KR20210158012A - 시모스 이미지 센서 패키지 - Google Patents

시모스 이미지 센서 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20210158012A
KR20210158012A KR1020200076238A KR20200076238A KR20210158012A KR 20210158012 A KR20210158012 A KR 20210158012A KR 1020200076238 A KR1020200076238 A KR 1020200076238A KR 20200076238 A KR20200076238 A KR 20200076238A KR 20210158012 A KR20210158012 A KR 20210158012A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cis
support
glass
adhesive layer
chip
Prior art date
Application number
KR1020200076238A
Other languages
English (en)
Inventor
조경순
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020200076238A priority Critical patent/KR20210158012A/ko
Priority to US17/144,286 priority patent/US11901384B2/en
Priority to TW110101095A priority patent/TW202201769A/zh
Publication of KR20210158012A publication Critical patent/KR20210158012A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N5/374

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

CIS 패키지는 패키지 기판, CIS 칩, 글래스 및 접착층을 포함할 수 있다. 상기 CIS 칩은 상기 패키지 기판의 상부면에 배치되어 상기 패키지 기판에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 글래스는 상기 CIS 칩의 상부에 배치될 수 있다. 상기 접착층은 상기 CIS 칩의 상부면 가장자리와 상기 글래스의 하부면 가장자리 사이에 개재되어 상기 글래스를 상기 CIS 칩에 부착시킬 수 있다. 상기 CIS 칩과 상기 글래스 중 적어도 어느 하나에 적어도 하나의 지지홈이 형성될 수 있다. 상기 접착층은 상기 지지홈에 삽입되는 지지부를 포함할 수 있다. 따라서, 접착층과 CIS 칩 및/또는 글래스 사이의 접촉 면적이 증가되어, 접착층의 접착력이 크게 강화될 수 있다.

Description

시모스 이미지 센서 패키지{CMOS IMAGE SENSOR PACKAGE}
본 발명은 시모스 이미지 센서 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 시모스 이미지 센서(CMOS Image Sensor : CIS) 패키지는 패키지 기판, CIS 칩, 글래스 및 접착층을 포함할 수 있다. CIS 칩은 패키지 기판의 상부면에 배치될 수 있다. 글래스는 CIS 칩의 상부에 배치될 수 있다. 접착층은 CIS 칩과 글래스의 가장자리들 사이에 개재되어, 글래스를 CIS 칩에 부착시킬 수 있다.
관련 기술들에 따르면, CIS 패키지의 신뢰성 테스트는 고온 하에서 수행될 수 있다. 이러한 신뢰성 테스트 도중, 접착층이 CIS 칩 및/또는 글래스로부터 이탈될 수 있다.
본 발명은 접착층의 접착력을 강화시킬 수 있는 시모스 이미지 센서 패키지를 제공한다.
본 발명의 일 견지에 따른 시모스 이미지 센서(CIS) 패키지는 패키지 기판, CIS 칩, 글래스, 접착층 및 몰딩 부재를 포함할 수 있다. 상기 CIS 칩은 상기 패키지 기판의 상부면에 배치되어 상기 패키지 기판에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 CIS 칩은 상기 CIS 칩의 상부면 가장자리를 따라 형성된 적어도 하나의 제 1 지지홈을 가질 수 있다. 상기 글래스는 상기 CIS 칩의 상부에 배치될 수 있다. 상기 글래스는 상기 글래스의 하부면 가장자리를 따라 형성된 적어도 하나의 제 2 지지홈을 가질 수 있다. 상기 접착층은 상기 CIS 칩의 상부면 가장자리와 상기 글래스의 하부면 가장자리 사이에 개재되어 상기 글래스를 상기 CIS 칩에 부착시킬 수 있다. 상기 접착층은 상기 제 1 지지홈에 삽입된 제 1 지지부 및 상기 제 2 지지홈에 삽입된 제 2 지지부를 포함할 수 있다. 상기 몰딩 부재는 상기 패키지 기판의 상부면에 형성되어 상기 CIS 칩과 상기 글래스를 지지할 수 있다.
본 발명의 다른 견지에 따른 CIS 패키지는 패키지 기판, CIS 칩, 글래스, 접착층 및 몰딩 부재를 포함할 수 있다. 상기 CIS 칩은 상기 패키지 기판의 상부면에 배치되어 상기 패키지 기판에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 CIS 칩은 상기 CIS 칩의 상부면 가장자리를 따라 형성된 적어도 하나의 제 1 지지홈을 가질 수 있다. 상기 글래스는 상기 CIS 칩의 상부에 배치될 수 있다. 상기 글래스는 상기 글래스의 하부면 가장자리를 따라 형성된 적어도 하나의 제 2 지지홈을 가질 수 있다. 상기 접착층은 상기 CIS 칩의 상부면 가장자리와 상기 글래스의 하부면 가장자리 사이에 개재되어 상기 글래스를 상기 CIS 칩에 부착시킬 수 있다. 상기 접착층은 상기 제 1 지지홈에 삽입된 제 1 지지부 및 상기 제 2 지지홈에 삽입된 제 2 지지부를 포함할 수 있다. 상기 몰딩 부재는 상기 패키지 기판의 상부면에 형성되어 상기 CIS 칩과 상기 글래스를 지지할 수 있다.
본 발명의 또 다른 견지에 따른 CIS 패키지는 패키지 기판, CIS 칩, 글래스 및 접착층을 포함할 수 있다. 상기 CIS 칩은 상기 패키지 기판의 상부면에 배치되어 상기 패키지 기판에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 글래스는 상기 CIS 칩의 상부에 배치될 수 있다. 상기 접착층은 상기 CIS 칩의 상부면 가장자리와 상기 글래스의 하부면 가장자리 사이에 개재되어 상기 글래스를 상기 CIS 칩에 부착시킬 수 있다. 상기 CIS 칩과 상기 글래스 중 적어도 어느 하나에 적어도 하나의 지지홈이 형성될 수 있다. 상기 접착층은 상기 지지홈에 삽입되는 지지부를 포함할 수 있다.
상기된 본 발명에 따르면, CIS 칩 및/또는 글래스에 적어도 하나의 지지홈이 형성되고, 접착층은 지지홈에 삽입된 지지부를 포함하게 되므로, 접착층과 CIS 칩 및/또는 글래스 사이의 접촉 면적이 증가되어, 접착층의 접착력이 크게 강화될 수 있다. 따라서, CIS 패키지를 고온 하에서 테스트하는 도중, 접착층이 CIS 칩 및/또는 글래스로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 A 부위를 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 CIS 패키지의 CIS 칩을 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 CIS 패키지의 접착층을 나타낸 저면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 CIS 패키지의 CIS 칩을 나타낸 평면도이다.
도 7은 도 5에 도시된 CIS 패키지의 접착층을 나타낸 저면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지의 CIS 칩을 나타낸 평면도이다.
도 9는 도 8에 도시된 CIS 칩에 접착된 접착층을 나타낸 저면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 11은 도 10의 B 부위를 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 13은 도 12의 C 부위를 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 15는 도 14의 D 부위를 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 17은 도 16의 E 부위를 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 19는 도 18에 도시된 CIS 패키지의 글래스를 나타낸 저면도이다.
도 20은 도 18에 도시된 CIS 패키지의 접착층을 나타낸 평면도이다.
도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 22는 도 21에 도시된 CIS 패키지의 글래스를 나타낸 저면도이다.
도 23은 도 21에 도시된 CIS 패키지의 접착층을 나타낸 평면도이다.
도 24는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지의 글래스를 나타낸 저면도이다.
도 25는 도 24에 도시된 글래스에 접착된 접착층을 나타낸 평면도이다.
도 26은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1의 A 부위를 확대해서 나타낸 단면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 CIS 패키지의 CIS 칩을 나타낸 평면도이며, 도 4는 도 1에 도시된 CIS 패키지의 접착층을 나타낸 저면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 CIS 패키지(100)는 패키지 기판(package substrate)(110), CIS 칩(CMOS Image Sensor chip)(120), 도전성 와이어(conductive wire)(150), 글래스(glass)(130), 접착층(adhesive layer)(140), 몰딩 부재(molding member)(160) 및 외부접속단자(external terminal)(170)들을 포함할 수 있다.
패키지 기판(110)은 코어 절연층(core insulation layer), 도전 패턴(conductive pattern), 상부 절연 패턴(upper insulation pattern) 및 하부 절연 패턴(lower insulation pattern)을 포함할 수 있다. 코어 절연층은 절연 물질을 포함할 수 있다.
도전 패턴은 상부 도전 패턴(upper conductive pattern), 하부 도전 패턴(lower conductive pattern) 및 도전 라인(conductive line)들을 포함할 수 있다. 상부 도전 패턴은 코어 절연층의 상부면에 배치될 수 있다. 하부 도전 패턴은 코어 절연층의 하부면에 배치될 수 있다. 도전 라인들은 코어 절연층의 내부에 수직 방향을 따라 형성되어, 상부 도전 패턴과 하부 도전 패턴을 전기적으로 연결시킬 수 있다.
상부 절연 패턴은 코어 절연층의 상부면에 형성될 수 있다. 상부 절연 패턴은 상부 도전 패턴을 노출시키는 개구부들을 가질 수 있다.
하부 절연 패턴은 코어 절연층의 하부면에 형성될 수 있다. 하부 절연 패턴은 하부 도전 패턴의 하부 패드들을 노출시키는 개구부들을 가질 수 있다.
다른 실시예로서, 패키지 기판(110)은 단일 금속 패턴, 단일 금속 패턴의 상부면에 형성된 상부 절연 패턴, 및 단일 금속 패턴의 하부면에 형성된 하부 절연 패턴을 포함할 수도 있다.
CIS 칩(120)은 패키지 기판(110)의 상부면 중앙부에 배치될 수 있다. CIS 칩(120)은 패드들을 포함할 수 있다. 패드들은 CIS 칩(120)의 상부면 가장자리에 배치될 수 있다. 마이크로 렌즈(180)들이 CIS 칩(120)의 상부면 중앙부에 배치될 수 있다.
도전성 와이어(150)는 CIS 칩(120)을 패키지 기판(110)에 전기적으로 연결시킬 수 있다. 구체적으로, 도전성 와이어(150)는 CIS 칩(120)의 패드로부터 패키지 기판(110)의 상부 도전 패턴까지 연장될 수 있다.
글래스(130)는 CIS 칩(120)의 상부에 배치될 수 있다. 글래스(130)는 광을 투과시키는 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 광은 글래스(130)를 통해서 마이크로 렌즈(180)들로 입사될 수 있다.
접착층(140)은 글래스(130)를 CIS 칩(120)에 부착시킬 수 있다. 구체적으로, 접착층(140)은 CIS 칩(120)의 상부면 가장자리와 글래스(130)의 하부면 가장자리에 개재될 수 있다. 따라서, 접착층(140)의 하부면은 CIS 칩(120)의 상부면 가장자리에 맞대어지고, 접착층(140)의 상부면은 글래스(130)의 하부면 가장자리에 맞대어질 수 있다. 즉, 접착층(140)은 CIS 칩(120)의 상부면 가장자리를 따라 형성된 직사각틀 형상을 가질 수 있다.
몰딩 부재(160)는 패키지 기판(110)의 상부면에 형성되어, CIS 칩(120), 접착층(140) 및 글래스(130)를 지지할 수 있다. 구체적으로, 몰딩 부재(160)는 패키지 기판(110)의 상부면 가장자리에 형성되어, CIS 칩(120), 접착층(140) 및 글래스(130)의 측면들을 둘러쌀 수 있다. 몰딩 부재(160)는 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)를 포함할 수 있다.
외부접속단자(170)들은 패키지 기판(110)의 하부면에 실장될 수 있다. 구체적으로, 외부접속단자(170)들은 패키지 기판(110)의 하부 도전 패턴에 전기적으로 연결될 수 있다. 외부접속단자(170)들은 솔더 볼을 포함할 수 있다.
이러한 구조를 갖는 CIS 패키지(100)에 대해서 고온 하에서 신뢰성 테스트를 수행할 수 있다. 접착층(140)이 CIS 칩(120)으로부터 이탈되는 것을 방지하기 위해서, CIS 칩(120)은 제 1 지지홈(122)을 가질 수 있다. 제 1 지지홈(122)은 CIS 칩(120)의 상부면 가장자리를 따라 형성될 수 있다. 접착층(140)은 제 1 지지홈(122)에 삽입된 제 1 지지부(142)를 포함할 수 있다. 제 1 지지부(142)는 접착층(140)의 하부면에 형성될 수 있다.
제 1 지지홈(122)에 삽입된 제 1 지지부(142)에 의해서 접착층(140)과 CIS 칩(120) 사이의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 따라서, 접착층(140)의 접착력이 강화되어, 고온 하의 신뢰성 테스트 중에 접착층(140)이 CIS 칩(120)으로부터 이탈되는 것이 방지될 수 있다.
본 실시예에서, 제 1 지지홈(122)은 CIS 칩(120)의 상부면 가장자리를 따라 형성된 1줄일 수 있다. 또한, 제 1 지지홈(122)은 대략 직사각형의 수직 단면 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 제 1 지지부(142)도 직사각형의 수직 단면 형상을 갖는 1줄로 이루어질 수 있다.
또한, 접착층(140)은 대략 150μm의 폭을 가질 수 있다. 제 1 지지홈(122)은 대략 20μm 내지 30μm의 폭을 가질 수 있다. 따라서, 제 1 지지홈(122)의 폭은 대략 접착층(140)의 폭의 2/15 내지 3/15일 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이고, 도 6은 도 5에 도시된 CIS 패키지의 CIS 칩을 나타낸 평면도이며, 도 7은 도 5에 도시된 CIS 패키지의 접착층을 나타낸 저면도이다.
본 실시예에 따른 CIS 패키지(100a)는 제 1 지지홈과 제 1 지지부를 제외하고는 도 1에 도시된 CIS 패키지(100)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 본 실시예의 제 1 지지홈(122a)은 2줄로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 2줄의 제 1 지지홈(122a)들에 삽입된 제 1 지지부(142a)도 2줄로 이루어질 수 있다.
제 1 지지홈(122a)과 제 1 지지부(142a)가 2줄로 이루어짐으로써, CIS 칩(120)과 접착층(140)의 하부면 사이의 접촉 면적이 더욱 증가될 수 있다.
다른 실시예로서, 제 1 지지홈(122a)과 제 1 지지부(142a)는 적어도 3줄 이상으로 이루어질 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지의 CIS 칩을 나타낸 평면도이고, 도 9는 도 8에 도시된 CIS 칩에 접착된 접착층을 나타낸 저면도이다.
본 실시예에 따른 CIS 패키지(100b)는 제 1 지지홈과 제 1 지지부를 제외하고는 도 1에 도시된 CIS 패키지(100)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 실시예의 제 1 지지홈(122b)은 간격을 두고 배열된 복수개로 이루어질 수 있다. 즉, 제 1 지지홈(122b)은 CIS 칩(120)의 가장자리를 따라 간격을 두고 배열된 복수개로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 복수개의 제 1 지지홈(122b)들에 삽입된 제 1 지지부(142b)도 일정 간격을 두고 배열된 복수개로 이루어질 수 있다. 제 1 지지홈(122b)들 사이의 간격과 제 1 지지부(142b)들 사이의 간격은 균일하거나 또는 불균일할 수 있다.
제 1 지지홈(122b)과 제 1 지지부(142b)가 복수개로 이루어짐으로써, 제 1 지지홈(122b)들과 제 1 지지부(142b)들은 요철 구조를 형성할 수 있다. 따라서, CIS 칩(120)과 접착층(140)의 하부면 사이의 접촉 면적이 더욱 증가됨과 아울러 요철 구조에 의해서 접착층(140)의 접착력이 더욱 강화될 수 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이고, 도 11은 도 10의 B 부위를 확대해서 나타낸 단면도이다.
본 실시예에 따른 CIS 패키지(100c)는 제 1 지지홈과 제 1 지지부의 형상들을 제외하고는 도 1에 도시된 CIS 패키지(100)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 실시예의 제 1 지지홈(122c)은 대략 반원의 수직 단면 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 제 1 지지홈(122c)에 삽입된 제 1 지지부(142c)도 대략 반원의 수직 단면 형상을 가질 수 있다.
다른 실시예로서, 반원의 수직 단면 형상의 제 1 지지홈(122c)과 제 1 지지부(142c)는 도 5 내지 도 7에 도시된 구조 또는 도 8 및 도 9에 도시된 구조를 가질 수도 있다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이고, 도 13은 도 12의 C 부위를 확대해서 나타낸 단면도이다.
본 실시예에 따른 CIS 패키지(100d)는 제 1 지지홈과 제 1 지지부의 형상들을 제외하고는 도 1에 도시된 CIS 패키지(100)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 본 실시예의 제 1 지지홈(122d)은 대략 삼각형의 수직 단면 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 제 1 지지홈(122d)에 삽입된 제 1 지지부(142d)도 대략 삼각형의 수직 단면 형상을 가질 수 있다.
다른 실시예로서, 삼각형의 수직 단면 형상의 제 1 지지홈(122d)과 제 1 지지부(142d)는 도 5 내지 도 7에 도시된 구조 또는 도 8 및 도 9에 도시된 구조를 가질 수도 있다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이고, 도 15는 도 14의 D 부위를 확대해서 나타낸 단면도이다.다.
본 실시예에 따른 CIS 패키지(100e)는 제 1 지지홈과 제 1 지지부의 형상들을 제외하고는 도 1에 도시된 CIS 패키지(100)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 본 실시예의 제 1 지지홈(122e)은 대략 사다리꼴의 수직 단면 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 제 1 지지홈(122e)에 삽입된 제 1 지지부(142e)도 대략 사다리꼴의 수직 단면 형상을 가질 수 있다.
다른 실시예로서, 사다리꼴 형상의 제 1 지지홈(122e)과 제 1 지지부(142e)는 도 5 내지 도 7에 도시된 구조 또는 도 8 및 도 9에 도시된 구조를 가질 수도 있다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이고, 도 17은 도 16의 E 부위를 확대해서 나타낸 단면도이다.다.
본 실시예에 따른 CIS 패키지(100f)는 제 1 지지홈과 제 1 지지부의 형상들을 제외하고는 도 1에 도시된 CIS 패키지(100)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 본 실시예의 제 1 지지홈(122)은 제 1 지지홈(122)의 양측면들 중 적어도 어느 하나로부터 수평하게 연장된 삽입홈(122f)을 가질 수 있다. 이에 따라, 제 1 지지홈(122)과 삽입홈(122f)에 삽입된 제 1 지지부(142)도 제 1 지지부(142)의 양측면들 중 적어도 어느 하나로부터 수평하게 연장된 삽입부(142f)를 가질 수 있다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이고, 도 19는 도 18에 도시된 CIS 패키지의 글래스를 나타낸 저면도이며, 도 20은 도 18에 도시된 CIS 패키지의 접착층을 나타낸 평면도이다.
도 18 내지 도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 CIS 패키지(100g)는 패키지 기판(110), CIS 칩(120), 도전성 와이어(150), 글래스(130), 접착층(140), 몰딩 부재(160) 및 외부접속단자(170)들을 포함할 수 있다.
CIS 칩(120)은 패키지 기판(110)의 상부면 중앙부에 배치될 수 있다. CIS 칩(120)은 패드들을 포함할 수 있다. 패드들은 CIS 칩(120)의 상부면 가장자리에 배치될 수 있다. 마이크로 렌즈(180)들이 CIS 칩(120)의 상부면 중앙부에 배치될 수 있다. 도전성 와이어(150)는 CIS 칩(120)을 패키지 기판(110)에 전기적으로 연결시킬 수 있다.
글래스(130)는 CIS 칩(120)의 상부에 배치될 수 있다. 글래스(130)는 광을 투과시키는 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 광은 글래스(130)를 통해서 마이크로 렌즈(180)들로 입사될 수 있다.
접착층(140)은 글래스(130)를 CIS 칩(120)에 부착시킬 수 있다. 구체적으로, 접착층(140)은 CIS 칩(120)의 상부면 가장자리와 글래스(130)의 하부면 가장자리에 개재될 수 있다. 따라서, 접착층(140)의 하부면은 CIS 칩(120)의 상부면 가장자리에 맞대어지고, 접착층(140)의 상부면은 글래스(130)의 하부면 가장자리에 맞대어질 수 있다. 즉, 접착층(140)은 CIS 칩(120)의 상부면 가장자리를 따라 형성된 직사각틀 형상을 가질 수 있다.
몰딩 부재(160)는 패키지 기판(110)의 상부면에 형성되어, CIS 칩(120), 접착층(140) 및 글래스(130)를 지지할 수 있다. 구체적으로, 몰딩 부재(160)는 패키지 기판(110)의 상부면 가장자리에 형성되어, CIS 칩(120), 접착층(140) 및 글래스(130)의 측면들을 둘러쌀 수 있다. 몰딩 부재(160)는 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)를 포함할 수 있다.
외부접속단자(170)들은 패키지 기판(110)의 하부면에 실장될 수 있다. 구체적으로, 외부접속단자(170)들은 패키지 기판(110)의 하부 도전 패턴에 전기적으로 연결될 수 있다. 외부접속단자(170)들은 솔더 볼을 포함할 수 있다.
이러한 구조를 갖는 CIS 패키지(100g)에 대해서 고온 하에서 신뢰성 테스트를 수행할 수 있다. 접착층(140)이 글래스(130)로부터 이탈되는 것을 방지하기 위해서, 글래스(130)는 제 2 지지홈(132)을 가질 수 있다. 제 2 지지홈(132)은 글래스(130)의 하부면 가장자리를 따라 형성될 수 있다. 접착층(140)은 제 2 지지홈(132)에 삽입된 제 2 지지부(144)를 포함할 수 있다. 제 2 지지부(144)는 접착층(140)의 상부면에 형성될 수 있다.
제 2 지지홈(132)에 삽입된 제 2 지지부(144)에 의해서 접착층(140)과 글래스(130) 사이의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 따라서, 접착층(140)의 접착력이 강화되어, 고온 하의 신뢰성 테스트 중에 접착층(140)이 글래스(130)로부터 이탈되는 것이 방지될 수 있다.
본 실시예에서, 제 2 지지홈(132)은 글래스(130)의 하부면을 따라 형성된 1줄일 수 있다. 또한, 제 2 지지홈(132)은 대략 직사각형의 수직 단면 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 제 2 지지부(144)도 직사각형의 수직 단면 형상을 갖는 1줄로 이루어질 수 있다.
또한, 접착층(140)은 대략 150μm의 폭을 가질 수 있다. 제 2 지지홈(132)은 대략 20μm 내지 30μm의 폭을 가질 수 있다. 따라서, 제 2 지지홈(132)의 폭은 대략 접착층(140)의 폭의 2/15 내지 3/15일 수 있다.
다른 실시예로서, 제 2 지지홈(132)과 제 2 지지부(144)는 도 10에 도시된 형상, 도 12에 도시된 형상, 도 14에 도시된 형상 또는 도 16에 도시된 형상을 가질 수도 있다.
도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이고, 도 22는 도 21에 도시된 CIS 패키지의 글래스를 나타낸 저면도이며, 도 23은 도 21에 도시된 CIS 패키지의 접착층을 나타낸 평면도이다.
본 실시예에 따른 CIS 패키지(100h)는 제 2 지지홈과 제 2 지지부를 제외하고는 도 13에 도시된 CIS 패키지(100g)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
도 21 내지 도 23을 참조하면, 본 실시예의 제 2 지지홈(132h)은 2줄로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 2줄의 제 2 지지홈(132h)들에 삽입된 제 2 지지부(144h)도 2줄로 이루어질 수 있다.
제 2 지지홈(132h)과 제 2 지지부(144h)가 2줄로 이루어짐으로써, 글래스(130)와 접착층(140)의 상부면 사이의 접촉 면적이 더욱 증가될 수 있다.
다른 실시예로서, 제 2 지지홈(132h)과 제 2 지지부(144h)는 도 10에 도시된 형상, 도 12에 도시된 형상, 도 14에 도시된 형상 또는 도 16에 도시된 형상을 가질 수도 있다.
도 24는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지의 CIS 칩을 나타낸 평면도이고, 도 25는 도 24에 도시된 CIS 칩에 접착된 접착층을 나타낸 저면도이다.
본 실시예에 따른 CIS 패키지(100i)는 제 2 지지홈과 제 2 지지부를 제외하고는 도 13에 도시된 CIS 패키지(100g)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
도 24 및 도 25를 참조하면, 본 실시예의 제 2 지지홈(132i)은 일정 간격을 두고 배열된 복수개로 이루어질 수 있다. 즉, 제 2 지지홈(132i)은 글래스(130)의 하부면을 따라 일정 간격을 두고 배열된 복수개로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 복수개의 제 2 지지홈(132i)들에 삽입된 제 2 지지부(144i)도 일정 간격을 두고 배열된 복수개로 이루어질 수 있다.
제 2 지지홈(132i)과 제 2 지지부(144i)가 복수개로 이루어짐으로써, 제 2 지지홈(132i)들과 제 2 지지부(144i)들은 요철 구조를 형성할 수 있다. 따라서, 글래스(130)와 접착층(140)의 상부면 사이의 접촉 면적이 더욱 증가됨과 아울러 요철 구조에 의해서 접착층(140)의 접착력이 더욱 강화될 수 있다.
다른 실시예로서, 제 2 지지홈(132i)과 제 2 지지부(144i)는 도 10에 도시된 형상, 도 12에 도시된 형상, 도 14에 도시된 형상 또는 도 16에 도시된 형상을 가질 수도 있다.
도 26은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CIS 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 26을 참조하면, 본 실시예에 따른 CIS 패키지(100j)는 패키지 기판(110), CIS 칩(120), 도전성 와이어(150), 글래스(130), 접착층(140), 몰딩 부재(160) 및 외부접속단자(170)들을 포함할 수 있다.
CIS 칩(120)은 패키지 기판(110)의 상부면 중앙부에 배치될 수 있다. CIS 칩(120)은 패드들을 포함할 수 있다. 패드들은 CIS 칩(120)의 상부면 가장자리에 배치될 수 있다. 마이크로 렌즈(180)들이 CIS 칩(120)의 상부면 중앙부에 배치될 수 있다. 도전성 와이어(150)는 CIS 칩(120)을 패키지 기판(110)에 전기적으로 연결시킬 수 있다.
글래스(130)는 CIS 칩(120)의 상부에 배치될 수 있다. 글래스(130)는 광을 투과시키는 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 광은 글래스(130)를 통해서 마이크로 렌즈(180)들로 입사될 수 있다.
접착층(140)은 글래스(130)를 CIS 칩(120)에 부착시킬 수 있다. 구체적으로, 접착층(140)은 CIS 칩(120)의 상부면 가장자리와 글래스(130)의 하부면 가장자리에 개재될 수 있다. 따라서, 접착층(140)의 하부면은 CIS 칩(120)의 상부면 가장자리에 맞대어지고, 접착층(140)의 상부면은 글래스(130)의 하부면 가장자리에 맞대어질 수 있다. 즉, 접착층(140)은 CIS 칩(120)의 상부면 가장자리를 따라 형성된 직사각틀 형상을 가질 수 있다.
몰딩 부재(160)는 패키지 기판(110)의 상부면에 형성되어, CIS 칩(120), 접착층(140) 및 글래스(130)를 지지할 수 있다. 구체적으로, 몰딩 부재(160)는 패키지 기판(110)의 상부면 가장자리에 형성되어, CIS 칩(120), 접착층(140) 및 글래스(130)의 측면들을 둘러쌀 수 있다. 몰딩 부재(160)는 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound : EMC)를 포함할 수 있다.
외부접속단자(170)들은 패키지 기판(110)의 하부면에 실장될 수 있다. 구체적으로, 외부접속단자(170)들은 패키지 기판(110)의 하부 도전 패턴에 전기적으로 연결될 수 있다. 외부접속단자(170)들은 솔더 볼을 포함할 수 있다.
이러한 구조를 갖는 CIS 패키지(100)에 대해서 고온 하에서 신뢰성 테스트를 수행할 수 있다. 접착층(140)이 CIS 칩(120)과 글래스(130)로부터 이탈되는 것을 방지하기 위해서, CIS 칩(120)은 제 1 지지홈(122)을 갖고, 글래스(130)는 제 2 지지홈(132)을 가질 수 있다. 제 1 지지홈(122)은 CIS 칩(120)의 상부면 가장자리를 따라 형성될 수 있다. 제 2 지지홈(132)은 글래스(130)의 하부면을 따라 형성될 수 있다. 접착층(140)은 제 1 지지홈(122)에 삽입된 제 1 지지부(142), 및 제 2 지지홈(132)에 삽입된 제 2 지지부(144)를 포함할 수 있다. 제 1 지지부(142)는 접착층(140)의 하부면에 형성되고, 제 2 지지부(144)는 접착층(140)의 상부면에 형성될 수 있다. 즉, 본 실시예의 구조는 도 1에 도시된 구조와 도 18에 도시된 구조가 병합된 것이다.
제 1 지지홈(122)과 제 2 지지홈(132)에 각각 삽입된 제 1 지지부(142)와 제 2 지지부(144)에 의해서 접착층(140)의 하부면과 CIS 칩(120) 사이의 접촉 면적 및 접착층(140)의 상부면과 글래스(130) 사이의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 따라서, 접착층(140)의 접착력이 강화되어, 고온 하의 신뢰성 테스트 중에 접착층(140)이 CIS 칩(120)과 글래스(130)로부터 이탈되는 것이 방지될 수 있다.
본 실시예에서, 제 1 지지홈(122)과 제 2 지지홈(132)은 CIS 칩(120)의 상부면과 글래스(130)의 하부면을 따라 형성된 1줄일 수 있다. 또한, 제 1 지지홈(122)과 제 2 지지홈(132)은 대략 직사각형의 수직 단면 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 제 1 지지부(142)와 제 2 지지부(144)도 직사각형의 수직 단면 형상을 갖는 1줄로 이루어질 수 있다.
다른 실시예로서, 제 1 지지홈(122)과 제 1 지지부(142)는 도 5에 도시된 구조 또는 도 8에 도시된 구조를 가질 수 있다. 제 2 지지홈(132)과 제 2 지지부(144)는 도 21에 도시된 구조 또는 도 24에 도시된 구조를 가질 수 있다.
또한, 제 1 및 제 2 지지홈(132)들과 제 1 및 제 2 지지부(144)들은 도 10에 도시된 형상, 도 12에 도시된 형상, 도 14에 도시된 형상 또는 도 16에 도시된 형상을 가질 수도 있다.
상기된 본 실시예들에 따르면, CIS 칩 및/또는 글래스에 적어도 하나의 지지홈이 형성되고, 접착층은 지지홈에 삽입된 지지부를 포함하게 되므로, 접착층과 CIS 칩 및/또는 글래스 사이의 접촉 면적이 증가되어, 접착층의 접착력이 크게 강화될 수 있다. 따라서, CIS 패키지를 고온 하에서 테스트하는 도중, 접착층이 CIS 칩 및/또는 글래스로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110 ; 패키지 기판 120 ; CIS 칩
122 ; 제 1 지지홈 130 ; 글래스
132 ; 제 2 지지홈 140 ; 접착층
142 ; 제 1 지지부 144 ; 제 2 지지부
150 ; 도전성 와이어 160 ; 몰딩 부재
170 ; 외부접속단자 180 ; 마이크로 렌즈

Claims (10)

  1. 패키지 기판;
    상기 패키지 기판의 상부면에 배치되어 상기 패키지 기판에 전기적으로 연결되고, 상부면 가장자리를 따라 형성된 적어도 하나의 제 1 지지홈을 갖는 시모스 이미지 센서(CMOS Image Sensor) 칩;
    상기 CIS 칩의 상부에 배치되고, 하부면 가장자리를 따라 형성된 적어도 하나의 제 2 지지홈을 갖는 글래스;
    상기 CIS 칩의 상부면 가장자리와 상기 글래스의 하부면 가장자리 사이에 개재되어 상기 글래스를 상기 CIS 칩에 부착시키고, 상기 제 1 지지홈에 삽입된 제 1 지지부 및 상기 제 2 지지홈에 삽입된 제 2 지지부를 포함하는 접착층; 및
    상기 패키지 기판의 상부면에 형성되어 상기 CIS 칩과 상기 글래스를 지지하는 몰딩 부재를 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 지지홈들 각각은 상기 접착층의 폭의 2/15 내지 3/15의 폭을 갖는 시모스 이미지 센서(CIS) 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 지지홈은 적어도 2줄 이상으로 배열되고, 상기 제 2 지지홈은 적어도 2줄 이상으로 배열된 CIS 패키지.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 지지홈은 간격을 두고 배열된 복수개로 이루어지고, 상기 제 2 지지홈은 간격을 두고 배열된 복수개로 이루어진 CIS 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 지지홈과 상기 제 2 지지홈은 삼각형, 직사각형, 사다리꼴 또는 반원 형상을 갖는 CIS 패키지.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 패키지 기판의 하부면에 실장된 외부접속단자들을 더 포함하는 CIS 패키지.
  6. 패키지 기판;
    상기 패키지 기판의 상부면에 배치되어 상기 패키지 기판에 전기적으로 연결되고, 상부면 가장자리를 따라 형성된 적어도 하나의 제 1 지지홈을 갖는 시모스 이미지 센서(CIS) 칩;
    상기 CIS 칩의 상부에 배치되고, 하부면 가장자리를 따라 형성된 적어도 하나의 제 2 지지홈을 갖는 글래스;
    상기 CIS 칩의 상부면 가장자리와 상기 글래스의 하부면 가장자리 사이에 개재되어 상기 글래스를 상기 CIS 칩에 부착시키고, 상기 제 1 지지홈에 삽입된 제 1 지지부 및 상기 제 2 지지홈에 삽입된 제 2 지지부를 포함하는 접착층; 및
    상기 패키지 기판의 상부면에 형성되어 상기 CIS 칩과 상기 글래스를 지지하는 몰딩 부재를 포함하는 CIS 패키지.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 지지홈은 적어도 2줄 이상으로 배열되고, 상기 제 2 지지홈은 적어도 2줄 이상으로 배열된 CIS 패키지.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 지지홈은 간격을 두고 배열된 복수개로 이루어지고, 상기 제 2 지지홈은 간격을 두고 배열된 복수개로 이루어진 CIS 패키지.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 지지홈과 상기 제 2 지지홈은 삼각형, 직사각형, 사다리꼴 또는 반원 형상을 갖는 CIS 패키지.
  10. 제 6 항에 있어서, 상기 패키지 기판의 하부면에 실장된 외부접속단자들을 더 포함하는 CIS 패키지.
KR1020200076238A 2020-06-23 2020-06-23 시모스 이미지 센서 패키지 KR20210158012A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200076238A KR20210158012A (ko) 2020-06-23 2020-06-23 시모스 이미지 센서 패키지
US17/144,286 US11901384B2 (en) 2020-06-23 2021-01-08 CMOS image sensor package
TW110101095A TW202201769A (zh) 2020-06-23 2021-01-12 互補式金屬氧化物半導體影像感測器封裝

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200076238A KR20210158012A (ko) 2020-06-23 2020-06-23 시모스 이미지 센서 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210158012A true KR20210158012A (ko) 2021-12-30

Family

ID=79022433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200076238A KR20210158012A (ko) 2020-06-23 2020-06-23 시모스 이미지 센서 패키지

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11901384B2 (ko)
KR (1) KR20210158012A (ko)
TW (1) TW202201769A (ko)

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000023279A1 (en) 1998-10-16 2000-04-27 Silverbrook Research Pty. Limited Improvements relating to inkjet printers
US6483030B1 (en) * 1999-12-08 2002-11-19 Amkor Technology, Inc. Snap lid image sensor package
US6540675B2 (en) 2000-06-27 2003-04-01 Rosedale Medical, Inc. Analyte monitor
KR20020037623A (ko) 2000-11-15 2002-05-22 윤종용 글라스 리드와 홈이 형성된 글라스 리드 탑재부를 갖는반도체 칩 패키지
US7199439B2 (en) 2004-06-14 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
JP4838501B2 (ja) * 2004-06-15 2011-12-14 富士通セミコンダクター株式会社 撮像装置及びその製造方法
US7645635B2 (en) 2004-08-16 2010-01-12 Micron Technology, Inc. Frame structure and semiconductor attach process for use therewith for fabrication of image sensor packages and the like, and resulting packages
TWI256142B (en) 2005-07-21 2006-06-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Image sensor package, optical glass used thereby, and processing method thereof
US7405456B2 (en) * 2005-09-14 2008-07-29 Sigurd Microelectronics Corp. Optical sensor chip package
JP4382030B2 (ja) 2005-11-15 2009-12-09 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
SG149725A1 (en) 2007-07-24 2009-02-27 Micron Technology Inc Thin semiconductor die packages and associated systems and methods
US20100013041A1 (en) 2008-07-15 2010-01-21 Micron Technology, Inc. Microelectronic imager packages with covers having non-planar surface features
JP2010166021A (ja) * 2008-12-18 2010-07-29 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
US7902661B2 (en) 2009-02-20 2011-03-08 National Semiconductor Corporation Integrated circuit micro-module
CN103034285A (zh) * 2011-09-30 2013-04-10 富泰华工业(深圳)有限公司 粘合结构
US9368429B2 (en) 2011-10-25 2016-06-14 Intel Corporation Interposer for hermetic sealing of sensor chips and for their integration with integrated circuit chips
JP5341266B2 (ja) 2012-02-17 2013-11-13 シャープ株式会社 カメラモジュール
US8692344B2 (en) * 2012-03-16 2014-04-08 Optiz, Inc Back side illuminated image sensor architecture, and method of making same
CN103311445B (zh) 2012-12-24 2016-03-16 上海天马微电子有限公司 有机发光二极管封装结构及其形成方法
KR101423136B1 (ko) 2012-12-28 2014-07-25 한국광기술원 반도체 본딩 조립체 및 반도체 본딩 조립 방법
US9608029B2 (en) 2013-06-28 2017-03-28 Stmicroelectronics Pte Ltd. Optical package with recess in transparent cover
US20170261493A1 (en) 2014-11-17 2017-09-14 Georgia Tech Research Corporation Cell culture interfaces, systems, and uses thereof
CN106677455B (zh) 2016-12-05 2019-07-05 云南科威液态金属谷研发有限公司 一种基于液态金属的智能壁纸

Also Published As

Publication number Publication date
TW202201769A (zh) 2022-01-01
US11901384B2 (en) 2024-02-13
US20210399033A1 (en) 2021-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11302247B2 (en) LED display device
JP3993475B2 (ja) Ledチップの実装構造、およびこれを備えた画像読み取り装置
US9978915B2 (en) Manufacturing method of a flip-chip light emitting diode package module
TWI476950B (zh) 發光單元及顯示裝置
KR100754407B1 (ko) 서브마운트 및 이를 구비하는 멀티 빔 레이저 다이오드모듈
US11289633B2 (en) LED array package and manufacturing method thereof
US20120092389A1 (en) Light-emitting device and display device
US8692282B2 (en) Light emitting diode package and light emitting module comprising the same
CN111564542B (zh) 微型发光二极管
KR20210158012A (ko) 시모스 이미지 센서 패키지
US20230074731A1 (en) Pixel unit and manufacturing method thereof
JP6611795B2 (ja) Ledパッケージ、発光装置およびledパッケージの製造方法
KR100765712B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
KR20130011883A (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 백라이트 유닛
TW202145599A (zh) 微型發光二極體
JP4945116B2 (ja) 半導体装置
KR20200105319A (ko) 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 및 그 제조방법
CN110959199B (zh) 光电子半导体器件和用于形成光电子半导体器件的方法
KR102555234B1 (ko) 플렉시블 엘이디 조명 장치
TWI449182B (zh) 積體光接收器電路及包括積體光接收器電路之光電零件
KR100760077B1 (ko) 백라이트 유닛
US11195822B2 (en) Light-emitting package and display device including the same
WO2024092594A1 (zh) 显示基板及透明显示装置
TWI802812B (zh) 具有光子集成電路的封裝結構
KR102600232B1 (ko) 방출형 led 표시 장치 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination