JP2011058831A - 放射線検出器及びその製造方法 - Google Patents

放射線検出器及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011058831A
JP2011058831A JP2009205887A JP2009205887A JP2011058831A JP 2011058831 A JP2011058831 A JP 2011058831A JP 2009205887 A JP2009205887 A JP 2009205887A JP 2009205887 A JP2009205887 A JP 2009205887A JP 2011058831 A JP2011058831 A JP 2011058831A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
moisture
layer
substrate
adhesive
adhesive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009205887A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5650898B2 (ja
JP2011058831A5 (ja
Inventor
Katsuhisa Honma
克久 本間
Yuichi Shinba
勇一 榛葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electron Tubes and Devices Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Electron Tubes and Devices Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2009205887A priority Critical patent/JP5650898B2/ja
Publication of JP2011058831A publication Critical patent/JP2011058831A/ja
Publication of JP2011058831A5 publication Critical patent/JP2011058831A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5650898B2 publication Critical patent/JP5650898B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

【課題】導電性防湿層を基板と接着層を介して接着させた構造の特徴である優秀な防湿性能を確保しつつ、導電性防湿層と基板との接着部分で、基板のリード配線と導電性防湿層との電気的短絡や極端な近接による浮遊容量の増大を抑える。
【解決手段】蛍光を電気信号に変換する光電変換素子21を有する基板12と、光電変換素子21上に形成され、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層13と、シンチレータ層13を覆うように形成される導電性の防湿層15と、防湿層15と基板12とを接着する接着層16を備え、接着層16に、無機材質又は樹脂材質からなるスペーサと、無機材質からなるフィラーとの少なくとも1つを含める。
【選択図】図2

Description

本発明は、放射線を検出する放射線検出器及びその製造方法に関する。
新世代のX線診断用検出器として、アクティブマトリクスを用いた平面形のX線検出器が開発されている。このX線検出器に照射されたX線を検出することにより、X線撮影像、あるいはリアルタイムのX線画像がデジタル信号として出力される。このX線検出器では、X線をシンチレータ層により可視光すなわち蛍光に変換させ、この蛍光をアモルファスシリコン(a−Si)フォトダイオード、あるいはCCD(Charge Coupled Device)などの光電変換素子で信号電荷に変換することで画像を取得している。
シンチレータ層の材料としては、一般的にヨウ化セシウム(CsI):ナトリウム(Na)、ヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)、ヨウ化ナトリウム(NaI)、あるいは酸硫化ガドリニウム(Gd22S)など、種々のものがあり、用途や必要な特性によって使い分けられる。
シンチレータ層は、ダイシングなどにより溝を形成したり、柱状構造が形成されるように蒸着法で堆積したりすることで、解像度特性を向上させることができる。
シンチレータ層の上部には、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善する目的で反射膜が形成される場合がある。反射膜は、シンチレータ層で発光した蛍光のうち光電変換素子側に対して反対側に向かう蛍光を反射膜で反射させて、光電変換素子側に到達する蛍光を増大させるものである。
反射膜を形成する例としては、銀合金やアルミニウムなど蛍光反射率の高い金属層をシンチレータ層上に成膜する方法や、TiO2などの光散乱性物質とバインダ樹脂とから成る光散乱反射性の反射膜を塗布形成する方法などが知られている。また、シンチレータ膜上に形成するのではなく、アルミなどの金属表面を持つ反射板をシンチレータ層に密着させて蛍光を反射させる方式も実用化されている。
また、シンチレータ層や反射層(或いは反射板など)を外部雰囲気から保護して湿度などによる特性の劣化を抑える為の防湿構造は、検出器を実用的な製品とする上で重要な構成要素となる。特に湿度に対して劣化の大きい材料であるCsI:Tl膜やCsI:Na膜をシンチレータ層とする場合には高い防湿性能が要求される。
従来の防湿構造としては、AL箔等のハット状の防湿層を周辺部で基板と接着封止して防湿性能を保つ構造(例えば、特許文献1参照)がある。
このALハット状の防湿層をその鍔部で基板と接着シールした構造は、ポリパラキシリレンなど有機膜の防湿層を用いた場合と比較して防湿性能では明らかに優れている。また導電性の材料でアレイ基板の大部分を覆うことにより、シールド効果によりノイズ特性の低減効果も得られる。
特開2009−128023号公報
しかしながら、この構造の放射線検出器には以下のような課題がある。
1つ目の課題として、ALなどの導電性を有するハット状防湿層を、その鍔部で基板と接着する場合に、基板の接着部に存在するリード配線と電気的に接触する可能性がある。一般的に、アレイ基板には、リード配線上に無機材又は有機樹脂の保護膜を形成しているが、実製品上ではリード配線の段差被覆の不完全性や工程上での異物など欠陥によって保護膜が不完全となり、リード配線が露出する可能性が存在する。例えば、アレイ基板の配線段差部で保護膜被覆が薄くなった場所に接着層の極端に薄い部分が重なるとALハットとリード配線との短絡を生じ易く、デバイス特性に重大な支障をきたす可能性がある。リード配線が信号ラインであればノイズ特性の悪化を招き、フォトダイオードのバイアスラインとか制御ラインの場合はデバイス動作ができなくなり致命的となる。
2つ目の課題として、ALハットなど導電性の防湿層の鍔部とリード配線とが短絡までしなくても、その間隔が近いとリード配線と防湿層との間の浮遊容量を増大し、ノイズ特性に悪影響を与えてしまう。またリード配線毎に防湿層と間隔が大きく異なると、リード配線毎の浮遊容量のバラつきが増大し、ノイズ制御が困難になってしまう。
これらの課題は、ALハットなど導電性の防湿層の鍔部と基板との密着性を高める条件を適用すればするほど生じ易くなる。即ち、接着条件としては、接着時の加圧力を大きくまた接着面の面積を広く取る程、密着性の点では望ましいが、これらの条件は先に述べたALなど導電性の防湿層と基板のリード配線との短絡や浮遊容量の増大に繋がり易い。
また、導電性の防湿層が外力などで振動した場合に、基板の各配線との間の浮遊容量の変動を生じ、マイクロフォニックと呼ばれる暗画像信号の揺らぎを生じ、即ち放射線画像の揺らぎに繋がってしまう。
従って、本発明はこのような従来の課題に鑑みなされたもので、ハット状で導電性の防湿層を基板と接着層を介して接着させた構造の特徴である優秀な防湿性能を確保しつつ、防湿層と基板との接着部分で、基板のリード配線と防湿層との電気的短絡や極端な近接による浮遊容量の増大を抑えることができる放射線検出器及びその製造方法を提供することを目的とする。
上述の目的を達成するため、本発明の放射線検出器は、蛍光を電気信号に変換する光電変換素子を有する基板と、前記光電変換素子上に形成され、放射線を前記蛍光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を覆うように形成される導電性の防湿層と、前記防湿層と前記基板とを接着する接着層を備える放射線検出器において、前記接着層は、無機又は樹脂の材質からなり前記防湿層と前記基板との間隔を規定するスペーサと、無機材質からなり透湿性を抑制するフィラーとの少なくとも1つを含むことを特徴とする。
また、本発明の放射線検出器の製造方法は、基板上に、蛍光を電気信号に変換する光電変換素子を形成する第1の工程と、前記光電変換部素子上に、放射線を前記蛍光に変換するシンチレータ層を配置する第2の工程と、前記シンチレータ層を覆うように導電性の防湿層を形成し、前記防湿層と前記基板とを接着層で封止して、前記シンチレータ層を外部の湿気から保護する第3の工程と、を備える放射線検出器の製造方法において、前記第3の工程は、紫外線硬化型の接着剤を前記防湿層又は前記基板の接着部に塗布し、前記防湿層と前記基板とを減圧状態下で密着させた後、更に紫外線照射して前記接着剤をUV硬化させることを特徴とする。
更に、本発明の放射線検出器の製造方法は、基板上に、蛍光を電気信号に変換する光電変換素子を形成する第1の工程と、前記光電変換部素子上に、放射線を前記蛍光に変換するシンチレータ層を配置する第2の工程と、前記シンチレータ層を覆うように導電性の防湿層を形成し、前記防湿層と前記基板とを接着層で封止して、前記シンチレータ層を外部の湿気から保護する第3の工程と、を備える放射線検出器の製造方法において、前記第3の工程は、熱硬化型の接着剤を前記防湿層又は前記基板の接着部に塗布し、前記防湿層と前記基板とを減圧状態下で密着させた状態で前記接着剤を加熱硬化させることを特徴とする。
本発明によれば、ハット状で導電性の防湿層を基板と接着層を介して接着させた構造の特徴である優秀な防湿性能を確保しつつ、防湿層と基板との接着部分で、基板のリード配線と防湿層との電気的短絡や極端な近接による浮遊容量の増大を抑えることができる。浮遊容量の増大を抑えることにより、X線画像のノイズ特性を改善することが可能となる。
本発明の一実施の形態を示す放射線検出器の斜視図。 同放射線検出器の断面図。 同放射線検出器の防湿層であるALハットの模式図であり、(a)は平面図、(b)は側面図。 実施例2において、円柱状スペーサの含有率と短絡率との関係を示すグラフ。 実施例3において、球状スペーサの含有率と短絡率との関係を示すグラフ。 実施例4において、スペーサを添加していない接着剤を用いた場合のアレイ基板とALハット防湿層を接着した接着部断面のSEM写真。 実施例4において、スペーサを添加した接着剤を用いた場合のアレイ基板とALハット防湿層を接着した接着部断面のSEM写真。 実施例5において、解像度維持率を算出するための説明図。 実施例5において、フィラー材質と防湿特性との関係を示すグラフ。 実施例6において、フィラー材の体積充填率を変えた場合の60℃−90%RHの透湿係数との関係を示すグラフ。 実施例7において、接着層部の浮遊容量とノイズ特性の関係を示す図。 実施例7において、接着層部の浮遊容量とノイズ特性の関係を示す図。 防湿層と基板とを接着剤により貼り合せるための減圧貼り合わせ装置の一例を示す模式図。 実施例8において、接着剤の種類と防湿性能の関係を示す棒グラフ。
以下、本発明の一実施の形態に係る放射線検出器について、図面を参照して説明する。
(放射線検出器の全体構造)
図1は本実施の形態に係る放射線検出器の斜視図、図2はその放射線検出器の断面図を示すものである。
放射線検出器11は、放射線像であるX線像を検出するX線平面センサであり、例えば、一般医療用途などに用いられている。
この放射線検出器11は、図1及び図2に示すように、蛍光を電気信号に変換する光電変換基板としてのアレイ基板12、このアレイ基板12の一主面である表面上に設けられ入射するX線を蛍光に変換するX線変換部であるシンチレータ層13、このシンチレータ層13上に設けられシンチレータ層13からの蛍光をアレイ基板12側へ反射させる反射膜14、シンチレータ層13および反射膜14上に設けられ外気や湿度から保護する防湿層15、防湿層15とアレイ基板12とを接着する接着層16を備えている。
(アレイ基板12)
アレイ基板12は、シンチレータ層13によりX線から可視光に変換された蛍光を電気信号に変換するもので、ガラス基板10、このガラス基板10上にマトリクス状に形成された画素17、行方向に沿って配設された複数の制御線(又はゲートライン)18、列方向に沿って配設された複数の信号線(又はシグナルライン)19、各制御線18が電気的に接続された図示しない制御回路と、各信号線19が電気的に接続された図示しない増幅/変換部を備えている。
また、各画素17内には、それぞれ光電変換素子としてのフォトダイオード21が配設されている。これらフォトダイオード21はシンチレータ層13の下部に配設されている。
更に、各画素17は、フォトダイオード21に電気的に接続されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタ(TFT)22、フォトダイオード21にて変換した信号電荷を蓄積する電荷蓄積部としての図示しない蓄積キャパシタを具備している。但し、蓄積キャパシタは、フォトダイオード21の容量が兼ねる場合もあり、必ずしも必要ではない。
各薄膜トランジスタ22は、フォトダイオード21への蛍光の入射にて発生した電荷を蓄積および放出させるスイッチング機能を担う。薄膜トランジスタ22は、非晶質半導体としてのアモルファスシリコン(a−Si)、あるいは多結晶半導体であるポリシリコン(P−Si)などの半導体材料にて少なくとも一部が構成されている。
また、薄膜トランジスタ22は、図2に示すように、ゲート電極23、ソース電極24およびドレイン電極25のそれぞれを有している。このドレイン電極25は、光電変換素子(フォトダイオード)21および蓄積キャパシタに電気的に接続されている。
蓄積キャパシタは、矩形平板状に形成され、各フォトダイオード21の下部に対向して設けられている。
図1に示す制御線18は、各画素20間に行方向に沿って配設され、図2に示すように、同じ行の各画素の薄膜トランジスタ22のゲート電極23に電気的に接続されている。
図1に示す信号線(シグナルライン)19は、各画素20間に列方向に沿って配設され、図2に示すように、同じ列の各画素の薄膜トランジスタ22のソース電極24に電気的に接続されている。
制御回路は、各薄膜トランジスタ22の動作状態、即ちオンおよびオフを制御するもので、ガラス基板10の表面における行方向に沿った側縁に実装されている。
増幅/変換部は、例えば各信号線19に対応してそれぞれ配設された複数の電荷増幅器、これら電荷増幅器が電気的に接続された並列/直列変換器、この並列/直列変換器が電気的に接続されたアナログ−デジタル変換器を有している。
アレイ基板12の最上部には、光電変換素子(フォトダイオード)21及び薄膜トランジスタ22等を保護するため、図2に示すように、保護膜26が形成される。この保護膜26は、一般に無機膜と有機膜から形成される。
(シンチレータ層13)
シンチレータ層13は、入射するX線を可視光すなわち蛍光に変換するもので、例えばヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)、あるいはヨウ化ナトリウム(NaI):タリウム(Tl)等により真空蒸着法で柱状構造に形成したもの、あるいは酸硫化ガドリニウム(Gd22S)蛍光体粒子をバインダ材と混合し、アレイ基板12上に塗布して焼成および硬化し、ダイサによりダイシングするなどで溝部を形成して四角状に形成したものなどがある。
これら柱間には、大気、あるいは酸化防止用の窒素(N2)などの不活性ガスを封入し、あるいは真空状態とすることも可能である。
例えば、シンチレータ層13にCsI:Tlの蒸着膜を用い、膜厚は約600μm、CsI:Tlの柱状構造結晶の柱(ピラー)の太さが最表面で8〜12μm程度のものを用いることができる。
(反射層14)
シンチレータ層13上に形成される反射層14は、フォトダイオードと反対側に発せられた蛍光を反射して、フォトダイオードに到達する蛍光光量を増大させるものである。
反射層14としては、銀合金やアルミニウムなど蛍光反射率の高い金属をシンチレータ層13上に成膜したもの、アルミなどの金属表面を持つ反射板をシンチレータ層13に密着させたもの、TiOなどの光散乱性物質とバインダ樹脂とから成る拡散反射性の反射層を塗布形成したものなどがある。
反射層14は、放射線検出器11に求められる解像度、輝度などの特性により、必ずしも必要ではない。
(防湿層15)
防湿層15は、シンチレータ層13や反射層14を外部雰囲気から保護して、湿度などによる特性劣化を抑えるためのものである。
防湿層15は、厚み0.1mmtのAL合金箔(A1N30−O材)を、周辺部に5mm幅の鍔部33を持つ構造にプレス成型してハット状に形成される(図3(a)、(b)参照)。
(接着層16)
接着層16は、添加剤を含有した接着剤を鍔部33に塗布することによって形成される。接着剤としては後述するように、エポキシ系でカチオン重合型の紫外線(UV)硬化接着剤を用いることが好ましい。
また、添加剤として、接着層の厚みを一定に保つためのスペーサ、及び接着層の透湿を抑制するための無機材質のフィラーが添加される。以下、それぞれについて詳しく説明する。
(スペーサ)
スペーサの材質としては、後述する実施例1の結果からも明らかなように、円柱状のSiO、球形状のSiO、球形状の樹脂等が好ましい。
スペーサ形状としては円柱状と球形状のものがあるが、円柱状のものは円柱の直径のバラつきが球形状スペーサの直径のバラつきに比べて小さい。これは、SiOやガラス成分のファイバーを分割して作成する製法上の要因により、比較的製造コストが安価でかつ直径の安定したものが得られるためである。また、円柱の長さを円柱の直径に対して十分長く設定することで、円柱の直径によって決まる接着層16の厚みが安定し易くなる。即ち、ロッドの長さ方向が接着層16の厚み方向に配向される可能性は確率的に極小さく、接着時の上下被着材の適当な加圧により、円柱の長さ方向は接着層の面方向(厚みと垂直な方向)に配向するためである。これらの理由により、円柱状のスペーサを用いた場合には接着層16の厚み制御性に対して有利である。この結果、導電性の防湿層15とアレイ基板12の配線との間に生じる浮遊容量が配線毎にばらつく現象を抑えられ、信号ライン間や制御ライン間の電気特性のバラつきによる暗画像バラつきが低減し、ひいてはX線画像特性のバラつきを最小限に抑えることができる。
スペーサとして円柱状のものは先に述べた様なメリットを有するが、一方で長さ方向が径に対して十分長いという円柱形状の特徴により、円柱同士が重なり合った状態で接着される可能性がある。この場合には、スペーサの重なった部分で厚みが大きくなるため、その領域の配線部分の浮遊容量が他の部分と異なりX線画像バラつき(暗画像バラつき)に繋がる。また、接着時の加圧によってこの円柱の重なり部分で局部的なストレスが大きくなり、アレイ基板の保護膜の破壊に繋がる可能性もある。更に円柱の重なり部及びその周辺部で特異的に密着力不良部が形成される可能性も生じる。
これに対して、球形状のスペーサを用いた場合には、スペーサ原料の球系の直径自体は製法上でバラつきが大きくなるが、円柱状スペーサで生じ易い重なりや突き刺さり等の前述の不具合は形状的に殆ど発生しない。
(スペーサ間の平均間隔とスペーサの直径との関係)
円柱状スペーサの含有率に関して、スペーサの平均的な間隔とスペーサの直径との関係で評価する。接着貼り合せ条件(加圧力など)により多少異なるが、後述する実施例2(図4)の結果からも明らかなように、スペーサの平均的な間隔がスペーサの直径に対して概ね20倍以内であれば金属等の導電性防湿層と基板との接触リスクを避けられ得る。
更に、接着層16内のスペーサ間の平均的な間隔が、導電性防湿層15とアレイ基板12とを接着する部分のアレイ基板12のリード配線間隔に対して概ね同等レベル以内であれば、先に述べた配線間の浮遊容量バラつきを抑える効果も顕著となる。
球形状スペーサの含有率に関しても、スペーサの平均的な間隔とスペーサの直径との関係で評価すると、接着貼り合せ条件(加圧力など)により多少異なるが、後述する実施例3(図5)の結果からも明らかなように、スペーサの平均的な間隔がスペーサの直径に対して概ね20倍以内であれば金属等の導電性防湿層と基板との接触リスクを避けられ得る。
更に、接着層内のスペーサ間の平均的な間隔が、導電性防湿層15とアレイ基板12とを接着する部分のアレイ基板12の配線間隔に対して概ね同等レベル以内であれば、先に述べた配線間の浮遊容量バラつきを抑える効果も顕著となる。
(樹脂スペーサ)
スペーサは接着層の厚みを一定以上に確保して均一化する役割を担うが、添加率が高過ぎると、スペーサ同士の重なりや分散性の不均一が生じ易くなる。この場合には、重なり部分やスペーサの粗密により、浮遊容量のバラつきや局所的な基板へのダメージなどの不具合に繋がる。特に、スペーサの材質がAlやSiOなどの無機材質の場合、基板保護膜の破壊や基板の配線へのダメージなど信頼性上の問題を招く。
一方、樹脂スペーサの場合には、重なりが生じても基板への局所的な加圧は樹脂の弾性によって緩和され、基板保護膜の破壊や基板配線へのダメージなど生じ難い。しかし、樹脂スペーサの場合には無機質のスペーサに比較して透湿性は大きく、接着層全体としての透湿性能を確保する観点から添加率を抑えるのが望ましい。
以上のようにスペーサの材質としては無機質の場合も樹脂の場合も添加率が高過ぎると副作用が生じる。これらの影響も考慮して、総合的に信頼性の高い接着層を確保するために、スペーサの体積充填率としては10vol%程度以下に抑えるのが好ましい。
(接着層16の断面形状)
後述する実施例4の結果からも明らかなように、スペーサ添加の無いものでは、接着条件によっては、例えば図6に示すように接着層16が1μm以下となり極端に薄くなっている箇所が散見される。
このような箇所でアレイ基板12のリード配線の被覆が不十分な箇所があったり、局部的なストレスが加わったりした場合に、AL等の導電性ハットとの電気的短絡を生じ易くなり、デバイス特性に重大な支障をきたす可能性がある。リード配線が信号ラインであればノイズ特性の悪化を招き、フォトダイオードのバイアスラインとか制御ラインの場合はデバイス動作ができなくなり致命的となる。
短絡を生じない場合にでも、類似の接着条件(接着剤の塗布量、接着時の加圧力、UV硬化条件など)で作成した場合の接着層16の厚さは、スペーサが添加されていない場合には全体に薄めになってしまう。
ここで、スペーサ無しで接着層16の厚さを厚くする方向に条件を設定するには接着時の加圧力を緩めたり、接着剤の粘度(接着硬化させる前の硬さ)を高くしたりする必要があるが、これらはいずれも接着層16とALハットなどの導電性防湿層15及びアレイ基板12側との接着力低下を招くことになる。即ち、接着シール部の信頼性確保に対して望ましくない。
一方、適切な材質形状で適量のスペーサを添加した接着層16の場合は、図7に示すようにほぼ均一な厚さの接着層が形成されている。
(フィラーの材質と防湿特性との関係)
後述する実施例5の図9の結果からも明らかなように、フィラーとして樹脂材質を用いたものでは接着層16の厚み増大に伴い解像度劣化が顕著に生じる。これに対して、SiOなどの無機材質を添加したものは、実用上の接着層16厚でほとんど解像度の劣化が生じず、高温高湿試験の信頼性も高い。このため、フィラーとしては、SiOやAl、或いはタルク(珪酸塩化合物)などの無機材質で、数μmから数十μmサイズのものを添加することが好ましい。
(フィラーの体積充填率)
後述する実施例6の図10の結果からも明らかなように、フィラーの体積充填率が30%程度以上になると透湿係数の改善が顕著になる。また、製造上の観点から70%程度以下が好ましい。フィラー材質に関しては、他の一般的な酸化物や窒化物などのセラミック材料系、メタル系などが、実質的に水分を透過しないので同様な効果が得られると考えられる。
また、フィラーの粒径に関しては、実施例6の試験に用いたものより粒径分布が小さいものであれば、接着層16とした場合の分散性が改善し、接着層16を透過する水分の実効パスを長くして、接着層16としての透湿係数をより抑える方向に改善すると考えられる。
(膜部の実効誘電率と接着層16の実効誘電率の関係)
放射線検出器の検出能力を示すDQE(=SNR(out)/SNR(in))は、シンチレータ膜のDQEと光電変換素子を形成する基板(フォトダイオードとTFTと配線など)のDQEと、アンプ以降の信号回路のDQEの積になる。
ここで、防湿構造がDQEに与える影響として信号線19もしくは制御線18に誘導されるノイズ特性を考える必要がある。誘導ノイズの大きさは、信号線19や制御線18と導電性防湿層15との間の浮遊容量に依存して増大すると考えられ、従って、この浮遊容量は小さいほど望ましい。
1本の信号線19又は制御線18を考えると、導電性防湿層15とこの信号線19又は制御線18との間の浮遊容量(Ctotal)は、接着層16部分(接着層16を介して信号線19と導電性防湿層15との間)で生じる浮遊容量分(Ca)と、接着層16以外の部分(主にシンチレータ層13や反射層14などの膜を介して信号線19と導電性防湿層15との間)で生じる浮遊容量分(Cf)とに分けて考えることができる。
接着層16以外の膜部分の信号線19または制御線18と導電性防湿層15との間のGapは、シンチレータ層13と反射膜14など内蔵膜の材質と厚み(Tf)で殆ど決まってくる。総合的な検出器の特性の中でも特に重要なシンチレータ膜部の感度やDQE特性を確保する上で、この膜部の材質や厚みは簡単に変更できない。また、膜部を走る信号線19や制御線18の長さ(Lf)は検出器の撮像エリアの設計上で決まる。信号線19や制御線18の幅(Wf)は、浮遊容量を低減する観点からは狭い方が望ましいが、配線抵抗を下げる観点や配線材料の成膜及びパターニングの制御性の観点からは必要な線幅は決まってくる。
以上のことから、配線膜部分の浮遊容量は検出器設計上の制約でほぼ決まると考えられる。信号線19又は制御線18と導電性防湿層15によって生じる浮遊容量のTotalを考えると、接着層16部分で信号線19又は制御線18に生じる浮遊容量(Ca)が、膜部分で生じる浮遊容量(Cf)に対して小さい値であることが、検出器としての不要なノイズ特性の悪化を抑える上で望ましい。即ち、浮遊容量全体(Ctotal)に対して接着層16起因の浮遊容量(Ca)が支配的にならないことが重要である。この関係を近似式で示すと以下の通りとなる。
εa・Da・Wa/Ta<εf・Lf・Wf/Tf・・・(1)
ここで、
εa・・・接着層の実効誘電率
Da・・・接着層の奥行き
Wa・・・接着層部の信号線又は制御線の線幅
Ta・・・接着層の平均的な厚み
εf・・・膜部の(シンチレータ膜と場合により反射膜なども合せた)実効誘電率
Lf・・・膜部の信号線又は制御線の長さ
Wf・・・膜部の信号線又は制御線の線幅
Tf・・・膜部の信号線又は制御線から導電性防湿層までの平均距離(平均厚み)
また、後述する実施例7の図11、12の結果からも、Da・Wa/Taの値が、概ねLf・Wf/Tfと同等レベル以上になると、ノイズ量の増大が顕著になっている。
(防湿層15をアレイ基板12と接着する接着方法)
上述したように導電性防湿層15と信号線19又は制御線18との間の浮遊容量はノイズ特性への影響が大きいが、容量の一定成分の影響に関しては、撮像前の暗状態で信号電荷量を予め測定して、放射線測定時(明状態)で差し引きする方法が一般的に採用されている。
しかし、AL箔などの導電性防湿層15を用いる構造は、外部からの衝撃や振動によって導電性防湿層15自体が振動を生じると、差し引きする浮遊容量による電荷も変化してしまい、この振動の影響がマイクロフォニック現象となって画像に生じてしまう。
この防湿層15の振動を避けるための有効な策として、導電性防湿層15を接着封止する際に内部を減圧状態として封止する方法を用いることが好ましい。この方法によれば、接着貼り合せ後に大気圧に戻した際に防湿層15が膜部や基板に密着し、外力による振動を生じにくい状態を得ることができる。実際の作成方法としては、例えば、以下の通りである。
防湿層15は図3に示す0.1mmtのAL箔をハット状に加工したものを用い、接着部となる鍔部33の幅は5mmである。接着シール材はUV硬化型のもの、加熱硬化型のもの何れも適用可能である。
この防湿層15を、例えば、図13に示す減圧貼り合わせ装置40でアレイ基板12と貼り合せる。
先ずは防湿層15をなすALハットの鍔部に接着層を形成する。その方法として、例えばALハットを逆さまな状態で貼り合せ冶具上にセットし、これをディスペンサー装置に載置して、ALハットの鍔部に接着剤を塗布する。ALハットを貼り合せ冶具にセットする場合に、ALハットと貼り合せ冶具との隙間を適正化する高さ調整シート43を介してセットしても良い。
次に、図13に示すように、接着剤を塗布したALハットを貼り合せ冶具と共に減圧貼り合せ装置40にセットする。この際に加圧時の圧力均一性を改善する目的で、例えば貼り合せ冶具の下にクッションシート42を敷いても良い。
更に、保護膜26を介してシンチレータ層13が形成された基板12を逆さまにして、ALハットの上部にセットする。この際に、基板を保持する機構は図示していないが、基板の周辺部に対向する貼り合せ冶具の部分に、ある程度以上の力で押すと引っ込むピンを所望の数だけ立てておいて、このピンの上に基板を載置する方法などがある。
接着層付きALハットを貼り合せ冶具と共に減圧貼り合せ装置にセットした後、チャンバーを閉じて例えば0.1気圧程度まで減圧した状態で下部ステージ41を持ち上げ上部ステージ45に押し付けて密着加圧する。
ここで、UV硬化型接着剤を用いた場合は、減圧チャンバー内において減圧状態で密着貼り合せた状態で、チャンバー内にてUVを照射できる様な機構を作るか、又は石英の窓などを通してUVを照射できる機構を用いることが好ましい。UV照射の影になる部分が生じる場合は、前述のUV照射でハットと基板を固定し、大気解放後に改めて接着部全体をUV照射する方法などが可能である。接着剤に対して更に硬化率をアップするために、その後の加熱により硬化反応を促進しても良い。
一方、加熱硬化型接着剤を用いる場合は、減圧チャンバー内で密着加圧した状態で接着部を加熱できる機構を設け、少なくともある程度まで硬化反応を起こした後に大気圧状態に戻すことが望ましい。加熱による硬化は、減圧チャンバー内で密着加圧状態を維持し、時間を掛けて十分に硬化させる方法がある。また、接着部が固定されて動かない程度まで硬化させた状態で大気開放して取り出し、その後オーブンなどにより加熱を追加しても良い。
放射線検出器をある条件で振動させた場合のマイクロフォニックのレベルは、減圧無しで貼り合せた場合に比較して減圧貼り合せしたものはピーク値が約1/3に低減し、更に減衰の時定数も1/5以下に改善して速やかに収束することが分かっている。
UV硬化型接着剤を用いてハットの鍔部とアレイ基板12とを接着シールする場合、導電性防湿層15は一般にALなどの金属でUVを反射してしまう為、アレイ基板12の裏面側からUV照射することになる。この場合、アレイ基板12の接着部分には信号線19又は制御線18のリード配線パタンが存在し、この配線パタンの部分が接着剤へのUV照射の影になる。この影の部分が硬化しないとその後の接着部の密着強度や防湿性などの信頼性面で望ましくない。
この対策として、カチオン重合型の紫外線(UV)硬化接着剤を用いることが好ましい。カチオン重合型の接着剤は重合硬化反応の停止反応が生じないため、UVが照射された部分から硬化反応が影の部分にも広がり、リード配線程度(精々数十〜百数十μm)の影の部分も硬化させることが可能である。この効果を利用することで接着層16全体に渡って密着力信頼性の高い放射線検出器を提供することができる。
また、カチオン重合型の紫外線(UV)硬化接着剤を用いた場合、後述する実施例8(図14)からも明らかなように、高温高湿試験後の解像度特性の劣化も認められない。
(本実施の形態の効果)
(1)防湿層15の材料としてAL箔など導電性があり高い防湿性能を有するものを使用し、かつ接着層16での透湿を最小限に押さえることで、CsI:Tl膜など湿度による特性劣化を生じるX線変換膜を保護することができる。
(2)AL箔材など水蒸気バリア性に優れた導電性防湿層材料を用い、かつ防湿層と基板との接着シール部分をスペーサ材などにより厚み制御して接着シール層を形成することができる。この結果、導電性防湿層15と基板のリード配線との電気的接触を避け、また接着層16部の導電性防湿層15とリード配線との間で生じる浮遊容量に起因するノイズ影響を抑えることが可能となる。
(3)アレイ基板12との接着部分で生じ易いリード配線との短絡や極端な近接による浮遊容量の増大や、接着層厚みの大小に起因する浮遊容量のバラつき、それらに伴うノイズ特性の悪化を抑え、SN特性や信頼性の高い放射線検出器を提供することができる。
(4)冷熱サイクルなど接着面に対するストレスに対しても十分強い密着性を確保できる。
(5)検出器の回路や周辺環境からの電気的ノイズに対するシールド効果も有して、かつこの導電性防湿層15の振動などに起因して浮遊容量の変動により生じるマイクロフォニックを抑制し、画像品質の優れた放射線検出器を提供することができる。
(実施例1)
[スペーサとフィラーの有無と特性との関係]
先ず、TFTマトリックスの上にa−Siフォトダイオードの光電変換素子21を積層した構造である約13インチ□サイズのアレイ基板12を用意した。このアレイ基板12の周辺部への引き出しリードとしては、TFT駆動のための制御線18、X線画像に対応する電荷を読み出す信号線19、及び、フォトダイオードを動作させるためのバイアス電圧を加えるためのバイアス線がある。また、X線画像を取得するアクティブエリア20から、アレイ基板12周辺部に配列されたTABパッド部に各々のリード配線が形成され、最表層には保護膜26として0.2〜0.3μm程度の無機膜と2μm程度の有機膜が形成されている。
次に、アレイ基板12の画素エリア上にシンチレータ層13としてCsI:Tl膜(600μmt)を真空蒸着法で形成し、更に反射膜14として、TiOのサブミクロン粉体とバインダ樹脂及び溶媒を混合した塗液をシンチレータ層13上に塗布・乾燥して形成した。
次に、図3に示すように、防湿層15として、厚み0.1mmtのAL合金箔(A1N30−O材)を、周辺部に5mm幅の鍔部33を持つ構造にプレス成形してハット状とした。
次に、防湿層15の鍔部33にディスペンサーにより接着剤を塗布して接着層16を形成し、シンチレータ層13および反射膜14の形成されたアレイ基板12と張り合わせた。
ここで、接着剤としてはエポキシ系でカチオン重合型のUV硬化接着材を用いた。また、添加剤としては、接着層16の厚みを一定に保つためのスペーサ材及び接着層16の透湿を抑制するための無機材質のフィラー材を種々添加した。
表1に、実施例で使用したスペーサ及びフィラーの材質、形状、サイズについて示す。なお、比較例として、スペーサ材及びフィラー材を添加しないもの、スペーサ材のみ添加したもの、フィラー材のみ添加したものを追加した。
次に、図13に示す減圧貼り合わせ装置40を用いて、ALハットを逆さまにしてセットし、接着剤はディスペンサーを用いて約0.4〜0.8mg/mmの塗布量でALハットの鍔部33に塗布した。
その後、アレイ基板12を逆さまにして、減圧貼り合わせ装置40により密着化し、更に紫外線ランプにより6J/cm程度の照射量で紫外線を照射して接着層16を硬化した。
更に、UV硬化接着剤の硬化率を高めるために、60℃×3時間で追加の加熱処理を施した。
また、表2には、例示した各々の接着剤(スペーサとフィラーの添加有無及び種類、形状、添加量)及び接着条件に対して、各々の放射線検出器としての電気的な特性を簡単に記載した。また、−20℃×1h/室温×30分/60℃×1h/室温×30分を1サイクルとして30サイクルの冷熱サイクル試験を実施した際の接着シール部の破壊の有無、及び60℃−90%RH高温高湿環境試験による解像度特性の変化に関しても合わせて示した。
表2の結果より、スペーサ材の添加の無い接着剤を用いた場合、加圧条件を大きくして密着性の良好な、即ち冷熱サイクル試験などの信頼性が高い条件にするほど、ALハットとリード配線との短絡、又は浮遊容量の増大起因と思われるノイズ増加が見られる。
一方、例えば10〜20μmφの球形状や直径10〜20μmφで長さ100〜200μm程度の円柱状SiOスペーサ、或いは同様な球形またはロッド状で樹脂材質からなるスペーサを適用した場合はこのような電気的不具合を生じていないことが分かる。
(実施例2)
[円柱状スペーサの含有率と短絡率との関係]
アレイ基板12全体をAL蒸着膜で被覆し、その上にALハット防湿層を一定条件で接着層を介して接着貼り合せ、基板のAL膜とALハットとの導通を測定した。また、本実施例では接着層の添加剤としてスペーサ径が16μmの円柱状SiOを用い、スペーサの平均間隔は、スペーサの含有比率を変えることにより制御した。
結果を図4に示す。
この結果より、スペーサの平均間隔がスペーサの直径に対して概ね20倍以内であれば金属等の導電性防湿層15とアレイ基板12との接触リスクを避けられることが分かった。
なお、スペーサとして径が16μmの円柱状SiO以外の他の材質(樹脂製スペーサなど)や異なる形状や大きさ(10〜50μm程度の範囲)のスペーサを用いた場合も、多少の違いがあるものの、ほぼ同様な結果が得られた。
(実施例3)
[球状スペーサの含有率と短絡率との関係]
基板全体をAL蒸着膜で被覆し、その上にALハット防湿層を一定条件で接着層を介して接着貼り合せ、基板のAL膜とALハットとの導通を測定した。また、本実施例では接着層の添加剤としてスペーサ径が20μmの球状樹脂を用い、スペーサの平均間隔は、スペーサの含有比率を変えることにより制御した。
結果を図5に示す。
この結果より、スペーサの平均間隔がスペーサの直径に対して概ね20倍以内であれば金属等の導電性防湿層15とアレイ基板12との接触リスクを避けられることが分かった。
なお、スペーサとして径が20μmの球状樹脂以外の他の材質(SiOスペーサなど)や異なる形状や大きさ(10〜50μm程度の範囲)のスペーサを用いた場合も、多少の違いがあるものの、ほぼ同様な結果が得られた。
(実施例4)
[スペーサの添加の有無と接着部断面のSEM観察結果]
スペーサを添加していない接着剤を用いた場合と、適正な材質・形状・添加量のスペーサを添加した接着剤を用いた場合とで、アレイ基板12とALハット防湿層15を接着した接着部16を断面SEM観察した結果をそれぞれ図6、図7に示す。
図6の結果からも明らかな通り、スペーサ添加の無いものでは、接着条件によって接着層が1μm以下となり極端に薄くなっている箇所が散見された。
これに対して、適切な材質形状で適量のスペーサを添加した接着層の場合は、図7に示すように、ほぼ均一な厚さの接着層が形成されていることが分かった。
(実施例5)
[フィラー材質と高温高湿後の解像度維持率との関係]
フィラーの材質と高温高湿後の解像度維持率との関係について調べた。
高温高湿試験条件は、60℃-90%RH×500hとした。
解像度維持率は、初期のCTFと高温高湿試験後のCTFとの比によって算出した。
また、CTF (2Lp/mm)の測定は、70KVpで1.5mmALフィルターを透過したX線を、X線用解像度チャートを通して評価パネルに照射し、そのX線解像度チャートの画像の明部と暗部のコントラストより求めた。解像度チャートのX線画像は図8に示すような明部と暗部からなる波形を生じ、その明部と暗部のコントラスト比が大きいほど解像度が良好な検出器といえる。CTF(2Lp/mm)の具体的な計算方法は、2Lp/mmの解像度チャートで生じる明部と暗部の出力値から以下の式によって算出した。
CTF(2Lp/mm)=[I(明)−I(暗)]/[I(明)+I(暗)]
評価結果を図9に示す。
図9の結果より、樹脂材質のフィラーでは接着層の厚み増大に伴い、接着層からの透湿起因と考えられる解像度劣化が顕著に生じている。
一方、SiOやAl、或いはタルク(珪酸塩化合物)などの無機材質で、数μmから数十μmサイズの適切なフィラー材を添加したものは、実用上の接着層厚で高温高湿試験の信頼性も高いことが分かった。
(実施例6)
[フィラー材の体積充填率と透湿係数との関係]
フィラー材の体積充填率を変えた場合の60℃−90%RHの透湿係数との関係を測定した。
フィラーとしては、アルミナ(Al)やタルクを用い、サイズは大小あるが粒の代表寸法が最大でも数十μm程度の粒度のもので試験した。特に、体積充填率の高いものは、大小のフィラー材を混ぜて混入し、充填率のアップを計った。
透湿係数(g・mm/m/日:60℃−90%RH)の測定は、透湿率が分かっている0.2mmのポリエステルフィルム上に0.1mmの厚さで接着層の塗膜を形成してカップ法で測定し、以下の(2)式よりポリエステル(PE) フィルムの透湿率(TPE)の影響を差し引いて接着層splの透湿率(Tspl)を計算した。
更に、(3)式により接着材塗膜の膜厚で標準化した接着層splの透湿係数(ηspl)を求めた。
1/Ttotal=1/TPE+1/Tspl ・・・(2)
spl=ηspl・S/tspl・・・(3)
ここで、Ttotal・・・PEフィルム+接着層 積層膜の透湿率(g/日:60℃−90%RH)
PE・・・PEフィルム単体の透湿率(g/m/日:60℃−90%RH)
spl・・・接着層の透湿率(g/m/日:60℃−90%RH)
ηspl・・・接着層の透湿係数(g・mm/m/日)
S・・・カップ法測定時の透湿断面積(m
spl・・・接着層の厚さ(mm)
図10に、フィラー材の体積充填率を変えた場合の60℃−90%RHの透湿係数との関係を測定した結果を示す。
この結果より、フィラー材の体積添加率が30%程度より大きくなると透湿係数の改善が顕著になることが判明した。
(実施例7)
[式(1)とノイズ特性との関係]
(1)式において実際に接着層に関するパラメータ(Da、Wa、Ta)を振った試作でノイズ特性を測定した。
評価したサンプルは、画素エリアのライン寸法が、制御ラインで370mm程度、信号ラインで360mm程度である。制御ライン及び信号ラインの線幅は40μmで、この線幅は画素エリア(W f)と接着層部(Wa)とで同じになっている。ALハットの鍔部の幅は10mmであり、従って接着層の奥行きDaの最大は10mmとなる。試験は接着層の材質を2種類(誘電率εa≒3.6、2.3)で接着層の作成条件を色々振って、Da/Taの値を変化させる方法で実施した。 横軸に(εa・Da・Wa/Ta)/(εf・Lf・Wf/Tf)を、縦軸にノイズレベルの相対値を取っている。
結果を図11(誘電率εa≒2.3)、図12(誘電率εa≒3.6)に示す。
図11、12の結果より、(εa・Da・Wa/Ta)の値が、概ね(εf・Lf・Wf/Tf)と同等レベル以上になると、ノイズ量の増大が顕著になる。浮遊容量起因のノイズレベルは、膜部と接着部の夫々の層の誘電率とディメンジョンで決まるリード配線への浮遊容量の総和によって支配されているものと思われる。画像取得エリアとなる膜部起因で配線に生じる不可避な浮遊容量に対して、接着層部に起因して配線に加わる浮遊容量を抑える事が不要なノイズを抑える上で肝要である。その程度としては、膜部起因の浮遊容量と同等以下にすること((1)式に相当する関係)が重要な目安といえる。
(実施例8)
[接着剤の種類による防湿特性の比較]
接着部16のリード配線幅が60μmであるアレイ基板12とALハット状防湿層15を用い、接着剤として、ラジカル重合型のUV硬化接着剤、カチオン重合型のUV硬化接着剤、及び加熱硬化型接着剤を用いた場合におけるサンプルの特性を比較した。
図14に、初期状態及び60℃−90%×24時間後の高温高湿試験後のCTF(2Lp/mm)維持率(%)の結果を示す。CTF(2Lp/mm)の維持率は、高温高湿試験前のCTF(2Lp/mm)に対する高温高湿試験後のCTF(2Lp/mm)の値を%で示したものである。解像度の劣化が無ければ維持率はほぼ100%となり、解像度の劣化が大きいほど維持率の値は小さくなる。
この結果から明らかなように、ラジカル重合型UV接着剤を用いたサンプルは解像度特性の劣化が見られる。フィラーの添加率などは同一としているため、この要因としては接着剤の硬化していない部分の透湿が影響してものと考えられる。
これに対して、カチオン重合型のUV硬化接着剤、及び加熱硬化型接着剤を用いたサンプルでは、解像度特性の劣化は認められなかった。
また、−20℃/60℃冷熱サイクルの信頼性試験を行った結果、ラジカル重合型を用いたものは10サイクル時点までに既に接着部の剥離を生じていたが、カチオン重合型のものは30サイクルでも異常を生じてないことが分かった。
11:放射線検出器、12:アレイ基板、13:シンチレータ層、14:反射膜、15:防湿層、16:接着層、17:画素、33:鍔部

Claims (11)

  1. 蛍光を電気信号に変換する光電変換素子を有する基板と、前記光電変換素子上に形成され、放射線を前記蛍光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を覆うように形成される導電性の防湿層と、前記防湿層と前記基板とを接着する接着層を備える放射線検出器において、
    前記接着層は、無機又は樹脂の材質からなり前記防湿層と前記基板との間隔を規定するスペーサと、無機材質からなり透湿性を抑制するフィラーとの少なくとも1つを含むことを特徴とする放射線検出器。
  2. 前記スペーサの形状は円柱状であり、かつ前記スペーサ同士の平均間隔が前記スペーサの直径に対して20倍以内であることを特徴とする請求項1記載の放射線検出器。
  3. 前記スペーサの形状は球形であり、かつ前記スペーサ同士の平均間隔が前記スペーサの直径に対して20倍以内であることを特徴とする請求項1記載の放射線検出器。
  4. 前記スペーサは、前記接着層全体に占める体積充填率が10vol%以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の放射線検出器。
  5. 前記基板には、少なくとも、前記各光電変換素子からの電気信号を前記基板の外縁部に引き出すために所定のピッチ間隔で形成されたリード配線が設けられ、かつ、前記接着層における前記スペーサ同士の平均間隔は、前記リード配線のピッチ間隔以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の放射線検出器。
  6. 前記無機材質のフィラーの体積充填率が30vol%以上70vol%以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の放射線検出器。
  7. 前記シンチレータ層と前記防湿層との間に、反射膜を設けたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載の放射線検出器。
  8. 前記接着層の平均厚みと平均奥行幅を、下記式を満たすように形成することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載の放射線検出器。
    εa・Da・Wa/Ta<εf・Lf・Wf/Tf
    (εa:接着層の実効誘電率、Da:接着層の平均奥行幅、Ta:接着層の平均厚み、Wa:接着層の下部にあるリード配線の線幅、εf:シンチレータ層を含む基板上の膜部の実効誘電率、Lf:膜部の信号線又は制御線の長さ、Wf:膜部の信号線又は制御線の線幅、Tf:膜部の信号線又は制御線から防湿層までの平均距離)
  9. 基板上に、蛍光を電気信号に変換する光電変換素子を形成する第1の工程と、
    前記光電変換部素子上に、放射線を前記蛍光に変換するシンチレータ層を配置する第2の工程と、
    前記シンチレータ層を覆うように導電性の防湿層を形成し、前記防湿層と前記基板とを接着層で封止して、前記シンチレータ層を外部の湿気から保護する第3の工程と、を備える放射線検出器の製造方法において、
    前記第3の工程は、紫外線硬化型の接着剤を前記防湿層又は前記基板の接着部に塗布し、前記防湿層と前記基板とを減圧状態下で密着させた後、更に紫外線照射して前記接着剤をUV硬化させることを特徴とする放射線検出器の製造方法。
  10. 基板上に、蛍光を電気信号に変換する光電変換素子を形成する第1の工程と、
    前記光電変換部素子上に、放射線を前記蛍光に変換するシンチレータ層を配置する第2の工程と、
    前記シンチレータ層を覆うように導電性の防湿層を形成し、前記防湿層と前記基板とを接着層で封止して、前記シンチレータ層を外部の湿気から保護する第3の工程と、を備える放射線検出器の製造方法において、
    前記第3の工程は、熱硬化型の接着剤を前記防湿層又は前記基板の接着部に塗布し、前記防湿層と前記基板とを減圧状態下で密着させた状態で前記接着剤を加熱硬化させることを特徴とする放射線検出器の製造方法。
  11. 前記接着剤としてカチオン重合により硬化反応が進む紫外線硬化型接着剤を用い、リード配線を具備する前記基板の裏面側から紫外線照射して硬化反応を生じさせることを特徴とする請求項9記載の放射線検出器の製造方法。
JP2009205887A 2009-09-07 2009-09-07 放射線検出器及びその製造方法 Active JP5650898B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009205887A JP5650898B2 (ja) 2009-09-07 2009-09-07 放射線検出器及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009205887A JP5650898B2 (ja) 2009-09-07 2009-09-07 放射線検出器及びその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011058831A true JP2011058831A (ja) 2011-03-24
JP2011058831A5 JP2011058831A5 (ja) 2012-10-11
JP5650898B2 JP5650898B2 (ja) 2015-01-07

Family

ID=43946658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009205887A Active JP5650898B2 (ja) 2009-09-07 2009-09-07 放射線検出器及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5650898B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013019691A (ja) * 2011-07-07 2013-01-31 Toshiba Corp 放射線検出器
JP2013019690A (ja) * 2011-07-07 2013-01-31 Toshiba Corp 放射線検出器
US20130048863A1 (en) * 2011-08-26 2013-02-28 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion substrate, radiation detector, radiographic image capture device, and manufacturing method of radiation detector
JP2013118220A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Mitsubishi Electric Corp 画像検出器
JP2013246063A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Toshiba Corp 放射線検出器およびその製造方法
JP2014059246A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Toshiba Corp 放射線検出器およびその製造方法
JP2015021898A (ja) * 2013-07-22 2015-02-02 株式会社東芝 放射線検出器及びその製造方法
JP2015108533A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 株式会社東芝 放射線検出器の製造方法及び放射線検出器
WO2015194361A1 (ja) * 2014-06-16 2015-12-23 株式会社 東芝 放射線検出器及びその製造方法
CN112292616A (zh) * 2018-06-22 2021-01-29 富士胶片株式会社 放射线检测器及放射线图像摄影装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11186532A (ja) * 1997-12-22 1999-07-09 Canon Inc 光センサー
JP2007059798A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Toshiba Corp 放射線検出器
JP2007071836A (ja) * 2005-09-09 2007-03-22 Canon Inc 放射線検出装置及び放射線撮像システム
JP2007285709A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Canon Inc 放射線撮像装置の製造方法及び放射線撮像システム
JP2009128023A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Toshiba Electron Tubes & Devices Co Ltd 放射線検出器及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11186532A (ja) * 1997-12-22 1999-07-09 Canon Inc 光センサー
JP2007059798A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Toshiba Corp 放射線検出器
JP2007071836A (ja) * 2005-09-09 2007-03-22 Canon Inc 放射線検出装置及び放射線撮像システム
JP2007285709A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Canon Inc 放射線撮像装置の製造方法及び放射線撮像システム
JP2009128023A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Toshiba Electron Tubes & Devices Co Ltd 放射線検出器及びその製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013019691A (ja) * 2011-07-07 2013-01-31 Toshiba Corp 放射線検出器
JP2013019690A (ja) * 2011-07-07 2013-01-31 Toshiba Corp 放射線検出器
US20130048863A1 (en) * 2011-08-26 2013-02-28 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion substrate, radiation detector, radiographic image capture device, and manufacturing method of radiation detector
US8829447B2 (en) * 2011-08-26 2014-09-09 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion substrate, radiation detector, radiographic image capture device, and manufacturing method of radiation detector
US8735886B2 (en) 2011-12-01 2014-05-27 Mitsubishi Electric Corporation Image detector
JP2013118220A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Mitsubishi Electric Corp 画像検出器
JP2013246063A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Toshiba Corp 放射線検出器およびその製造方法
JP2014059246A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Toshiba Corp 放射線検出器およびその製造方法
JP2015021898A (ja) * 2013-07-22 2015-02-02 株式会社東芝 放射線検出器及びその製造方法
JP2015108533A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 株式会社東芝 放射線検出器の製造方法及び放射線検出器
WO2015194361A1 (ja) * 2014-06-16 2015-12-23 株式会社 東芝 放射線検出器及びその製造方法
JP2016003907A (ja) * 2014-06-16 2016-01-12 株式会社東芝 放射線検出器及びその製造方法
CN112292616A (zh) * 2018-06-22 2021-01-29 富士胶片株式会社 放射线检测器及放射线图像摄影装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5650898B2 (ja) 2015-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5650898B2 (ja) 放射線検出器及びその製造方法
JP5629593B2 (ja) 放射線検出器
JP4764407B2 (ja) 放射線検出器及びその製造方法
JP5940302B2 (ja) 放射線検出器の製造方法
TWI518352B (zh) Radiation detector and manufacturing method thereof
KR101885016B1 (ko) 방사선 검출기 및 그 제조방법
JP5022805B2 (ja) 放射線検出器
TWI591368B (zh) Radiation detector and manufacturing method thereof
JP2012052965A (ja) 放射線検出器及びその製造方法
WO2016111093A1 (ja) 放射線検出器及びその製造方法
JP2010286447A (ja) 放射線検出器及びその製造方法
JP2015021898A (ja) 放射線検出器及びその製造方法
JP2017090090A (ja) 放射線検出器及びその製造方法
JP2013015353A (ja) 放射線検出器およびその製造方法
JP6105862B2 (ja) 放射線検出器およびその製造方法
JP2017111082A (ja) 放射線検出器及びその製造方法
JP2014059246A (ja) 放射線検出器およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20110420

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120823

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120823

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130311

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130319

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130517

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20130621

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20130625

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20130621

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140219

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140418

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141017

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141114

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5650898

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350