JP2003243637A - 固体撮像装置、その製造方法およびその製造方法において使用するマスク - Google Patents
固体撮像装置、その製造方法およびその製造方法において使用するマスクInfo
- Publication number
- JP2003243637A JP2003243637A JP2002043829A JP2002043829A JP2003243637A JP 2003243637 A JP2003243637 A JP 2003243637A JP 2002043829 A JP2002043829 A JP 2002043829A JP 2002043829 A JP2002043829 A JP 2002043829A JP 2003243637 A JP2003243637 A JP 2003243637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- resin
- transparent substrate
- chip
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 102
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 74
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 36
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 32
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 102100032566 Carbonic anhydrase-related protein 10 Human genes 0.000 description 1
- 101000867836 Homo sapiens Carbonic anhydrase-related protein 10 Proteins 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3185—Partial encapsulation or coating the coating covering also the sidewalls of the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
めに追加される工程を最小限に抑えた固体撮像装置、そ
の製造方法およびその製造方法において使用するマスク
を提供する。 【解決手段】 固体撮像装置は、光を透過する透明基板
と、受光部を有する固体撮像素子を少なくとも有し、該
受光部が透明基板に対向するように該透明基板に実装さ
れた第1チップと、前記第1チップと前記透明基板との
間を気密状態で封止するように設けられた第1樹脂と、
該第1チップに対して該透明基板の反対側に設けられた
第2チップと、該第2チップを該第1チップにダイボン
ドするために設けられた第2樹脂とを具備しており、該
第1樹脂および該第2樹脂は、同一の材料によって形成
されていることを特徴とする。
Description
と向き合うように実装された固定撮像素子と透明基板と
の間を気密状態で封止する構造を備えた固体撮像装置、
その製造方法およびその製造方法に使用されるマスクに
関する。
搭載されるケースが増えてきている。携帯情報機器に搭
載される固体撮像装置は、被写体からの光信号を画像信
号に変換して出力する固体撮像素子の上に、固体撮像素
子から出力された画像信号を処理する周辺集積回路を載
置した構成を有している。このような構成を有する固体
撮像素子は、携帯情報機器に搭載されるために、軽量で
あり、薄く、また小型であることが強く望まれている。
部が透明基板と向き合うように実装された固定撮像素子
と透明基板との間を気密状態で封止する構造を備えた固
体撮像装置が開示されている。図16は、従来の固体撮
像装置90の断面図である。固体撮像装置90は、光を
透過する透明基板92を備えている。透明基板92に
は、略長方体形状をした固体撮像素子93が実装されて
いる。固体撮像素子93の透明基板92側の面には、複
数のフォトダイオードによって構成される受光部94
と、透明基板92に形成された配線と固体撮像素子93
とを電気的に接続するための突起電極95とが設けられ
ている。このように、固体撮像素子93の受光部94
は、透明基板92と対向するように設けられており、従
って、固体撮像素子93は透明基板92にフェイスダウ
ン実装されている。固体撮像素子93の周縁には、固体
撮像素子93と透明基板92との間を気密状態で封止す
るための封止樹脂96が形成されている。
は、以下のようにして製造される。まず、受光部94が
透明基板92と向き合うように固体撮像素子93に設け
られた突起電極95を透明基板92に形成された配線に
接続し、固体撮像素子93を透明基板92にフェイスダ
ウンボンディングする。そして、固体撮像素子93と透
明基板92との間を気密状態で封止するための封止樹脂
96を固体撮像素子93の周縁に沿ってディスペンス方
式によって塗布する。次に、固体撮像素子93の周縁に
塗布された封止樹脂96を硬化させ、固体撮像素子93
と透明基板92との間を気密状態で封止する。なお、封
止樹脂96は、透明基板92上にフェイスダウン実装さ
れた固体撮像素子93にマスクを被せ、固体撮像素子9
3の周縁に封止樹脂96を印刷する印刷方式によって塗
布してもよい。
においては、透明基板92に対して固体撮像素子93の
反対側から透明基板92へ入射した入射光は、透明基板
92を透過して、固体撮像素子93に設けられた受光部
94へ入射する。固体撮像素子93は、受光部94に入
射した入射光を画像信号に変換して、図示しない出力端
子から出力する。
が透明基板と向き合うように実装された固定撮像素子と
透明基板との間を気密状態で封止する構造を備えた他の
固体撮像装置が開示されている。図17は、従来の他の
固体撮像装置80の断面図である。図16を参照して前
述した固体撮像装置80の構成要素と同一の構成要素に
は同一の参照符号を付している。これらの構成要素の詳
細な説明は省略する。図16に示す固体撮像装置90と
異なる点は、固体撮像素子93と透明基板92との間を
気密状態で封止するための封止樹脂86が固体撮像素子
93の周縁および透明基板92と反対側の面の双方を覆
うように形成されている点である。
は、以下のようにして製造される。まず、図16に示す
固体撮像装置90と同様に、受光部94が透明基板92
と向き合うように固体撮像素子93に設けられた突起電
極95を透明基板92に形成された配線に接続し、固体
撮像素子93を透明基板92にフェイスダウンボンディ
ングする。そして、固体撮像素子93と透明基板92と
の間を気密状態で封止するための封止樹脂96を固体撮
像素子93の全体を覆うようにディスペンス方式によっ
て塗布する。次に、固体撮像素子93の周縁および透明
基板92と反対側の面に塗布された封止樹脂96を硬化
させ、固体撮像素子93と透明基板92との間を気密状
態で封止する。
イランド上に固着された第1半導体チップの上に第2半
導体チップを固着する構成が開示されている。図18
は、上記公報に開示された固体撮像装置70の断面図で
ある。固体撮像装置70は、アイランド71を備えてい
る。アイランド71上には、第1接着剤74を介して第
1半導体チップ72が固着されている。第1半導体チッ
プ72上には、第2接着剤75を介して第2半導体チッ
プ73が固着されている。第2接着剤75には、粒径が
20ミクロンないし40ミクロンの球状のシリコン粒
(フィラー)99が混入されている。
および図17にそれぞれ示す固体撮像装置80および9
0の構成では、前述したように固体撮像素子から出力さ
れた画像信号を処理する周辺集積回路を固体撮像素子上
に載置しようとすると、固体撮像素子93と透明基板9
2との間を気密状態で封止するための封止樹脂96を硬
化させた後に、周辺集積回路を固体撮像素子上にダイボ
ンドするためのダイボンドペーストを塗布する工程と、
周辺集積回路を固体撮像素子上にダイボンドした後にダ
イボンドペーストを硬化させる工程とを別途追加しなけ
ればならないという問題がある。
ーストが這い上がることを防止し、ダイボンドペースト
がダイボンドツールへ付着することを防止するために、
ダイボンドしようとする周辺集積回路の外形に応じてダ
イボンドペーストの量を制御しなければならないという
問題がある。
は、第1接着剤74をアイランド71上に塗布する工程
に加えて、粘度が比較的低いフィラー99が混入された
第2接着剤75を第1半導体チップ72上に塗布する工
程が必要であるという問題がある。
あり、その目的は、周辺集積回路を固体撮像素子上に載
置するために追加される工程を最小限に抑えた固体撮像
装置、その製造方法およびその製造方法において使用す
るマスクを提供することにある。
置は、光を透過する透明基板と、受光部を有する固体撮
像素子を少なくとも有し、該受光部が透明基板に対向す
るように該透明基板に実装された第1チップと、前記第
1チップと前記透明基板との間を気密状態で封止するよ
うに設けられた第1樹脂と、該第1チップに対して該透
明基板の反対側に設けられた第2チップと、該第2チッ
プを該第1チップにダイボンドするために設けられた第
2樹脂とを具備しており、該第1樹脂および該第2樹脂
は、同一の材料によって形成されていることを特徴と
し、そのことにより上記目的が達成される。
覆うように形成されていてもよい。
出力された画像信号を処理する処理回路を有していても
よい。
られた前記固体撮像素子と前記透明基板とを電気的に接
続するための突起電極が該透明基板に向かって突出する
ように形成されていてもよい。
前記透明基板に前記第1チップを、該固体撮像素子の受
光部が該透明基板と対向するように実装する実装工程
と、前記第1樹脂および前記第2樹脂が設けられる領域
に対応した開口部をそれぞれ有するマスクを、該第1チ
ップを覆うように該透明基板上に配置して、各開口部に
同一の材料を供給することにより該第1樹脂および該第
2樹脂を形成する樹脂形成工程と、該第2樹脂によって
該第2チップを該第1チップにダイボンドするダイボン
ド工程と、該ダイボンド工程の後で該第1樹脂と該第2
樹脂との双方を同時に硬化させる硬化工程とを包含する
ことを特徴とし、そのことにより上記目的が達成され
る。
方法に使用されるマスクであって、前記透明基板上に配
置された際に、前記第1チップを内部に収容する凹部
と、前記第1樹脂が設けられる部分に対応して該凹部に
連通して設けられた第1開口部と、前記第2樹脂が設け
られる部分に対応して該凹部に連通して設けられた第2
開口部とを有することを特徴とし、そのことにより上記
目的が達成される。
においては、透明基板上にフェイスダウン実装された固
体撮像素子から出力された画像信号を処理する周辺集積
回路が固体撮像素子上に載置される。
1の断面図である。図2は、固体撮像装置1において周
辺集積回路を除いた状態の斜視図であり、図3は、図2
に示す線AAを含む垂直面に沿った断面図である。固体
撮像装置1は、光を透過する透明基板2を備えている。
透明基板2は、板厚0.5mm以上0.7mm以下であ
り、ガラス等によって構成されている。透明基板2に
は、略正方形の板状をした固体撮像素子3が実装されて
いる。固体撮像素子3の透明基板2側の面には、複数の
フォトダイオードによって構成される受光部4と、透明
基板2に形成された配線と固体撮像素子3とを電気的に
接続するための突起電極5とが設けられている。固体撮
像素子3は、透明基板2を透過して受光部4へ入射した
入射光を画像信号に変換して、図示しない出力端子から
出力する。このように、固体撮像素子3の受光部4は、
透明基板2と向き合うように設けられており、従って、
固体撮像素子3は透明基板2にフェイスダウン実装され
ている。固体撮像素子3の周縁には、固体撮像素子3と
透明基板2との間を気密状態で封止するための封止樹脂
6が、固体撮像素子3の側面と、固体撮像素子3の上面
の周縁部と、透明基板2の表面における固体撮像素子3
の周囲とに形成されている。
は、対角線方向に沿った略十字形状のダイボンド樹脂8
が形成されている。ダイボンド樹脂8および封止樹脂6
は、同一の材料によって形成されている。ダイボンド樹
脂8の上には、略長方体形状をした周辺集積回路7が設
けられている。周辺集積回路7は、固体撮像素子3に設
けられた図示しない出力端子から出力された画像信号を
処理する。このように、周辺集積回路7はダイボンド樹
脂8によって固体撮像素子3の上面にダイボンドされて
いる。
は、以下のようにして製造される。図4および図5は、
固体撮像装置1の製造方法を説明する断面図である。図
4を参照すると、受光部4が透明基板2と向き合うよう
に固体撮像素子3に設けられた突起電極5を透明基板2
に形成された配線に接続し、固体撮像素子3を透明基板
2にフェイスダウンボンディングする。
止樹脂6およびダイボンド樹脂8を塗布するためのマス
ク9を、透明基板2にフェイスダウン実装された固体撮
像素子3に被せる。図6は、マスク9を説明するための
平面図であり、図7は、図6におけるB−B’線に沿っ
たマスク9の断面図である。マスク9は、固体撮像素子
3と透明基板2との間を気密状態で封止するように封止
樹脂6を固体撮像素子3の周縁に沿って塗布するために
形成された凹部10を有している。凹部10は、マスク
9を固体撮像素子3に被せたときに、固体撮像素子3と
は全周にわたって所定の間隔を空けた状態で固定撮像素
子3を内側に収容するように透明基板2に向かって開口
した凹状に形成されている。凹部10内に固体撮像素子
10が収容された状態では、マスク9の透明基板2側の
面と透明基板2の表面とが密着する。
6を供給するように4つの封止樹脂塗布開口部11をさ
らに有している。各封止樹脂塗布開口部11は、凹部1
0とそれぞれ連通しており、凹部10における4つのコ
ーナーをそれぞれ形成するL字状の側縁部に沿ってそれ
ぞれ形成されている。
る中央部にダイボンド樹脂8を塗布するために凹部10
と連通して形成されたダイボンド樹脂塗布開口部12を
さらに有している。ダイボンド樹脂塗布開口部12は、
凹部10の中央部において凹部10の対角線方向に沿っ
た略十字形状に形成されて、凹部10と連通している。
像素子3に樹脂を塗布する工程を説明する断面図であ
る。チキソ比を調整した高粘度の樹脂を、封止樹脂塗布
開口部11を通して凹部10へスキージ13によって流
し込むとともに、さらにダイボンド樹脂塗布開口部12
へ流し込む。凹部10は、座グリ加工が施されており、
固体撮像素子3が凹部10の中に収まり、マスク9の透
明基板2側の面と透明基板2の表面とが密着するように
なっているので、凹部10へ流れ込んだ樹脂は凹部10
から固体撮像素子3の反対側へ向かって流れ出すことは
ない。固定撮像素子3と透明基板2との間に塗布される
樹脂の量は、スキージ13の印刷圧力を調整することに
よって制御することができる。
後、マスク9を取り外した状態を説明する断面図であ
る。マスク9を固体撮像素子3から取り外すと、固体撮
像素子3の側面および上面の周縁部の一部と、固体撮像
素子3における上面の中央とに塗布された樹脂が残る。
固体撮像素子3の側面と上面の周縁部の一部と透明基板
2の表面の一部とに塗布された樹脂が、固体撮像素子3
と透明基板2との間を気密状態で封止する封止樹脂6と
なり、固体撮像素子3における上面の中央に塗布された
樹脂が、周辺集積回路7を固体撮像素子3にダイボンド
するためのダイボンドペーストを構成するダイボンド樹
脂8となる。このように、固体撮像素子3と透明基板2
との間を気密状態で封止する封止樹脂6と周辺集積回路
7を固体撮像素子3にダイボンドするためのダイボンド
樹脂8とは、同時に塗布される。
3にフェイスアップ実装する工程を説明する斜視図であ
る。固体撮像素子3の上面に形成されたダイボンド樹脂
8の上に周辺集積回路7を載せてダイボンドする。そし
て、封止樹脂6およびダイボンド樹脂8を同時に硬化さ
せる。封止樹脂6およびダイボンド樹脂8は、同一の材
料によって形成されているので、硬化させる工程は1回
でよい。このようにして固体撮像装置1が完成する。
回路基板に実装する方法を説明する断面図である。図1
1を参照すると、回路基板14は、セラミックによって
構成されている。回路基板14の表面には、開口部が形
成されている。回路基板14の表面に形成された開口部
の中に固体撮像素子3および周辺集積回路7が入るよう
に、透明基板2を回路基板14の表面に固定することに
よって、固体撮像装置1は回路基板14に実装される。
1が実装された回路基板14を反転させ、固体撮像装置
1に設けられた周辺集積回路7と回路基板14とをワイ
ヤボンディング15によって接続する。図13を参照す
ると、樹脂ポッティング16によって、固体撮像装置1
に設けられた周辺集積回路7と回路基板14とを接続す
るワイヤボンディング15が形成された開口部を封止す
る。
られている例を説明したが、本発明はこれに限定されな
い。突起電極5は、透明基板2と固体撮像素子3とを電
気的に接続すればよく、突起電極5は透明基板2に設け
られていてもよい。
よって構成されている例を示したが、光学フィルタによ
って構成されていてもよい。さらに、回路基板14は、
PWBまたはFPCによって構成されていてもよい。
撮像素子3と透明基板2との間を気密状態で封止する封
止樹脂6と、周辺集積回路7を固体撮像素子3にダイボ
ンドするためのダイボンド樹脂8とが同一の材料によっ
て形成されているので、封止樹脂6とダイボンド樹脂8
とを同一の工程によって塗布することができ、同一の工
程によって硬化させることができる。
辺集積回路を固体撮像素子上にダイボンドするためのダ
イボンドペーストを塗布する工程と、周辺集積回路を固
体撮像素子上にダイボンドした後にダイボンドペースト
を硬化させる工程とを別途追加する必要がない。
に載置するために追加される工程を最小限に抑えること
ができ、より簡単な製造プロセスによって、固体撮像素
子上に周辺集積回路を積層した構造を有する固体撮像装
置を製造することができる。従って、今後ますます小型
薄型化する固体撮像装置を低いコストによって提供する
ことができる。
樹脂開口部は、例えば、後述する図14および図15に
示すように、固体撮像素子の上面に塗布するダイボンド
樹脂の塗布パターンに応じて任意の形状に形成すればよ
い。図14は、本実施の形態に係る固体撮像装置1を製
造するための他の樹脂塗布用マスク9Aの平面図であ
る。図14に示すように、正方形の形状をしたダイボン
ド樹脂塗布開口部12Aを形成してもよい。図15は、
固体撮像装置1を製造するためのさらに他の樹脂塗布用
マスク9Bの平面図である。図15に示すように、円形
の形状をした複数のダイボンド樹脂塗布開口部12Bを
形成してもよい。
回路を固体撮像素子上に載置するために追加される工程
を最小限に抑えた固体撮像装置、その製造方法およびそ
の製造方法において使用するマスクを提供することがで
きる。
集積回路を除いた状態の斜視図
集積回路を除いた状態の断面図
説明する断面図
説明する断面図
めの樹脂塗布用マスクの平面図
説明する断面図
説明する断面図
を説明する斜視図
に実装する方法を説明する断面図
に実装する方法を説明する断面図
に実装する方法を説明する断面図
ための他の樹脂塗布用マスクの平面図
ためのさらに他の樹脂塗布用マスクの平面図
Claims (6)
- 【請求項1】 光を透過する透明基板と、 受光部を有する固体撮像素子を少なくとも有し、該受光
部が透明基板に対向するように該透明基板に実装された
第1チップと、 前記第1チップと前記透明基板との間を気密状態で封止
するように設けられた第1樹脂と、 該第1チップに対して該透明基板の反対側に設けられた
第2チップと、 該第2チップを該第1チップにダイボンドするために設
けられた第2樹脂とを具備しており、 該第1樹脂および該第2樹脂は、同一の材料によって形
成されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項2】 前記第1樹脂は、前記第1チップの側縁
を覆うように形成されている、請求項1記載の固体撮像
装置。 - 【請求項3】 前記第2チップは、前記固体撮像素子か
ら出力された画像信号を処理する処理回路を有してい
る、請求項1記載の固体撮像装置。 - 【請求項4】 前記第1チップには、該第1チップに設
けられた前記固体撮像素子と前記透明基板とを電気的に
接続するための突起電極が該透明基板に向かって突出す
るように形成されている、請求項1記載の固体撮像装
置。 - 【請求項5】 請求項1記載の固体撮像装置の製造方法
であって、 前記透明基板に前記第1チップを、該固体撮像素子の受
光部が該透明基板と対向するように実装する実装工程
と、 前記第1樹脂および前記第2樹脂が設けられる領域に対
応した開口部をそれぞれ有するマスクを、該第1チップ
を覆うように該透明基板上に配置して、各開口部に同一
の材料を供給することにより該第1樹脂および該第2樹
脂を形成する樹脂形成工程と、 該第2樹脂によって該第2チップを該第1チップにダイ
ボンドするダイボンド工程と、 該ダイボンド工程の後で該第1樹脂と該第2樹脂との双
方を同時に硬化させる硬化工程とを包含することを特徴
とする固定撮像装置の製造方法。 - 【請求項6】 請求項5記載の製造方法に使用されるマ
スクであって、 前記透明基板上に配置された際に、前記第1チップを内
部に収容する凹部と、 前記第1樹脂が設けられる部分に対応して該凹部に連通
して設けられた第1開口部と、 前記第2樹脂が設けられる部分に対応して該凹部に連通
して設けられた第2開口部とを有することを特徴とする
マスク。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002043829A JP3956199B2 (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 固体撮像装置の製造方法およびその製造方法において使用するマスク |
US10/370,403 US6873034B2 (en) | 2002-02-20 | 2003-02-19 | Solid-state imaging device, method for producing same, and mask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002043829A JP3956199B2 (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 固体撮像装置の製造方法およびその製造方法において使用するマスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003243637A true JP2003243637A (ja) | 2003-08-29 |
JP3956199B2 JP3956199B2 (ja) | 2007-08-08 |
Family
ID=27678431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002043829A Expired - Fee Related JP3956199B2 (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 固体撮像装置の製造方法およびその製造方法において使用するマスク |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6873034B2 (ja) |
JP (1) | JP3956199B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017171492A1 (ko) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10253223B2 (en) | 2016-03-31 | 2019-04-09 | Lg Chem, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same using an adhesive |
WO2020045241A1 (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 富士フイルム株式会社 | 撮像ユニット及び撮像装置 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6856075B1 (en) * | 2001-06-22 | 2005-02-15 | Hutchinson Technology Incorporated | Enhancements for adhesive attachment of piezoelectric motor elements to a disk drive suspension |
US7238550B2 (en) * | 2002-02-26 | 2007-07-03 | Tandon Group Ltd. | Methods and apparatus for fabricating Chip-on-Board modules |
JP3813944B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2006-08-23 | 松下電器産業株式会社 | 撮像装置 |
JP3718205B2 (ja) * | 2003-07-04 | 2005-11-24 | 松下電器産業株式会社 | チップ積層型半導体装置およびその製造方法 |
JP3951994B2 (ja) | 2003-09-16 | 2007-08-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびカメラシステム |
US7239023B2 (en) * | 2003-09-24 | 2007-07-03 | Tai-Saw Technology Co., Ltd. | Package assembly for electronic device |
JP3838573B2 (ja) * | 2003-10-23 | 2006-10-25 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置 |
KR100541654B1 (ko) * | 2003-12-02 | 2006-01-12 | 삼성전자주식회사 | 배선기판 및 이를 이용한 고체 촬상용 반도체 장치 |
CN100431174C (zh) * | 2004-03-16 | 2008-11-05 | 联华电子股份有限公司 | 芯片于感光元件上的封装结构及其电气封装结构 |
JP4731191B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-07-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
DE102005045767B4 (de) * | 2005-09-23 | 2012-03-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit Kunststoffgehäusemasse |
JP4184371B2 (ja) * | 2005-10-03 | 2008-11-19 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体チップ、半導体装置およびそれらの製造方法 |
US7723146B2 (en) * | 2006-01-04 | 2010-05-25 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with image sensor system |
JP4951989B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2012-06-13 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
US8704349B2 (en) * | 2006-02-14 | 2014-04-22 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with exposed interconnects |
JP2008227079A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US8138027B2 (en) | 2008-03-07 | 2012-03-20 | Stats Chippac, Ltd. | Optical semiconductor device having pre-molded leadframe with window and method therefor |
JP2010069231A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Fujifilm Corp | 撮像装置及び内視鏡 |
US8574960B2 (en) * | 2010-02-03 | 2013-11-05 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming cavity adjacent to sensitive region of semiconductor die using wafer-level underfill material |
KR101740483B1 (ko) * | 2011-05-02 | 2017-06-08 | 삼성전자 주식회사 | 고정 부재 및 할로겐-프리 패키지간 연결부를 포함하는 적층 패키지 |
US9653660B1 (en) * | 2016-06-30 | 2017-05-16 | Shu-Hung Lin | Chip scale LED packaging method |
JP6813314B2 (ja) * | 2016-09-15 | 2021-01-13 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN107734227A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-02-23 | 昆山丘钛微电子科技有限公司 | 图像传感器封装结构、摄像头模组及其制作方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06204442A (ja) | 1993-01-07 | 1994-07-22 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US5729038A (en) * | 1995-12-15 | 1998-03-17 | Harris Corporation | Silicon-glass bonded wafers |
JP3825475B2 (ja) | 1995-06-30 | 2006-09-27 | 株式会社 東芝 | 電子部品の製造方法 |
JPH10256470A (ja) | 1997-03-10 | 1998-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JPH11224883A (ja) * | 1998-02-05 | 1999-08-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止半導体装置の製造方法および樹脂封止半導体装置 |
JPH11251340A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Toshiba Corp | 電子部品の封止方法と電子部品 |
US6472247B1 (en) * | 2000-06-26 | 2002-10-29 | Ricoh Company, Ltd. | Solid-state imaging device and method of production of the same |
JP2002076248A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-03-15 | Oki Micro Design Co Ltd | マルチチップパッケージ |
JP2002280400A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Nec Corp | 封止樹脂印刷マスクおよびそれを用いたlcc型半導体装置の製造方法 |
US6498115B1 (en) * | 2001-07-09 | 2002-12-24 | Sankyo Kasei Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing circuit component |
-
2002
- 2002-02-20 JP JP2002043829A patent/JP3956199B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-19 US US10/370,403 patent/US6873034B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017171492A1 (ko) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10253223B2 (en) | 2016-03-31 | 2019-04-09 | Lg Chem, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same using an adhesive |
WO2020045241A1 (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 富士フイルム株式会社 | 撮像ユニット及び撮像装置 |
JPWO2020045241A1 (ja) * | 2018-08-31 | 2021-08-10 | 富士フイルム株式会社 | 撮像ユニット及び撮像装置 |
JP6990317B2 (ja) | 2018-08-31 | 2022-01-12 | 富士フイルム株式会社 | 撮像ユニット及び撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030155639A1 (en) | 2003-08-21 |
US6873034B2 (en) | 2005-03-29 |
JP3956199B2 (ja) | 2007-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3956199B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法およびその製造方法において使用するマスク | |
JP4204368B2 (ja) | 光学装置用モジュール及び光学装置用モジュールの製造方法 | |
JP3540281B2 (ja) | 撮像装置 | |
US20030098912A1 (en) | Solid-state image pickup apparatus and fabricating method thereof | |
TWI270707B (en) | Module for optical devices, and manufacturing method of module for optical devices | |
US7345349B2 (en) | Solid state imaging device and producing method thereof | |
US6737292B2 (en) | Method of fabricating an image sensor module at the wafer level and mounting on circuit board | |
US7126637B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus having a hermetic seal portion and fabricating method thereof | |
KR20100126644A (ko) | 고체 촬상 장치 및 그의 제조 방법 | |
US20050139848A1 (en) | Image sensor package and method for manufacturing the same | |
TW200834938A (en) | Image sensor package with die receiving opening and method of the same | |
JP2002231919A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
CN104576570A (zh) | 电子部件、电子装置以及用于制造电子部件的方法 | |
JP2002231920A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
US20050176168A1 (en) | Package structure of optical device and method for manufacturing the same | |
JP2002009265A (ja) | 固体撮像装置 | |
KR100747611B1 (ko) | 미소소자 패키지 및 그 제조방법 | |
CN111900181A (zh) | 影像传感芯片晶圆级封装方法 | |
KR100756245B1 (ko) | 카메라 모듈 | |
KR20030028516A (ko) | 진보된 이미지 센서 칩과 이를 사용한 패캐지 제조 | |
KR20050120142A (ko) | 에폭시를 이용한 카메라 모듈 및 그 제조방법 | |
JPH01228178A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2002246574A (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
JP2003060180A (ja) | 半導体装置 | |
JP3100618U (ja) | 映像センサーのチップスケールパッケージ(CSP:ChipScalePackage)構造 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070328 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070425 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070425 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110518 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110518 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120518 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120518 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130518 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |