JP2009164385A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 半導体基板の裏面側から光を照射し、前記半導体基板内に形成された多数の光電変換素子の各々で前記光に応じて発生した電荷に応じた信号を、前記半導体基板の表面側に形成した読み出し回路から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、
   前記多数の光電変換素子の各々に対応させて前記半導体基板の裏面上方に形成されたカラーフィルタと、
   前記半導体基板の裏面上方に形成され、前記多数の光電変換素子の各々に対応して開口が形成された遮光膜とを備え、
   多数の前記カラーフィルタが、それぞれ異なる色の光を透過する少なくとも３種類のカラーフィルタを含み、
   前記裏面照射型撮像素子の周辺部にある前記光電変換素子に対応する前記遮光膜の開口は、該光電変換素子に対応するカラーフィルタの種類に応じて大きさが異なっており、且つ、その中心が該光電変換素子の中心よりも前記裏面照射型撮像素子の中心部側にずれており、
   前記周辺部にある前記光電変換素子に対応する前記遮光膜の開口が、該光電変換素子に対応するカラーフィルタを透過する光の波長が長波長に向かうほど小さくなっている裏面照射型撮像素子。
2. 請求項１記載の裏面照射型撮像素子であって、
   前記遮光膜が、前記半導体基板と前記カラーフィルタとの間に形成されている裏面照射型撮像素子。
3. 請求項１又は２記載の裏面照射型撮像素子であって、
   前記周辺部にある前記光電変換素子に対応する前記カラーフィルタの中心が、該光電変換素子の中心よりも前記中心部側にずれている裏面照射型撮像素子。
4. 請求項１〜３のいずれか１項記載の裏面照射型撮像素子であって、
   前記カラーフィルタの上に、各光電変換素子に対応させて形成されたマイクロレンズを備え、
   前記周辺部にある前記光電変換素子に対応する前記マイクロレンズの中心が、該光電変換素子の中心よりも前記中心部側にずれている裏面照射型撮像素子。
5. 請求項１記載の裏面照射型撮像素子であって、
   前記遮光膜が前記カラーフィルタの上に形成されており、
   前記遮光膜の開口内に形成されたマイクロレンズを備える裏面照射型撮像素子。
6. 請求項５記載の裏面照射型撮像素子であって、
   前記周辺部にある前記光電変換素子に対応する前記カラーフィルタの中心が、該光電変換素子の中心よりも前記中心部側にずれている裏面照射型撮像素子。
7. 請求項５又は６記載の裏面照射型撮像素子であって、
   前記周辺部にある前記光電変換素子に対応する前記マイクロレンズの中心が、該光電変換素子の中心よりも前記中心部側にずれている裏面照射型撮像素子。