JP2010210590A - 放射線検出器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁性基板102の他方の面102Bの少なくともバイアス電極140の端部140Aの裏側周辺に対応して導電性部材によりなる導電層160が設ける。
【選択図】図5
Description
本実施の形態に係る放射線検出器は、X線撮影装置等に用いられるものであり、放射線の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層を備えてなり、画像情報を担持する放射線の照射を受けて画像情報を記録し、記録した画像情報を表す画像信号を出力するものである。
まず、第1の実施の形態として、光読取方式の放射線検出器100に本発明を適用した構成について説明する。図1(A)は、光読取方式の放射線検出器100の全体構成を示す平面図であり、図1(B)は、放射線検出器100の断面図である。
次に、絶縁性基板102の構成について説明する。図2(A)は、絶縁性基板102の概略構成を示す平面図であり、図2(B)は、絶縁性基板102の断面図である。この図ではTCP108は左右1つずつ、チャンネル数も各3チャンネル、合計6チャンネルと単純化している。一般的な例としてのチャンネル数は各266チャンネル(両端5チャンネルずつはコモン)である。その電極ライン/スペースは、例えば45/25μmである。検出エリアの下部電極116は、ストライプ上に交互配置されているおり、共通電極は櫛型構造を有している。
次に、光読取方式の放射線検出器100の層構成について詳細に説明する。図4は、放射線検出器100の層構成を模式的に示した概略図である。
次に、上記光読取方式の放射線検出器100の動作について説明する。
次に、第2の実施の形態として、TFT方式の放射線検出器400に本発明を適用した構成について説明する。図7は、TFT方式の放射線検出器400の全体構成を示す概略断面図である。図8は、TFT方式の放射線検出器400の要部構成を示すものであり、絶縁性基板408及びその絶縁性基板408上に積層された各部を示す図である。
保護部材442は、光導電層404の周囲を囲んでおり、全体として上部及び下部が開放された箱状に形成されている。
次に、上記のTFT方式の放射線検出器400の動作原理について説明する。
102 絶縁性基板(基板)
104 放射線検出層(半導体層)
116 下部電極(収集電極)
122 有機絶縁層
140 バイアス電極
160 導電層
162 グランド配線(電位保持手段)
400 放射線検出器
401 バイアス電極
404 光導電層(半導体層)
407a 電荷収集電極(収集電極)
408 絶縁性基板(基板)
460 導電層
500 基板
502 絶縁膜
Claims (8)
- 平板状に形成され、少なくとも一方の面が絶縁性とされた基板と、
前記基板の前記一方の面に設けられ、電荷を収集する複数の収集電極と、
前記複数の収集電極の上層に形成され、放射線が照射された際に電荷を発生する半導体層と、
前記半導体層の上層に形成され、前記半導体層に当該半導体層に発生した電荷のうち検出対象とする極性の電荷を前記収集電極側へ移動させる電界を発生させるバイアス電圧を印加するバイアス電極と、
少なくとも前記バイアス電極の端部周辺に対応する前記基板の他方の面に設けられた導電性部材よりなる導電層と、
を備えた放射線検出器。 - 前記導電層を、前記バイアス電極の端部から前記半導体層の端部に対応する前記基板の他方の面の領域を覆うように設けた
請求項1記載の放射線検出器。 - 前記導電層を、前記基板の他方の面の全面に設けた
請求項1項記載の放射線検出器。 - 前記導電層を、当該導電層の電圧レベルを所定電圧レベルに保つ電位保持手段に接続した
請求項1〜請求項3の何れか1項記載の放射線検出器。 - 前記電位保持手段を、グランドに接続されたグランド配線とし、
前記所定電圧レベルを、グランドレベルとした
請求項4記載の放射線検出器。 - 前記基板及び前記導電層が、光透過性を有する
請求項1〜請求項5の何れか1項記載の放射線検出器。 - 前記導電層を、前記基板の側面にさらに設けた
請求項1〜請求項6の何れか1項記載の放射線検出器。 - 前記放射線検出器を、乳房の放射線撮影を行なうマンモグラフィ用とした
請求項1〜請求項7の何れか1項記載の放射線検出器。
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