JP7462620B2 - 半導体パッケージ、半導体パッケージの製造方法、および、電子装置 - Google Patents

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Description

本技術は、半導体パッケージに関する。詳しくは、保護材により半導体チップを保護した半導体パッケージ、半導体パッケージの製造方法、および、電子装置に関する。
従来より、半導体集積回路の取り扱いを容易にするなどの目的で、その半導体集積回路を設けた半導体チップを基板に実装して密閉した半導体パッケージが用いられている。例えば、ワイヤにより基板に半導体チップを電気的に接続し、紫外線硬化性樹脂などの樹脂を用いてカバーガラス等の保護材と半導体チップとを接着した構造の半導体パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００２－０７６１５４号公報
上述の半導体パッケージでは、半導体チップ内の固体撮像素子の周囲に硬化前の樹脂を塗布し、保護材（カバーガラスなど）を載置して、その樹脂を紫外線などにより硬化させることにより半導体チップを密閉している。しかしながら、硬化前の樹脂は液状であるため、その状態の樹脂に載置した保護材の表面が基板平面に対して水平にならずに傾くことがある。
保護材がカバーガラスの場合、その表面が基板平面に対して傾くと、カバーガラスに入射した光が屈折し、その光の屈折に起因して固体撮像素子の撮像する画像が歪んで画質が低下してしまうおそれがある。ワイヤが保護材に接する程度に樹脂を薄く塗布すれば、基板平面に対して保護材を水平に配置することができるが、ワイヤが保護材に接触することにより損傷するおそれがある。このように、上述の半導体パッケージでは、ワイヤに保護材を接触させずに、基板平面に対して保護材を水平に配置することが困難である。
本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、ワイヤボンディングが行われた半導体パッケージにおいて、ワイヤに保護材を接触させずに、基板平面に対して保護材を水平に配置することを目的とする。
本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の側面は、基板と、上記基板に積層された半導体チップと、上記半導体チップのチップ平面に設けられて上記基板にワイヤを介して接続されたバンプと、保護材と、上記チップ平面に設けられて上記チップ平面からの高さが上記バンプより高い位置に上記保護材を支持する支持体とを具備する半導体パッケージである。これにより、ワイヤに接触しない位置で保護材が水平に支持されるという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記保護材および上記半導体チップのそれぞれには電極が設けられ、上記支持体は、上記電極に接続されてもよい。これにより、半導体チップで生じた熱の放熱性能が向上するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記保護材には凹部が設けられ、上記支持体の一端は、上記凹部と嵌合してもよい。これにより、保護材の位置ずれが抑制されるという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記保護材を上記半導体チップに接着する接着剤をさらに具備してもよい。これにより、保護材が半導体チップに接着されるという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記接着剤は、紫外線硬化性樹脂であってもよい。これにより、紫外線の照射によって保護材が半導体チップに接着されるという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記接着剤は、熱硬化性樹脂であってもよい。これにより、熱処理によって保護材が半導体チップに接着されるという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記支持体は、上記バンプと異なる複数のバンプを積層した積層バンプであってもよい。これにより、製造コストが低減するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記支持体は、半田ボールであってもよい。これにより、製造コストが低減するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記支持体は、銅ポストであってもよい。これにより、支持体の高さの精度が向上するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記支持体は、ドライフィルムであってもよい。これにより、支持体の高さの精度が向上するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記保護材は、カバーガラスであり、画像データを撮像する固体撮像素子が上記チップ平面にさらに設けられてもよい。これにより、画像データが撮像されるという作用をもたらす。
また、本技術の第２の側面は、基板に積層された半導体チップのチップ平面に設けられたバンプと上記基板とをワイヤにより接続する接続手順と、上記チップ平面からの高さが上記バンプより高い位置に保護材を支持する支持体を上記チップ平面に形成する支持体配置手順と、上記保護材を配置する保護材配置手順とを具備する半導体パッケージの製造方法である。これにより、ワイヤに接触しない位置で保護材が水平に支持された半導体パッケージが製造されるという作用をもたらす。
また、この第２の側面において、上記支持体が形成された後に上記チップ平面において半導体集積回路の周囲に紫外線硬化性樹脂を塗布する塗布手順をさらに具備し、上記支持体配置手順において、上記紫外線硬化性樹脂が塗布された後に上記保護材を配置して上記紫外線硬化性樹脂を硬化させてもよい。これにより、紫外線の照射によって保護材が半導体チップに接着されるという作用をもたらす。
また、この第２の側面において、上記支持体が配置された後に上記チップ平面において半導体集積回路の周囲に熱硬化性樹脂を塗布する塗布手順をさらに具備してもよい。これにより、熱処理によって保護材が半導体チップに接着されるという作用をもたらす。
また、本技術の第２の側面は、基板と、上記基板に積層された半導体チップと、上記半導体チップのチップ平面に設けられて上記基板にワイヤを介して接続されたバンプと、保護材と、上記チップ平面に設けられて上記チップ平面からの高さが上記バンプより高い位置に上記保護材を支持する支持体と、上記半導体集積回路により生成された信号を処理する信号処理回路とを具備する電子装置である。これにより、ワイヤに接触しない位置で保護材が水平に支持された半導体パッケージにおいて信号が処理されるという作用をもたらす。
本技術の第１の実施の形態における電子装置の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージの断面図および上面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態における支持体を増設した半導体パッケージの上面図の一例である。 比較例における半導体パッケージの断面図および上面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態におけるカバーガラスの接着までの工程を説明するための図である。 本技術の第１の実施の形態における個片化までの工程を説明するための図である。 本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージの製造方法の一例を示すフローチャートである。 本技術の第１の実施の形態の第１の変形例における半導体パッケージの断面図および上面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態の第１の変形例におけるカバーガラスの接着までの工程を説明するための図である。 本技術の第１の実施の形態の第２の変形例における半導体パッケージの断面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態の第３の変形例における半導体パッケージの断面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態の第４の変形例における半導体パッケージの断面図の一例である。 本技術の第２の実施の形態における半導体パッケージの断面図の一例である。 本技術の第２の実施の形態における半導体パッケージの上面図の一例である。 本技術の第３の実施の形態における半導体パッケージの断面図の一例である。 車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。 撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
１．第１の実施の形態（半導体チップに支持体を形成する例）
２．第２の実施の形態（半導体チップに支持体を形成し、支持体を電極に接続する例）
３．第３の実施の形態（半導体チップに支持体を形成し、支持体を凹部に嵌合する例）
４．移動体への応用例
＜１．第１の実施の形態＞
［電子装置の構成例］
図１は、本技術の第１の実施の形態における電子装置１００の一構成例を示すブロック図である。この電子装置１００は、画像データを撮像するための装置であり、光学部１１０、固体撮像素子１２０およびＤＳＰ（Digital Signal Processing）回路１３０を備える。さらに電子装置１００は、表示部１４０、操作部１５０、バス１６０、フレームメモリ１７０、記憶部１８０および電源部１９０を備える。電子装置１００としては、例えば、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラの他、スマートフォンやパーソナルコンピュータ、車載カメラ等が想定される。
光学部１１０は、被写体からの光を集光して固体撮像素子１２０に導くものである。固体撮像素子１２０は、垂直同期信号に同期して、光電変換により画像データを生成するものである。ここで、垂直同期信号は、撮像のタイミングを示す所定周波数の周期信号である。固体撮像素子１２０は、生成した画像データをＤＳＰ回路１３０に供給する。
ＤＳＰ回路１３０は、固体撮像素子１２０からの画像データに対して所定の信号処理を実行するものである。このＤＳＰ回路１３０は、処理後の画像データをバス１６０を介してフレームメモリ１７０などに出力する。なお、ＤＳＰ回路１３０は、特許請求の範囲に記載の信号処理回路の一例である。
表示部１４０は、画像データを表示するものである。表示部１４０としては、例えば、液晶パネルや有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルが想定される。操作部１５０は、ユーザの操作に従って操作信号を生成するものである。
バス１６０は、光学部１１０、固体撮像素子１２０、ＤＳＰ回路１３０、表示部１４０、操作部１５０、フレームメモリ１７０、記憶部１８０および電源部１９０が互いにデータをやりとりするための共通の経路である。
フレームメモリ１７０は、画像データを保持するものである。記憶部１８０は、画像データなどの様々なデータを記憶するものである。電源部１９０は、固体撮像素子１２０、ＤＳＰ回路１３０や表示部１４０などに電源を供給するものである。
上述の構成において、例えば、固体撮像素子１２０およびＤＳＰ回路１３０は、半導体パッケージ内に実装される。
［半導体パッケージの構成例］
図２は、本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージ２００の断面図および上面図の一例である。同図におけるａは、半導体パッケージ２００の断面図の一例であり、同図におけるｂは、半導体パッケージ２００の上面図の一例である。
同図におけるａに例示するように、半導体パッケージ２００内には、カバーガラス２１０、半導体チップ２２０および回路基板２３０が配置される。
以下、回路基板２３０の基板平面に垂直な方向を「Ｚ方向」とし、基板平面に平行な所定方向を「Ｘ方向」とする。また、Ｘ方向およびＺ方向に垂直な方向を「Ｙ方向」とする。同図におけるａは、Ｘ方向から見た断面図である。
カバーガラス２１０は、半導体チップ２２０を保護するものである。このカバーガラス２１０の両面のうち一方に、光学部１１０からの光が入射される。同図における矢印は、光の入射方向を示す。以下、回路基板２３０から光学部１１０への方向を上方とする。なお、カバーガラス２１０は、特許請求の範囲に記載の保護材の一例である。
回路基板２３０の上面には、複数のバンプ２３２が設けられ、下面には複数の半田ボール２３３が設けられる。この回路基板２３０には、例えば、ＤＳＰ回路１３０（不図示）が配置される。なお、回路基板２３０は、特許請求の範囲に記載の基板の一例である。
また、回路基板２３０の上方に半導体チップ２２０が積層される。この半導体チップ２２０の上面をチップ平面として、そのチップ平面には、複数のバンプ２２２と、複数の支持体２５１と、固体撮像素子１２０と、接着剤２４１とが設けられる。また、回路基板２３０の基板平面のうちカバーガラス２１０および半導体チップ２２０の周囲は、封止樹脂２４２により封入されている。
同図におけるｂに例示するように、半導体チップ２２０の上面（すなわち、チップ平面）において、固体撮像素子１２０の周囲に接着剤２４１が塗布され、複数のランド２２１が配置される。これらのランド２２１の一部にバンプ２２２が設けられ、残りに支持体２５１が設けられる。支持体２５１は、例えば、チップ平面の４隅に配置される。これらの４隅の支持体２５１のそれぞれの高さは、同一に設定される。なお、同図におけるｂにおいて、カバーガラス２１０および封止樹脂２４２は、記載の便宜上、省略されている。
接着剤２４１は、カバーガラス２１０と半導体チップ２２０とを接着するものである。この接着剤２４１として、例えば、紫外線硬化性樹脂が用いられる。固体撮像素子１２０の周囲の接着剤２４１および支持体２５１により、カバーガラス２１０と固体撮像素子１２０との間には密閉された空間が形成されている。言い換えれば、半導体パッケージ２００の構造は、中空構造である。
また、回路基板２３０の上面において、半導体チップ２２０の周囲に複数のランド２３１が配置される。それらのランド２３１のそれぞれにバンプ２３２が設けられる。このバンプ２３２は、回路基板２３０の回路（ＤＳＰ回路１３０など）に電気的に接続される。
そして、回路基板２３０側のバンプ２３２は、半導体チップ２２０側のバンプ２２２とワイヤ１２９を介して接続される。すなわち、半導体チップ２２０は、ワイヤボンディングにより回路基板２３０に実装されている。また、バンプ２２２は、半導体チップ２２０上の固体撮像素子１２０に電気的に接続される。
また、支持体２５１は、カバーガラス２１０を支持する部材であり、複数のバンプを積層した積層バンプにより実現されている。バンプの積層により、支持体２５１のチップ平面からの高さは、１段のバンプ２２２よりも高くなっている。バンプの積層により支持体２５１を製造することにより、ワイヤボンディングのためのバンプ２２２を製造する際と同じ工程により、支持体２５１を製造することができる。これにより、バンプ２２２と異なる工程で支持体２５１を製造する場合と比較して製造コストを削減することができる。
また、バンプの段数を変更することにより、半導体チップ２２０とカバーガラス２１０との間の距離ｄ１を容易に変更することができる。例えば、距離ｄ１を１００マイクロメートル（μｍ）以上にすることもできる。
上述したように、回路基板２３０に半導体チップ２２０が積層され、そのチップ平面にバンプ２２２と固体撮像素子１２０と支持体２５１とが設けられている。バンプ２２２は、ワイヤ１２９を介して回路基板２３０に接続され、また、固体撮像素子１２０に接続される。その回路基板２３０は、半田ボール２３３を介して、半導体パッケージ２００の外部の回路と接続される。また、支持体２５１は、バンプ２２２よりも高いため、バンプ２２２よりも高い位置にカバーガラス２１０を支持することができる。
支持体２５１がバンプ２２２よりも高い位置でカバーガラス２１０を支持することにより、ワイヤ１２９にカバーガラス２１０を接触させずに、カバーガラス２１０を配置することができる。４隅の支持体２５１のそれぞれの高さは同一であるため、カバーガラス２１０の表面は、回路基板２３０の基板平面に対して水平となる。
ワイヤ１２９にカバーガラス２１０を接触させないことにより、ワイヤ１２９が損傷することや、ワイヤ１２９のストレスの増大により、電気信号（画像データなど）にノイズが生じることを防止することができる。また、支持体２５１を十分に高くしてカバーガラス２１０と半導体チップ２２０とを離すことにより、カバーガラス２１０上にゴミなどの遮蔽物がある場合であっても、画像上の遮蔽物を小さくし、画質低下を抑制することができる。
なお、支持体２５１をチップ平面の４隅に配置しているが、この配置に限定されない。例えば、図３に例示するように、４隅に加えて、半導体チップ２２０の辺に沿って支持体２５１を配置することもできる。支持体２５１の個数を増大することにより、カバーガラス２１０の傾きをより確実に無くすことができる。なお、４隅には支持体２５１を配置せず、４隅以外の固体撮像素子１２０の周囲に支持体２５１を配置することもできる。
また、半導体チップ２２０上に固体撮像素子１２０を配置しているが、この構成に限定されない。ＴｏＦ（Time of Flight）センサーなど、固体撮像素子１２０以外の半導体集積回路を半導体チップ２２０上に配置することもできる。なお、固体撮像素子１２０は、特許請求の範囲に記載の半導体集積回路の一例である。
また、カバーガラス２１０により半導体チップ２２０を保護しているが、この構成に限定されない。搭載される半導体集積回路が光の入射を要しないものであれば、プラスチックなど、カバーガラス２１０以外の保護材により半導体チップ２２０を保護することもできる。
また、接着剤２４１として、紫外線硬化性樹脂を用いているが、この構成に限定されない。後述する熱硬化性樹脂など、紫外線硬化性樹脂以外の物質を接着剤として用いることができる。
図４は、支持体２５１を設けない比較例における半導体パッケージの断面図および上面図の一例である。同図におけるａは、比較例の半導体パッケージの断面図の一例であり、同図におけるｂは、比較例の半導体パッケージの上面図の一例である。
同図におけるａおよびｂに例示するように、支持体２５１を配置しない構成では、ワイヤの損傷を回避するために、接着剤の厚み（言い換えれば、高さ）を十分に大きくする必要がある。硬化する前の接着剤は液状であるため、その状態の接着剤にカバーガラスを載置すると、カバーガラスの表面が基板平面に対して傾くことがある。カバーガラスが傾くと、そのカバーガラスに入射した光が屈折し、その光の屈折に起因して固体撮像素子の撮像する画像が歪んで画質が低下してしまうおそれがある。
傾きを無くすには、例えば、国際公開第２００８／０３２４０４号明細書に記載のように、カバーガラスがワイヤに接する程度の高さ（２０マイクロメートルなど）になるように接着剤を薄く塗布すればよい。しかし、この構成では、ワイヤがカバーガラスに接触するおそれがある。ワイヤがカバーガラスに接触すると、ワイヤが損傷するおそれや、ワイヤのストレスの増大により電気信号にノイズが生じるおそれがある。また、カバーガラスの高さが低くなり、カバーガラスの下面の欠陥が生じるおそれがある。
これに対して、支持体２５１を配置する構成では、バンプ２２２よりも高い位置にカバーガラス２１０を支持することができるため、ワイヤ１２９にカバーガラス２１０を接触させずに、カバーガラス２１０を水平に配置することができる。
［半導体パッケージの製造方法］
図５は、本技術の第１の実施の形態におけるカバーガラス２１０の接着までの工程を説明するための図である。同図におけるａは、ワイヤボンディングの工程を説明するための図である。同図におけるｂは、支持体２５１の設置の工程を説明するための図である。同図におけるｃは、接着剤２４１の塗布の工程を説明するための図である。同図におけるｄは、カバーガラス２１０の接着の工程を説明するための図である。
同図におけるａに例示するように半導体パッケージ２００の製造システムは、ワイヤボンディングにより回路基板２３０に半導体チップ２２０を接合する。半導体チップ２２０上のバンプ２２２のチップ平面からの高さはｄ２である。次に同図におけるｂに例示するように、製造システムは、半導体チップ２２０の４隅に支持体２５１を設置する。この支持体２５１の高さｄ１は、前述したようにバンプ２２２の高さｄ２より高い。ワイヤ１２９が接触しないように、高さｄ１は十分に大きな値に設定される。
そして、同図におけるｃに例示するように、製造システムは、接着剤２４１を固体撮像素子１２０の周囲に塗布する。この接着剤２４１として、紫外線硬化性樹脂が用いられるものとする。続いて、同図におけるｄに例示するように、製造システムは、カバーガラス２１０を搭載し、紫外線の照射により接着剤２４１（紫外線硬化性樹脂）を硬化させる。これにより、カバーガラス２１０が半導体チップ２２０に接着される。
図６は、本技術の第１の実施の形態における個片化までの工程を説明するための図である。同図におけるａは、封止および半田ボールの形成の工程を説明するための図である。同図におけるｂは、個片化の工程を説明するための図である。
同図におけるａに例示するように、製造システムは、回路基板２３０の基板平面のうちカバーガラス２１０および半導体チップ２２０の周囲に封止樹脂２４２を流し込み、封入する。また、製造システムは、半導体パッケージ２００を外部に接続するための半田ボール２３３を回路基板２３０の下面に形成する。そして、同図におけるｂに例示するように、製造システムは、ダイシングソーなどにより回路基板２３０等を切り出して、複数の半導体パッケージ２００に個片化する。
図７は、本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージ２００の製造方法の一例を示すフローチャートである。製造システムは、ワイヤボンディングにより回路基板２３０に半導体チップ２２０を接合し（ステップＳ９０１）、支持体２５１を設置する（ステップＳ９０２）。そして、製造システムは、接着剤２４１を固体撮像素子１２０の周囲に塗布し（ステップＳ９０３）、接着剤２４１によりカバーガラス２１０を半導体チップ２２０に接着する（ステップＳ９０４）。
続いて、製造システムは、封止樹脂２４２により封止し、半田ボール２３３を回路基板２３０の下面に形成する（ステップＳ９０５）。そして、製造システムは、ダイシングソーなどにより回路基板２３０等を切り出して、複数の半導体パッケージ２００に個片化する（ステップＳ９０６）。
このように、本技術の第１の実施の形態によれば、支持体２５１が、バンプ２２２より高い位置にカバーガラス２１０を支持するため、ワイヤ１２９にカバーガラス２１０を接触させずにカバーガラス２１０を水平に配置することができる。これにより、カバーガラス２１０の接触によるワイヤ１２９の損傷やノイズの発生を防止しつつ、カバーガラス２１０の傾きを無くすことができる。
［第１の変形例］
上述の第１の実施の形態では、紫外線硬化性樹脂を接着剤２４１として用いていたが、紫外線硬化性樹脂は、一般に光の透過率や反射率が高い。このため、紫外線硬化性樹脂を透過した光や、紫外線硬化樹脂で反射した光が固体撮像素子１２０に入射され、画像データにフレアやゴーストが生じるおそれがある。この第１の実施の形態の第１の変形例の半導体パッケージ２００は、接着剤として熱硬化性樹脂を用いる点において第１の実施の形態と異なる。
図８は、本技術の第１の実施の形態の第１の変形例における半導体パッケージ２００の断面図および上面図の一例である。同図におけるａは、第１の実施の形態の第１の変形例における半導体パッケージ２００の断面図の一例であり、同図におけるｂは、第１の実施の形態の第１の変形例における半導体パッケージ２００の上面図の一例である。
同図におけるａおよびｂに例示するように、第１の実施の形態の第１の変形例の半導体パッケージ２００は、接着剤２４１の代わりに接着剤２４３が塗布される点において第１の実施の形態と異なる。この接着剤２４３として、例えば、熱硬化性樹脂が用いられる。この熱硬化性樹脂の色は、一般に黒色など、透過率および反射率の低い色である。このような熱硬化性樹脂を固体撮像素子１２０の周囲に塗布することにより、フレア等の発生を抑制することができる。
図９は、本技術の第１の実施の形態の第１の変形例におけるカバーガラス２１０の接着までの工程を説明するための図である。同図におけるａは、ワイヤボンディングの工程を説明するための図である。同図におけるｂは、支持体２５１の設置の工程を説明するための図である。同図におけるｃは、カバーガラス２１０の配置の工程を説明するための図である。同図におけるｄは、接着剤２４３の塗布の工程を説明するための図である。
同図におけるａに例示するように半導体パッケージ２００の製造システムは、ワイヤボンディングにより回路基板２３０に半導体チップ２２０を接合する。次に同図におけるｂに例示するように、製造システムは、半導体チップ２２０の４隅に支持体２５１を設置する。
そして、同図におけるｃに例示するように、製造システムは、カバーガラス２１０を配置する。続いて同図におけるｄに例示するように製造システムは、チップ平面において固体撮像素子１２０の周囲に熱硬化性樹脂を接着剤２４３として塗布し、熱処理により硬化させる。
このように、本技術の第１の実施の形態の第１の変形例によれば、透過率および反射率の低い熱硬化性樹脂を接着剤２４３として塗布したため、反射光や透過光に起因して生じるフレアやゴーストの発生を抑制することができる。
［第２の変形例］
上述の第１の実施の形態では、複数段のバンプを積層することにより支持体２５１を形成していたが、バンプの段数が多くなるほど工数が増大するおそれがある。この第１の実施の形態の第２の変形例の半導体パッケージ２００は、半田ボールを支持体として配置する点において第１の実施の形態と異なる。
図１０は、本技術の第１の実施の形態の第２の変形例における半導体パッケージ２００の断面図の一例である。この第１の実施の形態の第２の変形例の半導体パッケージ２００は、支持体２５１の代わりに支持体２５２が配置される点において第１の実施の形態と異なる。この支持体２５２として、半田ボールが用いられる。半田ボールの高さは、第１の実施の形態と同様にバンプ２２２よりも高い。半田ボールを支持体２５２として用いることにより、複数のバンプを積層する第１の実施の形態と比較して、支持体２５２を形成する際の工数を削減することができる。また、半田ボールの材料は、バンプの材料と比較して安価であるため、半田ボールの使用により製造コストを削減することができる。
なお、第１の実施の形態の第２の変形例に、第１の変形例を適用することができる。
このように、本技術の第１の実施の形態の第２の変形例によれば、半田ボールを支持体２５２として配置したため、複数段のバンプを支持体として配置する場合と比較して、工数や製造コストを削減することができる。
［第３の変形例］
上述の第１の実施の形態では、複数段のバンプを積層することにより支持体２５１を形成していたが、バンプの段数の調整により高さを高精度で制御することは困難である。この第１の実施の形態の第３の変形例の半導体パッケージ２００は、銅ポストを支持体として配置する点において第１の実施の形態と異なる。
図１１は、本技術の第１の実施の形態の第３の変形例における半導体パッケージ２００の断面図の一例である。この第１の実施の形態の第３の変形例の半導体パッケージ２００は、支持体２５１の代わりに支持体２５３が配置される点において第１の実施の形態と異なる。この支持体２５３として、銅ポストが用いられる。銅ポストの高さは、第１の実施の形態と同様にバンプ２２２よりも高い。ここで、銅ポストは、円柱状の銅製の部材であり、銅ピラーとも呼ばれる。この銅ポストは、ウェハープロセスでの製造が可能であり、その高さのばらつきを数マイクロメートル（μｍ）レベルで制御することができる。このため、高精度で、支持体２５３の高さを制御することができる。
なお、第１の実施の形態の第３の変形例に、第１の変形例を適用することができる。
このように、本技術の第１の実施の形態の第３の変形例によれば、銅ポストを支持体２５３として配置したため、複数のバンプを支持体として配置する場合と比較して高さの精度を向上させることができる。
［第４の変形例］
上述の第１の実施の形態では、複数段のバンプを積層することにより支持体２５１を形成していたが、バンプの段数の調整により高さを高精度で制御することは困難である。この第１の実施の形態の第４の変形例の半導体パッケージ２００は、ドライフィルムを支持体として配置する点において第１の実施の形態と異なる。
図１２は、本技術の第１の実施の形態の第４の変形例における半導体パッケージ２００の断面図の一例である。この第１の実施の形態の第４の変形例の半導体パッケージ２００は、支持体２５１の代わりに支持体２５４が配置される点において第１の実施の形態と異なる。この支持体２５４として、ドライフィルムが用いられる。ドライフィルムの高さ（言い換えれば、厚み）は、第１の実施の形態と同様にバンプ２２２よりも高い。ここで、ドライフィルムは、乳剤層、ポリエステルや、ハレーション防止層で構成される感光性フィルムである。このドライフィルムは、ウェハープロセスでの製造が可能であり、その厚みのばらつきを数マイクロメートル（μｍ）レベルで制御することができる。このため、高精度で、支持体２５４の高さを制御することができる。
なお、第１の実施の形態の第４の変形例に、第１の変形例を適用することができる。
このように、本技術の第１の実施の形態の第４の変形例によれば、ドライフィルムを支持体２５４として配置したため、複数のバンプを支持体として配置する場合と比較して高さの精度を向上させることができる。
＜２．第２の実施の形態＞
上述の第１の実施の形態では、支持体２５１をカバーガラス２１０の下面に直接、接続していたが、半導体チップ２２０の発熱量が多い場合、その熱を十分に放熱することができないおそれがある。この第２の実施の形態の半導体パッケージ２００は、カバーガラス２１０の下面に電極を設け、その電極に支持体２５１を接続することにより、放熱性能を向上させた点において第１の実施の形態と異なる。
図１３は、本技術の第２の実施の形態における半導体パッケージ２００の断面図の一例である。この第２の実施の形態の半導体パッケージ２００は、電極２１１および２２３がさらに形成される点において第１の実施の形態と異なる。
電極２１１は、カバーガラス２１０の下面において、支持体２５１の配置箇所（４隅など）に形成される。電極２２３は、半導体チップ２２０の上面（すなわち、チップ表面）において、支持体２５１の配置箇所（４隅など）に形成される。支持体２５１の上端は、電極２１１に接続され、下端は、電極２２３に接続される。
電極２１１および２２３の材質はメタルであり、信号を伝送しないものとする。なお、これらの電極が信号を伝送する構成であってもよい。この場合、電極２１１および２２３に回路（ＤＳＰ回路１３０など）が接続される。また、上側の電極２１１に接続される信号線は、例えば、カバーガラス２１０を貫通した経路に配線される。
同図における白抜きの矢印は、熱が伝導する経路を示す。同図に例示するように半導体チップ２２０で生じた熱は、電極２２３、支持体２５１および電極２１１を経由して、カバーガラス２１０に伝導される。電極２２３および２１１の材質は、メタルであるため、カバーガラス２１０よりも熱伝導率が高い。このため、これらの電極の追加により、半導体チップ２２０で生じた熱の放熱性能を向上させることができる。放熱性能の向上により、半導体チップ２２０や回路基板２３０の反りや、それらに設けられた回路（固体撮像素子１２０など）の誤動作を防止することができる。
なお、第２の実施の形態に、第１乃至第３の変形例を適用することができる。
また、電極２２３をグランドに接続することにより、電極２２３および２１１を電磁シールドとして機能させることもできる。この場合には、図１４に例示するように、固体撮像素子１２０の周囲を覆うように電極２１１を形成するなど、電極２２３や２１１の面積を拡大することが望ましい。
このように、本技術の第２の実施の形態によれば、電極２２３および２１１を設けて支持体２５１に接続したため、半導体チップ２２０で生じた熱の放熱性能を向上させることができる。これにより、半導体チップ２２０や回路基板２３０の反りや、それらに設けられた回路の誤動作を防止することができる。
＜３．第３の実施の形態＞
上述の第１の実施の形態では、支持体２５１をカバーガラス２１０の下面に直接、接続していたが、硬化前の接着剤２４１は液状であるため、カバーガラス２１０のＸ方向やＹ方向における位置が規定の位置からずれるおそれがある。この第３の実施の形態の半導体パッケージ２００は、カバーガラス２１０に凹部２１２を形成し、その凹部２１２に支持体２５１を嵌合させて位置ずれを防止する点において第１の実施の形態と異なる。
図１５は、本技術の第３の実施の形態における半導体パッケージ２００の断面図の一例である。この第３の実施の形態の半導体パッケージ２００は、カバーガラス２１０の下面に凹部２１２が形成される点において第１の実施の形態と異なる。
凹部２１２は、カバーガラス２１０の下面において、支持体２５１の配置箇所（４隅など）に形成される。支持体２５１の上端は、この凹部２１２に嵌合して配置される。これにより、基板平面に平行な方向（Ｘ方向やＹ方向）における、カバーガラス２１０の位置ずれを防止することができる。
なお、第３の実施の形態に、第１乃至第４の変形例を適用することができる。
このように、本技術の第３の実施の形態によれば、カバーガラス２１０の凹部２１２に支持体２５１の一端が嵌合するため、基板平面に平行な方向におけるカバーガラス２１０の位置ずれを防止することができる。
＜４．移動体への応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図１６は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１６に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ(interface)１２０５３が図示されている。
駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ(Advanced Driver Assistance System)の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１６の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
図１７は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
図１７では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。
撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
なお、図１７には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部１２０３１等に適用され得る。具体的には、図１の電子装置１００は、撮像部１２０３１に適用することができる。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、カバーガラスの傾きの防止によって、より見やすい撮影画像を得ることができるため、ドライバの疲労を軽減することが可能になる。
なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）基板と、
前記基板に積層された半導体チップと、
前記半導体チップのチップ平面に設けられて前記基板にワイヤを介して接続されたバンプと、
保護材と、
前記チップ平面に設けられて前記チップ平面からの高さが前記バンプより高い位置に前記保護材を支持する支持体と
を具備する半導体パッケージ。
（２）前記保護材および前記半導体チップのそれぞれには電極が設けられ、
前記支持体は、前記電極に接続される
前記（１）記載の半導体パッケージ。
（３）前記保護材には凹部が設けられ、
前記支持体の一端は、前記凹部と嵌合する
前記（１）記載の半導体パッケージ。
（４）前記保護材を前記半導体チップに接着する接着剤をさらに具備する
前記（１）から（３）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
（５）前記接着剤は、紫外線硬化性樹脂である
前記（４）記載の半導体パッケージ。
（６）前記接着剤は、熱硬化性樹脂である
前記（４）記載の半導体パッケージ。
（７）前記支持体は、前記バンプと異なる複数のバンプを積層した積層バンプである
前記（１）から（６）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
（８）前記支持体は、半田ボールである
前記（１）から（６）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
（９）前記支持体は、銅ポストである
前記（１）から（６）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
（１０）前記支持体は、ドライフィルムである
前記（１）から（６）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
（１１）前記保護材は、カバーガラスであり、
画像データを撮像する固体撮像素子が前記チップ平面にさらに設けられる
前記（１）から（１０）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
（１２）基板に積層された半導体チップのチップ平面に設けられたバンプと前記基板とをワイヤにより接続する接続手順と、
前記チップ平面からの高さが前記バンプより高い位置に保護材を支持する支持体を前記チップ平面に形成する支持体配置手順と、
前記保護材を配置する保護材配置手順と
を具備する半導体パッケージの製造方法。
（１３）前記支持体が形成された後に前記チップ平面において半導体集積回路の周囲に紫外線硬化性樹脂を塗布する塗布手順をさらに具備し、
前記支持体配置手順において、前記紫外線硬化性樹脂が塗布された後に前記保護材を配置して前記紫外線硬化性樹脂を硬化させる
前記（１２）記載の半導体パッケージの製造方法。
（１４）前記支持体が配置された後に前記チップ平面において半導体集積回路の周囲に熱硬化性樹脂を塗布する塗布手順をさらに具備する
前記（１２）記載の半導体パッケージの製造方法。
（１５）基板と、
前記基板に積層された半導体チップと、
前記半導体チップのチップ平面に設けられて前記基板にワイヤを介して接続されたバンプと、
保護材と、
前記チップ平面に設けられて前記チップ平面からの高さが前記バンプより高い位置に前記保護材を支持する支持体と、
前記半導体集積回路により生成された信号を処理する信号処理回路と
を具備する電子装置。
１００ 電子装置
１１０ 光学部
１２０ 固体撮像素子
１３０ ＤＳＰ（Digital Signal Processing）回路
１４０ 表示部
１５０ 操作部
１６０ バス
１７０ フレームメモリ
１８０ 記録部
１９０ 電源部
２００ 半導体パッケージ
２１０ カバーガラス
２１１、２２３ 電極
２１２ 凹部
２２０ 半導体チップ
２２１、２３１ ランド
２２２、２３２ バンプ
２３０ 回路基板
２３３ 半田ボール
２４１、２４３ 接着剤
２４２ 封止樹脂
２５１～２５４ 支持体
１２０３１ 撮像部

Claims (15)

  1. 基板と、
    前記基板に積層された半導体チップと、
    前記半導体チップのチップ平面に設けられて前記基板にワイヤを介して接続されたバンプと、
    保護材と、
    前記チップ平面に設けられて前記チップ平面からの高さが前記バンプより高い位置に前記保護材を支持する支持体と、
    前記チップ平面に設けられた半導体集積回路と、
    前記半導体集積回路の周囲に沿って前記チップ平面に配列された複数のランドと
    を具備し、
    前記複数のランドの一部に前記バンプが設けられ、残りに前記支持体が設けられる
    半導体パッケージ。
  2. 前記保護材および前記半導体チップのそれぞれには電極が設けられ、
    前記支持体は、前記電極に接続される
    請求項１記載の半導体パッケージ。
  3. 前記保護材を前記半導体チップに接着する接着剤をさらに具備する
    請求項１記載の半導体パッケージ。
  4. 前記接着剤は、紫外線硬化性樹脂である
    請求項３記載の半導体パッケージ。
  5. 前記接着剤は、熱硬化性樹脂である
    請求項３記載の半導体パッケージ。
  6. 前記支持体は、前記バンプと異なる複数のバンプを積層した積層バンプである
    請求項１記載の半導体パッケージ。
  7. 前記支持体は、半田ボールである
    請求項１記載の半導体パッケージ。
  8. 前記支持体は、銅ポストである
    請求項１記載の半導体パッケージ。
  9. 前記支持体は、ドライフィルムである
    請求項１記載の半導体パッケージ。
  10. 前記保護材は、カバーガラスであり、
    前記半導体集積回路は、画像データを撮像する固体撮像素子である
    請求項１記載の半導体パッケージ。
  11. 基板と、
    前記基板に積層された半導体チップと、
    前記半導体チップのチップ平面に設けられて前記基板にワイヤを介して接続されたバンプと、
    保護材と、
    前記チップ平面に設けられて前記チップ平面からの高さが前記バンプより高い位置に前記保護材を支持する支持体と
    を具備し、
    前記保護材には凹部が設けられ、
    前記支持体の一端は、前記凹部と嵌合する
    半導体パッケージ。
  12. 基板に積層された半導体チップのチップ平面に設けられたバンプと前記基板とをワイヤにより接続する接続手順と、
    前記チップ平面からの高さが前記バンプより高い位置に保護材を支持する支持体を前記チップ平面に形成する支持体配置手順と、
    前記保護材を配置する保護材配置手順と
    を具備し、
    前記チップ平面に設けられた半導体集積領域の周囲に沿って前記チップ平面に配列された複数のランドの一部に前記バンプが設けられ、残りに前記支持体が設けられる
    半導体パッケージの製造方法。
  13. 前記支持体が形成された後に前記チップ平面において半導体集積回路の周囲に紫外線硬化性樹脂を塗布する塗布手順をさらに具備し、
    前記支持体配置手順において、前記紫外線硬化性樹脂が塗布された後に前記保護材を配置して前記紫外線硬化性樹脂を硬化させる
    請求項１２記載の半導体パッケージの製造方法。
  14. 前記支持体が配置された後に前記チップ平面において半導体集積回路の周囲に熱硬化性樹脂を塗布する塗布手順をさらに具備する
    請求項１２記載の半導体パッケージの製造方法。
  15. 基板と、
    前記基板に積層された半導体チップと、
    前記半導体チップのチップ平面に設けられて前記基板にワイヤを介して接続されたバンプと、
    保護材と、
    前記チップ平面に設けられて前記チップ平面からの高さが前記バンプより高い位置に前記保護材を支持する支持体と、
    前記チップ平面に設けられた半導体集積回路と、
    前記半導体集積回路の周囲に沿って前記チップ平面に配列された複数のランドと、
    前記半導体集積回路により生成された信号を処理する信号処理回路と
    を具備し、
    前記複数のランドの一部に前記バンプが設けられ、残りに前記支持体が設けられる
    電子装置。
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