JP2003197656A - 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器Info
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Abstract
モジュール、回路基板並びに電子機器を提供することに
ある。 【解決手段】 光透過性部分を有する複数のカバー30
を、複数の光学的部分14を有する光素子60が複数形
成された基板10に取り付け、それぞれのカバー30に
よって、それぞれの光学的部分14を封止する。そし
て、基板10を個々の光素子60aに切断する。
Description
の製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器に
関する。
子は、光学的部分を有する表面と封止するためのカバー
との間に空間を設けたほうがよいことがわかっている。
このため、光素子が切断され、個片化された後に、光学
的部分が光学的部分とカバーとの間に空間を設けてカバ
ーによって封止される光デバイスの製造方法が知られて
いる。ウエハ等の基板をダイシング等により切断する際
には切削屑等が発生する。この切削屑等のゴミが光学的
部分に付着したまま封止されると、その後に該空間内か
らゴミを除去することができなくなり、光デバイスの品
質が低下するという問題があった。特に、マイクロレン
ズ付の光学的部分を有する固体撮像装置の場合には、マ
イクロレンズは凹凸を有するため、ゴミが付着しやす
く、完全に除去するのが困難であった。このため、マイ
クロレンズ付の光学的部分を有する場合には、さらに固
体撮像装置の品質が低下しやすいという問題があった。
り、その目的は、品質の高い光デバイス及びその製造方
法、光モジュール、回路基板並びに電子機器を提供する
ことにある。
バイスの製造方法は、(a)光透過性部分を有する複数
のカバーを、光学的部分を有する光素子が複数形成され
た基板に取り付け、それぞれの前記カバーによって、そ
れぞれの前記光学的部分を封止し、(b)前記基板を、
個々の前記光素子に切断することを含む。
ら基板を切断するので、封止部内にゴミが入ることがな
く、品質の高い光デバイスを得ることができる。
て、前記(a)工程で、前記複数のカバーを、相互の位
置を固定した状態で、一度に前記基板に取り付けてもよ
い。
になる。
て、前記複数のカバーは、シートに貼り付けることによ
り、相互の位置が固定されたものであってもよい。
て、前記複数のカバーは、連結部によって連結すること
により相互の位置が固定されたものであり、前記(a)
工程の後に、前記連結部を切断することをさらに含んで
もよい。
て、前記複数のカバーは、前記連結部とともに一体的に
形成されたものであってもよい。
て、第1のカッタで前記連結部を切断し、第2のカッタ
で前記基板を切断してもよい。
て、前記第1のカッタの幅は、第2のカッタの幅よりも
大きくてもよい。
て、前記光素子には、前記光学的部分の外側に電極が形
成されてなり、前記連結部を切断するときに、前記連結
部における前記電極の上方の部分を除去してもよい。
開放されるので、電極に対する電気的な接続を採りやす
くなる。
て、それぞれの前記カバーは、全体的に光透過性を有し
てもよい。
て、それぞれの前記カバーは、前記光学的部分の上方に
配置されるプレート部と、前記プレート部の周縁部に形
成されたスペーサ部と、を有し、前記プレート部の少な
くとも一部が前記光透過性部分であってもよい。
て、前記(a)工程で、前記カバー及び前記光学的部分
の間に空間が形成されるように、それぞれの前記光学的
部分を封止してもよい。
て、前記(a)工程で、前記空間が真空になるように、
それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
て、前記(a)工程で、前記空間を大気圧よりも減圧し
て、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
て、前記(a)工程で、前記空間を窒素で充満するよう
に、それぞれの前記光学的部分を封止してもよい。
て、前記(a)工程で、前記空間がドライエアで充満す
るように、それぞれの前記光学的部分を封止してもよ
い。
て、前記光透過性部分は、少なくとも可視光を通過さ
せ、赤外線を通過させなくてもよい。
て、前記光学的部分が形成された前記基板は、半導体ウ
エハであってもよい。
て、それぞれの前記光学的部分は、画像センシング用に
並べられた複数の受光部を有していてもよい。
て、それぞれの前記光学的部分は、前記受光部の上方に
設けられたカラーフィルタを有していてもよい。
て、それぞれの前記光学的部分は、前記基板の表面に設
けられたマイクロレンズアレイを有していてもよい。
方法によって製造されてなる。
記光デバイスと、前記光デバイスが取り付けられる支持
部材と、を有する。
モジュールが実装されてなる。
モジュールを有する。
て図面を参照して説明する。
(B)は、本発明の第1の実施の形態に係る光デバイス
及びその製造方法を説明する図である。本実施の形態で
は、図1(A)及び図1(B)に示すように、基板10
にカバー30を取り付ける。
性を向上させるためにシート12を貼り付けておいても
よい。図2は、基板10の一部を拡大した図である。基
板10は、光学的部分14を含む複数の光素子60を有
する。光素子60は、光学的部分14と電極26とを含
む。光学的部分14は、光が入射又は出射する部分であ
る。または、光学的部分14は、光エネルギーと他のエ
ネルギー(例えば電気)を変換する。すなわち、1つの
光学的部分14は、複数のエネルギー変換部(受光部・
発光部)16を有する。
14は、複数のエネルギー変換部(受光部又はイメージ
センサ部)16を有する。複数のエネルギー変換部16
は、二次元的に並べられて、画像センシングを行えるよ
うになっている。すなわち、本実施の形態で製造される
光デバイス又は光モジュールは、イメージセンサ(例え
ばCCD、CMOSセンサ)等の固体撮像装置である。
エネルギー変換部16は、パッシベーション膜18で覆
われている。パッシベーション膜18は、光透過性を有
する。基板10が、半導体基板(例えば半導体ウエハ)
を含むものであれば、SiO2、SiNでパッシベーシ
ョン膜18を形成してもよい。
有していてもよい。カラーフィルタ20は、パッシベー
ション膜18上に形成されている。また、カラーフィル
タ20上に平坦化層22が設けられ、その上にマイクロ
レンズアレイ24が設けられていてもよい。
ている。図2に示す電極26は、パッド上に形成された
バンプを有するが、パッドのみであってもよい。電極2
6は、個々の光素子60において、光学的部分14の外
側に形成されていることが好ましい。隣同士の光学的部
分14の間に、電極26が形成されている。1つの光学
的部分14に、1グループの電極26(複数)が対応し
ている。例えば、図6(B)に示すように、光学的部分
14の複数辺(例えば対向する二辺)もしくは一辺(図
示せず)に沿って電極26を配置してもよい。
ものである。カバー30は、図3に拡大して示すよう
に、プレート部32とスペーサ部34を有する。プレー
ト部32の形状は特に限定されないが、例えば図3に示
すように四辺形である。プレート部32は、光学的部分
14の上方に配置される。スペーサ部34は、プレート
部32の周縁部に、凸形状に形成されてなる。スペーサ
部34は、切れ目なく連続的に形成されている。スペー
サ部34は、光学的部分14を囲む位置に配置されて、
光学的部分14の上方にプレート部32を支持する。ス
ペーサ部34は、光学的部分14とプレート部32との
間に空間が形成される程度の高さを有していてもよい。
図3に示すカバー30は、プレート部32とスペーサ部
34が一体的に形成されたものである。例えば、樹脂の
射出成形でカバー30を形成することができる。
分14の上方に配置される部分は、光透過性部分となっ
ている。例えば、プレート部32の少なくとも一部(又
は全体)が光透過性を有する。あるいは、カバー30の
全体が光透過性を有していてもよい。例えば、プレート
32及びスペーサ部34の両方が光透過性を有していて
もよい。カバー30の光透過性部分(例えばプレート3
2)は、光が透過するものであれば損失の大きさは問わ
ないし、特定の波長の光のみを透過するものであっても
よい。カバー30の光透過性部分(例えばプレート3
2)は、可視光を通過させるが赤外線領域の光を通過さ
せないものであってもよい。カバー30の光透過性部分
(例えばプレート32)は、可視光に対して損失が小さ
く、赤外線領域の光に対して損失が大きくてもよい。も
しくは、カバー30の表面、例えばプレート部32の表
面に、可視光を通過させるが赤外線領域の光を通過させ
ないように処理が施されていても良いし、可視光に対し
て損失が小さく赤外線領域の光に対して損失が大きくな
るように処理がされていてもよい。具体的には、カバー
30の表面、例えばプレート部32の表面に、可視光を
通過させるが赤外線領域の光を通過させない膜が設けら
れてもよいし、可視光に対して損失が小さく赤外線領域
の光に対して損失が大きくなる膜が設けられていても良
い。少なくとも、カバー30の光透過性部分は、ガラス
等の光透過性の絶縁物で形成されることが好ましい。
図4に示すカバー40は、プレート部42とスペーサ部
44が、別部材で構成されている。プレート部42とし
て光学ガラスを使用してもよいし、プラスチックプレー
トを使用してもよい。スペーサ部44は、樹脂や金属で
形成してもよい。プレート部42とスペーサ部44は接
着剤で接着してもよい。
数の光素子60が形成されており、各光学的部分14に
対応して基板10にカバー30を取り付ける。カバー3
0を1つずつ取り付けてもよいし、複数のカバー30
を、相互の位置を固定した状態で一度に基板10に取り
付けてもよい。例えば、図1(A)及び図1(B)に示
すように、シート36に複数のカバー30を貼り付け
て、複数のカバー30の相互の位置を固定してもよい。
図1(B)に示すように、複数のカバー30は、マトリ
クス状に並んでいてもよい。
図示しない接着剤を使用してもよい。接着剤は、カバー
30(スペーサ部34)及び基板10の少なくとも一方
に塗布する。接着剤として熱可塑性樹脂を使用した場合
には、紫外線を照射するなどにより接着剤を仮硬化させ
て流動性を低下させてから取り付けを行い、加熱によっ
て接着力を発現させてもよい。これにより、光学的部分
14に接着材が付着するのを防ぐことができる。カバー
30を取り付ける直前には、洗浄乾燥などによって光学
的部分14の表面を洗浄し、ゴミやケバなどを除去する
処理を施すことが好ましい。
経て、カバー30を基板10に取り付ける。なお、必要
であれば、カバー30に貼られたシート36を剥がす。
基板10に取り付けられたカバー30は、光学的部分1
4を封止する。本実施の形態では、カバー30(プレー
ト部32)と基板10の間に空間が形成されるように、
光学的部分14を封止する。ここで、空間を大気圧より
も減圧したり、真空にしてもよく、窒素やドライエアで
満たしてもよい。例えば、大気圧よりも減圧した圧力
下、又は、真空、窒素、ドライエアの雰囲気下で封止工
程を行う。
して、個々の光素子60とする。その切断には、カッタ
38(例えばダイシングブレード)を使用する。基板1
0は、光学的部分14の外側であって、さらに電極26
の外側で切断する。図5(B)に示す例では、隣同士の
光学的部分14の間に、それぞれの光学的部分14に対
応する電極26が形成されており、それらの電極26
(複数)の間で基板10を切断する。基板10にシート
12が貼り付けられていれば、基板10を光素子60ご
とに分離しても各光素子60がバラバラにならない。こ
うして、光デバイスが得られる。本実施の形態によれ
ば、光学的部分14を封止してから基板10を切断する
ので、封止部内にゴミが入ることがなく、品質の高い光
デバイスを得ることができる。
1の実施の形態に係る光デバイスを説明する図である。
光デバイスは、光素子60aと、カバー30を有する。
カバー30の光透過性部分(プレート部32)から光学
的部分14に光が入射する。基板10に設けられた光学
的部分14は、カバー30によって封止されている。光
学的部分14とカバー30(プレート部32)との間に
は、空間が形成されている。その空間は、大気圧よりも
減圧されていてもよいし、真空になっていてもよいし、
窒素やドライエアで満たされていてもよい。そうするこ
とで、光学的部分14に結露が生じにくくなる。さら
に、その空間が、大気圧よりも減圧されている、また
は、真空である場合には、上記光学的部分14の封止工
程の後に加熱工程がある場合に、封止部内の気体の熱膨
張による破裂を防ぐこともできる。光学的部分14の外
側であって、さらにカバー30の外側には、基板10に
電極26が設けられている。その他の詳細は、上述した
光デバイスの製造方法で説明した内容が該当する。
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本
発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構
成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるい
は目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置
き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説
明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目
的を達成することができる構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
(B)及び図8は、本発明の第2の実施の形態に係る光
デバイスの製造方法を説明する図である。なお、図7
(B)は、図7(A)のVIIB-VIIB線断面図である。本
実施の形態では、カバー50を使用する。カバー50
は、プレート部52及びスペーサ部54を有し、これら
には、第1の実施の形態で説明したプレート部32及び
スペーサ部34の説明が該当する。隣同士のカバー50
は、連結部56で連結されて相互の位置が固定されてい
る。複数のカバー50と複数の連結部56は、一体的に
(例えば射出成形などで)形成してもよい。
バー50をマトリクス状に配列し、隣同士のカバー50
の角部を、連結部56で連結してもよい。1つの連結部
56で、複数(図7(A)に示す例では4つ)のカバー
50が連結されている。連結部56は、カバー50(例
えばその角部)から延長された第1の部分と、複数の第
1の部分を結合する第2の部分と、を有する。第1の部
分は、プレート部52の対角線の延長線方向に延びてい
てもよい。第2の部分は、隣同士のカバー50の間の中
間又はほぼ中間に位置していてもよい。連結部56は、
プレート部54よりも薄く形成されていてもよい。図7
(B)に示すように、連結部56は、プレート部52に
おけるスペーサ部54の突出方向とは反対の面と面一
(又はほぼ面一)になっていてもよい。
デバイスの製造方法は、連結部56を切断することを含
む。連結部56は、単に切断するだけでなく、除去して
もよい。例えば、図8に示すように、隣同士のカバー5
0の間隔に近い幅のカッタ58で連結部56を切断す
る。その切断ラインは、基板10における電極26の上
方に位置する。連結部56を除去することで、電極26
の上方が開放され、電極26に対する電気的な接続を行
いやすくなる。
0の表面や電極26を破損しないように行う。本実施の
形態では、連結部56における基板10を向く面は、プ
レート部52における基板10を向く面よりも、基板1
0から離れた位置にある。したがって、連結部56の表
面が電極26から離れているので、カッタ58の先端が
電極26に接触しにくくなっている。なお、連結部56
を切断(除去)するカッタ58(例えばダイシングブレ
ード)は、基板10を切断するカッタ38(図5(B)
参照)よりも幅が大きくなっていてもよい。なお、カッ
タ58を第1のカッタ、カッタ38を第2のカッタとい
うことができる。
3の実施の形態に係る光モジュール及び回路基板を説明
する図である。図9に示す光モジュールは、図6(A)
に示す光素子60aを有する。光素子60aは、支持部
材(例えばケース)62に取り付けられている。支持部
材62には、配線64が形成されている。支持部材62
は、MID(MoldedInterconnect Device)であっても
よい。光素子60aの電極26と配線64とは、電気的
に接続されている。電気的接続には、例えばワイヤ66
を用いてもよい。また、電気的な接続部(例えばワイヤ
66及びそのボンディングされた部分)には、封止材料
68が設けられている。すなわち、電気的な接続部は、
封止材料68で封止されている。封止材料68は、例え
ばポッティングによって設けてもよい。光素子60a
は、カバー30によって光学的部分14が封止されてお
り、カバー30がダムとして機能するため、封止材料6
8が光学的部分14を覆わない。
ド)70となっている。外部端子70は、回路基板72
に形成された配線パターン74と電気的に接続されてい
る。図9に示す例では、回路基板72に穴が形成されて
おり、その穴に外部端子70が挿入されている。その穴
の周囲に配線パターン74のランドが形成され、そのラ
ンドと外部端子70とは、ろう材(例えばはんだ)で接
合されている。このように、回路基板72は、光モジュ
ールが実装されてなる。
部端子70等を有さないものであってもよい。すなわ
ち、支持部材62は、回路基板であってもよい。
の実施の形態に係る光モジュールを説明する図である。
図10に示す光モジュールは、図6(A)に示す光素子
60aと、これが取り付けられた支持部材80とを有す
る。支持部材80には、穴82が形成されており、カバ
ー30の少なくとも一部が穴82の内側に位置してい
る。また、穴82には、レンズホルダ84が取り付けら
れている。レンズホルダ84にも穴86が形成され、そ
の内側にレンズ88が取り付けられている。穴86,8
2は連通しており、レンズ88にて集光した光がカバー
30に入射する。なお、カバー30(少なくともそのプ
レート部32)は、赤外線の領域の光をカットするもの
であってもよい。光素子60aの電極26と、支持部材
80の配線89との接合には、接着剤、異方性導電材
料、異方性導電膜、金属接合のいずれを適用してもよ
い。また、光素子60aと支持部材80との間に、図示
しないアンダーフィル材を設けてもよい。
ジュールを説明する図である。図11に示す光モジュー
ルは、図6(A)に示す光素子60aと、これが取り付
けられた支持部材90とを有する。支持部材90には、
穴92が形成されており、カバー30(少なくともその
プレート部32)の少なくとも一部が穴92の内側に位
置している。また、穴92には、レンズホルダ84が取
り付けられている(詳しくは上述した)。
4に実装されており、その電極26と基板94に形成さ
れた配線パターン96とが接合されている。その接合に
は、接着剤、異方性導電材料、異方性導電膜、金属接合
のいずれを適用してもよい。また、光素子60aと基板
94との間に、図示しないアンダーフィル材を設けても
よい。基板94にも穴98が形成されている。穴86,
92,98は連通しており、レンズ88にて集光した光
が第1の基板10に入射する。
ップ)100が実装(例えばフェースダウンボンディン
グ)されている。電子部品100と配線パターン96と
は電気的に接続されている。基板94には、その他の電
子部品が複数実装されていてもよい。基板94が屈曲
し、電子部品100と光素子60aとが接着剤102を
介して接着されている。なお、予め、光素子60aと電
子部品100をそれぞれ基板94に実装してから、基板
94を屈曲させて、光素子60aと電子部品100を接
着してもよい。
て、図12に示すノート型パーソナルコンピュータ10
00は、光モジュールが組み込まれたカメラ1100を
有する。また、図13に示すデジタルカメラ2000は
光モジュールを有する。さらに、図14(A)及び図1
4(B)に示す携帯電話3000は、光モジュールが組
み込まれたカメラ3100を有する。
施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図であ
る。
バイスの製造方法を説明する図である。
バイスの製造方法を説明する図である。
バイスの製造方法の変形例を説明する図である。
施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図であ
る。
実施の形態に係る光デバイスを説明する図である。
施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図であ
る。
バイスの製造方法を説明する図である。
ジュール及び回路基板を説明する図である。
ュールを示す図である。
ュールを示す図である。
器を示す図である。
器を示す図である。
施の形態に係る電子機器を示す図である。
Claims (24)
- 【請求項1】 (a)光透過性部分を有する複数のカバ
ーを、光学的部分を有する光素子が複数形成された基板
に取り付け、それぞれの前記カバーによって、それぞれ
の前記光学的部分を封止し、 (b)前記基板を、個々の前記光素子に切断することを
含む光デバイスの製造方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の光デバイスの製造方法に
おいて、 前記(a)工程で、前記複数のカバーを、相互の位置を
固定した状態で、一度に前記基板に取り付ける光デバイ
スの製造方法。 - 【請求項3】 請求項2記載の光デバイスの製造方法に
おいて、 前記複数のカバーは、シートに貼り付けることにより、
相互の位置が固定されたものである光デバイスの製造方
法。 - 【請求項4】 請求項2記載の光デバイスの製造方法に
おいて、 前記複数のカバーは、連結部によって連結することによ
り相互の位置が固定されたものであり、 前記(a)工程の後に、前記連結部を切断することをさ
らに含む光デバイスの製造方法。 - 【請求項5】 請求項4記載の光デバイスの製造方法に
おいて、 前記複数のカバーは、前記連結部とともに一体的に形成
されたものである光デバイスの製造方法。 - 【請求項6】 請求項4又は請求項5記載の光デバイス
の製造方法において、 第1のカッタで前記連結部を切断し、第2のカッタで前
記基板を切断する光デバイスの製造方法。 - 【請求項7】 請求項6記載の光デバイスの製造方法に
おいて、 前記第1のカッタの幅は、第2のカッタの幅よりも大き
い光デバイスの製造方法。 - 【請求項8】 請求項7記載の光デバイスの製造方法に
おいて、 前記光素子には、前記光学的部分の外側に電極が形成さ
れてなり、 前記連結部を切断するときに、前記連結部における前記
電極の上方の部分を除去する光デバイスの製造方法。 - 【請求項9】 請求項1から請求項8のいずれかに記載
の光デバイスの製造方法において、 それぞれの前記カバーは、全体的に光透過性を有する光
デバイスの製造方法。 - 【請求項10】 請求項1から請求項8のいずれかに記
載の光デバイスの製造方法において、 それぞれの前記カバーは、前記光学的部分の上方に配置
されるプレート部と、前記プレート部の周縁部に形成さ
れたスペーサ部と、を有し、前記プレート部の少なくと
も一部が前記光透過性部分である光デバイスの製造方
法。 - 【請求項11】 請求項1から請求項10のいずれかに
記載の光デバイスの製造方法において、 前記(a)工程で、前記カバー及び前記光学的部分の間
に空間が形成されるように、それぞれの前記光学的部分
を封止する光デバイスの製造方法。 - 【請求項12】 請求項11記載の光デバイスの製造方
法において、 前記(a)工程で、前記空間が真空になるように、それ
ぞれの前記光学的部分を封止する光デバイスの製造方
法。 - 【請求項13】 請求項11記載の光デバイスの製造方
法において、 前記(a)工程で、前記空間を大気圧よりも減圧して、
それぞれの前記光学的部分を封止する光デバイスの製造
方法。 - 【請求項14】 請求項11記載の光デバイスの製造方
法において、 前記(a)工程で、前記空間を窒素で充満するように、
それぞれの前記光学的部分を封止する光デバイスの製造
方法。 - 【請求項15】 請求項11記載の光デバイスの製造方
法において、 前記(a)工程で、前記空間がドライエアで充満するよ
うに、それぞれの前記光学的部分を封止する光デバイス
の製造方法。 - 【請求項16】 請求項1から請求項15のいずれかに
記載の光デバイスの製造方法において、 前記光透過性部分は、少なくとも可視光を通過させ、赤
外線を通過させない光デバイスの製造方法。 - 【請求項17】 請求項1から請求項16のいずれかに
記載の光デバイスの製造方法において、 前記光学的部分が形成された前記基板は、半導体ウエハ
である光デバイスの製造方法。 - 【請求項18】 請求項1から請求項17のいずれかに
記載の光デバイスの製造方法において、 それぞれの前記光学的部分は、画像センシング用に並べ
られた複数の受光部を有してなる光デバイスの製造方
法。 - 【請求項19】 請求項18記載の光デバイスの製造方
法において、 それぞれの前記光学的部分は、前記受光部の上方に設け
られたカラーフィルタを有してなる光デバイスの製造方
法。 - 【請求項20】 請求項18又は請求項19記載の光デ
バイスの製造方法において、 それぞれの前記光学的部分は、前記基板の表面に設けら
れたマイクロレンズアレイを有してなる光デバイスの製
造方法。 - 【請求項21】 請求項1から請求項20のいずれかに
記載の方法によって製造されてなる光デバイス。 - 【請求項22】 請求項21記載の光デバイスと、 前記光デバイスが取り付けられる支持部材と、 を有する光モジュール。
- 【請求項23】 請求項22記載の光モジュールが実装
されてなる回路基板。 - 【請求項24】 請求項22記載の光モジュールを有す
る電子機器。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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US10/308,877 US7001797B2 (en) | 2001-12-27 | 2002-12-03 | Optical device and method of manufacturing the same, optical module, circuit board, and electronic instrument |
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
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Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004304165A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Agilent Technol Inc | ウエハスケールの製造方法 |
WO2005106964A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 受光素子、受光素子の製造方法、光ヘッド装置、及び光情報処理装置 |
JP2005328028A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-11-24 | Advanced Semiconductor Engineering Inc | 光学装置のパッケージ構造体及び同パッケージ構造体の製造方法 |
US7037747B2 (en) | 2003-02-07 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing optical device |
JP2006295481A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体撮像装置およびその製造方法 |
JP2007042741A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造体及びその製造方法 |
KR100692446B1 (ko) * | 2003-08-01 | 2007-03-09 | 후지필름 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
EP1786033A2 (en) | 2005-11-15 | 2007-05-16 | Fujitsu Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
KR100731541B1 (ko) * | 2003-08-01 | 2007-06-22 | 후지필름 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
KR100731801B1 (ko) * | 2005-09-02 | 2007-06-25 | 테라셈 주식회사 | 이미지센서용 반도체패키지 및 그 제조방법 |
KR100747611B1 (ko) * | 2006-03-08 | 2007-08-08 | 삼성전자주식회사 | 미소소자 패키지 및 그 제조방법 |
KR100809682B1 (ko) * | 2005-07-11 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 투명 커버가 부착되어 있는 광학 장치의 제조방법 및 이를이용한 광학 장치 모듈의 제조방법 |
KR100819041B1 (ko) * | 2005-02-23 | 2008-04-02 | 샤프 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 |
WO2008084646A1 (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Konica Minolta Opto, Inc. | 撮像装置の製造方法及び撮像装置並びに携帯端末 |
JP2008252052A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-10-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 照度検出部品及び照度検出装置 |
US7456483B2 (en) | 2004-05-10 | 2008-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and module for optical device |
JP2010517432A (ja) * | 2007-01-26 | 2010-05-20 | フレックストロニクス エーピー エルエルシー | ウエハーレベルカメラモジュール及びその製造方法 |
US8092734B2 (en) | 2004-05-13 | 2012-01-10 | Aptina Imaging Corporation | Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronics imagers |
JP2014175053A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-22 | Ricoh Co Ltd | 有機el発光装置及びその製造方法、並びに有機el光源装置 |
US9419032B2 (en) | 2009-08-14 | 2016-08-16 | Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd | Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003198897A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | 光モジュール、回路基板及び電子機器 |
US7127793B2 (en) * | 2002-04-24 | 2006-10-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of producing solid state pickup device |
JP2003332560A (ja) * | 2002-05-13 | 2003-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びマイクロプロセッサ |
JP4443865B2 (ja) * | 2002-06-24 | 2010-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP4373063B2 (ja) | 2002-09-02 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子回路装置 |
JP4094386B2 (ja) | 2002-09-02 | 2008-06-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子回路装置 |
US6982470B2 (en) * | 2002-11-27 | 2006-01-03 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, cover for semiconductor device, and electronic equipment |
US20040161871A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit substrate and electronic equipment |
JP4574118B2 (ja) * | 2003-02-12 | 2010-11-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
US7002241B1 (en) * | 2003-02-12 | 2006-02-21 | National Semiconductor Corporation | Packaging of semiconductor device with a non-opaque cover |
JP2004312666A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
US8283679B2 (en) * | 2003-06-30 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having light-emitting element and light-receiving element for transmitting among circuits formed over the plurality of substrates |
JP2005026314A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
JP4796271B2 (ja) * | 2003-07-10 | 2011-10-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6995462B2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-02-07 | Micron Technology, Inc. | Image sensor packages |
JP4147171B2 (ja) * | 2003-10-23 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US7632713B2 (en) * | 2004-04-27 | 2009-12-15 | Aptina Imaging Corporation | Methods of packaging microelectronic imaging devices |
US7164520B2 (en) | 2004-05-12 | 2007-01-16 | Idc, Llc | Packaging for an interferometric modulator |
JP3830497B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2006-10-04 | シャープ株式会社 | 半導体ウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2006013073A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Sharp Corp | ボンディング装置、ボンディング方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2006100763A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法及び接合装置 |
US7710629B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for display device with reinforcing substance |
US7551246B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-06-23 | Idc, Llc. | System and method for display device with integrated desiccant |
KR100687069B1 (ko) * | 2005-01-07 | 2007-02-27 | 삼성전자주식회사 | 보호판이 부착된 이미지 센서 칩과 그의 제조 방법 |
WO2007120885A2 (en) | 2006-04-13 | 2007-10-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mems devices and processes for packaging such devices |
WO2007136706A1 (en) | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Qualcomm Mems Technologies Inc. | Desiccant in a mems device |
DE102006053862B4 (de) * | 2006-11-14 | 2008-07-24 | Schott Ag | Verfahren zum Verpacken von Bauelementen |
US7816164B2 (en) | 2006-12-01 | 2010-10-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS processing |
US7927916B2 (en) * | 2007-04-04 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Optic wafer with reliefs, wafer assembly including same and methods of dicing wafer assembly |
EP2116508A3 (en) * | 2007-09-28 | 2010-10-13 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Optimization of desiccant usage in a MEMS package |
JP2009260260A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-11-05 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5329903B2 (ja) * | 2008-10-15 | 2013-10-30 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法 |
JP5511180B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2014-06-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 |
US8410690B2 (en) * | 2009-02-13 | 2013-04-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with desiccant |
US8844123B2 (en) * | 2009-12-03 | 2014-09-30 | Chin-Chi Yang | Method of manufacturing a hollow surface mount type electronic component |
DE102009047506A1 (de) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Robert Bosch Gmbh | Sensor mit einem Sensorgehäuse |
CN103560139B (zh) * | 2013-11-19 | 2016-04-13 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感器封装结构及其封装方法 |
US9299735B2 (en) * | 2013-11-19 | 2016-03-29 | China Wafer Level Csp Co., Ltd. | Image sensor package structure and method |
JP2016186526A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
WO2021241053A1 (ja) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6362267A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レンズ付きモジユ−ルの製造方法 |
JPH06132513A (ja) * | 1990-07-12 | 1994-05-13 | Gold Star Electron Co Ltd | 3次元ccd映像センサー |
JPH08257651A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-10-08 | Corning Inc | マイクロレンズ作成用モールド製造方法 |
JPH11162641A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電場発光デバイス |
JPH11214736A (ja) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Misawa Homes Co Ltd | 太陽電池モジュール用カバーガラス構造 |
JP2000253210A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-09-14 | Scan Vision Inc | カラー画像センサの光検出器 |
JP2001166193A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Sony Corp | 撮像装置 |
JP2001223079A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Futaba Corp | 有機el表示素子 |
JP2001257334A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2001339118A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-12-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光モジュール |
JP2001351997A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Canon Inc | 受光センサーの実装構造体およびその使用方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07202152A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
US5798557A (en) * | 1996-08-29 | 1998-08-25 | Harris Corporation | Lid wafer bond packaging and micromachining |
US5923958A (en) * | 1998-05-28 | 1999-07-13 | Pan Pacific Semiconductor Co., Ltd. | Method for semiconductor chip packaging |
US6448544B1 (en) | 1998-06-08 | 2002-09-10 | Brandeis University | Low noise, high resolution image detection system and method |
US6428650B1 (en) * | 1998-06-23 | 2002-08-06 | Amerasia International Technology, Inc. | Cover for an optical device and method for making same |
JP2000223446A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-08-11 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3462806B2 (ja) * | 1999-08-06 | 2003-11-05 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6483030B1 (en) * | 1999-12-08 | 2002-11-19 | Amkor Technology, Inc. | Snap lid image sensor package |
US6492699B1 (en) * | 2000-05-22 | 2002-12-10 | Amkor Technology, Inc. | Image sensor package having sealed cavity over active area |
JP2002134762A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光学装置及びその製造方法 |
AUPR245601A0 (en) * | 2001-01-10 | 2001-02-01 | Silverbrook Research Pty Ltd | An apparatus (WSM09) |
US20040161871A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit substrate and electronic equipment |
-
2001
- 2001-12-27 JP JP2001397051A patent/JP3881888B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-12-03 US US10/308,877 patent/US7001797B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-26 CN CNB021593590A patent/CN1251484C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-26 CN CNB2005101250984A patent/CN100411122C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6362267A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レンズ付きモジユ−ルの製造方法 |
JPH06132513A (ja) * | 1990-07-12 | 1994-05-13 | Gold Star Electron Co Ltd | 3次元ccd映像センサー |
JPH08257651A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-10-08 | Corning Inc | マイクロレンズ作成用モールド製造方法 |
JPH11162641A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電場発光デバイス |
JPH11214736A (ja) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Misawa Homes Co Ltd | 太陽電池モジュール用カバーガラス構造 |
JP2000253210A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-09-14 | Scan Vision Inc | カラー画像センサの光検出器 |
JP2001166193A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Sony Corp | 撮像装置 |
JP2001223079A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Futaba Corp | 有機el表示素子 |
JP2001257334A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2001339118A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-12-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光モジュール |
JP2001351997A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Canon Inc | 受光センサーの実装構造体およびその使用方法 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7037747B2 (en) | 2003-02-07 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing optical device |
JP2004304165A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Agilent Technol Inc | ウエハスケールの製造方法 |
US7692720B2 (en) | 2003-08-01 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same |
KR100731541B1 (ko) * | 2003-08-01 | 2007-06-22 | 후지필름 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
US7688382B2 (en) | 2003-08-01 | 2010-03-30 | Fujifilm Corporation | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same |
KR100692481B1 (ko) * | 2003-08-01 | 2007-03-12 | 후지필름 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
KR100692446B1 (ko) * | 2003-08-01 | 2007-03-09 | 후지필름 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
JP2005328028A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-11-24 | Advanced Semiconductor Engineering Inc | 光学装置のパッケージ構造体及び同パッケージ構造体の製造方法 |
WO2005106964A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 受光素子、受光素子の製造方法、光ヘッド装置、及び光情報処理装置 |
US7456483B2 (en) | 2004-05-10 | 2008-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and module for optical device |
US8092734B2 (en) | 2004-05-13 | 2012-01-10 | Aptina Imaging Corporation | Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronics imagers |
KR100819041B1 (ko) * | 2005-02-23 | 2008-04-02 | 샤프 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 |
JP2006295481A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体撮像装置およびその製造方法 |
KR100809682B1 (ko) * | 2005-07-11 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 투명 커버가 부착되어 있는 광학 장치의 제조방법 및 이를이용한 광학 장치 모듈의 제조방법 |
JP2007042741A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造体及びその製造方法 |
KR100731801B1 (ko) * | 2005-09-02 | 2007-06-25 | 테라셈 주식회사 | 이미지센서용 반도체패키지 및 그 제조방법 |
EP1786033A2 (en) | 2005-11-15 | 2007-05-16 | Fujitsu Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US7719097B2 (en) | 2005-11-15 | 2010-05-18 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device having transparent member |
US7932121B2 (en) | 2005-11-15 | 2011-04-26 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
KR100747611B1 (ko) * | 2006-03-08 | 2007-08-08 | 삼성전자주식회사 | 미소소자 패키지 및 그 제조방법 |
WO2008084646A1 (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Konica Minolta Opto, Inc. | 撮像装置の製造方法及び撮像装置並びに携帯端末 |
JP2010517432A (ja) * | 2007-01-26 | 2010-05-20 | フレックストロニクス エーピー エルエルシー | ウエハーレベルカメラモジュール及びその製造方法 |
JP2008252052A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-10-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 照度検出部品及び照度検出装置 |
US9419032B2 (en) | 2009-08-14 | 2016-08-16 | Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd | Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing |
JP2014175053A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-22 | Ricoh Co Ltd | 有機el発光装置及びその製造方法、並びに有機el光源装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7001797B2 (en) | 2006-02-21 |
CN1251484C (zh) | 2006-04-12 |
CN1783443A (zh) | 2006-06-07 |
CN100411122C (zh) | 2008-08-13 |
JP3881888B2 (ja) | 2007-02-14 |
CN1430406A (zh) | 2003-07-16 |
US20030122137A1 (en) | 2003-07-03 |
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