JP2008305845A - 放射線検出器 - Google Patents

Abstract

【課題】接合部材で接合される上部基板及び下部基板の熱応力による剥離を抑制すると共に、上部電極から下部電極への沿面放電を抑制する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板１６とガラス基板３２とは、互いの外周部で接合されているため、アクティブマトリックス基板１６及びガラス基板３２が接合される接合面積を低減できる。これにより、アクティブマトリックス基板１６及びガラス基板３２と接着樹脂３６との間で生じる熱応力を低減でき、接着樹脂３６で接合されるアクティブマトリックス基板１６及びガラス基板３２の剥離を抑制できる。また、半導体層１２の周端部が接着樹脂３６で覆われているので、半導体層１２の周端部とアクティブマトリックス基板１６と間に隙間が生じた場合であっても、その隙間を通じてバイアス電極１８から電荷収集電極１４へ生じる沿面放電を抑制できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、医療用のＸ線撮影装置などに用いられる放射線検出器に関する。

放射線検出器としては、アクティブマトリックス基板上に、半導体層を配置し、放射線情報を直接デジタルデータに変換できるＦＰＤ（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｅｔｅｃｔｏｒ）が実用化されている。このＦＰＤは、従来のイメージングプレートに比べて、即時に画像を確認でき、動画も確認できるといったメリットがあり、急速に普及が進んでいる。

ここで、図１２及び図１３に基づき、従来のＦＰＤの構成について説明する。

従来のＦＰＤ１００は、図１２及び図１３に示すように、下部電極としての電荷収集電極１０２をアレイ状に配置したアクティブマトリックス基板（下部基板）１０４を備えている。

アクティブマトリックス基板１０４上には、電磁波導電性を有する半導体層（電荷変換層）１０６が形成され、その上に上部電極１０８が順次形成されている。上部電極１０８は、導線１１２を介して、図示しない高圧電源に接続されている。

そして、半導体層１０６は、セレンを主成分とする膜厚１００〜１０００μｍの非晶質ａ−Ｓｅ膜で、Ｘ線が照射されると膜の内部に電荷を発生する。

アクティブマトリックス基板１０４上にアレイ状に配置された電荷収集電極１０２には、ＴＦＴスイッチ１１４と図示しない電荷蓄積容量とが接続されている。ＴＦＴスイッチ１１４のドレイン電極と電荷蓄積容量の一方の電極とが接続されている。

そして、電荷蓄積容量の他方の電極は蓄積容量配線に接続されている。ＴＦＴスイッチ１１４のゲート電極にはスキャン配線１１６が接続されており、ソース電極にはデータ配線１１８が接続されており、データ配線１１８の終端には端子１２０を介して図示しない信号検出器（アンプ）が接続されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。

ＦＰＤ１００に用いるセレン等の光電変換材料は、熱、湿度、汚染等の環境変化により劣化しやすい。一方、上部電極１０８には１ｋ〜１０ｋVの高電圧が印加されるため、十分な耐圧対策が必要である。また、上部電極から下部電極への沿面放電を防止する必要がある。

このため、特許文献１に示される構成を利用し、半導体膜及び上部電極を密封（モールド）する構成が採用されている。
特開２００１−１４８４７５号公報 特開２００１−１１１０１９号公報

しかしながら、上記のモールド構成には次の課題がある。一般的に、放射線検出器は、一般撮影用とよばれる胸部撮影装置に用いられる。この場合、検出装置のサイズは１７インチ×１７インチに達する。

従来例のごとく、ガラスで形成された上部基板及び下部基板を、接合部材としての接着樹脂で接合した場合、温度変化により大きな内部応力を発生し、これにより、上部基板及び下部基板が剥離、もしくは割れる問題が発生する。これは、接着樹脂とガラスの線膨張係数の差に起因するものあり、物性の違いから線膨張差をなくすことはできない。

また、接着樹脂は、十分な接着力特性と、上部電極から下部電極への沿面放電を防ぐ特性が必要であり、このため、材料選択の幅が狭く、線膨張差を低減することも困難である。

本発明は、上記事実を考慮し、接合部材で接合される上部基板及び下部基板の熱応力による剥離を抑制すると共に、上部電極から下部電極への沿面放電を抑制できる放射線検出器を提供することを目的とする。

本発明の請求項１に係る放射線検出器は、バイアス電圧が印加された状態で放射線が入射されることにより電荷を生成する電荷変換層と、前記電荷変換層下に設けられ、前記電荷変換層が生成した電荷を収集する下部電極を有する下部基板と、前記電荷変換層上に積層され、前記電荷変換層へ前記バイアス電圧を印加するための上部電極と、前記上部電極上に設けられ、前記上部電極を覆う上部基板と、前記下部基板の外周部上に設けられ、前記電荷変換層の周端部のみを覆うと共に前記下部基板の外周部と前記上部基板の外周部とを接合する接合部材と、を備えたことを特徴とする。

この構成によれば、上部電極を介して電荷変換層へバイアス電圧が印加される。電荷変換層は、バイアス電圧が印加された状態で放射線が入射されることにより、電荷を生成する。電荷変換層が生成した電荷は、下部電極により収集される。

ここで、請求項１の構成では、下部基板と上部基板とは、互いの外周部で接合されているため、下部基板及び上部基板がその全面で接合される構成に比して、下部基板及び上部基板が接合される接合面積を低減できる。接合面積を低減することにより、下部基板及び上部基板と接合部材との間で生じる熱応力を小さくできるので、接合部材で接合される下部基板及び上部基板の剥離を抑制できる。

また、電荷変換層の周端部が接合部材で覆われているので、電荷変換層の周端部と下部基板と間に隙間が生じた場合であっても、その隙間を通じて上部電極から下部電極へ生じる沿面放電を抑制できる。

本発明の請求項２に係る放射線検出器は、請求項１の構成において、前記接合部材は、前記上部電極の周端部の少なくとも一部を覆うことを特徴とする。

この構成によれば、接合部材が、上部電極の周端部の少なくとも一部を覆うので、上部電極の周端部から下部電極への沿面放電を抑制できる。

本発明の請求項３に係る放射線検出器は、請求項１又は請求項２の構成において、前記上部電極上に形成され、前記上部電極を覆う絶縁膜を備えたことを特徴とする。

この構成によれば、上部電極上に形成された絶縁膜が、上部電極を覆うので、上部電極から下部電極への沿面放電を抑制できる。

本発明は、上記構成としたので、接合部材で接合される上部基板及び下部基板の熱応力による剥離を抑制すると共に、上部電極から下部電極への沿面放電を抑制できる。

以下に、本発明に係る実施形態の一例を図面に基づき説明する。

（本実施形態に係る放射線検出器の構成）
まず、本実施形態に係る放射線検出器の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る放射線検出器の断面側面図であり、図２は、図１におけるガラス基板３２を外した状態の放射線検出器の平面図である。

本実施形態に係る放射線検出器１０は、図１及び図２に示すように、バイアス電圧が印加された状態で放射線が入射されることにより電荷を生成する電荷変換層として、電磁波導電性を有する半導体層１２を備えている。半導体層１２は、例えば、セレンを主成分とする膜厚１００〜１０００μｍの非晶質ａ−Ｓｅ膜で形成されている。なお、半導体層１２としては、他の光電変換材料を用いても良い。

半導体層１２下には、下部基板としてのアクティブマトリックス基板１６が設けられている。アクティブマトリックス基板１６は、半導体層１２が生成した電荷を収集する下部電極としての電荷収集電極１４を有している。この電荷収集電極１４は、図２に示すように、アクティブマトリックス基板１６にアレイ状に配置されている。

半導体層１２は、アクティブマトリックス基板１６上に積層され、その半導体層１２上には、半導体層１２へバイアス電圧を印加するための上部電極としてのバイアス電極１８が積層されている。バイアス電極１８は、例えば、Ａｕから形成されている。

バイアス電極１８は、導電テープ２０を介して取出し端子２２と接続され、さらに、この取出し端子２２を通じて、図示しない高圧電源と電気的に接続されている。高圧電源からバイアス電極１８へは、例えば、１ｋ〜１０ｋVの高電圧が印加される。

半導体層１２は、バイアス電極１８を介して高圧電源よりバイアス電圧が印加された状態で、Ｘ線等の放射線が照射されると、その半導体層１２の内部に電荷を発生させるようになっている。

アクティブマトリックス基板１６上にアレイ状に配置された電荷収集電極１４には、ＴＦＴスイッチ２４と図示しない電荷蓄積容量とが接続されている。ＴＦＴスイッチ２４のドレイン電極と電荷蓄積容量の一方の電極とが接続されている。電荷蓄積容量の他方の電極は蓄積容量配線に接続されている。

ＴＦＴスイッチ２４のゲート電極にはスキャン配線２６が接続されており、ＴＦＴスイッチ２４のソース電極にはデータ配線２８が接続されており、データ配線２８の終端には端子３０を介して図示しない信号検出器（アンプ）が接続されている。

半導体層１２に用いられるセレン等の光電変換材料は、熱、湿度、汚染等の環境変化により劣化しやすいために何らかのカバーが必要である。バイアス電極１８には、１〜１０ｋVの高圧電圧が印加されるため、十分な耐圧を確保する必要がある。

そこで、本実施形態では、バイアス電極１８上のデバイス上部に、バイアス電極１８を覆う上部基板としてのガラス基板３２が設けられている。

ガラス基板３２は、アクティブマトリックス基板１６と同じ材質、板厚が好ましく、ここでは、０．７ｍｍ厚の無アルカリガラスを採用した。アクティブマトリックス基板１６とガラス基板３２の間には、アクティブマトリックス基板１６上に立設されると共にガラス基板３２を支持する支持部材としてのリブ材３４が設けられている。リブ材３４は、例えば、アクリル樹脂等の樹脂材料で形成されている。

リブ材３４は、アクティブマトリックス基板１６の外周部上に配置されたリブ材３４Ａと、バイアス電極１８の外周部上に配置されたリブ材３４Ｂとで構成されている。

リブ材３４Ａは、平面視矩形状に形成されており、４辺をなす４つの側壁で構成されている。この４つの側壁は、アクティブマトリックス基板１６の外周部上に立設され、半導体層１２の外周を囲んでいる。

リブ材３４Ｂは、平面視矩形状に形成されており、４辺をなす４つの側壁で構成されている。この４つの側壁で囲まれた内側には、平面視矩形状で所定の大きさとされた空間３３が形成されており、収集電極１４が配置されたアクティブエリアの約７割以上の領域で、好ましくはアクティブエリアの全領域で、バイアス電極１８と上部基板３２とは密着されていない。このような構成をとることにより、樹脂材料による放射線の吸収がなくなり、放射線検出器としての高い検出効率を実現することができる。

リブ材３４Ｂの側壁とリブ材３４Ａの側壁との間の領域には、アクティブマトリックス基板１６の外周部とガラス基板３２の外周部とを接合する接合部材としての接着樹脂３６が充填されている（図中、グレー部分参照）。接着樹脂３６がアクティブマトリックス基板１６の外周部とガラス基板３２の外周部を接合することにより、アクティブマトリックス基板１６とガラス基板３２とが固定される。接着樹脂３６としては、例えば、エポシキ等の樹脂が用いられる。

リブ材３４Ｂの側壁とリブ材３４Ａの側壁との間の領域は、アクティブマトリックス基板１６の外周部上であると共に、この領域には、半導体層１２の周端部、バイアス電極１８の周端部、導電テープ２０及び取出し端子２２が配置されている。この領域に接着樹脂３６が充填されることにより、半導体層１２の周端部、バイアス電極１８の周端部、導電テープ２０及び取出し端子２２が、接着樹脂３６で覆われる。

なお、接着樹脂３６は、バイアス電極１８の周端部の全周を覆わなくてもよく、バイアス電極１８の周端部の一部を覆っていれば良い。半導体層１２の周端部を覆う場合も、同様に、半導体層１２の周端部の全周を覆わなくてもよく、半導体層１２の周端部の一部を覆っていれば良い。また、接着樹脂３６は、バイアス電極１８の周端部を覆わずに、半導体層１２の周端部のみを覆う構成であってもよい。

（本実施形態の作用）
次に、上記の実施形態について作用を説明する。

バイアス電極１８と介して半導体層１２に電圧が印加された状態において、半導体層１２にＸ線等の放射線が照射されると、半導体層１２内に電荷が発生する。半導体層１２内に発生した電荷は、電荷収集電極１４へ移動し、その結果、電荷蓄積容量に電荷が蓄積される。

電荷蓄積容量に蓄積された電荷は、ＴＦＴスイッチ２４のゲート電極への入力信号によってＴＦＴスイッチ２４がオン状態になることにより、ＴＦＴスイッチ２４のソース電極を介して外部に取り出すことが可能となる。そして、ゲート電極とソース電極とからなる電極配線、ＴＦＴスイッチ２４及び電荷蓄積容量は、すべてマトリクス状に設けられているため、ゲート電極に入力する信号を順次走査し、ソース電極からの信号をソース電極毎に検知することにより、二次元的に放射線の画像情報を得ることが可能となる。

ここで、本実施形態の構成では、アクティブマトリックス基板１６とガラス基板３２とは、互いの外周部で接合されているため、アクティブマトリックス基板１６及びガラス基板３２が接合される接合面積を低減できる。

従来のように、ほぼ全面でガラス基板とアクティブマトリックス基板が接着樹脂等で固定されている場合には、温度変化により接着樹脂とアクティブマトリックス基板、あるいはガラス基板との間に高い熱応力が発生し、これによりわずかな温度変化、例えば、−１０℃以下、あるいは５０℃以上前後で基板剥離が生じる。病院等で使用する場合には、空調により２０℃から３０℃前後に管理されているが、停電時や、あるいは海外への出荷時には、−１０℃や５０℃の環境も十分に想定され、医療機器といえども、上記のような温度耐性が求められる。

一方、本実施形態の構成では、接着樹脂３６とアクティブマトリックス基板１６及びガラス基板３２とが接合される接合面積が少ないため、アクティブマトリックス基板１６及びガラス基板３２と接着樹脂３６との間で生じる熱応力を抑制することができる。例えば、ガラス基板３２の７０％前後を固定した場合には、熱応力は全面固定する場合の３０％前後に低下する。これにより、接着樹脂３６で接合されるアクティブマトリックス基板１６及びガラス基板３２の剥離を抑制でき、放射線検出器１０の耐環境性能を向上することができる。

また、半導体層１２の周端部が接着樹脂３６で覆われているので、半導体層１２の周端部とアクティブマトリックス基板１６と間に隙間が生じた場合であっても、その隙間を通じてバイアス電極１８から電荷収集電極１４へ生じる沿面放電を抑制できる。

ところで、バイアス電極１８の周端部の端面は、電界集中が発生しやすく、バイアス電極１８に数百〜数千ボルトの高圧を印加した場合、バイアス電極１８からの放電を起こしやすい。バイアス電極１８の上方には、ガラス基板３２があるので、外部との放電は発生しないが、アクティブマトリックス基板１６上の電荷収集電極１４や配線パターンとの放電破壊や、データ配線２８への電子ノイズを引き起こす（沿面放電）。

これに対して、接着樹脂３６が、バイアス電極１８、導電テープ２０及び取出し端子２２を覆っているので、バイアス電極１８の周端部から、電荷収集電極１４や配線パターンやデータ配線２８への沿面放電を抑制できる。

また、沿面放電を防ぐためには、本実施形態のように、バイアス電極１８の周端部、導電テープ２０及び取出し端子２２をエポキシ樹脂等の絶縁材料からなる接着樹脂３６で覆っていれば十分で、バイアス電極１８の中央部にエポキシ樹脂を配置しなくても沿面放電を抑制することができる。

なお、本実施形態では、空間３３には、充填部材を充填しない構成とされているが、この空間３３に、接着樹脂３６及びリブ材３４よりもヤング率の低い材料、例えばガス、液体、ゴム、柔らかい樹脂を充填しても良い。この構成であっても、アクティブマトリックス基板１６及びガラス基板３２に対して生じる熱応力の低減につながる。

また、接着樹脂３６及びリブ材３４と同じ材料を用いた場合や、接着樹脂３６及びリブ材３４のヤング率以上のヤング率を有する材料であっても、その材料をガラス基板３２及びアクティブマトリックス基板１６の一方にのみ接合し、他方との間に隙間を形成して接合しない自由状態にすることによって、アクティブマトリックス基板１６及びガラス基板３２に対して生じる熱応力を低減する構成であっても良い。

さらに、リブ材３４Ｂの内周側にガラス基板３２のたわみによる接触を積極的に防ぐため、ガラス基板３２とバイアス電極１８間にスペーサーを配置しても良く、この場合は、リブ材３４Ｂの内周側に空間３３が点在する構成であっても良い。

（放射線検出器の製造工程）
次に、上記構成の放射線検出器１０の製造工程の一例を、図３−１及び図３−２に基づき説明する。

まず、図３−１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、アレイ状に配置された電荷収集電極１４、ＴＦＴスイッチ２４及び電荷蓄積容量を有するアクティブマトリックス基板１６上に、セレンからなる半導体層１２を真空蒸着により堆積する。セレンの膜厚は、０．１〜１ｍｍ前後で、厚いほど放射線検出感度が高くなる。

半導体層１２としては、セレンを主体とした化合物材料を用いてもよく、また、半導体層１２の上下面に光電変換特性を改善するための膜を積層してもよい。

次に、図３−１（Ｃ）に示すように、半導体層１２上に、Ａｕ薄膜からなるバイアス電極１８を真空蒸着により形成する。Ａｕ膜の膜厚は５０−１００nm前後である。Ａｕ蒸着時は、デポマスクを用いて、半導体層１２よりも１ｍｍ〜１０ｍｍ前後内側に入るように堆積する。これは、バイアス電極１８を半導体層１２よりも大きくし、アクティブマトリックス基板１６上に配置した場合、その部分から放電破壊や、沿面放電が発生するためである。

次に、図３−１（Ｄ）に示すように、バイアス電極１８に取出し端子２２を接続する。ここでは、導電テープ２０にてアクティブマトリックス基板１６上のパッドとバイアス電極１８を接続する共に、アクティブマトリックス基板１６のパッド上に取出し端子２２を接着剤で固定している。

なお、Ａｕ膜の蒸着時に、アクティブマトリックス基板１６の取出し端子２２までＡｕ膜を引き延ばして電極取出し部を形成してもよい。この場合は、放電破壊、沿面放電を防ぐため、電極取出し部近傍には、データ配線２８を配置せず、電極取り出し部及び取出し端子２２を含め接着樹脂３６で完全に覆うことが望ましい。

次に、図３−２（Ｅ）、（Ｆ）に示すように、ガラス基板３２とリブ材３４からなる上部保護部材をアクティブマトリックス基板１６上に貼り付ける。上部保護部材は、ガラス基板３２と、２つのリブ材を接着剤で固定して構成されており、接着材によりアクティブマトリックス基板１６上に接着される。

２つのリブ材３４のうち、内側のリブ材３４Ｂは、Ａｕからなるバイアス電極１８の内側に配置されており、バイアス電極１８の周端部がリブ材３４Ｂの内側に入らないように設計されている。

リブ材３４Ｂの幅は２〜１０ｍｍ前後で、沿面放電を防ぐため絶縁材料が用いられる。内側のリブ材３４Ｂには液晶ディスプレイ等の貼り合せに用いられるシール材を採用してもよい。外側のリブ材３４Ａは、デバイス外形をなす部材で、半導体層１２よりも十分に３〜２０ｍｍ程度外側に配置される。外側のリブ材３４Ａも幅２〜１０ｍｍである。外側のリブ材３４Ａの高さは０．５〜１０ｍｍで、内側のリブ材３４Ｂはそれよりも半導体層１２とバイアス電極１８の厚さ（０．１〜１ｍｍ）を差し引いた厚さの材料を適用する。

ガラス基板３２のたわみによりバイアス電極１８接触する恐れがあるため、ガラス基板３２とバイアス電極１８との間は、例えば、５ｍｍ以上の十分な間隔を確保することが好ましい。ガラス基板３２が自重や外圧により２〜３ｍｍたわむためである。

また、ガラス基板３２のたわみによる接触を積極的に防ぐため、ガラス基板３２とバイアス電極１８間にスペーサーを配置しても良い。スペーサーは、５〜２０μｍφの樹脂スペーサーをガラス基板３２に配置する場合や、常温で硬化しないシリコーン樹脂等の樹脂絶縁材料を充填する場合、あるいはエポキシ樹脂をガラス基板３２に塗布、硬化することでガラス基板３２にのみ固定する場合などがある。

次に、図３−２（Ｆ）、（Ｇ）に示すように、上部保護部材の一部に設けた注入孔４３より、接着樹脂３６を注入する。接着樹脂３６は常温で硬化するエポキシ材料を用いた。

図３−２（Ｆ）では、注入孔４３が、上部保護部材の上部にあるガラス基板３２に開いているが、アクリル樹脂からなるリブ材３４に設ける方が製造する上では容易である。注入後、注入孔を封止し、常温で２４時間前後放置し、エポシキ材料を硬化し、放射線検出器１０が完成する。

なお、半導体層１２の膜厚は、面内で２０％前後ばらつくことがあり、これにより内側のリブ材３４Ｂを最適化できないケースも多い。そこで、図４及び図５に示すように、リブ材３４の代わりに、肉厚となる接着樹脂３６（シール材）のみを用いてもよい。接着樹脂３６は（シール材）は、アクティブマトリックス基板１６に描画装置で塗布後、ガラス基板３２を貼り付け、常温放置することで硬化させる。

また、図６、図７、図８及び図９に示すように、バイアス電極１８上にバイアス電極１８を覆う絶縁膜としてのパリレン膜４０を形成する構成であっても良い。

パリレンは真空蒸着法で形成され、膜厚０．１〜３μｍ前後である。絶縁膜としては、パリレン膜の他に、ＣＶＤ法で形成したＳｉＮｘ膜やＳｉＯｘ膜等の絶縁膜や、あるいはスパッタリング法で堆積したＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ膜を採用してもよい。

このように、パリレン膜４０等の絶縁膜をバイアス電極１８上に形成することにより、沿面放電をさらに抑制し、絶縁性をさらに向上することができる。

パリレン膜４０の形成は、図３−1及び図３−２に示す工程において、バイアス電極１８の取出し端子２２を接続する工程と、ガラス基板３２とリブ材３４からなる上部保護部材をアクティブマトリックス基板１６上に貼り付ける工程の間に行われる。

また、パリレン膜４０の形成は、金型（デポマスク）を用いて、バイアス電極１８を覆うエリアのみに選択的に堆積する。信号の入出力ができなくなるため、ＴＦＴスイッチ２４の端子部には堆積しない。

また、パリレン膜４０は、図8及び図９に示すように、絶縁性の強化を考慮する場合には、アクティブマトリックス基板１６上に引き延ばしても良い。一方、リブ材３４Ａとアクティブマトリックス基板１６の密着性を考慮する場合には、図６及び図７に示すように、外側のリブ材３４Ａの下層となる領域には堆積せず、半導体層１２上に形成する構成が好ましい。

なお、図１０及び図１１に示すように、パリレン膜４０等の絶縁膜を形成する図６の構成と、肉厚となる接着樹脂３６（シール材）のみ図４の構成を組み合わせても良い。

本発明は、上記の実施形態に限るものではなく、種々の変形、変更、改良が可能である。

図１は、本実施形態に係る放射線検出器の断面側面図である。 図２は、図１におけるガラス基板を外した状態の放射線検出器の平面図である。 図３−１は、本実施形態に係る放射線検出器の製造工程（Ａ）〜（Ｄ）の一例を示す図である。 図３−２は、本実施形態に係る放射線検出器の製造工程（Ｅ）〜（Ｆ）の一例を示す図である。 図４は、本実施形態に係る放射線検出器においてリブ材を有さない構成を示す断面側面図である。 図５は、図４におけるガラス基板を外した状態の放射線検出器の平面図である。 図６は、本実施形態に係る放射線検出器において絶縁膜を形成した構成を示す断面側面図である。 図７は、図６におけるガラス基板を外した状態の放射線検出器の平面図である。 図８は、図６の放射線検出器において絶縁膜をアクティブマトリックス基板上へ引き延ばした構成を示す断面側面図である。 図９は、図８におけるガラス基板を外した状態の放射線検出器の平面図である。 図１０は、本実施形態に係る放射線検出器においてリブ材を有さない構成と、絶縁膜を形成した構成を組み合わせた断面側面図である。 図１１は、図１０におけるガラス基板を外した状態の放射線検出器の平面図である。 図１２は、従来の放射線検出器の断面側面図である。 図１３は、図１２におけるガラス基板を外した状態の放射線検出器の平面図である。

符号の説明

１０ 放射線検出器
１２ 半導体層（電荷変換層）
１４ 電荷収集電極（下部電極）
１６ アクティブマトリックス基板（下部基板）
１８ バイアス電極（上部電極）
３２ ガラス基板（上部基板）
３６ 接着樹脂（接合部材）
４０ パリレン膜（絶縁膜）

Claims (3)

1. バイアス電圧が印加された状態で放射線が入射されることにより電荷を生成する電荷変換層と、
   前記電荷変換層下に設けられ、前記電荷変換層が生成した電荷を収集する下部電極を有する下部基板と、
   前記電荷変換層上に積層され、前記電荷変換層へ前記バイアス電圧を印加するための上部電極と、
   前記上部電極上に設けられ、前記上部電極を覆う上部基板と、
   前記下部基板の外周部上に設けられ、前記電荷変換層の周端部のみを覆うと共に前記下部基板の外周部と前記上部基板の外周部とを接合する接合部材と、
   を備えたことを特徴とする放射線検出器。
2. 前記接合部材は、前記上部電極の周端部の少なくとも一部を覆うことを特徴とする請求項１に記載の放射線検出器。
3. 前記上部電極上に形成され、前記上部電極を覆う絶縁膜を備えたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の放射線検出器。