JP2009065098A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 半導体基板と、該半導体基板の表面側に二次元アレイ状に形成され該半導体基板の裏面側から入射した光によって光電変換された信号電荷を蓄積する複数のフォトダイオードと、前記裏面側に形成され前記光電変換により前記信号電荷と対で発生する電荷を引き寄せる高濃度不純物層と、前記裏面側の前記半導体基板の前記高濃度不純物層に埋設され前記各フォトダイオードへの入射光を隣接する前記フォトダイオードから区画する遮光部材とを備えることを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。
2. 前記遮光部材は導電性材料で形成され、該遮光部材は前記高濃度不純物層内に絶縁膜を被覆した状態で埋設されることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射型固体撮像素子。
3. 前記遮光部材は導電性材料で形成され、該遮光部材は前記高濃度不純物層を突き抜けて形成されることを特徴とする請求項２に記載の裏面照射型固体撮像素子。
4. 前記遮光部材の前記半導体基板に埋設される部分が絶縁膜で被覆され、隣接するフォトダイオードを区画する境界位置で該遮光部材が一部欠損して設けられることを特徴とする請求項３に記載の裏面照射型固体撮像素子。
5. 前記遮光部材は、前記裏面側から突出して形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
6. 前記裏面側の表面には絶縁膜と反射防止膜とが形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
7. 前記反射防止膜は前記遮光部材によって分断されることを特徴とする請求項６に記載の裏面照射型固体撮像素子。
8. 前記遮光部材の前記裏面側先端部が先細に形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
9. 前記遮光部材には所定電圧が印加されることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
10. 前記所定電圧は、前記半導体基板の周辺部に設けられ回路から印加されることを特徴とする請求項９に記載の裏面照射型固体撮像素子。
11. 表面側に複数のフォトダイオードが二次元アレイ状に形成され、裏面側から入射した光によって光電変換された信号電荷が前記フォトダイオードに蓄積される半導体基板の前記裏面側に、前記光電変換により前記信号電荷と対で発生する電荷を引き寄せる高濃度不純物層を形成し、該裏面のうち、前記各フォトダイオードへの入射光を隣接する前記フォトダイオードから区画する境界位置をエッチングにより削り、該境界位置の前記高濃度不純物層に遮光材料を埋設することを特徴とする裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
12. 前記遮光部材は導電性材料で形成され、該遮光部材は前記高濃度不純物層内に絶縁膜を被覆した状態で埋設されることを特徴とする請求項１１に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
13. 前記遮光部材は導電性材料で形成され、該遮光部材は前記高濃度不純物層を突き抜けて形成されることを特徴とする請求項１１に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
14. 前記遮光部材の前記半導体基板に埋設される部分が絶縁膜で被覆され、隣接するフォトダイオードを区画する境界位置で該遮光部材が一部欠損して設けられることを特徴とする請求項１３に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
15. 前記遮光部材は、前記裏面側から突出して形成されることを特徴とする請求項１１乃至請求項１４のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
16. 前記裏面側の表面には絶縁膜と反射防止膜とが形成されることを特徴とする請求項１１乃至請求項１５のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
17. 前記反射防止膜は前記遮光部材によって分断されることを特徴とする請求項１６に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
18. 前記遮光部材の前記裏面側先端部が先細に形成されることを特徴とする請求項１１乃至請求項１７のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
19. 前記遮光部材に所定電圧を印加する周辺回路が前記半導体基板に形成されることを特徴とする請求項１１乃至請求項１８のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。