JPH11186670A - 面型光デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
面型光デバイスおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH11186670A JPH11186670A JP36588797A JP36588797A JPH11186670A JP H11186670 A JPH11186670 A JP H11186670A JP 36588797 A JP36588797 A JP 36588797A JP 36588797 A JP36588797 A JP 36588797A JP H11186670 A JPH11186670 A JP H11186670A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical device
- substrate
- trench
- dimensionally
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高密度集積可能な構成を有するＶＣＳＥＬなど
の面型光デバイス、その製造方法である。 【解決手段】面型光デバイスは、突起部と突起周辺部を
有する光デバイス１０４が形成された第１基板１０２
と、光デバイス１０４の突起部をほぼ完全に覆うことの
できるトレンチを設けた第２基板１０１とが、突起部が
トレンチ内に嵌入された状態で、結合されて成る。
の面型光デバイス、その製造方法である。 【解決手段】面型光デバイスは、突起部と突起周辺部を
有する光デバイス１０４が形成された第１基板１０２
と、光デバイス１０４の突起部をほぼ完全に覆うことの
できるトレンチを設けた第２基板１０１とが、突起部が
トレンチ内に嵌入された状態で、結合されて成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報処理、光演
算および光インタコネクションなどに光源等として用い
られる面型光デバイス、その製造方法等に関する。
算および光インタコネクションなどに光源等として用い
られる面型光デバイス、その製造方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】面型発光デバイス、特に面発光半導体レ
ーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser、以下
ＶＣＳＥＬと略記する）は、光通信、光情報処理あるい
は光演算など、その適用範囲が広いことから、近年活発
に研究されているデバイスである。ＶＣＳＥＬは通常の
端面発光レーザに比べ、（１）構造が簡単、（２）動作
電流が低い、（３）ウエハ単位で素子チェックができる
など多くの長所がある。ＶＣＳＥＬは、高密度配列する
ことで本来のポテンシャルが発揮されるデバイスである
が、現在実用化されつつあるデバイスは、いずれも１×
１０や２×１０程度の小規模にアレイ化したものに留ま
っている。これは、高密度配列する上での大きな問題点
が解決されていないことによる。
ーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser、以下
ＶＣＳＥＬと略記する）は、光通信、光情報処理あるい
は光演算など、その適用範囲が広いことから、近年活発
に研究されているデバイスである。ＶＣＳＥＬは通常の
端面発光レーザに比べ、（１）構造が簡単、（２）動作
電流が低い、（３）ウエハ単位で素子チェックができる
など多くの長所がある。ＶＣＳＥＬは、高密度配列する
ことで本来のポテンシャルが発揮されるデバイスである
が、現在実用化されつつあるデバイスは、いずれも１×
１０や２×１０程度の小規模にアレイ化したものに留ま
っている。これは、高密度配列する上での大きな問題点
が解決されていないことによる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】以下に、高密度配列す
る上での問題点を列記する。 （従来の問題点１）位置合わせ 高密度集積化に伴い、素子サイズが小さくなる。そのた
め、従来では、ＶＣＳＥＬアレイが形成された基板（以
下ＶＣＳＥＬ基板と略記する）と配線パターンが形成さ
れた基板（以下配線基板と略記する）との位置合わせ
に、高い精度が要求され、デバイスコストに占める実装
コストの割合が上昇するという問題点があった（たとえ
ば、電子情報通信学会技術研究報告ＬＱＥ９６−１４４
参照）。
る上での問題点を列記する。 （従来の問題点１）位置合わせ 高密度集積化に伴い、素子サイズが小さくなる。そのた
め、従来では、ＶＣＳＥＬアレイが形成された基板（以
下ＶＣＳＥＬ基板と略記する）と配線パターンが形成さ
れた基板（以下配線基板と略記する）との位置合わせ
に、高い精度が要求され、デバイスコストに占める実装
コストの割合が上昇するという問題点があった（たとえ
ば、電子情報通信学会技術研究報告ＬＱＥ９６−１４４
参照）。
【０００４】（従来の問題点２）電気配線 従来は、２次元アレイ化されたＶＣＳＥＬに対し、ワイ
ヤボンディングやプリント基板等で配線している。その
ために、集積度が大きくなればなるほど、また、素子間
隔が狭くなればなるほど、電気配線の困難さは増大する
という問題点があった（たとえば、電子情報通信学会技
術研究報告ＬＱＥ９６−１４９参照）。
ヤボンディングやプリント基板等で配線している。その
ために、集積度が大きくなればなるほど、また、素子間
隔が狭くなればなるほど、電気配線の困難さは増大する
という問題点があった（たとえば、電子情報通信学会技
術研究報告ＬＱＥ９６−１４９参照）。
【０００５】（従来の問題点３）熱 従来、ＶＣＳＥＬの駆動電流および駆動電圧は、それぞ
れ１ｍＡおよび５Ｖ程度であり、半導体レーザとしては
比較的小さいが、通常の電子デバイスに比べると桁違い
にその消費電力は大きい。また、ＶＣＳＥＬは、しきい
電流密度が高く、かつ、周囲温度に敏感なため、―度デ
バイス温度が上昇すると加速度的に駆動電力が上昇す
る。したがって、集積度が大きくなればなるほど、ま
た、素子間隔が狭くなればなるほど、自己放熱およびデ
バイス間の熱干渉の影響は増大するため、素子集積数は
１６×１６程度、素子間隔は２５０μｍ程度が限界であ
るという問題点があった（たとえば、電子情報通信学会
技術研究報告ＬＱＥ９５−１０９参照）。
れ１ｍＡおよび５Ｖ程度であり、半導体レーザとしては
比較的小さいが、通常の電子デバイスに比べると桁違い
にその消費電力は大きい。また、ＶＣＳＥＬは、しきい
電流密度が高く、かつ、周囲温度に敏感なため、―度デ
バイス温度が上昇すると加速度的に駆動電力が上昇す
る。したがって、集積度が大きくなればなるほど、ま
た、素子間隔が狭くなればなるほど、自己放熱およびデ
バイス間の熱干渉の影響は増大するため、素子集積数は
１６×１６程度、素子間隔は２５０μｍ程度が限界であ
るという問題点があった（たとえば、電子情報通信学会
技術研究報告ＬＱＥ９５−１０９参照）。
【０００６】従って、本発明の目的は、上記の課題に鑑
み、高密度集積可能な構成を有するＶＣＳＥＬなどの面
型光デバイス、その製造方法等を提供することにある。
み、高密度集積可能な構成を有するＶＣＳＥＬなどの面
型光デバイス、その製造方法等を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の面型光デバイスは、柱状等の突起部と平坦部などで
ある突起周辺部を有する光デバイス（典型的には、熱を
発生しやすい面発光レーザ等の発光デバイスであるが、
受光デバイスなどであってもよい）が形成された第１基
板と、該光デバイスの突起部をほぼ完全に覆うことので
きるトレンチを設けた第２基板とが、該突起部が該トレ
ンチ内に嵌入された状態で、結合されて成ることを特徴
とする。
明の面型光デバイスは、柱状等の突起部と平坦部などで
ある突起周辺部を有する光デバイス（典型的には、熱を
発生しやすい面発光レーザ等の発光デバイスであるが、
受光デバイスなどであってもよい）が形成された第１基
板と、該光デバイスの突起部をほぼ完全に覆うことので
きるトレンチを設けた第２基板とが、該突起部が該トレ
ンチ内に嵌入された状態で、結合されて成ることを特徴
とする。
【０００８】より具体的には以下のような形態を採り得
る。前記第２基板に、前記光デバイスの少なくとも一方
の電極（より好適には正負両電極）と導通する配線を設
けて、第１基板の第２基板と結合していない面側を、自
由に他の機能デバイスと結合する為に用いられる様にで
きる。
る。前記第２基板に、前記光デバイスの少なくとも一方
の電極（より好適には正負両電極）と導通する配線を設
けて、第１基板の第２基板と結合していない面側を、自
由に他の機能デバイスと結合する為に用いられる様にで
きる。
【０００９】また、基板には光デバイスを１つのみ形成
してもよいが、本発明の面型光デバイスの構成の特徴
（高密度集積を可能とする構成を持つこと）をより有効
に生かすには、前記第１基板には、光デバイスが１次元
或は２次元等に複数配列され、前記第２基板には、該光
デバイスに対応してトレンチが複数配列されている様に
するとよい。この場合、前記光デバイスの突起部と突起
周辺部ないし平坦部上に正負電極を分離して形成し（基
板に光デバイスを単独で形成している場合でも、この様
にしてよい）、前記第２基板に、各光デバイスの突起部
上の一方の電極に通じるトレンチ底部のコンタクト金属
を含む配線パターンと各光デバイスの突起周辺部ないし
平坦部上の他方の電極に通じる配線パターンから成る独
立駆動のための配線パターンを形成したり、各光デバイ
スの突起部上の一方の電極に通じるトレンチ底部のコン
タクト金属を列状に接続する配線パターンと各光デバイ
スの突起周辺部ないし平坦部上の他方の電極を行状に接
続する配線パターンから成るマトリクス駆動のための配
線パターンを形成して、本発明の面型光デバイスを種々
の装置に適用できる。
してもよいが、本発明の面型光デバイスの構成の特徴
（高密度集積を可能とする構成を持つこと）をより有効
に生かすには、前記第１基板には、光デバイスが１次元
或は２次元等に複数配列され、前記第２基板には、該光
デバイスに対応してトレンチが複数配列されている様に
するとよい。この場合、前記光デバイスの突起部と突起
周辺部ないし平坦部上に正負電極を分離して形成し（基
板に光デバイスを単独で形成している場合でも、この様
にしてよい）、前記第２基板に、各光デバイスの突起部
上の一方の電極に通じるトレンチ底部のコンタクト金属
を含む配線パターンと各光デバイスの突起周辺部ないし
平坦部上の他方の電極に通じる配線パターンから成る独
立駆動のための配線パターンを形成したり、各光デバイ
スの突起部上の一方の電極に通じるトレンチ底部のコン
タクト金属を列状に接続する配線パターンと各光デバイ
スの突起周辺部ないし平坦部上の他方の電極を行状に接
続する配線パターンから成るマトリクス駆動のための配
線パターンを形成して、本発明の面型光デバイスを種々
の装置に適用できる。
【００１０】また、前記第１基板には、光デバイスが１
次元或は２次元等に複数配列され、前記第２基板には、
該光デバイスに対応してトレンチが１次元或は２次元等
に複数配列されると共に複数のトレンチを少なくとも１
つの方向に関して繋ぐアイルが形成されている様にもで
きる。こうすれば、絶縁性の基板を用いた場合でも、ト
レンチ底部のコンタクト金属をアイル底部の金属を用い
て容易に電気的に接続できるし、第１基板と第２基板と
を導電性樹脂などを用いて結合する場合に、この樹脂な
どの逃げの空間をアイルで提供することができる。
次元或は２次元等に複数配列され、前記第２基板には、
該光デバイスに対応してトレンチが１次元或は２次元等
に複数配列されると共に複数のトレンチを少なくとも１
つの方向に関して繋ぐアイルが形成されている様にもで
きる。こうすれば、絶縁性の基板を用いた場合でも、ト
レンチ底部のコンタクト金属をアイル底部の金属を用い
て容易に電気的に接続できるし、第１基板と第２基板と
を導電性樹脂などを用いて結合する場合に、この樹脂な
どの逃げの空間をアイルで提供することができる。
【００１１】また、前記第２基板をＳｉやＡｌＮ等の熱
抵抗の小さい材料から形成すれば、光デバイスが発生す
る熱を放散しやすくなって本発明の面型光デバイスの特
徴を更に生かせる。また、前記第２基板を、基板上にポ
リイミドなどの樹脂の層を少なくと１層重ねた層構造か
ら成る様にし、各層上に配線パターンを形成すれば、複
雑な配線でも各層に分けて行なえるので配線が簡便とな
る。
抵抗の小さい材料から形成すれば、光デバイスが発生す
る熱を放散しやすくなって本発明の面型光デバイスの特
徴を更に生かせる。また、前記第２基板を、基板上にポ
リイミドなどの樹脂の層を少なくと１層重ねた層構造か
ら成る様にし、各層上に配線パターンを形成すれば、複
雑な配線でも各層に分けて行なえるので配線が簡便とな
る。
【００１２】更に、上記目的を達成する本発明の面型光
デバイスの製造方法は、前記トレンチを、ドライエッチ
ング等の異方性エッチングで断面がほぼ垂直或は逆メサ
状に形成する過程と、その後、電子ビーム等の指向性の
強いビームでＡｕ等の金属を、該トレンチ側面に付着さ
せることなく、該トレンチの底部および非トレンチ領域
ないし平坦部に同時形成する過程を有することを特徴と
する。この製造方法によれば、トレンチの底部および非
トレンチ領域に金属を確実に分離して容易に形成でき、
複雑な配線構造でも安定的に製造できる。
デバイスの製造方法は、前記トレンチを、ドライエッチ
ング等の異方性エッチングで断面がほぼ垂直或は逆メサ
状に形成する過程と、その後、電子ビーム等の指向性の
強いビームでＡｕ等の金属を、該トレンチ側面に付着さ
せることなく、該トレンチの底部および非トレンチ領域
ないし平坦部に同時形成する過程を有することを特徴と
する。この製造方法によれば、トレンチの底部および非
トレンチ領域に金属を確実に分離して容易に形成でき、
複雑な配線構造でも安定的に製造できる。
【００１３】また、上記目的を達成する本発明の面型光
デバイスの製造方法は、光デバイスが形成された第１基
板と、該光デバイスの突起部をほぼ完全に覆うことので
きるトレンチおよび配線を設けた第２基板とを結合する
為に、異方性導電性樹脂を該両基板の少なくと―方に塗
布し、両基板を圧着かつ加熱することで、該トレンチの
側面に導通させることなく、該トレンチの底部および非
トレンチ部のみに導通を可能にする過程を有することを
特徴とする。
デバイスの製造方法は、光デバイスが形成された第１基
板と、該光デバイスの突起部をほぼ完全に覆うことので
きるトレンチおよび配線を設けた第２基板とを結合する
為に、異方性導電性樹脂を該両基板の少なくと―方に塗
布し、両基板を圧着かつ加熱することで、該トレンチの
側面に導通させることなく、該トレンチの底部および非
トレンチ部のみに導通を可能にする過程を有することを
特徴とする。
【００１４】
【作用】以上の構成による作用の代表例を述べると、次
の様になる。（１）配線基板などとなる上記第２基板に
トレンチを形成することで、２つの基板の位置合わせ精
度を緩和することができる。（２）配線基板などとなる
上記第２基板に熱伝導性の高い材料を用いて、第１基板
側の光デバイスの発熱部をトレンチで埋め込むことで、
熱飽和や熱干渉の影響を緩和できる。（３）配線基板を
多層構造とすることで、高密度な配線を可能にできる。
（４）ＶＣＳＥＬ等の光デバイスの正負電極を同―面側
に設けることで、反対側の面を自由に使用できるため、
他デバイスとの集積が容易となる。（５）異方性導電性
樹脂を用いることで、簡便に第１基板側の正負電極と第
２基板側の配線パターンの導通をとることができる。
の様になる。（１）配線基板などとなる上記第２基板に
トレンチを形成することで、２つの基板の位置合わせ精
度を緩和することができる。（２）配線基板などとなる
上記第２基板に熱伝導性の高い材料を用いて、第１基板
側の光デバイスの発熱部をトレンチで埋め込むことで、
熱飽和や熱干渉の影響を緩和できる。（３）配線基板を
多層構造とすることで、高密度な配線を可能にできる。
（４）ＶＣＳＥＬ等の光デバイスの正負電極を同―面側
に設けることで、反対側の面を自由に使用できるため、
他デバイスとの集積が容易となる。（５）異方性導電性
樹脂を用いることで、簡便に第１基板側の正負電極と第
２基板側の配線パターンの導通をとることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】（第１実施例）第１実施例は、ト
レンチを形成する基板にＳｉ基板を用い、各デバイスへ
の電気配線を独立配線とした例に関する。図１は、第１
の実施例を説明する斜視模式図であり、図２はその製作
工程図であり、図３はＶＣＳＥＬの断面図であり、図４
はＶＣＳＥＬ基板の斜視模式図であり、図５は配線基板
の斜視模式図であり、図６は配線基板の配線の模様を示
す平面図である。
レンチを形成する基板にＳｉ基板を用い、各デバイスへ
の電気配線を独立配線とした例に関する。図１は、第１
の実施例を説明する斜視模式図であり、図２はその製作
工程図であり、図３はＶＣＳＥＬの断面図であり、図４
はＶＣＳＥＬ基板の斜視模式図であり、図５は配線基板
の斜視模式図であり、図６は配線基板の配線の模様を示
す平面図である。
【００１６】（ＶＣＳＥＬ基板作製）まず、ＶＣＳＥＬ
基板を作製する工程（図２には描かれていない）から説
明する。ＶＣＳＥＬ単体の断面を示す図３、ＶＣＳＥＬ
が２次元配置されたＶＣＳＥＬ基板を示す図４におい
て、１０２は半絶縁性ＧａＡｓ基板、１０４はＶＣＳＥ
Ｌである。本実施例では、ＶＣＳＥＬ１０４が４×４個
集積されている。また、図３において、３０２はｎ型Ａ
ｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多層膜ミラー、３０３は共振器長
を調整しキャリアを活性層に閉じ込める為のｎ型ＡｌＧ
ａＡｓスペーサ層、３０４はＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量
子井戸活性層、３０５はｐ型ＡｌＧａＡｓスペーサ層、
３０６はｐ型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多層膜ミラー、３
０７はリング型の正電極、３０８は同じくリング型の負
電極である。本実施例では、ＧａＡｓ基板１０２上に、
開口部直径（リング型の正電極３０７の開口部の直径）
１５μｍ、突起部長さ（円筒部高さ）４μｍ、発振波長
９８０ｎｍのＶＣＳＥＬ１０４を素子間隔（中心間距
離）５０μｍで均等配置した。
基板を作製する工程（図２には描かれていない）から説
明する。ＶＣＳＥＬ単体の断面を示す図３、ＶＣＳＥＬ
が２次元配置されたＶＣＳＥＬ基板を示す図４におい
て、１０２は半絶縁性ＧａＡｓ基板、１０４はＶＣＳＥ
Ｌである。本実施例では、ＶＣＳＥＬ１０４が４×４個
集積されている。また、図３において、３０２はｎ型Ａ
ｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多層膜ミラー、３０３は共振器長
を調整しキャリアを活性層に閉じ込める為のｎ型ＡｌＧ
ａＡｓスペーサ層、３０４はＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量
子井戸活性層、３０５はｐ型ＡｌＧａＡｓスペーサ層、
３０６はｐ型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多層膜ミラー、３
０７はリング型の正電極、３０８は同じくリング型の負
電極である。本実施例では、ＧａＡｓ基板１０２上に、
開口部直径（リング型の正電極３０７の開口部の直径）
１５μｍ、突起部長さ（円筒部高さ）４μｍ、発振波長
９８０ｎｍのＶＣＳＥＬ１０４を素子間隔（中心間距
離）５０μｍで均等配置した。
【００１７】（配線基板作製）次に配線基板を作製す
る。図２に示す様に、ｐ型Ｓｉ基板１０１表面に熱酸化
等で絶縁層（厚さ３００ｎｍ）２０２を形成した（図２
（２）参照）後、ＶＣＳＥＬ１０４の数に見合うトレン
チ２０３を作製する（図２（３）参照）。穴２０３の大
きさ（直径）、深さおよびピッチ（中心間距離）はそれ
ぞれ２５μｍ、５μｍおよび５０μｍとし（よって、ト
レンチ２０３は絶縁層２０２を貫いており、その底部は
導電性ｐ型Ｓｉ基板１０１に達している）、前記ＶＣＳ
ＥＬ基板１０２上のＶＣＳＥＬ円筒部の配列とマッチす
るように設定する。このトレンチ２０３の作製方法は、
ドライエッチング等の異方性エッチングを用いて基板表
面に垂直ないしは逆テーパ状に形成することが望まし
い。ここまでの配線基板１０１の模式図を図５に示し
た。
る。図２に示す様に、ｐ型Ｓｉ基板１０１表面に熱酸化
等で絶縁層（厚さ３００ｎｍ）２０２を形成した（図２
（２）参照）後、ＶＣＳＥＬ１０４の数に見合うトレン
チ２０３を作製する（図２（３）参照）。穴２０３の大
きさ（直径）、深さおよびピッチ（中心間距離）はそれ
ぞれ２５μｍ、５μｍおよび５０μｍとし（よって、ト
レンチ２０３は絶縁層２０２を貫いており、その底部は
導電性ｐ型Ｓｉ基板１０１に達している）、前記ＶＣＳ
ＥＬ基板１０２上のＶＣＳＥＬ円筒部の配列とマッチす
るように設定する。このトレンチ２０３の作製方法は、
ドライエッチング等の異方性エッチングを用いて基板表
面に垂直ないしは逆テーパ状に形成することが望まし
い。ここまでの配線基板１０１の模式図を図５に示し
た。
【００１８】この後、電子ビーム蒸着等の指向性の強い
蒸着方法を用いて、ＡｕやＡｌ等の配線材を、前記トレ
ンチ２０３の側面に蒸着されないよう、トレンチ２０３
の底部（ここのＡｕやＡｌ等の配線材を２０４ｂで示
す）および上面の平坦部（ここのＡｕやＡｌ等の配線材
を２０４ａで示す）に形成する（図２（４）参照）。こ
うしてできた電極パターンを図６に示す。図６中、５０
３はＶＣＳＥＬ基板１０２との結合領域（ここには位置
合わせ用のマーク５０３ａが形成されている）を示し、
１０３は個々のＶＣＳＥＬ独立駆動用配線（図１も参
照）であり、配線基板平坦部に形成されている。また、
５０２はｐ型Ｓｉ基板トレンチ２０３の底部の配線材２
０４ｂ及びｐ型Ｓｉ基板１０１自体を介して外部に引き
出された共通配線であり、その引き出し部５０２ａは配
線材が絶縁層２０２を貫いた穴内に延びてｐ型Ｓｉ基板
１０１自体と導通している。
蒸着方法を用いて、ＡｕやＡｌ等の配線材を、前記トレ
ンチ２０３の側面に蒸着されないよう、トレンチ２０３
の底部（ここのＡｕやＡｌ等の配線材を２０４ｂで示
す）および上面の平坦部（ここのＡｕやＡｌ等の配線材
を２０４ａで示す）に形成する（図２（４）参照）。こ
うしてできた電極パターンを図６に示す。図６中、５０
３はＶＣＳＥＬ基板１０２との結合領域（ここには位置
合わせ用のマーク５０３ａが形成されている）を示し、
１０３は個々のＶＣＳＥＬ独立駆動用配線（図１も参
照）であり、配線基板平坦部に形成されている。また、
５０２はｐ型Ｓｉ基板トレンチ２０３の底部の配線材２
０４ｂ及びｐ型Ｓｉ基板１０１自体を介して外部に引き
出された共通配線であり、その引き出し部５０２ａは配
線材が絶縁層２０２を貫いた穴内に延びてｐ型Ｓｉ基板
１０１自体と導通している。
【００１９】（結合）次に、ＶＣＳＥＬ基板１０２と配
線基板１０１の結合工程について述べる。図２（５）に
示すように、ＶＣＳＥＬ基板１０２と配線基板１０１
を、ＶＣＳＥＬ１０４の突起部が配線基板１０１のトレ
ンチ２０３内に収まるように位置合わせする。このトレ
ンチ２０３がガイドとなって容易に位置合わせが可能に
なっている。
線基板１０１の結合工程について述べる。図２（５）に
示すように、ＶＣＳＥＬ基板１０２と配線基板１０１
を、ＶＣＳＥＬ１０４の突起部が配線基板１０１のトレ
ンチ２０３内に収まるように位置合わせする。このトレ
ンチ２０３がガイドとなって容易に位置合わせが可能に
なっている。
【００２０】両者の接着方法は導電性バンプを使っても
よいし、導電性樹脂２０５を使ってもよい。特に異方性
を有する導電性樹脂を用いた場合には、圧着面だけに導
通がとれ、トレンチ２０３の側面の導通を容易に防ぐこ
とができるので効果的である。異方性導電性樹脂は、導
電粒子入りのポリイミド系接着剤で実現している。この
導電性樹脂は、電極とＡｕやＡｌ等の配線材間のみ導通
が取れ、横方向は導通がとれないような性能を持つ。導
電粒子は２つの金属材料間に挟まって導通が取れ、これ
がない領域では粒子同志がつながらないために導通しな
い。
よいし、導電性樹脂２０５を使ってもよい。特に異方性
を有する導電性樹脂を用いた場合には、圧着面だけに導
通がとれ、トレンチ２０３の側面の導通を容易に防ぐこ
とができるので効果的である。異方性導電性樹脂は、導
電粒子入りのポリイミド系接着剤で実現している。この
導電性樹脂は、電極とＡｕやＡｌ等の配線材間のみ導通
が取れ、横方向は導通がとれないような性能を持つ。導
電粒子は２つの金属材料間に挟まって導通が取れ、これ
がない領域では粒子同志がつながらないために導通しな
い。
【００２１】図７は異方性導電性樹脂２０５を用いて結
合した両基板１０１、１０２界面の断面図である。異方
性導電性樹脂を配線基板１０１に塗布し、ＶＣＳＥＬ基
板１０２と加熱しながら圧力をかけることで、樹脂に含
まれる導電性微粒子が両基板の金属面３０７と２０４
ｂ、３０８と２０４ａに圧着された部分のみに導通がと
れる。ＶＣＳＥＬの突起部の正電極３０７は、配線基板
トレンチ底部に形成されたコンタクト金属２０４ｂによ
りコンタクトがとれ、ＶＣＳＥＬの平坦部の負電極３０
８は、配線基板平坦部に形成された配線金属２０４ａに
よりコンタクトがとれる。一方、側面の導電性樹脂２０
５ｂは、接する金属面もなく、また圧着も弱いため、導
通には寄与しない。
合した両基板１０１、１０２界面の断面図である。異方
性導電性樹脂を配線基板１０１に塗布し、ＶＣＳＥＬ基
板１０２と加熱しながら圧力をかけることで、樹脂に含
まれる導電性微粒子が両基板の金属面３０７と２０４
ｂ、３０８と２０４ａに圧着された部分のみに導通がと
れる。ＶＣＳＥＬの突起部の正電極３０７は、配線基板
トレンチ底部に形成されたコンタクト金属２０４ｂによ
りコンタクトがとれ、ＶＣＳＥＬの平坦部の負電極３０
８は、配線基板平坦部に形成された配線金属２０４ａに
よりコンタクトがとれる。一方、側面の導電性樹脂２０
５ｂは、接する金属面もなく、また圧着も弱いため、導
通には寄与しない。
【００２２】以上で本実施例のデバイスは完成する。こ
の実施例の効果は以下の通りである。 （１）位置あわせが容易である。 （２）２次元配線が容易である。 （３）ＶＣＳＥＬ活性層部で発熱しても、熱伝導性に優
れたＳｉで覆われているために熱放散に優れ、自分自身
の温度上昇および近接する他ＶＣＳＥＬへの熱干渉を防
いでいる。 （４）異方性導電性樹脂を用いることで、さらにプロセ
スが簡単になる。
の実施例の効果は以下の通りである。 （１）位置あわせが容易である。 （２）２次元配線が容易である。 （３）ＶＣＳＥＬ活性層部で発熱しても、熱伝導性に優
れたＳｉで覆われているために熱放散に優れ、自分自身
の温度上昇および近接する他ＶＣＳＥＬへの熱干渉を防
いでいる。 （４）異方性導電性樹脂を用いることで、さらにプロセ
スが簡単になる。
【００２３】この結果すべての素子を同時ＣＷ動作で駆
動したが、それぞれの素子の特性（しきい値、波長、微
分量子効率等）は単独で駆動したときと殆ど変化はなか
った。本実施例では図示の都合上４×４の場合について
示したが、これ以上の集積化、たとえば、６４×６４の
集積化も容易である。また、本実施例ではＧａＡｓベー
スのＶＣＳＥＬについて述べたが、他の材料系、たとえ
ばＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰベースのＶＣＳＥＬなどでも
効果があることは言うまでもない。
動したが、それぞれの素子の特性（しきい値、波長、微
分量子効率等）は単独で駆動したときと殆ど変化はなか
った。本実施例では図示の都合上４×４の場合について
示したが、これ以上の集積化、たとえば、６４×６４の
集積化も容易である。また、本実施例ではＧａＡｓベー
スのＶＣＳＥＬについて述べたが、他の材料系、たとえ
ばＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰベースのＶＣＳＥＬなどでも
効果があることは言うまでもない。
【００２４】（第２実施例）次に、ＡｌＮ基板を用い、
正電極と負電極をマトリクス状に配した電極マトリクス
配線を持つ第２実施例について述べる。図８はその模式
斜視図である。図９は、これに用いた配線基板の模式平
面図である。簡単に作製方法を説明する。
正電極と負電極をマトリクス状に配した電極マトリクス
配線を持つ第２実施例について述べる。図８はその模式
斜視図である。図９は、これに用いた配線基板の模式平
面図である。簡単に作製方法を説明する。
【００２５】半絶縁性基板１１０１たとえばＡｌＮ上に
図１０のようなトレンチパターンを形成する。第１実施
例における各トレンチ１２０３がアイル（小径）１２３
３で列状に繋がった構成となっている。本実施例の場
合、アイル１２３３の幅を１０μｍとした。深さはＶＣ
ＳＥＬ部のトレンチ１２０３と同じとした。本実施例で
は、基板１１０１は半絶縁性であるのでトレンチ１２０
３の底部の金属配線材１２０４ａ間の導通はアイル１２
３３の底部の金属配線材により行なっている。
図１０のようなトレンチパターンを形成する。第１実施
例における各トレンチ１２０３がアイル（小径）１２３
３で列状に繋がった構成となっている。本実施例の場
合、アイル１２３３の幅を１０μｍとした。深さはＶＣ
ＳＥＬ部のトレンチ１２０３と同じとした。本実施例で
は、基板１１０１は半絶縁性であるのでトレンチ１２０
３の底部の金属配線材１２０４ａ間の導通はアイル１２
３３の底部の金属配線材により行なっている。
【００２６】また、配線基板１１０１の平坦部には、図
９に示す様に、行状に配線パターン１１０３を形成し
た。これらの作製方法は、第１の実施例に準じた方法で
１回の蒸着で形成可能である。ＶＣＳＥＬ基板１０２と
の結合方法も第１の実施例に準じた方法で作製可能であ
る。本実施例の場合、トレンチ（穴）１２０３に小径１
２３３がついている為、ＶＣＳＥＬの電極と配線基板１
１０１側の金属配線材１２０４ａ（平坦部上の電極パッ
ド）、１２０４ｂ（トレンチ底部上の金属配線材）との
間の導通をとる為に導電性樹脂を充填したとき、「逃
げ」ができるので、物理的にも電気的にも従来例１より
簡便に結合できるという利点がある。
９に示す様に、行状に配線パターン１１０３を形成し
た。これらの作製方法は、第１の実施例に準じた方法で
１回の蒸着で形成可能である。ＶＣＳＥＬ基板１０２と
の結合方法も第１の実施例に準じた方法で作製可能であ
る。本実施例の場合、トレンチ（穴）１２０３に小径１
２３３がついている為、ＶＣＳＥＬの電極と配線基板１
１０１側の金属配線材１２０４ａ（平坦部上の電極パッ
ド）、１２０４ｂ（トレンチ底部上の金属配線材）との
間の導通をとる為に導電性樹脂を充填したとき、「逃
げ」ができるので、物理的にも電気的にも従来例１より
簡便に結合できるという利点がある。
【００２７】本実施例の如きマトリクス配線では各ＶＣ
ＳＥＬ１０４を独立に同時に駆動することはできない
が、高速走査することが可能である。また、素子数がｎ
×ｎの時、配線数は独立駆動の場合、ｎ×ｎ（正確には
ｎ×ｎ＋１）が必要なのに対し、マトリクス配線では２
×ｎで済むため、第１実施例の場合より高密度に配置す
ることができる。その時の熱放散の問題点も、第１実施
例同様に解決している。特に、本実施例ではＳｉよりも
熱伝導係数の大きなＡｌＮを使用しているので放熱効果
は大きい。また、本実施例でも、各ＶＣＳＥＬ１０４の
電極は同じ側から取っているため、ＶＣＳＥＬ基板１０
２の他方の面は自由に他の機能デバイスと結合できる。
さらに、ＶＣＳＥＬ基板１０２にＲＧＢ３色用のＶＣＳ
ＥＬを集積することで（ＶＣＳＥＬからの紫外光でＲＧ
Ｂの塗料を照射して蛍光を発するものなど）、極めて高
輝度のディスプレイを作製することもできる。
ＳＥＬ１０４を独立に同時に駆動することはできない
が、高速走査することが可能である。また、素子数がｎ
×ｎの時、配線数は独立駆動の場合、ｎ×ｎ（正確には
ｎ×ｎ＋１）が必要なのに対し、マトリクス配線では２
×ｎで済むため、第１実施例の場合より高密度に配置す
ることができる。その時の熱放散の問題点も、第１実施
例同様に解決している。特に、本実施例ではＳｉよりも
熱伝導係数の大きなＡｌＮを使用しているので放熱効果
は大きい。また、本実施例でも、各ＶＣＳＥＬ１０４の
電極は同じ側から取っているため、ＶＣＳＥＬ基板１０
２の他方の面は自由に他の機能デバイスと結合できる。
さらに、ＶＣＳＥＬ基板１０２にＲＧＢ３色用のＶＣＳ
ＥＬを集積することで（ＶＣＳＥＬからの紫外光でＲＧ
Ｂの塗料を照射して蛍光を発するものなど）、極めて高
輝度のディスプレイを作製することもできる。
【００２８】本実施例の効果をまとめると次の様にな
る。 （１）マトリクス配線であるので配線が単純にできる。 （２）配線が単純化できるので素子を高密度に集積でき
る。 （３）高密度に集積した素子を用いて高輝度ディスプレ
イが作製できる。
る。 （１）マトリクス配線であるので配線が単純にできる。 （２）配線が単純化できるので素子を高密度に集積でき
る。 （３）高密度に集積した素子を用いて高輝度ディスプレ
イが作製できる。
【００２９】（第３実施例）第３実施例はポリイミドで
多層配線を可能にした構造を有する。図１１は、第３の
実施例の模式図である。本実施例の骨子は、基板２１０
１をエッチングせずに、ポリイミド２１１１等の樹脂を
用いた構造で多層配線することにある。簡単に作製方法
を説明する。
多層配線を可能にした構造を有する。図１１は、第３の
実施例の模式図である。本実施例の骨子は、基板２１０
１をエッチングせずに、ポリイミド２１１１等の樹脂を
用いた構造で多層配線することにある。簡単に作製方法
を説明する。
【００３０】Ｓｉ基板２１０１上に１層目の配線パター
ン（たとえば図６の黒の部分の配線ようなパターン）を
形成した後（トレンチ底部に形成されることになるコン
タクト金属２２０４ｂ間はｐ型のＳｉ基板２１０１で電
気的に接続されている）、ポリイミド２１１１を厚さ３
μｍ程度塗布し、固化したのち、所望のＶＣＳＥＬパタ
ーン（たとえば図５のトレンチのようなパターン）をド
ライエッチ等で選択的に取り除いたあと、その上に他の
配線２２０４ａ（たとえば図６の灰色の部分の配線のよ
うなパターン）を行う。必要であれば、さらにポリイミ
ドを重ねることで多層配線する。他の点は図７と同じで
ある。この方法は、ポリイミド等の樹脂を使うため、熱
放散は第１および第２の実施例には及ばないが、２層以
上の多層配線を簡便に行うことができる点が大きな特徴
である。この構造を用いれば、図６のような配線を行な
う場合でも、各同一面内の配線が簡単となり、素子を高
密度で集積できる様になる。
ン（たとえば図６の黒の部分の配線ようなパターン）を
形成した後（トレンチ底部に形成されることになるコン
タクト金属２２０４ｂ間はｐ型のＳｉ基板２１０１で電
気的に接続されている）、ポリイミド２１１１を厚さ３
μｍ程度塗布し、固化したのち、所望のＶＣＳＥＬパタ
ーン（たとえば図５のトレンチのようなパターン）をド
ライエッチ等で選択的に取り除いたあと、その上に他の
配線２２０４ａ（たとえば図６の灰色の部分の配線のよ
うなパターン）を行う。必要であれば、さらにポリイミ
ドを重ねることで多層配線する。他の点は図７と同じで
ある。この方法は、ポリイミド等の樹脂を使うため、熱
放散は第１および第２の実施例には及ばないが、２層以
上の多層配線を簡便に行うことができる点が大きな特徴
である。この構造を用いれば、図６のような配線を行な
う場合でも、各同一面内の配線が簡単となり、素子を高
密度で集積できる様になる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の構成によれ
ば以下の如き効果が奏される。 （１）１次元或は２次元的に素子を集積するときに、位
置あわせが容易である。 （２）２次元配線および多層配線が容易にできる。 （３）素子を高密度で配線できる。 （４）ＶＣＳＥＬなどの発光素子で発熱しても、熱伝導
性に優れたＳｉなどで覆えるために熱放散に優れた構造
にできる。 （５）電極と配線材との導通の為に異方性導電性樹脂を
用いればプロセスがより簡便になる。 （６）素子基板の片面に正負両電極をとる構成にすれ
ば、他方側の面を他の機能デバイスとの結合に自由に使
えて種々の装置に適用できる。
ば以下の如き効果が奏される。 （１）１次元或は２次元的に素子を集積するときに、位
置あわせが容易である。 （２）２次元配線および多層配線が容易にできる。 （３）素子を高密度で配線できる。 （４）ＶＣＳＥＬなどの発光素子で発熱しても、熱伝導
性に優れたＳｉなどで覆えるために熱放散に優れた構造
にできる。 （５）電極と配線材との導通の為に異方性導電性樹脂を
用いればプロセスがより簡便になる。 （６）素子基板の片面に正負両電極をとる構成にすれ
ば、他方側の面を他の機能デバイスとの結合に自由に使
えて種々の装置に適用できる。
【図１】図１は第１の実施例の模式斜視図である。
【図２】図２は第１実施例の作製工程図である。
【図３】図３は第１実施例の各ＶＣＳＥＬの断面構造図
である。
である。
【図４】図４は第１実施例のＶＣＳＥＬ基板の模式斜視
図である。
図である。
【図５】図５は第１実施例の配線基板の模式斜視図であ
る。
る。
【図６】図６は第１実施例の配線基板の模式平面図であ
る。
る。
【図７】図７は第１実施例の基板結合界面部の断面図で
ある。
ある。
【図８】図８は第２の実施例の模式斜視図である。
【図９】図９は第２実施例の配線基板の模式平面図であ
る。
る。
【図１０】図１０は第２実施例の配線基板の模式斜視図
である。
である。
【図１１】図１１は第３実施例の各ＶＣＳＥＬの断面構
造図である。
造図である。
１０１、１１０１、２１０１ 配線基板 １０２ ＶＣＳＥＬ基板 １０３ 独立駆動用配線パターン １０４ ＶＣＳＥＬ ２０２ 絶縁膜 ２０３、１２０３ トレンチ ２０４ａ、１２０４ａ、２２０４ａ 基板平坦部上
の配線電極 ２０４ｂ、１２０４ｂ、２２０４ｂ トレンチ底部
のコンタクト電極 ２０５ 導電性樹脂 ２０５ａ、２０５ｂ 異方性導電性樹脂 ３０２、３０６ 多層膜ミラー ３０３、３０５ スペーサ層 ３０４ 活性層 ３０７ リング型正電極 ３０８ リング型負電極 ５０２ 共通配線パターン ５０２ａ 共通配線パターンの引き出し部 ５０３ ＶＣＳＥＬ基板結合領域 ５０３ａ 位置合わせ用マーク ６０２ マトリクス配線の正電極配線パターン １１０３ マトリクス配線の負電極配線パターン １２３３ アイル（小径） ２１１１ ポリイミド
の配線電極 ２０４ｂ、１２０４ｂ、２２０４ｂ トレンチ底部
のコンタクト電極 ２０５ 導電性樹脂 ２０５ａ、２０５ｂ 異方性導電性樹脂 ３０２、３０６ 多層膜ミラー ３０３、３０５ スペーサ層 ３０４ 活性層 ３０７ リング型正電極 ３０８ リング型負電極 ５０２ 共通配線パターン ５０２ａ 共通配線パターンの引き出し部 ５０３ ＶＣＳＥＬ基板結合領域 ５０３ａ 位置合わせ用マーク ６０２ マトリクス配線の正電極配線パターン １１０３ マトリクス配線の負電極配線パターン １２３３ アイル（小径） ２１１１ ポリイミド
Claims (14)
- 【請求項１】突起部と突起周辺部を有する光デバイスが
形成された第１基板と、該光デバイスの突起部をほぼ完
全に覆うことのできるトレンチを設けた第２基板とが、
該突起部が該トレンチ内に嵌入された状態で、結合され
て成ることを特徴とする面型光デバイス。 - 【請求項２】前記第２基板には、前記光デバイスの少な
くとも一方の電極と導通する配線が設けられていること
を特徴とする請求項１記載の面型光デバイス。 - 【請求項３】前記光デバイスは面発光レーザ等の発光デ
バイスであることを特徴とする請求項１または２記載の
面型光デバイス。 - 【請求項４】前記第１基板には、光デバイスが１次元或
は２次元等に複数配列され、前記第２基板には、該光デ
バイスに対応してトレンチが複数配列されていることを
特徴とする請求項１、２または３記載の面型光デバイ
ス。 - 【請求項５】面発光レーザ等のように柱状の突起部と平
坦部を有する発光デバイスが１次元或は２次元等に複数
配列された第１基板と、該発光デバイスの突起部を夫々
完全に覆うことのできるトレンチおよび配線を設けた第
２基板とが結合されて成ることを特徴とする請求項１乃
至４の何れかに記載の面型光デバイス。 - 【請求項６】前記光デバイスの突起部と突起周辺部ない
し平坦部上に正負電極が分離して形成されていることを
特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の面型光デバ
イス。 - 【請求項７】前記第１基板には、光デバイスが１次元或
は２次元等に複数配列され、前記第２基板には、該光デ
バイスに対応してトレンチが１次元或は２次元等に複数
配列され、更に前記第２基板には、各光デバイスの突起
部上の一方の電極に通じるトレンチ底部のコンタクト金
属を含む配線パターンと各光デバイスの突起周辺部ない
し平坦部上の他方の電極に通じる配線パターンから成る
独立駆動のための配線パターンが形成されていることを
特徴とする請求項６記載の面型光デバイス。 - 【請求項８】前記第１基板には、光デバイスが１次元或
は２次元等に複数配列され、前記第２基板には、該光デ
バイスに対応してトレンチが１次元或は２次元等に複数
配列され、更に前記第２基板には、各光デバイスの突起
部上の一方の電極に通じるトレンチ底部のコンタクト金
属を列状に接続する配線パターンと各光デバイスの突起
周辺部ないし平坦部上の他方の電極を行状に接続する配
線パターンから成るマトリクス駆動のための配線パター
ンが形成されていることを特徴とする請求項６記載の面
型光デバイス。 - 【請求項９】前記第１基板には、光デバイスが１次元或
は２次元等に複数配列され、前記第２基板には、該光デ
バイスに対応してトレンチが１次元或は２次元等に複数
配列されると共に複数のトレンチを少なくとも１つの方
向に関して繋ぐアイルが形成されていることを特徴とす
る請求項１乃至８の何れかに記載の面型光デバイス。 - 【請求項１０】前記第２基板がＳｉやＡｌＮ等の熱抵抗
の小さい材料からなり、光デバイスが発生する熱を放散
しやすくなっていることを特徴とする請求項１乃至９の
何れかに記載の面型光デバイス。 - 【請求項１１】前記第２基板が基板上にポリイミドなど
の樹脂の層を少なくと１層重ねた層構造からなり、各層
上に配線パターンが形成されていること特徴とする請求
項１乃至１０の何れかに記載の面型光デバイス。 - 【請求項１２】前記第１基板と第２基板とが導電性樹脂
を用いて結合されていることを特徴とする請求項１乃至
１１の何れかに記載の面型光デバイス。 - 【請求項１３】請求項１乃至１２の何れかに記載の面型
光デバイスの製造方法であって、前記トレンチを、ドラ
イエッチング等の異方性エッチングで断面がほぼ垂直或
は逆メサ状に形成する過程と、その後、電子ビーム等の
指向性の強いビームでＡｕ等の金属を、該トレンチ側面
に付着させることなく、該トレンチの底部および非トレ
ンチ領域ないし平坦部に同時形成する過程を有すること
を特徴とする面型光デバイスの製造方法。 - 【請求項１４】請求項１乃至１２の何れかに記載の面型
光デバイスの製造方法であって、光デバイスが形成され
た第１基板と、該光デバイスの突起部をほぼ完全に覆う
ことのできるトレンチおよび配線を設けた第２基板とを
結合する為に、異方性導電性樹脂を該両基板の少なくと
―方に塗布し、両基板を圧着かつ加熱することで、該ト
レンチの側面に導通させることなく、該トレンチの底部
および非トレンチ部のみに導通を可能にする過程を有す
ることを特徴とする面型光デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36588797A JPH11186670A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 面型光デバイスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36588797A JPH11186670A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 面型光デバイスおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186670A true JPH11186670A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18485369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36588797A Pending JPH11186670A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 面型光デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186670A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005044967A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-17 | Hitachi Cable Ltd | 光素子付き電気回路素子 |
| JP2007027362A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Ricoh Co Ltd | 面発光型半導体レーザアレイ |
| JP2007027752A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Samsung Electro Mech Co Ltd | Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法 |
| JP2008130708A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザアレイ製造方法、面発光型半導体レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム |
| JP2008192780A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザモジュール、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム |
| JP2009009991A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Seiko Epson Corp | 光源装置、プロジェクタ、モニタ装置 |
| US20130049016A1 (en) * | 2011-08-29 | 2013-02-28 | Micron Technology, Inc. | Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods |
| JP2016049755A (ja) * | 2014-09-02 | 2016-04-11 | 富士ゼロックス株式会社 | 乾燥装置、及び画像形成装置 |
| WO2022130825A1 (ja) * | 2020-12-15 | 2022-06-23 | ソニーグループ株式会社 | 面発光レーザ装置 |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP36588797A patent/JPH11186670A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005044967A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-17 | Hitachi Cable Ltd | 光素子付き電気回路素子 |
| JP2007027362A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Ricoh Co Ltd | 面発光型半導体レーザアレイ |
| JP2007027752A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Samsung Electro Mech Co Ltd | Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法 |
| US8012778B2 (en) | 2005-07-20 | 2011-09-06 | Samsung Led Co., Ltd. | LED package and fabricating method thereof |
| JP2008130708A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザアレイ製造方法、面発光型半導体レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム |
| JP2008192780A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザモジュール、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム |
| JP2009009991A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Seiko Epson Corp | 光源装置、プロジェクタ、モニタ装置 |
| CN103765556A (zh) * | 2011-08-29 | 2014-04-30 | 美光科技公司 | 用于半导体装置的不连续经图案化接合及相关联系统与方法 |
| US20130049016A1 (en) * | 2011-08-29 | 2013-02-28 | Micron Technology, Inc. | Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods |
| US8754424B2 (en) * | 2011-08-29 | 2014-06-17 | Micron Technology, Inc. | Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods |
| JP2014529908A (ja) * | 2011-08-29 | 2014-11-13 | マイクロン テクノロジー，インク． | 半導体デバイス用不連続パターン化接合ならびに関連システムおよび方法 |
| US9059380B2 (en) | 2011-08-29 | 2015-06-16 | Micron Technology, Inc. | Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods |
| TWI497612B (zh) * | 2011-08-29 | 2015-08-21 | 美光科技公司 | 用於半導體裝置之不連續圖案結合及相關系統及方法 |
| US9362259B2 (en) | 2011-08-29 | 2016-06-07 | Micron Technology, Inc. | Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods |
| US10242970B2 (en) | 2011-08-29 | 2019-03-26 | Micron Technology, Inc. | Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods |
| US11222874B2 (en) | 2011-08-29 | 2022-01-11 | Micron Technology, Inc. | Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods |
| US11901342B2 (en) | 2011-08-29 | 2024-02-13 | Micron Technology, Inc. | Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods |
| JP2016049755A (ja) * | 2014-09-02 | 2016-04-11 | 富士ゼロックス株式会社 | 乾燥装置、及び画像形成装置 |
| WO2022130825A1 (ja) * | 2020-12-15 | 2022-06-23 | ソニーグループ株式会社 | 面発光レーザ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0905833B1 (en) | Optical device structure and fabrication method thereof | |
| KR101184775B1 (ko) | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR101195311B1 (ko) | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| US4916710A (en) | Multi-point emission type semiconductor laser device therefor | |
| JP3990846B2 (ja) | 面型光素子、その製造方法、およびこれを用いた装置 | |
| JPH02174274A (ja) | 発光ダイオードアレイヘッドの製造方法 | |
| CN106505410A (zh) | 垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法 | |
| JPH11168262A (ja) | 面型光デバイス、その製造方法、および表示装置 | |
| JP2003264334A5 (ja) | ||
| US20160181478A1 (en) | Semiconductor light emitting device and fabrication method of the semiconductor light emitting device | |
| JP2003264334A (ja) | 半導体レーザ素子及び半導体レーザモジュール | |
| JP2000049414A (ja) | 光機能素子装置、これを用いた光送受信装置、光インターコネクション装置および光記録装置 | |
| WO2013176201A1 (ja) | 垂直共振面発光レーザ | |
| US10847946B2 (en) | Light source package | |
| JPH11145561A (ja) | 光半導体モジュール | |
| CN111564542B (zh) | 微型发光二极管 | |
| JPH11186670A (ja) | 面型光デバイスおよびその製造方法 | |
| JPH0846280A (ja) | 半導体発光装置 | |
| US6667529B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP4155368B2 (ja) | 半導体レーザアレイ素子 | |
| JP3797748B2 (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP2795627B2 (ja) | 垂直共振器型面発光レーザを有する光モジュール及びその製造方法 | |
| JPH09252166A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP6813138B1 (ja) | 光半導体素子 | |
| JP5607202B2 (ja) | 半導体発光素子 |