示した構成要素と同様の構成要素には同様の参照
符号を絆し、その説明は省略する。図１０において、本
実施例の画素回路に備えられた第１の補正用薄膜フォト
ダイオード２４１には、光を照射すると、低抵抗になる
性質がある。本実施例では、有機ＥＬ素子２２４の両端
の電圧と発光量との関係に依存して、保持容量２２２と
第１給電線２１３間の抵抗を変化させる。より具体的に
は、第１給電線２１３の電位が第２給電線２１５よりも
高電位である場合には、図１０に示した通りに、ｐチャ
ネル型のカレントＴＦＴ２２３に対し、第１の補正用薄
膜フォトダイオード２４１は、保持容量２２２と第１給
電線２１３間に接続されている。この構成によれば、有
機ＥＬ素子２２４の発光が減少すると、第１の補正用薄
膜フォトダイオード２４１の抵抗が増加する。このた
め、カレントＴＦＴ２２３は、そのゲート電圧が降下し
て、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。
【００５０】したがって、第７実施例によれば、経時劣
化により有機ＥＬ素子２２４の発光量が低下しても、第
１の補正用薄膜フォトダイオード２４１の抵抗増加によ
り、その有機ＥＬ素子２２４における発光量低下を補正
することが可能となる。また、このような補正は画素単
位で行われるので、経時劣化が複数の画素間でバラツキ
をもって発生したときに、あるいは初期状態において複
数の有機ＥＬ素子間で発光特性にバラツキが存在すると
きに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。な
お、第７実施例の一変形例として、第５の補正用ＴＦＴ
（図示せず）を、そのソース電極およびドレイン電極を
保持容量２２２と第１給電線２１３間に接続するように
設けてもよい。また、第７実施例の他の変形例として、
第１給電線２１３の電位が第２給電線２１５よりも低電
位である場合には、カレントＴＦＴ２２３をｎチャネル
型どし、第１の補正用薄膜フォトダイオード２４１を、
保持容量２２２と第１給電線２１３間に接続するように
構成すればよい。この場合さらに、第５の補正用ＴＦＴ
（図示せず）を、そのソース電極およびドレイン電極を
保持容量と第１給電線間に接続するように設けてもよ
い。この構成によれば、有機ＥＬ素子２２４の発光量が
減少すると、第１の補正用薄膜フォトダイオード２４１
の抵抗が増加し、さらにカレントＴＦＴ２２３のゲート
電圧が上昇してそのソース電極とドレイン電極間の抵抗
が減少し、自動的に補正が行われる。本実施例では好ま
しくは、スイッチングＴＦＴ２２１、カレントＴＦＴ２
２３及び第１の補正用薄膜フォトダイオード２４１は、
同一のＴＦＴアレイ基板上に同一の製造工程により形成
されている。この構成によれば、製造工程を増加させる
ことなく、経時劣化による駆動電流Ｉｄの低下を画素毎
に補正することが可能となる。
化により有機ＥＬ素子２２４の発光量が低下しても、第
１の補正用薄膜フォトダイオード２４１の抵抗増加によ
り、その有機ＥＬ素子２２４における発光量低下を補正
することが可能となる。また、このような補正は画素単
位で行われるので、経時劣化が複数の画素間でバラツキ
をもって発生したときに、あるいは初期状態において複
数の有機ＥＬ素子間で発光特性にバラツキが存在すると
きに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。な
お、第７実施例の一変形例として、第５の補正用ＴＦＴ
（図示せず）を、そのソース電極およびドレイン電極を
保持容量２２２と第１給電線２１３間に接続するように
設けてもよい。また、第７実施例の他の変形例として、
第１給電線２１３の電位が第２給電線２１５よりも低電
位である場合には、カレントＴＦＴ２２３をｎチャネル
型どし、第１の補正用薄膜フォトダイオード２４１を、
保持容量２２２と第１給電線２１３間に接続するように
構成すればよい。この場合さらに、第５の補正用ＴＦＴ
（図示せず）を、そのソース電極およびドレイン電極を
保持容量と第１給電線間に接続するように設けてもよ
い。この構成によれば、有機ＥＬ素子２２４の発光量が
減少すると、第１の補正用薄膜フォトダイオード２４１
の抵抗が増加し、さらにカレントＴＦＴ２２３のゲート
電圧が上昇してそのソース電極とドレイン電極間の抵抗
が減少し、自動的に補正が行われる。本実施例では好ま
しくは、スイッチングＴＦＴ２２１、カレントＴＦＴ２
２３及び第１の補正用薄膜フォトダイオード２４１は、
同一のＴＦＴアレイ基板上に同一の製造工程により形成
されている。この構成によれば、製造工程を増加させる
ことなく、経時劣化による駆動電流Ｉｄの低下を画素毎
に補正することが可能となる。
【００５１】（第８実施例）図１１は、本発明の第８実
施例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを含んで構成された画素回
路の等価回路図である。なお、図１１において、図１及
び図６に示した構成要素と同様の構成要素には、同様の
参照符号を付し、その説明は省略する。図１１におい
て、本実施例の画素回路に備えられた第２の補正用薄膜
フォトダイオード２４２には、光を照射すると、低抵抗
になる性質がある。本実施例では、有機ＥＬ素子２２４
の両端の電圧と発光量との関係に依存して、保持容量２
２２と第２給電線２１５間の抵抗を変化させる。より具
体的には、第１給電線２１３の電位が第２給電線２１５
よりも高電位である場合には、図１１に示した通りに、
ｎチャネル型のカレントＴＦＴ２２３に対し、第２の補
正用薄膜フォトダイオード２４２、が、保持容量２２２
と第２給電線２１５間に接続されている。この構成によ
れば、有機ＥＬ素子２２４の発光量が減少すると、第２
の補正用薄膜フォトダイオード２４２の抵抗が増加す
る。このため、カレントＴＦＴ２２３は、そのゲート電
圧が上昇され、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減
少する。
施例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを含んで構成された画素回
路の等価回路図である。なお、図１１において、図１及
び図６に示した構成要素と同様の構成要素には、同様の
参照符号を付し、その説明は省略する。図１１におい
て、本実施例の画素回路に備えられた第２の補正用薄膜
フォトダイオード２４２には、光を照射すると、低抵抗
になる性質がある。本実施例では、有機ＥＬ素子２２４
の両端の電圧と発光量との関係に依存して、保持容量２
２２と第２給電線２１５間の抵抗を変化させる。より具
体的には、第１給電線２１３の電位が第２給電線２１５
よりも高電位である場合には、図１１に示した通りに、
ｎチャネル型のカレントＴＦＴ２２３に対し、第２の補
正用薄膜フォトダイオード２４２、が、保持容量２２２
と第２給電線２１５間に接続されている。この構成によ
れば、有機ＥＬ素子２２４の発光量が減少すると、第２
の補正用薄膜フォトダイオード２４２の抵抗が増加す
る。このため、カレントＴＦＴ２２３は、そのゲート電
圧が上昇され、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減
少する。
【００５２】したがって、第８実施例によれば、経時劣
化により有機ＥＬ素子２２４の発光量が低下しても、第
２の補正用薄膜フォトダイオード２４２の抵抗増加によ
り、その有機ＥＬ素子２２４における発光量低下を補正
することが可能となる。また、このような補正は画素単
位で行われるので、経時劣化が複数の画素間でバラツキ
をもって発生したときに、あるいは初期状態において複
数の有機ＥＬ素子間で発光特性にバラツキが存在すると
きに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。な
お、第８実施例の一変形例として、第６の補正用ＴＦＴ
（図示せず）を、そのソース電極およびドレイン電極が
保持容量と第２給電線２１５間に接続されるように設け
てもよい。また、第８実施例の他の変形例として、第１
給電線２１３の電位が第２給電線２１５よりも低電位で
ある場合には、カレントＴＦＴ２２３をｐチャネル型と
し、第２の補正用薄膜フォトダイオード２４２を、保持
容量２２２と第２給電線２１５間に接続するように構成
すればよい。この場合さらに、第６の補正用ＴＦＴ（図
示せず）を、そのソース電極およびドレイン電極が保持
容量２２２と第２給電線２１５間に接続されように設け
てもよい。この構成によれば、有機ＥＬ素子２２４の発
光量が減少すると、第２の補正用薄膜フォトダイオード
２４２の抵抗が増加し、さらにカレントＴＦＴ２２３の
ゲート電圧が下降してそのソース電極とドレイン電極間
の抵抗が減少し、自動的に補正が行われる。本実施例で
は好ましくは、スイッチングＴＦＴ２２１、カレントＴ
ＦＴ２２３及び第２の補正用薄膜フォトダイオード２４
２は、同一のＴＦＴアレイ基板上に同一の製造工程によ
り形成されている。この構成によれば、製造工程を増加
させることなく、経時劣化による駆動電流Ｉｄの低下を
画素毎に補正することが可能となる。
化により有機ＥＬ素子２２４の発光量が低下しても、第
２の補正用薄膜フォトダイオード２４２の抵抗増加によ
り、その有機ＥＬ素子２２４における発光量低下を補正
することが可能となる。また、このような補正は画素単
位で行われるので、経時劣化が複数の画素間でバラツキ
をもって発生したときに、あるいは初期状態において複
数の有機ＥＬ素子間で発光特性にバラツキが存在すると
きに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。な
お、第８実施例の一変形例として、第６の補正用ＴＦＴ
（図示せず）を、そのソース電極およびドレイン電極が
保持容量と第２給電線２１５間に接続されるように設け
てもよい。また、第８実施例の他の変形例として、第１
給電線２１３の電位が第２給電線２１５よりも低電位で
ある場合には、カレントＴＦＴ２２３をｐチャネル型と
し、第２の補正用薄膜フォトダイオード２４２を、保持
容量２２２と第２給電線２１５間に接続するように構成
すればよい。この場合さらに、第６の補正用ＴＦＴ（図
示せず）を、そのソース電極およびドレイン電極が保持
容量２２２と第２給電線２１５間に接続されように設け
てもよい。この構成によれば、有機ＥＬ素子２２４の発
光量が減少すると、第２の補正用薄膜フォトダイオード
２４２の抵抗が増加し、さらにカレントＴＦＴ２２３の
ゲート電圧が下降してそのソース電極とドレイン電極間
の抵抗が減少し、自動的に補正が行われる。本実施例で
は好ましくは、スイッチングＴＦＴ２２１、カレントＴ
ＦＴ２２３及び第２の補正用薄膜フォトダイオード２４
２は、同一のＴＦＴアレイ基板上に同一の製造工程によ
り形成されている。この構成によれば、製造工程を増加
させることなく、経時劣化による駆動電流Ｉｄの低下を
画素毎に補正することが可能となる。
【００５３】（第９実施例）次に、本発明の第９実施例
を図１２及び図１３を参照して説明する。図１２は、第
９実施例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを備える電気光学装置
のブロック図であり、図１３は、この電気光学装置の各
画素に備えられる画素回路の断面図である。なお、図１
２において、表示領域１１５内には一画素のみについて
の回路を図記しているが、実際には各画素毎に同様の回
路が設けられている。
を図１２及び図１３を参照して説明する。図１２は、第
９実施例に係るＴＦＴ−ＯＬＥＤを備える電気光学装置
のブロック図であり、図１３は、この電気光学装置の各
画素に備えられる画素回路の断面図である。なお、図１
２において、表示領域１１５内には一画素のみについて
の回路を図記しているが、実際には各画素毎に同様の回
路が設けられている。
【００５４】図１２において、本実施例の電気光学装置
２００ｂは、走査線駆動回路１１、信号線駆動回路１
２、共通線１３３に一括して所定電位の電源信号を供給
する共通線電源２０５、電流測定回路１６”、フレーム
メモリ２０７及び劣化補正回路２０９を備えて構成され
ている。電気光学装置２００ｂは特に、共通線１３３に
一端が接続された発光量測定用の受光素子の一例として
のシリコンフォトダイオード１１０を各画素回路内に備
えており、各シリコンフォトダイオード１１０の他端に
は測定用電流をシリコンフォトダイオード１１０に流す
ための検光線１０４が信号線１３２及び共通線１３３と
平行に設けられている。そして、電気光学装置２００ｂ
はさらに、各検光線１０４を介して各画素におけるシリ
コンフォトダイオード１１０を駆動する検光線駆動回路
２０４を備えており、電流測定回路１６”は、検光線駆
動回路２０４により駆動されるシリコンフォトダイオー
ド１１０に流れる測定用電流を各画素１０毎に測定する
ように構成されている。
２００ｂは、走査線駆動回路１１、信号線駆動回路１
２、共通線１３３に一括して所定電位の電源信号を供給
する共通線電源２０５、電流測定回路１６”、フレーム
メモリ２０７及び劣化補正回路２０９を備えて構成され
ている。電気光学装置２００ｂは特に、共通線１３３に
一端が接続された発光量測定用の受光素子の一例として
のシリコンフォトダイオード１１０を各画素回路内に備
えており、各シリコンフォトダイオード１１０の他端に
は測定用電流をシリコンフォトダイオード１１０に流す
ための検光線１０４が信号線１３２及び共通線１３３と
平行に設けられている。そして、電気光学装置２００ｂ
はさらに、各検光線１０４を介して各画素におけるシリ
コンフォトダイオード１１０を駆動する検光線駆動回路
２０４を備えており、電流測定回路１６”は、検光線駆
動回路２０４により駆動されるシリコンフォトダイオー
ド１１０に流れる測定用電流を各画素１０毎に測定する
ように構成されている。
【００５５】なお、検光線駆動回路２０４、共通線電源
２０５、電流測定回路１６”、フレームメモリ２０７及
び劣化補正回路２０９の少なくとも一つは、中央に表示
領域１１５が設けられたＴＦＴアレイ基板上に形成され
てもよいし（図１参照）、あるいは、外部ＩＣとして構
成され、ＴＦＴアレイ基板に対して外付けされてもよ
い。
２０５、電流測定回路１６”、フレームメモリ２０７及
び劣化補正回路２０９の少なくとも一つは、中央に表示
領域１１５が設けられたＴＦＴアレイ基板上に形成され
てもよいし（図１参照）、あるいは、外部ＩＣとして構
成され、ＴＦＴアレイ基板に対して外付けされてもよ
い。
【００５６】本発明における受光素子は、ＰＮ接合を逆
バイアス状態下で使用し、光の励起によって発生する電
子−正孔対を電気信号として外部回路に取り出すことで
光信号を感知するものであり、逆バイアス電圧が検光線
１０４を介して検光線駆動回路２０４から供給されるよ
うに構成されている。この受光素子の一例であるシリコ
ンフォトダイオード１１０としては、特にｎ型シリコン
にアルミニウムを加えて合金化したものが好適に用いら
れる。このようにアルミニウムを加えて合金化したシリ
コンフォトダイオード１１０は、反射性に優れたものと
なることから、反射層として良好に機能するものとな
る。すなわち、シリコンフォトダイオード１１０は、図
１３に示すように、各画素１０において有機ＥＬ素子２
２４に対し画素電極１４１側に配置されている。これに
よって有機ＥＬ素子２２４から発せられ、透明な画素電
極１４１を透過しさらに層間絶縁膜２５１〜２５３を透
過してきた光は、シリコンフォトダイオード１１０に受
光されると同時に反射され、再度層間絶縁膜２５１〜２
５３及び画素電極１４１を透過し、有機ＥＬ素子２２
４、対向電極１０５を介して出射するようになってい
る。
バイアス状態下で使用し、光の励起によって発生する電
子−正孔対を電気信号として外部回路に取り出すことで
光信号を感知するものであり、逆バイアス電圧が検光線
１０４を介して検光線駆動回路２０４から供給されるよ
うに構成されている。この受光素子の一例であるシリコ
ンフォトダイオード１１０としては、特にｎ型シリコン
にアルミニウムを加えて合金化したものが好適に用いら
れる。このようにアルミニウムを加えて合金化したシリ
コンフォトダイオード１１０は、反射性に優れたものと
なることから、反射層として良好に機能するものとな
る。すなわち、シリコンフォトダイオード１１０は、図
１３に示すように、各画素１０において有機ＥＬ素子２
２４に対し画素電極１４１側に配置されている。これに
よって有機ＥＬ素子２２４から発せられ、透明な画素電
極１４１を透過しさらに層間絶縁膜２５１〜２５３を透
過してきた光は、シリコンフォトダイオード１１０に受
光されると同時に反射され、再度層間絶縁膜２５１〜２
５３及び画素電極１４１を透過し、有機ＥＬ素子２２
４、対向電極１０５を介して出射するようになってい
る。
【００５７】なお、シリコンフォトダイオード１１０
は、スイッチングＴＦＴ２２１及びカレントＴＦＴ２２
３の形成に対し、例えばパターニングなどにおいて同一
の工程でＴＦＴアレイ基板１上に形成されており、これ
によって製造工程の簡易化、効率化が図られている。ま
た、特にシリコンフォトダイオード１１０による反射性
を高めたい場合には、このシリコンフォトダイオード１
１０を、画素電極１４１により近い位置、例えば層間絶
縁膜２５３の上に形成するようにしてもよい。その場
合、例えば層間絶縁膜２５３に予め検光線１０４等の配
線を形成しておき、これに導通するようにしてシリコン
フォトダイオード１１０を形成するのが好ましい。ま
た、各ＴＦＴのゲートや走査線１３１は、Ｔａ等の金属
膜や低抵抗ポリシリコン膜から構成されており、信号線
１３２、共通線１３３及び検光線１０４は、Ａ１等の低
抵抗金属膜から構成されている。そして、カレントＴＦ
Ｔ２２３を介して駆動電流が、ＩＴＯ等からなる画素電
極１４１からＥＬ素子２２４を経て、対向電極１０５
（上電極）ヘと流れるように構成されている。
は、スイッチングＴＦＴ２２１及びカレントＴＦＴ２２
３の形成に対し、例えばパターニングなどにおいて同一
の工程でＴＦＴアレイ基板１上に形成されており、これ
によって製造工程の簡易化、効率化が図られている。ま
た、特にシリコンフォトダイオード１１０による反射性
を高めたい場合には、このシリコンフォトダイオード１
１０を、画素電極１４１により近い位置、例えば層間絶
縁膜２５３の上に形成するようにしてもよい。その場
合、例えば層間絶縁膜２５３に予め検光線１０４等の配
線を形成しておき、これに導通するようにしてシリコン
フォトダイオード１１０を形成するのが好ましい。ま
た、各ＴＦＴのゲートや走査線１３１は、Ｔａ等の金属
膜や低抵抗ポリシリコン膜から構成されており、信号線
１３２、共通線１３３及び検光線１０４は、Ａ１等の低
抵抗金属膜から構成されている。そして、カレントＴＦ
Ｔ２２３を介して駆動電流が、ＩＴＯ等からなる画素電
極１４１からＥＬ素子２２４を経て、対向電極１０５
（上電極）ヘと流れるように構成されている。
【００５８】対向電極１０５は、本実施例では透明材料
によって形成されており、透明材料として例えばＣａ
（カルシウム）とＡｌ（アルミニウム）の積層薄膜が好
適に用いられるが、ＩＴＯ等の透明材料も用いることが
できる。このように対向電極１０５を透明材料によって
形成することにより、電気光学装置２００ａの、図１３
における上側の面を表示面とすることができる。なお、
対向電極１０５側に受光素子（シリコンフォトダイオー
ド１１０）を配置し、これを反射層としても機能させる
ことにより、電気光学装置２００ａの、図１３における
下側の面を表示面とすることもできる。
によって形成されており、透明材料として例えばＣａ
（カルシウム）とＡｌ（アルミニウム）の積層薄膜が好
適に用いられるが、ＩＴＯ等の透明材料も用いることが
できる。このように対向電極１０５を透明材料によって
形成することにより、電気光学装置２００ａの、図１３
における上側の面を表示面とすることができる。なお、
対向電極１０５側に受光素子（シリコンフォトダイオー
ド１１０）を配置し、これを反射層としても機能させる
ことにより、電気光学装置２００ａの、図１３における
下側の面を表示面とすることもできる。
【００５９】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、経時劣化に対する補正処
理を行う際には、走査線駆動回路１１及び信号線駆動回
路１２から所定パターンを表示するための走査信号及び
データ信号を供給することにより、有機ＥＬ素子２２４
を発光させる。すると、有機ＥＬ素子２２４から発せら
れ光の一部は、透明な画素電極１４１を透過しさらに層
間絶縁膜２５１〜２５３を透過してシリコンフォトダイ
オード１１０に到達し、ここで受光されると同時に反射
され、再度層間絶縁膜２５１〜２５３及び画素電極１４
１を透過し、有機ＥＬ素子２２４、対向電極１０５を介
して出射する。
動作について説明する。まず、経時劣化に対する補正処
理を行う際には、走査線駆動回路１１及び信号線駆動回
路１２から所定パターンを表示するための走査信号及び
データ信号を供給することにより、有機ＥＬ素子２２４
を発光させる。すると、有機ＥＬ素子２２４から発せら
れ光の一部は、透明な画素電極１４１を透過しさらに層
間絶縁膜２５１〜２５３を透過してシリコンフォトダイ
オード１１０に到達し、ここで受光されると同時に反射
され、再度層間絶縁膜２５１〜２５３及び画素電極１４
１を透過し、有機ＥＬ素子２２４、対向電極１０５を介
して出射する。
【００６０】このとき、シリコンフォトダイオード１１
０には検光線１０４によって逆バイアスがかけられてい
るため、このシリコンフォトダイオード１１０では光励
起電流が発生し、検光線１０４を通じて検光線駆動回路
２０４に達する。検光線駆動回路２０４は、複数の伝送
スイッチ（図示せず）を備えており、シリコンフォトダ
イオード１１０への逆バイアス電源を検光線１０４から
シリコンフォトダイオード１１０へ順次供給し、測定用
電流を電流測定回路１６”に順次供給する。そして、電
流測定回路１６”では、このような測定用電流を各画素
１０について点順次で測定する。
０には検光線１０４によって逆バイアスがかけられてい
るため、このシリコンフォトダイオード１１０では光励
起電流が発生し、検光線１０４を通じて検光線駆動回路
２０４に達する。検光線駆動回路２０４は、複数の伝送
スイッチ（図示せず）を備えており、シリコンフォトダ
イオード１１０への逆バイアス電源を検光線１０４から
シリコンフォトダイオード１１０へ順次供給し、測定用
電流を電流測定回路１６”に順次供給する。そして、電
流測定回路１６”では、このような測定用電流を各画素
１０について点順次で測定する。
【００６１】具体的には、図１４に示すようにして、劣
化補正方法が行われる。すなわち、まず初期状態では、
図１４（ａ）に示すように、劣化補正回路２０９が補正
を行わないので、画像信号２０８の階調レベルＤ１、Ｄ
２、…、Ｄ６から信号変換曲線４０４にしたがって、信
号線駆動回路１２は、信号レベルＶ１、Ｖ２、…、Ｖ６
のデータ信号を出力する。このデータ信号が、信号線駆
動回路１２から、信号線１３２、スイツチングＴＦＴ２
２１及び保持容量２２２により、カレントＴＦＴ２２３
のゲート電極に印加される。この結果、カレントＴＦＴ
２２３のゲート電極に印加される電位と、有機ＥＬ素子
２２４の発光量との関係を示した発光特性曲線４０５に
対応して、有機ＥＬ素子２２４により発光レベルＬ１、
Ｌ２、…、Ｖ６の発光が得られる。なお、ここでは、信
号レベルＶｂがあるしきい値電圧を越えてから、有機Ｅ
Ｌ素子２２４が発光し始めることも考慮している。
化補正方法が行われる。すなわち、まず初期状態では、
図１４（ａ）に示すように、劣化補正回路２０９が補正
を行わないので、画像信号２０８の階調レベルＤ１、Ｄ
２、…、Ｄ６から信号変換曲線４０４にしたがって、信
号線駆動回路１２は、信号レベルＶ１、Ｖ２、…、Ｖ６
のデータ信号を出力する。このデータ信号が、信号線駆
動回路１２から、信号線１３２、スイツチングＴＦＴ２
２１及び保持容量２２２により、カレントＴＦＴ２２３
のゲート電極に印加される。この結果、カレントＴＦＴ
２２３のゲート電極に印加される電位と、有機ＥＬ素子
２２４の発光量との関係を示した発光特性曲線４０５に
対応して、有機ＥＬ素子２２４により発光レベルＬ１、
Ｌ２、…、Ｖ６の発光が得られる。なお、ここでは、信
号レベルＶｂがあるしきい値電圧を越えてから、有機Ｅ
Ｌ素子２２４が発光し始めることも考慮している。
【００６２】次に、有機ＥＬ素子２２４やカレントＴＦ
Ｔ２２３が劣化し、発光量が変化した状態では、図１４
（ｂ）に示すように、発光特性曲線４０５は変化する。
前述した補正処理における検光線駆動回路２０４、電流
測定回路１６”等を用いた発光量の測定により、この発
光特性曲線４０５が得られる。劣化補正回路２０９に
は、この発光特性曲線４０５に基づいて、適切な信号変
換曲線４０４が設定される。その後、通常の表示期間に
おいては、この信号変換曲線４０４を用いて、劣化補正
回路２０９により、階調レベルＤ１、Ｄ２、…、Ｄ６に
対して信号レベルＶ１、Ｖ２、…、Ｖ６の画像信号が信
号線駆動回路１２から出力されるように各階調レベルに
対する調整が施される。このため、各画素１０において
は、劣化後の発光特性曲線４０５にしたがって、劣化前
と同じ発光量が劣化後も得られることになる。なお、本
実施例では、有機ＥＬ素子２２４の発光に対するしきい
値電圧の劣化も考慮されている。
Ｔ２２３が劣化し、発光量が変化した状態では、図１４
（ｂ）に示すように、発光特性曲線４０５は変化する。
前述した補正処理における検光線駆動回路２０４、電流
測定回路１６”等を用いた発光量の測定により、この発
光特性曲線４０５が得られる。劣化補正回路２０９に
は、この発光特性曲線４０５に基づいて、適切な信号変
換曲線４０４が設定される。その後、通常の表示期間に
おいては、この信号変換曲線４０４を用いて、劣化補正
回路２０９により、階調レベルＤ１、Ｄ２、…、Ｄ６に
対して信号レベルＶ１、Ｖ２、…、Ｖ６の画像信号が信
号線駆動回路１２から出力されるように各階調レベルに
対する調整が施される。このため、各画素１０において
は、劣化後の発光特性曲線４０５にしたがって、劣化前
と同じ発光量が劣化後も得られることになる。なお、本
実施例では、有機ＥＬ素子２２４の発光に対するしきい
値電圧の劣化も考慮されている。
【００６３】以上のように第９実施例によれば、各画素
１０における有機ＥＬ素子２２４の発光量をシリコンフ
ォトダイオード１１０を用いて測定するので、劣化によ
る発光量低下を正確に補正することが可能となる。な
お、本実施例では、全ての画素１０に対して発光量の測
定を行い、その測定値をフレームメモリ２０７に記憶し
たが、いくつかの抜き取った画素１０に対して、あるい
は、まとまった画素ブロックに対して発光量の測定を行
い、その測定値を記憶してもよい。また、ここでは、全
ての画素１０に対して各々異なる補正量を施したが、適
当な処理の後に、まとまった画素ブロックやパネル全体
に対して補正してもよい。また、本実施例では、各駆動
回路内の各ＴＦＴ及び画素回路内の各ＴＦＴについて
は、例えば、６００℃以下の低温プロセスで形成された
多結晶シリコンＴＦＴとするのが好ましい。また、各有
機ＥＬ素子２２４については、例えばその発光層や正孔
注入層の形成を、液滴吐出プロセス（インクジェットプ
ロセス）によって行うのが好ましい。
１０における有機ＥＬ素子２２４の発光量をシリコンフ
ォトダイオード１１０を用いて測定するので、劣化によ
る発光量低下を正確に補正することが可能となる。な
お、本実施例では、全ての画素１０に対して発光量の測
定を行い、その測定値をフレームメモリ２０７に記憶し
たが、いくつかの抜き取った画素１０に対して、あるい
は、まとまった画素ブロックに対して発光量の測定を行
い、その測定値を記憶してもよい。また、ここでは、全
ての画素１０に対して各々異なる補正量を施したが、適
当な処理の後に、まとまった画素ブロックやパネル全体
に対して補正してもよい。また、本実施例では、各駆動
回路内の各ＴＦＴ及び画素回路内の各ＴＦＴについて
は、例えば、６００℃以下の低温プロセスで形成された
多結晶シリコンＴＦＴとするのが好ましい。また、各有
機ＥＬ素子２２４については、例えばその発光層や正孔
注入層の形成を、液滴吐出プロセス（インクジェットプ
ロセス）によって行うのが好ましい。
【００６４】（第１０実施例）図１５に、本発明の第１
０実施例のＴＦＴ−ＯＬＥＤを備えた電気光学装置にお
ける劣化補正方法を示す。第１０実施例の電気光学装置
のハードウエア構成は、第９実施例の場合と同様である
のでその説明は省略する。第１０実施例では、図１４を
用いて説明された、劣化補正回路２０９における発光量
測定により得られた発光特性曲線４０５に基づく信号変
換曲線４０４の設定方法が第９実施例の場合と異なる。
０実施例のＴＦＴ−ＯＬＥＤを備えた電気光学装置にお
ける劣化補正方法を示す。第１０実施例の電気光学装置
のハードウエア構成は、第９実施例の場合と同様である
のでその説明は省略する。第１０実施例では、図１４を
用いて説明された、劣化補正回路２０９における発光量
測定により得られた発光特性曲線４０５に基づく信号変
換曲線４０４の設定方法が第９実施例の場合と異なる。
【００６５】第１０実施例では、データ信号の電圧値の
調整が、ある既定の信号レベルから他の既定の信号レベ
ルヘと変換することにより行われる。すなわち、有機Ｅ
Ｌ素子２２４が劣化し発光量が低下した場合に対応する
図１５（ｂ）において、補正された後のデータ信号の信
号レベルＶ１、Ｖ２、…、Ｖ６を、信号線駆動回路１２
の電源等の制約により予め定められている離散化された
電位の中から選ぶことにより、発光特性曲線４０５に対
する信号変換曲線４０４を設定する。これにより、発光
量の線形性は損なわれるが、階調反転は起こっていない
ので、肉眼では良好な階調性が得られる。以上のように
第１０実施例によれば、信号線駆動回路１２において、
限られた種類の電位の電源を用いて、経時劣化による発
光量低下に対する補正を行うことが可能となる。
調整が、ある既定の信号レベルから他の既定の信号レベ
ルヘと変換することにより行われる。すなわち、有機Ｅ
Ｌ素子２２４が劣化し発光量が低下した場合に対応する
図１５（ｂ）において、補正された後のデータ信号の信
号レベルＶ１、Ｖ２、…、Ｖ６を、信号線駆動回路１２
の電源等の制約により予め定められている離散化された
電位の中から選ぶことにより、発光特性曲線４０５に対
する信号変換曲線４０４を設定する。これにより、発光
量の線形性は損なわれるが、階調反転は起こっていない
ので、肉眼では良好な階調性が得られる。以上のように
第１０実施例によれば、信号線駆動回路１２において、
限られた種類の電位の電源を用いて、経時劣化による発
光量低下に対する補正を行うことが可能となる。
【００６６】なお、以上の第１実施例から第１０実施例
では、スイッチングＴＦＴを備えて画素回路を構成した
が、例えば、駆動用ＴＦＴのゲートに走査信号を走査線
から直接供給すると共にデータ信号を駆動用ＴＦＴのソ
ースに信号線から直接供給することにより、データ信号
を駆動用ＴＦＴのソース及びドレインを介して有機ＥＬ
素子に供給して、有機ＥＬ素子を駆動するように構成し
てもよい。すなわち、この場合にも、各画素に設けられ
た有機ＥＬ素子や駆動用ＴＦＴにおける経時劣化による
駆動電流や発光量の低下を本発明により補正することが
可能となる。また、各画素回路に設けられたスイッチン
グＴＦＴは、そのゲートに印加する走査信号の電圧極性
を合わせさえすれば、ｎチャネル型ＴＦＴから構成して
もよいし、ｐチャネル型ＴＦＴから構成してもよい。
では、スイッチングＴＦＴを備えて画素回路を構成した
が、例えば、駆動用ＴＦＴのゲートに走査信号を走査線
から直接供給すると共にデータ信号を駆動用ＴＦＴのソ
ースに信号線から直接供給することにより、データ信号
を駆動用ＴＦＴのソース及びドレインを介して有機ＥＬ
素子に供給して、有機ＥＬ素子を駆動するように構成し
てもよい。すなわち、この場合にも、各画素に設けられ
た有機ＥＬ素子や駆動用ＴＦＴにおける経時劣化による
駆動電流や発光量の低下を本発明により補正することが
可能となる。また、各画素回路に設けられたスイッチン
グＴＦＴは、そのゲートに印加する走査信号の電圧極性
を合わせさえすれば、ｎチャネル型ＴＦＴから構成して
もよいし、ｐチャネル型ＴＦＴから構成してもよい。
【００６７】（電子機器）次に、以上各実施例において
詳細に説明した電気光学装置を備えた電子機器の実施例
について１６及び図１７を参照して説明する。まず、図
１６に、前記の電気光学装置を備えた電子機器の概略構
成を示す。図１６において、電子機器は、表示情報出力
源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１０
０４、表示パネル１００６、クロック発生回路１００８
並びに電源回路１０１０を備えて構成されている。前述
した各実施例における電気光学装置は、本実施例におけ
る表示パネル１００６及び駆動回路１００４に相当す
る。したがって、表示パネル１００６を構成するＴＦＴ
アレイ基板の上に、駆動回路１００４を搭載してもよ
く、さらに表示情報処理回路１００２等を搭載してもよ
い。あるいは、表示パネル１００６を搭載するＴＦＴア
レイ基板に対し駆動回路１００４を外付けして構成して
もよい。
詳細に説明した電気光学装置を備えた電子機器の実施例
について１６及び図１７を参照して説明する。まず、図
１６に、前記の電気光学装置を備えた電子機器の概略構
成を示す。図１６において、電子機器は、表示情報出力
源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１０
０４、表示パネル１００６、クロック発生回路１００８
並びに電源回路１０１０を備えて構成されている。前述
した各実施例における電気光学装置は、本実施例におけ
る表示パネル１００６及び駆動回路１００４に相当す
る。したがって、表示パネル１００６を構成するＴＦＴ
アレイ基板の上に、駆動回路１００４を搭載してもよ
く、さらに表示情報処理回路１００２等を搭載してもよ
い。あるいは、表示パネル１００６を搭載するＴＦＴア
レイ基板に対し駆動回路１００４を外付けして構成して
もよい。
【００６８】表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read
０nly Memory）、ＲＡＭ（RandomAccess Memory ）、
光ディスク装置などのメモリ、テレビ信号を同調して出
力する同調回路等を含み、クロック発生回路１００８か
らのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像
信号などの表示情報を表示情報処理回路１００２に出力
する。表示情報処理回路１００２は、増幅・極性反転回
路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回
路、クランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成
されており、クロック信号に基づいて入力された表示情
報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと
共に駆動回路１ ０ ０ ４に出力する。駆動回路１００
４は、表示パネル２００を駆動する。電源回路１０１０
は、上述の各回路に所定電源を供給する。
０nly Memory）、ＲＡＭ（RandomAccess Memory ）、
光ディスク装置などのメモリ、テレビ信号を同調して出
力する同調回路等を含み、クロック発生回路１００８か
らのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像
信号などの表示情報を表示情報処理回路１００２に出力
する。表示情報処理回路１００２は、増幅・極性反転回
路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回
路、クランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成
されており、クロック信号に基づいて入力された表示情
報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと
共に駆動回路１ ０ ０ ４に出力する。駆動回路１００
４は、表示パネル２００を駆動する。電源回路１０１０
は、上述の各回路に所定電源を供給する。
【００６９】次に、図１７（ａ）〜（ｃ）に、このよう
に構成された本発明の電子機器の具体例をそれぞれ示
す。図１７（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図で
ある。図１７（ａ）において、５００は携帯電話本体を
示し、５０１は前記の電気光学装置からなる表示装置
（表示パネル１００６）を示している。図１７（ｂ）
は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一
例を示した斜視図である。図１７（ｂ）において、６０
０は情報処理装置、６０１はキーボードなどの入力部、
６０３は情報処理本体、６０２は前記の電気光学装置か
らなる表示装置（表示パネル１００６）を示している。
図１７（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視
図である。図１７（ｃ）において、７００は時計本体を
示し、７０１は前記の電気光学装置からなる表示装置
（表示パネル１００６）を示している。図１７（ａ）〜
（ｃ）に示す電子機器は、前記の電気光学装置を表示装
置（表示パネル１００６）として用いたものであるの
で、発光素子における経時劣化や特性バラツキによる画
面輝度の低下や画面ムラが低減された、高品位の画像表
示が可能なものとなる。なお、このように前記の電気光
学装置を、表示装置として電子機器に搭載させた場合、
電源投入時に既成の駆動回路にて任意輝度の全白表示を
し、そのときに測定した輝度変化情報を駆動回路側にフ
ィードバックし、新たな駆動基準となるように構成して
もよい。すなわち、電源投入時ごとに表示品質をリフレ
ッシュさせるようにしてもよい。また、オンデマンド的
に使用者のニーズに合わせ、適宜リフレッシュさせるよ
うにしてもよい。
に構成された本発明の電子機器の具体例をそれぞれ示
す。図１７（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図で
ある。図１７（ａ）において、５００は携帯電話本体を
示し、５０１は前記の電気光学装置からなる表示装置
（表示パネル１００６）を示している。図１７（ｂ）
は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一
例を示した斜視図である。図１７（ｂ）において、６０
０は情報処理装置、６０１はキーボードなどの入力部、
６０３は情報処理本体、６０２は前記の電気光学装置か
らなる表示装置（表示パネル１００６）を示している。
図１７（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視
図である。図１７（ｃ）において、７００は時計本体を
示し、７０１は前記の電気光学装置からなる表示装置
（表示パネル１００６）を示している。図１７（ａ）〜
（ｃ）に示す電子機器は、前記の電気光学装置を表示装
置（表示パネル１００６）として用いたものであるの
で、発光素子における経時劣化や特性バラツキによる画
面輝度の低下や画面ムラが低減された、高品位の画像表
示が可能なものとなる。なお、このように前記の電気光
学装置を、表示装置として電子機器に搭載させた場合、
電源投入時に既成の駆動回路にて任意輝度の全白表示を
し、そのときに測定した輝度変化情報を駆動回路側にフ
ィードバックし、新たな駆動基準となるように構成して
もよい。すなわち、電源投入時ごとに表示品質をリフレ
ッシュさせるようにしてもよい。また、オンデマンド的
に使用者のニーズに合わせ、適宜リフレッシュさせるよ
うにしてもよい。
【００７０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の電気光学装
置によれば、有機ＥＬ素子等の電流駆動型の発光素子を
薄膜トランジスタ等の駆動素子により駆動する電気光学
装置において、発光素子の経時劣化や特性バラツキによ
る画面輝度の低下や画面ムラを低減できる。また、受光
素子が反射層としても機能するので、別に反射層を設け
る必要がなく、したがって工程の簡略化やコストの低減
化を図ることができる。
置によれば、有機ＥＬ素子等の電流駆動型の発光素子を
薄膜トランジスタ等の駆動素子により駆動する電気光学
装置において、発光素子の経時劣化や特性バラツキによ
る画面輝度の低下や画面ムラを低減できる。また、受光
素子が反射層としても機能するので、別に反射層を設け
る必要がなく、したがって工程の簡略化やコストの低減
化を図ることができる。
【００７１】また、本発明の電子機器によれば、このよ
うな電気光学装置を用いて構成されているので、発光素
子における経時劣化や特性バラツキによる画面輝度の低
下や画面ムラが低減された、高品位の画像表示が可能な
各種の電子機器を実現することができる。
うな電気光学装置を用いて構成されているので、発光素
子における経時劣化や特性バラツキによる画面輝度の低
下や画面ムラが低減された、高品位の画像表示が可能な
各種の電子機器を実現することができる。
【図１】 本発明の各実施例に共通する電気光学装置の
基本的な全体構成を示すブロック
基本的な全体構成を示すブロック
【図２】 図１の電気光学装置の一画素における平面図
である。
である。
【図３】 本発明の第１実施例の電気光学装置のブロヅ
ク図である。
ク図である。
【図４】 第１実施例における画像信号の階調レベル
（Ｄ）、データ信号電圧（Ｖsig ）及び発光量（Ｌｄ）
の関係並びに経時劣化の補正方法を示す特性図である。
（Ｄ）、データ信号電圧（Ｖsig ）及び発光量（Ｌｄ）
の関係並びに経時劣化の補正方法を示す特性図である。
【図５】 本発明の第２実施例の電気光学装置のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図６】 本発明の第３実施例の電気光学装置の一画素
における等価回路図である。
における等価回路図である。
【図７】 本発明の第４実施例の電気光学装置の一画素
における等価回路図である。
における等価回路図である。
【図８】 本発明の第５実施例の電気光学装置の一画素
における等価回路図である。
における等価回路図である。
【図９】 本発明の第６実施例の電気光学装置の一画素
における等価回路図である。
における等価回路図である。
【図１０】 本発明の第７実施例の電気光学装置の一画
素における等価回路図である。
素における等価回路図である。
【図１１】 本発明の第８実施例の電気光学装置の一画
素における等価回路図である。
素における等価回路図である。
【図１２】 本発明の第９実施例の電気光学装置の全体
構成を一画素の回路図を含めて示すブロック図である。
構成を一画素の回路図を含めて示すブロック図である。
【図１３】 第９実施例の電気光学装置が備えるＴＦＴ
−ＯＬＥＤ部分の断面図である。
−ＯＬＥＤ部分の断面図である。
【図１４】 第９実施例の電気光学装置における経時劣
化の補正方法を示す特性図である。
化の補正方法を示す特性図である。
【図１５】 本発明の第１０実施例の電気光学装置にお
ける経時劣化の補正方法を示す特性図である。
ける経時劣化の補正方法を示す特性図である。
【図１６】 本発明による電子機器の実施の形態の概略
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図１７】 電子機器の具体例を示す図であり、（ａ）
は携帯電話に適用した場合の一例を示す斜視図、（ｂ）
は情報処理装置に適用した場合の一例を示す斜視図、
（ｃ）は腕時計型電子機器に適用した場合の一例を示す
斜視図である。
は携帯電話に適用した場合の一例を示す斜視図、（ｂ）
は情報処理装置に適用した場合の一例を示す斜視図、
（ｃ）は腕時計型電子機器に適用した場合の一例を示す
斜視図である。
１０…画素、１２…信号線駆動回路、１８…発光量測定
器、１１０…シリコンフォトダイオード（受光素子）、
２２１…スイッチングＴＦＴ（駆動素子）、２２３…カ
レントＴＦＴ（駆動素子）、２２４…有機ＥＬ素子（発
光素子）
器、１１０…シリコンフォトダイオード（受光素子）、
２２１…スイッチングＴＦＴ（駆動素子）、２２３…カ
レントＴＦＴ（駆動素子）、２２４…有機ＥＬ素子（発
光素子）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｇ 3/20 ６７０ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６７０Ｊ
６８０ ６８０Ｇ
3/30 3/30 Ｊ
Ｋ
Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｂ
33/14 33/14 Ａ
Claims (10)
- 【請求項１】 複数の発光素子と、 前記発光素子に流れる駆動電流をデータ信号の電圧に応
じて制御する駆動素子と、 前記発光素子に前記駆動電流を前記駆動素子を介して流
すための電源を電源配線を介して供給する電源部と、 画像信号源から入力される画像信号に対応する電圧を持
つデータ信号を信号線を介して前記駆動素子に供給する
信号線駆動回路と、 前記発光素子から発せられる光を受光し、その発光量を
測定する受光素子と、 前記画像信号源と前記信号線駆動回路との間に介在し、
前記測定された発光量が所定基準値に近付くように前記
画像信号を補正する補正回路と、を備え、 前記受光素子が発光素子から発せられる光を反射する反
射機能を有することを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項２】 前記受光素子がシリコンフォトダイオー
ドであることを特徴とする請求項１記載の電気光学装
置。 - 【請求項３】 前記受光素子は画素電極側に配置され、
発光素子からの光を反射して対向電極側から光を出射さ
せることを特徴とする請求項１又は２記載の電気光学装
置。 - 【請求項４】 前記補正回路は、受光素子がモニタ用発
光素子の発光を測定したとき、経時劣化に対する補正を
行うよう構成されてなることを特徴とする請求項１〜３
のいずれかに記載の電気光学装置。 - 【請求項５】 前記測定された発光量を記憶するメモリ
装置を備えており、 前記補正回路は、該記憶された発光量に基づいて前記画
像信号を補正することを特徴とする請求項１〜３のいず
れかにに記載の電気光学装置。 - 【請求項６】 前記駆動素子は薄膜トランジスタからな
り、該薄膜トランジスタと前記受光素子とが、同一の工
程で形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
かに記載の電気光学装置。 - 【請求項７】 前記駆動素子は、６００℃以下の低温プ
ロセスで形成された、多結晶シリコン薄膜トランジスタ
からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記
載の電気光学装置。 - 【請求項８】 前記発光素子は、液滴吐出プロセスで形
成された、有機エレクトロルミネッセンス素子からなる
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電気
光学装置。 - 【請求項９】 前記受光素子は、発光量の測定を画素毎
に行い、 前記補正回路は、該画素毎に前記画像信号を補正するこ
とを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の電気光
学装置。 - 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれかに記載の電気
光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002126635A JP2003317944A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | 電気光学装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002126635A JP2003317944A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | 電気光学装置及び電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003317944A true JP2003317944A (ja) | 2003-11-07 |
Family
ID=29540990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002126635A Withdrawn JP2003317944A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | 電気光学装置及び電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003317944A (ja) |
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