JP2021511654A - 撮像アセンブリ及びそのパッケージング方法、レンズモジュール、電子機器 - Google Patents

撮像アセンブリ及びそのパッケージング方法、レンズモジュール、電子機器 Download PDF

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Abstract

撮像アセンブリ及びそのパッケージング方法、レンズモジュール、電子機器を提供する。撮像アセンブリのパッケージング方法は、はんだパッドを備える感光性チップとフィルタを提供することと、前記感光性チップのはんだパッドに対向する前記フィルタを前記感光性チップに装着することと、はんだパッドを備える機能素子と前記フィルタを仮ボンディングする第１キャリア基板を提供し、前記機能素子のはんだパッドは、前記第１キャリア基板に対向することと、前記第１キャリア基板と機能素子覆い、少なくとも前記感光性チップの一部側壁を覆うパッケージング層を形成することと、前記第１キャリア基板を除去することと、及び前記第１キャリア基板を除去した後、前記フィルタに隣接する前記パッケージング層の一側に再配線構造を形成して、前記感光性チップのはんだパッド及び前記機能素子のはんだパッドを電気的に接続させることとを含む。本発明は、レンズモジュールの使用性能を向上させ、レンズモジュールの合計の厚さを減少させる。【選択図】図１５

Description

本発明の実施例は、レンズモジュール分野に関し、特に、撮像アセンブリ及びそのパ
ッケージング方法、レンズモジュール、電子機器に関する。
人々の生活レベルの絶え間ない向上に伴い、余暇生活も豊かになり、撮像はますます
人々が旅行及び様々な日常生活を記録するのに一般的に使用される手段となっているの
で、撮像機能を備える電子機器（例えば、携帯電話、タブレットＰＣ、カメラなど）は
、人々の日常生活と仕事にますます多く使用されていて、撮像機能を備える電子機器は
、現代の生活の中で必要で重要なツールとなっている。
撮像機能を備える電子機器には、一般的に、レンズモジュールが設置され、レンズモ
ジュールの設計レベルは、撮像の品質を決定する重要な要素の１つである。レンズモジ
ュールは、一般的に感光性チップを備える撮像アセンブリ及び前記撮像アセンブリ上方
に固定されて、被写体の映像を形成するためのレンズアセンブリを含む。
また、レンズモジュールのイメージング能力を向上させるために、より大きな画像面
積を備える感光性チップを備えなければならず、一般的に前記レンズモジュールには、
レジスタ、コンデンサなどの受動素子及び周辺チップが配置されることもある。
本発明の実施例を解決しようとする課題は、レンズモジュールの使用性能を向上させ
、レンズモジュールの合計の厚さを減少させることができる撮像アセンブリ及びそのパ
ッケージング方法、レンズモジュール、電子機器を提供することである。
上記課題を解決するために、本発明の実施例は、キャリア基板を提供し、はんだパッ
ドを備える感光性チップとフィルタを提供することと、前記感光性チップのはんだパッ
ドに対向する前記フィルタを前記感光性チップに装着することと、はんだパッドを備え
る機能素子と前記フィルタを仮ボンディングする第１キャリア基板を提供し、前記機能
素子のはんだパッドは、前記第１キャリア基板に対向することと、前記第１キャリア基
板と機能素子覆い、少なくとも前記感光性チップの一部側壁を覆うパッケージング層を
形成することと、前記第１キャリア基板を除去することと、及び前記第１キャリア基板
を除去した後、前記フィルタに隣接する前記パッケージング層の一側に再配線構造を形
成して、前記感光性チップのはんだパッド及び前記機能素子のはんだパッドを電気的に
接続させることとを含む撮像アセンブリのパッケージング方法を提供する。
それに対応して、本発明の実施例は、パッケージング層と、及び前記パッケージング
層に嵌め込まれた感光性ユニット、機能素子及び再配線構造とを含み、前記感光性ユニ
ットは、感光性チップ及び前記感光性チップに装着されたフィルタを含み、前記パッケ
ージング層の上面に前記フィルタ及び機能素子を露出し、前記パッケージング層の底面
は、前記機能素子より高く、前記パッケージング層は、少なくとも前記感光性チップの
一部側壁を覆い、ここで、前記感光性チップ及び機能素子はいずれも、はんだパッドを
備え、前記感光性チップのはんだパッドは、前記パッケージング層の上面に対向し、前
記機能素子のはんだパッドは、前記パッケージング層の上面に露出され、前記再配線構
造は、前記フィルタに隣接する前記パッケージング層の一側に位置され、前記再配線構
造は、前記はんだパッドに電気的に接続される撮像アセンブリをさらに提供する。
それに対応して、本発明の実施例は、本発明の実施例による撮像アセンブリと、及び
前記パッケージング層の上面に装着され、また前記感光性ユニット及び機能素子を囲む
ホルダーを含み、前記感光性チップ及び機能素子に電気的に接続されるレンズアセンブ
リとを含むレンズモジュールをさらに提供する。
それに対応して、本発明の実施例は、本発明の実施例によるレンズモジュールを含む
電子機器をさらに提供する。
本発明の実施例による技術的解決手段は、先行技術に比べて、下記のような利点を備
える。
本発明の実施例は、感光性チップと機能素子をパッケージング層に集積させ、また再
配線構造を介して電気的接続を実現し、本発明の実施例は、機能素子を周辺マザーボー
ドに装着する解決手段に比べて、感光性チップと機能素子との間の距離を減少させるこ
とができ、相応に感光性チップと機能素子との間の電気的接続距離を減少させることに
より、信号を伝送する速度を向上させて、レンズモジュールの使用性能を向上させる（
例えば、撮像速度及び保存速度を向上させる）。また、前記パッケージング層及び再配
線構造により、回路基板（例えば、ＰＣＢ）を省略して、レンズモジュールの合計の厚
さを減少させることで、レンズモジュールの小型化、薄型化の要求を満足させる。
本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の他の実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の他の実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の他の実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の他の実施例における各ステップに対応する構造模式図である。 本発明に係るレンズモジュールの一実施例の構造模式図である。 本発明に係る電子機器の一実施例の構造模式図である。
現在、レンズモジュールの使用性能は向上させる必要があり、レンズモジュールは、
レンズモジュールの小型化、薄型化の要求を満足させることができない。その原因を分
析した結果、下記の通りである。
既存のレンズモジュールは、主に回路基板、感光性チップ、機能素子（例えば、周辺
チップ）及びレンズアセンブリで組み立てられ、周辺チップは、一般的に周辺メインボ
ードに装着され、感光性チップと機能素子との間は、互いに分離される。ここで、回路
基板は、感光性チップ、機能素子及びレンズアセンブリに対して支持作用をし、回路基
板を介して前記感光性チップ、機能素子とレンズモジュールとの間の電気的接続を実現
する。
しかし、ハイピクセル、超薄型レンズモジュールの要求に応じて、レンズモジュール
の画像に対する要求もますます高まっており、感光性チップの面積は相応に増加され、
機能素子も相応に多くなって、レンズモジュールのサイズはますます大きくなるので、
レンズモジュールの小型化、薄型化の要求を満足させない。また、感光性チップは、一
般的に、レンズモジュール中のホルダーの内部に設置され、周辺チップは、一般的にホ
ルダーの外部に設置されるので、周辺チップと感光性チップの間には一定の距離がある
ことにより、信号を伝送する速度を減少させる。周辺チップは、一般的に、デジタルシ
グナルプロセッサ（ＤＳＰ：ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）チ
ップとメモリチップを含むので、撮像速度と保存速度に対して悪い影響を与えやすいの
で、レンズモジュールの使用性能を低下させる。
上記の技術的課題を解決するために、本発明の実施例は、感光性チップと機能素子を
パッケージング層に集積させ、また再配線構造を介して電気的接続を実現し、本発明の
実施例は、機能素子を周辺マザーボードに装着する解決手段に比べて、感光性チップと
機能素子との間の距離を減少させることができ、相応に感光性チップと機能素子との間
の電気的接続距離を減少させることにより、信号を伝送する速度を向上させて、レンズ
モジュールの使用性能を向上させる。また、前記パッケージング層及び再配線構造によ
り、回路基板を省略して、レンズモジュールの合計の厚さを減少させることで、レンズ
モジュールの小型化、薄型化の要求を満足させる。
本発明の上記目的、特徴、及び利点がより明確かつ容易に理解されるように、以下、
図面を結びつけて、本発明の具体的な実施例を詳細に説明する。
図１〜図１６は、本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例にお
ける各ステップに対応する構造模式図である。
図１〜図３を参照すると、図２は、図１の１つの感光性チップの拡大図であり、図３
は、図１の１つのフィルタの拡大図である。感光性チップ２００及びはんだパッドを備
えるフィルタ４００を提供し、前記フィルタ４００を前記感光性チップ２００のはんだ
パッドに対向する前記感光性チップ２００に装着する。
前記感光性チップ２００は、イメージセンサチップである。本実施例において、前記
感光性チップ２００は、ＣＭＯＳイメージセンサ（ＣＩＳ：ＣＭＯＳｉｍａｇｅ ｓｅ
ｎｓｏｒ）チップである。他の実施例において、前記感光性チップは、電荷結合素子（
ＣＣＤ：ｃｈａｒｇｅ ｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサチップである
こともできる。
本実施例において、前記感光性チップ２００は、光信号受信面２０１（図２に示され
たように）を備え、前記感光性チップ２００は、前記光信号受信面２０１を介して光放
射感知信号を受信する。具体的に、図２に示されたように、前記感光性チップ２００は
、感光性領域２００Ｃ及び前記感光性領域２００Ｃを囲む周辺領域２００Ｅを含み、前
記光信号受信面２０１は、前記感光性領域２００Ｃに位置される。
前記感光性チップ２００は、複数のピクセルユニットを含むので、感光性チップ２０
０は、複数の半導体感光素子（図示せず）及び半導体感光素子に位置される複数のフィ
ルタコーティング（ｆｉｌｔｅｒ ｃｏａｔｉｎｇ）（図示せず）を含み、フィルタコ
ーティングは、光信号受信面２０１によって受信された光信号を選択的に吸収させたり
通過させる。前記感光性チップ２００は、フィルタのコーティングに位置されるマイク
ロレンズ２１０をさらに含み、マイクロレンズ２１０は、半導体感光素子と一対一に対
応されることによって、受信された光放射信号光を半導体感光素子に集束させる。前記
光信号受信面２０１は、相応に、前記マイクロレンズ２１０の上面である。
前記感光性チップ２００は、一般的に、シリコン基板のチップであり、集積回路製作
技術で製作され、前記感光性チップ２００は、感光性チップ２００と他のチップまたは
部品の電気的接続を実現するためのはんだパッドを備える。本実施例において、前記感
光性チップ２００は、周辺領域２００Ｅに形成される第１チップはんだパッド２２０を
備える。具体的に、光信号受信面２０１の同じ側に位置される感光性チップ２００の表
面は、第１チップはんだパッド２２０を露出させる。
前記フィルタ４００は、前記感光性チップ２００に装着されて、後続的なパッケージ
ング工程が前記光信号受信面２０１を汚染させることを防止し、後続的なレンズモジュ
ールの合計の厚さを減少させ、レンズモジュールの小型化、薄型化の要求を満足させる
ことに有利である。
前記フィルタ４００、赤外線フィルタガラス片または全透過ガラス片であることがで
きる。本実施例において、前記フィルタ４００は、赤外線フィルタガラス片であり、入
射光のうち赤外線が感光性チップ２００の性能への影響を除去する。
具体的に、前記フィルタ４００は、赤外線カットフィルター（ＩＲＣＦ：ｉｎｆｒａ
ｒｅｄ ｃｕｔ ｆｉｌｔｅｒ）であり、前記赤外線カットフィルターは、青色ガラス
赤外線カットフィルターであることができ、またはガラス及び前記ガラス表面に位置さ
れる赤外線カットコーティング（ＩＲ ｃｕｔ ｃｏａｔｉｎｇ）を含む。
本実施例において、前記フィルタ４００は、組み立て面４０１（図１に示されたよう
に）を含む。前記組み立て面４０１は、感光性チップ２００との装着を実現する面であ
り、前記感光性チップ２００と対向する面である。
具体的に、フィルタ４００が青色ガラス赤外線カットフィルターである場合、青色ガ
ラス赤外線カットフィルターの１つの表面には反射防止コーティング（ｒｅｆｅｃｔｉ
ｏｎ ｒｅｄｕｃｉｎｇ ｃｏａｔｉｎｇ）または反射防止膜（ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃ
ｔｉｏｎ ｃｏａｔｉｎｇ）が塗布され、反射防止コーティングまたは反射防止膜の表
面に後ろ向きの面は、組み立て面４０１である。フィルタ４００がガラス及びガラス表
面に位置される赤外線カットコーティングを含む場合、赤外線カットコーティングに後
ろ向けのガラス表面は、組み立て面４０１である。他の実施例において、フィルタが全
透過ガラス片である場合、全透過ガラス片のいずれかの１つの表面は、組み立て面であ
る。
図３に示されたように、前記フィルタ４００は、光透過領域４００Ｃ及び光透過領域
４００Ｃを囲むエッジ領域４００Ｅを含む。後続的にレンズモジュールを形成した後、
前記光透過領域４００Ｃは、外部の入射光を透過させるようにすることにより、光信号
受信面２０１が光信号を受信するようにして、レンズモジュールの正常の使用機能を保
証する。前記エッジ領域４００Ｅは、フィルタ４００と感光性チップ２００の装着のた
めのスペースの位置を残す。
本実施例において、前記フィルタ４００を前記感光性チップ２００に装着した後、前
記フィルタ４００と感光性チップ２００とが感光性ユニット２５０を構成する（図１に
示されたように）。
図１に示されたように、本実施例において、前記フィルタ４００は、通症接着構造４
１０を介して感光性チップ２００に装着され、前記接着構造４１は、前記光信号受信面
２０１を囲む。
前記接着構造４１０は、フィルタ４００と感光性チップ２００を物理的に接続させる
。前記フィルタ４００、接着構造４１０及び感光性チップ２００は、キャビティ（図示
せず）をなし、フィルタ４００と感光性チップ２００の直接的な接触を防止することに
より、フィルタ４００が感光性チップ２００の性能に対して悪い影響を与えることを防
止する。
本実施例において、前記接着構造４１０は、前記光信号受信面２０１を囲むことによ
り、前記光信号受信面２０１上方のフィルタ４００が前記感光性チップ２００の感光性
パスに位置するようにする。
具体的に、前記接着構造４１０の材料は、フォトリソグラフィ可能な材料であり、フ
ォトリソグラフィ工程により前記接着構造４１０を形成することができ、これは接着構
造４１０の形の品質とサイズ精度を向上させ、パッケージ効率及び生産能力を向上させ
ることに有利だけでなく、接着構造４１０の接着強度への影響を低減させることできる
。本実施例において、前記接着構造４１０の材料は、フォトリソグラフィ可能なドライ
フィルム（ｄｒｙ ｆｉｌｍ）である。他の実施例において、前記接着構造の材料は、
フォトリソグラフィ可能なポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、フォトリソグラフィ可
能なポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、またはフォトリソグラフィ可能なベンゾシク
ロブテン（ＢＣＢ）であることもできる。
本実施例において、前記接着構造４１０を形成する工程の難易度を低減させて工程を
簡素化し、前記接着構造４１０の形成工程が光信号受信面２０１に対する影響を減らす
ために、前記フィルタ４００に前記接着構造４１０を形成する。
具体的に、図１に示されたように、前記装着ステップは、第３キャリア基板３４０を
提供することと、前記フィルタ４００の組み立て面４０１に後ろ向きの面を前記第３キ
ャリア基板３４０に仮ボンディングすることと、前記一時的ボンディングステップ後に
、前記フィルタ４００のエッジ領域４００Ｅに環状の接着構造４１０を形成することと
、前記感光性チップ２００の光信号受信面２０１を環状の接着構造４１０に対向するよ
うに、前記感光性チップ２００の周辺領域２００Ｅ（図２に示されたように）を環状の
接着構造４１０に装着させることにより前記感光性ユニット２５０を形成することとを
含む。
前記第３キャリア基板３４０は、前記接着ステップのために工程プラットフォームを
提供する。本実施例において、前記第３キャリア基板３４０は、ウェハキャリア（ｃａ
ｒｒｉｅｒ ｗａｆｅｒ）である。他の実施例において、前記第３キャリア基板は、他
のタイプの基板であることもできる。
具体的に、第１仮ボンディング層３４５を介してフィルタ４００を第３キャリア基板
３４０に仮ボンディングする。前記第１仮ボンディング層３４５は、剥離層として、後
続のデボンディングを実現する。
本実施例において、前記第１仮ボンディング層３４５は、発泡膜である。発泡膜は、
対向する微細粘着面と発泡面を含み、発泡膜は、常温で接着性を備え、発泡面は、第３
キャリア基板３４０に接着されるので、後続的に発泡膜に加熱して、発泡面の接着性を
除去することにより、ボンディングを実現することができる。他の実施例において、前
記第１仮ボンディング層は、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ：ｄｉｅ ａｔｔａｃｈ
ｆｉｌｍ）であることもできる。
図４を参照すると、説明すべき点は、前記装着ステップ後に、前記感光性チップ２０
０の光信号受信面２０１に後ろ向き面をＵＶフィルム３１０に接着させることと、前記
接着ステップ後に、第１デボンディング処理を行い、前記第３キャリア基板３４０を除
去する（図１に示されたように）ことをさらに含む。
前記接着ステップにより、後続的に感光性ユニット２５０（図１に示されたように）
を他のキャリア基板に仮ボンディングのために工程準備をし、前記ＵＶフィルム３１０
は、第３キャリア基板３４０を除去した後に、感光性ユニット２５０に対して支持及び
固定作用を提供する。ここで、ＵＶフィルム３１０は、紫外線の照射で接着力が弱まり
、後続的に前記感光性ユニット２５０を前記ＵＶフィルム３１０から容易に取り外す。
具体的に、前記ＵＶフィルム３１０は、フィルムアプリケータによって前記感光性チ
ップ２００の光信号受信面２０１に後ろ向きの面に密着し、また直径が比較的に大きい
フレーム３１５の底部に接着され、前記フレーム３１５を介してストレッチフィルム作
用することにより、前記感光性ユニット２５０が前記ＵＶフィルム３１０に別に固定さ
れるようにする。前記ＵＶフィルム３１０及びフレーム３１５の具体的な説明について
、本実施例は、ここでは繰り返して説明しない。
本実施例において、前記第１仮ボンディング層３４５（図１に示されたように）は、
発泡膜であるので、第１デボンディング処理のステップにおいて、第１仮ボンディング
層３４５に加熱処理を行い、発泡膜の発泡面の接着性を除去することにより、第３キャ
リア基板３４０を除去する。その後、引き裂き方法で前記第１仮ボンディング層３４５
を除去する。
図５を参照すると、説明すべき点は、前記パッケージング方法は、前記フィルタ４０
０の側壁を覆う応力緩衝層４２０を形成することをさらに含む。
前記応力緩衝層４２０は、後続的に形成されるパッケージング層がフィルタ４００に
対して発生する応力を低減して、フィルタ４００が破裂する確率を低減することにより
、パッケージング工程の信頼性及び品質を向上させ、相応にレンズモジュールの信頼性
を向上させる。特に、フィルタ４００は、赤外線フィルタガラス片または全透過ガラス
片であり、ガラス片は、応力の影響により破裂される可能性が比較的に高いが、応力緩
衝層４２０を介して、フィルタ４００の破裂する確率を顕著に低減することができる。
前記応力緩衝層４２０は、フィルタ４００への接着を確実にするための粘性を有する
。本実施例において、前記応力緩衝層４２０の材料は、エポキシ系接着剤である。エポ
キシ系接着剤は、エポキシ樹脂接着剤（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ ａｄｈｅｓｉｖｅ）
であり、エポキシ系接着剤は、様々な形で有し、組成を変えることで弾性率の異なる材
料を得ることができ、それにより実際の状況に応じて、前記フィルタ４００が受ける応
力を調節することができる。
本実施例において、前記応力緩衝層４２０はまた、接着構造４１０の側壁を覆い、パ
ッケージング層が前記接着構造４１０に対して発生する応力を低減して、パッケージン
グ工程の信頼性及び品質をさらに向上させる。
本実施例において、前記感光性チップ２００の光信号受信面２０１に後ろ向きの面を
前記ＵＶフィルム３１０に接着させた後、ディスペンス工程を介して前記応力緩衝層４
２０を形成する。ディスペンス工程を選択することによって、応力緩衝層４２０を形成
するステップ及び現在のパッケージング工程の互換性を向上させ、工程が簡単である。
他の実施例において、感光性チップとフィルタとが接着される前に、前記応力緩衝層
を形成することもできる。
図６を参照すると、第１キャリア基板３２０を提供し、前記第１キャリア基板３２０
に機能素子（図示せず）と前記フィルタ４００を仮ボンディングし、前記機能素子は、
前記第１キャリア基板３２０に対向するはんだパッド（図示せず）を備える。
機能素子と感光性チップ２００を第１キャリア基板３２０に仮ボンディングすること
により、後続的に機能素子と感光性チップ２００のパッケージング集積と電気的集積の
実現ために工程の準備をする。
仮ボンディング（ＴＢ：ｔｅｍｐｏｒａｒｙ ｂｏｎｄｉｎｇ）の方法によって、後
続的にデボンディングを実現することに便利である。ここで、前記第１キャリア基板３
２０はまた、後続的パッケージング層の形成に工程プラットフォームを提供する。
本実施例において、前記第１キャリア基板３２０は、ウェハキャリアである。他の実
施例において、前記第１キャリア基板は、他のタイプの基板であることもできる。
具体的に、第２仮ボンディング層３２５によって、フィルタ４００と機能素子を第１
キャリア基板３２０に仮ボンディングする。前記第２仮ボンディング層３２５に対する
具体的な説明は、前述した第１仮ボンディング層３４５（図１に示されたように）に対
応する相応の説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
本実施例において、フィルタ４００を第１キャリア基板３２０に仮ボンディングした
後、前記感光性チップ２００の第１チップはんだパッド２２０は、前記第１キャリア基
板３２０に対向する。
具体的に、１つの感光性ユニット２５０（図１に示されたように）の位置側のＵＶフ
ィルム３１０（図５に示されたように）に紫外線を照射して、紫外線照射を受けたＵＶ
フィルム３１０が粘性を失うようにし、指ぬきによって１つの感光性ユニット２５０を
ジャックアップし、その後吸着機器によって前記感光性ユニット２５０を上昇させ、前
記感光性ユニット２５０をＵＶフィルム３１０から順次に剥離させ、前記第１キャリア
基板３２０の予め設定された位置に配置する。前記感光性ユニット２５０を１つずつ第
１キャリア基板３２０に配置することによって、感光性ユニット２５０が前記第１キャ
リア基板３２０での位置精度を向上させることに有利である。
本実施例は、ただ１つの感光性ユニット２５０を示した。他の実施例において、形成
されたレンズモジュールが二重撮像またはアレイモジュール製品に適用される場合、前
記感光性ユニットの数量は複数個であることもある。
説明すべき点は、本実施例において、前記感光性チップ２００とフィルタ４００の装
着を実現した後、前記フィルタ４００を第１キャリア基板３２０に仮ボンディングする
。他の実施例において、フィルタを第１キャリア基板に仮ボンディングした後、前記感
光性チップとフィルタとの装着を実現することができる。
前記機能素子は、撮像アセンブリのうち感光性チップ２００を除いた特定の機能素子
であり、周辺チップ２３０及び受動素子２４０中の少なくとも１つを含む。
本実施例において、後続的に再配線構造を形成する工程の難易度を低減させるために
、機能素子を第１キャリア基板３２０に仮ボンディングした後、前記機能素子のはんだ
パッドは、第１キャリア基板３２０に対向する。
ここで、フィルタ４００を第１キャリア基板３２０に仮ボンディングし、各機能素子
のはんだパッドが第１キャリア基板３２０に対向するようにすることにより、感光性チ
ップ２００と機能素子との厚さの差がパッケージング層の形成に対する工程への影響を
防止し、後続的にパッケージング層を形成する工程の複雑さを低減することに有利であ
る。
本実施例において、前記機能素子は、周辺チップ２３０と受動素子２４０を含む。
前記周辺チップ２３０は、能動素子であり、後続的に感光性チップ２００との電気的
に接続を実現した後、前記感光性チップ２００にアナログ電源回路、デジタル電源回路
、電圧緩衝回路、シャッター回路、シャッター駆動回路などのような周辺回路を提供す
る。
本実施例において、前記周辺チップ２３０は、デジタルシグナルプロセッサチップと
メモリチップ中の１つまたは２つを含む。他の実施例において、前記周辺チップは、他
のタイプのチップを含むこともできる。図６は、ただ１つの周辺チップ２３０を示すが
、周辺チップ２３０の数は、１つだけに限定されない。
前記周辺チップ２３０は、一般にシリコン基板のチップであり、集積回路製作技術で
製作され、前記周辺チップ２３０と他のチップまたは部品の電気的接続を実現するため
のはんだパッドも備える。本実施例において、前記周辺チップ２３０は、第２チップは
んだパッド２３５を含み、前記周辺チップ２３０を第１キャリア基板３２０に仮ボンデ
ィングした後、前記第２チップはんだパッド２３５は、第１キャリア基板３２０に対向
する。
前記受動素子２４０は、感光性チップ２００の感光性作業に対して特定の作用をする
。前記受動素子２４０は、レジスタ、キャパシタンス、インダクタンス、ダイオード、
三極管、ポテンショメータ、リレーまたはドライバなどの体積が比較的に小さい電子素
子を含むことができる。図６は、ただ１つの受動素子２４０を示したが、前記受動素子
２４０の数は、１つだけに限定されない。
前記受動素子２４０は、前記受動素子２４０と他のチップまたは部品との電気的接続
を実現するためのはんだパッドも備える。本実施例において、前記受動素子２４０のは
んだパッドは、電極２４５である。前記受動素子２４０を第１キャリア基板３２０に仮
ボンディングした後、前記電極２４５は、第１キャリア基板３２０に対向する。
図７及び図８を参照すると、前記第１キャリア基板３２０と機能素子（図示せず）を
覆い、また少なくとも前記感光性チップ２００の一部側壁を覆うパッケージング層３５
０（図８に示されたように）を形成する。
前記パッケージング層３５０は、感光性チップ２００と機能素子（例えば、周辺チッ
プ２３０、受動素子２４０）に対して固定作用をして、感光性チップ２００と機能素子
のパッケージング集積を実現するようにする。
ここで、パッケージング層３５０を介して、レンズアセンブリのホルダーが占めるス
ペースを減少させることができ、回路基板（例えば、ＰＣＢ）を省略することができる
ことにより、後続的に、レンズモジュールを形成する合計の厚さを顕著に減少させ、レ
ンズモジュールの小型化、薄型化の要求を満足させる。また、機能素子を周辺マザーボ
ードに装着する解決手段に比べて、感光性チップと機能素子の両方をパッケージング層
３５０に集積させる方式は、感光性チップ２００と各機能素子の間の距離を減少させる
ことができ、相応に感光性チップと各機能素子との間の電気的接続距離を短縮させるこ
とに有利であることにより、信号を伝送する速度を向上させ、レンズモジュールの使用
性能を向上させる（例えば、撮像速度、保存速度を向上させる）。
前記パッケージング層３５０の材料は、絶縁、シール及び防湿作用もすることができ
るので、レンズモジュールの信頼性を向上させることにも有利である。
本実施例において、前記パッケージング層３５０の材料は、エポキシ樹脂である。エ
ポキシ樹脂は、低収縮性、優れた接着性、優れた耐食性、優れた電気的性質及び低コス
トなどの利点を有しているので、電子デバイスおよび集積回路用の封止材として広く使
用される。
具体的に、射出成形（ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｍｏｌｄｉｎｇ）工程を介して前記パッ
ケージング層３５０を形成する。射出成形工程は、生産速度が速く、効率が高く、操作
の自動化が可能などの特徴を備え、生産量を向上させ、工程コストを削減させることに
有利である。他の実施例において、他の成形工程を使用して前記パッケージング層を形
成することができる。
本実施例において、前記パッケージング層３５０を形成するステップは、前記第１キ
ャリア基板３２０、機能素子及び感光性チップ２００を覆う材料パッケージング層３５
５（図７に示されたように）を形成することと、及び前記材料パッケージング層３５５
に研削（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）処理を行って、前記感光性ユニット２５０と機能素子のう
ち最も高い方と面一にする前記パッケージング層３５０を形成することとを含む。
前記平坦化処理によりパッケージング層３５０の厚さを減少させることにより、形成
されたレンズモジュールの合計の厚さを減少させる。
フィルタ４００が第１キャリア基板３２０に仮ボンディングされるので、前記材料パ
ッケージング層３５５を形成する過程において、金型をカスタマイズする必要がなく、
工程が簡単である。
本実施例において、前記感光性ユニット２５０の合計の厚さは、機能素子の厚さより
大きいので、前記平坦化処理した後、前記パッケージング層３５０の第１キャリア基板
３２０に後ろ向きの面と感光性チップ２００の第１キャリア基板３２０に後ろ向きの面
は面一にし、即ち、前記パッケージング層３５０は、前記感光性チップ２００の側壁を
覆う。
本実施例において、相応に、前記パッケージング層３５０は、前記フィルタ４００の
側壁さらに覆うことにより、前記感光性ユニット２５０のキャビティシール性を向上さ
せ、水蒸気、酸化性ガスなどが前記キャビティ内に入る確率を減らして、感光性チップ
２００の性能を保証する。
説明すべき点は、前記パッケージング層３５０の作用の下で、回路基板を省略するこ
とにより、レンズモジュールの厚さを減少させる効果を発生するので、感光性チップ２
００及び周辺チップ２３０の薄化処理を行う必要がなく、それにより前記感光性チップ
２００及び周辺チップ２３０の機械的強度と信頼性を向上させる。他の実施例では、工
程の要求に応じて、前記感光性チップ及び周辺チップの厚さを適切に減少させることが
できるが、その機械的強度及び信頼性に影響を受けないように薄化量が比較的に少ない
。
図９を参照すると、第２デボンディング処理により、前記第１キャリア基板３２０（
図８に示されたように）を除去する。
前記第１キャリア基板３２０を除去して、前記機能素子のはんだパッドを露出するこ
とにより、後続の電気的工程のために工程の準備をする。
本実施例において、前記第２デボンディング処理のステップは、前記第１キャリア基
板３２０と第２仮ボンディング層３２５（図８に示されたように）を順次に除去するこ
とを含む。前記第２デボンディング処理に対する具体的な説明は、前述した前記第１デ
ボンディングに対する処理に関連する説明を参照することができ、ここでは繰り返して
説明しない。
図１０〜図１４を参照すると、前記第１キャリア基板３２０（図８に示されたように
）を除去した後、前記フィルタ４００に隣接する前記パッケージング層３５０の一側に
再配線（ＲＤＬ：ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）構造３６０（図１４に
示されたように）を形成し、前記感光性チップ２００のはんだパッド及び前記機能素子
（図示せず）のはんだパッド（図示せず）を電気的に接続させる。
前記再配線構造３６０は、撮像アセンブリを形成する電気的集積を実現する。ここで
、前記パッケージング層３５０と再配線構造３６０によって、前記感光性チップ２００
との間の距離を減少させ、相応に電気的に接続の距離を減少させることにより、信号伝
送の速度を向上させ、レンズモジュールの使用性能を向上させる。具体的に、前記周辺
チップ２３０は、デジタルシグナルプロセッサチップとメモリチップ中の１つまたは２
つを含み、相応に撮像速度及び保存速度を向上させることに有利である。
また、再配線構造３６０を選択することにより、前記感光性チップ２００と機能素子
との間の距離を減少させながら、電気的に接続工程の実現可能性を向上させ、ワイヤボ
ンディング工程と比較して、再配線構造３６０は、大量生産を実現し、パッケージング
効率を向上させる。
なお、フィルタ４００に隣接する前記パッケージング層３５０の一側に前記再配線構
造３６０を形成して、後続的にレンズアセンブリを前記パッケージング層３５０に組立
てた後に、前記再配線構造３６０は、相応にレンズアセンブリのホルダーに位置されて
、再配線構造３６０が保護されるようにし、レンズモジュールの信頼性及び安定性を向
上させることに有利であり、レンズモジュールの後続的パッケージングに便利である。
本実施例において、前記再配線構造３６０は、前記第１チップはんだパッド２２０、
第２チップはんだパッド２３５及び電極２４５に電気的に接続される。ここで、前記パ
ッケージング層３５０は、前記第２チップはんだパッド２３５と電極２４５を露出する
ので、前記再配線構造３６０を形成する工程は比較的に簡単である。
具体的に、前記再配線構造３６０を形成するステップは、下記のことを含む。
図１０及び図１１を参照すると、前記パッケージング層３５０内に導電性ピラー２８
０（図１１に示されたように）を形成して、前記感光性チップ２００のはんだパッドに
電気的に接続される。
前記導電性ピラー２８０は、前記第１チップはんだパッド２２０に電気的に接続され
、前記感光性チップ２００の外部電極として使用され、後続的に前記感光性チップ２０
０は、前記導電性ピラー２８０によって機能素子と電気的接続を実現する。ここで、前
記導電性ピラー２８０は、前記感光性チップ２００中の金属相互接続構造と電気的に接
続されることができ、前記感光性チップ２００を貫通し、また前記第１チップはんだパ
ッド２２０と直接に電気的に接続されることもできる。
前記導電性ピラー２８０の上面は、前記パッケージング層３５０から露出され、前記
導電性ピラー２８０によって、前記感光性チップ２００の外部電極と機能素子のはんだ
パッドを前記パッケージング層３５０の同じ側に位置されるようにすることにより、前
記再配線構造を形成する工程の難易度を低減する。前記導電性ピラー２８０の上面とは
、前記導電性ピラー２８０の延長方向に沿って、前記導電性ピラー２８０の感光性チッ
プ２００に後ろ向きの面である。
本実施例において、前記導電性ピラー２８０の材料は銅であり、それにより、前記導
電性ピラー２８０の導電性能を恒常させ、前記導電性ピラー２８０を形成する工程の難
易度を低減させる。他の実施例において、前記導電性ピラーの材料は、タングステンの
ような他の適用可能な導電性材料であることもできる。
具体的に、導電性ピラー２８０を形成するステップは、前記パッケージング層３５０
をパターン化し、前記パッケージング層３５０内に前記感光性チップの第１チップはん
だパッド２２０を露出する導電性ビアホール３５１（図１０に示されたように）を形成
することと、前記導電性ビアホール３５１内に前記導電性ピラー２８０を形成すること
とを含む。
本実施例において、エッチング工程により前記導電性ビアホール３５１を形成する。
具体的に、レーザーエッチング工程により前記パッケージング層３５０をエッチングし
て、前記導電性ビアホール３５１を形成する。レーザーエッチング工程の精度は比較的
に高く、前記導電性ビアホール３５１の形成位置及びサイズを比較的正確に決定するこ
とができる。
本実施例において、電気メッキ工程を利用して前記導電性ビアホール３５１内に前記
導電性ピラー２８０を形成する。
導電性ピラーを導電性ビアホール内にボンディングする解決手段に比べて、本実施例
は、充填方法により前記導電性ビアホール３５１内に導電性ピラー２８０を形成し、導
電性ピラー２８０を形成する工程の難易度を低減し、アライメントの問題を防止し、導
電性ピラー２８０と第１チップはんだパッド２２０の電気的接続の信頼性を向上させる
。
図１２〜図１４を参照すると、前記フィルタ４００に隣接する前記パッケージング層
３５０の一側に相互接続線２９０を形成し、前記導電性ピラー２８０と機能素子のはん
だパッドを電気的に接続させる。
本実施例において、前記相互接続線２９０を形成するステップは、下記のことを含む
。
図１２に示されたように、第２キャリア基板３３０を提供し、前記第２キャリア基板
３３０に前記相互接続線２９０を形成する。
具体的に、第２キャリア基板３３０に第３仮ボンディング層３３１を形成し、第３仮
ボンディング層に第１誘電体層３３２を形成し、第１誘電体層３３２をパターン化して
、前記第１誘電体層３３２内に第１相互接続トレンチ（図示せず）を形成し、前記第１
相互接続トレンチ内に前記相互接続線２９０を形成する。
本実施例において、前記相互接続線２９０は前記第１相互接続トレンチ内に充填され
、相応に前記相互接続線２９０を形成する工程の複雑さを低減する。
ここで、前記第３仮ボンディング層３３１は、剥離層として、後続的に前記相互接続
線２９０と第２キャリア基板３３０を容易に分離させることができる。本実施例におい
て、前記第３仮ボンディング層３３１は、発泡膜であることができ、前記第３仮ボンデ
ィング層３３１に対する具他的な説明は、前述した第２仮ボンディング層３４５（図１
に示されたように）の相応する説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明し
ない。
前記第１誘電体層３３２内の第１相互接続トレンチは、前記相互接続線２９０の形状
、位置及びサイズを定義する。本実施例において、前記第１誘電体層３３２の材料は、
感光性材料であり、それに対応して、リソグラフィー工程を介してパターン化を実現す
ることができる。具体的に、第１誘電体層３３２の材料は、感光性ポリイミド、感光性
ベンゾシクロブテンまたは感光性ポリベンゾオキサゾールである。
前記材料の第１誘電体層３３２は比較的に高い耐腐食性を有するので、本実施例にお
いて、前記相互接続線２９０を形成した後、反応性イオンエッチング工程を使用して第
１誘電体層３３２を除去することにより、後続の電気的接続工程のために工程基盤を提
供する。
説明すべき点は、他のある実施例において、前記第２キャリア基板に第３仮ボンディ
ング層を形成する前に、前記第２キャリア基板にパッシベーション層を形成することを
さらに含む。前記パッシベーション層を介して前記第２キャリア基板が汚染される確率
を低減して、前記第２キャリア基板が重複に使用されるようにする。本実施例において
、前記パッシベーション層の材料は、酸化ケイ素または窒化ケイ素であることができる
。
また説明すべき点は、他の実施例において、前記相互接続線がエッチングによって容
易にパターン化を実現する材料（例えば、アルミニウム）を選択した場合、エッチング
方法によって前記相互接続線を形成することもできる。それに対応して、前記相互接続
線を形成するステップは、前記第３仮ボンディング層に導電層を形成することと、前記
導電層をエッチングして相互接続線を形成することを含む。
図１３及び図１４に示されたように、本実施例において、前記再配線構造３６０（図
１４に示されたように）を形成するステップは、前記導電性ピラー２８０と機能素子の
はんだパッドに導電性バンプ３６５を形成することと、前記相互接続線２９０を前記導
電性バンプ３６５にボンディングさせ、前記導電性バンプ３６５と電気的に接続するこ
ととをさらに含む。
前記導電性ピラー２８０、導電性バンプ３６５及び相互接続線２９０は、前記再配線
構造３６０を構成する。
前記導電性バンプ３６５は、導電性ピラー２８０、第２チップはんだパッド２３５及
び電極２４５から突出され、前記導電性バンプ３６５により、相互接続線２９０と導電
性ピラー２８０、第２チップはんだパッド２３５及び電極２４５との間のボンディング
信頼性を向上させる。
また、導電性ピラー２８０、第２チップはんだパッド２３５及び電極２４５に導電性
バンプ３６５を形成する方法により、導電性バンプ３６５の位置精度の向上させ、前記
導電性バンプ３６５を形成する工程の難易度を低減することに有利である。
本実施例において、バンピング工程（Ｂｕｍｐｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を利用して
前記導電性バンプ３６５を形成する。バンピング工程を選択することにより、各チップ
及び素子と前記再配線構造３６０との間の信号伝送の信頼性を向上させることに有利で
ある。具体的に、前記導電性バンプ３６５の材料は、スズであることができる。
本実施例において、メタルボンディング工程を利用して相互接続線２９０を導電性バ
ンプ３６５にボンディングさせる。
具体的に、前記メタルボンディング工程は、熱圧着工程である。前記メタルボンディ
ング工程において、相互接続線２９０と導電性バンプ３６５の接触面は、圧力の作用の
下で、塑性変形して、接触面の原子がお互いに接触するようにし、ボンディング温度の
上昇するにつれて、接触面の原子拡散が加速して、クロスボーダー拡散を実現する。あ
るボンディング時間に達すると、接触面の格子が再結合し、それによりボンディングを
実現し、またボンディング強度、導電性及び熱伝導性、エレクトロマイグレーション耐
性及び機械的接続特性が比較的に高い。
説明すべき点は、ボンディング温度の上昇につれて、接触面の原子はより多いエネル
ギーを獲得し、原子間の拡散はより明白になり、ボンディング温度の上昇は結晶粒子成
長も促進し、エネルギーを得ることができる結晶粒子はインタフェースを超えて成長す
ることができ、インターフェースを除去し、接触面の材料を一体化するのに有利である
。しかし、ボンディング温度が高すぎると、前記感光性チップ２００及び周辺チップ２
３０の性能に、特に形成されたアセンブリの敏感素子に、悪影響を及ぼし易い。また工
程温度が高すぎると、アライメント精度の低下、工程コストの増加、生産効率の低下な
どの問題を引き起こす。そのために、本実施例において、前記メタルボンディング工程
は、金属低温ボンディング工程であり、前記メタルボンディング工程のボンディング温
度は、２５０℃より小さいか等しい。ここで、ボンディング温度の最低値は、ボンディ
ングを実現できればよい。
前記ボンディング温度の設定の下で、圧力を増加して、原子の間の相互拡散をより容
易にすることにより、前記相互接続線２９０と導電性バンプ３６５のボンディング品質
を向上させる。そのために、本実施例において、前記メタルボンディング工程の圧力は
２００ｋＰａより大きいか等しい。ここで、前記圧力は、プレスツールによって発生す
る。
ボンディング時間を増加すると、ボンディング品質も状況させることができる。その
ために、本実施例において、前記メタルボンディング工程ボンディング時間は、３０ｍ
ｉｎより大きいか等しい。
説明すべき点は、実際の工程において、前記ボンディング温度、圧力及びボンディン
グ時間を合理的に調整することができ、また相互協力することにより、金属ボンディン
グの品質と効率を保証する。また説明すべき点は、接触面の酸化または汚染の可能性を
減らすために、真空環境で前記メタルボンディング工程を実行することができる。
また説明すべき点は、他の実施例において、前記第２キャリア基板に前記相互接続線
を形成した後、前記相互接続線に前記導電性バンプを形成することもできる。それに対
応して、メタルボンディング工程を利用して、前記導電性バンプを対応する前記導電性
ピラーと機能素子のはんだパッドにボンディングし、前記導電性ピラー、導電性バンプ
及び相互接続線は、前記再配線構造を構成する。
当該実施例において、前記相互接続線に導電性バンプを形成するステップは、前記第
２キャリア基板と相互接続線を覆う第２誘電体層を形成することと、前記第２誘電体層
をパターン化し、前記第２誘電体層内に相互接続ビアホールを形成し、部分的の前記相
互接続線を露出することと、電気メッキ工程を利用して、前記相互接続ビアホール内に
前記導電性バンプを形成することと、及び前記第２誘電体層を除去することとを含む。
それに対応して、前記導電性バンプの材料は、前記導電性ピラーと相互接続層の材料
と同じであることもできる。
前記導電性バンプを形成した後、反応性イオンエッチング工程を使用して前記第２誘
電体層を除去する。
前記第２誘電体層に対する説明は、前述した第１誘電体層の相応する説明を参照する
ことができ、ここでは繰り返して説明しない。
本実施例において、前記再配線構造３６０を形成した後、第３デボンディング処理を
行い、前記第２キャリア基板３３０と第３仮ボンディング層３３１を除去する。前記第
３デボンディング処理に対する具体的な説明は、前述した第１デボンディング処理に対
する関連する説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
図１５を参照すると、前記第３デボンディング処理後に、前記パッケージング層３５
０にダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）処理を行うことをさらに含む。
ダイシング処理を介してサイズが工程の要求に合致する１つの撮像アセンブリ２６０
を形成することにより、後続的にレンズアセンブリを装着するために工程の準備をする
。本実施例において、レーザー切断工程を用いて前記ダイシング処理を行う。
図１６を参照すると、前記再配線構造３６０を形成した後に、前記再配線構造３６０
にＦＰＣ基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ、フ
レキシブル回路基板）５１０をボンディングさせることをさらに含む。
前記ＦＰＣ基板５１０は、回路基板を省略した場合、前記撮像アセンブリ２６０と後
続的なレンズアセンブリとの間の電気的に接続、及び形成されたレンズモジュールと他
の素子との間の電気的に接続を実現する。後続的に、レンズモジュールを形成した後、
前記レンズモジュールはまた、前記ＦＰＣ基板５１０を介して電子機器中の他の素子と
電気的に接続することにより、電子機器の正常な撮像機能を実現する。
本実施例において、前記ＦＰＣ基板５１０に回路構造が備えので、メタルボンディン
グ工程を介して前記ＦＰＣ基板５１０を、前記再配線構造３６０にボンディングさせる
ことにより、電気的に接続を実現する。具体的に、前記ＦＰＣ基板５１０を、前記相互
接続線２９０にボンディングさせる。
本実施例において、工程の可能性を向上させるために、前記第３デボンディング処理
及びダイシング処理した後、前記再配線構造３６０に前記ＦＰＣ基板５１０をボンディ
ングさせる。
説明すべき点は、前記ＦＰＣ基板５１０には、前記ＦＰＣ基板５１０と他の回路素子
を電気的に接続させるコネクタ（ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ）５２０が形成される。レンズモ
ジュールが電子機器に適用される場合には、前記コネクタ５２０は、前記電子機器のマ
ザーボードに電気的に接続されることにより、前記レンズモジュールと前記電子機器中
の他の素子との間の情報の伝送を実現し、前記レンズモジュールのイメージ情報を前記
電子機器に送信する。具体的に、前記コネクタ５２０は、ゴールドフィンガーコネクタ
であることができる。
図１７〜図２０は、本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の他の実施例
における各ステップに対応する構造模式図である。
本実施例と前述した実施例の同じ部分は、ここでは繰り返して説明しない。本実施例
と前述した実施例の異なる部分としては、前記再配線構造３６０ａを形成するステップ
は、同じステップにおいて前記導電性ピラー２８０ａと相互接続線２９０ａを形成する
ことを含むことである。
具体的に、図１７を参照すると、前記パッケージング層２５０ａをパターン化し、前
記パッケージング層２５０ａ内に前記第１チップはんだパッド２２０ａを露出する導電
性ビアホール３５１ａを形成する。
本実施例において、レーザーエッチング工程により前記導電性ビアホール３５１ａを
形成する。前記導電性ビアホール３５１ａを形成するステップに対する具体的な説明は
、前述した実施例中の相応する説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明し
ない。
図１８を参照すると、前記パッケージング層３５０ａ、フィルタ（図示せず）と機能
素子（図示せず）を覆う第３誘電体層３３２ａを形成し、前記第３誘電体層３３２ａは
また、導電性ビアホール３５１ａ内に位置され、前記第３誘電体層３３２ａをパターン
化し、前記導電性ビアホール３５１ａ内の第３誘電体層３３２ａ、及び前記パッケージ
ング層３５０ａの上部より高い部分的の領域の第３誘電体層３３２ａを除去し、前記第
３誘電体層３３２ａ内に前記第２チップはんだパッド２３５ａと電極２４５ａを露出し
、前記導電性ビアホール３５１ａと連通する第２相互接続トレンチ３３８ａを形成する
。
前記第３誘電体層３３２ａに対する具体的な説明は、前述した実施例における第１誘
電体層の相応する説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
図１９を参照すると、前記第２相互接続トレンチ３３８ａ（図１８に示されたように
）と導電性ビアホール３５１ａ（図１８に示されたように）内に導電性材料を充填し、
前記導電性ビアホール３５１ａ内に導電性ピラー２８０ａを形成し、前記第２相互接続
トレンチ３３８ａ内に相互接続線２９０ａを形成し、前記相互接続線２９０ａと導電性
ピラー２８０ａは一体構造の前記再配線構造３６０ａを構成する。
本実施例において、電気メッキ工程により前記導電性ビアホール３５１ａ内に導電性
ピラー２８０ａを形成し、前記第２相互接続トレンチ３３８ａ内に相互接続線２９０ａ
を形成する。
図２０を参照すると、前記第３誘電体層３３２ａ（図１９に示されたように）を除去
する。
本実施例において、反応性イオンエッチング工程を使用して前記第３誘電体層３３２
ａを除去する。
本実施例による前記パッケージング方法に対する具体的な説明は、前述した実施例中
の相応する説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
それに対応して、本発明の実施例は、撮像アセンブリをさらに提供する。続いて図１
６を参照すると、本発明の撮像アセンブリの一実施例の構造模式図を示す。
前記撮像アセンブリ２６０は、パッケージング３５０層と、及び前記パッケージング
層３５０に嵌め込まれた感光性ユニット２５０（図１に示されたように）、機能素子（
図示せず）及び再配線構造３６０とを含み、前記感光性ユニット２５０は、感光性チッ
プ２００及び前記感光性チップ２００に装着されたフィルタ４００を含み、前記パッケ
ージング層３５０の上面は、前記フィルタ４００及び機能素子を露出し、前記パッケー
ジング層３５０の底面は、前記機能素子より高く、前記パッケージング層３５０は、少
なくとも前記感光性チップ２００の一部側壁を覆い、ここで、前記感光性チップ２００
及び機能素子はすべて、はんだパッドを備え、前記感光性チップ２００のはんだパッド
は、前記パッケージング層３５０の上面に対向し、前記機能素子のはんだパッドは、前
記パッケージング３５０層の上面に露出され、前記再配線構造３６０は、前記フィルタ
４００に隣接する前記パッケージング層３５０の一側に位置され、前記再配線構造３６
０は、前記はんだパッドに電気的に接続される。
前記パッケージング層３５０は、感光性チップ２００及び機能素子に対して固定作用
をして、感光性チップ２００及び機能素子のパッケージング集積を実現するようにする
。ここで、パッケージング層３５０を介して、レンズアセンブリのホルダーが占めるス
ペースを減少させることができ、回路基板を省略することもできることにより、レンズ
モジュールの厚さを減少させ、レンズモジュールの小型化、薄型化の要求を満足させる
。
前記パッケージング層３５０の材料は、成形材料であり、絶縁、シール及び防湿作用
もすることができるので、レンズモジュールの信頼性も向上させることにも有利である
。本実施例において、前記パッケージング層３５０の材料は、エポキシ樹脂である。
本実施例において、前記パッケージング層３５０は、対向する上面と底面を含む。こ
こで、前記パッケージング層３５０の上面は、レンズアセンブリを装着するための面で
ある。
本実施例において、前記パッケージング層３５０の底面は、前記感光性ユニット２５
０と機能素子のうち最も高い方に面一にする。それに対応して、前記パッケージング層
３５０の形成工程が感光性チップ２００と機能素子との間の厚さの差による影響を受け
ることを防止し、前記パッケージング層３５０の製造過程において、金型をカスタマイ
ズする必要がなく、工程が簡単である。
本実施例において、前記感光性ユニット２５０の合計の厚さは、機能素子の厚さより
大きいので、前記パッケージング層３５０の底面と前記感光性チップ２００の前記フィ
ルタ４００に後ろ向きの面は面一にし、即ち、前記パッケージング層３５０は、前記感
光性チップ２００の側壁を覆う。
それに対応して、前記パッケージング層３５０は、前記フィルタ４００の側壁さらに
覆うことにより、前記感光性ユニット２５０のキャビティシール性を向上させ、水蒸気
、酸化性ガスなどが前記キャビティ内に入る確率を減らして、感光性チップ２００の性
能を保証する。
前記感光性チップ２００は、イメージセンサチップである。本実施例において、前記
感光性チップ２００は、ＣＭＯＳイメージセンサチップである。他の実施例において、
前記感光性チップは、ＣＣＤイメージセンサチップであることもできる。
本実施例において、前記感光性チップ２００は、感光性領域２００Ｃ（図２に示され
たように）及び前記感光性領域２００Ｃを囲む周辺領域２００Ｅ（図２に示されたよう
に）を含み、前記感光性チップ２００は、前記感光性領域２００Ｃに位置される光信号
受信面２０１をさらに備える。
前記感光性チップ２００は、一般に、シリコン基板のチップであり、感光性チップ２
００のはんだパッドは、感光性チップ２００と他のチップまたは部品との電気的接続を
実現する。本実施例において、前記感光性チップ２００は、周辺領域２００Ｅに位置さ
れる第１チップはんだパッド２２０を備え、第１チップはんだパッド２２０は、パッケ
ージング層３５０の上面に対向する。
前記フィルタ４００は、感光性チップ２００に装着されて、パッケージング工程が光
信号受信面２０１を汚染させることを防止し、且つレンズモジュールの合計の厚さを減
少させることで、レンズモジュールの小型化、薄型化の要求を満足させる。
レンズモジュールの正常な機能を実現するために、前記フィルタ４００は、赤外線フ
ィルタガラス片または全透過ガラス片であることができる。本実施例において、前記フ
ィルタ４００は、赤外線フィルタガラス片であり、入射光のうち赤外線が感光性チップ
２００の性能への影響を除去し、イメージング効果の向上に有利である。
本実施例において、前記フィルタ４００を接着構造４１０を介して前記感光性チップ
２００に装着し、前記接着構造４１０は、前記光信号受信面２０１を囲む。前記接着構
造４１０は、前記フィルタ４００と感光性チップ２００との物理接続を実現する。また
フィルタ４００と感光性チップ２００との直接的な接触を防止することにより、前記感
光性チップ２００の性能に対する悪影響を与えることを防止する。
本実施例において、前記接着構造４１０の材料は、フォトリソグラフィ可能なドライ
フィルムである。他の実施例において、前記接着構造の材料は、フォトリソグラフィ可
能なポリイミド、フォトリソグラフィ可能なポリベンゾオキサゾール、またはフォトリ
ソグラフィ可能なベンゾシクロブテンであることもできる。
本実施例において、前記接着構造４１０は、前記光信号受信面２０１を囲むことによ
り、前記光信号受信面２０１の上方のフィルタ４００が前記感光性チップ２００の感光
性パスに位置するようにして、前記感光性チップ２００の性能を保証する。
説明すべき点は、本実施例は、ただ１つの感光性ユニット２５０を示した。他の実施
例において、レンズモジュールが二重撮像またはアレイモジュール製品に適用される場
合、感光性ユニットの数量は複数個であることもある。
また説明すべき点は、パッケージング層３５０がフィルタ４００の側壁を覆うので、
前記撮像アセンブリ２６０は、前記パッケージング層３５０とフィルタ４００の側壁と
の間に位置される応力緩衝層４２０をさらに含む。前記応力緩衝層４２０は、パッケー
ジング層３５０がフィルタ４００に対して発生する応力低減して、フィルタ４００が破
裂する確率を低減することにより、レンズモジュールの信頼性を向上させる。
本実施例において、前記応力緩衝層４２０の材料は、エポキシ系接着剤である。
本実施例において、前記応力緩衝層４２０はまた、前記パッケージング層３５０と前
記接着構造４１０の側壁との間に位置されることにより、パッケージング層３５０が前
記接着構造４１０に発生する応力を減少させて、前記撮像アセンブリ２６０の信頼性及
び品質をさらに向上させることに有利である。
前記機能素子は、撮像アセンブリの感光性チップ２００を除いた特定の機能を備える
素子であり、周辺チップ２３０及び受動素子２４０の少なくとも１つを含む。
本実施例において、前記機能素子は、周辺チップ２３０及び受動素子２４０を含む。
本実施例において、前記機能素子のはんだパッドは、前記パッケージング層３５０の
上面に露出されることにより、相互接続構造３６０を形成する工程の複雑さを低減する
。
前記周辺チップ２３０は、能動素子であり、感光性チップ２００にアナログ電源回路
、デジタル電源回路、電圧緩衝回路、シャッター回路、シャッター駆動回路などのよう
な周辺回路を提供する。
本実施例において、前記周辺チップ２３０は、デジタルシグナルプロセッサチップと
メモリチップ中の１つまたは２つを含む。他の実施例において、前記周辺チップは、他
のタイプのチップを含むこともできる。図１６は、ただ１つの周辺チップ２３０を示す
が、周辺チップ２３０の数は、１つだけに限定されない。
前記周辺チップ２３０は、一般にシリコン基板のチップであり、前記周辺チップ２３
０のはんだパッドは、前記周辺チップ２３０と他のチップまたは部品の電気的接続を実
現する。本実施例において、前記周辺チップ２３０は、前記パッケージング層３５０の
上面に露出される第２チップはんだパッド２３５を含む。
前記受動素子２４０は、前記感光性チップ２００の感光性作業に対して特定の作用を
する。前記受動素子２４０は、レジスタ、キャパシタンス、インダクタンス、ダイオー
ド、三極管、ポテンショメータ、リレーまたはドライバなどの体積が比較的に小さい電
子素子を含むことができる。図１６は、ただ１つの受動素子２４０を示したが、前記受
動素子２４０の数は、１つだけに限定されない。
前記受動素子２４０のはんだパッドは、前記受動素子２４０と他のチップまたは部品
の電気的接続を実現する。本実施例において、前記受動素子２４０のはんだパッドは、
電極２４５であり、前記電極２４５は、前記パッケージング層３５０の上面に露出され
る。
前記再配線構造３６０は、撮像アセンブリを形成する電気的集積を実現する。前記再
配線構造３６０とパッケージング層３５０によって、レンズモジュールの使用性能（例
えば、撮像速度、保存速度を向上させる）を向上させる。また、再配線構造３６０によ
って、電気的に接続工程の可能性及びパッケージ効率を向上させる。
前記再配線構造３６０は、フィルタ４００に隣接するパッケージング層３５０の一側
に位置され、レンズアセンブリをパッケージング層３５０の上面に装着した後、前記再
配線構造３６０は、相応にレンズアセンブリのホルダーに位置され、レンズモジュール
の信頼性及び安定性を提供することに有利であり、またレンズモジュールの後続のパッ
ケージングに便利である。
本実施例において、前記再配線構造３６０は、前記第１チップはんだパッド２２０、
第２チップはんだパッド２３５及び電極２４５に電気的に接続される。
感光性チップ２００の第１チップはんだパッド２２０は、フィルタ４００に対向し、
即ち、第１チップはんだパッド２２０は、パッケージング層３５０の上面に対向し、第
２チップはんだパッド２３５と電極２４５は、パッケージング層３５０の上面に露出さ
れるので、前記再配線構造３６０は、パッケージング層３５０内に位置され、第１チッ
プはんだパッド２２０に電気的に接続される導電性ピラー２８０と、第２チップはんだ
パッド２３５、電極２４５及び導電性ピラー２８０に位置され、第２チップはんだパッ
ド２３５、電極２４５及び導電性ピラー２８０に電気的に接続される相互接続線２９０
とを含む。
前記導電性ピラー２８０は、前記第１チップはんだパッド２２０に電気的に接続され
、感光性チップ２００の外部電極と第２チップはんだパッド２３５及び電極２４５がパ
ッケージング層３５０の同じ側に位置されるようにして、感光性チップ２００、周辺チ
ップ２３０と受動素子２４０との間の電気的接続を実現する。ここで、前記導電性ピラ
ー２８０は、前記感光性チップ２００中の金属相互接続構造と電気的に接続されること
ができ、前記感光性チップ２００を貫通し、また前記第１チップはんだパッド２２０と
直接に電気的に接続されることもできる。
本実施例において、前記導電性ピラー２８０と相互接続線２９０の材料はすべて銅で
ある。銅材料を選択することにより、再配線構造３６０の電気的に接続の信頼性及び導
電性を向上させることに有利であり、なお、導電性ピラー２８０と相互接続線２９０を
形成する工程の難易度を低減させることもできる。他の実施例において、前記導電性ピ
ラーと相互接続線の材料は、他の適用可能な導電性材料であることもできる。
本実施例において、前記導電性ピラー２８０と相互接続線２９０は、異なる形成ステ
ップでそれぞれ形成されるので、前記相互接続線２９０と導電性ピラー２８０、第２チ
ップはんだパッド２３５及び電極２４５との間は、メタルボンディング工程によりボン
ディングされる。
本実施例において、前記再配線構造３６０は、相互接続線２９０と第２チップはんだ
パッド２３５、電極２４５及び導電性ピラー２８０との間にそれぞれ位置される導電性
バンプ３６５をさらに含む。導電性バンプ３６５は、導電性ピラー２８０、第２チップ
はんだパッド２３５及び電極２４５から突出されて、相互接続線２９０と導電性ピラー
２８０、第２チップはんだパッド２３５及び電極２４５との間のボンディングの信頼性
を向上させる。
本実施例において、前記導電性バンプ３６５は、バンプボールである。バンプボール
工程を選択して、各チップ及び素子と再配線構造３６０との間の信号伝送の信頼性を向
上させることに有利である。具体的に、前記導電性バンプ３６５の材料は、スズである
ことができる。他の実施例において、前記導電性バンプの材料は、相互接続線の材料と
同じであることができる。
本実施例において、前記撮像アセンブリ２６０は、再配線構造３６０に位置されるＦ
ＰＣ基板５１０をさらに含む。前記ＦＰＣ基板５１０は、回路基板を省略した場合、撮
像アセンブリ２６０とレンズアセンブリとの間の電気的接続を実現し、及びレンズモジ
ュールと他の素子との間の電気的接続を実現し、レンズモジュールは、ＦＰＣ基板５１
０を介して電子機器中の他の素子と電気的に接続させることができ、電子機器の正常な
撮像機能を実現する。
具体的に、前記ＦＰＣ基板５１０は、前記相互接続線２９０にボンディングされる。
前記ＦＰＣ基板５１０は、回路構造を備え、前記ＦＰＣ基板５１０と再配線構造３６０
の電気的接続を実現する。
説明すべき点は、前記ＦＰＣ基板５１０には、コネクタ５２０が備えられている。レ
ンズモジュールが電子機器に適用される場合、前記コネクタ５２０は、当該電子機器の
マザーボードに電気的に接続されることにより、レンズモジュールと電子機器中の他の
素子との間の情報伝送を実現し、前記レンズモジュールのイメージ情報を前記電子機器
に送信する。具体的に、前記コネクタ５２０は、ゴールドフィンガーコネクタであるこ
とができる。
本実施例に係る前記撮像アセンブリは、第１実施例による前記パッケージング方法に
よって形成されることができ、他のパッケージング方法によってい形成されることもで
きる。本実施例に係る前記撮像アセンブリに対する具体的な説明は、第１実施例中の相
応する説明を参照することができ、本実施例は、ここでは繰り返して説明しない。
続いて図２０を参照すると、本発明に係る撮像アセンブリの他の実施例の構造模式図
を示す。
本実施例と前述した実施例の同じ部分は、ここでは繰り返して説明しない。本実施例
と前述した実施例の異なる部分は、前記再配線構造３６０ａは、導電性ピラー２８０ａ
及び相互接続線２９０ａのみを含むことである。
本実施例に係る前記撮像アセンブリは、第２実施例によるパッケージング方法出形成
されることができ、他のパッケージング方法で形成されることもできる。本実施例に係
る前記撮像アセンブリに対する具体的な説明は、第２実施例中の相応する説明を参照す
ることができ、本実施例は、ここでは繰り返して説明しない。
それに対応して、本発明の実施例は、レンズモジュールをさらに提供する。図２１を
参照すると、本発明に係るレンズモジュールの一実施例の構造模式図を示す。
前記レンズモジュール６００は、本発明の実施例に係る撮像アセンブリ（例えば、図
２１の破線ブロックに示されたように）と、前記パッケージング層（図示せず）の上面
に装着され、前記感光性ユニット（図示せず）及び機能素子を囲む前記ホルダー５３５
を含むレンズアセンブリ５３０とを含み、前記レンズアセンブリ５３０は、前記感光性
チップ（図示せず）と機能素子（図示せず）とを電気的に接続させる。
前記レンズアセンブリ５３０は、一般的にホルダー５３５、前記ホルダー５３５に装
着されるモーター（図示せず）、及び前記モーターに装着されるレンズシステム（図示
せず）を含み、前記ホルダー５３５を介して前記レンズアセンブリ５３０の組み立てを
実現して、レンズシステムが感光性ユニットの感光性パスに位置するようにする。
本実施例において、前記撮像アセンブリの厚さは比較的に薄いので、前記レンズアセ
ンブリ５３０の厚さを減少し、それにより前記レンズモジュール６００の合計の厚さを
減少する。
また、前記感光性ユニット及び機能素子（例えば、周辺チップ）がすべて前記ホルダ
ー５３５の内部に設置され、与将機能素子を周辺マザーボードに装着する解決手段に比
べて、本実施例は、レンズモジュール６００のサイズを減少させ、また電気的接続の距
離を短縮させることにより、レンズモジュール６００の信号を伝送する速度を向上させ
、さらにレンズモジュール６００の使用性能を向上させる（例えば、撮像速度、保存速
度を向上させる）。
また、前記感光性ユニット及び機能素子はすべてパッケージング層内に集積され、ま
た前記感光性ユニット、機能素子及び再配線構造はすべて前記ホルダー５３５の内部に
設置されて、前記感光性ユニット、機能素子及び再配線構造が保護されるようにし、前
記レンズモジュール６００の信頼性及び安定性を提供することに有利であり、また前記
レンズモジュール６００のイメージング品質を保証することができる。
本実施例において、前記再配線構造にＦＰＣ基板（図示せず）がボンディングされて
いるので、前記レンズアセンブリ５３０中のモーターは、相応に前記ＦＰＣ基板を介し
て撮像アセンブリ中のそれぞれのチップ及び素子と電気的接続を実現する。
本実施例に係る撮像アセンブリの具体的な説明は、前述した実施例中の相応する説明
を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
それに対応して、本発明の実施例は、電子機器をさらに提供する。図２２を参照する
と、本発明に係る電子機器の一実施例の構造模式図を示す。
本実施例において、前記電子機器７００は、本発明の実施例に係るレンズモジュール
６００を含む。
前記レンズモジュール６００の信頼性と性能は、比較的に高く、相応に前記電子機器
７００の撮像品質、撮像速度、保存速度を向上させる。
さらに、前記レンズモジュール６００の合計の厚さが比較的小さいので、ユーザーの使
用体験を向上させることに有利である。
具体的に、前記電子機器７００は、携帯電話、タブレットＰＣ、カメラまたはビデオ
カメラなどの各種撮像機能を備える機器であることができる。
本発明は、上述したように開示したが、本発明はこれに限定されない。任意の当業者
は、本発明の思想と範囲を逸脱しない前提の下で、すべて様々な変更や修正を行うこと
ができるので、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲に限られた範囲を基準にしなけれ
ばならない。

Claims (27)

  1. 撮像アセンブリのパッケージング方法であって、
    はんだパッドを備える感光性チップとフィルタを提供することと、
    前記感光性チップのはんだパッドに対向する前記フィルタを前記感光性チップに装着
    することと、
    はんだパッドを備える機能素子と前記フィルタを仮ボンディングする第１キャリア基
    板を提供し、前記機能素子のはんだパッドは、前記第１キャリア基板に対向することと
    、
    前記第１キャリア基板と機能素子を覆い、少なくとも前記感光性チップの一部側壁を
    覆うパッケージング層を形成することと、
    前記第１キャリア基板を除去することと、
    前記第１キャリア基板を除去した後、前記フィルタに隣接する前記パッケージング層
    の一側に再配線構造を形成して、前記感光性チップのはんだパッド及び前記機能素子の
    はんだパッドを電気的に接続させることとを含む、
    ことを特徴とする撮像アセンブリのパッケージング方法。
  2. 前記再配線構造を形成するステップは、
    前記パッケージング層内に導電性ピラーを形成して、前記感光性チップのはんだパッ
    ドに電気的に接続させることと、
    前記フィルタに隣接する前記パッケージング層の一側に相互接続線を形成し、前記導
    電性ピラーと機能素子のはんだパッドを電気的に接続させることとを含む、
    ことを特徴とする請求項１に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  3. 前記導電性ピラーを形成するステップは、
    前記パッケージング層をパターン化し、前記感光性チップのはんだパッドを露出する
    導電性ビアホールを、前記パッケージング層内に形成することと、
    前記導電性ビアホール内に前記導電性ピラーを形成することとを含む、
    ことを特徴とする請求項２に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  4. 前記相互接続線を形成するステップは、
    第２キャリア基板を提供し、前記第２キャリア基板に前記相互接続線を形成すること
    を含み、
    前記再配線構造を形成するステップは、
    前記導電性ピラーと機能素子のはんだパッドに導電性バンプを形成することと、
    前記相互接続線を前記導電性バンプにボンディングさせることとをさらに含む、
    ことを特徴とする請求項２に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  5. 前記相互接続線を形成するステップは、
    第２キャリア基板を提供し、前記第２キャリア基板に前記相互接続線を形成すること
    と、
    前記再配線構造を形成するステップは、
    前記相互接続線に導電性バンプを形成することと、
    前記導電性バンプを、対応する前記導電性ピラーと機能素子のはんだパッドにボンデ
    ィングさせることとをさらに含む、
    ことを特徴とする請求項２に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  6. 前記第２キャリア基板に前記相互接続線を形成するステップは、
    前記第２キャリア基板に第１誘電体層を形成することと、
    前記第１誘電体層をパターン化し、前記第１誘電体層内に第１相互接続トレンチを形
    成することと、
    前記第１相互接続トレンチ内に前記相互接続線を形成することと、
    前記第１誘電体層を除去することとを含む、
    ことを特徴とする請求項４又は５に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  7. 前記相互接続線に導電性バンプを形成するステップは、
    前記第２キャリア基板と相互接続線とを覆う第２誘電体層を形成することと、
    前記第２誘電体層をパターン化し、前記第２誘電体層内に相互接続ビアホールを形成
    して、前記相互接続線の一部を露出することと、
    前記相互接続ビアホール内に前記導電性バンプを形成することと、
    前記第２誘電体層を除去することとを含む、
    ことを特徴とする請求項５に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  8. 前記相互接続線を形成するステップは、
    前記導電性ビアホールを形成した後、前記パッケージング層とフィルタとを覆う第３
    誘電体層を形成し、前記第３誘電体層は前記導電性ビアホール内に位置することと、
    前記第３誘電体層をパターン化し、前記導電性ビアホール内の第３誘電体層、及び前
    記パッケージング層の頂部より高い部分領域の第３誘電体層を除去し、前記第３誘電体
    層内に前記導電性ビアホールと連通する第２相互接続トレンチを形成して、前記機能素
    子のはんだパッドを露出させることと、
    前記導電性ビアホール内に前記導電性ピラーを形成するステップにおいて、前記第２
    相互接続トレンチ内に前記相互接続線を形成することと、
    前記第３誘電体層を除去することとを含む、
    ことを特徴とする請求項３に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  9. レーザーエッチング工程により前記パッケージング層をパターン化する、
    ことを特徴とする請求項３に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  10. 電気メッキ工程により前記導電性ビアホール内に前記導電性ピラーを形成する、
    ことを特徴とする請求項３に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  11. バンピング工程（Ｂｕｍｐｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）により前記導電性バンプを形成
    する、
    ことを特徴とする請求項４に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  12. 電気メッキ工程により前記導電性ビアホール内に前記導電性ピラーを形成し、電気メ
    ッキ工程により前記第２相互接続トレンチ内に前記相互接続線を形成する、
    ことを特徴とする請求項８に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  13. メタルボンディング工程により前記ボンディングステップを行う、
    ことを特徴とする請求項４又は５に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  14. 前記フィルタを前記感光性チップに装着した後、前記第１キャリア基板に前記フィル
    タを仮ボンディングし、
    または、前記第１キャリア基板に前記フィルタを仮ボンディングした後、前記フィル
    タを前記感光性チップに装着する、
    ことを特徴とする請求項１に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  15. 前記パッケージング層を形成することの前に、前記フィルタの側壁を覆う応力緩衝層
    を形成することをさらに含む、
    ことを特徴とする請求項１に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  16. 前記パッケージング層を形成するステップは、
    前記第１キャリア基板、機能素子及び感光性チップを覆う材料パッケージング層を形
    成することと、
    前記材料パッケージング層に平坦化処理を行って、パッケージング層を形成し、前記
    パッケージング層は、前記感光性ユニットと機能素子のうち最も高い方と面一にする、
    ことを特徴とする請求項１に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  17. 前記フィルタに隣接する前記パッケージング層の一側に再配線構造を形成した後、前
    記再配線構造にＦＰＣ基板をボンディングすることをさらに含む、
    ことを特徴とする請求項１に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  18. 前記メタルボンディング工程は、その工程温度が２５０℃以下であり、その工程圧力
    が２００ｋＰａ以上であり、その工程時間が３０ｍｉｎ以上である、
    ことを特徴とする請求項１３に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
  19. 撮像アセンブリであって、
    パッケージング層、前記パッケージング層に嵌め込まれた感光性ユニット、機能素子
    及び再配線構造を含み、
    前記感光性ユニットは、感光性チップ及び前記感光性チップに装着されたフィルタを
    含み、前記パッケージング層の上面に前記フィルタ及び機能素子を露出し、前記パッケ
    ージング層の底面は、前記機能素子より高く、前記パッケージング層は、少なくとも前
    記感光性チップの一部側壁を覆い、前記感光性チップ及び機能素子はいずれもはんだパ
    ッドを備え、前記感光性チップのはんだパッドは、前記パッケージング層の上面に対向
    し、前記機能素子のはんだパッドは、前記パッケージング層の上面に露出され、
    前記再配線構造は、前記フィルタに隣接する前記パッケージング層の一側に位置し、
    前記はんだパッドに電気的に接続される、
    ことを特徴とする前記撮像アセンブリ。
  20. 前記再配線構造は、
    前記パッケージング層内に位置し、前記感光性チップのはんだパッドに電気的に接続
    される導電性ピラーと、
    前記機能素子のはんだパッドと前記導電性ピラーに位置し、前記機能素子のはんだパ
    ッドと前記導電性ピラーとを電気的に接続する相互接続線とを含む、
    ことを特徴とする請求項１９に記載の撮像アセンブリ。
  21. 前記再配線構造は、前記相互接続線と前記機能素子のはんだパッド及び導電性ピラー
    との間にそれぞれ位置する導電性バンプをさらに含む、
    ことを特徴とする請求項２０に記載の撮像アセンブリ。
  22. 前記パッケージング層の底面は、前記感光性ユニットと機能素子のうちの最も高い方
    と面一にする、
    ことを特徴とする請求項１９に記載の撮像アセンブリ。
  23. 前記フィルタの側壁と前記パッケージング層との間に位置する応力緩衝層をさらに含
    む、
    ことを特徴とする請求項１９に記載の撮像アセンブリ。
  24. 前記機能素子は、周辺チップ及び受動素子のうちの少なくとも１つを含み、前記周辺
    チップは、デジタルシグナルプロセッサチップ及びメモリチップのうちの１つまたは２
    つを含む、
    ことを特徴とする請求項１９に記載の撮像アセンブリ。
  25. 再配線構造に位置するＦＰＣ基板をさらに含む、
    ことを特徴とする請求項１９に記載の撮像アセンブリ。
  26. レンズモジュールであって、
    請求項１９〜２５のいずれか一項に記載の撮像アセンブリと、
    前記パッケージング層の上面に装着され、前記感光性ユニット及び機能素子を囲むホ
    ルダーを含み、前記感光性チップ及び機能素子に電気的に接続されるレンズアセンブリ
    とを含む、
    ことを特徴とするレンズモジュール。
  27. 電子機器であって、
    請求項２６に記載のレンズモジュールを含む、
    ことを特徴とする電子機器。
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