JP2001257334A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001257334A JP2001257334A JP2000066214A JP2000066214A JP2001257334A JP 2001257334 A JP2001257334 A JP 2001257334A JP 2000066214 A JP2000066214 A JP 2000066214A JP 2000066214 A JP2000066214 A JP 2000066214A JP 2001257334 A JP2001257334 A JP 2001257334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- state imaging
- imaging device
- resin sheet
- epoxy resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 86
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/162—Disposition
- H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
ーハレベルで精度よく製造可能な気密封止部を備えた固
体撮像装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 固体撮像素子チップ1に対して、受光部
2のみに穴空き部3を有するエボキシ系樹脂シート4を
接着剤5により接着し、エボキシ系樹脂シート4上に接
着剤5により平板部となる透明部材6を接着して、固体
撮像装置を構成する。
Description
ップを気密封止して実装してなる固体撮像装置及びその
製造方法に関する。
ンサチップを気密封止して実装してなる固体撮像装置と
しては、図7に示されるような構成のものが一般的であ
る。すなわち、固体撮像素子チップ101 をセラミックな
どからなるパッケージ102 にダイボンドし、ボンディン
グワイヤ103 を用いて固体撮像素子チップ101 とパッケ
ージ102 との所定の電気的接続を行った後、パッケージ
102 の縁部に設けた段部104 を用いて、素子チップ101
の表面との間に空間に設けてガラスリッド105 を接着し
て気密封止し、固体撮像装置を構成している。なお図7
において、106 は外部リードを示している。
において、パッケージ102 とガラスリッド105 を用いて
固体撮像素子チップ全体の気密封止を行うと、実装形状
が大きくなってしまい、小型実装を必要とする分野への
適用が困難であった。
本件出願人は特開平7−202152号公報に示すよう
な構成の固体撮像装置を提案した。この固体撮像装置の
断面図を図8及び図9に示す。図8は、固体撮像素子チ
ップ101 上の受光エリアのみに、透明部材からなる平板
部107 とその下面縁部に一体形成された枠部108 とで構
成された封止部材により、気密封止を行ったものであ
り、透明部材としてはガラス,石英,サファイヤ又は透
明樹脂などが用いられている。一方、図9に示す固体撮
像装置は、気密封止部を一体形成するのではなく、平板
部109 と枠部110を接着して気密封止部を構成するよう
にしたものである。ここで、枠部110 はセラミック,ガ
ラス,シリコン等の無機物又はコバール,42アロイ等
の金属を用いて構成してもよい。更に、固体撮像素子チ
ップ101 の表面に、エポキシ,フェノール,シリコンな
どの樹脂を印刷又はフォトリソ技術でパターン形成し
て、枠部を形成することも可能である。
より、小型化実装が可能になると共に、特にマイクロレ
ンズ付固体撮像装置においては、気密封止部の表面にフ
ィルタ,レンズ,プリズム等の光学部品を接着してもマ
イクロレンズの集光能力の低下を伴わない固体撮像装置
を実現することが可能になった。更に、気密封止部は、
固体撮像素子チップのウエーハ状態で全チップに一括し
て形成可能となり、製造方法においても簡単になった。
来提案した固体撮像装置においても、次のような課題が
ある。まず、図8に示した一体形成の気密封止部の構造
では、ガラスなどの透明部材で平板部と枠部とを備えた
気密封止部を一体形成する必要があるが、加工面で精度
が要求されると共に、製造においても工数がかかるなど
の困難が予想される。
て気密封止部を構成する方式、特に樹脂をパターン形成
して枠部を構成する方式では、樹脂のパターン形成すな
わち樹脂のウエーハ上への塗布、印刷又はフォトリソ技
術、現像及びエッチングという工程が必要になる。した
がって、工程が増加してしまうという課題がある。
点が生じると考えられるのがマイクロレンズ付固体撮像
装置の場合である。これは、一般的にマイクロレンズも
樹脂で形成されているからである。例えば、樹脂をウエ
ーハ全面に塗布後、枠部のパターニング及びエッチング
は、樹脂が硬化しないうちに行う必要がある。しかし、
樹脂が硬化しないうちのエッチングでは、枠部となる樹
脂も除去部分と同様にエッチングされ、十分な枠部が形
成されない恐れがある。一方、樹脂が硬化してからのエ
ッチングでは、枠部に対しては所望の形状が形成される
ものの、マイクロレンズも樹脂であるため、不要部の樹
脂のエッチングと同時にマイクロレンズもエッチングさ
れる可能性もある。
型化実装及びウエーハ状態での全チップに一括形成が可
能であっても、製造方法又は気密封止部の信頼性に難点
があった。
れたもので、小型化実装が可能であると共に簡単な構成
で、且つウエーハレベルで製造可能な精度のよい、信頼
性のある気密封止部を備えた固体撮像装置及びその製造
方法を提供することを目的とするものである。請求項毎
の目的を述べると、請求項1に係る発明は、簡単な構成
により小型化が可能な気密封止部を備えた固体撮像装置
を提供することを目的とする。請求項2に係る発明は、
接着剤を不要としてより簡単な構成による気密封止部を
備えた固体撮像装置を提供することを目的とする。請求
項3に係る発明は、固体撮像素子における不要光の遮蔽
効果を別個の遮光部材を設けることなく得られるように
した固体撮像装置を提供することを目的とする。請求項
4に係る発明は、請求項1〜3のいずれか1項に係る気
密封止部を備えた固体撮像装置において、固体撮像素子
チップと外部端子との最適な電気的接続構造を提供する
ことを目的とする。請求項5に係る発明は、固体撮像素
子チップへの合わせ精度のよい気密封止部を容易に形成
することが可能な固体撮像装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
め、請求項1に係わる発明は、固体撮像素子チップ上
に、透明部材からなる平板部と該平板部の下面縁部に接
着された枠部とで構成される気密封止部を設けた固体撮
像装置において、前記気密封止部の枠部がエポキシ系樹
脂シートで構成されていることを特徴とするものであ
る。このような構成により、簡単な構成で小型化が可能
な気密封止部を備えた固体撮像装置を実現することがで
きる。
固体撮像装置において、前記気密封止部の枠部を構成す
るエポキシ系樹脂シートは、接着性を備えていることを
特徴とするものである。このような構成により、気密封
止部の形成において接着剤が不要となり、簡単な構成で
容易に作成可能となる。
に係る固体撮像装置において、前記気密封止部の枠部を
構成するエポキシ系樹脂シートは、着色などによる遮光
機能を備えていることを特徴とするものである。このよ
うな構成により、枠部が不要な光を遮ることができ、別
個の遮光部材を設けることなく、迷光や固体撮像素子チ
ップ上での反射などによる悪影響を防ぐことができる。
いずれか1項に係る固体撮像装置において、固体撮像素
子チップ上に設けた電極パッドから前記固体撮像素子チ
ップ側面あるいは裏面に亘って配線領域を形成し、該配
線領域に外部端子を電気的に接続できるように構成した
ことを特徴とするものである。このような構造により、
請求項1〜3のいずれか1項に係る固体撮像装置におい
て、固体撮像素子チップと外部端子との最適な電気的接
続構造を提供することができる。
4のいずれか1項に係る固体撮像装置の製造方法におい
て、透明部材からなる平板部と該平板部の下面縁部に接
着されたエポキシ系樹脂シートからなる枠部とで形成さ
れる気密封止部を、多数の固体撮像素子チップが形成さ
れたウェーハ全体にわたって一体的に形成する工程を備
えていることを特徴とするものである。このような工程
を用いることにより、ウエーハ状態での各固体撮像素子
チップに気密封止部を一括して形成することが可能とな
り、したがって固体撮像素子チップ上に精度の良い気密
封止部を備えた固体撮像装置を製造することができる。
ついて説明する。図1及び図2は、本発明に係る固体撮
像装置の実施の形態を示す平面図及び断面図である。両
図において、1は固体撮像素子チップで、受光部2のみ
に穴空き部3をもったエポキシ系樹脂シート4が、接着
剤5により固体撮像素子チップ1に接着され、エポキシ
系樹脂シート4上には接着剤5により透明部材6が接着
され、固体撮像装置が構成されている。したがって、こ
の構成においてはエポキシ系樹脂シート4が枠部、透明
部材6が平板部となる気密封止部が形成されている。な
お図1において、7a,7bは固体撮像素子チップ1の
受光部2の周辺回路部である。
部3、すなわち被気密封止部は受光部2のみとしている
が、周辺回路部7a,7bを含む固体撮像素子チップ全
体(周縁部を除く)を被気密封止部としてもよく、エポ
キシ系樹脂シート4は被気密封止部の領域に対応した部
分にあらかじめ穴あけをしておく必要がある。平板部と
なる透明部材6としては、ガラス,石英,サファイヤ,
透明樹脂などが望ましい。枠部となるエポキシ系樹脂シ
ート4と、固体撮像素子チップ1及び平板部となる透明
部材6との接着には、エポキシ系あるいはシリコン系の
樹脂が適している。
は非常に簡単であり、次にその概略の工程についてのみ
説明する。まず、図3に示すように、多数の固体撮像素
子チップが形成されたウエーハ8上に、各固体撮像素子
チップの所望の領域に対応する部分にあらかじめ穴あけ
して穴空き部3を設けた、ウエーハ全体に亘るエポキシ
系樹脂シート4aを接着剤5を介して接着する。続い
て、図4に示すように、樹脂シート4a上全面に亘って
接着剤5を介して平板部となるガラスなどの透明部材6
aを、ウエーハ全体に一体的に接着する。最後にスクラ
イブライン9に沿ってダイシングすることにより、図2
に示すような気密封止部をもった固体撮像素子チップが
完成する。
レンズあるいはカラーフィルタなどがオンチップで形成
されていてもよいし、貼り合わせ等によって形成されて
いてもよい。また、樹脂シート4aのウエーハ8への接
着、及び平板部となる透明部材6aの樹脂シート4aへ
の接着については、固体撮像素子チップウエーハの製造
時におけるアライメントマークを利用することができ、
正確な位置合わせが可能となるため、固体撮像素子チッ
プ上に精度良く気密封止部を形成することができる。
キシ系樹脂シートのウエーハへの接着、及びエポキシ系
樹脂シートへの平板部となる透明部材の接着については
接着剤を使用しているが、エポキシ系樹脂シートにあら
かじめ接着性を持たせておけば接着剤は不要となり、固
体撮像素子チップ、枠部となる樹脂シート及び平板部と
なる透明部材とが簡単に接着できる。したがって、より
簡単に気密封止部が形成可能となる。なお、接着性をも
つエポキシ系樹脂シートとしては、ガラス繊維層の両面
にエポキシ系樹脂を塗布してシート状に形成し、加熱加
圧により接着できるようにしたものが市販されており、
このような樹脂シートを用いることができる。
たエポキシ系樹脂シートを使用すれば、気密封止部の枠
部となる樹脂シートが遮光部の役目を果たすことにな
り、固体撮像素子チップ上への不要な光を遮ることがで
きる。したがって、迷光や固体撮像素子チップ上での反
射などによる悪影響を防ぐことができる。
置の実装構成、及びパッド部からの電極の引出し構成に
ついて説明する。図5は実装構成例を示す図で、固体撮
像素子チップ1をパッケージ又は基板10にダイボンド
し、ボンディングワイヤ11を用いて固体撮像素子チップ
1のパッド部1aとパッケージ又は基板10との所定の接
続を行って実装するものである。この構成のままでもよ
いが、図示のように気密封止部以外のボンディングワイ
ヤ接続部を含む周辺部を、封止樹脂12により樹脂封止し
てもよい。但し、この構造では、気密封止部の枠部とな
るエポキシ系樹脂シート4を固体撮像素子チップ1のパ
ッド部1aを除いて形成する必要がある。ここで、パッ
ド部部分における樹脂シートの除去手法は、感光性のエ
ポキシ系樹脂シートを用いれば、図3に示したようにウ
エーハ上への樹脂シートの接着後、通常のフォトリソ技
術によりパターンニングしてエッチングなどにより簡単
に除去することができる。
例を示す図で、固体撮像素子チップ1上のパッド部1a
からチップ側面1b若しくは裏面1cまで配線領域13を
形成し、更に裏面配線領域に新たな電極パッドを設け
て、バンプ等により基板などへ接続するようにしてもよ
い。このような配線領域13を形成する場合は、気密封止
部の枠部となる樹脂シート4のパッド部部分を除去する
必要はなく、受光エリアあるいはチップ全体が気密封止
されるようにパッド部上に亘って形成すればよい。又
は、チップ側面1bの配線領域13に図示しない外部リー
ドなどを接続して、外部端子との電気的接続を図っても
よい。
ージが不要となって各種基板、例えば信号処理回路など
が形成された回路基板などへの固体撮像素子チップの直
接の搭載が可能になる。更に、固体撮像素子チップ裏面
に設けた配線領域あるいは電極パッドなどにより、信号
発生回路や信号処理回路などが形成された半導体チップ
との貼り合わせ、接着が容易に行われる。したがって、
固体撮像素子、信号処理回路などが一体に形成される積
層構造の固体撮像装置も容易に製作可能となり、周辺回
路を含めた固体撮像装置のさらなる小型化が実現でき
る。
例、及びパッド部からの電極の引出し構成例は一例にす
ぎず、これに限定されるものではなく、本発明の主旨に
沿うかぎりにおいて、他にも種々の構成例も可能である
ことは言うまでもない。
に、請求項1に係る発明によれば、簡単な構成で小型化
が可能な気密封止部を備えた固体撮像装置を実現するこ
とができる。また請求項2に係る発明によれば、接着剤
を不要としたり簡単な構成の気密封止部を備えた固体撮
像装置を提供することができる。また請求項3に係る発
明によれば、別個の遮光部材を設けることなく、迷光や
固体撮像素子チップ上での反射などによる悪影響を防止
することができる気密封止部を備えた固体撮像装置を提
供することができる。また請求項4に係る発明によれ
ば、固体撮像素子チップと外部端子との最適な電気的接
続構造が得られるようにした気密封止部を備えた固体撮
像装置を提供することができる。また請求項5に係る発
明によれば、ウエーハ状態での各固体撮像素子チップに
気密封止部を一括して形成するようにしているので、固
体撮像素子チップ上に精度のよい気密封止部を備えた固
体撮像装置を容易に製造することができる。
平面図である。
形態を説明するための製造工程図である。
である。
態様例を示す図である。
ド部から電極の引出し態様例を示す図である。
成例を示す図である。
の構成を示す図である。
の他の構成を示す図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 固体撮像素子チップ上に、透明部材から
なる平板部と該平板部の下面縁部に接着された枠部とで
構成される気密封止部を設けた固体撮像装置において、
前記気密封止部の枠部がエポキシ系樹脂シートで構成さ
れていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項2】 前記気密封止部の枠部を構成するエポキ
シ系樹脂シートは、接着性を備えていることを特徴とす
る請求項1に係る固体撮像装置。 - 【請求項3】 前記気密封止部の枠部を構成するエポキ
シ系樹脂シートは、着色などによる遮光機能を備えてい
ることを特徴とする請求項1又は2に係る固体撮像装
置。 - 【請求項4】 固体撮像素子チップ上に設けた電極パッ
ドから前記固体撮像素子チップ側面あるいは裏面に亘っ
て配線領域を形成し、該配線領域に外部端子を電気的に
接続できるように構成したことを特徴とする請求項1〜
3のいずれか1項に係る固体撮像装置。 - 【請求項5】 前記請求項1〜4のいずれか1項に係る
固体撮像装置の製造方法において、透明部材からなる平
板部と該平板部の下面縁部に接着されたエポキシ系樹脂
シートからなる枠部とで形成される気密封止部を、多数
の固体撮像素子チップが形成されたウェーハ全体にわた
って一体的に形成する工程を備えていることを特徴とす
る固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000066214A JP3880278B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US09/800,516 US6483179B2 (en) | 2000-03-10 | 2001-03-08 | Solid-state image pickup apparatus and fabricating method thereof |
US10/158,111 US6780667B2 (en) | 2000-03-10 | 2002-05-31 | Solid-state image pickup apparatus and fabricating method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000066214A JP3880278B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001257334A true JP2001257334A (ja) | 2001-09-21 |
JP3880278B2 JP3880278B2 (ja) | 2007-02-14 |
Family
ID=18585606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000066214A Expired - Fee Related JP3880278B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6483179B2 (ja) |
JP (1) | JP3880278B2 (ja) |
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003197656A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 |
JP2004031939A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Agilent Technol Inc | 撮像装置およびその製造方法 |
JP2005040940A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-02-17 | Agilent Technol Inc | 大規模並列処理微小電気機械システムのパッケージング用に反応性フォイルを用いたウェハボンディング法 |
EP1612610A2 (en) | 2004-07-02 | 2006-01-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Developing method of photoresist and developing device |
JP2006501641A (ja) * | 2002-09-03 | 2006-01-12 | アトメル グルノーブル ソシエテ アノニム | 光マイクロシステム及びその形成方法 |
KR100692446B1 (ko) | 2003-08-01 | 2007-03-09 | 후지필름 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
US7202469B2 (en) | 2003-10-23 | 2007-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device with molded resin ribs and method of manufacturing |
US7229852B2 (en) | 2004-06-15 | 2007-06-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of semiconductor wafer having lid part and manufacturing method of semiconductor device |
KR100731541B1 (ko) | 2003-08-01 | 2007-06-22 | 후지필름 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
US7247509B2 (en) | 2003-09-03 | 2007-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing solid-state imaging devices |
JP2007189032A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 中空封止型半導体装置の製造方法 |
CN1329952C (zh) * | 2001-12-27 | 2007-08-01 | 精工爱普生株式会社 | 光器件制造方法 |
US7273765B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-09-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device and method for producing the same |
JP2008091399A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 受光装置の製造方法 |
US7411230B2 (en) | 2002-04-22 | 2008-08-12 | Fujifilm Corporation | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
JP2008288603A (ja) * | 2008-06-16 | 2008-11-27 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP2009088510A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ガラスキャップモールディングパッケージ及びその製造方法、並びにカメラモジュール |
WO2009123308A1 (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-08 | 株式会社フジクラ | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
KR100932824B1 (ko) * | 2001-10-04 | 2009-12-21 | 소니 가부시끼 가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그의 제조 방법 |
JP2010010690A (ja) * | 2005-07-05 | 2010-01-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010098117A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Nec Electronics Corp | 電子装置および電子装置の製造方法 |
JP2011035362A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-17 | Kingpak Technology Inc | 拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ |
US7948555B2 (en) | 2007-11-12 | 2011-05-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Camera module and electronic apparatus having the same |
US8034652B2 (en) | 2005-03-25 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging device and manufacturing method thereof |
US8159575B2 (en) | 2008-03-13 | 2012-04-17 | Olympus Corporation | Solid-state image pickup apparatus and method for manufacturing the same |
US8243461B2 (en) | 2008-12-04 | 2012-08-14 | Renesas Electronics Corporation | Electronic device and process for manufacturing electronic device |
US8270177B2 (en) | 2007-07-27 | 2012-09-18 | Renesas Electronics Corporation | Electronic device and method for manufacturing electronic device |
JP2012186477A (ja) * | 2001-11-05 | 2012-09-27 | Kamiyacho Ip Holdings | 固体イメージセンサおよびその製造方法 |
JP2013074152A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Hitachi Chemical Co Ltd | 電子部品素子搭載用基板及びその製造方法 |
JP2013074151A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Hitachi Chemical Co Ltd | 電子部品素子搭載用基板及びその製造方法 |
JP2013520808A (ja) * | 2010-02-26 | 2013-06-06 | 精材科技股▲ふん▼有限公司 | チップパッケージおよびその製造方法 |
WO2017169889A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法、撮像装置、および電子機器 |
WO2020230404A1 (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体パッケージ、半導体パッケージの製造方法、および、電子装置 |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002231918A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2002299595A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2003163342A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2003198897A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | 光モジュール、回路基板及び電子機器 |
FR2835965B1 (fr) * | 2002-02-08 | 2005-03-04 | Phs Mems | Procede et dispositif de protection de microcomposants electroniques, optoelectroniques et/ou electromecaniques |
US6962834B2 (en) * | 2002-03-22 | 2005-11-08 | Stark David H | Wafer-level hermetic micro-device packages |
US20060191215A1 (en) * | 2002-03-22 | 2006-08-31 | Stark David H | Insulated glazing units and methods |
US7832177B2 (en) * | 2002-03-22 | 2010-11-16 | Electronics Packaging Solutions, Inc. | Insulated glazing units |
US6873024B1 (en) | 2002-05-15 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method for wafer level packaging of optical imaging semiconductor devices |
EP1369929B1 (en) * | 2002-05-27 | 2016-08-03 | STMicroelectronics Srl | A process for manufacturing encapsulated optical sensors, and an encapsulated optical sensor manufactured using this process |
JP4443865B2 (ja) * | 2002-06-24 | 2010-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP5030360B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2012-09-19 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
US20040150063A1 (en) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Katsumi Yamamoto | Package structure for an optical image sensor |
DE10310617B4 (de) * | 2003-03-10 | 2006-09-21 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit Hohlraum und ein Verfahren zur Herstellung desselben |
JP4494746B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2010-06-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP4494745B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2010-06-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体装置 |
AU2003268702A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Fujitsu Limited | Camera module |
CN100394607C (zh) * | 2003-11-18 | 2008-06-11 | 宏齐科技股份有限公司 | 光感测芯片的封装方法 |
US20050135071A1 (en) * | 2003-12-18 | 2005-06-23 | Harvatek Corporation | Package structure of optical sensitive device and method for packaging optical sensitive device |
TWI284398B (en) * | 2004-03-26 | 2007-07-21 | Xintec Inc | Chip package structure and its wafer level package method |
US7492023B2 (en) * | 2004-03-26 | 2009-02-17 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging device |
JP2005286888A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP4838501B2 (ja) * | 2004-06-15 | 2011-12-14 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 撮像装置及びその製造方法 |
KR100652375B1 (ko) * | 2004-06-29 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | 와이어 본딩 패키지를 포함하는 이미지 센서 모듈 구조물및 그 제조방법 |
US7279782B2 (en) * | 2005-01-05 | 2007-10-09 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | FBGA and COB package structure for image sensor |
JP2006237134A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
US20060276836A1 (en) * | 2005-06-07 | 2006-12-07 | Bergin Patrick J | Hemostatic wire guided bandage and method of use |
JP4762627B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2011-08-31 | オリンパス株式会社 | 撮像装置および撮像装置の製造方法 |
CN100413042C (zh) * | 2005-08-25 | 2008-08-20 | 矽格股份有限公司 | 光感测半导体组件的封装方法 |
CN100516979C (zh) * | 2005-09-26 | 2009-07-22 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 光学模组 |
JP4466552B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2010-05-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
TWI284966B (en) | 2006-01-12 | 2007-08-01 | Touch Micro System Tech | Method for wafer level package and fabricating cap structures |
US7936062B2 (en) | 2006-01-23 | 2011-05-03 | Tessera Technologies Ireland Limited | Wafer level chip packaging |
US8604605B2 (en) | 2007-01-05 | 2013-12-10 | Invensas Corp. | Microelectronic assembly with multi-layer support structure |
US8456560B2 (en) * | 2007-01-26 | 2013-06-04 | Digitaloptics Corporation | Wafer level camera module and method of manufacture |
US20090032925A1 (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | England Luke G | Packaging with a connection structure |
US7989040B2 (en) | 2007-09-14 | 2011-08-02 | Electronics Packaging Solutions, Inc. | Insulating glass unit having multi-height internal standoffs and visible decoration |
US20090206431A1 (en) * | 2008-02-20 | 2009-08-20 | Micron Technology, Inc. | Imager wafer level module and method of fabrication and use |
KR20090129791A (ko) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | 가부시키가이샤 교토 소프트웨어 리서치 | 다치 플래시 메모리 |
WO2010019484A2 (en) | 2008-08-09 | 2010-02-18 | Eversealed Windows, Inc. | Asymmetrical flexible edge seal for vacuum insulating glass |
JP5498684B2 (ja) * | 2008-11-07 | 2014-05-21 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
US8512830B2 (en) | 2009-01-15 | 2013-08-20 | Eversealed Windows, Inc. | Filament-strung stand-off elements for maintaining pane separation in vacuum insulating glazing units |
US8329267B2 (en) | 2009-01-15 | 2012-12-11 | Eversealed Windows, Inc. | Flexible edge seal for vacuum insulating glazing units |
US8823154B2 (en) * | 2009-05-08 | 2014-09-02 | The Regents Of The University Of California | Encapsulation architectures for utilizing flexible barrier films |
TWI425597B (zh) * | 2009-12-31 | 2014-02-01 | Kingpak Tech Inc | 具有黑色膠體之影像感測器封裝結構 |
WO2011153381A2 (en) | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Eversealed Windows, Inc. | Multi-pane glass unit having seal with adhesive and hermetic coating layer |
JP5930263B2 (ja) * | 2011-02-18 | 2016-06-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5821242B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-11-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
US9328512B2 (en) | 2011-05-05 | 2016-05-03 | Eversealed Windows, Inc. | Method and apparatus for an insulating glazing unit and compliant seal for an insulating glazing unit |
US9197796B2 (en) * | 2011-11-23 | 2015-11-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Camera module |
WO2016013977A1 (en) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Optoelectronic modules including an image sensor having regions optically separated from one another |
TWI733289B (zh) * | 2017-04-20 | 2021-07-11 | 億光電子工業股份有限公司 | 感測模組及其製造方法 |
JP2020129629A (ja) * | 2019-02-12 | 2020-08-27 | エイブリック株式会社 | 光センサ装置およびその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55135484A (en) * | 1979-04-09 | 1980-10-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacture of color solid state pickup element plate |
JPH0621414A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-01-28 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
JPH11121653A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-04-30 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JPH11186532A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Canon Inc | 光センサー |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02169619A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-06-29 | Toshiba Corp | 封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いてなる光半導体素子 |
JP3161142B2 (ja) * | 1993-03-26 | 2001-04-25 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
JPH07202152A (ja) | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
-
2000
- 2000-03-10 JP JP2000066214A patent/JP3880278B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-08 US US09/800,516 patent/US6483179B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-05-31 US US10/158,111 patent/US6780667B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55135484A (en) * | 1979-04-09 | 1980-10-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacture of color solid state pickup element plate |
JPH0621414A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-01-28 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
JPH11121653A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-04-30 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JPH11186532A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Canon Inc | 光センサー |
Cited By (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100982606B1 (ko) * | 2001-10-04 | 2010-09-15 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101026282B1 (ko) * | 2001-10-04 | 2011-03-31 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101016498B1 (ko) * | 2001-10-04 | 2011-02-24 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치의 제조 방법 |
KR100982621B1 (ko) * | 2001-10-04 | 2010-09-15 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 그의 제조 방법 |
KR100932824B1 (ko) * | 2001-10-04 | 2009-12-21 | 소니 가부시끼 가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그의 제조 방법 |
JP2012186477A (ja) * | 2001-11-05 | 2012-09-27 | Kamiyacho Ip Holdings | 固体イメージセンサおよびその製造方法 |
JP2003197656A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 |
CN1329952C (zh) * | 2001-12-27 | 2007-08-01 | 精工爱普生株式会社 | 光器件制造方法 |
US7659136B2 (en) | 2002-04-22 | 2010-02-09 | Fujifilm Corporation | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
US7411230B2 (en) | 2002-04-22 | 2008-08-12 | Fujifilm Corporation | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
JP2004031939A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Agilent Technol Inc | 撮像装置およびその製造方法 |
JP4501130B2 (ja) * | 2002-06-26 | 2010-07-14 | マイクロン テクノロジー, インク. | 撮像装置およびその製造方法 |
JP2006501641A (ja) * | 2002-09-03 | 2006-01-12 | アトメル グルノーブル ソシエテ アノニム | 光マイクロシステム及びその形成方法 |
US7273765B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-09-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device and method for producing the same |
JP2005040940A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-02-17 | Agilent Technol Inc | 大規模並列処理微小電気機械システムのパッケージング用に反応性フォイルを用いたウェハボンディング法 |
KR100731541B1 (ko) | 2003-08-01 | 2007-06-22 | 후지필름 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
KR100692446B1 (ko) | 2003-08-01 | 2007-03-09 | 후지필름 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
US7247509B2 (en) | 2003-09-03 | 2007-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing solid-state imaging devices |
US7202469B2 (en) | 2003-10-23 | 2007-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device with molded resin ribs and method of manufacturing |
KR100726504B1 (ko) * | 2003-10-23 | 2007-06-11 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
CN100423277C (zh) * | 2004-06-15 | 2008-10-01 | 夏普株式会社 | 具有盖部分的半导体晶片制造方法和半导体器件制造方法 |
US7229852B2 (en) | 2004-06-15 | 2007-06-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of semiconductor wafer having lid part and manufacturing method of semiconductor device |
US7586581B2 (en) | 2004-07-02 | 2009-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Developing method of photoresist and developing device |
EP1612610A2 (en) | 2004-07-02 | 2006-01-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Developing method of photoresist and developing device |
EP2579312A2 (en) | 2005-03-25 | 2013-04-10 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging device and manufacturing method thereof |
US8034652B2 (en) | 2005-03-25 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging device and manufacturing method thereof |
EP2463910A2 (en) | 2005-03-25 | 2012-06-13 | Fujifilm Corporation | Manufacturing method of a solid state imaging device |
JP2010010690A (ja) * | 2005-07-05 | 2010-01-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US8323873B2 (en) | 2005-07-05 | 2012-12-04 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive adhesive composition, and obtained using the same, adhesive film, adhesive sheet, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and electronic part |
US8445177B2 (en) | 2005-07-05 | 2013-05-21 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive adhesive composition, and obtained using the same, adhesive film, adhesive sheet, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and electronic part |
US8293453B2 (en) | 2005-07-05 | 2012-10-23 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive adhesive composition, and obtained using the same, adhesive film, adhesive sheet, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and electronic part |
US8673539B2 (en) | 2005-07-05 | 2014-03-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive adhesive composition, and obtained using the same, adhesive film, adhesive sheet, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and electronic part |
US8278024B2 (en) | 2005-07-05 | 2012-10-02 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive adhesive composition, and obtained using the same, adhesive film, adhesive sheet, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and electronic part |
JP2007189032A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 中空封止型半導体装置の製造方法 |
JP2008091399A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 受光装置の製造方法 |
US8270177B2 (en) | 2007-07-27 | 2012-09-18 | Renesas Electronics Corporation | Electronic device and method for manufacturing electronic device |
US9327457B2 (en) | 2007-07-27 | 2016-05-03 | Renesas Electronics Corporation | Electronic device and method for manufacturing electronic device |
JP2009088510A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ガラスキャップモールディングパッケージ及びその製造方法、並びにカメラモジュール |
US7948555B2 (en) | 2007-11-12 | 2011-05-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Camera module and electronic apparatus having the same |
US8159575B2 (en) | 2008-03-13 | 2012-04-17 | Olympus Corporation | Solid-state image pickup apparatus and method for manufacturing the same |
US8530979B2 (en) | 2008-04-04 | 2013-09-10 | Fujikura Ltd. | Semiconductor package and method for manufacturing the same |
WO2009123308A1 (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-08 | 株式会社フジクラ | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
JP5417320B2 (ja) * | 2008-04-04 | 2014-02-12 | 株式会社フジクラ | 半導体パッケージ |
JP2008288603A (ja) * | 2008-06-16 | 2008-11-27 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP2010098117A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Nec Electronics Corp | 電子装置および電子装置の製造方法 |
US8986588B2 (en) | 2008-12-04 | 2015-03-24 | Renesas Electronics Corporation | Electronic device and process for manufacturing electronic device |
US8243461B2 (en) | 2008-12-04 | 2012-08-14 | Renesas Electronics Corporation | Electronic device and process for manufacturing electronic device |
JP2011035362A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-17 | Kingpak Technology Inc | 拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ |
JP2013520808A (ja) * | 2010-02-26 | 2013-06-06 | 精材科技股▲ふん▼有限公司 | チップパッケージおよびその製造方法 |
US8741683B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-06-03 | Xintec Inc. | Chip package and fabrication method thereof |
US8890268B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-11-18 | Yu-Lung Huang | Chip package and fabrication method thereof |
JP2015133520A (ja) * | 2010-02-26 | 2015-07-23 | 精材科技股▲ふん▼有限公司 | チップパッケージおよびその製造方法 |
JP2013074151A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Hitachi Chemical Co Ltd | 電子部品素子搭載用基板及びその製造方法 |
JP2013074152A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Hitachi Chemical Co Ltd | 電子部品素子搭載用基板及びその製造方法 |
WO2017169889A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法、撮像装置、および電子機器 |
US10750060B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-08-18 | Sony Corporation | Camera module, method of manufacturing camera module, imaging apparatus, and electronic apparatus |
US11595551B2 (en) | 2016-03-31 | 2023-02-28 | Sony Corporation | Camera module, method of manufacturing camera module, imaging apparatus, and electronic apparatus |
WO2020230404A1 (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体パッケージ、半導体パッケージの製造方法、および、電子装置 |
JP7462620B2 (ja) | 2019-05-15 | 2024-04-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体パッケージ、半導体パッケージの製造方法、および、電子装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3880278B2 (ja) | 2007-02-14 |
US20020149075A1 (en) | 2002-10-17 |
US6483179B2 (en) | 2002-11-19 |
US20010020738A1 (en) | 2001-09-13 |
US6780667B2 (en) | 2004-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001257334A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP4846910B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2002231918A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
US7898085B2 (en) | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof | |
JP3540281B2 (ja) | 撮像装置 | |
US7893514B2 (en) | Image sensor package, method of manufacturing the same, and image sensor module including the image sensor package | |
KR100791730B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
TWI267150B (en) | Cavity structure for semiconductor structure | |
KR100730726B1 (ko) | 카메라 모듈 | |
JP2003163342A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2002231921A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JPH07202152A (ja) | 固体撮像装置 | |
KR20080074773A (ko) | 다이 수용 개구를 가진 이미지 센서 패키지 및 그 제조방법 | |
JP2003197885A (ja) | 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 | |
JP2001351997A (ja) | 受光センサーの実装構造体およびその使用方法 | |
JP2002231920A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2003243637A (ja) | 固体撮像装置、その製造方法およびその製造方法において使用するマスク | |
JP2002329850A (ja) | チップサイズパッケージおよびその製造方法 | |
JP4354321B2 (ja) | 固体撮像素子パッケージ、半導体パッケージ、カメラモジュール、及び固体撮像素子パッケージの製造方法 | |
JPH085566Y2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2004193600A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、半導体装置用カバー並びに電子機器 | |
JP2003163341A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2008300574A (ja) | 固体撮像装置 | |
US20110111547A1 (en) | Backside-illuminated imaging device and manufacturing method of the same | |
JP2010273087A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060822 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061031 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061107 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111117 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111117 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121117 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131117 Year of fee payment: 7 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |