KR20200105319A - 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 및 그 제조방법 - Google Patents
마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200105319A KR20200105319A KR1020190024337A KR20190024337A KR20200105319A KR 20200105319 A KR20200105319 A KR 20200105319A KR 1020190024337 A KR1020190024337 A KR 1020190024337A KR 20190024337 A KR20190024337 A KR 20190024337A KR 20200105319 A KR20200105319 A KR 20200105319A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- micro led
- heat dissipation
- led chip
- display module
- external light
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 129
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L27/156—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
- H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
- H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H01L27/1214—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈을 도시한 분해사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예예에 따른 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈을 도시한 평면도이다.
도 4는 도 1 내지 도 3에 도시된 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈에서 마이크로 엘이디 픽셀 및/또는 마이크로 엘이디칩들과 방열홀 사이의 위치 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 3의 A-A를 따라 취해진 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈의 단면도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 엘이디 모듈 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는 도 8에 도시된 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 여러 다양한 실시예들을 설명하기 위한 도면들이다.
200a, 200b, 200c: 마이크로 엘이디칩 300: 접착제층
320: 방열 리세스 420: 방열홀
Claims (20)
- 기판;
상기 기판 상에 매트릭스로 배열되고, 제1 마이크로 엘이디칩, 제2 마이크로 엘이디칩 및 제3 마이크로 엘이디칩을 포함하는, 복수개의 마이크로 엘이디 픽셀들;
상기 제1 마이크로 엘이디칩, 상기 제2 마이크로 엘이디칩 및 상기 제3 마이크로 엘이디칩의 측면들과 상면을 덮도록 상기 기판 상에 형성된 접착제층; 및
상기 접착제층 상에 형성되는 외부광 흡수시트를 포함하며,
상기 외부광 흡수시트는 매트릭스로 배열된 복수개의 방열홀들을 포함하며,
상기 방열홀들 중 4개의 방열홀들의 중심을 연결한 영역 안에 적어도 하나의 마이크로 엘이디 픽셀이 위치하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈. - 청구항 1에 있어서, 상기 외부광 흡수시트는 블랙 컬러를 갖는 광 투과성 시트인 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈.
- 청구항 1에 있어서, 상기 방열홀들의 열들 중 n번째 방열홀 열과 n+1번째 방열홀 열 사이에 한 열의 마이크로 엘이디 픽셀들이 위치하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈.
- 청구항 1에 있어서, 상기 방열홀들의 열들과 행들 중, n번째 방열홀 열과 n+1번째 방열홀 열 사이와 m번째 방열홀 행과 n번째 방열홀 행 사이에 하나의 마이크로 엘이디 픽셀이 위치하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈.
- 청구항 1에 있어서, 상기 방열홀들은 상기 제1 마이크로 엘이디칩, 상기 제2 마이크로 엘이디칩 및 상기 제3 마이크로 엘이디칩에서 발생한 열을 외부로 방출하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈.
- 청구항 1에 있어서, 상기 방열홀들 각각은 원형인 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈.
- 청구항 1에 있어서, 상기 방열홀들 각각은 서로 이웃하는 두 마이크로 엘이디 픽셀들 사이의 제1 마이크로 엘이디칩과 제3 마이크로 엘이디칩 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈.
- 청구항 1에 있어서, 상기 방열홀들 각각은 복수개의 마이크로 엘이디 픽셀과 인접해 있도록 기다란 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈.
- 청구항 1에 있어서, 상기 접착제층의 상면은 상기 외부광 흡수시트에 의해 가려진 영역과 상기 방열홀들에 의해 노출된 영역들의 높이가 같은 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈.
- 청구항 1에 있어서, 상기 접착제층은 상기 방열홀들에 의해 노출된 영역들에 일정 깊이 함몰된 리세스들을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈.
- 청구항 1에 있어서, 상기 방열홀들 각각은 30~200㎛의 최대폭을 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈.
- 기판 상에 제1 마이크로 엘이디칩, 제2 마이크로 엘이디칩 및 제3 마이크로 엘이디칩을 포함하는 복수개의 마이크로 엘이디 픽셀들을 매트릭스로 배열하는 단계;
상기 제1 마이크로 엘이디칩, 상기 제2 마이크로 엘이디칩 및 상기 제3 마이크로 엘이디칩의 측면들과 상면을 덮도록 상기 기판 상에 접착제층을 형성하는 단계; 및
상기 접착제층 상에 외부광 흡수시트를 형성하는 단계를 포함하며,
상기 외부광 흡수시트를 상기 접착제층 상에 형성하는 단계에서, 상기 외부광 흡수시트는 매트릭스로 배열된 복수개의 방열홀들을 포함하며,
상기 방열홀들 중 4개의 방열홀들의 중심을 연결한 영역 안에 적어도 하나의 마이크로 엘이디 픽셀이 위치하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 제조방법. - 청구항 12에 있어서, 상기 외부광 흡수시트를 상기 접착체층 상에 형성하기 전에, 멀티핀들을 이용하여 상기 외부광 흡수시트에 상기 복수개의 방열홀들을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 제조방법.
- 청구항 12에 있어서, 상기 외부광 흡수시트를 상기 방열홀들이 형성되지 않은 상태로 상기 접착제층 상에 형성한 후에, 멀티핀들을 이용하여, 상기 외부광 흡수시트에 복수개의 방열홀들을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 제조방법.
- 청구항 14에 있어서, 상기 외부광 흡수시트를 상기 방열홀들이 형성되지 않은 상태로 상기 접착제층 상에 형성한 후에, 멀티핀들을 하강하여 상기 외부광 흡수시트에 복수개의 방열홀들을 형성하되, 상기 방열홀들 형성 후, 상기 멀티핀들을 더 하강하여. 상기 접착제층에 상기 방열홀들과 연결된 방열 리세스들을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 제조방법.
- 청구항 12에 있어서, 상기 방열홀들의 열들 중 n번째 방열홀 열과 n+1번째 방열홀 열 사이에 한 열의 마이크로 엘이디 픽셀들이 위치하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 제조방법.
- 청구항 12에 있어서, 상기 방열홀들의 열들과 행들 중, n번째 방열홀 열과 n+1번째 방열홀 열 사이와 m번째 방열홀 행과 n번째 방열홀 행 사이에 하나의 마이크로 엘이디 픽셀이 위치하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 제조방법.
- 청구항 12에 있어서, 상기 복수개의 방열홀들은 상기 제1 마이크로 엘이디칩, 상기 제2 마이크로 엘이디칩 및 상기 제3 마이크로 엘이디칩에서 발생한 열을 외부로 방출하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 제조방법.
- 청구항 12에 있어서, 상기 방열홀들 각각은 원형인 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 제조방법.
- 청구항 12에 있어서, 상기 방열홀들 각각은 서로 이웃하는 두 마이크로 엘이디 픽셀들 사이의 제1 마이크로 엘이디칩과 제3 마이크로 엘이디칩 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 제조방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190024337A KR102617458B1 (ko) | 2019-02-28 | 2019-02-28 | 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 및 그 제조방법 |
PCT/KR2020/002275 WO2020175843A1 (ko) | 2019-02-28 | 2020-02-18 | 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190024337A KR102617458B1 (ko) | 2019-02-28 | 2019-02-28 | 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200105319A true KR20200105319A (ko) | 2020-09-07 |
KR102617458B1 KR102617458B1 (ko) | 2023-12-26 |
Family
ID=72472013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190024337A KR102617458B1 (ko) | 2019-02-28 | 2019-02-28 | 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102617458B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023162646A1 (ja) * | 2022-02-24 | 2023-08-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 映像表示装置、映像処理システム、および映像処理方法 |
CN119050126A (zh) * | 2024-10-30 | 2024-11-29 | 镭昱光电科技(苏州)有限公司 | 显示器件及其形成方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012163699A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Sanwa Signworks Co Ltd | 表示装置 |
KR20170092265A (ko) * | 2016-02-03 | 2017-08-11 | 주식회사 루멘스 | 엘이디 모듈 및 그 제조방법 |
-
2019
- 2019-02-28 KR KR1020190024337A patent/KR102617458B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012163699A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Sanwa Signworks Co Ltd | 表示装置 |
KR20170092265A (ko) * | 2016-02-03 | 2017-08-11 | 주식회사 루멘스 | 엘이디 모듈 및 그 제조방법 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023162646A1 (ja) * | 2022-02-24 | 2023-08-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 映像表示装置、映像処理システム、および映像処理方法 |
CN119050126A (zh) * | 2024-10-30 | 2024-11-29 | 镭昱光电科技(苏州)有限公司 | 显示器件及其形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102617458B1 (ko) | 2023-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10872882B2 (en) | LED module assemblies for displays | |
JP5652100B2 (ja) | 表示パネル、表示装置、照明パネルおよび照明装置、ならびに表示パネルおよび照明パネルの製造方法 | |
KR102742940B1 (ko) | Led 어레이 패키지 및 그 제조방법 | |
JP4629023B2 (ja) | 面光源装置および表示装置 | |
KR101305765B1 (ko) | 면 발광 유닛 및 그 제조 방법 | |
WO2013001708A1 (ja) | 光源装置および液晶表示装置 | |
KR20130022074A (ko) | 발광 모듈 및 백라이트 유닛 | |
JP6703312B2 (ja) | 発光モジュールおよび面発光光源 | |
JP2004311791A (ja) | 照明装置、バックライト装置および表示装置 | |
JP2007095674A (ja) | 面光源装置および表示装置 | |
US11152423B2 (en) | Optical assembly and display device comprising an arrangement of luminescence diode chips | |
KR102617458B1 (ko) | 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 및 그 제조방법 | |
KR20100134494A (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 디스플레이장치 | |
JP6355445B2 (ja) | 映像表示装置、大型表示装置及び映像表示装置の製造方法 | |
US20210265328A1 (en) | Flexible lighting device and display panel using micro led chips | |
KR20180064583A (ko) | 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
US7741774B2 (en) | Backlight module including at least one luminescence element, and method of fabricating the same | |
US9666564B2 (en) | Light emitting device | |
US20190181309A1 (en) | Cutting method of semiconductor package module and semiconductor package unit | |
KR20120003465A (ko) | 광전 소자 조립체 | |
US11506933B2 (en) | Light-emitting module, method for manufacturing the same, and liquid-crystal display device | |
US11536892B2 (en) | Method for manufacturing light-emitting module | |
WO2020175843A1 (ko) | 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 및 그 제조방법 | |
CN112530920A (zh) | 发光模块及其制造方法 | |
JP2020181941A (ja) | 発光装置、及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20190228 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20220217 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20190228 Comment text: Patent Application |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20231119 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20231219 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20231220 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |