WO2023176122A1 - 半導体パッケージ、および、半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

半導体パッケージ、および、半導体パッケージの製造方法 Download PDF

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WO2023176122A1
WO2023176122A1 PCT/JP2023/000949 JP2023000949W WO2023176122A1 WO 2023176122 A1 WO2023176122 A1 WO 2023176122A1 JP 2023000949 W JP2023000949 W JP 2023000949W WO 2023176122 A1 WO2023176122 A1 WO 2023176122A1
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WO
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rib material
semiconductor package
substrate
sensor chip
mold resin
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Application number
PCT/JP2023/000949
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English (en)
French (fr)
Inventor
直樹 栫山
Original Assignee
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures

Definitions

  • the present technology relates to semiconductor packages. Specifically, the present invention relates to a semiconductor package in which a chip and a substrate are stacked, and a method for manufacturing a semiconductor package.
  • a transfer method has been used in which resin is injected into a cavity when molding thermosetting resin.
  • a semiconductor package has been proposed in which a dam is formed around a light-receiving element on the surface of a semiconductor chip stacked on a substrate, and resin is injected into a cavity in a mold (for example, see Patent Document 1). .
  • the resin is molded so that its upper end is higher than the dam.
  • the light receiving element is protected from the resin by forming a dam around the light receiving element.
  • the pressure against which the mold is pressed is excessive, there is a risk that the light-receiving element may be damaged or burrs may occur.
  • This technology was created in view of this situation, and its purpose is to facilitate the manufacture of semiconductor packages in which resin is molded.
  • the present technology has been developed to solve the above-mentioned problems, and its first aspect includes a sensor chip in which a predetermined number of light-receiving elements are arranged in a predetermined area of a part of the surface, and the sensor chip.
  • the present invention provides a semiconductor package including a mold resin whose height substantially matches that of the rib material, and a method for manufacturing the same. This brings about the effect of suppressing damage to the light receiving element and generation of burrs.
  • the first side surface further includes a chip-side pad arranged on the sensor chip and to which one end of the wire is connected, and a substrate-side pad arranged on the substrate and connected to the other end of the wire. You can also. This brings about the effect that the sensor chip and the substrate are electrically connected.
  • the rib material can also seal the chip-side pad. This brings about the effect of improving reliability.
  • the rib material may be formed between the predetermined region and the chip-side pad. This brings about the effect of improving reliability.
  • the rib material may be formed on the substrate. This provides the effect of preventing wire deformation, cracking and peeling during die bonding.
  • the first side surface may further include a predetermined number of bumps that connect the back surface of the sensor chip to the front surface and the substrate. This brings about the effect that it is possible to reduce the height of the semiconductor package.
  • the first side surface may further include a transparent member mounted on the rib material and the mold resin. This brings about the effect that the light receiving element is protected.
  • the first aspect further includes an optical filter that is mounted on the rib material and the mold resin and that transmits a predetermined invisible light, and the sensor chip travels to the subject based on the flight time of the invisible light. You can also measure the distance between. This brings about the effect that distance information can be obtained.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration example of a semiconductor package according to a first embodiment of the present technology.
  • FIG. 2 is an example of a top view of a semiconductor package according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining a method for manufacturing a semiconductor package in the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a semiconductor package after dicing in the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a semiconductor package in a comparative example. It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of the semiconductor package in the 1st embodiment of this technique.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration example of a semiconductor package according to a first embodiment of the present technology.
  • FIG. 2 is an example of a top view of a semiconductor package according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration example of a semiconductor package in a first modification of the first embodiment of the present technology. It is a figure for explaining the manufacturing method up to leveling in the second modified example of the first embodiment of the present technology. It is a figure for explaining the manufacturing method up to molding of the mold resin in the second modification of the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a semiconductor package according to a second embodiment of the present technology.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a configuration example of a semiconductor package according to a third embodiment of the present technology.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a configuration example of a semiconductor package according to a fourth embodiment of the present technology.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a semiconductor package according to a fifth embodiment of the present technology.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration example of a vehicle control system.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of an installation position of an imaging unit.
  • First embodiment (example where the heights of the rib material and mold resin are approximately the same) 2.
  • Second embodiment (example in which the rib material is placed inside the pad and the heights of the rib material and mold resin are approximately the same) 3.
  • Third embodiment (example in which the rib material is placed outside the chip and the heights of the rib material and mold resin are approximately the same) 4.
  • Fourth embodiment (an example in which the sensor chip and the substrate are connected by bumps, and the heights of the rib material and mold resin are made approximately the same) 5.
  • Fifth embodiment (example where the sensor chip measures distance and makes the heights of the rib material and mold resin substantially the same) 6.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration example of a semiconductor package 100 according to a first embodiment of the present technology.
  • This semiconductor package 100 includes a substrate 161 and a sensor chip 150 stacked on the substrate 161.
  • X-axis a predetermined axis parallel to the plane of the substrate 161
  • Z-axis an axis perpendicular to the plane of the substrate
  • Y-axis The axis perpendicular to the X-axis and the Z-axis is referred to as the "Y-axis.” This figure shows a cross-sectional view seen from the Y-axis direction.
  • a plurality of light receiving elements 152 are arranged in a certain area on one of both surfaces of the sensor chip 150.
  • the surface on which the light receiving elements 152 are arranged will be referred to as the "surface” of the sensor chip 150, and the area on this surface where the light receiving elements 152 are arranged will be referred to as the pixel area 151.
  • the direction from the back surface to the front surface of the sensor chip 150 is defined as an "up" direction.
  • the front and back surfaces of the sensor chip 150 can also be expressed as an upper surface and a lower surface.
  • the substrate 161 for example, a multilayer substrate in which insulating layers and conductor layers are alternately laminated is used.
  • the upper surface of this substrate 161 is a flat plane, and the sensor chip 150 is stacked on the upper surface.
  • the rigidity of the substrate 161 is increased and warpage due to thermal stress is reduced compared to the case where a recess is provided in the substrate 161 and the sensor chip 150 is die-bonded to the recess. Become.
  • the area of the substrate 161 on the XY plane is larger than the sensor chip 150, and a predetermined number of pads 182 are arranged around the sensor chip 150 on the upper surface of the substrate 161. Further, a predetermined number of solder balls 170 are formed on the lower surface of the substrate 161.
  • CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor
  • a predetermined number of pads 181 are arranged around the pixel region when viewed from the Z-axis direction perpendicular to the surface of the sensor chip 150.
  • This pad 181 is electrically connected to a pad 182 on the substrate side by a wire 183.
  • the sensor chip 150 and the substrate 161 are wire-bonded.
  • the pad 181 is an example of a chip-side pad described in the claims
  • the pad 182 is an example of a substrate-side pad described in the claims.
  • rib material 130 is formed around the pixel region 151 when viewed from the Z-axis direction.
  • the pad 181 on the chip side is insulated and sealed by the rib material 130.
  • a thermosetting mold resin 140 is formed around the rib material 130. Further, the material of the rib material 130 is different from that of the mold resin 140.
  • the height of the molding resin 140 from the surface of the sensor chip 150 substantially matches the height of the rib material 130 from the surface.
  • the distance from Z1 to Z2 corresponds to the height of the molded resin 140 from the surface.
  • glass or an optical filter can be mounted on the top of the rib material 130.
  • FIG. 2 is an example of a top view of the semiconductor package 100 in the first embodiment of the present technology.
  • a plurality of light receiving elements 152 are arranged in a two-dimensional grid in a pixel area 151 on the front surface (upper surface) of the sensor chip 150.
  • a predetermined number of pads 181 are arranged around the pixel region 151 and along the outer periphery of the sensor chip 150 .
  • a region surrounded by a rectangle corresponds to the pad 181.
  • the thick line in the figure indicates the outer periphery of the sensor chip 150.
  • a rib material 130 is formed along the outer periphery of the sensor chip 150, and the pad 181 on the chip side is sealed by the rib material 130.
  • a mold resin 140 is formed around the rib material 130, and the pad 182 on the substrate side is sealed with the mold resin 140.
  • the wire 183 is sealed by the rib material 130 and the mold resin 140.
  • FIG. 3 and 4 are diagrams for explaining the manufacturing method up to molding of the mold resin of the semiconductor package 100 according to the first embodiment of the present technology.
  • a in FIG. 3 is an example of a cross-sectional view of the semiconductor package 100 when wire bonding is performed.
  • b in FIG. 3 is an example of a cross-sectional view of the semiconductor package 100 when the rib material 130 is formed.
  • 3C is an example of a cross-sectional view of the semiconductor package 100 when the rib material 130 is leveled.
  • d in FIG. 3 is an example of a cross-sectional view of the semiconductor package 100 when the mold resin 140 is molded.
  • FIG. 4 is an example of a cross-sectional view of the semiconductor package 200 after dicing.
  • the manufacturing system die-bonds the sensor chip 150 to the upper surface of the collective substrate 160, and electrically connects it by wire bonding.
  • Collective substrate 160 includes a predetermined number of substrates 161 (such as organic substrates).
  • a indicates a cross section of a portion of the collective substrate 160 that is diced as a substrate 161. Wire bonding allows the pitch of connection terminals to be narrower than electrical connections using lead frames and flip-chip bonding. This makes it possible to increase the number of terminals or reduce the size of the package.
  • the manufacturing system applies the melted rib material 130 near the outer periphery of the sensor chip 150 and temporarily hardens it.
  • the pad 181 on the chip side and a part of the wire 183 are insulated and sealed by the rib material 130.
  • the rib material 130 is preferably made of resin.
  • this resin for example, a photocurable or thermosetting resin is used.
  • the height of the rib material 130 is set to be 100 micrometers ( ⁇ m) or more. is preferred. If the rib material 130 were formed by a wafer process, it would be a thin film, and it would be difficult to obtain a film thickness necessary to prevent the wire 183 from coming into contact with the mold and to ensure the amount of elastic deformation. For this reason, it is preferable to apply the rib material 130 using a dispenser or the like, as illustrated in b in the figure.
  • the manufacturing system presses the plate material 201, which is flat on both sides, against the upper surface of the rib material 130, and performs leveling to make the height uniform. Leveling makes it difficult to create a gap between the rib material 130 and the mold 202 during transfer molding, and can suppress the occurrence of burrs. After leveling, the manufacturing system permanently hardens the rib material 130 by heat treatment or the like.
  • the manufacturing system prepares a mold 202 with a flat lower surface, presses the lower surface, and injects mold resin 140 into the cavity directly below the mold 202.
  • the cavity indicates the space between the mold 202 and the substrate 161.
  • the molding illustrated in d in the figure is called transfer molding or transfer molding.
  • the rib material 130 protects the light receiving element 152 and prevents its damage.
  • the height of the upper end of the mold resin 140 substantially matches the height of the rib material 130.
  • the manufacturing system removes the mold 202, performs dicing as illustrated in FIG. 4, and finishes manufacturing the semiconductor package 100 after various steps.
  • the rib material 130 When forming the rib material 130, it is preferable to apply it using a dispenser or the like, as described above.
  • a B stage which is a temporary hardening state, so that it can be deformed by leveling while maintaining its shape without sagging after coating. Leveling c in the figure is performed, for example, at the B stage.
  • the Young's modulus of the rib material 130 is preferably, for example, 1 gigapascal (Gpa) or more.
  • the glass transition point of the rib material 130 after main curing is preferably higher than the curing temperature of the mold resin 140, for example 150° C. or higher, in order to withstand the temperature and pressure during molding.
  • rib material 130 is SMC-762DT, which is a liquid epoxy sealant manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • G8345D and G8345D-37 which are dam & fill materials manufactured by NAMICS Corporation, may be mentioned.
  • a semiconductor package 100 having a structure in which a dam is formed around the light receiving element 152 and the height of the dam is lower than the mold resin 140 is assumed as a comparative example.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a semiconductor package in a comparative example.
  • a is an example of a cross-sectional view of the semiconductor package 100 after molding the mold resin 140
  • b in the figure is an example of a cross-sectional view of the semiconductor package 100 immediately before the mold resin 140 is molded.
  • a dam 135 is formed around the light receiving element 152, and a mold resin 140 is formed around the dam 135. Further, the height of the upper end of the dam 135 from the surface of the sensor chip 150 is lower than the upper end of the mold resin 140.
  • a mold 203 whose lower surface partially protrudes is used when molding the mold resin 140, as illustrated in b in the figure.
  • the manufacturing system presses the protruding portion, that is, the convex portion, against the dam 135, and injects mold resin 140 into the cavity around the convex portion.
  • FIG. 6 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing the semiconductor package 100 according to the first embodiment of the present technology.
  • the manufacturing system die-bonds the sensor chip 150 to the collective substrate 160 and electrically connects it by wire bonding (step S901).
  • the manufacturing system forms the rib material 130 around the pixel area 151 when viewed from the Z-axis direction, and temporarily hardens it (step S902).
  • step S903 the manufacturing system levels the rib material 130 (step S903), presses the flat surface of the mold 202, and transfer molds the mold resin 140 (step S904).
  • step S904 the manufacturing system performs various processes such as dicing (step S905), and ends the manufacturing process of the semiconductor package 100.
  • the height of the rib material 130 substantially matches the height of the mold resin 140, the height of the rib material 130 is increased by using the flat mold 202 when molding the mold resin 140. It is possible to reduce the stress on Thereby, damage to the light receiving element 152 and generation of burrs are suppressed, and manufacturing of the semiconductor package 100 becomes easier.
  • a transparent member such as glass was not mounted on the top of the rib material 130, but a transparent member may also be mounted in order to protect the light receiving element 152.
  • a semiconductor package 100 according to a first modification of the first embodiment differs from the first embodiment in that a transparent member is mounted.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a configuration example of the semiconductor package 100 in a first modification of the first embodiment of the present technology.
  • a plate-shaped transparent member 121 is mounted on the upper surface of the rib material 130 and the mold resin 140 after the mold resin 140 is molded.
  • the transparent member 121 When mounting the transparent member 121, its lower surface is adhered to the upper surface of the rib material 130 and the upper surface of the molded resin 140 with the seal resin 192.
  • a member having transmittance characteristics matching the characteristics of the light receiving element 152 such as glass, quartz, or plastic, is used.
  • the transparent member 121 is preliminarily separated into pieces before mounting by dicing a glass wafer or the like.
  • the sensor chip 150 can function as an RGB (Red, Green, Blue) sensor.
  • the sensor chip 150 can function as an IR (Infra-Red) sensor.
  • an optical member having the same function as an optical filter used in the set can also be used.
  • the transparent member 121 is retrofitted after molding the mold resin 140, there are fewer cavities for outgas and moisture from the rib material 130, compared to the case where the transparent member 121 is mounted after the rib material 130 is applied and before the mold resin 140 is molded. It is possible to prevent the liquid from filling inside.
  • the cavity refers to a space surrounded by the rib material 130, the transparent member 121, and the sensor chip 150, unlike when molding the mold resin 140.
  • the transparent member 121 can be temporarily fixed using a temporary fixing material instead of the sealing resin 192, and the transparent member 121 can be removed when necessary. Thereby, the light receiving element 152 can be protected from contact and adhesion of dust, etc., and deterioration of the optical characteristics of the light receiving element 152 can be prevented.
  • the transparent member 121 can be mounted on both the rib material 130 and the mold resin 140. This makes it possible to reduce the area of the mold resin 140 and correspondingly reduce the area of the semiconductor package 100 when viewed from the Z-axis direction, compared to the comparative example in which the semiconductor package 100 can be mounted only on the mold resin 140.
  • the transparent member 121 is mounted on the rib material 130 and the mold resin 140, the light receiving element 152 can be protected.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining the manufacturing method up to leveling in the second modification of the first embodiment of the present technology.
  • the manufacturing method shown in the figure differs from the manufacturing methods shown in FIGS. 3 and 4 in that the glass wafer and the aggregate substrate are diced at the same time.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining the manufacturing method up to molding of the mold resin 140 in the second modification of the first embodiment of the present technology. The steps in the figure are executed after FIG. 8.
  • the manufacturing system mounts the glass wafer 120 on the upper surface of the rib material 130. By collectively mounting them at the wafer level, manufacturing costs can be reduced compared to the first modification of the first embodiment in which each chip is mounted after being singulated.
  • the manufacturing system presses the glass wafer 120 with a mold 204 having a flat bottom surface, and forms a mold resin 140 by transfer molding.
  • a release film 111 is placed between the mold 204 and the glass wafer 120 to prevent the glass wafer 120 from being scratched. Note that transfer molding can also be performed without sandwiching the mold release film 111.
  • the manufacturing system dices the glass wafer 120 and the aggregate substrate 160. Since the glass wafer 120 and the collective substrate 160 can be singulated all at once, manufacturing costs can be reduced compared to the first modification of the first embodiment in which the glass wafer 120 and the collective substrate 160 are singulated individually. I can do it.
  • the glass wafer and the silicon wafer are diced all at once, so the manufacturing process is faster than when dicing each wafer individually. Cost can be reduced.
  • Second embodiment> In the first embodiment described above, the pad 181 on the chip side is sealed with the rib material 130, but the position of the rib material 130 can also be changed.
  • the semiconductor package 100 in this second embodiment differs from the first embodiment in that a rib material 130 is disposed between a pad 181 on the chip side and a pixel region 151.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a semiconductor package 100 according to the second embodiment of the present technology.
  • the semiconductor package 100 of this second embodiment differs from the first embodiment in that a rib material 130 is arranged between a pad 181 on the chip side and a pixel region 151.
  • the wire 183 is sealed with the mold resin 140.
  • mold resin 140 can reduce the linear expansion coefficient by containing a filler, so sealing with such mold resin 140 can reduce thermal stress generated in wire 183 due to linear expansion. . Thereby, reliability deterioration such as disconnection of the wire 183 can be suppressed.
  • the rib material 130 is arranged between the pad 181 on the chip side and the pixel region 151, the wire 183 is sealed with the mold resin 140, Reliability can be improved.
  • Third embodiment> In the first embodiment described above, the pad 181 on the chip side is sealed with the rib material 130, but the position of the rib material 130 can also be changed.
  • the semiconductor package 100 in this third embodiment differs from the first embodiment in that a rib material 130 is arranged on the upper surface of a substrate 161.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a semiconductor package 100 according to the third embodiment of the present technology.
  • the semiconductor package 100 of this third embodiment differs from the first embodiment in that a rib material 130 is arranged on the outside of the sensor chip 150 (in other words, on the upper surface of the substrate 161). A portion between both ends of the wire 183 is fixed by the rib material 130. This prevents deformation of the wire 183 due to the force exerted by the flow of the mold resin 140 during transfer molding, and prevents short circuits due to contact between adjacent wires and breakage of the wire 183. In addition, stress tends to concentrate in the fillet part (not shown) of the die bond material between the sensor chip 150 and the substrate 161, but by sealing that part with the rib material 130, cracking and peeling of the die bond material can be prevented. can do.
  • the rib material 130 is arranged on the upper surface of the substrate 161, deformation of the wire 183 and cracking and peeling of the die bonding material can be prevented.
  • the sensor chip 150 and the substrate 161 are connected by the wire 183, but the connection can also be made by a bump instead of the wire 183.
  • the semiconductor package 100 in this fourth embodiment differs from the first embodiment in that a sensor chip 150 and a substrate 161 are connected by bumps.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a configuration example of a semiconductor package 100 according to the fourth embodiment of the present technology.
  • the semiconductor package 100 of the fourth embodiment is different from the first embodiment in that the back surface (lower surface) of the sensor chip 150 and the upper surface of the substrate 161 are electrically connected by a predetermined number of bumps 191. different.
  • the height of the molding resin 140 can be reduced, and the semiconductor package 100 can be made low in height.
  • first modification of the first embodiment or the second modification of the first embodiment can be applied to the fourth embodiment.
  • third embodiment can be applied to the fourth embodiment.
  • the sensor chip 150 and the substrate 161 are connected by the bumps 191, so the semiconductor package 100 can be made low in height.
  • the sensor chip 150 did not measure the distance to the subject, but it can also measure the distance using a ToF (Time of Flight) method.
  • the semiconductor package 100 according to the fifth embodiment differs from the first embodiment in that the sensor chip 150 performs distance measurement using the ToF method.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a semiconductor package 100 according to the fifth embodiment of the present technology.
  • the semiconductor package 100 of the fifth embodiment differs from the first embodiment in that the sensor chip 150 is provided with a circuit that functions as a ToF sensor that measures the distance to an object using the ToF method.
  • optical filter 112 is adhered to the upper surfaces of the rib material 130 and the mold resin 140 with a seal resin 192.
  • This optical filter 112 transmits predetermined invisible light (infrared light, etc.).
  • the ToF sensor of the sensor chip 150 receives infrared light and calculates the distance from the time of flight.
  • the ToF sensor since the ToF sensor is provided, the distance to the subject can be measured.
  • the technology according to the present disclosure (this technology) can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure may be realized as a device mounted on any type of moving body such as a car, electric vehicle, hybrid electric vehicle, motorcycle, bicycle, personal mobility, airplane, drone, ship, robot, etc. It's okay.
  • FIG. 14 is a block diagram illustrating a schematic configuration example of a vehicle control system, which is an example of a mobile body control system to which the technology according to the present disclosure can be applied.
  • the vehicle control system 12000 includes a plurality of electronic control units connected via a communication network 12001.
  • the vehicle control system 12000 includes a drive system control unit 12010, a body system control unit 12020, an outside vehicle information detection unit 12030, an inside vehicle information detection unit 12040, and an integrated control unit 12050.
  • a microcomputer 12051, an audio/image output section 12052, and an in-vehicle network I/F (interface) 12053 are illustrated.
  • the drive system control unit 12010 controls the operation of devices related to the drive system of the vehicle according to various programs.
  • the drive system control unit 12010 includes a drive force generation device such as an internal combustion engine or a drive motor that generates drive force for the vehicle, a drive force transmission mechanism that transmits the drive force to wheels, and a drive force transmission mechanism that controls the steering angle of the vehicle. It functions as a control device for a steering mechanism to adjust and a braking device to generate braking force for the vehicle.
  • the body system control unit 12020 controls the operations of various devices installed in the vehicle body according to various programs.
  • the body system control unit 12020 functions as a keyless entry system, a smart key system, a power window device, or a control device for various lamps such as a headlamp, a back lamp, a brake lamp, a turn signal, or a fog lamp.
  • radio waves transmitted from a portable device that replaces a key or signals from various switches may be input to the body control unit 12020.
  • the body system control unit 12020 receives input of these radio waves or signals, and controls the door lock device, power window device, lamp, etc. of the vehicle.
  • the external information detection unit 12030 detects information external to the vehicle in which the vehicle control system 12000 is mounted.
  • an imaging section 12031 is connected to the outside-vehicle information detection unit 12030.
  • the vehicle exterior information detection unit 12030 causes the imaging unit 12031 to capture an image of the exterior of the vehicle, and receives the captured image.
  • the external information detection unit 12030 may perform object detection processing such as a person, car, obstacle, sign, or text on the road surface or distance detection processing based on the received image.
  • the imaging unit 12031 is an optical sensor that receives light and outputs an electrical signal according to the amount of received light.
  • the imaging unit 12031 can output the electrical signal as an image or as distance measurement information.
  • the light received by the imaging unit 12031 may be visible light or non-visible light such as infrared rays.
  • the in-vehicle information detection unit 12040 detects in-vehicle information.
  • a driver condition detection section 12041 that detects the condition of the driver is connected to the in-vehicle information detection unit 12040.
  • the driver condition detection unit 12041 includes, for example, a camera that images the driver, and the in-vehicle information detection unit 12040 detects the degree of fatigue or concentration of the driver based on the detection information input from the driver condition detection unit 12041. It may be calculated, or it may be determined whether the driver is falling asleep.
  • the microcomputer 12051 calculates control target values for the driving force generation device, steering mechanism, or braking device based on the information inside and outside the vehicle acquired by the vehicle exterior information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040, Control commands can be output to 12010.
  • the microcomputer 12051 realizes ADAS (Advanced Driver Assistance System) functions, including vehicle collision avoidance or shock mitigation, following distance based on vehicle distance, vehicle speed maintenance, vehicle collision warning, vehicle lane departure warning, etc. It is possible to perform cooperative control for the purpose of ADAS (Advanced Driver Assistance System) functions, including vehicle collision avoidance or shock mitigation, following distance based on vehicle distance, vehicle speed maintenance, vehicle collision warning, vehicle lane departure warning, etc. It is possible to perform cooperative control for the purpose of
  • ADAS Advanced Driver Assistance System
  • the microcomputer 12051 controls the driving force generating device, steering mechanism, braking device, etc. based on information about the surroundings of the vehicle acquired by the vehicle exterior information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040. It is possible to perform cooperative control for the purpose of autonomous driving, etc., which does not rely on operation.
  • the microcomputer 12051 can output a control command to the body system control unit 12020 based on the information outside the vehicle acquired by the outside information detection unit 12030.
  • the microcomputer 12051 controls the headlamps according to the position of the preceding vehicle or oncoming vehicle detected by the vehicle exterior information detection unit 12030, and performs cooperative control for the purpose of preventing glare, such as switching from high beam to low beam. It can be carried out.
  • the audio and image output unit 12052 transmits an output signal of at least one of audio and images to an output device that can visually or audibly notify information to the occupants of the vehicle or to the outside of the vehicle.
  • an audio speaker 12061, a display section 12062, and an instrument panel 12063 are illustrated as output devices.
  • the display unit 12062 may include, for example, at least one of an on-board display and a head-up display.
  • FIG. 15 is a diagram showing an example of the installation position of the imaging section 12031.
  • the imaging unit 12031 includes imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105.
  • the imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105 are provided, for example, at positions such as the front nose, side mirrors, rear bumper, back door, and the top of the windshield inside the vehicle 12100.
  • An imaging unit 12101 provided in the front nose and an imaging unit 12105 provided above the windshield inside the vehicle mainly acquire images in front of the vehicle 12100.
  • Imaging units 12102 and 12103 provided in the side mirrors mainly capture images of the sides of the vehicle 12100.
  • An imaging unit 12104 provided in the rear bumper or back door mainly captures images of the rear of the vehicle 12100.
  • the imaging unit 12105 provided above the windshield inside the vehicle is mainly used to detect preceding vehicles, pedestrians, obstacles, traffic lights, traffic signs, lanes, and the like.
  • FIG. 15 shows an example of the imaging range of the imaging units 12101 to 12104.
  • An imaging range 12111 indicates the imaging range of the imaging unit 12101 provided on the front nose
  • imaging ranges 12112 and 12113 indicate imaging ranges of the imaging units 12102 and 12103 provided on the side mirrors, respectively
  • an imaging range 12114 shows the imaging range of the imaging unit 12101 provided on the front nose.
  • the imaging range of the imaging unit 12104 provided in the rear bumper or back door is shown. For example, by overlapping the image data captured by the imaging units 12101 to 12104, an overhead image of the vehicle 12100 viewed from above can be obtained.
  • At least one of the imaging units 12101 to 12104 may have a function of acquiring distance information.
  • at least one of the imaging units 12101 to 12104 may be a stereo camera including a plurality of image sensors, or may be an image sensor having pixels for phase difference detection.
  • the microcomputer 12051 determines the distance to each three-dimensional object within the imaging ranges 12111 to 12114 and the temporal change in this distance (relative speed with respect to the vehicle 12100) based on the distance information obtained from the imaging units 12101 to 12104. In particular, by determining the three-dimensional object that is closest to the vehicle 12100 on its path and that is traveling at a predetermined speed (for example, 0 km/h or more) in approximately the same direction as the vehicle 12100, it is possible to extract the three-dimensional object as the preceding vehicle. can.
  • a predetermined speed for example, 0 km/h or more
  • the microcomputer 12051 can set an inter-vehicle distance to be secured in advance in front of the preceding vehicle, and perform automatic brake control (including follow-up stop control), automatic acceleration control (including follow-up start control), and the like. In this way, it is possible to perform cooperative control for the purpose of autonomous driving, etc., in which the vehicle travels autonomously without depending on the driver's operation.
  • the microcomputer 12051 transfers three-dimensional object data to other three-dimensional objects such as two-wheeled vehicles, regular vehicles, large vehicles, pedestrians, and utility poles based on the distance information obtained from the imaging units 12101 to 12104. It can be classified and extracted and used for automatic obstacle avoidance. For example, the microcomputer 12051 identifies obstacles around the vehicle 12100 into obstacles that are visible to the driver of the vehicle 12100 and obstacles that are difficult to see. Then, the microcomputer 12051 determines a collision risk indicating the degree of risk of collision with each obstacle, and when the collision risk exceeds a set value and there is a possibility of a collision, the microcomputer 12051 transmits information via the audio speaker 12061 and the display unit 12062. By outputting a warning to the driver via the vehicle control unit 12010 and performing forced deceleration and avoidance steering via the drive system control unit 12010, driving support for collision avoidance can be provided.
  • the microcomputer 12051 determines a collision risk indicating the degree of risk of collision with each obstacle, and when the collision risk exceed
  • At least one of the imaging units 12101 to 12104 may be an infrared camera that detects infrared rays.
  • the microcomputer 12051 can recognize a pedestrian by determining whether the pedestrian is present in the images captured by the imaging units 12101 to 12104.
  • pedestrian recognition involves, for example, a procedure for extracting feature points in images captured by the imaging units 12101 to 12104 as infrared cameras, and a pattern matching process is performed on a series of feature points indicating the outline of an object to determine whether it is a pedestrian or not.
  • the audio image output unit 12052 creates a rectangular outline for emphasis on the recognized pedestrian.
  • the display unit 12062 is controlled to display the .
  • the audio image output unit 12052 may control the display unit 12062 to display an icon or the like indicating a pedestrian at a desired position.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to the imaging unit 12031 among the configurations described above.
  • the semiconductor package 100 in FIG. 1 can be applied to the imaging section 12031.
  • the present technology can also have the following configuration.
  • a sensor chip in which a predetermined number of light receiving elements are arranged within a predetermined area of a part of the surface; a substrate to which the sensor chip is connected; a rib material formed around the predetermined area when viewed from a direction perpendicular to the surface;
  • a semiconductor package comprising: a mold resin formed around the rib material when viewed from the vertical direction, and having a height from the surface that substantially matches that of the rib material.
  • a chip-side pad arranged on the sensor chip and to which one end of the wire is connected;
  • (8) further comprising an optical filter mounted on the rib material and the mold resin and transmitting predetermined invisible light;
  • the semiconductor package according to any one of (1) to (6), wherein the sensor chip measures the distance to a subject based on the flight time of the invisible light.
  • (9) a connection procedure for electrically connecting a sensor chip in which a predetermined number of light receiving elements are arranged in a predetermined area of a part of the surface and a collective substrate including the substrate; a rib material forming step of forming a rib material around the predetermined area when viewed from a direction perpendicular to the surface;
  • a method of manufacturing a semiconductor package comprising a molding step of pressing a flat surface of a mold to transfer mold a mold resin around the rib material when viewed from the perpendicular direction.

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Abstract

樹脂を成型する半導体パッケージにおいて、半導体パッケージの製造を容易にする。　半導体パッケージは、センサチップ、基板、リブ材およびモールド樹脂を具備する。センサチップの表面の一部の所定領域内に所定数の受光素子が配列される。基板にセンサチップが接続される。リブ材は、表面に垂直な方向から見て所定領域の周囲に形成される。モールド樹脂は、その垂直な方向から見てリブ材の周囲に形成され、表面からの高さがリブ材と略一致する。

Description

半導体パッケージ、および、半導体パッケージの製造方法
　本技術は、半導体パッケージに関する。詳しくは、チップおよび基板が積層された半導体パッケージ、および、半導体パッケージの製造方法に関する。
　従来より、半導体パッケージなどにおいて、熱硬化性の樹脂を成型する際にキャビティ内に樹脂を注入するトランスファ方式が用いられている。例えば、基板に積層した半導体チップにおいて、その表面上の受光素子の周囲にダムを形成し、樹脂を金型内のキャビティに注入した半導体パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この半導体パッケージにおいて、樹脂は、その上端がダムより高くなるように成型される。
特開２０１６－３３９６３号公報
　上述の従来技術では、受光素子の周囲にダムを形成することにより、受光素子を樹脂から保護している。しかしながら、金型を押し当てる圧力が過剰であるときに、受光素子の破損や、バリが生じるおそれがある。
　本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、樹脂を成型する半導体パッケージにおいて、半導体パッケージの製造を容易にすることを目的とする。
　本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の側面は、表面の一部の所定領域内に所定数の受光素子が配列されたセンサチップと、上記センサチップが接続された基板と、上記表面に垂直な方向から見て上記所定領域の周囲に形成されたリブ材と、上記垂直な方向から見て上記リブ材の周囲に形成され、上記表面からの高さが上記リブ材と略一致するモールド樹脂とを具備する半導体パッケージ、および、その製造方法である。これにより、受光素子の破損や、バリの発生が抑制されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記センサチップに配置され、ワイヤの一端が接続されるチップ側パッドと、上記基板に配置され、上記ワイヤの他端が接続される基板側パッドとをさらに具備することもできる。これにより、センサチップと基板とが電気的に接続されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記リブ材は、上記チップ側パッドを封止することもできる。これにより、信頼性が向上するという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記リブ材は、上記所定領域と上記チップ側パッドとの間に形成されてもよい。これにより、信頼性が向上するという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記リブ材は、上記基板に形成されてもよい。これにより、ワイヤの変形や、ダイボンド時のクラックや剥がれが防止されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記センサチップの両面のうち上記表面に対する裏面と上記基板とを接続する所定数のバンプをさらに具備することもできる。これにより、半導体パッケージの低背化が可能になるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記リブ材および上記モールド樹脂にマウントされた透明部材をさらに具備することもできる。これにより、受光素子が保護されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記リブ材および上記モールド樹脂にマウントされ、所定の不可視光を透過する光学フィルタをさらに具備し、上記センサチップは、上記不可視光の飛行時間に基づいて被写体までの距離を測定してもよい。これにより、距離情報が得られるという作用をもたらす。
本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージの一構成例を示す断面図である。 本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージの上面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージの製造方法を説明するための図である。 本技術の第１の実施の形態におけるダイシング後の半導体パッケージの一構成例を示す断面図である。 比較例における半導体パッケージの断面図である。 本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージの製造方法の一例を示すフローチャートである。 本技術の第１の実施の形態の第１の変形例における半導体パッケージの一構成例を示す断面図である。 本技術の第１の実施の形態の第２の変形例におけるレベリングまでの製造方法を説明するための図である。 本技術の第１の実施の形態の第２の変形例におけるモールド樹脂の成型までの製造方法を説明するための図である。 本技術の第２の実施の形態における半導体パッケージの一構成例を示す断面図である。 本技術の第３の実施の形態における半導体パッケージの一構成例を示す断面図である。 本技術の第４の実施の形態における半導体パッケージの一構成例を示す断面図である。 本技術の第５の実施の形態における半導体パッケージの一構成例を示す断面図である。 車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。 撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
　以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
　１．第１の実施の形態（リブ材とモールド樹脂の高さを略同一にする例）
　２．第２の実施の形態（リブ材をパッドより内側に配置し、リブ材とモールド樹脂の高さを略同一にする例）
　３．第３の実施の形態（リブ材をチップの外側に配置し、リブ材とモールド樹脂の高さを略同一にする例）
　４．第４の実施の形態（センサチップと基板とをバンプにより接続し、リブ材とモールド樹脂の高さを略同一にする例）
　５．第５の実施の形態（センサチップが距離を測定し、リブ材とモールド樹脂の高さを略同一にする例）
　６．移動体への応用例
　＜１．第１の実施の形態＞
　［半導体パッケージの構成例］
　図１は、本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージ１００の一構成例を示す断面図である。この半導体パッケージ１００は、基板１６１と、その基板１６１に積層されたセンサチップ１５０とを備える。
　以下、基板１６１の基板平面に平行な所定の軸を「Ｘ軸」とし、その基板平面に垂直な軸を「Ｚ軸」とする。Ｘ軸およびＺ軸に垂直な軸を「Ｙ軸」とする。同図は、Ｙ軸方向から見た断面図を示す。
　センサチップ１５０の両面のうち一方において、一部の領域内に、複数の受光素子１５２が配列される。以下、受光素子１５２が配列された面をセンサチップ１５０の「表面」とし、この表面のうち、受光素子１５２が配列された領域を画素領域１５１とする。また、センサチップ１５０の裏面から表面への方向を「上」の方向とする。センサチップ１５０の表面および裏面は、上面および下面と表現することもできる。
　基板１６１として、例えば、絶縁層および導体層を交互に積層した多層基板が用いられる。この基板１６１の上面はフラットな平面であり、その上面にセンサチップ１５０が積層される。基板１６１の平面にセンサチップ１５０を積層することにより、基板１６１に凹部を設け、その凹部にセンサチップ１５０をダイボンドする場合と比較して、基板１６１の剛性が高くなり、熱応力による反りが少なくなる。
　また、Ｘ－Ｙ平面上の基板１６１の面積は、センサチップ１５０よりも大きく、基板１６１の上面において、センサチップ１５０の周囲に所定数のパッド１８２が配置される。また、基板１６１の下面には、所定数の半田ボール１７０が形成される。
　センサチップ１５０には、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサーとして機能する回路が形成される。このＣＭＯＳイメージセンサーは、受光素子１５２のそれぞれからの信号を処理し、画像データを生成する。
　また、センサチップ１５０の表面に垂直なＺ軸方向から見て、画素領域の周囲には、所定数のパッド１８１が配置される。このパッド１８１は、基板側のパッド１８２とワイヤ１８３により電気的に接続される。言い換えれば、センサチップ１５０と基板１６１とはワイヤボンディングされている。なお、パッド１８１は、特許請求の範囲に記載のチップ側パッドの一例であり、パッド１８２は、特許請求の範囲に記載の基板側パッドの一例である。
　また、Ｚ軸方向から見て、画素領域１５１の周囲にリブ材１３０が形成される。チップ側のパッド１８１は、リブ材１３０により絶縁封止される。また、リブ材１３０の周囲に熱硬化性のモールド樹脂１４０が形成される。また、リブ材１３０の材料は、モールド樹脂１４０と異なるものとする。
　センサチップ１５０の表面からのモールド樹脂１４０の高さは、その表面からのリブ材１３０の高さと略一致する。Ｚ軸方向において、センサチップ１５０の表面の座標をＺ１とし、モールド樹脂１４０の上端の座標をＺ２とすると、Ｚ１からＺ２までの距離が、表面からのモールド樹脂１４０の高さに該当する。モールド樹脂１４０およびリブ材１３０の高さを略一致させることにより、それらの上面が同一平面上となり、半導体パッケージ１００の上面がフラットな面となる。このため、その上面を組付け時に基準面とすることができ、光学調整を簡素化することができる。
　なお、後述するように、リブ材１３０の上部に、ガラスや光学フィルタをマウントすることができる。
　図２は、本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージ１００の上面図の一例である。
　センサチップ１５０の表面（上面）のうち画素領域１５１内に、複数の受光素子１５２が二次元格子状に配列される。画素領域１５１の周囲において、センサチップ１５０の外周に沿って所定数のパッド１８１が配置される。矩形に囲まれた領域がパッド１８１に該当する。同図における太線は、センサチップ１５０の外周を示す。また、センサチップ１５０の外周に沿って、リブ材１３０が形成され、そのリブ材１３０によりチップ側のパッド１８１が封止される。また、リブ材１３０の周囲にモールド樹脂１４０が形成され、そのモールド樹脂１４０により基板側のパッド１８２が封止される。リブ材１３０およびモールド樹脂１４０により、ワイヤ１８３が封止される。
　［半導体パッケージの製造方法］
　図３および図４は、本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージ１００のモールド樹脂の成型までの製造方法を説明するための図である。図３におけるａは、ワイヤボンディングを行った際の半導体パッケージ１００の断面図の一例である。図３におけるｂは、リブ材１３０を形成した際の半導体パッケージ１００の断面図の一例である。図３におけるｃは、リブ材１３０のレベリングを行った際の半導体パッケージ１００の断面図の一例である。図３におけるｄは、モールド樹脂１４０を成型した際の半導体パッケージ１００の断面図の一例である。図４は、ダイシング後の半導体パッケージ２００の断面図の一例である。
　図３におけるａに例示するように、製造システムは、集合基板１６０の上面にセンサチップ１５０をダイボンドし、ワイヤボンディングにより電気的に接続する。集合基板１６０は、所定数の基板１６１（有機基板など）を含む。同図におけるａは、集合基板１６０のうち、基板１６１としてダイシングされる部分の断面を示す。ワイヤボンディングにより、リードフレームとフリップチップ接合とを用いる電気的な接続に比べて、接続端子のピッチを狭くすることができる。これにより、端子数の増大またはパッケージの小型化が可能になる。
　続いて、図３におけるｂに例示するように、製造システムは、センサチップ１５０の外周の近傍に、溶融したリブ材１３０を塗布し、仮硬化させる。このとき、チップ側のパッド１８１とワイヤ１８３の一部とは、リブ材１３０により絶縁封止される。絶縁性を持たせるために、リブ材１３０は樹脂であることが望ましい。この樹脂として、例えば、光硬化性または熱硬化性の樹脂が用いられる。
　また、トランスファ成型時のワイヤ１８３の金型への接触を防ぐ観点と、金型押圧時に十分な弾性変形量を確保する観点とから、リブ材１３０の高さは、１００マイクロメートル（μｍ）以上が好ましい。仮に、ウェハプロセスでリブ材１３０を形成すると、薄膜となり、ワイヤ１８３の金型への接触防止と弾性変形量の確保とに必要な膜厚を得ることが困難である。このため、同図におけるｂに例示したように、ディスペンサなどによりリブ材１３０を塗布することが好ましい。
　そして、図３におけるｃに例示するように、製造システムは、両面が平坦な板材２０１をリブ材１３０の上面に押し当て、高さを均一にするレベリングを行う。レベリングにより、トランスファ成型時にリブ材１３０と金型２０２の間に隙間が生じにくくなり、バリの発生を抑制することができる。レベリング後に、製造システムは、熱処理などによりリブ材１３０を本硬化させる。
　図３におけるｄに例示するように、製造システムは、下面が平坦な金型２０２を用意し、その下面を押し当ててモールド樹脂１４０を金型２０２直下のキャビティに注入する。ここで、キャビティは、金型２０２と基板１６１との間の空間を示す。同図におけるｄに例示した成型は、トランスファ成型（transfer molding）、あるいは、トランスファモールド成型と呼ばれる。トランスファ成型の際、リブ材１３０により受光素子１５２が保護され、その破損が防止される。また、下面が平坦な金型２０２を押し当ててトランスファ成型したため、モールド樹脂１４０の上端の高さは、リブ材１３０の高さと略一致する。
　また、ボイド抑制のため、減圧下または真空下でトランスファ成型を行うことが好ましい。パッケージごとの高さのばらつきは、同図に例示したｃのレベリングにより調整されているため、高さのばらつきを吸収するためのフィルムや金型が不要になり、製造コストを削減することができる。また、成型前にガラスで封止する場合と比較して、成型時にガラスがないため、金型２０２の押圧によるガラスの破損を防止することができる。
　製造システムは、金型２０２を外し、図４に例示するようにダイシングを行い、各種の工程後に半導体パッケージ１００の製造を終了する。
　リブ材１３０を形成する際は、上述のように、ディスペンサなどで塗布することが好ましい。リブ材１３０の物性としては、塗布後にダレずに形状を維持しつつもレベリングによる変形を可能とするため、仮硬化の状態であるＢステージを有することが望ましい。同図におけるｃのレベリングは、例えば、Ｂステージで行われる。また、本硬化後にトランスファ成型時の圧力に耐えうる剛性も必要なため、リブ材１３０のヤング率は、例えば、１ギガパスカル（Ｇｐａ）以上であることが好ましい。さらに、受光素子１５２へのノイズ光の侵入を防止するため、光透過率および反射率が小さい光学特性を有する（例えば、黒色である）ことが好ましい。また、リブ材１３０の本硬化後のガラス転移点はモールド時の温度および圧力に耐え得るため、モールド樹脂１４０の硬化温度以上、例えば１５０℃以上であることが好ましい。
　リブ材１３０の具体例として、信越化学工業株式会社の液状エポキシ封止材であるＳＭＣ－７６２ＤＴが挙げられる。あるいは、ナミックス株式会社のダム＆フィル材である、Ｇ８３４５ＤやＧ８３４５Ｄ－３７が挙げられる。
　ここで、受光素子１５２の周囲にダムを形成し、そのダムの高さがモールド樹脂１４０より低い構造の半導体パッケージ１００を比較例として想定する。
　図５は、比較例における半導体パッケージの断面図である。同図におけるａは、モールド樹脂１４０の成型後の半導体パッケージ１００の断面図の一例であり、同図におけるｂは、モールド樹脂１４０の成型直前の半導体パッケージ１００の断面図の一例である。
　同図におけるａに例示するように、比較例においては、受光素子１５２の周囲にダム１３５が形成され、そのダム１３５の周囲にモールド樹脂１４０が形成される。また、センサチップ１５０の表面からのダム１３５の上端の高さは、モールド樹脂１４０の上端よりも低いものとする。
　比較例の半導体パッケージ１００を製造する際には、同図におけるｂに例示するように、モールド樹脂１４０の成型時に、下面の一部が突出した金型２０３が用いられる。製造システムは、その突出した部分である凸部をダム１３５に押し当て、凸部の周囲のキャビティ内にモールド樹脂１４０を注入する。
　同図に例示した比較例では、モールド樹脂１４０のトランスファ成型時に、金型２０３の凸部を押し当てるため、ダム１３５に過剰な圧力がかかり、ダム１３５の弾性変形により、受光素子１５２に凸部が当たって受光素子１５２が破損するおそれがある。また、金型２０３と受光素子１５２の接触による受光素子１５２の破損を避けるためには、金型２０３の下面にフィルムを付けるフィルムモールドも行わることもできるが、モールドのたびにフィルムを交換する必要があり、コスト増加を招く。また、ダム１３５の弾性変形により隙間が生じ、モールド樹脂１４０の形成不良（すなわち、バリ）が生じるおそれがある。
　これに対して、リブ材１３０の高さをモールド樹脂１４０と略一致させる構造では、図３におけるｄに例示したように、金型２０２の平坦な下面を押し当てればよいため、リブ材１３０への応力を比較例よりも軽減することができる。これにより、受光素子１５２の破損や、バリの発生を抑制することができる。
　図６は、本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージ１００の製造方法の一例を示すフローチャートである。製造システムは、集合基板１６０にセンサチップ１５０をダイボンドし、ワイヤボンディングにより電気的に接続する（ステップＳ９０１）。
　製造システムは、Ｚ軸方向から見て画素領域１５１の周囲にリブ材１３０を形成し、仮硬化させる（ステップＳ９０２）。
　そして、製造システムは、リブ材１３０のレベリングを行い（ステップＳ９０３）、金型２０２の平面を押し当ててモールド樹脂１４０をトランスファ成型する（ステップＳ９０４）。ステップＳ９０４の後に、製造システムは、ダイシング（ステップＳ９０５）などの各種の工程を行い、半導体パッケージ１００の製造工程を終了する。
　このように、本技術の第１の実施の形態によれば、リブ材１３０の高さがモールド樹脂１４０と略一致するため、モールド樹脂１４０の成型時に平坦な金型２０２の使用によりリブ材１３０への応力を軽減することができる。これにより、受光素子１５２の破損や、バリの発生が抑制され、半導体パッケージ１００の製造が容易になる。
　［第１の変形例］
　上述の第１の実施の形態では、リブ材１３０の上部にガラスなどの透明部材をマウントしていなかったが、受光素子１５２を保護するために、透明部材をマウントすることもできる。この第１の実施の形態の第１の変形例における半導体パッケージ１００は、透明部材をマウントした点において第１の実施の形態と異なる。
　図７は、本技術の第１の実施の形態の第１の変形例における半導体パッケージ１００の一構成例を示す断面図である。この第１の実施の形態の第１の変形例における半導体パッケージ１００においては、モールド樹脂１４０の成型後に、リブ材１３０およびモールド樹脂１４０の上面に板状の透明部材１２１がマウントされる。
　透明部材１２１のマウントの際に、その下面は、リブ材１３０の上面とモールド樹脂１４０の上面とにシール樹脂１９２により接着される。透明部材１２１として、ガラス、石英、プラスチックなど、受光素子１５２の特性に合わせた透過率特性を有する部材が用いられる。透明部材１２１は、ガラスウェハーのダイシングなどにより、マウント前に予め個片化される。
　例えば、透明部材１２１としてガラスを用い、さらに可視光領域の光の透過率を高くするコーティングを施すことで、センサチップ１５０をＲＧＢ（Red, Green, Blue）センサとして機能させることができる。あるいは、赤外光領域の光の透過率を高くするコーティングを施すことで、センサチップ１５０をＩＲ（Infra-Red）センサとして機能させることができる。また、透明部材１２１として、例えば、セット内で使用している光学フィルタと同様の機能を有する光学部材を用いることもできる。
　モールド樹脂１４０の成型後に透明部材１２１を後付けするため、リブ材１３０の塗布後、モールド樹脂１４０の成型前に透明部材１２１をマウントする場合と比較して、リブ材１３０からのアウトガスや水分のキャビティ内への充満を防止することができる。ここで、キャビティは、モールド樹脂１４０の成型時と異なり、リブ材１３０と透明部材１２１とセンサチップ１５０により囲まれる空間を示す。アウトガスや水分の充満を抑制することにより、キャビティ内の内圧の変化や結露、受光素子１５２や透明部材１２１の汚染を防止することができる。
　また、シール樹脂１９２の代わりに仮止め材を用いて透明部材１２１を一時的に固定し、必要時に透明部材１２１を取り外すこともできる。これにより、受光素子１５２を接触や、埃等の付着から保護し、受光素子１５２の光学特性の悪化を防止することができる。
　また、リブ材１３０とモールド樹脂１４０とのそれぞれの高さを略同一にしているため、リブ材１３０およびモールド樹脂１４０の両方に透明部材１２１をマウントすることができる。これにより、モールド樹脂１４０にしかマウントできない比較例と比較して、モールド樹脂１４０の面積を小さくし、その分、Ｚ軸方向から見た際の半導体パッケージ１００の面積を小さくすることができる。
　このように、本技術の第１の実施の形態の第１の変形例によれば、リブ材１３０およびモールド樹脂１４０に透明部材１２１をマウントしたため、受光素子１５２を保護することができる。
　［第２の変形例］
　上述の第１の実施の形態の第１の変形例では、ダイシングの後に、透明部材１２１をマウントしていたが、この製造方法では、ガラスウェハーのダイシングと、集合基板のダイシングとを別々に行う必要がある。この第１の実施の形態の第２の変形例における製造方法は、ガラスウェハーおよびシリコンウェハーを一括してダイシングする点において第１の実施の形態の第１の変形例と異なる。
　図８は、本技術の第１の実施の形態の第２の変形例におけるレベリングまでの製造方法を説明するための図である。同図の製造方法は、ガラスウェハーと集合基板が同時にダイシングされる点で点において図３、図４の製造方法と異なる。
　また、ワイヤボンディングの後に、図８におけるｂおよびｃに例示するように、集合基板１６０においてリブ材１３０の塗布とレベリングとが行われる。
　図９は、本技術の第１の実施の形態の第２の変形例におけるモールド樹脂１４０の成型までの製造方法を説明するための図である。同図の工程は、図８の後に実行される。
　図９におけるａに例示するように、製造システムは、ガラスウェハー１２０をリブ材１３０の上面にマウントする。ウェハーレベルで一括してマウントすることにより、個片化後にチップごとにマウントする第１の実施の形態の第１の変形例と比較して、製造コストを低減することができる。
　そして、同図におけるｂに例示するように製造システムは、下面が平坦な金型２０４でガラスウェハー１２０を押さえ、モールド樹脂１４０をトランスファ成型により形成する。このとき、ガラスウェハー１２０に傷が付くことを避けるため、金型２０４とガラスウェハー１２０との間に離型フィルム１１１が配置される。なお、離型フィルム１１１を挟まずにトランスファ成型することもできる。
　同図におけるｂの後に、製造システムは、ガラスウェハー１２０および集合基板１６０をダイシングする。ガラスウェハー１２０および集合基板１６０の個片化を一括して行うことができるため、個別に個片化する第１の実施の形態の第１の変形例と比較して、製造コストを低減することができる。
　このように、本技術の第１の実施の形態の第２の変形例によれば、ガラスウェハーおよびシリコンウェハーを一括してダイシングするため、それぞれのウェハーを個別にダイシングする場合と比較して製造コストを低減することができる。
　＜２．第２の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、リブ材１３０によりチップ側のパッド１８１を封止していたが、リブ材１３０の位置を変更することもできる。この第２の実施の形態における半導体パッケージ１００は、チップ側のパッド１８１と、画素領域１５１との間にリブ材１３０を配置した点において第１の実施の形態と異なる。
　図１０は、本技術の第２の実施の形態における半導体パッケージ１００の一構成例を示す断面図である。この第２の実施の形態の半導体パッケージ１００は、チップ側のパッド１８１と、画素領域１５１との間にリブ材１３０が配置される点において第１の実施の形態と異なる。これにより、ワイヤ１８３は、モールド樹脂１４０で封止されることとなる。一般にモールド樹脂１４０は、フィラーを含有させることで線膨張係数を小さくすることができるため、そのようなモールド樹脂１４０による封止により、線膨張によりワイヤ１８３に発生する熱応力を低下させることができる。これにより、ワイヤ１８３の断線等の信頼性低下を抑制することができる。
　なお、第２の実施の形態に、第１の実施の形態の第１の変形例と、第１の実施の形態の第２の変形例とのいずれかを適用することができる。
　このように、本技術の第２の実施の形態によれば、チップ側のパッド１８１と、画素領域１５１との間にリブ材１３０を配置したため、ワイヤ１８３をモールド樹脂１４０で封止して、信頼性を向上させることができる。
　＜３．第３の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、リブ材１３０によりチップ側のパッド１８１を封止していたが、リブ材１３０の位置を変更することもできる。この第３の実施の形態における半導体パッケージ１００は、リブ材１３０を基板１６１の上面に配置した点において第１の実施の形態と異なる。
　図１１は、本技術の第３の実施の形態における半導体パッケージ１００の一構成例を示す断面図である。この第３の実施の形態の半導体パッケージ１００は、センサチップ１５０の外側（言い換えれば、基板１６１の上面）に、リブ材１３０が配置される点において第１の実施の形態と異なる。ワイヤ１８３の両端の間の部分は、リブ材１３０により固定される。これにより、トランスファ成型時のモールド樹脂１４０の流動により受ける力に起因するワイヤ１８３の変形を防止し、隣接するワイヤ同士の接触によるショートや、ワイヤ１８３の断線を防止することができる。また、センサチップ１５０と基板１６１との間のダイボンド材のフィレット部（不図示）は応力が集中しやすいが、その部分をリブ材１３０で封止することにより、ダイボンド材のクラックや剥がれを防止することができる。
　なお、第３の実施の形態に、第１の実施の形態の第１の変形例と、第１の実施の形態の第２の変形例とのいずれかを適用することができる。
　このように、本技術の第３の実施の形態によれば、基板１６１の上面にリブ材１３０を配置したため、ワイヤ１８３の変形や、ダイボンド材のクラックや剥がれを防止することができる。
　＜４．第４の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、センサチップ１５０と基板１６１とをワイヤ１８３により接続していたが、ワイヤ１８３の代わりにバンプにより接続することもできる。この第４の実施の形態における半導体パッケージ１００は、センサチップ１５０と基板１６１とをバンプにより接続する点において第１の実施の形態と異なる。
　図１２は、本技術の第４の実施の形態における半導体パッケージ１００の一構成例を示す断面図である。この第４の実施の形態の半導体パッケージ１００は、所定数のバンプ１９１により、センサチップ１５０の裏面（下面）と基板１６１の上面とが電気的に接続される点において第１の実施の形態と異なる。同図に例示した構成では、ワイヤ１８３が不要になるため、モールド樹脂１４０の高さを低くし、半導体パッケージ１００を低背化することができる。
　なお、第４の実施の形態に、第１の実施の形態の第１の変形例と、第１の実施の形態の第２の変形例とのいずれかを適用することができる。また、第４の実施の形態に第３の実施の形態を適用することができる。
　このように、本技術の第４の実施の形態によれば、センサチップ１５０と基板１６１とをバンプ１９１により接続したため、半導体パッケージ１００を低背化することができる。
　＜５．第５の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、センサチップ１５０は、被写体までの距離を測定していなかったが、ＴｏＦ(Time of Flight)方式により、距離を測定することもできる。この第５の実施の形態における半導体パッケージ１００は、センサチップ１５０がＴｏＦ方式により測距を行う点において第１の実施の形態と異なる。
　図１３は、本技術の第５の実施の形態における半導体パッケージ１００の一構成例を示す断面図である。この第５の実施の形態の半導体パッケージ１００は、ＴｏＦ方式により被写体までの距離を測定するＴｏＦセンサとして機能する回路をセンサチップ１５０に設けた点において第１の実施の形態と異なる。
　また、リブ材１３０およびモールド樹脂１４０の上面に、光学フィルタ１１２がシール樹脂１９２により接着される。この光学フィルタ１１２は、所定の不可視光（赤外光など）を透過する。センサチップ１５０のＴｏＦセンサは、赤外光を受光し、その飛行時間から距離を求める。
　なお、第５の実施の形態に、第２、第３、および、第４の実施の形態のそれぞれを適用することができる。
　このように、本技術の第５の実施の形態によれば、ＴｏＦセンサを設けたため、被写体までの距離を測定することができる。
　＜６．移動体への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　図１４は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１４に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ(interface)１２０５３が図示されている。
　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ(Advanced Driver Assistance System)の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１４の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
　図１５は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
　図１５では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。
　撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
　なお、図１５には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
　以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部１２０３１に適用され得る。具体的には、図１の半導体パッケージ１００は、撮像部１２０３１に適用することができる。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、撮像部１２０３１の製造を容易にし、製造コストを低減することができる。
　なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
　なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
　なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）表面の一部の所定領域内に所定数の受光素子が配列されたセンサチップと、
　前記センサチップが接続された基板と、
　前記表面に垂直な方向から見て前記所定領域の周囲に形成されたリブ材と、
　前記垂直な方向から見て前記リブ材の周囲に形成され、前記表面からの高さが前記リブ材と略一致するモールド樹脂と
を具備する半導体パッケージ。
（２）前記センサチップに配置され、ワイヤの一端が接続されるチップ側パッドと、
　前記基板に配置され、前記ワイヤの他端が接続される基板側パッドと
をさらに具備する
前記（１）記載の半導体パッケージ。
（３）前記リブ材は、前記チップ側パッドを封止する
前記（２）記載の半導体パッケージ
（４）前記リブ材は、前記所定領域と前記チップ側パッドとの間に形成される
前記（２）記載の半導体パッケージ。
（５）前記リブ材は、前記基板に形成される
前記（２）記載の半導体パッケージ。
（６）前記センサチップの両面のうち前記表面に対する裏面と前記基板とを接続する所定数のバンプをさらに具備する
前記（１）記載の半導体パッケージ。
（７）前記リブ材および前記モールド樹脂にマウントされた透明部材をさらに具備する
前記（１）から（６）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
（８）前記リブ材および前記モールド樹脂にマウントされ、所定の不可視光を透過する光学フィルタをさらに具備し、
　前記センサチップは、前記不可視光の飛行時間に基づいて被写体までの距離を測定する
前記（１）から（６）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
（９）表面の一部の所定領域内に所定数の受光素子が配列されたセンサチップと基板を含む集合基板とを電気的に接続する接続手順と、
　前記表面に垂直な方向から見て前記所定領域の周囲にリブ材を形成するリブ材形成手順と、
　金型の平面を押し当てて前記垂直な方向から見て前記リブ材の周囲にモールド樹脂をトランスファ成型するモールド手順と
を具備する半導体パッケージの製造方法。
（１０）前記モールド手順の後に前記リブ材および前記モールド樹脂にガラスウェハーをマウントするマウント手順をさらに具備する前記（９）記載の製造方法。
（１０）前記リブ材形成手順の後に前記リブ材にガラスウェハーをマウントするマウント手順と、
　前記モールド手順の後に前記集合基板および前記ガラスウェハーをダイシングするダイシング手順と
をさらに具備する前記（９）記載の製造方法。
　１００　半導体パッケージ
　１１１　離型フィルム
　１１２　光学フィルタ
　１２０　ガラスウェハー
　１２１　透明部材
　１３０　リブ材
　１３５　ダム
　１４０　モールド樹脂
　１５０　センサチップ
　１５１　画素領域
　１５２　受光素子
　１６０　集合基板
　１６１　基板
　１７０　半田ボール
　１８１、１８２　パッド
　１８３　ワイヤ
　１９１　バンプ
　１９２　シール樹脂
　２０１　板材
　２０２～２０４　金型
　１２０３１　撮像部

Claims (11)

  1. 　表面の一部の所定領域内に所定数の受光素子が配列されたセンサチップと、
    　前記センサチップが接続された基板と、
    　前記表面に垂直な方向から見て前記所定領域の周囲に形成されたリブ材と、
    　前記垂直な方向から見て前記リブ材の周囲に形成され、前記表面からの高さが前記リブ材と略一致するモールド樹脂と
    を具備する半導体パッケージ。
  2. 　前記センサチップに配置され、ワイヤの一端が接続されるチップ側パッドと、
    　前記基板に配置され、前記ワイヤの他端が接続される基板側パッドと
    をさらに具備する
    請求項１記載の半導体パッケージ。
  3. 　前記リブ材は、前記チップ側パッドを封止する
    請求項２記載の半導体パッケージ
  4. 　前記リブ材は、前記所定領域と前記チップ側パッドとの間に形成される
    請求項２記載の半導体パッケージ。
  5. 　前記リブ材は、前記基板に形成される
    請求項２記載の半導体パッケージ。
  6. 　前記センサチップの両面のうち前記表面に対する裏面と前記基板とを接続する所定数のバンプをさらに具備する
    請求項１記載の半導体パッケージ。
  7. 　前記リブ材および前記モールド樹脂にマウントされた透明部材をさらに具備する
    請求項１記載の半導体パッケージ。
  8. 　前記リブ材および前記モールド樹脂にマウントされ、所定の不可視光を透過する光学フィルタをさらに具備し、
    　前記センサチップは、前記不可視光の飛行時間に基づいて被写体までの距離を測定する
    請求項１記載の半導体パッケージ。
  9. 　表面の一部の所定領域内に所定数の受光素子が配列されたセンサチップと基板を含む集合基板とを電気的に接続する接続手順と、
    　前記表面に垂直な方向から見て前記所定領域の周囲にリブ材を形成するリブ材形成手順と、
    　金型の平面を押し当てて前記垂直な方向から見て前記リブ材の周囲にモールド樹脂をトランスファ成型するモールド手順と
    を具備する半導体パッケージの製造方法。
  10. 　前記モールド手順の後に前記リブ材および前記モールド樹脂にガラスウェハーをマウントするマウント手順をさらに具備する請求項９記載の製造方法。
  11. 　前記リブ材形成手順の後に前記リブ材にガラスウェハーをマウントするマウント手順と、
    　前記モールド手順の後に前記集合基板および前記ガラスウェハーをダイシングするダイシング手順と
    をさらに具備する請求項９記載の製造方法。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008047665A (ja) * 2006-08-14 2008-02-28 Fujifilm Corp 固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置
WO2008149655A1 (ja) * 2007-06-05 2008-12-11 Fujifilm Corporation 放射線検出器
JP2016162946A (ja) * 2015-03-04 2016-09-05 Jsr株式会社 固体撮像装置
WO2018139278A1 (ja) * 2017-01-30 2018-08-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、製造方法、および電子機器
WO2020085116A1 (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子パッケージ、及び、電子機器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008047665A (ja) * 2006-08-14 2008-02-28 Fujifilm Corp 固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置
WO2008149655A1 (ja) * 2007-06-05 2008-12-11 Fujifilm Corporation 放射線検出器
JP2016162946A (ja) * 2015-03-04 2016-09-05 Jsr株式会社 固体撮像装置
WO2018139278A1 (ja) * 2017-01-30 2018-08-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、製造方法、および電子機器
WO2020085116A1 (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子パッケージ、及び、電子機器

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