JPH11186532A - 光センサー - Google Patents
光センサーInfo
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- JPH11186532A JPH11186532A JP9353487A JP35348797A JPH11186532A JP H11186532 A JPH11186532 A JP H11186532A JP 9353487 A JP9353487 A JP 9353487A JP 35348797 A JP35348797 A JP 35348797A JP H11186532 A JPH11186532 A JP H11186532A
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- Japan
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- sensor element
- optical sensor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板間の接着層中の気泡による悪影響を無く
し、解像度の低下を招かない等倍読み取りを行うことの
可能な１次元もしくは２次元の光センサーを提供する。 【解決手段】 センサー素子基板１０３上に、保護基板
１０５を有する光センサーにおいて、上記センサー素子
基板１０３と上記保護基板１０５の間に、分散して配置
されたスペーサー２０２を有し、該スペーサーにより支
持された空気層を介して、両方の上記基板の外周部を接
着して構成したことを特徴とする光センサー。
し、解像度の低下を招かない等倍読み取りを行うことの
可能な１次元もしくは２次元の光センサーを提供する。 【解決手段】 センサー素子基板１０３上に、保護基板
１０５を有する光センサーにおいて、上記センサー素子
基板１０３と上記保護基板１０５の間に、分散して配置
されたスペーサー２０２を有し、該スペーサーにより支
持された空気層を介して、両方の上記基板の外周部を接
着して構成したことを特徴とする光センサー。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ファクシミリ、デ
ジタル複写機、あるいはＸ線撮像装置等の、１次元もし
くは２次元の光センサーに関するものである。
ジタル複写機、あるいはＸ線撮像装置等の、１次元もし
くは２次元の光センサーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ファクシミリ・デジタル複写機あ
るいはＸ線撮像装置等の読み取り系は縮小光学系とＣＣ
Ｄ型センサーを組み合わせたシステムであった。しかし
ながら、近年になり水素化アモルファスシリコン（以下
ａ−Ｓｉと記す）に代表される光電変換半導体材料の開
発により、光電変換素子及び信号処理部を大面積の基板
に形成し、情報源と等倍の光学系で読み取る密着型セン
サーが実用化されつつある。特にａ−Ｓｉは光電変換材
料としてだけでなく、薄膜電界効果型トランジスタ（以
下ＴＦＴと記す）の半導体材料としても用いることがで
きるので光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層とを同時
に形成することができ都合がよい。
るいはＸ線撮像装置等の読み取り系は縮小光学系とＣＣ
Ｄ型センサーを組み合わせたシステムであった。しかし
ながら、近年になり水素化アモルファスシリコン（以下
ａ−Ｓｉと記す）に代表される光電変換半導体材料の開
発により、光電変換素子及び信号処理部を大面積の基板
に形成し、情報源と等倍の光学系で読み取る密着型セン
サーが実用化されつつある。特にａ−Ｓｉは光電変換材
料としてだけでなく、薄膜電界効果型トランジスタ（以
下ＴＦＴと記す）の半導体材料としても用いることがで
きるので光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層とを同時
に形成することができ都合がよい。
【０００３】そして、この光センサーをファクシミリ・
デジタル複写機あるいはＸ線撮像装置等に使用する場
合、図７に示すように、センサー表面に接着剤を介して
有機物、無機物からなる基板１０５を貼り付ける。図７
（ａ）は、光センサーの平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面
図である。図７において、１０１は回路基板、１０２は
フレキシブル回路基板、１０３はセンサー素子が形成さ
れたセンサーパネル、１０４はセンサー素子、１３０６
はセンサーパネルと基板１０５を貼り合わせるための接
着剤を表す。
デジタル複写機あるいはＸ線撮像装置等に使用する場
合、図７に示すように、センサー表面に接着剤を介して
有機物、無機物からなる基板１０５を貼り付ける。図７
（ａ）は、光センサーの平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面
図である。図７において、１０１は回路基板、１０２は
フレキシブル回路基板、１０３はセンサー素子が形成さ
れたセンサーパネル、１０４はセンサー素子、１３０６
はセンサーパネルと基板１０５を貼り合わせるための接
着剤を表す。
【０００４】ファクシミリ・デジタル複写機では基板１
０５は透明ガラス基板に該当する。これはセンサー表面
の機械的衝撃あるいは水分や不純物の混入を防ぐため用
いる。
０５は透明ガラス基板に該当する。これはセンサー表面
の機械的衝撃あるいは水分や不純物の混入を防ぐため用
いる。
【０００５】またＸ線撮像装置では、蛍光板を用いＸ線
を可視光に変換しセンサーで読みとる。図８にＸ線撮像
装置の概略を記す。図８において、１４０１はＸ線源、
１４０２は被写体、１４０３はカセット、１４０４・１
４０５はＸ線である。Ｘ線源から照射されたＸ線１４０
４は被写体を透過し、Ｘ線センサーが設けられているカ
セットへ入射する。この入射したＸ線１４０５は被写体
の情報が含まれている。
を可視光に変換しセンサーで読みとる。図８にＸ線撮像
装置の概略を記す。図８において、１４０１はＸ線源、
１４０２は被写体、１４０３はカセット、１４０４・１
４０５はＸ線である。Ｘ線源から照射されたＸ線１４０
４は被写体を透過し、Ｘ線センサーが設けられているカ
セットへ入射する。この入射したＸ線１４０５は被写体
の情報が含まれている。
【０００６】図９は、カセット１４０３内の概略断面図
である。図９において、１５０２は蓋、１５１３はＸ線
センサー部である。１５１１から１５１４と１０１から
１０３はＸ線センサー部の構造を示している。１５１１
はセンサーパネルを固定するための基台、１５１２はセ
ンサーパネルと基台を貼り合わせるための接着剤、１０
３は上面にセンサー素子が形成されているセンサーパネ
ル、１５１３はセンサーパネルと蛍光板を貼り合わせる
ための接着剤、１５１４はＸ線を可視光に変換する蛍光
板、１０２はフレキシブル回路基板、１０１は回路基板
である。Ｘ線源から被写体を透過してカセット内に入射
してきたＸ線は、蛍光板内を透過する。その際、Ｘ線は
可視光へと変換される。変換された可視光は、直下の接
着剤を透過しセンサーパネル上に形成されたセンサー素
子に入射される。これを光電変換し２次元画像へと出力
する。
である。図９において、１５０２は蓋、１５１３はＸ線
センサー部である。１５１１から１５１４と１０１から
１０３はＸ線センサー部の構造を示している。１５１１
はセンサーパネルを固定するための基台、１５１２はセ
ンサーパネルと基台を貼り合わせるための接着剤、１０
３は上面にセンサー素子が形成されているセンサーパネ
ル、１５１３はセンサーパネルと蛍光板を貼り合わせる
ための接着剤、１５１４はＸ線を可視光に変換する蛍光
板、１０２はフレキシブル回路基板、１０１は回路基板
である。Ｘ線源から被写体を透過してカセット内に入射
してきたＸ線は、蛍光板内を透過する。その際、Ｘ線は
可視光へと変換される。変換された可視光は、直下の接
着剤を透過しセンサーパネル上に形成されたセンサー素
子に入射される。これを光電変換し２次元画像へと出力
する。
【０００７】図１０は、図９中のＸ線センサーを作製す
るためのプロセスを示したものである。以下に、図１０
（ａ）〜（ｄ）の各工程を説明する。 （ａ）薄膜半導体プロセスによって作製されたセンサー
パネル４０７を要求されるサイズに回転式のダイヤモン
ドブレード４０８を用いてスライスする。 （ｂ）規定サイズとなったパネル１０３の引き出し電極
部にＴＡＢなどを用い電気実装部１０１・１０２を取り
付ける。 （ｃ）次にパネル表面に接着剤を塗布する。 （ｄ）さらに、その上に蛍光板を全面に貼り合わせる。
その際、蛍光板上部をローラー１６０６で一定圧力下で
押しながら貼り合わせる。 （ｅ）最後に基台に接着剤を塗布し、（ｄ）までに作製
されたものを基台に貼り合わせる。
るためのプロセスを示したものである。以下に、図１０
（ａ）〜（ｄ）の各工程を説明する。 （ａ）薄膜半導体プロセスによって作製されたセンサー
パネル４０７を要求されるサイズに回転式のダイヤモン
ドブレード４０８を用いてスライスする。 （ｂ）規定サイズとなったパネル１０３の引き出し電極
部にＴＡＢなどを用い電気実装部１０１・１０２を取り
付ける。 （ｃ）次にパネル表面に接着剤を塗布する。 （ｄ）さらに、その上に蛍光板を全面に貼り合わせる。
その際、蛍光板上部をローラー１６０６で一定圧力下で
押しながら貼り合わせる。 （ｅ）最後に基台に接着剤を塗布し、（ｄ）までに作製
されたものを基台に貼り合わせる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例ではセンサーと蛍光体を貼り合わせる際（図１０
（ｄ））に、蛍光体とセンサー間の接着層に直径数ミリ
以下の気泡（空気）が入り込む。
来例ではセンサーと蛍光体を貼り合わせる際（図１０
（ｄ））に、蛍光体とセンサー間の接着層に直径数ミリ
以下の気泡（空気）が入り込む。
【０００９】図１１は、接着層に気泡が混入したＸ線セ
ンサーの様子を示す概略図であり、図１１（ａ）は平面
図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は部分拡大図であ
る。図１１に示すように、従来、基板間を接着剤で接着
する場合、この接着層１５１３に気泡１７０１が生じる
場合が多くあった。
ンサーの様子を示す概略図であり、図１１（ａ）は平面
図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は部分拡大図であ
る。図１１に示すように、従来、基板間を接着剤で接着
する場合、この接着層１５１３に気泡１７０１が生じる
場合が多くあった。
【００１０】Ｘ線センサーに入射してきたＸ線は、蛍光
板内を透過し、可視光へと変換される。変換された可視
光は、直下の接着剤を透過し、センサーパネル上に形成
されたセンサー素子に入射される。しかし、気泡周辺で
は空気と接着剤との屈折率が異なるため、これらの境界
で可視光が反射され、気泡周辺のセンサー素子に入射す
る。さらに両者の透過率も異なるので気泡直下のセンサ
ー素子と接着剤直下のセンサー素子が受ける光量も異な
る。以上のことからセンサーの解像度低下を引き起こし
ていた。
板内を透過し、可視光へと変換される。変換された可視
光は、直下の接着剤を透過し、センサーパネル上に形成
されたセンサー素子に入射される。しかし、気泡周辺で
は空気と接着剤との屈折率が異なるため、これらの境界
で可視光が反射され、気泡周辺のセンサー素子に入射す
る。さらに両者の透過率も異なるので気泡直下のセンサ
ー素子と接着剤直下のセンサー素子が受ける光量も異な
る。以上のことからセンサーの解像度低下を引き起こし
ていた。
【００１１】ファクシミリ・デジタル複写機においても
透明ガラス基板貼り合わせ時に接着層中に気泡が混入す
る。これも気泡による反射光の影響から解像度の低下を
招くという問題があった。
透明ガラス基板貼り合わせ時に接着層中に気泡が混入す
る。これも気泡による反射光の影響から解像度の低下を
招くという問題があった。
【００１２】［発明の目的］本発明の目的は、基板間の
接着層に生じる気泡による悪影響を無くし、解像度の低
下を招かない等倍読み取りを行うことの可能な１次元も
しくは２次元の光センサーを提供することにある。
接着層に生じる気泡による悪影響を無くし、解像度の低
下を招かない等倍読み取りを行うことの可能な１次元も
しくは２次元の光センサーを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は、上
述した課題を解決するための手段として、センサー素子
基板上に、保護基板を有する光センサーにおいて、上記
センサー素子基板と上記保護基板の間に、分散して配置
されたスペーサーを有し、該スペーサーにより支持され
た空気層を介して、両方の上記基板の外周部を接着して
構成したことを特徴とする光センサーを提供するもので
ある。
述した課題を解決するための手段として、センサー素子
基板上に、保護基板を有する光センサーにおいて、上記
センサー素子基板と上記保護基板の間に、分散して配置
されたスペーサーを有し、該スペーサーにより支持され
た空気層を介して、両方の上記基板の外周部を接着して
構成したことを特徴とする光センサーを提供するもので
ある。
【００１４】また、上記保護基板は、該保護基板に入射
する放射線を、上記センサーの検出可能な光に変換して
出射する機能を有することを特徴とし、また、上記接着
を行なうための接着剤に、上記スペーサーが含まれてい
ることを特徴とし、また、上記スペーサーが透明で、粒
状あるいは柱状のガラス材又はプラスチック材であるこ
とを特徴とし、また、上記接着剤が、エポキシ系樹脂、
又はシリコン系樹脂からなる材料を用いることを特徴と
し、また、上記放射線を、上記センサー素子が光電変換
可能な光に変換する基板が、Ｘ線を可視光に変換する蛍
光体であることを特徴とし、また、上記保護基板は、透
明ガラス基板であることを特徴とする光センサーでもあ
る。
する放射線を、上記センサーの検出可能な光に変換して
出射する機能を有することを特徴とし、また、上記接着
を行なうための接着剤に、上記スペーサーが含まれてい
ることを特徴とし、また、上記スペーサーが透明で、粒
状あるいは柱状のガラス材又はプラスチック材であるこ
とを特徴とし、また、上記接着剤が、エポキシ系樹脂、
又はシリコン系樹脂からなる材料を用いることを特徴と
し、また、上記放射線を、上記センサー素子が光電変換
可能な光に変換する基板が、Ｘ線を可視光に変換する蛍
光体であることを特徴とし、また、上記保護基板は、透
明ガラス基板であることを特徴とする光センサーでもあ
る。
【００１５】［作用］すなわち、本発明によれば、セン
サー素子が設けられた基板上にセンサー素子の機械的衝
撃、あるいは水分や不純物の混入等を防ぐための保護基
板、あるいはセンサー素子が光電変換不能な波長を変換
可能なある特定波長域に置き換える特性をもった基板を
設けた構造において、上下基板の密着をセンサー素子外
周の接着性をもった有機物を介して行い、センサー素子
上には基板間隔を保つためスペーサーを分散させ、基本
的にはセンサー素子部の上下基板間を空気層にしたこと
により、均一な透過率および屈折率をもったエリアを提
供し、センサー素子に与える反射光の影響や受光量のム
ラを解消できる。これにより、解像度の低下をはかるこ
とができる。
サー素子が設けられた基板上にセンサー素子の機械的衝
撃、あるいは水分や不純物の混入等を防ぐための保護基
板、あるいはセンサー素子が光電変換不能な波長を変換
可能なある特定波長域に置き換える特性をもった基板を
設けた構造において、上下基板の密着をセンサー素子外
周の接着性をもった有機物を介して行い、センサー素子
上には基板間隔を保つためスペーサーを分散させ、基本
的にはセンサー素子部の上下基板間を空気層にしたこと
により、均一な透過率および屈折率をもったエリアを提
供し、センサー素子に与える反射光の影響や受光量のム
ラを解消できる。これにより、解像度の低下をはかるこ
とができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】［実施例１］図１（ａ）は、本発
明の特徴を表す光センサーの平面図である。図１（ｂ）
はセンサーのＡ−Ａ’断面図を示し、図１（ｃ）はシー
ル部の拡大図である。
明の特徴を表す光センサーの平面図である。図１（ｂ）
はセンサーのＡ−Ａ’断面図を示し、図１（ｃ）はシー
ル部の拡大図である。
【００１７】図１において、１０１は回路基板、１０２
はフレキシブル回路基板、１０３はセンサー素子が形成
されたセンサーパネル、１０４はセンサー素子、１０５
は有機物あるいは無機物からなる基板を指す。１０５の
基板はファクシミリ・デジタル複写機の場合は透明ガラ
ス基板であり、Ｘ線撮像装置では蛍光体に該当する。
はフレキシブル回路基板、１０３はセンサー素子が形成
されたセンサーパネル、１０４はセンサー素子、１０５
は有機物あるいは無機物からなる基板を指す。１０５の
基板はファクシミリ・デジタル複写機の場合は透明ガラ
ス基板であり、Ｘ線撮像装置では蛍光体に該当する。
【００１８】２０１はエポキシ系樹脂またはシリコン系
樹脂の接着性を持ったシール材である。シール部はセン
サー素子部にかからぬよう外周を覆う。２０２はスペー
サーである。
樹脂の接着性を持ったシール材である。シール部はセン
サー素子部にかからぬよう外周を覆う。２０２はスペー
サーである。
【００１９】スペーサーには、透明で粒状あるいは柱状
のガラス材やプラスチック材を用いる。スペーサーは基
板１０５とセンサー素子間に配置する。基板１０５とセ
ンサー素子部の間隔αがファクシミリ・デジタル複写機
用センサーの場合は１００ミクロン以下、Ｘ線撮像装置
では３０ミクロン以下となるよう、スペーサーの大きさ
も同等のものを使用する。またセンサー素子部のスペー
サー分布に関しては、光センサーの解像度にもよるが、
画素欠陥にならない程度で選択する。例えば１６０ミク
ロンの画素サイズを持つＸ線撮像装置の場合は１画素あ
たり１個以下が望ましい。
のガラス材やプラスチック材を用いる。スペーサーは基
板１０５とセンサー素子間に配置する。基板１０５とセ
ンサー素子部の間隔αがファクシミリ・デジタル複写機
用センサーの場合は１００ミクロン以下、Ｘ線撮像装置
では３０ミクロン以下となるよう、スペーサーの大きさ
も同等のものを使用する。またセンサー素子部のスペー
サー分布に関しては、光センサーの解像度にもよるが、
画素欠陥にならない程度で選択する。例えば１６０ミク
ロンの画素サイズを持つＸ線撮像装置の場合は１画素あ
たり１個以下が望ましい。
【００２０】図２は、図１の光センサーを作製するため
のプロセスを示したものである。以下、図２（ａ）〜
（ｆ）の各工程に沿って説明する。 （ａ）薄膜半導体プロセスによって作製されたセンサー
パネル４０７を要求されるサイズに回転式のダイヤモン
ドブレード４０８を用いてスライスする。 （ｂ）規定サイズとなったパネル１０３の引き出し電極
部にＴＡＢなどを用い電気実装部１０１・１０２を取り
付ける。 （ｃ）次にエーテル・フロン等の低融点有機溶剤にセン
サー素子上に載せる所望の大きさをもったスペーサー２
０２を加え、超音波を利用し十分にスペーサーを液中に
分散させる。この懸濁液をセンサー素子部にスプレー４
０９を用い散布する。その際センサー外周にスペーサー
が混入しないようマスクをかけて散布することが好まし
い。 （ｄ）その後は乾燥させ有機溶剤を完全に飛散させる。 （ｅ）次にセンサー素子部の外周にシール材をディスペ
ンサー４１０で塗布する。 （ｆ）さらに、その上に蛍光板を全面に貼り合わせ、一
定圧力下でプレスする。
のプロセスを示したものである。以下、図２（ａ）〜
（ｆ）の各工程に沿って説明する。 （ａ）薄膜半導体プロセスによって作製されたセンサー
パネル４０７を要求されるサイズに回転式のダイヤモン
ドブレード４０８を用いてスライスする。 （ｂ）規定サイズとなったパネル１０３の引き出し電極
部にＴＡＢなどを用い電気実装部１０１・１０２を取り
付ける。 （ｃ）次にエーテル・フロン等の低融点有機溶剤にセン
サー素子上に載せる所望の大きさをもったスペーサー２
０２を加え、超音波を利用し十分にスペーサーを液中に
分散させる。この懸濁液をセンサー素子部にスプレー４
０９を用い散布する。その際センサー外周にスペーサー
が混入しないようマスクをかけて散布することが好まし
い。 （ｄ）その後は乾燥させ有機溶剤を完全に飛散させる。 （ｅ）次にセンサー素子部の外周にシール材をディスペ
ンサー４１０で塗布する。 （ｆ）さらに、その上に蛍光板を全面に貼り合わせ、一
定圧力下でプレスする。
【００２１】以上、基板１０５とセンサー素子間をスペ
ーサーで介して空気層にすることより、均一な透過率お
よび屈折率をもったエリアを提供し、センサー素子に与
える反射光の影響や受光量のムラを解消することができ
る。これにより、従来のものに比べ解像度の低下を数パ
ーセント以下に抑えられた。
ーサーで介して空気層にすることより、均一な透過率お
よび屈折率をもったエリアを提供し、センサー素子に与
える反射光の影響や受光量のムラを解消することができ
る。これにより、従来のものに比べ解像度の低下を数パ
ーセント以下に抑えられた。
【００２２】［実施例２］図３（ａ）は、本発明の特徴
を表す光センサーの平面図である。図３（ｂ）はセンサ
ーのＡ−Ａ’断面図を示し、図３（ｃ）はシール部の拡
大図である。
を表す光センサーの平面図である。図３（ｂ）はセンサ
ーのＡ−Ａ’断面図を示し、図３（ｃ）はシール部の拡
大図である。
【００２３】図３において、１０１は回路基板、１０２
はフレキシブル回路基板、１０３はセンサー素子が形成
されたセンサーパネル、１０４はセンサー素子、１０５
は有機物あるいは無機物からなる基板を指す。１０５の
基板はファクシミリ・デジタル複写機の場合は透明ガラ
ス基板であり、Ｘ線撮像装置では蛍光体に該当する。
はフレキシブル回路基板、１０３はセンサー素子が形成
されたセンサーパネル、１０４はセンサー素子、１０５
は有機物あるいは無機物からなる基板を指す。１０５の
基板はファクシミリ・デジタル複写機の場合は透明ガラ
ス基板であり、Ｘ線撮像装置では蛍光体に該当する。
【００２４】２０１はエポキシ系樹脂またはシリコン系
樹脂の接着性を持ったシール材である。シール部はセン
サー素子部にかからぬよう外周を覆う。
樹脂の接着性を持ったシール材である。シール部はセン
サー素子部にかからぬよう外周を覆う。
【００２５】２０２、７０１はスペーサーである。スペ
ーサーには透明で粒状あるいは柱状のガラス材やプラス
チック材を用いる。スペーサーはシール材中及び基板１
０５とセンサー素子間に配置する。基板１０５とセンサ
ー素子部の間隔αがファクシミリ・デジタル複写機用セ
ンサーの場合は１００ミクロン以下、Ｘ線撮像装置では
３０ミクロン以下となるよう、スペーサーの大きさも同
等のものを使用する。
ーサーには透明で粒状あるいは柱状のガラス材やプラス
チック材を用いる。スペーサーはシール材中及び基板１
０５とセンサー素子間に配置する。基板１０５とセンサ
ー素子部の間隔αがファクシミリ・デジタル複写機用セ
ンサーの場合は１００ミクロン以下、Ｘ線撮像装置では
３０ミクロン以下となるよう、スペーサーの大きさも同
等のものを使用する。
【００２６】厳密に言うと、基板１０５とセンサー素子
部の間隔αと基板１０５とセンサーパネル基板の間隔β
はセンサー素子部の有無で異なる。その関係はセンサー
素子の厚みをγとした場合、β＝α＋γとなる。基板１
０５から入射した光がセンサー素子に均一な条件で受光
されるように、基板１０５とセンサー素子部の間隔αを
一定にする必要がある。従って、基板１０５とセンサー
素子間には大きさαのスペーサー２０２を使用し、かつ
基板１０５とセンサーパネル基板間は大きさβのスペー
サー７０１を選択する。またセンサー素子部のスペーサ
ー分布に関しては、光センサーの解像度にもよるが、画
素欠陥にならない程度で選択する。例えば１６０ミクロ
ンの画素サイズを持つＸ線撮像装置の場合は１画素あた
り１個以下が望ましい。
部の間隔αと基板１０５とセンサーパネル基板の間隔β
はセンサー素子部の有無で異なる。その関係はセンサー
素子の厚みをγとした場合、β＝α＋γとなる。基板１
０５から入射した光がセンサー素子に均一な条件で受光
されるように、基板１０５とセンサー素子部の間隔αを
一定にする必要がある。従って、基板１０５とセンサー
素子間には大きさαのスペーサー２０２を使用し、かつ
基板１０５とセンサーパネル基板間は大きさβのスペー
サー７０１を選択する。またセンサー素子部のスペーサ
ー分布に関しては、光センサーの解像度にもよるが、画
素欠陥にならない程度で選択する。例えば１６０ミクロ
ンの画素サイズを持つＸ線撮像装置の場合は１画素あた
り１個以下が望ましい。
【００２７】図４は、図３の光センサーを作製するため
のプロセスを示したものである。以下、図４（ａ）〜
（ｆ）の各工程に沿って説明する。 （ａ）薄膜半導体プロセスによって作製されたセンサー
パネル４０７を要求されるサイズに回転式のダイヤモン
ドブレード４０８を用いてスライスする。 （ｂ）規定サイズとなったパネル１０３の引き出し電極
部にＴＡＢなどを用い電気実装部１０１・１０２を取り
付ける。 （ｃ）次に、エーテル・フロン等の低融点有機溶剤にセ
ンサー素子上に載せる所望の大きさをもったスペーサー
２０２を加え、超音波を利用し十分にスペーサーを液中
に分散させる。この懸濁液をセンサー素子部にスプレー
を用い散布する。その際センサー外周にセンサー素子用
のスペーサーが混入しないようマスクをかけて散布する
ことが好ましい。 （ｄ）その後は乾燥させ有機溶剤を完全に飛散させる。 （ｅ）次に、センサー素子部の外周に、これに適した大
きさをもつスペーサー７０１をシール材に混入し、ディ
スペンサー４１０で塗布する。 （ｆ）さらに、その上に蛍光板を全面に貼り合わせ、一
定圧力下でプレスする。
のプロセスを示したものである。以下、図４（ａ）〜
（ｆ）の各工程に沿って説明する。 （ａ）薄膜半導体プロセスによって作製されたセンサー
パネル４０７を要求されるサイズに回転式のダイヤモン
ドブレード４０８を用いてスライスする。 （ｂ）規定サイズとなったパネル１０３の引き出し電極
部にＴＡＢなどを用い電気実装部１０１・１０２を取り
付ける。 （ｃ）次に、エーテル・フロン等の低融点有機溶剤にセ
ンサー素子上に載せる所望の大きさをもったスペーサー
２０２を加え、超音波を利用し十分にスペーサーを液中
に分散させる。この懸濁液をセンサー素子部にスプレー
を用い散布する。その際センサー外周にセンサー素子用
のスペーサーが混入しないようマスクをかけて散布する
ことが好ましい。 （ｄ）その後は乾燥させ有機溶剤を完全に飛散させる。 （ｅ）次に、センサー素子部の外周に、これに適した大
きさをもつスペーサー７０１をシール材に混入し、ディ
スペンサー４１０で塗布する。 （ｆ）さらに、その上に蛍光板を全面に貼り合わせ、一
定圧力下でプレスする。
【００２８】以上、接着性を持ったシール材中にスペー
サーを設けて、基板１０５とセンサー素子部の間隔、特
に、センサー素子エリアの外枠周辺のギャップ精度を向
上することにより、センサー素子に与える受光量のムラ
を、更に解消することができる。
サーを設けて、基板１０５とセンサー素子部の間隔、特
に、センサー素子エリアの外枠周辺のギャップ精度を向
上することにより、センサー素子に与える受光量のムラ
を、更に解消することができる。
【００２９】［実施例３］図５（ａ）は、本発明の特徴
を表す光センサーの平面図である。図５（ｂ）はセンサ
ーのＡ−Ａ’断面図を示し、図５（ｃ）はシール部の拡
大図である。
を表す光センサーの平面図である。図５（ｂ）はセンサ
ーのＡ−Ａ’断面図を示し、図５（ｃ）はシール部の拡
大図である。
【００３０】図５において、１０１は回路基板、１０２
はフレキシブル回路基板、１０３はセンサー素子が形成
されたセンサーパネル、１０４はセンサー素子、１０５
は有機物あるいは無機物からなる基板を指す。１０５の
基板はファクシミリ・デジタル複写機の場合は透明ガラ
ス基板であり、Ｘ線撮像装置では蛍光体に該当する。１
００１はポリイミドであり、センサー素子の機械的衝撃
あるいは水分や不純物の混入を防ぐための保護層として
の役割を持つ。
はフレキシブル回路基板、１０３はセンサー素子が形成
されたセンサーパネル、１０４はセンサー素子、１０５
は有機物あるいは無機物からなる基板を指す。１０５の
基板はファクシミリ・デジタル複写機の場合は透明ガラ
ス基板であり、Ｘ線撮像装置では蛍光体に該当する。１
００１はポリイミドであり、センサー素子の機械的衝撃
あるいは水分や不純物の混入を防ぐための保護層として
の役割を持つ。
【００３１】２０１は、エポキシ系樹脂またはシリコン
系樹脂の接着性を持ったシール材である。シール部はセ
ンサー素子部にかからぬよう外周を覆う。１００２、１
１０１はスペーサーである。
系樹脂の接着性を持ったシール材である。シール部はセ
ンサー素子部にかからぬよう外周を覆う。１００２、１
１０１はスペーサーである。
【００３２】スペーサーには、透明で粒状あるいは柱状
のガラス材を用いる。スペーサー１００２はシール材中
と基板１０５とセンサー素子間にあり、センサー素子部
のスペーサー１００２は一部ポリイミド層に取り込まれ
ている。基板１０５とセンサー素子部の間隔αがファク
シミリ・デジタル複写機用センサーの場合は１００ミク
ロン以下、Ｘ線撮像装置では３０ミクロン以下となるよ
う、スペーサーの大きさも同等のものを使用する。
のガラス材を用いる。スペーサー１００２はシール材中
と基板１０５とセンサー素子間にあり、センサー素子部
のスペーサー１００２は一部ポリイミド層に取り込まれ
ている。基板１０５とセンサー素子部の間隔αがファク
シミリ・デジタル複写機用センサーの場合は１００ミク
ロン以下、Ｘ線撮像装置では３０ミクロン以下となるよ
う、スペーサーの大きさも同等のものを使用する。
【００３３】厳密に言うと、基板１０５とセンサー素子
部の間隔αと基板１０５とセンサーパネル基板の間隔β
はセンサー素子部の有無で異なる。その関係はセンサー
素子の厚みをγとした場合、β＝α＋γとなる。基板１
０５から入射した光がセンサー素子に均一な条件で受光
されるように、基板１０５とセンサー素子部の間隔αを
一定にする必要がある。従って、基板１０５とセンサー
素子間には大きさαのスペーサー１００２を使用し、か
つ基板１０５とセンサーパネル基板間は大きさβのスペ
ーサー１１０１を選択する。またセンサー素子部のスペ
ーサー分布に関しては、光センサーの解像度にもよる
が、画素欠陥にならない程度で選択する。例えば、１６
０ミクロンの画素サイズを持つＸ線撮像装置の場合は１
画素あたり１個以下が望ましい。
部の間隔αと基板１０５とセンサーパネル基板の間隔β
はセンサー素子部の有無で異なる。その関係はセンサー
素子の厚みをγとした場合、β＝α＋γとなる。基板１
０５から入射した光がセンサー素子に均一な条件で受光
されるように、基板１０５とセンサー素子部の間隔αを
一定にする必要がある。従って、基板１０５とセンサー
素子間には大きさαのスペーサー１００２を使用し、か
つ基板１０５とセンサーパネル基板間は大きさβのスペ
ーサー１１０１を選択する。またセンサー素子部のスペ
ーサー分布に関しては、光センサーの解像度にもよる
が、画素欠陥にならない程度で選択する。例えば、１６
０ミクロンの画素サイズを持つＸ線撮像装置の場合は１
画素あたり１個以下が望ましい。
【００３４】図６は、図５の光センサーを作製するため
のプロセスを示したものである。以下、図６（ａ）〜
（ｅ）の各工程に沿って説明する。 （ａ）まず、ポリイミド液１００１にセンサー素子上に
載せる所望の大きさのスペーサー１００２を混入する。
これを薄膜半導体プロセスによって作製されたセンサー
パネル上にスピンナー１２０６によって所望の膜厚で塗
布し、１５０〜２５０℃でキュアし硬化させる。さらに
電極引き出し部をエッチングにて除去する。 （ｂ）次に、要求されるサイズに回転式のダイヤモンド
ブレード４０８を用いてスライスする。 （ｃ）規定サイズとなったパネル１０３の引き出し電極
部にＴＡＢなどを用い電気実装部１０１・１０２を取り
付ける。 （ｄ）次に、センサー素子部の外周にこれに適した大き
さをもつスペーサー１１０１をシール材に混入し、ディ
スペンサー４１０で塗布する。 （ｅ）さらに、その上に蛍光板を全面に貼り合わせ、一
定圧力下でプレスする。
のプロセスを示したものである。以下、図６（ａ）〜
（ｅ）の各工程に沿って説明する。 （ａ）まず、ポリイミド液１００１にセンサー素子上に
載せる所望の大きさのスペーサー１００２を混入する。
これを薄膜半導体プロセスによって作製されたセンサー
パネル上にスピンナー１２０６によって所望の膜厚で塗
布し、１５０〜２５０℃でキュアし硬化させる。さらに
電極引き出し部をエッチングにて除去する。 （ｂ）次に、要求されるサイズに回転式のダイヤモンド
ブレード４０８を用いてスライスする。 （ｃ）規定サイズとなったパネル１０３の引き出し電極
部にＴＡＢなどを用い電気実装部１０１・１０２を取り
付ける。 （ｄ）次に、センサー素子部の外周にこれに適した大き
さをもつスペーサー１１０１をシール材に混入し、ディ
スペンサー４１０で塗布する。 （ｅ）さらに、その上に蛍光板を全面に貼り合わせ、一
定圧力下でプレスする。
【００３５】以上、保護層の役割を果たすポリイミド層
にスペーサーの一部を取り込み、スペーサーを固着させ
ることにより、環境試験等の信頼性の観点から基板１０
５とセンサー素子間隔の安定性をはかることができる。
にスペーサーの一部を取り込み、スペーサーを固着させ
ることにより、環境試験等の信頼性の観点から基板１０
５とセンサー素子間隔の安定性をはかることができる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
センサー素子の機械的衝撃あるいは水分や不純物の混入
等を防ぐための保護基板あるいはセンサー素子が光電変
換不能な波長を変換可能なある特定波長域に置き換える
特性をもった基板とセンサー素子間を、スペーサーで介
して空気層にすることより、均一な透過率および屈折率
をもったエリアを提供し、センサー素子に与える反射光
の影響や受光量のムラを解消できる。これにより、解像
度の低下をはかることができる。
センサー素子の機械的衝撃あるいは水分や不純物の混入
等を防ぐための保護基板あるいはセンサー素子が光電変
換不能な波長を変換可能なある特定波長域に置き換える
特性をもった基板とセンサー素子間を、スペーサーで介
して空気層にすることより、均一な透過率および屈折率
をもったエリアを提供し、センサー素子に与える反射光
の影響や受光量のムラを解消できる。これにより、解像
度の低下をはかることができる。
【００３７】また、接着性を持ったシール材中にスペー
サーを設けて、基板とセンサー素子部の間隔、特に、セ
ンサー素子エリアの外枠周辺のギャップ精度を向上する
ことにより、センサー素子に与える受光量のムラを、更
に解消することができる。
サーを設けて、基板とセンサー素子部の間隔、特に、セ
ンサー素子エリアの外枠周辺のギャップ精度を向上する
ことにより、センサー素子に与える受光量のムラを、更
に解消することができる。
【００３８】また、保護層の役割を果たすポリイミド層
にスペーサーの一部を取り込み、スペーサーを固着させ
ることにより、環境試験等の信頼性の観点から基板とセ
ンサー素子間隔の安定性をはかることができる。
にスペーサーの一部を取り込み、スペーサーを固着させ
ることにより、環境試験等の信頼性の観点から基板とセ
ンサー素子間隔の安定性をはかることができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係わる光センサーの平
面図（ａ）、Ａ−Ａ’断面図（ｂ）、シール部の拡大図
（ｃ）である。
面図（ａ）、Ａ−Ａ’断面図（ｂ）、シール部の拡大図
（ｃ）である。
【図２】本発明の第１の実施例に係わる光センサーの作
製プロセス図である。
製プロセス図である。
【図３】本発明の第２の実施例に係わる光センサーの平
面図（ａ）、Ａ−Ａ’断面図（ｂ）、シール部の拡大図
（ｃ）である。
面図（ａ）、Ａ−Ａ’断面図（ｂ）、シール部の拡大図
（ｃ）である。
【図４】本発明の第２の実施例に係わる光センサーの作
製プロセス図である。
製プロセス図である。
【図５】本発明の第３の実施例に係わる光センサーの平
面図（ａ）、Ａ−Ａ’断面図（ｂ）、シール部の拡大図
（ｃ）である。
面図（ａ）、Ａ−Ａ’断面図（ｂ）、シール部の拡大図
（ｃ）である。
【図６】本発明の第３の実施例に係わる光センサーの作
製プロセス図である。
製プロセス図である。
【図７】従来の２次元光センサーの平面図及びＡ−Ａ’
断面図である。
断面図である。
【図８】従来のＸ線撮像装置のシステム図である。
【図９】図８中のカセット内の概略断面図である。
【図１０】図９中のＸ線センサーの作製プロセス図であ
る。
る。
【図１１】接着層に気泡が混入したＸ線センサーの平面
概略図（ａ）、Ａ−Ａ’断面図（ｂ）、拡大図（ｃ）で
ある。
概略図（ａ）、Ａ−Ａ’断面図（ｂ）、拡大図（ｃ）で
ある。
１０１ 回路基板 １０２ フレキシブル回路基板 １０３ センサー素子が形成されたセンサーパネル １０４ センサー素子 １０５ 有機物あるいは無機物からなる基板（保護基
板） ２０１ 接着性をもつシール材 ２０２ 基板１０５とセンサー素子間のスペーサー ４０７ スライス前のセンサーパネル ４０８ ダイヤモンドブレード ４０９ スプレー ４１０ ディスペンサー ４１１ プレス板 ７０１ 基板１０５とセンサーパネル基板間のスペー
サー １００１ ポリイミド １００２ 基板１０５とセンサー素子間のスペーサー １１０１ 基板１０５とセンサーパネル基板間のスペ
ーサー １２０６ スピンナー １３０６ センサーパネルと基板１０５間の接着剤 １４０１ Ｘ線源 １４０２ 被写体 １４０３ カセット １４０４ Ｘ線源から照射されたＸ線 １４０５ 被写体を透過したＸ線 １５０２ 蓋 １５０３ Ｘ線センサー部 １５１１ センサーパネルを固定する基台 １５１２ センサーパネルと基台を貼る接着剤 １５１３ センサーパネルと蛍光板を貼る接着剤 １５１４ 蛍光板 １６０６ ローラー １７０１ 気泡 １７０２ 気泡を通過する可視光 １７０３ 気泡境界で反射する可視光 １７０４ 接着層を通過する可視光 １２０７ ポリイミド供給ノズル
板） ２０１ 接着性をもつシール材 ２０２ 基板１０５とセンサー素子間のスペーサー ４０７ スライス前のセンサーパネル ４０８ ダイヤモンドブレード ４０９ スプレー ４１０ ディスペンサー ４１１ プレス板 ７０１ 基板１０５とセンサーパネル基板間のスペー
サー １００１ ポリイミド １００２ 基板１０５とセンサー素子間のスペーサー １１０１ 基板１０５とセンサーパネル基板間のスペ
ーサー １２０６ スピンナー １３０６ センサーパネルと基板１０５間の接着剤 １４０１ Ｘ線源 １４０２ 被写体 １４０３ カセット １４０４ Ｘ線源から照射されたＸ線 １４０５ 被写体を透過したＸ線 １５０２ 蓋 １５０３ Ｘ線センサー部 １５１１ センサーパネルを固定する基台 １５１２ センサーパネルと基台を貼る接着剤 １５１３ センサーパネルと蛍光板を貼る接着剤 １５１４ 蛍光板 １６０６ ローラー １７０１ 気泡 １７０２ 気泡を通過する可視光 １７０３ 気泡境界で反射する可視光 １７０４ 接着層を通過する可視光 １２０７ ポリイミド供給ノズル
Claims (9)
- 【請求項１】 センサー素子基板上に、保護基板を有す
る光センサーにおいて、 上記センサー素子基板と上記保護基板の間に、分散して
配置されたスペーサーを有し、該スペーサーにより支持
された空気層を介して、両方の上記基板の外周部を接着
して構成したことを特徴とする光センサー。 - 【請求項２】 上記保護基板は、該保護基板に入射する
放射線を、上記センサーの検出可能な光に変換して出射
する機能を有することを特徴とする請求項１記載の光セ
ンサー。 - 【請求項３】 上記接着を行なうための接着剤に、上記
スペーサーが含まれていることを特徴とする請求項１記
載の光センサー。 - 【請求項４】 上記スペーサーが透明で、粒状あるいは
柱状のガラス材又はプラスチック材であることを特徴と
する請求項１記載の光センサー。 - 【請求項５】 上記接着剤が、エポキシ系樹脂、又はシ
リコン系樹脂からなる材料を用いることを特徴とする請
求項１記載の光センサー。 - 【請求項６】 上記放射線を、上記センサー素子が光電
変換可能な光に変換する基板が、Ｘ線を可視光に変換す
る蛍光体であることを特徴とする請求項２記載の光セン
サー。 - 【請求項７】 上記保護基板は、透明ガラス基板である
ことを特徴とする請求項１記載の光センサー。 - 【請求項８】 上記外周部を接着するシール材に、上記
スペーサーが含まれていることを特徴とする請求項１記
載の光センサー。 - 【請求項９】 上記スペーサーを固定する層を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の光センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9353487A JPH11186532A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 光センサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9353487A JPH11186532A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 光センサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186532A true JPH11186532A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18431179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9353487A Pending JPH11186532A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 光センサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186532A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257334A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2007205766A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 放射線線量計 |
| WO2007105288A1 (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Hitachi Metals, Ltd. | 放射線検出装置とその製造方法 |
| JP2010043887A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線検出パネルの製造方法、放射線画像検出器の製造方法、放射線検出パネル、および放射線画像検出器 |
| WO2010140410A1 (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-09 | コニカミノルタエムジー株式会社 | シンチレータパネルの製造方法及びシンチレータパネル並びに放射線画像検出器 |
| JP2011058831A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | 放射線検出器及びその製造方法 |
| CN102810546A (zh) * | 2011-05-30 | 2012-12-05 | 索尼公司 | 放射线图像拾取装置和包括它的放射线图像拾取显示系统 |
| JP2012237596A (ja) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Yasu Medical Imaging Technology Co Ltd | 放射線イメージセンサ及び光電変換素子アレイユニット |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP9353487A patent/JPH11186532A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2001257334A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
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| JP5561277B2 (ja) * | 2009-06-02 | 2014-07-30 | コニカミノルタ株式会社 | シンチレータパネルの製造方法及びシンチレータパネル並びに放射線画像検出器 |
| US8803098B2 (en) | 2009-06-02 | 2014-08-12 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Method of manufacturing scintillator panel, scintillator panel, and radiation image detector |
| JP2011058831A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | 放射線検出器及びその製造方法 |
| JP2012237596A (ja) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Yasu Medical Imaging Technology Co Ltd | 放射線イメージセンサ及び光電変換素子アレイユニット |
| CN102810546A (zh) * | 2011-05-30 | 2012-12-05 | 索尼公司 | 放射线图像拾取装置和包括它的放射线图像拾取显示系统 |
| US20120305777A1 (en) * | 2011-05-30 | 2012-12-06 | Sony Corporation | Radiation image pickup device and radiation image pickup display system including the same |
| JP2012247327A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Sony Corp | 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム |
| CN102810546B (zh) * | 2011-05-30 | 2017-03-01 | 索尼半导体解决方案公司 | 放射线图像拾取装置和包括它的放射线图像拾取显示系统 |
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