CN214672654U - 发光元件模块及包括该发光元件模块的显示器装置 - Google Patents

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Abstract

公开一种发光元件模块及包括该发光元件模块的显示器装置。根据本实用新型的一实施例包括:基板;多个发光元件,安装于所述基板上;粘合层,介于所述基板与所述发光元件之间;以及接合线,将所述多个发光元件电连接,其中,所述基板在至少一部分区域包括外围电极,所述粘合层具有非导电性物质。

Description

发光元件模块及包括该发光元件模块的显示器装置
技术领域
本实用新型涉及一种发光元件模块及包括该发光元件模块的显示器装置。
背景技术
发光元件是利用作为无机光源的发光二极管的半导体元件,被多样地用于诸如显示器装置、车辆用灯具、一般照明之类的多种领域,这种发光二极管具有寿命长、功耗低且响应速度快的优点,因此正快速地替代现有光源。
另外,现有的发光二极管在显示器装置中主要用作背光源,但是,最近正在开发利用发光二极管来直接实现图像的LED显示器装置。这种显示器装置也被称为微型LED显示器装置。
这种显示器装置通常利用蓝色、绿色及红色的混合色来实现多样的颜色并且为了实现多样的图像而包括多个像素,各个像素配备有蓝色、绿色及红色的子像素。通过这些子像素的颜色来确定特定像素的颜色,通过这些像素的组合来实现图像。
在微型LED显示器的情况下,微型LED与各个子像素对应地排列在平面上,在一个基板上安装有大量的微型LED。然而,微型LED为200μm以下,进一步为100μm以下,其尺寸非常小,因此在将微型LED转印到电路基板的过程中存在许多困难。
实用新型内容
本实用新型期望解决的技术问题在于提供一种容易将发光元件转印到基板上的发光元件模块及包括该发光元件模块的显示器装置。
根据本实用新型的一实施例的一种发光元件模块可以包括:基板;多个发光元件,安装于所述基板上;粘合层,介于所述基板与所述发光元件之间;以及接合线,将所述多个发光元件电连接,其中,所述基板可以在至少一部分区域包括外围电极,所述粘合层可以具有非导电性物质。
所述基板可以利用非导电性物质形成。
所述多个发光元件可以发出彼此不同的波长的光。
所述多个发光元件可以分别发出蓝色光、绿色光及红色光。
所述多个发光元件中的每一个可以包括第一LED堆叠件、第二LED堆叠件及第三LED堆叠件,所述第一LED堆叠件、第二LED堆叠件及第三LED堆叠件可以分别发出红色光、蓝色光及绿色光。
所述基板可以包括至少四个外围电极。
所述多个发光元件可以在所述基板上以矩阵形态排列。
所述多个发光元件可以在所述基板上以“Z”字形态排列。
所述接合线可以将所述多个发光元件及外围电极电连接。
所述接合线可以利用金属物质形成。
所述基板可以包括至少两个外围电极。
所述外围电极可以包括第一外围电极及第二外围电极,所述第一外围电极可以布置成与所述基板的一侧面相邻并平行,所述第二外围电极可以布置成与所述第一外围电极面对并与所述基板的另一侧面相邻。
所述外围电极可以形成为贯通所述基板。
所述外围电极可以形成为覆盖所述基板的侧面。
所述发光元件模块还可以包括:成型层,围绕所述发光元件而形成。
根据本实用新型的一实施例的一种显示器装置可以包括:面板基板;以及多个发光元件模块,排列在所述面板基板上,其中,所述多个发光元件模块中的每一个可以包括:基板;多个发光元件,安装于所述基板上;粘合层,介于所述基板与所述发光元件之间;以及接合线,将所述多个发光元件电连接,其中,所述基板可以在至少一部分区域包括外围电极,所述粘合层可以具有非导电性物质。
所述基板可以利用非导电性物质形成。
所述接合线可以将所述发光元件与外围电极电连接。
所述接合线可以利用导电性物质形成。
所述发光元件模块可以在所述基板上包括至少两个外围电极。
根据本实用新型的实施例,能够提供一种容易将发光元件转印到基板上的发光元件模块及包括该发光元件模块的显示器装置。
附图说明
图1A是用于说明根据本实用新型的一实施例的显示器装置的示意性的平面图。
图1B是沿图1A的截取线A-A′而截取的示意性的剖视图。
图2A是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光元件模块的示意性的平面图。
图2B是沿图2A的截取线B-B′而截取的示意性的剖视图。
图2C是用于说明根据一实施例的发光元件的示意性的剖视图。
图2D是用于说明根据另一实施例的发光元件的示意性的剖视图。
图2E是用于说明根据又一实施例的发光元件的示意性的剖视图。
图3是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件模块的示意性的平面图。
图4是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件模块的示意性的平面图。
图5A是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件模块的示意性的平面图。
图5B是沿图5A的截取线C-C′而截取的示意性的剖视图。
图6A是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件模块的示意性的剖视图。
图6B是用于说明根据本实用新型的另一实施例的显示器装置的示意性的剖视图。
具体实施方式
以下,参照附图来详细说明本实用新型的实施例。为了能够将本实用新型的思想充分传递给本实用新型所属技术领域的普通技术人员,作为示例提供以下介绍的实施例。因此,本实用新型并不局限于如下所述的实施例,其可以具体化为其他形态。并且,在附图中,可能为了便利而扩大示出构成要素的宽度、长度、厚度等。并且,当记载为一个构成要素位于另一构成要素的“上部”或“之上”时,不仅包括各部分均“直接”位于另一部分的“上部”或“之上”的情形,还包括各构成要素与另一构成要素之间夹设有又一构成要素的情形。在整个说明书中,相同的附图标记表示相同的构成要素。
图1A及图1B是示出根据本实用新型的一实施例的多个发光元件10以矩阵形式排列的状态的显示器装置1000的平面图及剖视图。
参照图1A及图1B,显示器装置1000包括面板基板1100、多个发光元件模块100。多个所述发光元件模块100可以包括基板101、安装于基板101上的多个发光元件10以及模制层113。
所述面板基板1100可以利用诸如聚酰亚胺(PI:Polyimide)、FR4、玻璃等的材质形成,可以包括用于驱动无源矩阵或驱动有源矩阵的电路。根据本实用新型的实施例,所述面板基板1100可以在内部包括布线和电阻器。在另一实施例中,所述面板基板1100可以包括布线、晶体管及电容器等。并且,所述面板基板1100可以在上表面具有可以电连接于电路的垫1110。接合剂1120可以介于所述面板基板1100的上表面的垫1110与所述基板101之间,所述面板基板1100与所述基板101可以借由所述接合剂1120而接合(Bonding)。所述接合剂1120可以是焊球,所述基板101可以借由球栅阵列(BGA:Ball Grid Array)而接合。然而,本实用新型并不限于此,可以借由焊接、环氧接合及各向异性导电胶膜(ACF:AnisotropicConductive Film)接合等而连接。
外围电极103a、103b可以借由所述接合剂1120而接合到所述面板基板1100。更具体而言,所述面板基板1100上的垫1110与所述第一外围电极103a及第二外围电极103b可以与所述接合剂1120接触并接合。
所述多个发光元件模块100可以整齐排列在所述面板基板1100上。所述多个发光元件模块100可以以矩阵形式排列在所述面板基板1100上。如图1A所示,所述多个发光元件模块100可以排列成3×3,但是并不限于此,可以排列成诸如2×2、4×4、5×5等的多样的矩阵(n×m,n=1、2、3、4,…,m=1、2、3、4,…)。
所述各个发光元件模块100可以包括基板101和排列在所述基板101上的多个发光元件10。并且,发光元件模块100还可以包括围绕所述多个发光元件10的成型层113。
以下,将以布置于所述显示器装置1000内的所述发光元件模块100和整齐排列在所述发光元件模块100内的所述多个发光元件10的顺序详细说明所述显示器装置1000的各个构成要素。
图2A是示出根据本实用新型的一实施例的一个发光元件模块100的平面图,图2B是沿图2A的截取线B-B′而截取的示意性的剖视图,图2C是根据一实施例的一个发光元件10的剖视图。
参照图2A、2B及2C,所述各个发光元件模块100可以包括基板101、外围电极103a、103b、排列在所述基板101上的多个发光元件10、粘合层111、所述发光元件10之间的接合线W1及成型层113。
所述基板101可以是非导电性基板,例如PET基板、玻璃基板、石英基板、聚合物基板、硅(Si)基板、GaAs基板及蓝宝石基板。并且,所述基板101可以是适合于显示器装置的黑色基板101,但本实用新型并不限于此。
所述基板101为了将所述面板基板1100与多个所述发光元件10电连接,可以在所述基板101的边缘位置包括外围电极103a、103b。并且,所述外围电极103a、103b可以具有暴露于表面的垫,并且所述外围电极103a、103b可以包括贯通基板101的过孔。然而,本实用新型并不限于此,在另一实施例中,所述外围电极103a、103b可以形成为围绕所述基板101的侧面而代替所述过孔。
所述外围电极103a、103b可以与所述多个发光元件10电连接。更具体而言,所述外围电极103a、103b可以包括第一外围电极103a和第二外围电极103b。所述第一外围电极103a可以连接到所述发光元件10的至少一个电极,例如,可以连接到所述发光元件10的阳极。所述第二外围电极103b可以连接到所述发光元件10的至少一个电极,例如,可以连接到所述发光元件10的阴极。
在本实用新型的一实施例中,所述第一外围电极103a可以布置为与所述多个发光元件10的一侧面面对,所述第二外围电极103b可以与所述第一外围电极103a对向地布置于另一侧。并且,所述第一外围电极103a及第二外围电极103b可以分别平行于所述基板的一侧面和另一侧面而布置,并且可以形成为长的四边形,但是本实用新型并不限于此,外围电极的形态可以不受限制。
在本实用新型的实施例中,所述外围电极103a、103b可以包括两个外围电极,但并不限于此。在若干实施例中,外围电极可以与所述基板101的边缘位置相邻而分别形成在四个侧面附近,可以包括至少两个的外围电极。
所述第一外围电极103a及第二外围电极103b可以为了向所述多个发光元件10供应电源而布置,可以形成为公共阳极和公共阴极并与所述多个发光元件10彼此电连接。例如,一个第一外围电极103a可以共同地连接到多个发光元件10的阳极,一个第二外围电极103b可以共同地连接到多个发光元件10的阴极。然而,本实用新型并不限于此,在另一实施例中,每个发光元件10单独地连接有外围电极103a、103b,从而所述发光元件10被单独地驱动。并且,所述发光元件模块100还可以包括用于控制所述发光元件10的控制部,并可以借由所述控制部而控制所述多个发光元件10的驱动。
所述第一外围电极103a及第二外围电极103b可以利用导电性物质而形成,例如,可以利用诸如铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、铝(Al)及镍(Ni)之类的金属物质形成。
如图2A所示,所述多个发光元件10可以排列为6×6,但并不限于此,在若干实施例中,可以排列为多样的矩阵,或者也可以交错地排列。所述多个发光元件10可以包括在基板101上的彼此相同的平面上以6×6排列的发光元件10,但是本实用新型并不限于此。所述多个发光元件10可以包括至少三个发光元件10。
所述多个发光元件10可以分别发出红色光、绿色光及蓝色光。例如,布置于第一行的多个发光元件10可以依次发出红色光、绿色光及蓝色光,但是本实用新型并不限于此。例如,每一行内的发光元件也可以发出相同颜色的光。例如,可以是第一行内的发光元件发出红色光,第二行内的发光元件发出绿色光,第三行内的发光元件发出蓝色光。
在另一实施例中,所述发光元件10可以分别包括沿垂直方向堆叠的第一LED堆叠件、第二LED堆叠件及第三LED堆叠件。据此,一个发光元件10可以构成能够发出红色光、绿色光及蓝色光的一个像素。
从平面图观察时,所述发光元件10可以具有包括长轴和短轴的矩形形状的外形。例如,长轴长度可以具有100um以下的大小,短轴长度可以具有70um以下的大小。多个发光元件10可以具有大致相似的外形及大小。
发光结构体,即,第一导电型半导体层21、活性层23及第二导电型半导体层25可以生长在基板上。所述基板可以是氮化镓基板、GaAs基板、Si基板、蓝宝石基板,尤其,可以是诸如图案化的蓝宝石基板等的能够用于生长半导体的多样的基板。生长基板可以利用机械研磨、激光剥离、化学剥离等技术而从半导体层分离。然而,本实用新型并不限于此,也可以使基板的一部分残留而构成第一导电型半导体层21的至少一部分。
在一实施例中,在发出红色光的发光元件10a的情况下,半导体层可以包括铝镓砷化物(AlGaAs:aluminum gallium arsenide)、磷化镓砷化物(GaAsP:gallium arsenidephosphide)、铝镓铟磷化物(AlGaInP:aluminum gallium indium phosphide)或磷化镓(GaP:gallium phosphide)。
在发出绿色光的发光元件10b的情况下,半导体层可以包括铟镓氮化物(InGaN)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、铝镓铟磷化物(AlGaInP)或铝镓磷化物(AlGaP)。
在一实施例中,在发出蓝色光的发光元件10c的情况下,半导体层可以包括氮化镓(GaN)、铟镓氮化物(InGaN)或硒化锌(ZnSe:zinc selenide)。
第一导电型和第二导电型具有彼此相反的极性,在第一导电型为n型的情况下,第二导电型为p型,在第一导电型为p型的情况下,第二导电型为n型。
第一导电型半导体层21、活性层23以及第二导电型半导体层25可以利用诸如金属有机化学气相沉积法(MOCVD)等的公知的方法而在腔室内生长于基板上。并且,第一导电型半导体层21包括n型杂质(例如,Si、Ge、Sn),第二导电型半导体层25包括p型杂质(例如,Mg、Sr、Ba)。在发出绿光或蓝光的发光元件10b或10c的情况下,第一导电型半导体层21可以包括作为掺杂剂的含有Si的GaN或AlGaN,第二导电型半导体层25可以包括作为掺杂剂的含有Mg的GaN或AlGaN。
虽然在附图中示出第一导电型半导体层21及第二导电型半导体层25分别为单层,但是这些层可以是多层,并且也可以包括超晶格层。活性层23可以包括单量子阱结构或多量子阱结构,并且可以控制化合物半导体的组成比以发出期望的波长。例如,活性层23可以发出蓝色光、绿色光、红色光或紫外线。
第二导电型半导体层25及活性层23可以具有台面M结构并布置于第一导电型半导体层21上。台面M包括第二导电型半导体层25及活性层23,如图2C所示,也可以包括第一导电型半导体层21的一部分。台面M可以位于第一导电型半导体层21的一部分区域上,并且第一导电型半导体层21的上表面可以暴露于台面M周围。
在本实施例中,台面M形成为在其周围暴露第一导电型半导体层21。在另一实施例中,也可以形成有贯通台面M而暴露第一导电型半导体层21的贯通孔。
在一实施例中,所述第一导电型半导体层21可以具有平坦的发光面。在另一实施例中,所述第一导电型半导体层21可以在发光面侧具有借由表面纹理化的凹凸图案。例如,表面纹理化可以借由利用干式蚀刻工艺或湿式蚀刻工艺的图案化而执行。例如,在第一导电型半导体层21的发光面可以形成有锥形形状的凸出部,锥形的高度可以为2μm至3μm,锥形的间隔可以为1.5μm至2μm,锥形的底部直径可以为约3μm至约5μm。锥形也可以具有截头形状,在此情况下,锥形的上表面直径可以为约2μm至3μm。
通过在第一导电型半导体层21的表面形成凹凸图案,能够减少内部全反射,从而能够增加光提取效率。发光元件10、10a、10b、10c中,均可以对第一导电型半导体层执行表面纹理化,据此,可以均匀化从发光元件10、10a、10b、10c发出的光的指向角。然而,本实用新型并不限于此,发光元件10、10a、10b、10c中的至少一个可以具有平坦表面而不包括凹凸图案。
欧姆接触层27布置于第二导电型半导体层25上并欧姆接触于第二导电型半导体层25。欧姆接触层27可以形成为单层或多层,可以形成为透明导电性氧化膜或金属膜。例如,透明导电性氧化膜可以列举ITO或ZnO等,金属膜可以列举Al、Ti、Cr、Ni、Au等的金属及其合金。
第一接触垫53布置于暴露的第一导电型半导体层21上。第一接触垫53可以欧姆接触于第一导电型半导体层21。例如,第一接触垫53可以形成为欧姆接触于第一导电型半导体层21的欧姆金属层。可以根据第一导电型半导体层21的半导体材料而适当地选择第一接触垫53的欧姆金属层。也可以省略第一接触垫53。
第二接触垫55可以布置于欧姆接触层27上。第二接触垫55电连接于欧姆接触层27。也可以省略第二接触垫55。
绝缘层59覆盖台面M、欧姆接触层27、第一接触垫53及第二接触垫55。绝缘层59具有暴露第一接触垫53及第二接触垫55的开口部59a、59b。绝缘层59可以形成为单层或多层。
第一电极垫61及第二电极垫63布置于绝缘层59上。第一电极垫61可以从第一接触垫53的上部延伸到台面M的上部,并且第二电极垫63可以布置于台面M的上部区域内。第一电极垫61可以通过开口部59a而连接到第一接触垫53,并且第二电极垫63可以电连接于第二接触垫55。第一电极垫61也可以直接欧姆接触于第一导电型半导体层21,在此情况下,可以省略第一接触垫53。并且,在省略第二接触垫55的情况下,第二电极垫63可以直接连接于欧姆接触层27。
第一电极垫61和/或第二电极垫63可以形成为单层或多层金属。第一电极垫61和/或第二电极垫63的材料可以使用Al、Ti、Cr、Ni、Au等的金属及其合金等。例如,第一电极垫61及第二电极垫63在最上端可以包括Ti层或Cr层,在下方可以包括Au层。
尽管参照附图简要说明了根据本实用新型的一实施例的发光元件10,但是发光元件10除了上述层之外还可以包括具有附加功能的层。例如,还可以包括反射光的反射层、用于使特定构成要素绝缘的追加绝缘层、防止焊料扩散的焊料防止层等多样的层。
并且,可以以多样的形态形成台面,也可以多样地改变第一电极垫61及第二电极垫63的位置或形状。并且,欧姆接触层27也可以被省略,第二接触垫55或者第二电极垫63也可以直接接触于第二导电型半导体层25。
在本实施例中,接合线W1可以结合于第一电极垫61及第二电极垫63。接合线W1可以在第二导电型半导体层25侧接合于第一电极垫61及第二电极垫63。然而,本实用新型并不限于此,接合线W1可以在第一导电型半导体层21侧接合。
图2D是用于说明根据又一实施例的发光元件10'的示意性的剖视图。
参照图2D,发光元件10'可以包括第一导电型半导体层21、活性层23、第二导电型半导体层25、欧姆接触层27及过孔31。第一导电型半导体层21、活性层23及第二导电型半导体层25可以在生长基板上生长。生长基板可以利用激光剥离、化学剥离等技术而从第一导电型半导体层21去除。据此,第一导电型半导体层21的上表面暴露。在第二导电型半导体层25上布置有欧姆接触层27,并且可以形成有贯通第一导电型半导体层21、活性层23及第二导电型半导体层25而电连接于所述欧姆接触层27的过孔31。过孔31与第一导电型半导体层21及活性层23电绝缘,为此,可以在过孔31内形成绝缘层。
接合线W1可以结合于通过去除生长基板而暴露的第一导电型半导体层21及过孔31。为了连接接合线W1,也可以在第一导电型半导体层21上形成有第一接触垫53或第一电极垫61。
图2E是用于说明根据又一实施例的发光元件10"的示意性的剖视图。虽然在参照图2D说明的实施例中去除生长基板,但是在本实施例中,生长基板51残留。另外,过孔35可以贯通生长基板51而电连接于第一导电型半导体层21。另外,侧面电极37可以沿着生长基板51的侧面而电连接于欧姆接触层27。侧面电极37与第一导电型半导体层21及活性层23电绝缘,为此,可以沿着生长基板51、第一导电型半导体层21及活性层23的侧面而形成有绝缘层。接合线W1可以通过过孔35及侧面电极37在第一导电型半导体层21侧电连接于第一导电型半导体层21及第二导电型半导体层25。
代替过孔35,电连接于第一导电型半导体层21的侧面电极可以形成在生长基板51的侧面。并且,代替侧面电极37,可以形成贯通生长基板51、第一导电型半导体层21、活性层23及第二导电型半导体层25而电连接于欧姆接触层27的过孔。
粘合层111可以介于所述基板101与所述多个发光元件10之间。所述发光元件10可以通过所述粘合层111排列于所述基板101上。所述粘合层111可以形成为宽度大于排列在所述基板101的上表面的所述多个发光元件10的宽度。并且,所述粘合层111可以与所述第一外围电极103a及第二外围电极103b隔开。
所述粘合层111可以包括非导电性物质。例如,所述非导电性物质可以是粘合膏、粘合剂及膜等。在本实施例中,所述粘合层111可以通过涂覆非导电性粘合膏而形成,但并不限于此。
接合线W1可以电连接所述多个发光元件10。例如,所述接合线W1可以连接所述发光元件10的n型电极和与所述发光元件10相邻的发光元件10的p型电极。如此,所述接合线W1可以电连接所述多个发光元件10中的至少两个。并且,所述接合线W1可以分别形成在用于供应电源的所述第一外围电极103a及第二外围电极103b和与所述第一外围电极103a及第二外围电极103b相邻的所述发光元件10,使得电源被供应。所述接合线W1中的每一个可以在所接合的位置之间形成为尽可能短的长度,据此,能够减少由所述接合线W1引起的光干涉。
所述接合线W1可以通过在线被接合的位置处从上部按压线来接合。所述接合线W1可以包括导电性物质,并且可以利用导电性优异的金属物质来形成。例如,所述接合线W1可以利用诸如Au、Ag及Cu等的单一金属或其合金来形成。
另外,在本实施例中,接合线W1利用用于电连接所述多个发光元件10的金属布线来形成,但是并不限于此,也可以利用空气桥(air bridge)工艺来形成。
成型层113可以以围绕所述多个发光元件10的方式布置于所述基板101上。所述成型层113的侧面可以形成在与基板101的侧面相同的轴线上。据此,所述模制层113的宽度可以形成为与所述基板101的宽度相同。所述成型层113可以覆盖所述接合线W1,并且可以形成为高于所述接合线W1的最大高度。因此,所述成型层113可以防止所述发光元件10及所述接合线W1由于外围冲击而损坏,并且可以防止水分渗透,从而提高所述发光元件模块100的可靠性。
在本实用新型中,所述成型层113可以形成为单层,但并不限于此,可以形成为多层。所述成型层113可以包括丙烯酸系树脂、硅系树脂或氨基甲酸酯系树脂。所述成型层113还可以包括光吸收剂或染料。所述成型层113可以是透明的,也可以是黑色、白色及灰色。例如,在所述成型层113利用黑色成型层形成的情况下,可以通过改善由所述基板101引起的颜色差异来提高所提取的光的均匀度。并且,所述成型层113围绕所述多个发光元件10而阻挡从侧面提取的光,左右视野角减小,且可以防止看到相邻的像素之间的边界线。并且,为了防止看到位于所述面板基板1100上的多个发光元件模块之间的边界线,还可以包括追加成型层。
在以下的另一实施例中,为了避免重复说明,以与上述的实施例不同的方面为主进行说明,对于相同的构成部将进行简要说明或省略。
图3是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件模块200的示意性的平面图。
参照图3,除了所述第一外围电极203a及第二外围电极203b之外,所述发光元件模块200可以形成为与图2A相同。
在本实用新型的实施例中,发光元件20可以排列为6×6的矩阵。为了向所述多个发光元件20供应电源,所述第一外围电极203a及第二外围电极203b可以形成为与发光元件20隔开并与位于各个行的两端的发光元件20并排。据此,在本实施例中,所述第一外围电极203a及第二外围电极203b可以包括至少12个外围电极。详细而言,所述第一外围电极203a可以包括6个外围电极,所述第二外围电极203b也可以包括6个外围电极。但是,本实用新型并不限于此,所述外围电极的数量和布置可以根据所述发光元件20的排列及用途来确定。相邻的发光元件20可以借由接合线W2而连接。
在本实施例中,排列于第一行的发光元件20可以发出红色光,排列于第二行的发光元件20可以发出绿色光,排列于第三行的发光元件20可以发出蓝色光,但是并不限于此。
图4是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件模块300的示意性的平面图。
参照图4,除了发光元件30的排列之外,所述发光元件模块300可以形成为与图2A相同。所述多个发光元件30可以从所述基板301的一侧向相反侧排列成6列,相邻的两行的发光元件30可以以“Z”字形排列。所述多个发光元件30可以通过接合线W3而电连接,据此,所述多个发光元件30的排列可以不受电连接的限制。
图5A及图5B是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件模块400的示意性的平面图及剖视图。
参照图5A及图5B,除了第一外围电极403a、第二外围电极403b、第三外围电极403c、第四外围电极403d以及发光元件40之外,发光元件模块400可以形成为与图2A及图2B相同。所述发光元件模块400可以包括排列在基板401上的4个发光元件40,所述第一外围电极403a、第二外围电极403b、第三外围电极403c及第四外围电极403d可以沿着所述基板401的四个侧面而布置。所述第一外围电极403a、第二外围电极403b及第三外围电极403c可以形成为其数量至少与所述发光元件40的数量一样多,所述第一外围电极403a、第二外围电极403b及第三外围电极403c可以彼此隔开。在本实施例中,所述第一外围电极403a、第二外围电极403b及第三外围电极403c可以以相同的间隔及相同的形状形成,但并不限于此,根据所述发光元件40的布置,可以多样地形成其间隔及形状。
粘合层411可以介于所述基板401与所述多个发光元件40之间。
可以通过所述第一外围电极403a、第二外围电极403b、第三外围电极403c及第四外围电极403d而向所述发光元件40供应电源。例如,所述第一外围电极403a、第二外围电极403b及第三外围电极403c可以借由接合线W4而连接到所述发光元件40的各个LED堆叠件的p型半导体层,所述第四外围电极403d可以共同地连接到4个所述发光元件40的n型半导体层而供应电源。所述接合线W4可以根据所述第一外围电极403a、第二外围电极403b、第三外围电极403c及第四外围电极403d和所述发光元件40的排列而沿多样的方向接合。例如,所述发光元件40可以包括第一凸起垫40a、第二凸起垫40b、第三凸起垫40c及第四凸起垫40d。所述第一凸起垫40a可以与所述第一外围电极403a电连接,所述第二凸起垫40b可以与所述第二外围电极403b电连接,所述第三凸起垫40c可以与所述第三外围电极403c电连接。并且,所述第四凸起垫40d可以与相邻的发光元件的第四凸起垫40d电连接,最终可以与所述第四外围电极403d连接而接收电源。
在本实施例中,所述发光元件40包括四个发光元件40,但并不限于此,可以包括至少一个发光元件40。并且,所述外围电极的数量可以根据所述发光元件40布置的数量而改变。
所述发光元件40中,一个像素可以包括沿垂直方向堆叠的第一LED堆叠件、第二LED堆叠件及第三LED堆叠件。所述第一LED堆叠件可以比所述第二LED堆叠件及所述第三LED堆叠件发出更长波长的光,所述第二LED堆叠件可以比所述第三LED堆叠件发出更长波长的光。例如,所述第一LED堆叠件可以发出蓝色光,所述第二LED堆叠件可以发出绿色光,所述第三LED堆叠件可以发出红色光。
第一凸起垫40a、第二凸起垫40b、第三凸起垫40c及第四凸起垫40d电连接于第一LED叠层、第二LED叠层及第三LED叠层。
图6A是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件模块500的示意性的剖视图,图6B是用于说明应用图6A的发光元件模块500的显示器装置2000的示意性的剖视图。
参照图6A,除了第一外围电极503a及第二外围电极503b之外,所述发光元件模块500可以形成为与图2B相同。所述第一外围电极503a及第二外围电极503b可以形成为覆盖所述基板501的侧面。更详细而言,所述第一外围电极503a及第二外围电极503b可以形成在所述基板501的上表面及下表面的至少一部分,可以形成为将形成在所述基板501的上表面及下表面的所述第一外围电极503a及第二外围电极503b的部分连接并覆盖所述基板501的侧面。
粘合层511可以介于所述基板501与所述多个发光元件50之间而布置。
在本实施例中,所述第一外围电极503a可以借由接合线W5而连接到所述多个发光元件50的p型半导体层,且所述第二外围电极503b可以连接到n型半导体层,但并不限于此。
参照图6B,所述发光元件模块500可以在面板基板5100上形成为与图1B相同。接合剂5120可以介于所述面板基板5100上表面的垫5110与所述基板501的第一外围电极503a及第二外围电极503b之间,所述垫5110和所述第一外围电极503a及第二外围电极503b可以借由所述接合剂5120而接合。更详细而言,所述面板基板5100上的垫5110与所述第一外围电极503a及第二外围电极503b可以通过与所述接合剂5120接触而接合。所述接合剂5120可以是焊球,且所述基板501可以通过球栅阵列(BGA)而接合。但是,本实用新型并不限于此,可以借由焊接、环氧接合及各向异性导电胶膜(ACF)接合等而连接。
以上,对本实用新型的多样的实施例进行了说明,但本实用新型并不限于所述实施例。并且,在不脱离本实用新型的技术思想的情况下,针对一个实施例说明的事项或构成要素也可以应用于另一实施例。

Claims (20)

1.一种发光元件模块,其特征在于,包括:
基板;
多个发光元件,安装于所述基板上;
粘合层,介于所述基板与所述发光元件之间;以及
接合线,将所述多个发光元件电连接,
其中,所述基板在至少一部分区域包括外围电极,所述粘合层具有非导电性物质。
2.根据权利要求1所述的发光元件模块,其特征在于,
所述基板利用非导电性物质形成。
3.根据权利要求1所述的发光元件模块,其特征在于,
所述多个发光元件发出彼此不同的波长的光。
4.根据权利要求3所述的发光元件模块,其特征在于,
所述多个发光元件分别发出蓝色光、绿色光及红色光。
5.根据权利要求3所述的发光元件模块,其特征在于,
所述多个发光元件中的每一个包括第一LED堆叠件、第二LED堆叠件及第三LED堆叠件,
所述第一LED堆叠件、第二LED堆叠件及第三LED堆叠件分别发出红色光、蓝色光及绿色光。
6.根据权利要求5所述的发光元件模块,其特征在于,
所述基板包括至少四个外围电极。
7.根据权利要求1所述的发光元件模块,其特征在于,
所述多个发光元件在所述基板上以矩阵形态排列。
8.根据权利要求1所述的发光元件模块,其特征在于,
所述多个发光元件在所述基板上以“Z”字形态排列。
9.根据权利要求1所述的发光元件模块,其特征在于,
所述接合线将所述多个发光元件及外围电极电连接。
10.根据权利要求9所述的发光元件模块,其特征在于,
所述接合线利用金属物质形成。
11.根据权利要求1所述的发光元件模块,其特征在于,
所述基板包括至少两个外围电极。
12.根据权利要求11所述的发光元件模块,其特征在于,
所述外围电极包括第一外围电极及第二外围电极,
所述第一外围电极布置成与所述基板的一侧面相邻并平行,所述第二外围电极布置成与所述第一外围电极面对并与所述基板的另一侧面相邻。
13.根据权利要求1所述的发光元件模块,其特征在于,
所述外围电极形成为贯通所述基板。
14.根据权利要求1所述的发光元件模块,其特征在于,
所述外围电极覆盖所述基板的侧面。
15.根据权利要求1所述的发光元件模块,其特征在于,还包括:
成型层,围绕所述发光元件。
16.一种显示器装置,其特征在于,包括:
面板基板;以及
多个发光元件模块,排列在所述面板基板上,
其中,所述多个发光元件模块中的每一个包括:
基板;
多个发光元件,安装于所述基板上;
粘合层,介于所述基板与所述发光元件之间;以及
接合线,将所述多个发光元件电连接,
其中,所述基板在至少一部分区域包括外围电极,所述粘合层具有非导电性物质。
17.根据权利要求16所述的显示器装置,其特征在于,
所述基板利用非导电性物质形成。
18.根据权利要求16所述的显示器装置,其特征在于,
所述接合线将所述发光元件与外围电极电连接。
19.根据权利要求18所述的显示器装置,其特征在于,
所述接合线利用导电性物质形成。
20.根据权利要求16所述的显示器装置,其特征在于,
在所述基板上包括至少两个外围电极。
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US6914261B2 (en) * 2003-10-10 2005-07-05 Lambda Opto Technology Co., Ltd. Light emitting diode module
US9564070B2 (en) * 2006-10-05 2017-02-07 GE Lighting Solutions, LLC LED backlighting system for cabinet sign
WO2010062643A1 (en) * 2008-10-28 2010-06-03 The Regents Of The University Of Michigan Stacked white oled having separate red, green and blue sub-elements
KR20110115506A (ko) * 2010-04-15 2011-10-21 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 패키지, 이를 포함한 조명 장치 및 발광다이오드 패키지 제조방법
JP5481626B1 (ja) * 2012-04-11 2014-04-23 株式会社リキッド・デザイン・システムズ 照明装置及び液晶表示装置
US11552057B2 (en) * 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same

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