JP5331119B2 - 固体撮像素子および撮像装置 - Google Patents
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Description
(式1) IR=IR0e-ax
(式2) ΔIR=IR0(1−e-ad)
(式3) ΔIR´=IR0e-ad(1−e-ad)
このように、ΔIRとΔIR´とは互いに異なる値となり、ΔIR´はΔIRよりも小さい。
(式4) S2a=Ws+2ΔIRs
(式5) S2b=Ws+ΔIRs
(式6) S2c=Rs+ΔIRs
(式7) S2d=Bs+ΔIRs
図7は、本発明の第1の実施形態における撮像装置の全体構成を示すブロック図である。図示される撮像装置は、撮像部100と、撮像部100からの信号を受信し画像・映像信号を生成する信号処理部200とを備えている。以下、撮像部100および信号処理部200を説明する。
(式8)S2a=Rs+ΔIRs
(式9)S2b=Gs+2ΔIRs
(式10)S2c=Gs+ΔIRs
(式11)S2d=Bs+ΔIRs
(式12)S2b−S2c=ΔIRs
次に本発明の第2の実施形態を説明する。本実施形態の撮像装置は、撮像素子における色フィルタの配列が異なることを除けば、実施形態1の撮像装置と同じである。そのため、実施形態1と重複する部分は説明を省略し、異なる点のみを以下、説明する。
(式13)S2a=Gs+Bs+ΔIRs
(式14)S2b=Rs+Gs+Bs+ΔIRs
(式15)S2c=Rs+Gs+Bs+2ΔIRs
(式16)S2d=Rs+Gs+ΔIRs
1b 色フィルタの緑要素
1c 色フィルタの青要素
1d 色フィルタのシアン要素
1e 透明要素
1f 色フィルタの黄要素
2 光感知セルアレイの単位ブロック
2a、2b、2c、2d 撮像素子の光感知セル
3 反射部
3a 反射ミラー
4 マイクロレンズ
5 配線層
6 撮像素子の基板
7 光吸収層
7a 光吸収部材
8 透明層
30 半導体層
30a 半導体層の第1の面
30b 半導体層の第2の面
100 撮像部
101 光学レンズ
102 光学板
103 撮像素子
103a 撮像面
104 信号発生・受信部
200 信号処理部
201 メモリ
202 色信号生成部
203 インターフェース部
Claims (10)
- 第1の面、および前記第1の面の反対側に位置し光が入射する第2の面を有する半導体層と、
前記半導体層中において前記第1の面と前記第2の面との間に2次元状に配列され、各々が第1の光感知セルおよび第2の光感知セルを含む複数の単位ブロックと、
前記半導体層の前記第1の面側に配置され、各単位ブロックに含まれる前記第1の光感知セルを透過した赤外光を反射し、前記第1の光感知セルおよび前記第2の光感知セルのいずれか一方に入射させる反射部と、
を備え、
前記第1の光感知セルおよび前記第2の光感知セルのうち、前記反射部によって反射された赤外光を受ける光感知セルは、他方の光感知セルが出力する光電変換信号と比較して、前記反射部によって反射されて入射する赤外光の量に応じた成分が加算された光電変換信号を出力する、固体撮像素子。 - 前記反射部は、各々が各単位ブロックに含まれる前記第1の光感知セルに対向して配置された複数の赤外光反射ミラーを有している、請求項1に記載の固体撮像素子。
- 各単位ブロックは、更に第3の光感知セルと、第4の光感知セルとを含み、
前記第1の光感知セルに対向して前記第2の面側に配置された第1の色分離フィルタと、
前記第2の光感知セルに対向して前記第2の面側に配置された第2の色分離フィルタと、
前記第3の光感知セルに対向して前記第2の面側に配置された第3の色分離フィルタと、
前記第4の光感知セルに対向して前記第2の面側に配置された第4の色分離フィルタと、
を備え、
前記第1の色分離フィルタおよび前記第2の色分離フィルタは、入射光のうち第1波長域の可視光および赤外光を透過し、
前記第3の色分離フィルタは、入射光のうち第2波長域の可視光および赤外光を透過し、
前記第4の色分離フィルタは、入射光のうち第3波長域の可視光および赤外光を透過する、請求項1または2に記載の固体撮像素子。 - 前記第1波長域の可視光は緑光であり、
前記第2波長域の可視光は赤光であり、
前記第3波長域の可視光は青光である、
請求項3に記載の固体撮像素子。 - 各単位ブロックは、更に第3の光感知セルと、第4の光感知セルとを含み、
前記第3の光感知セルに対向して前記第2の面側に配置された第1の色分離フィルタと、
前記第4の光感知セルに対向して前記第2の面側に配置された第2の色分離フィルタと、
を備え、
前記第1の色分離フィルタは、入射光のうち第1波長域の可視光および赤外光を透過させ、
前記第2の色分離フィルタは、入射光のうち第2波長域の可視光および赤外光を透過させる、請求項1または2に記載の固体撮像素子。 - 前記第1波長域の可視光はシアン光であり、
前記第2波長域の可視光は黄光である、
請求項5に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の光感知セル、前記第2の光感知セル、前記第3の光感知セル、および前記第4の光感知セルは、入射する赤外光のうち第1の割合に相当する量の赤外光を透過させる、請求項3から6のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記半導体層の前記第1の面側に配置され、各単位ブロックに含まれる前記第2の光感知セルを透過した赤外光を吸収する光吸収層を備えている、請求項1から7のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記半導体層の前記第1の面側に配置された配線層を備えている、請求項1から8のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 固体撮像素子と、
前記固体撮像素子から出力される電気信号を処理する信号処理部と、
を備える撮像装置であって、
前記固体撮像素子は、
第1の面、および前記第1の面の反対側に位置し光が入射する第2の面を有する半導体層と、
前記半導体層中において前記第1の面と前記第2の面との間に2次元状に配列され、各々が第1の光感知セルおよび第2の光感知セルを含む複数の単位ブロックと、
前記半導体層の前記第1の面側に配置され、各単位ブロックに含まれる前記第1の光感知セルを透過した赤外光を反射し、前記第1の光感知セルおよび前記第2の光感知セルのいずれか一方に入射させる反射部と、
を有し、
前記第1の光感知セルおよび前記第2の光感知セルのうち、前記反射部によって反射された赤外光を受ける光感知セルは、他方の光感知セルが出力する光電変換信号と比較して、前記反射部によって反射されて入射する赤外光の量に応じた成分が加算された光電変換信号を出力し、
前記信号処理部は、前記第1の光感知セルおよび前記第2の光感知セルの各々が出力する前記光電変換信号間の差分演算を含む処理により、各光感知セルが受ける赤外光の量を算出する、撮像装置。
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