JP2009182223A5 - - Google Patents
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- 半導体基板の第１面（以下、表面という。）側に二次元アレイ状に複数のフォトダイオードが形成され、該半導体基板の第２面（以下、裏面という。）側から入射した光によって発生した信号電荷を前記フォトダイオードの各々が検出する裏面照射型固体撮像素子において、前記フォトダイオードの各々を隣接する前記フォトダイオードから分離するトレンチ構造の溝を持つ素子分離領域が前記裏面側に形成され、前記溝の中に光を遮断する金属が充填され、前記金属に外部から所定電圧を印加する配線が接続されていることを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。
- 前記所定電圧が電子シャッタ時に印加されたとき前記フォトダイオードの蓄積電荷が前素子分離領域の前記金属を通して廃棄されることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射型固体撮像素子。
- 前記所定電圧は、前記溝の内周面電位を安定化させ暗電流発生を抑制する電圧であることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射型固体撮像素子。
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