TWI274405B - Manufacturing method for base piece made to adhere to adhesive sheet, manufacturing method for semiconductor wafer and manufacturing method for semiconductor device - Google Patents
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Description
1274405 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一 種用於製造諸如破璃片或矽玻片基板之 以及一種用於製造 黏貼於一黏著片的若干基體片之方法, 半導體晶圓之方法及一種利用此製造黏貼於一黏著片之基 體片之方法而製造一半導體裝置之方法。 【先前技術】 已揭示了一項技術’其中將玻璃黏貼於晶圓形態之碎片 以使其覆㈣等接著將彼此㈣之個料^影像感應器 b ’且藉此可阻止由刮痕及碎#之附著對影職應器部 v刀所產生之影像感應器部分之損壞(例如,參看,曰本專 利特許公開巾請案第3_151666號(测年))'然而,日本專 利特許公開中請案第3_151666號(1991年)並未描述如何製 ^黏貼於影像感應器部分之小破璃片。 此外’已提出-種用於製造用作蓋以供具有光接收部分 之半導體元件之封裝使用的玻璃片之技術,該等半導體元 件之封裝諸如紫外線可程式化/可擦除之記憶體之半導體 几件(EPROM或CCD) ’例如參看日本專利特許公開申請案 第 5-41461號(1993年)。 在曰本專利特許公開申請案第5_41461號(丨朽^年)中,需 要切割一玻璃板以便製造玻璃片,且切割時所產生之玻= 碎片之移除可能不充分之問題出現。圖1A及圖⑺展示製造 玻璃片之習知步㈣圖。冑—點¥片41黏貼於平板形^之 玻璃42。接著,使用一刀片43切割玻璃42,以便將其分割 102528.doc 1274405 成若干玻璃片42a(圖1B)。接著自黏著片41依次剝離該經分 割之玻璃片42a,且將其用作(例如)半導體元件之封襞的蓋。 圖2係圖1B中之區域A的放大圖。在如圖1B中所示之切割 玻璃42時產生玻璃碎片45。由於靜電存在,故該產生之玻 璃碎片45附著於玻璃片42a。在附著有玻璃碎片45之狀態下 對一半導體裝置利用玻璃片42a時,此等玻璃碎片45有時會 在該半導體裝置中引起一缺陷。因此,需要移除產生之^ 璃碎片45以便玻璃碎片45不黏貼於玻璃片42a。因而,已按 慣例執行用於藉由吹氣或藉由用水洗滌來移除玻璃碎片Μ 之方法,其中出現一問題:用於移除該等碎片之氣體或水 不能充分到達切割部分之(尤其為)拐角部分(圖2中之區域 B),且玻璃碎片45得不到完全地移除而仍留在該等拐角部 分。 【發明内容】 蓉於以上描述之情況提供本發明,且其目的係提供一種 用於製造-黏貼於-黏著片之基體片的方法,#中可容易 及幾乎完全移除在切割一諸如玻璃之基體時所產生之基體 本發明之另一目的係提供—種用於製造一黏貼於一黏著 基體片的方法,其中可移除黏貼於一已形成於一基體 片之一表面上之薄膜的碎片。 本U之又-目的係提供—種用於製造半導體晶圓之方 :及一種用於製造-半導體裝置的方法,…限制由基 體碎片所引起之缺陷發生。 102528.doc 1274405 根據一根據本發明之用於製造—黏貼於一黏著片之基體 片的方法,將一黏貼於一第一黏著片之基體切割成若干基 體片,且在與黏貼於該第一黏著片之表面相對之一側上將 一第二黏著片黏貼於基體片之表面。根據本發明,將該黏 貼於該第-黏著片之基體切割成若干基體片,且之後,在 與黏貼於該第-黏著片之表面相對之-側上將該第二黏著 片黏貼於該等基體片之表面。藉由如此做,當自該等基體 片剝離該第一黏著片時,可在基體碎片黏貼於該第-黏著 片之狀態下容易移除幾乎所有之在切割時所產生之基體碎 片’包括位於該等切割部分之拐角部分之基體碎片。 根據-根據本發明之用於製造一黏貼於一黏著片之基體 片的方法’將-黏貼於—第一黏著片之基體切割成若干美 體片,在與黏貼於該第一黏著片之表面相對之—側上將I :二黏:片黏貼於基體片之表面,且自該等基體片剝離該 黏者片。根據本s明’將黏貼於該第一黏著片之 切割成若干基體片’且之後’在與黏貼於該第—黏著二之 表面_之-側上將該第二黏著片黏貼於基體片之表面, 且接者自該等基體片剝離該第一黏著片。因此 碎片黏貼於該第一黏著片之狀態下容易移除 = 切割時所產生之美舻边ΰ ^ ^在 叮座生之基體碎片’包括位於該等切害 部分之基體碎片。 才刀角 根據-根據本發明之用於製造一點貼於—黏 片的方法,已在與黏貼於該 " 上之基體表面上形成了 —_ 之表面相對之一側 ^ f ,專膜,且在剝離該第一黏著片之 102528.doc 1274405 後,用以上所述之製造方法將_第三黏著片黏㈣該第— 黏著片已黏貼之基體片表面。根據本發明,如以上所述, 在剝離該第-黏著片之後,將該第三黏著片黏貼於在該第 -黏著片已《之-側上的表面。藉由如此做,當自該等 基體^剝離該第二黏著片時,在碎片黏貼於該第二點著片 之狀態下容易移除已黏貼於在該等基體片上之薄膜的碎 片。此外,此第二黏著片用於保護該等基體片上薄膜。 根據-根據本發明之用於製造一黏貼於一黏著片之基體 片的方法,已在與黏貼於該第一點著片之表面相對之一側 上的基體表面上形成了一薄膜,且在剝離該第一點著片之 後,將一第三黏著片黏貼於該第_#著片已黏貼之基體片 之表面且用以上所述之製造方法自該等基體片_該第二 =。根據本發明’如上所述,將該第三黏著片黏貼於 在,弟一黏著片已黏貼之一側上的表面,且接著,在已剝 離"亥第#占著片之後自該等基體片剝離該第二黏著片。因 貼於該第二黏著片之狀態下容易移除已黏貼 ;在”亥專基體片上之薄膜的碎片。 根據-根據本發明之用於製造半導體晶圓之方法,將一 黏貼於-第-黏著片之基體切割成若干基體 於該第_射贫u ^ 46 ^ 於基體/ 對之一側上將一第二黏著片黏貼 二一-之表面’自該等基體片剝離該第一黏著片,且自 黏著片移除該等基體片且使該等基體片黏貼於一半 判::Γ根據本發明,將黏貼於該第一黏著片之基體切 σ右干基體片,且之後,在與黏貼於該第一黏著片之表 102528.doc 1274405 :對之側上將該第二黏著片黏貼於基體片之表面,且 接者自該等基體片剝離 H .. p ^ 荖Η專丨轴 黏者片,且使已自該第二黏 者片剝離之該等基體片黏貼 辟Η _ β¥體日日囫。因此,基體 而弟—黏著片-起而幾乎得到完全地移除,且因 ,將幾乎無基體碎片附著之基體片黏貼於該半導體曰 圓,且因而,不存Α其驊访U 干等^日日 存在基體碎片引起之缺陷。 根據-根據本發明之用於製造半導體裝置之方法,將一 “占於帛Ιέ著片之基體切割成若干基體片占 於該第一黏著片之表面相對之一側上將一第二黏著片、= 於基體片之表面,自該等基體片剝離該第一黏著片,自該 弟二黏著片移除該等基體片且將該等基體片黏貼於一半導 體曰曰因,且將此半導體晶圓切割成片。根據本發明 貼於該第-黏著片之基體切割成若干基體片,且之後,; 與黏貼於該第一黏著片之矣 +占者片之表面相對之-側上,將該第二黏 者片黏貼於基體矣% D ^ 表面,且接著自該等基體片剝離該第 :=片’且使已自該第二黏著片剝離之基體片黏貼於該
半導體晶圓,且將該丰莫科B 肘斜導體晶圓切割成片。因此,基體碎 片隨該第-黏著片-起而幾乎得到完全地移除,且因而, 幾乎無基體碎片附荖之其种μ π & 咐者之基體片黏貼於該半導體晶圓,且因 此’不存在*基體碎》所產生之有缺陷的半導體裝置。 根據一根據本發明之用於製造半導體I置的方法,將一 黏貼於一第一黏著片之基體 販刀。J成右干基體片,在與黏貼 於該第一黏著片之表面相對之—側上將—第二黏著片黏貼 於基體片之表面,自該蓉其 {田目4寻基體片剝離該第一黏著片,且自 102528.doc 1274405 該第二黏著片移除基體 體元件之箱,m 黏點於一含有-半導 ",牛。根據本發明,將黏貼於該第一玛Iβ 之基體切割成若干基W,且 4黏者片 著月之表面相對之初μ [、黏貼於該第-黏 表面,且接=一 Γ第二黏著片_基體片之 第自㈣體片剝離該第-點著片且使已自該 弟一黏者片剝離之基體片黏 式組件。因此mu 3有+導體X件之箱 完全地移^ 土隨該第-黏著片-起而幾乎得到
兀王地移除’且因而,幾乎無基體碎 於-箱式組件,且因而τ〜丄 κ卷體月黏貼 口而’不存在由基體碎片所弓丨起之缺陷。 乂據根據本發明之用:J、生ykl. 之用於“ 一黏貼於一黏著片之基體 ^方法’當剝離該第-黏著片時移除基體碎片,且因而, 2易移除大部分基體碎片。根據一根據本發明之用於製 以黏貼於—黏著片之一基體片的製造方法,當剝離該第 -黏者片時移除黏貼於薄膜之碎片,且因而,可容易移除 大部分碎片。根據一根據本發明之用於一 造方法及用於—半導體裝置之製造方法,可黏貼幾= 體碎片黏貼於J:夕其贼P am ,、之基體片,且因而,可顯著限制由基體碎 片引起之缺陷出現。 自以下結合附加圖式之詳細描述,本發明之以上及另外 之目的及特徵將更加全面及明顯。 【實施方式】 在下文中’參考展示其實施例之圖式具體描述本發明。 在平板形式之破璃用作基體且玻璃片用作基體片之情況下 掐述以下貝例。本發明不限於以下實施例,且該等實施例 102528.doc -10- 1274405 可經修改以便(例如)玻璃及玻璃片可配置於該黏著片之頂 上或底上。 <實施例1> 圖3A至圖3D之圖展示一根據一根據本發明之製造一黏 、於黏著片之基體片的製造方法之一處理實例。將一第 站著片1之黏著表面黏貼於平板形式之玻璃2(圖3 A)。接 著藉由一使用切片單元或其類似物之刀片3切割玻璃2, 2其分割成若干玻璃片2a(圖3B)。此處,若需要可藉由 氣(例如,吹氮氣)來移除玻璃碎片。此外,可使用一諸如 水或〆谷液之洗務液體執行洗滌,只要第-黏著片1可維持充 分的黏著性。 兄 接著在與第一黏著片1所黏貼之側面相反之一側上將一 站著片4之黏著表面黏貼於玻璃片&之表面(圖3c)。如 卩對應於請求们之方式製造一黏詩一黏著片 每仓ΓφΙ列中為第一黏著片1及第二黏著片4)之基體片(在本 /者片之黏者性之該黏著片可用作上述第一黏著 在詨黛_黏著片4。在使用該等黏著片的情況下,較佳地, 低該第:二著:4黏貼:該等玻璃片之前藉由光輻射來^ 離該第一黏:1之黏者性’以使以下所述步驟中之用於剝 士者片1之處理變容易。 接著,白 I 士令 述,以對 月2a剝離該第一黏著片1(圖3D)。如上所 實例中為^凊t項2之方式製造—黏貼於—黏著片(在本 一黏著片4)之基體片(在本實例中為一破璃片 102528.doc 1274405 2a) 〇 同樣根據本發明,在切割玻璃2之處理過程中(圖3B),玻 璃碎片5作為切割部分上之基體碎片而產生。所產生之玻璃 碎片5黏貼於該第一黏著片丨。因而,在該第二黏著片4已黏 貼於該等玻璃片後,於玻璃碎片5黏貼於該第一黏著片i之 狀您下剝離該第一黏著片丨。藉由如此做,可藉由使大部分 =玻璃碎片5黏貼於該第一黏著片〗而不分離處於黏貼於該 第二黏著片4之狀態中之個別玻璃片2a來移除大部分的玻 璃碎片5。此處,當玻璃碎片5黏貼於玻璃片&而非黏貼於 :第:黏著片"寺,由於(例如)靜電之存在,故藉由剝離第 -黏者片1不能移除一些玻璃碎片5。在該情況下,可藉由 吹氣來移除玻璃碎片5。此外,可使用諸如水或溶液之絲 •執行洗扉’只要該第二黏著片4可維持充分的黏著性。 <實施例2> 圖4A至圖4F之圖展示根據一根據本發明之製造 於;”片之基體片的製造方法之另-處理實例。將:第 用之/著表面#貼於平板形式之玻璃2(圖4A)。使 璃2之♦面理(:相沉積方法,將一紅外線阻斷薄膜6形成於破 Π著藉黏著片
" 使用一切片單元或其類似物之刀片3切幻 /、有紅外線阻斷薄 刀口J 2am 4R、 之玻璃2,以將其分割成若干破璃片 以(圖4B)。此時, 丨敬哨片 吹氣或藉由溶n ㈣例1㈣的方式執行 田,合,夜進行之洗滌。 接著,在與該第—黏著片1所黏貼之表面相對之—側上, 102528.doc 12 1274405 、一第二黏著片4之黏著表面黏貼於玻璃片2a之表面,亦 P ’黏貼於紅外線阻斷薄膜6之頂部(圖4C)。此時,藉由例 如紫外線輕射之光輻射降低一黏著片之黏著性之該黏著片 I用作上述之第一黏著片1及第二黏著片4。在使用該等黏 • 著片的情況下,較佳在將該第二黏著片4黏貼於該等玻璃片 ^ 之前,藉由光輻射來降低該第一黏著片1之黏著性,以使以 所述步驟中用於剝離該第一黏著片丨之處理變容易。 % 接著,自玻璃片2a剝離該第一黏著片j(圖4D)。以與實施 /才同的方式,在该第二黏著片4已黏貼於該等玻璃片之 j :玻璃碎片5黏貼於該第一黏著片i之狀態下剝離該第 著片1且因而’可藉由使大部分玻璃碎片5黏貼於該 弟-黏著片i而不分離處於黏貼於該第二黏著片4之狀態中 的個別玻璃片仏來移除大部分玻璃碎片5。此處,可視需 要’以與實施例1相同的方式執行吹氣或藉由-溶液進行之 洗滌。 • 接著’在與其上已提供έ y、、’外線阻斷薄膜6之表面相對之一 側上將一第三黏著片7之獻基 • 之黏者表面黏貼於玻璃片2a之表 面,換言之,黏貼於該第一 . .u ^ ^ 黏者片1已黏貼之表面(圖4E)。 如上所述,以對應於請求項3 ,.,^^ 、的方式製造一黏貼於一黏著片 (在本貝例中為第二黏著片4 第一黏者片7)之具有一薄膜 (在本貝例中為紅外線 如 鲫/專膜6)的基體片(在本實例中為 一玻璃片2a)。在將藉由例如 # u ^ ^ ^ ^ 系外線輻射之光輻射降低一黏 者片之黏者性之該黏著片 私、+、、,#社α 丄 示一黏者片4的情況下(如上 所述),#乂佳地,在該第三 ^者片7黏者於該等玻璃片之前, 102528.doc 1274405 藉由光鲕射降低該第二黏著片4的黏著性,以使以下所述步 驟中:用於剝離該第二黏著片4之處理變容易。 接者,自破璃片2a剝離該第二黏著片·4Γ)。如上所 上=應於請求項4之方式製造一黎貼於一黏著片(在本 W :第二黏著片7)之具有一薄膜(在本實例中為紅外線 阻斷薄膜6)的基 ;7暴體片(在本實例中為破璃片2a)。 紅外線阻斷薄膜6 $矣& & + 、之表面與破璃表面相比缺 使碎片容易附著於該薄膜。因+各南各 月又且 片附著於其上已提二V考慮在很多情況下,碎 、、工外線阻斷薄膜6之玻璃片2a之表 面。在實施例2中,移除 ,y 料了碎片。紅外線阻斷薄膜6之表面 上的碎片附著於第二黏著片4。因而,在該 表面 黏貼於該等玻考月7已 At 璃片之後’於碎片附著於該第二黏著片4之壯 恶下剝離第二華占著片4益 狀 者片4猎由如此做,可移除大部分附著於 该紅外線阻斷薄膜6之碎片。 1者於 此時,藉由以上所诚 杳 於玻璃w2a)lf=了紅外線阻斷薄膜6提供 外線阻斷薄膜,而可為供之薄膜不限於為該紅 果,該等薄膜諸膜轉得相同的效 薄膜。 “韦護薄膜、透明傳導薄膜及保護 <實施例3> 圖5Α至圖5D之圖展
a m ,tJ “根據一根據本發明之製造丰I M 晶圓的製造方法之處理。 表坆+導體 例1所製造且其中若干# 製備—根據以上所述之實 半成品(圖5A)。如上所片2&已黏貼於該第二黏著片4之 上所迷’藉由諸如紫外線幸畐射之光輕射 102528.doc 1274405 降低-黏著片之黏著性之該黏著片可用做第二黏著片4,且 f使用該:著片的情況下,較佳地,藉由光輻射預先降低 4第二黏著片4之黏著性’以使以下所述步驟中用於剝離玻 璃片2a之處理變容易。 • 藉自頂柱11將對應於一為剝離目標之玻璃片2a之第二 黏著片4的後表面部分向上推’以便進人已自該第二黏著片 4部分地剝離玻璃片2a之狀態(圖5B),且之後,藉由吸力將 璃片2a吸附於一抽吸單元12,且因而’玻璃片以自該第 二黏著片4剝離(圖5C)。 此後,將已藉由吸力而吸附了玻璃片2a之抽吸單元12移 至一其上已形成了呈某種圖案的若干黏著層13之半導體晶 圓14上之一位置處,且安置玻璃片。以使其經由一黏著層 13黏貼於该半導體晶圓14,且之後,解除該抽吸單元a之 吸力,且使玻璃片2a黏貼於該晶圓(圖5D)。重複此操作, 且糟此以對應於請求項5之方式製造黏貼於若干基體片(玻 φ 璃片^,在給出之實施例中)之半導體晶圓14。 此時,在一其中在該半導體晶圓14中由玻璃片2a(未圖示) 形成蓋之部分中,在表面上形成一具有一微透鏡之光接收 部分,從而提供一使入射光聚光在每像素之光接收元件上 之配置。 在實施例3中,使幾乎無玻璃碎片5附著於其之玻璃片2a 黏貼於該半導體晶圓14,且因而玻璃碎片5很少會產生缺 陷。 <實施例4> 102528.doc 15 1274405 圖όΑ至圖6E之圖展示一根據一根據本發明之用於半導 體裝置的製造方法之處理實例。圖6A至圖6D之處理類似於 實施例3之圖5A至圖5D的處理,且因而相同數字附加於相 同部件,且忽略其描述。 將已在圖6A至圖6D之處理中所製造之半導體晶圓14使 用切片單元或其類似物沿分割線14a而切割,且藉此以對應 於請求項6之方式製造一黏貼於一基體片(在本實施例中為 一玻璃片2a)的半導體裝置(在本實施例中為固態成像裝置 15)(圖 6E)。 此時,一根據本發明之半導體裝置可為任何類型之由玻 璃片形成蓋的半導體裝置,諸如一固態成像裝置(包括ccd 及CMOS影像器)或一半導體記憶體裝置(包括_EpR〇M)。 <實施例5> 據本發明之用於半導體 圖7A至圖7C之處理類似 且因而相同數字附加於
圖7A至圖7D之圖展示根據一根 裝置之製造方法的另一處理實例。 於實施例3之圖5A至圖5C的處理, 相同部件,且忽略其描述。 一:已藉由吸力而吸附了 —玻璃片2a之抽吸單元12轉移至 —含有—具有光接收部分之半導體元件21之箱式組件22上 的:置處且女置玻璃片2a以使其經由一黏著層黏貼於 〆相式、、且件22 ’且之後’解除抽吸單元。之吸力來黏貼玻 璃片&(圖7D)。如上所述,以對應於請求項7之方式製造-+導體裝置’其中將—基體片(在本實例中為—玻璃月㈣ 4貼於含有該半導體元件21之箱式組件… 102528.doc -16- 1274405 此時’雖然在實施例3至實施例5中描 _造之玻璃“的情況,然而, 貫施例2所製造之具有紅外線阻斷薄膜6之破璃;2:= 所用之方式相同的方式來製造— 月 £ 0 ^ ^ 5 ^ ^ +導體日日圓或一半導體裝 置在貫知例3至貫施例5中利用具有根據實施例綺製造之 、、工外線阻斷薄膜之玻璃片2a " 丨月,凡下,使用第三黏著片7替 代圖5至圖7中所示之第二黏著 /者片7替 ,L _ 且將该紅外線阻斷薄臈 6如圖5至圖7中所示而置放在一 ^ 圾螞片2&上。在該情況下, 可將其上置放該紅外線阻斷薄臈6之表面安置於半導體晶 圓遠側而不翻轉玻璃片2a,且因而,當將其施加至一 固悲成像裝置時,可容易減少由盥 /、σ亥、、工外線阻斷薄膜6混合 或附著至該紅外線阻斷薄膜6之碎片所引起之缺陷發生。 此外’雖然在上述實例中將玻璃用作基體,但是除玻璃 外可使用-諸如-石夕基體的半導體基體’且本發明可以相 冋方式應用於該等情況中。可將其中已形成一功能元件且 已黏貼一用作保護罩之石夕片之石夕晶圓引用為一實例,苴中 將本發明應用於一使用一諸如—石夕基體之半導體基體的半 導體晶圓。此外,可將已黏貼-用作保護罩之矽片的該石夕 晶圓之-切割部分引用為一實例,其中將本發明應用於一 使用諸如矽基體之半導體基體的半導體裝置。 【圖式簡單說明】 ' 圖1Α及圖1Β之圖展示一製造玻璃片之習知處理; 圖2係一圖1B中區域A之放大圖; 圖3A至圖3D之圖展示一根據本發明之用於製造一黏貼 102528.doc 17 1274405 於一黏著片之基體片之方法的處理實例; 圖4A至圖4F之圖展示根據一根據本發明之用於製造一 黏貼於一黏著片之基體片之方法的另一處理實例; 圖5A至圖5D之圖展示根據一根據本發明之用於製造半 導體晶圓之方法的處理; 圖6A至圖6E之圖展示根據一根據本發明之用於製造半 導體裝置之方法的一處理實例;及 圖7A至圖7D之圖展示根據一根據本發明之用於製造半 導體裝置之方法之另一實例處理。 【主要元件符號說明】
1 第一黏著片 2 玻璃 2a 玻璃片 3 刀片 4 第二黏著片 5 玻璃碎片 6 紅外線阻斷薄 7 第三黏著片 11 頂柱 12 抽吸單元 13 黏著層 14 半導體晶圓 14a 分割線 15 固態成像裝置 102528.doc _ 18 · 1274405 21 半導體元件 22 箱式組件 23 黏著層 41 黏著片 42 玻璃 • 42a 玻璃片 ' 43 刀片 45 玻璃碎片 102528.doc
Claims (1)
- 、J274库(妙119_號專利申請案 脾牙种曰修(曼)正本 中文申請專利範圍替換本(95年8月) ---------—一____ 十、申請專利範圍: 1 · 一種用於製造一黏貼於一黏著片之基體片之方法,其包 含以下步驟: 提供一基體,其被製造為黏著於一第一黏著片; 切割被提供之該基體為一數晉其辦 q 歡里之基體片,以被使用為 - 半導體裝置之蓋子; 及—在與黏貼於該第一黏著片之表面相對之一側上,將一 第二黏著片黏貼於該等基體片之表面。 2· —種用於製造一黏貼於一黏著片之基體片之方法,其包 含以下步驟: 〃 提供一基體,其被製造為黏著於一第一黏著片;切割被提供之該基體為一數量之基體片,以被使用 半導體裝置之蓋子; 在與黏貼於該第一黏著片之表面相對之一側上,將一 第二黏著片黏貼於該等基體片之表面;及 自该等基體片剝離該第一黏著片。 女明求項2之用於製造一黏貼於一黏著片之基體片之方 法,其中 在A黏貼於该第一黏著片之該表面相對之一側上的 肢之"亥表面上开)成一薄膜,且繼剝離該第一黏著片 後將一第二黏著片黏貼於該第一黏著片已黏貼之該 等基體片之該等表面。 1·:=。求項2之用於製造一黏貼於-黏著片之基體片之方 1274405 法,其中 已在與黏貼於該第一勒荖g夕兮主 W耆月之4表面相對之一側上的 違基體之該表面上形成—薄膜,且繼剝離該第一黏著片 ,後,將一第三黏著片黏貼於該第一黏著片已黏貼之該 等基體片之該等表面且自兮笼 且目β寺基體片剝離該第二黏著 片0 5.6.-種用於製造-半導體晶圓之方法,其包含以下步驟: 將黏貼於第一黏著片之基體切割成若干基體片; 斤在與黏貼於該第一黏著片之表面相對之一側上,將一 第二黏著片黏貼於該等基體片之表面; 自該等基體片剝離該第一黏著片;及 自.亥第一黏著片剝離該等基體片且將該等基體片黏貼 於經由-黏著層具有一功能元件之一半導體晶圓。 -種用於製造-半導體裝置之方法,其包含以下步驟: 將一黏貼於一第一黏著片之基體切割成若干基體片; 在與黏貼於該第一黏著片之表面相對之一側上,將一 第二黏著片黏貼於該等基體片之表面; 自該等基體片剝離該第一黏著片; 自為第一黏著片剝離該等基體片且將該等基體片黏貼 於、、二由黏著層具有一功能元件之一半導體晶圓;及 將該半導體晶圓切割成片。 女明求項5之用於製造一半導體晶圓之方法,其中該功能 το件為一光接收部份。 造一半導體裝置之方法,其中該功能 8 ·如晴求項6之用於製 102528-950828.doc ' 、 1274405 1 元件為一光接收部份。 9.如請求項6之一種用於製造一半導體裝置之方法,其包含 以下步驟: 將一黏貼於一第一黏著片之基體切割成若干基體片; 在與黏貼於該第一黏著片之表面相對之一側上,將一 ~ 第二黏著片黏貼於該等基體片之表面; . 自該等基體片剝離該第一黏著片;及 自該第二黏著片剝離該基體片且將該基體片黏貼於一 ♦ 含有一半導體元件之箱式組件之一開口部份。102528-950828.doc -3-
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