JP3830497B2 - 半導体ウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体ウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3830497B2
JP3830497B2 JP2004174721A JP2004174721A JP3830497B2 JP 3830497 B2 JP3830497 B2 JP 3830497B2 JP 2004174721 A JP2004174721 A JP 2004174721A JP 2004174721 A JP2004174721 A JP 2004174721A JP 3830497 B2 JP3830497 B2 JP 3830497B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive sheet
glass
piece
substrate
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004174721A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005353921A (ja
Inventor
健治 内田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2004174721A priority Critical patent/JP3830497B2/ja
Priority to TW094119080A priority patent/TWI274405B/zh
Priority to US11/149,520 priority patent/US7438780B2/en
Priority to KR1020050049158A priority patent/KR100714778B1/ko
Priority to EP05253596A priority patent/EP1605521A3/en
Priority to CNB2005100896161A priority patent/CN100501910C/zh
Publication of JP2005353921A publication Critical patent/JP2005353921A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3830497B2 publication Critical patent/JP3830497B2/ja
Priority to KR1020060117211A priority patent/KR100768870B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68331Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding of passive members, e.g. die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/162Disposition
    • H01L2924/16235Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

本発明は、粘着シートに貼り付けられた例えばガラス片,シリコン基板片などの複数の基体片の製造方法を利用する半導体ウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。
ウエハ状態のチップの各イメージセンサ部を覆うようにガラスを貼り付け、各チップを分離することにより、イメージセンサ部でのキズによる損傷またはゴミの付着を防止する技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。しかしながら、特許文献1には、イメージセンサ部に貼り付けられる小片状のガラスをどのように製造するかに関しては一切記載されていない。
また、紫外線による書込み/消去可能なメモリの半導体素子(EPROM)、またはCCD等の受光部を有する半導体素子のパッケージに備え付けられる蓋部として用いられるガラス片の製造手法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開平3−151666号公報 特開平5−41461号公報
特許文献2にあっては、ガラス片を製造するためには、ガラス板を切断する必要があるが、その切断の際に生じるガラスの切屑の除去が不十分であるという問題がある。図6は、ガラス片を製造する従来の工程を示す図である。板状のガラス42に、粘着シート41を貼り付ける(図6(a))。次に、刃43を用いてガラス42を切断し、複数のガラス片42aに分離する(図6(b))。そして、分離されたガラス片42aを1枚ずつ粘着シート41から剥がして、例えば半導体素子のパッケージの蓋部として使用する。
図7は、図6(b)の領域Aにおける拡大図である。図6(b)に示すガラス42の切断時にガラス切屑45が発生する。発生したガラス切屑45は静電気によりガラス片42aに付着する。ガラス切屑45が付着した状態のガラス片42aを半導体装置に利用した場合、そのガラス切屑45が半導体装置の不良の原因になる場合がある。よって、ガラス切屑45がガラス片42aに付着しないように、発生したガラス切屑45を除去する必要がある。そこで、気体噴吹き付けまたは水洗浄にてガラス切屑45を除去する手法が、従来から実施されているが、特に切断部の隅角部位(図7の領域B)では、除去用の気体または水が十分に到達せず、ガラス切屑45が完全に除去されずに残存してしまうという問題がある。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、例えばガラスなどの基体の切断時に発生する基体切屑に起因する不良品の発生を抑制できる半導体ウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体ウエハの製造方法は、第1粘着シートに貼り付けられた基体を複数の基体片に切断し、前記第1粘着シートに貼り付けられた面と反対側の前記基体片の面に第2粘着シートを貼り付け、前記第1粘着シートを前記基体片から剥離し、前記基体片を前記第2粘着シートから剥がして、機能素子を有する半導体ウエハに接着層を介して接着することを特徴とする。
本発明にあっては、第1粘着シートに貼り付けられた基体を複数の基体片に切断した後、第1粘着シートに貼り付けられた面と反対側の基体片の面に第2粘着シートを貼り付け、その後、第1粘着シートを基体片から剥離し、第2粘着シートから剥がした基体片を半導体ウエハに接着する。よって、基体切屑は第1粘着シートと共に略完全に除去され、基体切屑がほとんど付着していない基体片が半導体ウエハに接着されるため、基体切屑による不良品は発生しない。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1粘着シートに貼り付けられた基体を複数の基体片に切断し、前記第1粘着シートに貼り付けられた面と反対側の前記基体片の面に第2粘着シートを貼り付け、前記第1粘着シートを前記基体片から剥離し、前記基体片を前記第2粘着シートから剥がして、機能素子を有する半導体ウエハに接着層を介して接着し、該半導体ウエハを切断することを特徴とする。
本発明にあっては、第1粘着シートに貼り付けられた基体を複数の基体片に切断した後、第1粘着シートに貼り付けられた面と反対側の基体片の面に第2粘着シートを貼り付け、その後、第1粘着シートを基体片から剥離し、第2粘着シートから剥がした基体片を半導体ウエハに接着した後、半導体ウエハを切断する。よって、基体切屑は第1粘着シートと共に略完全に除去され、基体切屑がほとんど付着していない基体片が半導体ウエハに接着されるため、基体切屑に起因する不良な半導体装置は生じない。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1粘着シートに貼り付けられた基体を複数の基体片に切断し、前記第1粘着シートに貼り付けられた面と反対側の前記基体片の面に第2粘着シートを貼り付け、前記第1粘着シートを前記基体片から剥離し、前記基体片を前記第2粘着シートから剥がして半導体素子を収納するケース部材の開口部に接着することを特徴とする。
本発明にあっては、第1粘着シートに貼り付けられた基体を複数の基体片に切断した後、第1粘着シートに貼り付けられた面と反対側の基体片の面に第2粘着シートを貼り付け、その後、第1粘着シートを基体片から剥離し、第2粘着シートから剥がした基体片を半導体素子を収納するケース部材に接着する。よって、基体切屑は第1粘着シートと共に略完全に除去され、基体切屑がほとんど付着していない基体片がケース部材に接着されるため、基体切屑による不良品は発生しない。
本発明の半導体ウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法では、基体切屑がほとんど付着していない基体片を接着できるため、基体切屑に起因する不良品の発生を著しく抑制することができる。
以下、本発明をその実施の形態を示す図面を参照して具体的に説明する。以下の例では、基体として板状のガラス、基体片としてガラス片を用いる場合について説明する。ガラス及びガラス片と粘着シートとの配置における上下関係など、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
〈実施の形態1〉
図1は、本発明に係る粘着シートに貼り付けられた基体片の製造方法の工程の一例を示す図である。板状のガラス2に、第1粘着シート1の粘着面を貼り付ける(図1(a))。次に、ダイシング装置等を用いてガラス2を刃3により切断し、複数のガラス片2aに分離する(図1(b))。この際、必要に応じて、気体噴き付け(例えば窒素ブロー)によって、ガラス切屑を除去するようにしてもよい。また、第1粘着シート1が充分な粘着力を維持できる限りにあっては、水や溶液等の洗浄液を用いた洗浄を行ってもよい。
次いで、第1粘着シート1の貼付面とは反対側のガラス片2aの面に、第2粘着シート4の粘着面を貼り付ける(図1(c))。以上のようにして、粘着シート(本例では第1粘着シート1及び第2粘着シート4)に貼り付けられた基体片(本例ではガラス片2a)を製造する。なお、これらの第1粘着シート1,第2粘着シート4として、例えば紫外線照射等の光照射により粘着力が低下する粘着シートを用いることができる。このような粘着シートを用いる場合には、後述する工程での第1粘着シート1の剥離処理を容易とするために、第2粘着シート4の貼り付け前に、光照射によって第1粘着シート1の粘着力を低下させておくことが好ましい。
次に、第1粘着シート1をガラス片2aから剥離する(図1(d))。以上のようにして、粘着シート(本例では第2粘着シート4)に貼り付けられた基体片(本例ではガラス片2a)を製造する。
本発明でも、ガラス2の切断工程により、その切断部に基体切屑としてのガラス切屑5は発生する(図1(b))。発生したガラス切屑5は、第1粘着シート1に付着している。そこで、第2粘着シート4を貼り付けた後に、ガラス切屑5が第1粘着シート1に付着した状態で、第1粘着シート1を剥離する。このようにすることにより、各ガラス片2aが第2粘着シート4に貼り付けられた状態でばらばらになることなく、ほとんどのガラス切屑5を第1粘着シート1に付着させて除去することが可能である。なお、第1粘着シート1を剥離しても、例えば静電気によりガラス切屑5が第1粘着シート1でなくガラス片2aに付着してガラス切屑5を除去できない場合には、気体噴き付けによってガラス切屑5を除去すようにすればよい。また、第2粘着シート4が充分な粘着力を維持できる限りにあっては、水や溶液等の洗浄液を用いた洗浄を行ってもよい。
〈実施の形態2〉
図2は、本発明に係る粘着シートに貼り付けられた基体片の製造方法の工程の他の例を示す図である。板状のガラス2に、第1粘着シート1の粘着面を貼り付ける(図2(a))。ガラス2の表面(第1粘着シート1との貼付面とは反対側の面)には、例えば物理的蒸着法を用いて形成された赤外線遮断膜6が設けられている。次に、ダイシング装置等を用いて赤外線遮断膜6付きのガラス2を刃3により切断し、複数のガラス片2aに分離する(図2(b))。この際、実施の形態1と同様に、必要に応じて、気体噴き付けまたは溶液洗浄を行ってもよい。
次いで、第1粘着シート1の貼付面とは反対側のガラス片2aの面に、つまり赤外線遮断膜6上に、第2粘着シート4の粘着面を貼り付ける(図2(c))。なお、これらの第1粘着シート1,第2粘着シート4として、例えば紫外線照射等の光照射により粘着力が低下する粘着シートを用いることができる。このような粘着シートを用いる場合には、後述する工程での第1粘着シート1の剥離処理を容易とするために、第2粘着シート4の貼り付け前に、光照射によって第1粘着シート1の粘着力を低下させておくことが好ましい。
次に、第1粘着シート1をガラス片2aから剥離する(図2(d))。実施の形態1と同様に、第2粘着シート4を貼り付けた後に、ガラス切屑5が第1粘着シート1に付着した状態で、第1粘着シート1を剥離するため、各ガラス片2aが第2粘着シート4に貼り付けられた状態でばらばらになることなく、ほとんどのガラス切屑5を第1粘着シート1に付着させて除去することが可能である。なお、必要に応じて、気体噴き付けまたは溶液洗浄を行ってもよいことは、実施の形態1と同様である。
次に、ガラス片2aの赤外線遮断膜6が設けられている面と反対側の面に、言い換えると第1粘着シート1が貼り付けられていた面に、第3粘着シート7の粘着面を貼り付ける(図2(e))。以上のようにして、粘着シート(本例では第2粘着シート4及び第3粘着シート7)に貼り付けられた、膜(本例では赤外線遮断膜6)を有する基体片(本例ではガラス片2a)を製造する。第2粘着シート4として、前述したように、例えば紫外線照射等の光照射により粘着力が低下する粘着シートを用いる場合には、後述する工程での第2粘着シート4の剥離処理を容易とするために、第3粘着シート7の貼り付け前に、光照射によって第2粘着シート4の粘着力を低下させておくことが好ましい。
次に、第2粘着シート4をガラス片2aから剥離する(図2(f))。以上のようにして、粘着シート(本例では第3粘着シート7)に貼り付けられた、膜(本例では赤外線遮断膜6)を有する基体片(本例ではガラス片2a)を製造する。
赤外線遮断膜6の表面はガラス表面と比較して平滑性に欠けるため、ゴミが付着し易くなっている。よって、赤外線遮断膜6を設けたガラス片2aでは、その表面にゴミが付着していることが多いと考えられる。実施の形態2では、このゴミを除去する。赤外線遮断膜6表面のゴミは、第2粘着シート4に付着している。そこで、第3粘着シート7を貼り付けた後に、ゴミが第2粘着シート4に付着した状態で、第2粘着シート4を剥離する。
このようにすることにより、赤外線遮断膜6に付着されているほとんどのゴミを除去することが可能である。
なお、上述した例では、ガラス2(ガラス片2a)に赤外線遮断膜6を設ける場合について説明したが、設ける膜はこの赤外線遮断膜に限らず、光反射防止膜,透明導電膜,保護膜などの他の種類の膜であっても、同様の効果を奏することができる。
〈実施の形態3〉
図3は、本発明に係る半導体ウエハの製造方法の工程を示す図である。まず、上述した実施の形態1に従って製造された、第2粘着シート4に複数のガラス片2aが貼り付けられた中間物を準備する(図3(a))。第2粘着シート4として、前述したように、例えば紫外線照射等の光照射により粘着力が低下する粘着シートを用いることができ、このような粘着シートを用いる場合には、後述する工程でのガラス片2aの剥脱処理を容易とするために、事前に光照射によって第2粘着シート4の粘着力を低下させておくことが好ましい。
剥脱対象のガラス片2aに対応する第2粘着シート4の裏面部分をピン11で突き上げて、ガラス片2aを第2粘着シート4から部分的に剥脱させた状態とした後(図3(b))、吸着装置12によりガラス片2aを吸着して、ガラス片2aを第2粘着シート4から剥脱する(図3(c))。
その後、ガラス片2aを吸着した吸着装置12を、その表面に複数の接着層13がパターン形成された半導体ウエハ14上に移動させ、ガラス片2aが接着層13を介して半導体ウエハ14に接着されるようにガラス片2aの位置合わせを行った後に、吸着装置12の吸着機能を解除して、ガラス片2aを接着させる(図3(d))。このような動作を繰り返すことにより、請求項に対応する、複数の基体片(本例ではガラス片2a)が接着された半導体ウエハ14を製造する。
なお、図示しないが、半導体ウエハ14において、ガラス片2aで蓋部が形成された部分には、表面にマイクロレンズを有する受光部が形成されており、入射光を各画素の受光素子に集光する構成になっている。
実施の形態3では、ガラス切屑5がほとんど付着していないガラス片2aを半導体ウエハ14に接着することになるため、ガラス切屑5に起因する不良品の発生はほとんどない。
〈実施の形態4〉
図4は、本発明に係る半導体装置の製造方法の工程の一例を示す図である。図4(a)〜(d)の工程は、実施の形態3の図3(a)〜(d)の工程と同様であるため、同一部分には同一番号を付してそれらの説明を省略する。
図4(a)〜(d)の工程にて製造された半導体ウエハ14を、ダイシング装置等を用いて、分割線14aにおいて切断することにより、請求項に対応する、基体片(本例ではガラス片2a)が接着された半導体装置(本例では固体撮像装置15)を製造する(図4(e))。
なお、本発明に係る半導体装置としては、CCD,CMOSイメージャ等の固体撮像装置、EPROM等の半導体記憶装置など、ガラス片で蓋部を構成する半導体装置であれば、如何なる種類の半導体装置であってもよい。
〈実施の形態5〉
図5は、本発明に係る半導体装置の製造方法の工程の他の例を示す図である。図5(a)〜(c)の工程は、実施の形態3の図3(a)〜(c)の工程と同様であるため、同一部分には同一番号を付してそれらの説明を省略する。
ガラス片2aを吸着した吸着装置12を、受光部を有する半導体素子21を収納したケース部材22上に移動させ、ガラス片2aが接着層23を介してケース部材22に接着されるようにガラス片2aの位置合わせを行った後に、吸着装置12の吸着機能を解除して、ガラス片2aを接着させる(図5(d))。このようにして、請求項に対応する、半導体素子21を収納するケース部材22に基体片(本例ではガラス片2a)を接着させた半導体装置を製造する。
なお、実施の形態3〜5にあっては、実施の形態1に従って製造されたガラス片2aを使用する場合について説明したが、実施の形態2に従って製造された赤外線遮断膜6付きのガラス片2aを使用する場合にも、同様に半導体ウエハまたは半導体装置を製造できることは勿論である。実施の形態3〜5において、実施の形態2に従って製造された赤外線遮断膜6付きのガラス片2aを使用する場合、図3〜5に図示された第2粘着シート4が第3粘着シート7に置き換わり、図3〜5に図示されたガラス片2aの図中上方に赤外線遮断膜6が配置されることになる。この場合、ガラス片2aを反転させることなく、赤外線遮断膜6の配置面を半導体ウエハ14から遠い方に配置できるので、固体撮像装置に適用すれば、赤外線遮断膜6にゴミが混入又は付着していても、それに起因する不良の発生を容易に低減することができる。
また、上述した例では、基体としてガラスを使用したが、ガラス以外に、シリコン基体等の半導体基体を用いることも可能であり、同様に本発明を適用できる。シリコン基体等の半導体基体を用いた半導体ウエハに適用した例としては、機能素子が形成されたシリコンウエハに、保護キャップ用のシリコン片を接着するものが挙げられる。そして、シリコン基体等の半導体基体を用いた半導体装置に適用した例としては、その保護キャップ用シリコン片が接着されたシリコンウエハを切断するものが挙げられる。
本発明に係る粘着シートに貼り付けられた基体片の製造方法の工程の一例を示す図である。 本発明に係る粘着シートに貼り付けられた基体片の製造方法の工程の他の例を示す図である。 本発明に係る半導体ウエハの製造方法の工程を示す図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の工程の一例を示す図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の工程の他の例を示す図である。 ガラス片を製造する従来の工程を示す図である。 図6(b)の領域Aにおける拡大図である。
符号の説明
1 第1粘着シート
2 ガラス(基体)
2a ガラス片(基体片)
3 刃
4 第2粘着シート
5 ガラス切屑
6 赤外線遮断膜(膜)
7 第3粘着シート
11 ピン
12 吸着装置
13 接着層
14 半導体ウエハ
15 固体撮像装置
21 半導体素子
22 ケース部材
23 接着層

Claims (5)

  1. 第1粘着シートに貼り付けられた基体を複数の基体片に切断し、前記第1粘着シートに貼り付けられた面と反対側の前記基体片の面に第2粘着シートを貼り付け、前記第1粘着シートを前記基体片から剥離し、前記基体片を前記第2粘着シートから剥がして、機能素子を有する半導体ウエハに接着層を介して接着することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
  2. 第1粘着シートに貼り付けられた基体を複数の基体片に切断し、前記第1粘着シートに貼り付けられた面と反対側の前記基体片の面に第2粘着シートを貼り付け、前記第1粘着シートを前記基体片から剥離し、前記基体片を前記第2粘着シートから剥がして、機能素子を有する半導体ウエハに接着層を介して接着し、該半導体ウエハを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 前記機能素子は受光部であることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエハの製造方法。
  4. 前記機能素子は受光部であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 第1粘着シートに貼り付けられた基体を複数の基体片に切断し、前記第1粘着シートに貼り付けられた面と反対側の前記基体片の面に第2粘着シートを貼り付け、前記第1粘着シートを前記基体片から剥離し、前記基体片を前記第2粘着シートから剥がして、半導体素子を収納するケース部材の開口部に接着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2004174721A 2004-06-11 2004-06-11 半導体ウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP3830497B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004174721A JP3830497B2 (ja) 2004-06-11 2004-06-11 半導体ウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法
US11/149,520 US7438780B2 (en) 2004-06-11 2005-06-09 Manufacturing method for base piece made to adhere to adhesive sheet, manufacturing method for semiconductor wafer and manufacturing method for semiconductor device
KR1020050049158A KR100714778B1 (ko) 2004-06-11 2005-06-09 반도체 웨이퍼의 제조방법 및 반도체장치의 제조방법
TW094119080A TWI274405B (en) 2004-06-11 2005-06-09 Manufacturing method for base piece made to adhere to adhesive sheet, manufacturing method for semiconductor wafer and manufacturing method for semiconductor device
EP05253596A EP1605521A3 (en) 2004-06-11 2005-06-10 Manufacturing method for a base piece made to adhere to an adhesive sheet, for a semiconductor wafer and for a semiconductor device
CNB2005100896161A CN100501910C (zh) 2004-06-11 2005-06-11 粘贴于粘着薄片的基体片、半导体晶片及装置的制造方法
KR1020060117211A KR100768870B1 (ko) 2004-06-11 2006-11-24 점착 시트에 붙여진 기체편의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004174721A JP3830497B2 (ja) 2004-06-11 2004-06-11 半導体ウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006171531A Division JP2006313921A (ja) 2006-06-21 2006-06-21 粘着シートに貼り付けられた基体片の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005353921A JP2005353921A (ja) 2005-12-22
JP3830497B2 true JP3830497B2 (ja) 2006-10-04

Family

ID=35004301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004174721A Expired - Fee Related JP3830497B2 (ja) 2004-06-11 2004-06-11 半導体ウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7438780B2 (ja)
EP (1) EP1605521A3 (ja)
JP (1) JP3830497B2 (ja)
KR (2) KR100714778B1 (ja)
CN (1) CN100501910C (ja)
TW (1) TWI274405B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI549268B (zh) * 2013-02-27 2016-09-11 精材科技股份有限公司 晶圓封裝方法
CN107738135A (zh) * 2017-11-24 2018-02-27 深圳市精品诚电子科技有限公司 镜片加工排屑的方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USH208H (en) * 1984-02-17 1987-02-03 At&T Bell Laboratories Packaging microminiature devices
IT8921420V0 (it) 1989-07-13 1989-07-13 Telettra Spa Sistema e circuito per il calcolo di trasformata discreta bidimensionale.
JPH03151666A (ja) 1989-11-08 1991-06-27 Nec Corp 固体撮像装置の製造方法
JPH0653586B2 (ja) * 1990-03-08 1994-07-20 株式会社巴川製紙所 固体撮像装置用キャップガラスの加工方法
JP3165192B2 (ja) * 1991-03-28 2001-05-14 株式会社東芝 半導体集積回路装置の製造方法
JPH0541461A (ja) * 1991-08-02 1993-02-19 Nippon Electric Glass Co Ltd 接着剤付ガラス小板の製造方法
US5591290A (en) * 1995-01-23 1997-01-07 Wallace Computer Services, Inc. Method of making a laminate having variable adhesive properties
FR2764111A1 (fr) * 1997-06-03 1998-12-04 Sgs Thomson Microelectronics Procede de fabrication de boitiers semi-conducteurs comprenant un circuit integre
JPH1140520A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
US6428650B1 (en) * 1998-06-23 2002-08-06 Amerasia International Technology, Inc. Cover for an optical device and method for making same
JP3447602B2 (ja) * 1999-02-05 2003-09-16 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP3455762B2 (ja) 1999-11-11 2003-10-14 カシオ計算機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3906962B2 (ja) * 2000-08-31 2007-04-18 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP2003086540A (ja) 2001-09-07 2003-03-20 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及びその製造装置
JP3881888B2 (ja) 2001-12-27 2007-02-14 セイコーエプソン株式会社 光デバイスの製造方法
JP2003224085A (ja) * 2002-01-30 2003-08-08 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体チップのピックアップ方法
JP2004040050A (ja) 2002-07-08 2004-02-05 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び製造装置
JP2004296453A (ja) 2003-02-06 2004-10-21 Sharp Corp 固体撮像装置、半導体ウエハ、光学装置用モジュール、固体撮像装置の製造方法及び光学装置用モジュールの製造方法
JP4204368B2 (ja) 2003-03-28 2009-01-07 シャープ株式会社 光学装置用モジュール及び光学装置用モジュールの製造方法
JP4236594B2 (ja) 2004-01-27 2009-03-11 シャープ株式会社 光学装置用モジュール及び光学装置用モジュールの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100714778B1 (ko) 2007-05-04
TWI274405B (en) 2007-02-21
TW200601504A (en) 2006-01-01
CN100501910C (zh) 2009-06-17
US20050274451A1 (en) 2005-12-15
EP1605521A3 (en) 2007-08-08
US7438780B2 (en) 2008-10-21
EP1605521A2 (en) 2005-12-14
KR100768870B1 (ko) 2007-10-19
CN1716533A (zh) 2006-01-04
KR20060048298A (ko) 2006-05-18
JP2005353921A (ja) 2005-12-22
KR20060132768A (ko) 2006-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5091066B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
TWI404196B (zh) 固體攝像元件模組之製造方法
CN101937880B (zh) 薄晶片处理结构及薄晶片接合及剥离的方法
JP5080804B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP2007227439A (ja) 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2010103490A (ja) 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
JP3830497B2 (ja) 半導体ウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法
KR100817049B1 (ko) 패키징을 위한 웨이퍼 칩의 제조 방법
JP2006196823A (ja) 半導体素子の製造方法
JP2006313921A (ja) 粘着シートに貼り付けられた基体片の製造方法
JP2008135795A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2004273639A (ja) 半導体装置の製造方法
JP5428135B2 (ja) 積層物及びその製造方法
US20080303129A1 (en) Patterned contact sheet to protect critical surfaces in manufacturing processes
JP4173778B2 (ja) 素子基板の製造方法
TWI699844B (zh) 貼合結構與貼合方法
TWI549268B (zh) 晶圓封裝方法
TWI364846B (en) Package process
TWI226663B (en) Glass substrate and precision finishing method thereof
TWI493613B (zh) 晶圓切割方法
JP2008277454A (ja) 固体撮像素子モジュールの製造方法
JP2007329352A (ja) 固体撮像素子モジュールの製造方法
CN116387233A (zh) 一种互连集成芯片衬底腐蚀去除夹具及方法
JP4328538B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2007194395A (ja) 半導体ウエハのダイシング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060417

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060425

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060621

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060711

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060711

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3830497

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100721

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110721

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110721

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120721

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120721

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130721

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees