JPS6267863A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS6267863A JPS6267863A JP60206329A JP20632985A JPS6267863A JP S6267863 A JPS6267863 A JP S6267863A JP 60206329 A JP60206329 A JP 60206329A JP 20632985 A JP20632985 A JP 20632985A JP S6267863 A JPS6267863 A JP S6267863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass plate
- semiconductor substrate
- photoelectric conversion
- solid
- conversion section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 241000283690 Bos taurus Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体を構成要素として光学像情報ｔ−電気
信号に変換して出力する固体撮像装置に関し、特にその
小形化、低廉化を図ったものである。
信号に変換して出力する固体撮像装置に関し、特にその
小形化、低廉化を図ったものである。
近年、光学像を電気信号に変換する撮像装置として、撮
像管に代り、耐久性、／Ｊ’ｊ形化の点ですぐれた固体
撮像素子が多く用いられている。
像管に代り、耐久性、／Ｊ’ｊ形化の点ですぐれた固体
撮像素子が多く用いられている。
固体撮像素子は、半導体基板上に、光電変換素子、信号
転送素子等を形成したものであるが、電源線、駆動／４
ルスの供給線、信号線等を引き出す必要があること、半
導体基板が湿度等に弱いため封止する必要のあること、
結像レンズの 。
転送素子等を形成したものであるが、電源線、駆動／４
ルスの供給線、信号線等を引き出す必要があること、半
導体基板が湿度等に弱いため封止する必要のあること、
結像レンズの 。
光軸に対して正確な位置、角度で取付ける必要のあるこ
とから現在用いられている固体撮像素子の多くは次のよ
うな構造である。
とから現在用いられている固体撮像素子の多くは次のよ
うな構造である。
第３図において、１１はセラミック等で成るパッケージ
であシ、この内部底面には半導体基板１２が固定され、
この半導体基板１２の１！極は、パ、ケーノ内に設けら
れた電極とゲンディングワイヤー１３にニジ結ばれてい
る。パッケージ１１の縁部１１には、ゲンディングワイ
ヤ１３の盛り上り最上部よシも高く、この縁部１１ＡＫ
ガラス基板１４が貼シ合わせられ、パ、ケージ１ノ内を
封止するように構成される。
であシ、この内部底面には半導体基板１２が固定され、
この半導体基板１２の１！極は、パ、ケーノ内に設けら
れた電極とゲンディングワイヤー１３にニジ結ばれてい
る。パッケージ１１の縁部１１には、ゲンディングワイ
ヤ１３の盛り上り最上部よシも高く、この縁部１１ＡＫ
ガラス基板１４が貼シ合わせられ、パ、ケージ１ノ内を
封止するように構成される。
さらに・々、ケージ１１の側部には、リード部１５が突
出して設けられ、外部接続用として利用される。そして
、パッケージ１１の裏面が、固定２位置出しのために用
いられる。
出して設けられ、外部接続用として利用される。そして
、パッケージ１１の裏面が、固定２位置出しのために用
いられる。
上記従来の構造によると、固体撮像装置を形成する半導
体基板１２よシもかなり大きなパッケージ１１が必要で
あシ、ま之、パッケージ１１に半導体基板１２ｔ−精度
良く収容する作業は極めて困難であった。更にパッケー
ジ１１としては、七ラミ、り等の材質が使用され価格も
高くなっており、これに加えて加工精度にも高度がもの
が要求されている。
体基板１２よシもかなり大きなパッケージ１１が必要で
あシ、ま之、パッケージ１１に半導体基板１２ｔ−精度
良く収容する作業は極めて困難であった。更にパッケー
ジ１１としては、七ラミ、り等の材質が使用され価格も
高くなっており、これに加えて加工精度にも高度がもの
が要求されている。
この発明は上記の事情に鑑みてなされ念もので、性能上
は充分な信頼性を保ち、小形でかつ廉価な固体撮像装置
を提供することを目的とする。
は充分な信頼性を保ち、小形でかつ廉価な固体撮像装置
を提供することを目的とする。
この発明は、例えば第１図に示すように、光電変換部と
ワイヤ引出部２１ａを有した半導体基板２１上に、ワイ
ヤ引出部２１＊ｆ残して前記光電変換部全面をガラス板
２２によって覆い、ガラス板２２の側面及び前記半導体
基板２１のワイヤ引出部ＺＺａｆｔ元吸収体（樹脂）２
３で封止することにより上記目的を達成するものである
。
ワイヤ引出部２１ａを有した半導体基板２１上に、ワイ
ヤ引出部２１＊ｆ残して前記光電変換部全面をガラス板
２２によって覆い、ガラス板２２の側面及び前記半導体
基板２１のワイヤ引出部ＺＺａｆｔ元吸収体（樹脂）２
３で封止することにより上記目的を達成するものである
。
以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図はこの発明の一実施例であり、同図（４）は平面
図、同図（Ｂ） ｋ”Ｌ断面図である。２１は、光学像
情報を電気信号に変換するための光電変換部と、この周
辺に電源線、駆動パルス供給線、信号綴金引出すための
ワイヤ引出部とを有した半導体基板である。この半導体
基板２１には、前記光電変換部を全面覆い、かつ前記ワ
イヤ引出部２１ｈにはかからないように透明体、つま９
ガラス板２２が貼り合わされる。そして、前記半導体基
板２１の上面のうち、前記ガラス板２２に覆われない部
分及び前記ガラス板２２の側面には、光吸収材２３が接
着されて、前記光電変換部を封止する。光吸収材２３は
、ガラス板と同じ屈折率の黒色色素を含む樹脂である。
図、同図（Ｂ） ｋ”Ｌ断面図である。２１は、光学像
情報を電気信号に変換するための光電変換部と、この周
辺に電源線、駆動パルス供給線、信号綴金引出すための
ワイヤ引出部とを有した半導体基板である。この半導体
基板２１には、前記光電変換部を全面覆い、かつ前記ワ
イヤ引出部２１ｈにはかからないように透明体、つま９
ガラス板２２が貼り合わされる。そして、前記半導体基
板２１の上面のうち、前記ガラス板２２に覆われない部
分及び前記ガラス板２２の側面には、光吸収材２３が接
着されて、前記光電変換部を封止する。光吸収材２３は
、ガラス板と同じ屈折率の黒色色素を含む樹脂である。
上記の構造によると、光入射窓を確保した上で全体を樹
脂封止でき、ガラス板２２の支持部として従来のような
・９．ケージは８侠ない。ガラス板２２は、半導体基板
２１自体に透明接着剤で接着固定されることで支持され
ることになる。更に、ガラス板２２の側面は元を変換部
の近くに位置することになるが、ガラス板２２と光吸収
材２３（樹脂ンとの屈折率が等しいため、ガラス板側面
に入射した光は、ガラス板と樹脂との界面で反射するこ
となく、すべて樹脂内に透過し黒色色素に吸収される。
脂封止でき、ガラス板２２の支持部として従来のような
・９．ケージは８侠ない。ガラス板２２は、半導体基板
２１自体に透明接着剤で接着固定されることで支持され
ることになる。更に、ガラス板２２の側面は元を変換部
の近くに位置することになるが、ガラス板２２と光吸収
材２３（樹脂ンとの屈折率が等しいため、ガラス板側面
に入射した光は、ガラス板と樹脂との界面で反射するこ
となく、すべて樹脂内に透過し黒色色素に吸収される。
よってガラス板側面から反射光による妨害が生じること
はない。
はない。
また、半導体基板２１のワイヤ引出し部２１ｍの各電極
は、それぞれゲンディングヮイヤ２５によって、対応す
るり−ド２６に接続され、駆動パルス供給部、電源供給
部、出力取出部などが形成される。ぜンディングヮイヤ
２５を接続する際には、予じめ半導体基板２１、リード
２６を型に入れて固定した状態で作業が行なわれ、この
後、ガラス２２の接着及び光吸収材２３による封止が行
なわれる。
は、それぞれゲンディングヮイヤ２５によって、対応す
るり−ド２６に接続され、駆動パルス供給部、電源供給
部、出力取出部などが形成される。ぜンディングヮイヤ
２５を接続する際には、予じめ半導体基板２１、リード
２６を型に入れて固定した状態で作業が行なわれ、この
後、ガラス２２の接着及び光吸収材２３による封止が行
なわれる。
第２図はこの発明の他の実施例である。先の実施例と同
一部には同符号を付して説明するに、この実施例の場合
は、ガラス板２２及びそのエツジの光吸収体２３部分に
更にガラス板２７をはシ合せ、素子前面の保護を完全に
している。
一部には同符号を付して説明するに、この実施例の場合
は、ガラス板２２及びそのエツジの光吸収体２３部分に
更にガラス板２７をはシ合せ、素子前面の保護を完全に
している。
このような構成によると、ガラス板２７をペースにして
ガラス板２２、半導体基板２１と積層し、ガラス板２７
を基準として利用できる。
ガラス板２２、半導体基板２１と積層し、ガラス板２７
を基準として利用できる。
上記の実施例では、ガラス板と樹脂（光吸収材２３）の
屈折率を同じにしたが、屈折率の等しい材質ｆ：選べな
い場合には、樹脂の屈折率がガラス板のそれよシ大きく
てもよい。このようにしても、ガラス板側面における全
反射による妨害は生じない。更にガラス板としては、色
ガラスフィルタや水晶による光学ローフ４スフイルタを
用いてもよい。
屈折率を同じにしたが、屈折率の等しい材質ｆ：選べな
い場合には、樹脂の屈折率がガラス板のそれよシ大きく
てもよい。このようにしても、ガラス板側面における全
反射による妨害は生じない。更にガラス板としては、色
ガラスフィルタや水晶による光学ローフ４スフイルタを
用いてもよい。
以上説明したように、この発明によると、撮像素子の信
頼性を保ちながら全体を小形化でき、しかもセラミ、り
等によるパッケージ全必要としないので廉価な固体撮像
装［１を提供できる。
頼性を保ちながら全体を小形化でき、しかもセラミ、り
等によるパッケージ全必要としないので廉価な固体撮像
装［１を提供できる。
第１図はこの発明の一実施例を示す正面図及び断面図、
第２図はこの発明の他の実施例全示す正面図及び断面図
、第３図は従来の固体撮像装置の正面図及び断面図であ
る。 ２１・・・牛導体基板、２２ ｅ ２７・・・ガラス板
、２３・・・光吸収材。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 産業２図 （Ａ） （Ｂ）第３図
第２図はこの発明の他の実施例全示す正面図及び断面図
、第３図は従来の固体撮像装置の正面図及び断面図であ
る。 ２１・・・牛導体基板、２２ ｅ ２７・・・ガラス板
、２３・・・光吸収材。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 産業２図 （Ａ） （Ｂ）第３図
Claims (4)
- （１）光学像を電気信号に変換する光電変換部の領域と
この光電変換部の周辺に設定されたワイヤ引出部の領域
とを一方の面に有した半導体基板と、前記ワイヤ引出部
の領域を残して前記光電変換部の領域全部を覆った透明
体と、少なくとも前記一方の面のうち前記ワイヤ引出部
の領域と前記透明体の側面とに連続して位置して両者を
封止した光吸収材とを具備したことを特徴とする固体撮
像装置。 - （２）前記透明体と前記光吸収材との屈折率がほぼ等し
いことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固体撮
像装置。 - （３）前記透明体の屈折率が前記光吸収体の屈折率より
も小さいことを特徴とした特許請求の範囲第１項記載の
固体撮像装置。 - （４）前記透明体上にこれよりも面積の広い第２の透明
体が貼り合わされたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60206329A JPS6267863A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60206329A JPS6267863A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267863A true JPS6267863A (ja) | 1987-03-27 |
Family
ID=16521493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60206329A Pending JPS6267863A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6267863A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006005029A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Fujitsu Ltd | 撮像装置及びその製造方法 |
| EP1786033A2 (en) | 2005-11-15 | 2007-05-16 | Fujitsu Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| JP2007142194A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| KR100858457B1 (ko) * | 2004-07-27 | 2008-09-16 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 촬상 장치 |
| US7998779B2 (en) | 2008-03-11 | 2011-08-16 | Fujitsu Semiconductor Limited | Solid-state imaging device and method of fabricating solid-state imaging device |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP60206329A patent/JPS6267863A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006005029A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Fujitsu Ltd | 撮像装置及びその製造方法 |
| US8411197B2 (en) | 2004-06-15 | 2013-04-02 | Fujitsu Semiconductor Limited | Image pickup device and production method thereof |
| KR100858457B1 (ko) * | 2004-07-27 | 2008-09-16 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 촬상 장치 |
| CN100466269C (zh) * | 2004-07-27 | 2009-03-04 | 富士通微电子株式会社 | 图像捕捉设备 |
| US7616250B2 (en) | 2004-07-27 | 2009-11-10 | Fujitsu Microelectronics Limited | Image capturing device |
| EP1786033A2 (en) | 2005-11-15 | 2007-05-16 | Fujitsu Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US7719097B2 (en) | 2005-11-15 | 2010-05-18 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device having transparent member |
| US7932121B2 (en) | 2005-11-15 | 2011-04-26 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| JP2007142194A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US7998779B2 (en) | 2008-03-11 | 2011-08-16 | Fujitsu Semiconductor Limited | Solid-state imaging device and method of fabricating solid-state imaging device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080251705A1 (en) | Image sensor chip package | |
| CN112770033B (zh) | 一种光采集装置及光学镜头 | |
| JPS61123288A (ja) | 固体撮像デバイス | |
| JPS61112480A (ja) | 一体化撮像器―プリズム構体 | |
| JPS6267863A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS61134187A (ja) | 固体撮像デバイス | |
| JPS62273768A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH02229453A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06105791B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| CN208589448U (zh) | 芯片封装结构和终端设备 | |
| JPH04114456A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS6329973A (ja) | 電子写真複写装置 | |
| JPS59110174A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH01191481A (ja) | 受光素子 | |
| JPS6063957A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPS59148372A (ja) | 感光装置 | |
| JPS63213373A (ja) | 光半導体デバイス | |
| JPH0222872A (ja) | 光センサ装置 | |
| JP2001345438A (ja) | 固体撮像装置およびその作製方法 | |
| JPH05145697A (ja) | イメージセンサ | |
| JPH0754974B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS59152449U (ja) | 雨滴センサ | |
| JPH05182999A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0211794Y2 (ja) | ||
| JPH01238046A (ja) | 固体撮像装置 |