JP2007141957A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置20は、半導体素子28と、前記半導体素子28から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材21と、前記半導体素28子の端部と前記透明部材の端面を封止する封止部材25と、を備え、前記半導体素子28は前記透明部材21と前記封止部材25によって封止され、前記透明部材21が前記封止部材25又は前記半導体素子28から受ける応力を緩和する緩衝部100を、前記透明部材21の前記端面と前記封止部材25との間に設けている。
【選択図】図2
Description
(a)粘着テープに貼り付けた前記透明部材に貫通部を形成し、当該貫通部に対応する前記粘着テープの箇所を所定の長さ切り込んで溝形成部を形成する工程と、
(b)前記透明部材への応力を緩衝する緩衝部の材料を、前記貫通部及び前記溝形成部に充填して硬化する工程と、
(c)前記貫通部及び前記溝形成部に設けられた前記緩衝部の前記材料を切断する工程と、
(d)前記透明部材を前記粘着テープから剥がす工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明による半導体装置として、固体撮像装置を掲げ説明する。
例えば当該透明部材21と封止樹脂25との間、即ち透明部材21の外周側面と封止樹脂25との間には緩衝部材100が配設され、また当該固体撮像素子28の上面であって、マイクロレンズ29が設けられていない領域に於いて、緩衝部材100の突出部分から固体撮像素子28の受光領域方向に、スペーサ110が配設される。
次に、本発明の半導体装置の製造方法の例として、上述の固体撮像装置の製造方法を説明する。
同図に示されるように、ダム142の内側において、複数の細分化された透明部材21の周囲に緩衝部材料147が充填される。
尚、図20(B)は、図20(A)において点線により囲んだ部分を拡大して示す。
図21(B)は図21(A)において点線により囲んだ部分を拡大して示す。透明基板200をダイシングテープ140上に貼り付けることにより、溝部161の上方は当該透明基板200によって閉ざされ、溝部161は閉ざされた空間を形成する。
図20(B)は、図20(A)において点線により囲んだ部分を拡大して示す。
図21(B)は図21(A)において点線により囲んだ部分を拡大して示す。透明部材21をダイシングテープ140の上に貼り付けることにより、溝部161の上方は透明基板200によって閉ざされ、溝部161は閉ざされた空間を形成する。
図12(B)は、図12(A)において点線により囲んだ部分を拡大して示す。
透明部材21の周囲側面(端部)並びにダイシングテープ140に形成された溝148の内側面は第1の緩衝部材100により被覆され、隣り合う透明部材21の第1緩衝部材間には幅fを有する第2の溝形成部190が形成される。
この結果、図41(B)に示すように、透明部材21の周囲側面(端面)の緩衝部材100と封止樹脂25との間に空間103が形成される。
半導体素子は、イメージセンサの如き固体撮像素子に限られず、例えば、ガラスが用いられる指紋センサを半導体素子として用いてもよい。また、半導体装置としては、半導体素子を透明部材等で封止してパッケージ又はモジュール化した半導体装置であれば上記に限られず、例えば、光モジュールやEPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)等の半導体装置に本発明を適用することができる。
(付記1) 半導体素子と、
前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材と、
前記半導体素子の端部と前記透明部材の端面を封止する封止部材と
を備えた半導体装置において、
前記透明部材の前記端面と前記封止部材との間に前記透明部材が前記封止部材又は前記半導体素子から受ける応力を緩和する緩衝部を設けたことを特徴とする半導体装置。
(付記2) 前記透明部材と前記半導体素子とに挟持され、前記透明部材と前記半導体素子との間に空気層を形成する空気層形成部を更に備え、
前記緩衝部を構成する材料のヤング率と、前記空気層形成部を構成する材料のヤング率は、互いに異なることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記3) 前記透明部材と前記半導体素子とに挟持され、前記透明部材と前記半導体素子との間に空気層を形成する空気層形成部を更に備え、
前記緩衝部を構成する材料のヤング率と、前記空気層形成部を構成する材料のヤング率は、同一であることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記4) 前記緩衝部は、前記透明部材の前記端面に沿って前記透明部材の前記中央に向かって上方に傾斜して設けられていることを特徴とする付記1乃至3いずれか一項記載の半導体装置。
(付記5) 前記緩衝部は、ヤング率の異なる複数種の材料から成ることを特徴とする付記1乃至4いずれか一項記載の半導体装置。
(付記6) 前記緩衝部は、弾性体を含むことを特徴とする付記1乃至5いずれか一項記載の半導体装置。
(付記7) 前記緩衝部は、前記透明部材と前記封止部材とを離間する空間からなることを特徴とする付記1乃至4いずれか一項記載の半導体装置。
(付記8) 前記透明部材を構成する材料の熱膨張係数と、前記半導体素子を構成する材料の熱膨張係数は、同一であることを特徴とする付記1乃至7いずれか一項記載の半導体装置。
(付記9) 前記透明部材の表面にコート膜が施されていることを特徴とする付記1乃至8いずれか一項記載の半導体装置。
(付記10) 半導体素子と、前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材とを備えた半導体装置の製造方法であって、
(a)粘着テープに貼り付けた前記透明部材に貫通部を形成し、当該貫通部に対応する前記粘着テープの箇所を所定の長さ切り込んで溝形成部を形成する工程と、
(b)前記透明部材への応力を緩衝する緩衝部の材料を、前記貫通部及び前記溝形成部に充填して硬化する工程と、
(c)前記貫通部及び前記溝形成部に設けられた前記緩衝部の前記材料を切断する工程と、
(d)前記透明部材を前記粘着テープから剥がす工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記11) 半導体素子と、前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
(a)粘着テープを所定の長さ切り込んで溝形成部を形成する工程と、
(b)前記溝形成部が形成された前記粘着テープに前記透明部材を貼り付ける工程と、
(c)前記粘着テープの前記溝形成部に対応する前記透明部材の箇所に、前記溝形成部よりも幅の短い貫通部を形成する工程と、
(d)前記溝形成部に、前記半導体素子と前記透明部材との間に設けられる空気層形成部材の材料を充填して硬化する工程と、
(e)前記貫通部に、前記透明部材への応力を緩衝する緩衝部の材料を充填して硬化する工程と、
(f)前記溝形成部に設けられた前記空気層形成部材の前記材料と、前記貫通部に設けられた前記緩衝部の前記材料を切断する工程と、
(g)前記透明部材を前記粘着テープから剥がす工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記12) 半導体素子と、前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材と、を備えた半導体装置の製造方法であって、当該方法は、
(a)粘着テープを所定の長さ切り込んで溝形成部を形成する工程と、
(b)前記溝形成部が形成された前記粘着テープに前記透明部材を貼り付ける工程と、
(c)前記粘着テープの前記溝形成部に対応する前記透明部材の箇所に、前記溝形成部よりも幅の短い貫通部を形成する工程と、
(d)前記溝形成部に、前記半導体素子と前記透明部材との間に設けられる空気層形成部材の材料を充填して硬化する工程と、
(e)前記(c)工程を再度施して、前記貫通部を再度貫通し、前記溝形成部に設けられた前記空気層形成部材の前記材料の一部を切り込む工程と、
(f)前記溝形成部のうち前記空気層形成部材の前記材料が切り込まれた部分と前記貫通部とに、前記透明部材への応力を緩衝する緩衝部の材料を充填して硬化する工程と、
(g)前記緩衝部の前記材料を切断する工程と、
(h)前記透明部材を前記粘着テープから剥がす工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記13) 半導体素子と、前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材と、を備えた半導体装置の製造方法であって、当該方法は、
(a)粘着テープを所定の長さ切り込んで溝形成部を形成する工程と、
(b)前記溝形成部が形成された前記粘着テープに前記透明部材を貼り付ける工程と、
(c)前記粘着テープの前記溝形成部に対応する前記透明部材の箇所に、前記溝形成部よりも幅の短い貫通部を形成する工程と、
(d)前記溝形成部と前記貫通孔形成部に前記透明部材への応力を緩衝する緩衝部の材料を充填して硬化する工程と、
(e)前記溝形成部と前記貫通部に設けられた前記緩衝部の前記材料を切断する工程と、
(f)前記透明部材を前記粘着テープから剥がす工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記14) 半導体素子と、前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
(a)粘着テープに貼り付けた前記透明部材に貫通部を形成し、当該貫通部に対応する前記粘着テープの箇所を所定の長さ切り込んで第1の溝形成部を形成する工程と、
(b)前記透明部材への応力を緩衝する第1の緩衝部の材料を、前記貫通部及び前記第1の溝形成部に充填して硬化する工程と、
(c)前記貫通部と前記第1の溝形成部に設けられた前記緩衝部の前記材料を切断し、前記第1の溝形成部よりも幅の短い前記第2の溝形成部を形成する工程と、
(d)前記透明部材への応力を緩衝する第2の緩衝部の材料を、前記第2の溝形成部に充填して硬化する工程と、
(e)前記第2の溝形成部に設けられた前記第2の緩衝部の前記材料を切断する工程と、
(f)前記透明部材を前記粘着テープから剥がす工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記15) 半導体素子と、前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
(a)粘着テープを所定の長さ切り込んで溝形成部を形成する工程と、
(b)前記溝形成部が形成された前記粘着テープに前記透明部材を貼り付ける工程と、
(c)前記粘着テープの前記溝形成部に対応する前記透明部材の箇所に、前記溝形成部よりも幅の短い貫通部を形成する工程と、
(d)前記溝形成部に、前記半導体素子と前記透明部材との間に設けられる空気層形成部材の材料を充填して硬化する工程と、
(e)前記半導体装置の個片化工程の後で除去することができる空間部形成材料を、前記貫通部に充填して硬化する工程と、
(f)前記溝形成部に設けられた前記空気層形成部材の前記材料と、前記貫通部に設けられた前記空間部形成材料を切断する工程と、
(g)前記透明部材を前記粘着テープから剥がす工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記16) 半導体素子と、前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材と、を備えた半導体装置の製造方法であって、当該方法は、
(a)粘着テープに貼り付けた前記透明部材に貫通部を形成し、当該貫通部に対応する前記粘着テープの箇所を所定の長さ切り込んで第1の溝形成部を形成する工程と、
(b)前記透明部材への応力を緩衝する緩衝部の材料を、前記貫通部及び前記第1の溝形成部に充填して硬化する工程と、
(c)前記貫通部と前記第1の溝形成部に設けられた前記緩衝部の前記材料を切断し、前記第1の溝形成部よりも幅の短い前記第2の溝形成部を形成する工程と、
(d)前記半導体装置の個片化工程の後で除去することができる空間部形成材料を、前記第2の溝形成部に充填して硬化する工程と、
(e)前記第2の溝形成部に設けられた前記空間部形成材料を切断する工程と、
(f)前記透明部材を前記粘着テープから剥がす工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記17) 半導体素子と、前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられ、端面にテーパが施された透明部材と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
(a)粘着テープに貼り付けた前記透明部材に貫通部を形成し、当該貫通部に対応する前記粘着テープの箇所を所定の長さ切り込んで溝形成部を形成する工程と、
(b)前記透明部材への応力を緩衝する緩衝部の材料を、前記貫通部及び前記溝形成部に充填して硬化する工程と、
(c)前記透明部材の前記テーパと略同じ傾斜角を有するテーパ溝形成部を前記緩衝部の前記材料の上部の略中央に形成する工程と、
(d)前記貫通部及び前記溝形成部に設けられた前記緩衝部の前記材料を切断する工程と、
(e)前記透明部材を前記粘着テープから剥がす工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3、110、111、112、113 スペーサ
5、25 封止樹脂
8、28 固体撮像素子
10、20、30、40、50、60、70、80、90、120、130 固体撮像装置
100、101 緩衝部
102、103 空間形成部
145、155、165、175、185、195、255、300 切削ブレード
141、161 溝形成部
148、171、190、215 貫通部
140 ダイシングテープ
200、205 レジスト
Claims (10)
- 半導体素子と、
前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材と、
前記半導体素子の端部と前記透明部材の端面を封止する封止部材と
を備えた半導体装置において、
前記透明部材の前記端面と前記封止部材との間に前記透明部材が前記封止部材又は前記半導体素子から受ける応力を緩和する緩衝部を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 前記緩衝部は、前記透明部材と前記封止部材とを離間する空間からなることを特徴とする請求項1項記載の半導体装置。
- 前記緩衝部は、ヤング率の異なる複数種の材料から成ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記透明部材と前記半導体素子とに挟持され、前記透明部材と前記半導体素子との間に空気層を形成する空気層形成部を更に備え、
前記緩衝部を構成する材料のヤング率と、前記空気層形成部を構成する材料のヤング率は、同一であることを特徴とする請求項1乃至3いずれか一項記載の半導体装置。 - 前記緩衝部は、前記透明部材の前記端面に沿って前記透明部材の前記中央に向かって上方に傾斜して設けられていることを特徴とする請求項1乃至3いずれか一項記載の半導体装置。
- 半導体素子と、前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
(a)粘着テープに貼り付けた前記透明部材に貫通部を形成し、当該貫通部に対応する前記粘着テープの箇所を所定の長さ切り込んで溝形成部を形成する工程と、
(b)前記透明部材への応力を緩衝する緩衝部の材料を、前記貫通部及び前記溝形成部に充填して硬化する工程と、
(c)前記貫通部及び前記溝形成部に設けられた前記緩衝部の前記材料を切断する工程と、
(d)前記透明部材を前記粘着テープから剥がす工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子と、前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
(a)粘着テープを所定の長さ切り込んで溝形成部を形成する工程と、
(b)前記溝形成部が形成された前記粘着テープに前記透明部材を貼り付ける工程と、
(c)前記粘着テープの前記溝形成部に対応する前記透明部材の箇所に、前記溝形成部よりも幅の短い貫通部を形成する工程と、
(d)前記溝形成部に、前記半導体素子と前記透明部材との間に設けられる空気層形成部材の材料を充填して硬化する工程と、
(e)前記貫通部に、前記透明部材への応力を緩衝する緩衝部の材料を充填して硬化する工程と、
(f)前記溝形成部に設けられた前記空気層形成部材の前記材料と、前記貫通部に設けられた前記緩衝部の前記材料を切断する工程と、
(g)前記透明部材を前記粘着テープから剥がす工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子と、前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
(a)粘着テープに貼り付けた前記透明部材に貫通部を形成し、当該貫通部に対応する前記粘着テープの箇所を所定の長さ切り込んで第1の溝形成部を形成する工程と、
(b)前記透明部材への応力を緩衝する第1の緩衝部の材料を、前記貫通部及び前記第1の溝形成部に充填して硬化する工程と、
(c)前記貫通部と前記第1の溝形成部に設けられた前記緩衝部の前記材料を切断し、前記第1の溝形成部よりも幅の短い前記第2の溝形成部を形成する工程と、
(d)前記透明部材への応力を緩衝する第2の緩衝部の材料を、前記第2の溝形成部に充填して硬化する工程と、
(e)前記第2の溝形成部に設けられた前記第2の緩衝部の前記材料を切断する工程と、
(f)前記透明部材を前記粘着テープから剥がす工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子と、前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられた透明部材と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
(a)粘着テープを所定の長さ切り込んで溝形成部を形成する工程と、
(b)前記溝形成部が形成された前記粘着テープに前記透明部材を貼り付ける工程と、
(c)前記粘着テープの前記溝形成部に対応する前記透明部材の箇所に、前記溝形成部よりも幅の短い貫通部を形成する工程と、
(d)前記溝形成部に、前記半導体素子と前記透明部材との間に設けられる空気層形成部材の材料を充填して硬化する工程と、
(e)前記半導体装置の個片化工程の後で除去することができる空間部形成材料を、前記貫通部に充填して硬化する工程と、
(f)前記溝形成部に設けられた前記空気層形成部材の前記材料と、前記貫通部に設けられた前記空間部形成材料を切断する工程と、
(g)前記透明部材を前記粘着テープから剥がす工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子と、前記半導体素子から所定長さ離間して対向して設けられ、端面にテーパが施された透明部材と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
(a)粘着テープに貼り付けた前記透明部材に貫通部を形成し、当該貫通部に対応する前記粘着テープの箇所を所定の長さ切り込んで溝形成部を形成する工程と、
(b)前記透明部材への応力を緩衝する緩衝部の材料を、前記貫通部及び前記溝形成部に充填して硬化する工程と、
(c)前記透明部材の前記テーパと略同じ傾斜角を有するテーパ溝形成部を前記緩衝部の前記材料の上部の略中央に形成する工程と、
(d)前記貫通部及び前記溝形成部に設けられた前記緩衝部の前記材料を切断する工程と、
(e)前記透明部材を前記粘着テープから剥がす工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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