CN111564542B - 微型发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种微型发光二极管，包括磊晶结构、第一电极以及第二电极。磊晶结构具有表面。第一电极与第二电极分别配置于磊晶结构的表面上。第二电极位于第一电极的外侧，且第二电极与磊晶结构的几何中心呈对称配置。本发明提供的微型发光二极管，其于后续转移接合程序时，电极无须对位且受力平均，可具有较佳地结构可靠度。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光结构，尤其涉及一种微型发光二极管。
背景技术
微型发光二极管显示器具有低功耗、高亮度、高色彩饱和度、反应速度快以及省电等优点，不仅如此，微型发光二极管显示器更具有材料稳定性佳与无图像残留(imagesticking)等优势。因此，微型发光二极管显示器的显示技术的发展备受关注。
就制程上而言，在将微型发光二极管自成长基板转移至驱动电路基板的过程中，需对微型发光二极管进行加热加压，以使微型发光二极管电性接合于驱动电路基板。然而，现今的微型发光二极管因是通过贯孔的设计而使N电极与N型半导体层电性连接，因而导致配置在磊晶结构层同一侧且位于左右两旁的P电极与N电极在转移时受力不均。此外，在转移的过程中，也需要花费时间来将P电极与N电极准确地对位至驱动电路基板的接垫上。因此，如何使微型发光二极管的电极在转移接合时受力平均且能快速对位已成为亟待克服的课题。
发明内容
本发明是针对一种微型发光二极管，其于后续转移接合程序时，电极无须对位且受力平均，可具有较佳地结构可靠度。
根据本发明的实施例，微型发光二极管包括磊晶结构、第一电极以及第二电极。磊晶结构具有表面。第一电极配置于磊晶结构的表面上。第二电极配置于磊晶结构的表面上。第二电极位于第一电极的外侧，且第二电极与磊晶结构的几何中心呈对称配置。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的磊晶结构包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层以及至少一贯孔。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间，而贯孔从第二型半导体层延伸至第一型半导体层。微型发光二极管更包括绝缘层以及导电材料。绝缘层与第一电极配置于第二型半导体层上，且绝缘层延伸覆盖贯孔的内壁。导电材料填充于贯孔内，且位于第二电极与绝缘层之间。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的以俯视观之，贯孔的面积与第二电极的面积的比率小于等于0.5。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的至少一贯孔包括两贯孔，位于第一电极的相对两侧。两贯孔与磊晶结构的几何中心呈对称配置。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的以俯视观之，第二电极的面积大于第一电极的面积。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第二电极与磊晶结构的几何中心呈点对称，或者是，第二电极与几何中心的对称线呈线对称。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第二电极与第一电极之间具有最小间距，且最小间距大于等于0.5微米。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第一电极具有第一最大宽度，而第二电极具有第二最大宽度，且第二最大宽度小于等于第一最大宽度。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第一电极与磊晶结构的几何中心呈对称配置。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第一电极与第二电极不共平面。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第一电极的第一表面高于第二电极的第二表面。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第一电极的杨氏模数小于第二电极的杨氏模数。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第一电极的第一表面低于第二电极的第二表面。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第一电极的杨氏模数大于第二电极的杨氏模数。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第二电极的宽度小于第二电极与第一电极之间的距离。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的以俯视观之，磊晶结构的形状与第二电极的形状呈共形设置，且第二电极为环状电极。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第二电极与磊晶结构的周围表面具有间隔距离，且间隔距离小于等于5微米且大于等于0.5微米。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第二电极的边长与磊晶结构的总边长的比率大于等于0.2。第二电极的面积与磊晶结构的总表面面积的比率大于等于0.2且小于等于0.8。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第二电极具有第一电性与第二电性，第一电性不同于第二电性，而第二电性与第一电极的电性相同。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第一电极包括多个点状电极，而第二电极包括多个线状电极。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第二电极包括多个电极部以及多个走线部，电极部分别连接走线部。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的电极部的材质相同或不同于走线部的材质。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的第一电极包括电极部以及多个走线部，而走线部连接至电极部。
在根据本发明的实施例的微型发光二极管中，上述的电极部的材质相同或不同于走线部的材质。
根据本发明的实施例，微型发光二极管包括磊晶结构、第一电极以及第二电极。第一电极配置于磊晶结构的表面上。第二电极配置于磊晶结构的表面上。第二电极位于第一电极的外侧，且第二电极与第一电极的几何中心呈对称配置。
基于上述，在本发明的微型发光二极管的设计中，由于位于第一电极外侧的第二电极与磊晶结构的几何中心呈对称配置，因此于后续转移接合程序时，第一电极与第二电极无须对位且平均受力。如此一来，本发明的微型发光二极管可有较佳地结构可靠度。
附图说明
图1A是依照本发明的一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图；
图1B是沿图1A的线A-A的剖面示意图；
图2A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图；
图2B是沿图2A的线B-B的剖面示意图；
图3A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的剖面示意图；
图3B是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的剖面示意图；
图4A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图；
图4B是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图；
图5A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图；
图5B是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图；
图6A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图；
图6B是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图；
图7A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图；
图7B是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图；
图7C是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图；
图8是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管显示装置的剖面示意图。
附图标记说明
10:微型发光二极管显示装置；
100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100l、100m:微型发光二极管；
110a、110b、110e、110f、110h:磊晶结构；
111a:表面；
112:第一型半导体层；
113a:周围表面；
114:发光层；
115a、115b:贯孔；
116:第二型半导体层；
120a、120b、120j、120l:第一电极；
122a、122b:第一表面；
124j:点状电极；
124l:电极部；
126l:走线部；
130a、130b、130e、130f、130g、130i:第二电极；
132a、132b:第二表面；
134g、134k:电极部；
134i:第一电极部；
134j:线状电极；
136i:第二电极部；
136k:走线部；
140:绝缘层；
150:导电材料；
200:驱动基板；
210:接垫；
C、C1:几何中心；
D:最小间距；
G:距离；
L:对称线；
S:间隔距离；
W1:第一最大宽度；
W2:第二最大宽度；
W:宽度。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1A是依照本发明的一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图。图1B是沿图1A的线A-A的剖面示意图。请同时参考图1A与图1B，在本实施例中，微型发光二极管100a包括磊晶结构110a、第一电极120a以及第二电极130a。磊晶结构110a具有表面111a。第一电极120a与第二电极130a分别配置于磊晶结构110a的表面111a上，其中第二电极130a位于第一电极120a的外侧，且第二电极130a与磊晶结构110a的几何中心C呈对称配置。
详细来说，本实施例的磊晶结构110a包括第一型半导体层112、发光层114、第二型半导体层116以及至少一贯孔115a(示意地示出两个贯孔115a)。发光层114位于第一型半导体层112与第二型半导体层116之间，而贯孔115a从第二型半导体层116延伸至第一型半导体层112。此处，两贯孔115a位于第一电极120a的相对两侧，且两贯孔115a与磊晶结构110a的几何中心C呈对称配置。再者，本实施例的微型发光二极管100a更包括绝缘层140以及导电材料150。绝缘层140与第一电极120a配置于第二型半导体层116上，且绝缘层140延伸覆盖贯孔115a的内壁。导电材料150填充于贯孔115a内，且位于第二电极130a与绝缘层140之间，其中绝缘层140可使第二电极130a电性绝缘于第二型半导体层116。此处，第一电极120a与第二型半导体层116电性连接，而第二电极130a通过导电材料150与第一型半导体层112电性连接。于未示出的实施例中，导电材料150与第二电极130a可具有空气间隙，可使导电材料150与第二电极130a部分接触作为转移时的缓冲空间亦可以电性连接。第二电极130a与导电材料150可以是不同材料，且导电材料150的电阻率小于第二电极130a，以增加对第一型半导体层112的欧姆接触。然而，第二电极130a与导电村料150也可以是同一材料，且一体成型在同一制程中制造完成，可增加制程速率。
更进一步来说，请再参考图1A，以俯视观之，本实施例磊晶结构110a的形状与第二电极130a的形状呈共形设置，可使接合时的压力平均。第一电极120a的形状不同于第二电极130a的形状，其中第二电极130a例如为封闭式环状电极，而第一电极120a例如为块状电极。此处，第二电极130a具体化为矩形环状电极且环绕第一电极120a，其中第一电极120a可视为是内电极，而第二电极130a可视为是外电极。第二电极130a的边长与磊晶结构110a的总边长的比率大于等于0.2。若上述的比率小于0.2，则会使电流分布不均。再者，第二电极130a的面积与磊晶结构110a的总表面面积的比率大于等于0.2且小于等于0.8。若上述的比率过小，则会使磊晶结构110a与第二电极的120a分布有偏差，造成电流分布不均。于一实施例中，第一电极120a与第二电极130a其中的一者为P电极，而第一电极120a与第二电极130a其中的另一者为N电极。较佳地，第一电极120a为N电极，而第二电极130a为P电极，可使磊晶结构110a的发光面积较大有较佳出光效率，但不以此为限。
再者，以俯视观之，第二电极130a的面积大于第一电极120a的面积，其中第二电极130a可作为反射层。较佳地，两贯孔115a的面积与第二电极130a的面积的比率小于等于0.5。若上述的比率过大，则会降低磊晶结构110a的结构强度。较佳地，上述的比率可以小于等于0.3且大于等于0.05，可以同时兼顾磊晶结构110a的结构强度与第二电极130a与第一型半导体层112电性连接效率。第二电极130a与第一电极120a之间可呈等间距或呈不等间距，其中第二电极130a与第一电极120a之间具有最小间距D，且最小间距D大于等于0.5微米且小于等于10微米，可使电流分布均匀。第一电极120a可呈等宽度或可呈不等宽度且具有第一最大宽度W1，而第二电极130a可呈等宽度或可呈不等宽度且具有第二最大宽度W2，其中第二最大宽度W2小于等于第一最大宽度W1。此外，第二电极130a的任一宽度W小于第二电极130a与第一电极120a之间的距离G，可避免转移接合程序时产生短路(short)。另外，请同时参考图1A与图1B，第二电极130a与磊晶结构110a的周围表面113a具有间隔距离S，其中间隔距离S小于等于5微米且大于等于0.5微米，可避免后续转移接合程序时产生溢流。
如图1B所示，在本实施例中，第一电极120a与第二电极130a呈共平面，意即，第一电极120a的第一表面122a切齐于第二电极130a的第二表面132a。再者，本实施例的第二电极130a与磊晶结构110a的几何中心C可呈点对称。此处几何中心C是以俯视磊晶结构110a的整体的几何中心。于其他实施例中，亦可以自俯视磊晶结构110a的表面111a，而得到表面111a的几何中心，只要第二电极130a与第一电极120a能相对磊晶结构110a对称配置即可。另一方面来说，第二电极130a与磊晶结构110a的几何中心C的对称线L呈线对称，或者是，第二电极130a与磊晶结构110a的几何中心C的对称线L呈180度对称。此外，第二电极130a对称于第一电极120a配置，而第一电极120a与磊晶结构110a的几何中心C呈对称配置。于本实施例中，第二电极130a亦与第一电极120a的几何中心C1呈对称配置。
简言之，由于位于第一电极120a外侧且环绕第一电极120a的第二电极130a与磊晶结构110a的几何中心C呈对称配置，因此于后续转移接合程序时，第一电极120a与第二电极130a无须对位且可平均受力。如此一来，本实施例的微型发光二极管100a可有较佳地结构可靠度亦增加了制程裕度。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图。图2B是沿图2A的线B-B的剖面示意图。请同时参考图1B、图2A与图2B，本实施例的微型发光二极管100b与图1B的微型发光二极管100a相似，两者的差异在于：本实施例的磊晶结构110b仅具有一个贯孔115b，避免磊晶结构110b内部结构因贯孔而破坏，因此可使得本实施例的微型发光二极管100b可具有较大的出光面积。通过第二电极130a呈环状且与磊晶结构110b边缘共形，藉此来平衡磊晶结构110b左右两侧的重量，使转移接合程序时微型发光二极管100b可平均受力。
图3A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的剖面示意图。请同时参考图3A与图1B，本实施例的微型发光二极管100c与图1B的微型发光二极管100a相似，两者的差异在于：本实施例的第一电极120b与第二电极130a呈不共平面。详细来说，第一电极120b的第一表面122b高于第二电极130a的第二表面132a，且第一电极120b的杨氏模数小于第二电极130a的杨氏模数。因此，第一电极120b可以作为转移时的缓冲，减少转移时，转移头(未示出)施于中心的压力。
图3B是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的剖面示意图。请同时参考图3B与图1B，本实施例的微型发光二极管100d与图1B的微型发光二极管100a相似，两者的差异在于：本实施例的第一电极120a与第二电极130b呈不共平面。详细来说，第一电极120a的第一表面122a低于第二电极130b的第二表面132b，且第一电极120a的杨氏模数大于第二电极130b的杨氏模数。因此，在外侧的第二电极130b可以作为转移时的缓冲以及增加转移时，转移头(未示出)对位的精准度。
图4A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图。请同时参考图4A与图1A，本实施例的微型发光二极管100e与图1B的微型发光二极管100a相似，两者的差异在于：本实施例的磊晶结构110e的形状与第二电极130e的形状呈共形设置，且第二电极130e具体化为三角形环状电极且环绕第一电极120a。
图4B是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图。请同时参考图4B与图1A，本实施例的微型发光二极管100f与图1B的微型发光二极管100a相似，两者的差异在于：本实施例的磊晶结构110f的形状与第二电极130f的形状呈共形设置，且第二电极130f具体化为椭圆环状电极且环绕第一电极120a。
图5A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图。请同时参考图5A与图1A，本实施例的微型发光二极管100g与图1B的微型发光二极管100a相似，两者的差异在于：本实施例的第二电极130g为开放式环状电极，其中第二电极130g包括彼此分离的多个电极部134g，且这些电极部134g沿着磊晶结构110g的俯视形状排列且环绕第一电极120a。通过分离的多个电极部134g，可以同时兼顾转移对位精准度，也让转移时在加压加温下，第二电极130g之间的缓冲防溢流到其他位置。
图5B是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图。请同时参考图5B与图5A，本实施例的微型发光二极管100h与图5A的微型发光二极管100g相似，两者的差异在于：本实施例的第二电极130h仅具有二个电极部134h，位于磊晶结构110h的对角线上，可以同时兼顾转移对位精准度与避免电极侧出光时的遮光，可增加出光效率。
图6A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图。请同时参考图6A与图5A，本实施例的微型发光二极管100i与图5A的微型发光二极管100g相似，两者的差异在于：本实施例的第二电极130i包括彼此分离的第一电极部134i以及第二电极部136i，其中第一电极部134i具有第一电性，而第二电极部136i具有第二电性，且第一电性不同于第二电性。特别是，第二电极部136i的第二电性与第一电极120a的电性相同。简言之，第二电极130i是由两种不同的电性组成。通过第二电极130i是由两种不同的电性组成加以对称配置的设计，可以增加转移对位精准度，亦可以视需求针对不同电性电极需求的配置面积以增加电流均匀度。
图6B是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图。请同时参考图6B与图1A，本实施例的微型发光二极管100j与图1A的微型发光二极管100a相似，两者的差异在于：本实施例的第一电极120j包括多个点状电极124j(示意地示出四个点状电极124j)，而第二电极130j包括多个线状电极134j(示意地示出二个线状电极134j)。点状电极124j彼此分离且为矩形块状电极，而线状电极134j位于点状电极124j的相对两侧且为矩形条状电极，可增加电极均匀度且中心不遮光。
图7A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图。请同时参考图7A与图1A，本实施例的微型发光二极管100k与图1A的微型发光二极管100a相似，两者的差异在于：本实施例的第二电极130k包括多个电极部134k以及多个走线部136k，其中电极部134k分别连接走线部136k。此处，电极部134k的材质不同于走线部136k的材质，其中走线部136k的电极小于电极部134k的电阻，可以增加电性连接效率。此处，电极部134k的材质例如是透明导电材料，而走线部136k的材质例如是金属。于另一实施例中，电极部134k的材质相同于走线部136k的材质或是一体成型，此仍属于本发明所欲保护的范围。
图7B是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图。请同时参考图7B与图1A，本实施例的微型发光二极管100l与图1A的微型发光二极管100a相似，两者的差异在于：本实施例的第一电极120l包括电极部124l以及多个走线部126l，其中走线部126l连接至电极部124l。此处，电极部124l的材质不同于走线部126l的材质，其中走线部126l的电极小于电极部124l的电阻，可以增加电性连接效率。此处，电极部124l的材质例如是透明导电材料，而走线部126l的材质例如是金属。于另一实施例中，电极部124l的材质相同于走线部126l的材质或是一体成型，此仍属于本发明所欲保护的范围。
图7C是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管的俯视示意图。请同时参考图7C与图1A，本实施例的微型发光二极管100m与图1A的微型发光二极管100a相似，两者的差异在于：本实施例的第一电极120m具体化为网状电极，可使转移时中心受压的第一电极120m可以有更多的缓冲空间防溢流至第二电极130a。
图8是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管显示装置的剖面示意图。请参考图8，在应用上，可将图1B中的多个微型发光二极管100a转移接合至驱动基板200的接垫210上，而形成微型发光二极管显示装置10。详细来说，每一微型发光二极管100a的第一电极120a与环绕第一电极120a的第二电极130a无须分别左右对位，即可直接接合至驱动基板200的接垫210上。此外，由于第二电极130a与磊晶结构110a的几何中心C呈对称配置，因此于转移接合程序时，第一电极120a与第二电极130a可平均受力。
综上所述，在本发明的微型发光二极管的设计中，由于位于第一电极外侧的第二电极与磊晶结构的几何中心呈对称配置，因此于后续转移接合程序时，第一电极与第二电极无须对位且平均受力。如此一来，本发明的微型发光二极管可有较佳地结构可靠度。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (24)
1.一种微型发光二极管，其特征在于，包括：
磊晶结构，具有表面；
第一电极，配置于所述磊晶结构的所述表面上；以及
第二电极，配置于所述磊晶结构的所述表面上，其中所述第二电极位于所述第一电极的外侧，且所述第二电极与所述磊晶结构的几何中心呈对称配置，所述第二电极具有第一电性与第二电性，所述第一电性不同于所述第二电性，而所述第二电性与所述第一电极的电性相同。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述磊晶结构包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层以及至少一贯孔，所述发光层位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间，而所述至少一贯孔从所述第二型半导体层延伸至所述第一型半导体层，所述微型发光二极管更包括：
绝缘层，与所述第一电极配置于所述第一及第二型半导体层上，且所述绝缘层延伸覆盖所述至少一贯孔的内壁；以及
导电材料，填充于所述至少一贯孔内，且位于所述第二电极与所述绝缘层之间。
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，以俯视观之，所述至少一贯孔的面积与所述第二电极的面积的比率小于等于0.5。
4.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，所述至少一贯孔包括两贯孔，位于所述第一电极的相对两侧，且所述两贯孔与所述磊晶结构的所述几何中心呈对称配置。
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，以俯视观之，所述第二电极的面积大于所述第一电极的面积。
6.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第二电极与所述磊晶结构的所述几何中心呈点对称，或者是，所述第二电极与所述几何中心的对称线呈线对称。
7.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第二电极与所述第一电极之间具有最小间距，且所述最小间距大于等于0.5微米且小于等于10微米。
8.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极具有第一最大宽度，而所述第二电极具有第二最大宽度，且所述第二最大宽度小于等于所述第一最大宽度。
9.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极与所述磊晶结构的所述几何中心呈对称配置。
10.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极不共平面。
11.根据权利要求10所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极的第一表面高于所述第二电极的第二表面。
12.根据权利要求11所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极的杨氏模数小于所述第二电极的杨氏模数。
13.根据权利要求10所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极的第一表面低于所述第二电极的第二表面。
14.根据权利要求13所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极的杨氏模数大于所述第二电极的杨氏模数。
15.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第二电极的宽度小于所述第二电极与所述第一电极之间的距离。
16.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，以俯视观之，所述磊晶结构的形状与所述第二电极的形状呈共形设置，且所述第二电极为环状电极。
17.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第二电极与所述磊晶结构的周围表面具有间隔距离，且所述间隔距离小于等于5微米且大于等于0.5微米。
18.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第二电极的边长与所述磊晶结构的总边长的比率大于等于0.2，且所述第二电极的面积与所述磊晶结构的总表面面积的比率大于等于0.2且小于等于0.8。
19.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极包括多个点状电极，而所述第二电极包括多个线状电极。
20.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第二电极包括多个电极部以及多个走线部，所述多个电极部分别连接所述多个走线部。
21.根据权利要求20所述的微型发光二极管，其特征在于，所述多个电极部的材质不同于所述多个走线部的材质。
22.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极包括电极部以及多个走线部，而所述多个走线部连接至所述电极部。
23.根据权利要求22所述的微型发光二极管，其特征在于，所述电极部的材质不同于所述多个走线部的材质。
24.一种微型发光二极管，其特征在于，包括：
磊晶结构，具有表面；
第一电极，配置于所述磊晶结构的所述表面上；以及
第二电极，配置于所述磊晶结构的所述表面上，其中所述第二电极位于所述第一电极的外侧，且所述第二电极与所述第一电极的几何中心呈对称配置，所述第二电极具有第一电性与第二电性，所述第一电性不同于所述第二电性，而所述第二电性与所述第一电极的电性相同。
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