TW202201769A - 互補式金屬氧化物半導體影像感測器封裝 - Google Patents
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Abstract
一種CMOS影像感測器（CIS）封裝包括：封裝基板；CIS晶片，排列於所述封裝基板的上表面上並與所述封裝基板電性連接；玻璃，排列於所述CIS晶片上方；以及黏著劑層，夾置於所述CIS晶片的上表面的邊緣部分與所述玻璃的下表面的邊緣部分之間，以將所述玻璃貼附至所述CIS晶片。向CIS晶片及玻璃中的至少一者設置互鎖凹陷，並且黏著劑層包括插入於互鎖凹陷中的互鎖突起。
Description
示例性實施例是有關於一種互補式金屬氧化物半導體（complementary metal oxide semiconductor，CMOS）影像感測器封裝。
通常，互補式金屬氧化物半導體（CMOS）影像感測器（CMOS image sensor，CIS）封裝可包括封裝基板、CIS晶片、玻璃及黏著劑層。CIS晶片可排列於封裝基板的上表面上。玻璃可排列於CIS晶片上方。黏著劑層可夾置於CIS晶片的邊緣部分與玻璃的邊緣部分之間，以將玻璃貼附至CIS晶片。
根據相關技術，CIS封裝的可靠性測試可在高溫下進行。在可靠性測試期間，黏著劑層可自CIS晶片及/或玻璃分離。
示例性實施例提供一種可能能夠增強黏著劑層的黏著強度的CMOS影像感測器封裝。
根據本發明的示例性實施例，一種CMOS影像感測器（CIS）封裝包括：封裝基板；CIS晶片，排列於所述封裝基板的上表面上並與所述封裝基板電性連接，所述CIS晶片包括沿著所述CIS晶片的上表面的邊緣部分形成的第一互鎖凹陷；玻璃，排列於所述CIS晶片上方，所述玻璃包括沿著所述玻璃的下表面的邊緣部分形成的第二互鎖凹陷；黏著劑層，夾置於所述CIS晶片的所述上表面的所述邊緣部分與所述玻璃的所述下表面的所述邊緣部分之間，以將所述玻璃貼附至所述CIS晶片，所述黏著劑層包括插入至所述第一互鎖凹陷中的第一互鎖突起及插入至所述第二互鎖凹陷中的第二互鎖突起；以及模塑構件，形成於所述封裝基板的所述上表面上以支撐所述CIS晶片及所述玻璃。所述第一互鎖凹陷及所述第二互鎖凹陷中的每一者的寬度是所述黏著劑層的寬度的約2/15倍至約3/15倍。所述第一互鎖凹陷及所述第二互鎖凹陷中的每一者的所述寬度及所述黏著劑層的所述寬度是在同一水平方向上量測的。
根據本發明的示例性實施例，一種CMOS影像感測器（CIS）封裝包括：封裝基板；CIS晶片，排列於所述封裝基板的上表面上並與所述封裝基板電性連接，所述CIS晶片包括沿著所述CIS晶片的上表面的邊緣部分形成的第一互鎖凹陷；玻璃，排列於所述CIS晶片上方，所述玻璃包括沿著所述玻璃的下表面的邊緣部分形成的第二互鎖凹陷；黏著劑層，夾置於所述CIS晶片的所述上表面的所述邊緣部分與所述玻璃的所述下表面的所述邊緣部分之間，以將所述玻璃貼附至所述CIS晶片，所述黏著劑層包括插入至所述第一互鎖凹陷中的第一互鎖突起及插入至所述第二互鎖凹陷中的第二互鎖突起；以及模塑構件，形成於所述封裝基板的所述上表面上以支撐所述CIS晶片及所述玻璃。
根據本發明的示例性實施例，一種CMOS影像感測器（CIS）封裝包括：封裝基板；CIS晶片，排列於所述封裝基板的上表面上並與所述封裝基板電性連接；玻璃，排列於所述CIS晶片上方；以及黏著劑層，夾置於所述CIS晶片的上表面的邊緣部分與玻璃的下表面的邊緣部分之間，以將所述玻璃貼附至CIS晶片。向CIS晶片及玻璃中的至少一者設置互鎖凹陷，並且黏著劑層包括插入至互鎖凹陷中的互鎖突起。
根據示例性實施例，可向CIS晶片及玻璃中的至少一者設置至少一個互鎖凹陷。黏著劑層可包括插入至至少一個互鎖凹陷中的至少一個互鎖突起。因此，可增加黏著劑層與CIS晶片及/或玻璃之間的接觸面積，以增強黏著劑層的黏著強度。因此，在高溫下測試CIS封裝時，黏著劑層不會自CIS晶片及/或玻璃分離。
在下文中，將參照附圖詳細解釋示例性實施例。
圖1是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖，圖2是圖1中部分「A」的放大剖視圖，圖3是示出圖1中的CIS封裝的CIS晶片的平面圖，且圖4是示出圖1中的CIS封裝的黏著劑層的仰視圖。
參照圖1至圖4，此示例性實施例的CIS封裝100可包括封裝基板110、CIS晶片120、導線150、玻璃130、黏著劑層140、模塑構件160及外部端子170。
封裝基板110可包括核心絕緣層、導電圖案、上絕緣圖案及下絕緣圖案。核心絕緣層、上絕緣圖案及下絕緣圖案可包含絕緣材料。
導電圖案可包括上導電圖案、下導電圖案及導電線。上導電圖案可形成於核心絕緣層的上表面上。下導電圖案可排列於核心絕緣層的下表面上。導電線可穿過核心絕緣層垂直形成，以將上導電圖案與下導電圖案彼此電性連接。
上絕緣圖案可形成於核心絕緣層的上表面上。上絕緣圖案可包括被配置成暴露出上導電圖案的多個開口。
下絕緣圖案可形成於核心絕緣層的下表面上。下絕緣圖案可包括被配置成暴露出下導電圖案的多個開口。
作為另一選擇，封裝基板110可包括單個導電圖案、在單個導電圖案的上表面上的上絕緣圖案、以及在單個導電圖案的下表面上的下絕緣圖案。
CIS晶片120可排列於封裝基板110的上表面的中央部分上。CIS晶片120可包括多個接墊。接墊可排列於CIS晶片120的上表面的邊緣部分上。微透鏡180可排列於CIS晶片120的上表面的中心部分上。
導線150可被配置成將CIS晶片120與封裝基板110電性連接。導線150可自CIS晶片120的接墊延伸至封裝基板110的上導電圖案。
玻璃130可排列於CIS晶片120上方。玻璃130可包含允許光穿過的材料。因此，光可經由玻璃130入射至微透鏡180。
黏著劑層140可將玻璃130貼附至CIS晶片120。黏著劑層140可夾置在CIS晶片120的上表面的邊緣部分與玻璃130的下表面的邊緣部分之間。因此，黏著劑層140的下表面可被配置成接觸CIS晶片120的上表面的邊緣部分。黏著劑層140的上表面可被配置成接觸玻璃130的下表面的邊緣部分。亦即，黏著劑層140可具有沿著CIS晶片120的上表面的邊緣部分延伸的矩形框架形狀。應理解，當一個元件被稱為「連接」或「耦合」至另一元件或「在」另一元件「上」時，所述元件可直接連接或耦合至另一元件或在另一元件上，或者可存在中間元件。相反，當一個元件被稱為「直接連接」或「直接耦合」至另一元件、或者被稱為「接觸」另一元件或「與」另一元件「接觸」時，不存在中間元件。用於描述元件之間關係的其他詞語應以類似的方式來解釋（例如，「位於......之間」與「直接位於……之間」、「相鄰」與「直接相鄰」等）。
模塑構件160可形成於封裝基板110的上表面上，以支撐CIS晶片120、黏著劑層140及玻璃130。模塑構件160可形成於封裝基板110的上表面的邊緣部分上，以圍繞CIS晶片120、黏著劑層140及玻璃130中的每一者的側表面。模塑構件160可包含環氧模塑化合物（epoxy molding compound，EMC）。
外部端子170可安裝於封裝基板110的下表面上。外部端子170可電性連接至封裝基板110的下導電圖案。外部端子170可包括焊球。
可在高溫下對CIS封裝100進行可靠性測試。為防止黏著劑層140自CIS晶片120分離，CIS晶片120可包括可用作互鎖凹陷的第一支撐凹槽122。第一支撐凹槽122可沿著CIS晶片120的上表面的邊緣部分形成。在示例性實施例中，第一支撐凹槽122可圍繞CIS晶片120的微透鏡180。黏著劑層140可包括插入於第一支撐凹槽122中的第一支撐部分142。第一支撐部分142可自黏著劑層140的下表面突出。第一支撐部分142可用作互鎖突起。在示例性實施例中，互鎖凹陷（例如，第一支撐部分142）及互鎖突起（例如，第一支撐凹槽122）可彼此互鎖，使得互鎖突起可插入至互鎖凹陷中。
藉由將第一支撐部分142插入至第一支撐凹槽122中，可大大增加黏著劑層140與CIS晶片120之間的接觸面積。因此，可增強黏著劑層140的黏著力，以防止黏著劑層140自CIS晶片120分離。
在示例性實施例中，第一支撐凹槽122可排列於沿著CIS晶片120的上表面的邊緣部分形成的一列中。第一支撐凹槽122可具有矩形垂直橫截面形狀。因此，第一支撐部分142亦可具有排列成一列的矩形垂直橫截面形狀。
此外，黏著劑層140可具有約150微米的寬度。第一支撐凹槽122可具有約20微米至約30微米的寬度。因此，第一支撐凹槽122的寬度（在水平方向上）可介於黏著劑層140的寬度（在同一水平方向上）的約2/15至約3/15倍的範圍內。因此，第一支撐凹槽122的寬度可足夠寬，以提供足夠的支撐來用作互鎖機構，而不會寬至需要大量的黏著劑。例如「約」或「近似」等用語可反映量、大小、取向或佈局僅以相對較小的方式及/或以不顯著改變某些元件的操作、功能或結構的方式變化。舉例而言，自「約0.1至約1」的範圍可涵蓋例如0.1附近0%至5%偏差及1附近0%至5%偏差的範圍，尤其是若此種偏差保持與所列範圍相同的效果。
圖5是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖，圖6是示出圖5中的CIS封裝的CIS晶片的平面圖，且圖7是示出圖5中的CIS封裝的黏著劑層的仰視圖。
此示例性實施例的CIS封裝100a可包括除第一支撐凹槽及第一支撐部分之外與圖1中的CIS封裝100的元件實質上相同的元件。因此，相同的參考編號可指代相同的元件，並且為簡潔起見，在本文中可省略關於相同元件的任何進一步說明。
參照圖5至圖7，此示例性實施例的第一支撐凹槽122a可排列成兩列。可排列成兩列的第一支撐凹槽122a可用作互鎖凹陷。插入至兩個第一支撐凹槽122a中的第一支撐部分142a亦可排列成兩列。可排列成兩列的第一支撐部分142a可用作互鎖突起。
由於第一支撐凹槽122a及第一支撐部分142a可包括兩列，因此相較於圖1的具有單列的第一支撐凹槽122a及第一支撐部分142a中的每一者，CIS晶片120與黏著劑層140之間的接觸面積可增加。
作為另一選擇，第一支撐凹槽122a及第一支撐部分142a可包括至少三列。
圖8是示出根據示例性實施例的CIS封裝的CIS晶片的平面圖，且圖9是示出貼附至圖8中的CIS晶片的黏著劑層的仰視圖。
此示例性實施例的CIS封裝100b可包括除第一支撐凹槽及第一支撐部分之外與圖1中的CIS封裝100的元件實質上相同的元件。因此，相同的參考編號可指代相同的元件，並且為簡潔起見，在本文中可省略關於相同元件的任何進一步說明。
參照圖8及圖9，多個第一凹陷圖案122b可被設置為互鎖凹陷。所述多個第一凹陷圖案122b可彼此間隔開。所述多個第一凹陷圖案122b可沿著CIS晶片120的邊緣部分彼此間隔開。插入至第一凹陷圖案122b中的多個第一支撐部分142b可彼此間隔開。所述多個第一支撐部分142b可用作互鎖突起。第一凹陷圖案122b之間的間隙或者第一支撐部分142b之間的間隙可為均勻的或不均勻的。
由於第一凹陷圖案122b及第一支撐部分142b可包括多個凹陷圖案及多個突起，因此第一凹陷圖案122b及第一支撐部分142b可形成不平坦的結構。因此，由於不平坦的結構以及CIS晶片120與黏著劑層140之間增加的接觸面積，黏著劑層140的黏著強度可被進一步增強。
圖10是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖，且圖11是圖10中部分「B」的放大剖視圖。
此示例性實施例的CIS封裝100c可包括除第一支撐凹槽及第一支撐部分的形狀之外與圖1中的CIS封裝100的元件實質上相同的元件。因此，相同的參考編號可指代相同的元件，並且為簡潔起見，在本文中可省略關於相同元件的任何進一步說明。
參照圖10及圖11，此示例性實施例的第一互鎖凹陷122c可具有半圓形垂直橫截面形狀。插入至第一互鎖凹陷122c中的第一互鎖突起142c亦可具有半圓形垂直橫截面形狀。
第一互鎖凹陷122c可具有圖3的單個凹槽122、圖6的至少兩個凹槽112a、或圖8的所述多個第一凹陷圖案122b。互鎖突起142c可具有圖4的第一支撐部分142、圖6的具有至少兩列的第一支撐部分142a、或圖9的所述多個第一支撐部分142b。
圖12是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖，且圖13是圖12中部分「C」的放大剖視圖。
此示例性實施例的CIS封裝100d可包括除第一支撐凹槽及第一支撐部分的形狀之外與圖1中的CIS封裝100的元件實質上相同的元件。因此，相同的參考編號可指代相同的元件，並且為簡潔起見，在本文中可省略關於相同元件的任何進一步說明。
參照圖12及圖13，此示例性實施例的第一互鎖凹陷122d可具有三角形垂直橫截面形狀。插入至第一互鎖凹陷122d中的第一互鎖突起142d亦可具有三角形垂直橫截面形狀。
第一互鎖凹陷122d可具有圖3的單個凹槽122、圖6的至少兩個凹槽112a、或圖8的所述多個第一凹陷圖案122b。互鎖突起142d可具有圖4的第一支撐部分142、圖6的具有至少兩列的第一支撐部分142a、或圖9的所述多個第一支撐部分142b。
圖14是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖，且圖15是圖14中部分「D」的放大剖視圖。
此示例性實施例的CIS封裝100e可包括除第一支撐凹槽及第一支撐部分的形狀之外與圖1中的CIS封裝100的元件實質上相同的元件。因此，相同的參考編號可指代相同的元件，並且為簡潔起見，在本文中可省略關於相同元件的任何進一步說明。
參照圖14及圖15，此示例性實施例的第一互鎖凹陷122e可具有梯形垂直橫截面形狀。插入至第一互鎖凹陷122e中的第一互鎖突起142e亦可具有梯形垂直橫截面形狀。
第一互鎖凹陷122e可具有圖3的單個凹槽122、圖6的至少兩個凹槽112a、或圖8的所述多個第一凹陷圖案122b。第一互鎖突起142e可具有圖4的第一支撐部分142、圖6的具有至少兩列的第一支撐部分142a、或圖9的所述多個第一支撐部分142b。
圖16是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖，且圖17是圖16中部分「E」的放大剖視圖。
此示例性實施例的CIS封裝100f可包括除第一支撐凹槽及第一支撐部分的形狀之外與圖1中的CIS封裝100的元件實質上相同的元件。因此，相同的參考編號可指代相同的元件，並且為簡潔起見，在本文中可省略關於相同元件的任何進一步說明。
參照圖16及圖17，此示例性實施例的第一互鎖凹陷122f可具有具倒T形的橫截面。插入至第一互鎖凹陷122f中的第一互鎖突起142f亦可具有倒T形的橫截面。第一互鎖凹陷122f可具有圖3的單個凹槽122、圖6的至少兩個凹槽112a、或圖8的所述多個第一凹陷圖案122b。第一互鎖突起142f可具有圖4的第一支撐部分142、圖6的具有至少兩列的第一支撐部分142a、或圖9的所述多個第一支撐部分142b。
圖18是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖，19是示出圖18中的CIS封裝的玻璃的仰視圖，且圖20是示出圖18中的CIS封裝的黏著劑層的平面圖。
參照圖18至圖20，此示例性實施例的CIS封裝100g可包括封裝基板110、CIS晶片120、導線150、玻璃130、黏著劑層140、模塑構件160及外部端子170。
CIS晶片120可排列於封裝基板110的上表面的中央部分上。CIS晶片120可包括多個接墊。接墊可排列於CIS晶片120的上表面的邊緣部分上。微透鏡180可排列於CIS晶片120的上表面的中心部分上。導線150可被配置成將CIS晶片120與封裝基板110電性連接。
玻璃130可排列於CIS晶片120上。玻璃130可包含允許光穿過的材料。因此，光可經由玻璃130入射至微透鏡180。
黏著劑層140可將玻璃130貼附至CIS晶片120。黏著劑層140可夾置在CIS晶片120的上表面的邊緣部分與玻璃130的下表面的邊緣部分之間。因此，黏著劑層140的下表面可被配置成接觸CIS晶片120的上表面的邊緣部分。黏著劑層140的上表面可被配置成接觸玻璃130的下表面的邊緣部分。亦即，黏著劑層140可具有沿著CIS晶片120的上表面的邊緣部分延伸的矩形框架形狀。
模塑構件160可形成於封裝基板110的上表面上，以支撐CIS晶片120、黏著劑層140及玻璃130。模塑構件160可形成於封裝基板110的上表面的邊緣部分上，以圍繞CIS晶片120、黏著劑層140及玻璃130的側表面。模塑構件160可包含環氧模塑化合物（EMC）。
外部端子170可安裝於封裝基板110的下表面上。外部端子170可電性連接至封裝基板110的下導電圖案。外部端子170可包括焊球。
可在高溫下對CIS封裝100進行可靠性測試。為防止黏著劑層140自玻璃130分離，玻璃130可包括用作第二互鎖凹陷的第二支撐凹槽132。第二支撐凹槽132可沿著玻璃130的下表面的邊緣部分形成。黏著劑層140可包括插入於第二支撐凹槽132中的第二支撐部分144。第二支撐部分144可用作第二互鎖突起。第二支撐部分144可形成為自黏著劑層140的上表面突出。在示例性實施例中，第二互鎖突起（例如，第二支撐部分144）及第二互鎖凹陷（例如，第二支撐凹槽132）可彼此互鎖，使得黏著劑層140的第二互鎖突起可插入至第二互鎖凹陷中。
黏著劑層140與玻璃130之間的接觸面積可藉由插入至第二支撐凹槽132中的第二支撐部分144而大大增加。因此，可增強黏著劑層140的黏著力，以防止黏著劑層140自玻璃130分離。
在示例性實施例中，第二支撐凹槽132可排列成沿著玻璃130的下表面的邊緣部分形成的一列。此外，第二支撐凹槽132可具有矩形垂直橫截面形狀。因此，第二支撐部分144亦可具有排列成一列的矩形垂直橫截面形狀。
此外，黏著劑層140可具有約150微米的寬度。第二支撐凹槽132可具有約20微米至約30微米的寬度。因此，第二支撐凹槽132的寬度可介於黏著劑層140的寬度的約2/15至約3/15倍的範圍內。
作為另一選擇，第二支撐凹槽132及第二支撐部分144可具有圖10中的形狀、圖12中的形狀、圖14中的形狀或圖16中的形狀。
圖21是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖，圖22是示出圖21中的CIS封裝的玻璃的仰視圖，且圖23是示出圖21中的CIS封裝的黏著劑層的平面圖。
此示例性實施例的CIS封裝100h可包括除第二支撐凹槽及第二支撐部分之外與圖18中的CIS封裝100g的元件實質上相同的元件。因此，相同的參考編號可指代相同的元件，並且為簡潔起見，在本文中可省略關於相同元件的任何進一步說明。
參照圖21至圖23，此示例性實施例的第二支撐凹槽132h可排列成兩列。排列成兩列的第二支撐凹槽132h可用作互鎖凹陷。插入至第二支撐凹槽132h中的第二支撐部分144h亦可排列成兩列。排列成兩列的第二支撐部分144h可用作互鎖突起。
由於第二支撐凹槽132h及第二支撐部分144h可包括兩列，因此玻璃130與黏著劑層140之間的接觸面積可進一步增加。
作為另一選擇，第二支撐凹槽132h及第二支撐部分144h可具有圖10中的形狀、圖12中的形狀、圖14中的形狀、或圖16中的形狀。
圖24是示出根據示例性實施例的CIS封裝的玻璃的仰視圖，且圖25是示出貼附至圖24中的玻璃的黏著劑層的平面圖。
此示例性實施例的CIS封裝100i可包括除第一支撐凹槽及第二支撐部分之外與圖18中的CIS封裝100g的元件實質上相同的元件。因此，相同的參考編號可指代相同的元件，並且為簡潔起見，在本文中可省略關於相同元件的任何進一步說明。
參照圖24及圖25，多個第二凹陷圖案132i可被設置為互鎖凹陷。所述多個第二凹陷圖案132i可彼此間隔開。所述多個第二凹陷圖案132i可沿著玻璃130的下表面的邊緣部分彼此間隔開。插入至第二凹陷圖案132i中的所述多個第二支撐部分144i可彼此間隔開。所述多個第二支撐部分144i可用作互鎖突起。
由於第二凹陷圖案132i及第二支撐部分144i可包括多個凹陷圖案及多個突起，因此第二凹陷圖案132i及第二支撐部分144i可形成不平坦的結構。因此，由於不平坦的結構以及玻璃130與黏著劑層140之間增加的接觸面積，黏著劑層140的黏著強度可被進一步增強。
作為另一選擇，第二支撐凹槽132h及第二支撐部分144h可具有圖10中的形狀、圖12中的形狀、圖14中的形狀、或圖16中的形狀。
圖26是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖。
參照圖26，此示例性實施例的CIS封裝100j可包括封裝基板110、CIS晶片120、導線150、玻璃130、黏著劑層140、模塑構件160及外部端子170。
CIS晶片120可排列於封裝基板110的上表面的中央部分上。CIS晶片120可包括多個接墊。接墊可排列於CIS晶片120的上表面的邊緣部分上。微透鏡180可排列於CIS晶片120的上表面的中心部分上。導線150可被配置成將CIS晶片120與封裝基板110電性連接。
玻璃130可排列於CIS晶片120上方。玻璃130可包含允許光穿過的材料。因此，光可經由玻璃130入射至微透鏡180。
黏著劑層140可將玻璃130貼附至CIS晶片120。黏著劑層140可夾置在CIS晶片120的上表面的邊緣部分與玻璃130的下表面的邊緣部分之間。因此，黏著劑層140的下表面可被配置成接觸CIS晶片120的上表面的邊緣部分。黏著劑層140的上表面可被配置成接觸玻璃130的下表面的邊緣部分。亦即，黏著劑層140可具有沿著CIS晶片120的上表面的邊緣部分延伸的矩形框架形狀。
模塑構件160可形成於封裝基板110的上表面上，以支撐CIS晶片120、黏著劑層140及玻璃130。模塑構件160可形成於封裝基板110的上表面的邊緣部分上，以圍繞CIS晶片120、黏著劑層140及玻璃130的側表面。模塑構件160可包含環氧模塑化合物（EMC）。
外部端子170可安裝於封裝基板110的下表面上。外部端子170可電性連接至封裝基板110的下導電圖案。外部端子170可包括焊球。
可在高溫下對CIS封裝100進行可靠性測試。為防止黏著劑層140自CIS晶片及玻璃130分離，CIS晶片120可包括第一互鎖凹陷122，且玻璃130可包括第二互鎖凹陷132。第一互鎖凹陷122可沿著CIS晶片120的上表面的邊緣部分形成。第二互鎖凹陷132可沿著玻璃130的下表面的邊緣部分形成。黏著劑層140可包括插入至第一互鎖凹陷122中的第一互鎖突起142及插入至第二互鎖凹陷132中的第二互鎖突起144。第一互鎖突起142可形成於黏著劑層140的下表面上。第二互鎖突起144可形成於黏著劑層140的上表面上。此示例性實施例的上述結構可具有圖1中的結構與圖18中的結構的整合結構。
藉由插入至第一互鎖凹陷122中的第一互鎖突起142及插入至第二互鎖凹陷132中的第二互鎖突起144，可大大增加黏著劑層140的下表面與CIS晶片120之間的接觸面積。因此，可增強黏著劑層140的黏著力，以防止黏著劑層140自CIS晶片120及玻璃130分離。
在示例性實施例中，第一互鎖凹陷122及第二互鎖凹陷132中的每一者可排列於分別沿著CIS晶片120的上表面的邊緣部分及玻璃130的下表面的邊緣部分形成的一列中。此外，第一互鎖凹陷122及第二互鎖凹陷132可具有矩形垂直橫截面形狀。第一互鎖突起142及第二互鎖突起144中的每一者亦可具有排列成一列的矩形垂直橫截面形狀。
作為另一選擇，第一互鎖凹陷122及第二互鎖凹陷132以及第一互鎖突起142及第二互鎖突起144可具有圖10中的形狀、圖12中的形狀、圖14中的形狀、或圖16中的形狀。第一互鎖凹陷122及第二互鎖凹陷132中的每一者可具有圖3的單個凹槽122、圖6的至少兩個凹槽112a、或圖8的所述多個第一凹陷圖案122b。第一互鎖突起142及第二互鎖突起144中的每一者可具有圖4的第一支撐部分142、圖6的具有至少兩列的第一支撐部分142a、或圖9的所述多個第一支撐部分142b。
根據示例性實施例，可向CIS晶片及玻璃中的至少一者設置至少一個互鎖凹陷。黏著劑層可包括插入於互鎖凹陷中的互鎖突起。因此，可增加黏著劑層與CIS晶片及/或玻璃之間的接觸面積，以增強黏著劑層的黏著強度。因此，在高溫下測試CIS封裝時，可防止黏著劑層自CIS晶片及/或玻璃分離。應理解，儘管在本文中可使用用語第一、第二、第三等來描述各種元件、組件、區域、層及/或區段，但該些元件、組件、區域、層及/或區段不應受該些用語限制。除非上下文另有說明，否則該些用語例如作為命名慣例僅用於區分各個元件、組件、區域、層或區段。因此，在不分離本發明的教示內容的情況下，以下在說明書的一部分中討論的第一元件、組件、區域、層或區段可在說明書的另一部分中或在申請專利範圍中被稱為第二元件、組件、區域、層或區段。此外，在某些情況下，即使在說明書中未使用「第一」、「第二」等來描述用語，但在申請專利範圍中所述用語仍可被稱為「第一」或「第二」，以將所請求保護的不同元件彼此區分開。
上述是示例性實施例的說明，且不應被解釋為對示例性實施例的限制。儘管已描述了幾個示例性實施例，但熟習此項技術者將容易理解，在不實質上背離本發明的新穎教示內容及優點的情況下，在示例性實施例中可作出諸多修改。因此，所有此類修改皆旨在包括在申請專利範圍所界定的本發明的範圍內。在申請專利範圍中，構件加功能條款旨在覆蓋在本文中被描述為執行所述功能的結構，且不僅覆蓋結構等同物而且包括等同結構。因此，應理解，上述是各種示例性實施例的說明，並且不應被解釋為限於所揭露的特定示例性實施例，並且對所揭露的示例性實施例以及其他示例性實施例的修改旨在包括在所附申請專利範圍的範圍內。
100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j:CIS封裝
110:封裝基板
120:CIS晶片
122:單個凹槽/第一互鎖凹陷/第一支撐凹槽
122a:第一支撐凹槽
122b:第一凹陷圖案
122c、122d、122e、122f:第一互鎖凹陷
130:玻璃
132:第二互鎖凹陷/第二支撐凹槽
132h:第二支撐凹槽
132i:第二凹陷圖案
140:黏著劑層
142:第一互鎖突起/互鎖突起/第一支撐部分
142a:第一支撐部分
142b:第一支撐部分
142c:互鎖突起/第一互鎖突起
142d、142e、142f:第一互鎖突起
144:第二互鎖突起/第二支撐部分
144h:第二支撐部分
144i:第二支撐部分
150:導線
160:模塑構件
170:外部端子
180:微透鏡
A、B、C、D、E:部分
結合附圖閱讀以下詳細說明將更清楚地理解示例性實施例。圖1至圖26表示在本文中描述的非限制性示例性實施例。
圖1是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖。
圖2是圖1中部分「A」的放大剖視圖。
圖3是示出圖1中的CIS封裝的CIS晶片的平面圖。
圖4是示出圖1中的CIS封裝的黏著劑層的仰視圖。
圖5是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖。
圖6是示出圖5中的CIS封裝的CIS晶片的平面圖。
圖7是示出圖5中的CIS封裝的黏著劑層的仰視圖。
圖8是示出根據示例性實施例的CIS封裝的CIS晶片的平面圖。
圖9是示出貼附至圖8中的CIS晶片的黏著劑層的仰視圖。
圖10是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖。
圖11是圖10中部分「B」的放大剖視圖。
圖12是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖。
圖13是圖12中部分「C」的放大剖視圖。
圖14是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖。
圖15是圖14中部分「D」的放大剖視圖。
圖16是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖。
圖17是圖16中部分「E」的放大剖視圖。
圖18是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖。
圖19是示出圖18中的CIS封裝的玻璃的仰視圖。
圖20是示出圖18中的CIS封裝的黏著劑層的平面圖。
圖21是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖。
圖22是示出圖21中的CIS封裝的玻璃的仰視圖。
圖23是示出圖21中的CIS封裝的黏著劑層的平面圖。
圖24是示出根據示例性實施例的CIS封裝的玻璃的仰視圖。
圖25是示出貼附至圖24中的玻璃的黏著劑層的平面圖。
圖26是示出根據示例性實施例的CIS封裝的剖視圖。
100:CIS封裝
110:封裝基板
120:CIS晶片
122:單個凹槽/第一互鎖凹陷/第一支撐凹槽
130:玻璃
140:黏著劑層
142:第一互鎖突起/互鎖突起/第一支撐部分
150:導線
160:模塑構件
170:外部端子
180:微透鏡
A:部分
Claims (10)
- 一種互補式金屬氧化物半導體影像感測器（CIS）封裝，包括： 封裝基板； 互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片，排列於所述封裝基板的上表面上並與所述封裝基板電性連接，所述互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片包括沿著所述互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片的上表面的邊緣部分形成的第一互鎖凹陷； 玻璃，排列於所述互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片上方，所述玻璃包括沿著所述玻璃的下表面的邊緣部分形成的第二互鎖凹陷； 黏著劑層，夾置於所述互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片的所述上表面的所述邊緣部分與所述玻璃的所述下表面的所述邊緣部分之間，以將所述玻璃貼附至所述互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片，所述黏著劑層包括插入至所述第一互鎖凹陷中的第一互鎖突起及插入至所述第二互鎖凹陷中的第二互鎖突起；以及 模塑構件，形成於所述封裝基板的所述上表面上以支撐所述互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片及所述玻璃， 其中所述第一互鎖凹陷及所述第二互鎖凹陷中的每一者的寬度是所述黏著劑層的寬度的約2/15倍至約3/15倍，並且 其中所述第一互鎖凹陷及所述第二互鎖凹陷中的每一者的所述寬度及所述黏著劑層的所述寬度是在同一水平方向上量測的。
- 如請求項1所述的互補式金屬氧化物半導體影像感測器封裝， 其中所述第一互鎖凹陷具有凹槽形狀並且排列成至少兩列，並且 其中所述第二互鎖凹陷具有凹槽形狀，並且排列成對應所述第一互鎖凹陷的所述至少兩列的至少兩列。
- 如請求項1所述的互補式金屬氧化物半導體影像感測器封裝， 其中所述第一互鎖凹陷包括沿著所述互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片的所述上表面的所述邊緣部分彼此間隔開的多個凹陷圖案，並且 其中所述第二互鎖凹陷包括沿著所述玻璃的所述下表面的所述邊緣部分彼此間隔開的多個凹陷圖案。
- 如請求項1所述的互補式金屬氧化物半導體影像感測器封裝， 其中所述第一互鎖凹陷及所述第二互鎖凹陷中的每一者的橫截面對應於三角形形狀、矩形形狀、梯形形狀或半圓形形狀。
- 如請求項1所述的互補式金屬氧化物半導體影像感測器封裝，更包括： 安裝在所述封裝基板的下表面上的多個外部端子。
- 一種互補式金屬氧化物半導體影像感測器（CIS）封裝，包括： 封裝基板； 互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片，排列於所述封裝基板的上表面上並與所述封裝基板電性連接，所述互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片包括沿著所述互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片的上表面的邊緣部分形成的第一互鎖凹陷； 玻璃，排列於所述互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片上方，所述玻璃包括沿著所述玻璃的下表面的邊緣部分形成的第二互鎖凹陷； 黏著劑層，夾置於所述互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片的所述上表面的所述邊緣部分與所述玻璃的所述下表面的所述邊緣部分之間，以將所述玻璃貼附至所述互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片，所述黏著劑層包括插入至所述第一互鎖凹陷中的第一互鎖突起及插入至所述第二互鎖凹陷中的第二互鎖突起；以及 模塑構件，形成於所述封裝基板的所述上表面上以支撐所述互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片及所述玻璃。
- 如請求項6所述的互補式金屬氧化物半導體影像感測器封裝， 其中所述第一互鎖凹陷具有凹槽形狀並且排列成至少兩列，並且 其中所述第二互鎖凹陷具有凹槽形狀，並且排列成對應所述第一互鎖凹陷的所述至少兩列的至少兩列。
- 如請求項6所述的互補式金屬氧化物半導體影像感測器封裝， 其中所述第一互鎖凹陷包括沿著所述互補式金屬氧化物半導體影像感測器晶片的所述上表面的所述邊緣部分彼此間隔開的多個凹陷圖案，並且 其中所述第二互鎖凹陷包括沿著所述玻璃的所述下表面的所述邊緣部分彼此間隔開的多個凹陷圖案。
- 如請求項6所述的互補式金屬氧化物半導體影像感測器封裝， 其中所述第一互鎖凹陷及所述第二互鎖凹陷中的每一者的橫截面對應於三角形形狀、矩形形狀、梯形形狀或半圓形形狀。
- 如請求項6所述的互補式金屬氧化物半導體影像感測器封裝，更包括： 安裝在所述封裝基板的下表面上的多個外部端子。
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