TW201409672A - 半導體器件 - Google Patents

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TW201409672A
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Kenjiro Ayano
Shinichi Massaki
Shuji Inoue
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Aoi Electronics Co Ltd
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Abstract

半導體器件，包含：基板；半導體元件，搭載於基板之一面上，在上面形成機能區域；第1透光性構件，積層在半導體元件之機能區域上；以及密封構件，形成在基板之一面上，藉由覆蓋半導體元件周圍及第1透光性構件周圍將第1透光性構件加以密封。密封構件覆蓋第1透光性構件之厚度之下半部分以下之區域。

Description

半導體器件
本發明係關於一種半導體元件被密封樹脂密封之半導體器件。
在具有光學感測器等之機能區域之半導體器件，隨著電子機器之小型化，謀求小型化及薄型化，在最近，探討一種在半導體元件之一面上直接地積層透光性構件之構造。在此構造，採用在半導體元件與透光性構件之周圍填充絕緣性之密封樹脂之方式(參照專利文獻1)。
專利文獻1：日本特開2011-54925號公報
在半導體元件與透光性構件之周圍填充絕緣性之密封樹脂之半導體器件，會有透光性構件容易破損之問題。
本發明第1形態之半導體器件，包含：基板；半導體元件，搭載於基板之一面上，在上面形成機能區域；第1透光性構件，積層在半導體元件之機能區域上；以及密封構件，形成在基板之一面上，藉由覆蓋半導體元件周圍及第1透光性構件周圍將第1透光性構件加以密封。密封構件覆蓋第1透光性構件之厚度之下半部分以下之區域。
本發明第2形態，在第1形態之半導體器件中，較佳為，該半導體元件具有排列於該機能區域之外周之電極；在該一面形成連接端子；該電極 與該連接端子係藉由金屬線連接。
本發明第3形態，在第2形態之半導體器件中，較佳為，該密封構件之與該一面相反側之上面，在該第1透光性構件之附近形成為較該附近之外側之周圍低。
本發明第4形態，在第1至第3任一形態之半導體器件中，較佳為，該半導體元件接合於該一面；該第1透光性構件接著於該半導體元件。
本發明第5形態，在第1形態之半導體器件中，較佳為，在該第1透光性構件之與該機能區域相反側，進一步具備與該第1透光性構件分離之第2透光性構件。該密封構件在該第1透光性構件之面對該第2透光性構件之側具有空隙；該第2透光性構件係支承設在該密封構件。
本發明第6形態，在第5形態之半導體器件中，較佳為，該第2透光性構件之一部分覆蓋該空隙。
本發明第7形態，在第5形態之半導體器件中，較佳為，該第2透光性構件係配置在該密封構件上。
本發明第8形態，在第5至第7任一形態之半導體器件中，較佳為，該第2透光性構件之面對該第1透光性構件之面，具有較該第1透光性構件之面對該第2透光性構件之面大之面積。
本發明第9形態，在第5至第7任一形態之半導體器件中，較佳為，該第2透光性構件接著於該密封構件。
本發明第10形態，在第5至第7任一形態之半導體器件中，較佳為，在該第2透光性構件之該空隙側之面形成光學過濾器。
本發明第11形態，在第10形態之半導體器件中，較佳為，在該第1 透光性構件之該半導體元件側之面形成光學過濾器。
本發明第12形態，在第5至第7任一形態之半導體器件中，較佳為，在該第2透光性構件與該第1透光性構件之間填充透明物質。
本發明第13形態，在第1至第3任一形態之半導體器件中，較佳為，該透光性構件之周緣部形成為較該透光性構件之中央部薄；該密封構件覆蓋該周緣部之厚度整體之區域。
本發明第14形態，在第1至第3任一形態之半導體器件中，較佳為，該透光性構件之周緣部形成為較該透光性構件之中央部薄；該密封構件覆蓋該周緣部之厚度整體之一部分之區域。
根據本發明，透光性構件不易破損。
1,1A,1B,1C,1D,1E‧‧‧半導體器件
2‧‧‧電路基板
3‧‧‧半導體元件
4‧‧‧透光性構件
4A‧‧‧第1透光性構件
4B,4C‧‧‧第2透光性構件
4D‧‧‧透光性構件
4d1‧‧‧周緣部
4d2‧‧‧中央部
4E‧‧‧透光性構件
4e1‧‧‧周緣部
4e2‧‧‧中央部
5,5A,5B‧‧‧密封構件
6‧‧‧金屬線
6a‧‧‧最大高度部
7‧‧‧透明接著劑層
21‧‧‧上面
22‧‧‧連接端子
31‧‧‧機能區域
32‧‧‧電極
41‧‧‧上面
51‧‧‧上面
52,52a‧‧‧上面
53,53a‧‧‧空隙部
81‧‧‧第1波長選擇用薄膜
82‧‧‧第2波長選擇用薄膜
圖1係本發明之半導體器件之實施形態1之剖面圖。
圖2係本發明之半導體器件之實施形態2之剖面圖。
圖3係本發明之半導體器件之實施形態3之剖面圖。
圖4係本發明之半導體器件之實施形態4之剖面圖。
圖5係本發明之半導體器件之實施形態5之剖面圖。
圖6係本發明之半導體器件之實施形態6之剖面圖。
(實施形態1)
在具有光學感測器等機能區域之習知半導體器件，在半導體元件之一面上直接積層透光性構件之情形，一般而言，密封樹脂係形成為該密封樹 脂之上面與透光性構件之上面成為大致相同面之厚度。
在專利文獻1(日本特開2011-54925號公報)記載之具有固態攝影元件般之光學元件之半導體器件，以從透光性構件之周側部射入之光不易到達受光部之方式，在透光性構件之上面周緣部設置錐面。在此半導體器件，密封樹脂之上面位於較透光性構件之上面稍低。在此半導體器件，密封樹脂之上面位於錐面之中間部，大致形成為覆蓋透光性構件之厚度整體之厚度。
在以密封樹脂覆蓋透光性構件之周緣部之厚度之大致整體之習知構造，起因於密封樹脂與透光性構件之熱膨脹係數之不同之較大應力作用於透光性構件，透光性構件破損之可能性大。
以下，與圖式一起說明本發明之半導體器件之實施形態1。圖1係本發明之半導體器件之實施形態1之剖面圖。半導體器件1具有電路基板(基板)2、半導體元件3、透光性構件4、密封構件5。半導體元件3，在其上面具有例如受光區域等之機能區域31，在電路基板2之一面、亦即上面21上，藉由未圖示之接合材晶粒接合。在半導體元件3之機能區域31之周圍排列有複數個電極32。各電極32係藉由金屬線6連接於在電路基板2之上面21上排列形成在半導體元件3外周之連接端子22。電極32與連接端子22係藉由使用金金屬線之金屬線接合法連接。雖未圖示，但在電路基板2之上面21形成有構成既定電路之配線。
在半導體元件3之機能區域31上，透光性構件4係藉由透明接著劑層7接著積層。透光性構件4係由透明樹脂材料或玻璃形成之厚度均勻之板狀構件。隔著透明接著劑層7之透光性構件4之與機能區域31 之接著面具有較機能區域31稍大之面積，透光性構件4覆蓋機能區域31整體。
密封構件5，在電路基板2之上面21上，覆蓋半導體元件3及金屬線6整體而形成。密封構件5覆蓋透明接著劑層7之周圍整體及透光性構件4之周圍而將透光性構件4加以密封。此處，重要之點為，密封構件5並非將透光性構件4之厚度整體加以密封，而是將透光性構件4之厚度之下半部分以下之淺區域加以密封之點。
金屬線6在半導體元件3之周緣部之稍微外周具有最大高度部(金屬線6所含且離電路基板2之上面21之高度成為最大之部分)6a，形成為從最大高度部6a朝向電極32逐漸下降之彎曲狀。密封構件5之上面51仿效電極32與最大高度部6a之間之金屬線6之彎曲形狀，在透光性構件4之附近成為較該附近之外側之周圍低而形成密封構件5之形狀。
以下顯示上述半導體器件1之製程處理之一例。在電路基板2上將半導體元件3晶粒接合。使用金屬線接合法藉由金屬線6連接半導體元件3之電極32與電路基板2之連接端子22。藉由透明接著劑層7將透光性構件4接著於半導體元件3之機能區域31上，積層於機能區域31上。作為透明接著劑層7之材料，可使用例如透明環氧樹脂或矽氧樹脂。在電路基板2上將液狀之密封材料藉由灌注法等塗布。密封材料覆蓋半導體元件3及金屬線6整體，且覆蓋透光性構件4之厚度之下半部分以下之區域。密封材料為覆蓋透光性構件之厚度之1成至3成程度之程度亦可。
作為密封樹脂材料，可使用例如環氧樹脂、矽氧樹脂。在樹脂中使玻璃纖維等之填料分散之材料亦佳。藉由使密封樹脂加熱硬化，形 成圖1所示之密封構件5。形成具有該密封構件5之半導體器件1。作為密封樹脂材料係使用紫外線硬化型樹脂，對該密封樹脂材料照射紫外線以使該密封樹脂材料硬化亦可。
製造半導體器件1之情形，亦可從一片電路基板2同時獲得多數個半導體器件1。在此情形，在一片電路基板2排列複數個半導體元件3，在搭載有各半導體元件3之各區域進行上述步驟處理，在密封樹脂硬化前、或硬化後，在各半導體器件1之邊界將電路基板2及密封構件5切斷即可。
上述實施形態中，半導體元件3及金屬線6，其整體被密封構件5覆蓋密封而保護。透光性構件4，其厚度之下半部分以下之區域被密封構件5接著而密封。密封構件5之透光性構件4之密封區域為透光性構件4之厚度之下半部分以下之淺區域。因此，起因於透光性構件4與密封構件5之熱膨脹係數之不同而作用於透光性構件4之應力較以往小，能使透光性構件4不易破損。
上述實施形態中，密封構件5之上面51仿效電極32與最大高度部6a之間之金屬線6之彎曲形狀而形成。亦即，在密封構件5之上面51，與金屬線6之最大高度部6a對應之位置較與電極32對應之位置高。因此，密封構件5之上面51，即使在透光性構件4之附近為較該附近之外側之周圍低之形狀，亦能使密封構件5之厚度為保護金屬線6之充分厚度。
此外，作為本發明之半導體器件，如下述，可採用各種實施形態。
(實施形態2)
圖2係本發明之半導體器件之實施形態2之剖面圖。實施形態2之半導體器件1A，作為二個透光性構件4，具有第1透光性構件4A及第2透光性構件4B。
第1透光性構件4A，與實施形態1相同，在半導體元件3之機能區域31上藉由透明接著劑層7接著積層。密封構件5A，在第1透光性構件4A之周圍，覆蓋第1透光性構件4A之厚度之下半部分以下之區域。在密封構件5A之中央部，形成有從覆蓋第1透光性構件4A周圍之部分朝向上方面積擴大之類似倒角錐梯形之形狀之空隙部53。
第2透光性構件4B隔著空隙部53與第1透光性構件4A面對配置。亦即，第2透光性構件4B從第1透光性構件4A往上方(在第1透光性構件4A與機能區域31相反側)分離。第2透光性構件4B之面對第1透光性構件4A之下面，具有較第1透光性構件4A之面對第2透光性構件4B之上面大之面積。在第2透光性構件4B之下部側收納於密封構件5A之空隙部53之上部之狀態下，配置有第2透光性構件4B。密封構件5A之上面52形成為平坦。第2透光性構件4B之上面41從密封構件5A之平坦之上面52突出。第2透光性構件4B之下面與第1透光性構件4A之上面分離。在第2透光性構件4B與第1透光性構件4A之間形成有空隙部53、亦即中空構造部。在此狀態下，第2透光性構件4B係藉由未圖示之接著劑接著於密封構件5A。第2透光性構件4B之下面中之未接著於密封構件5A之部分覆蓋空隙部53。
以下顯示實施形態2所示之半導體器件1A之製程處理之一例。從在電路基板2晶粒接合半導體元件3之步驟至將第1透光性構件4A 積層於半導體元件3之機能區域31上之步驟，與實施形態1相同。然而，實施形態2之透光性構件4A與實施形態1之透光性構件4A對應。
在電路基板2上將液狀密封樹脂材料藉由灌注法等塗布。液狀密封材料係形成為覆蓋半導體元件3及金屬線6整體。此步驟與實施形態1相同，但以液狀密封材料之上面較第1透光性構件4A之上面高之方式，較實施形態1之情形將液狀密封材料塗布更厚。
藉由具有空隙部53之形狀之治具(未圖示)，從第1透光性構件4A之上方按壓液狀密封樹脂，使液狀密封樹脂往周圍流動。以此方式在液狀密封樹脂形成空隙部53。使液狀密封樹脂硬化以形成密封構件5A。
之後，以第2透光性構件4B覆蓋密封構件5A之空隙部53之上部之方式，使第2透光性構件4B接著於密封構件5A。密封構件5A之上面52位於較第2透光性構件4B之上面41低，因此並非第2透光性構件4B之外周側面之厚度整體，而是僅第2透光性構件4B之外周側面之厚度之一部分區域接著於密封構件5A，藉此第2透光性構件4B被支承。第2透光性構件4B配置在密封構件5A上，第2透光性構件4B之一部分與空隙部53相接。
第2透光性構件4B並非被密封構件5A密封，而是接著於密封構件5A之構造。因此，如圖2所示，第2透光性構件4B之外周側面遍及第2透光性構件4B之厚度之一半以上接著於密封構件5A亦可。依第2透光性構件4B之材料不同，會有第2透光性構件4B破損之可能性大之情形。若為此種情形，則將第2透光性構件4B之厚度之下半部分以下之區域接著於密封構件5A亦可。
(實施形態3)
圖3係本發明之半導體器件之實施形態3之剖面圖。實施形態3之半導體器件1B亦與實施形態2之半導體器件1A相同，具有第1透光性構件4A與第2透光性構件4C。實施形態3與實施形態2之不同點在於第2透光性構件4C之外形尺寸與密封構件5B之外形尺寸相同。
在實施形態3之半導體器件1B，密封構件5B形成為較第2實施形態之半導體器件1A之密封構件5A薄。密封構件5B之上面52a從空隙部53a之附近至半導體器件1A之周緣部為止遍及整體形成為平坦。第2透光性構件4C，藉由接著於密封構件5B之上面52a，支承於密封構件5B。第2透光性構件4C配置在密封構件5B上。第2透光性構件4C之面對第1透光性構件4A之下面中之未接著於密封構件5B之部分覆蓋空隙部53a。
實施形態3之半導體器件1B能以與實施形態2之半導體器件1A同樣之方法製造。然而，在實施形態3之情形，將第2透光性構件4C接著於密封構件5B後，將第2透光性構件4C與電路基板2、密封構件5B一起在半導體器件1B之外周切斷亦可。第2透光性構件4C為玻璃般不易切斷之材料之情形，將電路基板2與密封構件5B在半導體器件1B之周緣部切斷後，將第2透光性構件4C接著於密封構件5B亦可。
第3實施形態相較於第2實施形態，密封構件5B之形狀之成形等簡單，可謀求產率提升。在半導體器件1B之外形尺寸小之情形，第2透光性構件4C之外形尺寸不會太大，因此有利。除了上述以外，與實施形態2相同，對與實施形態2對應之構件賦予相同符號以省略說明。
在實施形態2及實施形態3中，在第1透光性構件4A與第 2透光性構件4B之間、或第1透光性構件4A與第2透光性構件4C之間設有中空構造部、亦即空隙部53或53a。此中空構造部為大氣壓亦可，但減壓亦可。對此中空構造部填充透明物質亦可。在中空構造部內使吸氣劑成膜可易於確保減壓。在未填充物質之情形，存在於中空構造部內之水蒸氣等因溫度變化而結露，會使受光區域模糊。在中空構造部內，藉由填充透明物質，能使存在於中空構造部內之水蒸氣消失，因此可防止水蒸氣之結露造成之受光區域之模糊。作為填充於中空構造部內之物質之例，可列舉環氧樹脂、丙烯酸樹脂等。
藉由使顏料或染料在填充於中空構造部內之透明物質內分散，在中空構造部設置僅使紅外線、紫外線等特定範圍之波長光到達受光部(設在半導體元件3之上面之機能區域31)、或遮斷紅外線、紫外線等特定範圍之波長光之光學過濾器之機能亦可。
(實施形態4)
圖4係本發明之半導體器件之實施形態4之剖面圖。實施形態4之半導體器件1C，除了形成有第1波長選擇用薄膜81及第2波長選擇用薄膜82之點外，具有與實施形態2之半導體器件1A相同之構造。實施形態4之半導體器件1C與實施形態2之半導體器件1A不同之點在於在第1透光性構件4A及第2透光性構件4B分別形成有第1波長選擇用薄膜81及第2波長選擇用薄膜82等波長選擇用薄膜(光學過濾器)之點。在半導體器件1C，在第1透光性構件4A之下面、亦即半導體元件3側之面形成有第1波長選擇用薄膜81，又，在第2透光性構件4B之下面、亦即中空構造部即空隙部53側之面形成有第2波長選擇用薄膜82。
第1及第2波長選擇用薄膜81及82為僅使紅外線、紫外線等特定範圍之波長光到達受光部(設在半導體元件3之上面之機能區域31)、或遮斷紅外線、紫外線等特定範圍之波長光之光學過濾器。例如，藉由蒸鍍等能使第1波長選擇用薄膜81及第2波長選擇用薄膜82成膜。將第1及第2波長選擇用薄膜81及82中之一方或兩方形成在第1或第2透光性構件4A或4B之上面亦可。半導體器件1C僅具有第1及第2波長選擇用薄膜81及82之任一方亦可。其他與實施形態2相同，因此對與實施形態2對應之構件賦予相同符號以省略說明。
圖3所示之實施形態3之半導體器件1B，在第1及第2透光性構件4A及4C之一方或兩方形成第1及第2波長選擇用薄膜81及82亦可。
(實施形態5)
圖5係本發明之半導體器件之實施形態5之剖面圖。在實施形態1~4，透光性構件為厚度相同之板狀構件。圖5所示之透光性構件4D之周緣部4d1形成為較中央部4d2薄。周緣部4d1之厚度較中央部4d2之厚度之一半厚，密封構件5，藉由使透光性構件4D之周緣部4d1之周圍覆蓋周緣部4d1之厚度之下半部分以下之區域，將透光性構件4D加以密封。透光性構件4D之形狀並不限於平坦(亦即透光性構件4D為板狀構件)，透光性構件4D之中央部呈凸狀或凹狀彎曲、或在透光性構件4D之上面形成有微細透鏡或凹凸亦可。其他與實施形態1相同，因此對與實施形態1對應之構件賦予相同符號以省略說明。
(實施形態6)
圖6係本發明之半導體器件之實施形態6之剖面圖。在實施形態6，與實施形態5相同，透光性構件之周緣部形成為較中央部薄。實施形態6之半導體器件1E與實施形態5之半導體器件1D之不同點在於密封構件5藉由覆蓋透光性構件4E之周緣部4e1之厚度整體之區域將透光性構件4E加以密封之點。圖6所示之透光性構件4E之周緣部4e1之厚度為中央部4e2之厚度之一半以下。因此，即使藉由密封構件5覆蓋透光性構件4E之周緣部4e1之厚度整體之區域，藉此將透光性構件4E加以密封，亦只不過密封透光性構件4E之中央部4e2之厚度之下半部分以下之區域。
是以，在實施形態6，亦與其他實施形態相同，起因於透光性構件4E與密封構件5之熱膨脹係數之不同而作用於透光性構件4E之應力較以往小，能使透光性構件4E不易破損。
如上述說明，根據本發明之各實施形態，半導體器件1及1A~1E具有將積層在半導體元件3之機能區域31上之透光性構件4及4A~4E之周圍加以密封之密封構件5,5A及5B。密封構件5密封之透光性構件4,4A~4E之區域為透光性構件4及4A~4E之厚度之下半部分以下之淺區域。因此，起因於密封構件5,5A,5B與透光性構件4,4A~4E之熱膨脹係數之不同而作用於透光性構件4,4A~4E之應力變小，能使透光性構件4,4A~4E不易破損。
上述各實施形態中，密封構件5之上面51具有在透光性構件4之附近低、在與金屬線6之最大高度部6a對應之位置高之形狀。因此，即使密封構件5之上面51具有在透光性構件4之附近較該附近之外側之周圍低之形狀，亦可獲得具有保護金屬線6之充分厚度之密封構件5。
如實施形態2、3所示，在電路基板2上配置第1、第2透光性構件4A,4B(或4C)，能在第1、第2透光性構件4A,4B(或4C)間構成中空構造部、亦即空隙部53,53a。在中空構造部內使吸氣劑成膜可易於確保減壓。在中空構造部內，藉由填充透明物質，可防止水蒸氣在內部結露。藉由使顏料或染料在中空構造部內分散，將光學過濾器之機能設在中空構造部亦可。
如實施形態4所示，藉由在第1、第2透光性構件4A,4B之一面形成波長選擇用薄膜81,82，將光學過濾器之機能設在波長選擇用薄膜81及82亦可。
上述實施形態中，例示藉由金屬線接合將半導體元件3與電路基板2加以連接之構造。然而，本發明，作為半導體元件3與電路基板2之接合，可適用覆晶接合等其他接合方法。
上述實施形態中，將半導體元件3之機能區域31例示為受光區域，但本發明亦可適用於具有發光等受光以外之其他機能之半導體元件3。
此外，本發明之半導體器件並不限於上述內容。組合上述各實施形態、或在發明趣旨之範圍內施加各種變形來構成亦可，在本發明之技術思想之範圍內考量之其他形態亦包含在本發明之範圍內。總之，只要在積層於半導體元件之機能區域上之透光性構件之周圍，密封構件覆蓋透光性構件之厚度之下半部分以下之區域以將透光性構件加以密封即可。
下述優先權基礎申請之揭示內容係作為引用文而引用於本說明書。
日本特許申請2012年第180509號(2012年8月16日申請)
1‧‧‧半導體器件
2‧‧‧電路基板
3‧‧‧半導體元件
4‧‧‧透光性構件
5‧‧‧密封構件
6‧‧‧金屬線
6a‧‧‧最大高度部
7‧‧‧透明接著劑層
21‧‧‧上面
22‧‧‧連接端子
31‧‧‧機能區域
32‧‧‧電極
51‧‧‧上面

Claims (14)

  1. 一種半導體器件，具備：基板；半導體元件，搭載於該基板之一面上，在上面形成有機能區域；第1透光性構件，積層在該半導體元件之機能區域上；以及密封構件，形成在該基板之一面上，藉由覆蓋該半導體元件周圍及該第1透光性構件周圍將該第1透光性構件加以密封；該密封構件覆蓋該第1透光性構件厚度之下半部分以下之區域。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體器件，其中，該半導體元件具有排列於該機能區域外周之電極；在該一面形成有連接端子；該電極與該連接端子係以金屬線連接。
  3. 如申請專利範圍第2項之半導體器件，其中，該密封構件之與該一面相反側之上面，在該第1透光性構件之附近形成為較該附近之外側之周圍低。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之半導體器件，其中，該半導體元件接合於該一面；該第1透光性構件接著於該半導體元件。
  5. 如申請專利範圍第1項之半導體器件，其中，在該第1透光性構件之與該機能區域相反側，進一步具備與該第1透光性構件分離之第2透光性構件；該密封構件在該第1透光性構件之面對該第2透光性構件之側具有空 隙；該第2透光性構件係被支承設在該密封構件。
  6. 如申請專利範圍第5項之半導體器件，其中，該第2透光性構件之一部分覆蓋該空隙。
  7. 如申請專利範圍第5項之半導體器件，其中，該第2透光性構件係配置在該密封構件上。
  8. 如申請專利範圍第5至7項中任一項之半導體器件，其中，該第2透光性構件之面對該第1透光性構件之面，具有較該第1透光性構件之面對該第2透光性構件之面大之面積。
  9. 如申請專利範圍第5至7項中任一項之半導體器件，其中，該第2透光性構件接著於該密封構件。
  10. 如申請專利範圍第5至7項中任一項之半導體器件，其中，在該第2透光性構件之該空隙側之面形成有光學過濾器。
  11. 如申請專利範圍第10項之半導體器件，其中，在該第1透光性構件之該半導體元件側之面形成有光學過濾器。
  12. 如申請專利範圍第5至7項中任一項之半導體器件，其中，在該第2透光性構件與該第1透光性構件之間填充透明物質。
  13. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之半導體器件，其中，該透光性構件之周緣部形成為較該透光性構件之中央部薄；該密封構件覆蓋該周緣部之厚度整體之區域。
  14. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之半導體器件，其中，該透光性構件之周緣部形成為較該透光性構件之中央部薄； 該密封構件覆蓋該周緣部之厚度整體之一部分區域。
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