KR101016498B1 - 고체 촬상 장치의 제조 방법 - Google Patents

고체 촬상 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

고체 촬상 장치의 소형화, 저비용화를 도모한다. 반도체 기판(10)은, 복수의 광 센서를 배열한 촬상 에리어(14)를 표면에 갖고, 이 표면에, 반도체 기판(10)과 평면에서 볼 때 동일 형상, 동일 사이즈의 투명판(6)이 부착되어 있다. 촬상 에리어 주위 변부의 반도체 기판 표면에는 본딩 패드(16)가 형성되고, 반도체 기판(10)에는 본딩 패드의 하면으로부터 반도체 기판(10)의 이면(24)에 이르는 관통 홀(26)이 형성되어 있다. 관통 홀(26) 내면에는 절연막(28)이 피착되고, 반도체 기판(10)의 이면(24)에는 절연막(30)이 피착되어 있다. 관통 홀(26)에는 도전 재료(38)가 충전되고, 본딩 패드(16)와, 이면(24)에 접합된 플렉시블 회로 기판(8)의 구리 배선(34)이 전기적으로 접속되어 있다.
투명판, 관통 홀, 밀봉제, 본딩 패드, 플렉시블 회로

Description

고체 촬상 장치의 제조 방법{MANUFACTURING METHOD OF SOLIDE IMAGING DEVICE}
본 발명은 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 고체 촬상 장치의 소형화, 저비용화 기술에 관한 것이다.
도 6은 종래의 고체 촬상 장치를 나타내는 측단면도이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 종래의 고체 촬상 장치(102)는, 패키지(104)의 오목부(106) 내에, 광 센서 등을 반도체 기판 상에 배열하여 이루어지는 고체 촬상 소자(108)를, 그 수광면(110)을 위로 향하게 하여 수용하여 구성되어 있다. 고체 촬상 소자 표면의 주변부에는 복수의 본딩 패드(112)가 배열되고, 이들 본딩 패드(112)와, 패키지(104)의 단자 전극(114)과는 본딩 와이어(116)에 의해 접속되어 있다. 단자 전극(114)은 패키지(104)를 관통하는 외부 단자(118)의 일단에 접속되고, 외부 단자(118)의 타단은 패키지(104)의 이면으로부터 패키지(104)의 외부로 돌출되어 있다.
고체 촬상 소자(108) 상에는, 고체 촬상 소자(108)를 보호하여 신뢰성을 확보하기 위해 투명판(120)이 배치되고, 투명판(120)은, 오목부(106)의 상부에 접착 고정되 어 패키지(104)의 오목부(106) 내를 기밀하게 유지하고 있다.
그러나, 이러한 구조에서는, 고체 촬상 소자(108)(반도체 기판)를 패키지(104) 내에 수용하기 때문에, 전체 사이즈는 반드시 고체 촬상 소자(108)보다 커진다. 또한, 외부 단자(118)가 패키지(104)의 이면으로부터 돌출되어 있기 때문에, 외부 단자(118)도 포함한 패키지(104)의 두께도 두꺼워진다.
또한, 상술한 바와 같은 구조에서는, 패키징을 위해, 고체 촬상 소자(108)를 하나 하나 패키지(104)에 수용하고, 고체 촬상 소자(108)의 본딩 패드(112)와 패키지(104)의 단자 전극(114)을 본딩 와이어(116)에 의해 접속해야 하는 작업이 필요로 되어, 제조 효율이 나빠지고, 비용 삭감을 저해하는 하나의 요인이 된다.
디지털 스틸 카메라나 비디오 카메라, 혹은 PDA(Persona1 Digital Assistants) 장치에서는, 그 소형화 및 저비용화는 항상 중요한 과제이며, 따라서, 주요한 구성 요소로서, 이들 기기에 내장되는 고체 촬상 장치(102)에 대하여, 그 소형화 및 저비용화가 강하게 요망되고 있다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 그 목적은, 소형, 박형이며, 또한 저비용의 고체 촬상 장치 및 동일 고체 촬상 장치의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 복수의 광 센서 및 본딩 패드가 표면에 형성된 반도체 기판을 포함하는 고체 촬상 장치로서, 판면을 상기 광 센서에 대 향시켜 상기 반도체 기판의 표면에 고정된 투명판과, 상기 본딩 패드의 하면으로부터 상기 반도체 기판의 이면에 이르는 관통 홀과, 상기 관통 홀의 내면을 피복하는 제1 절연막과, 상기 반도체 기판의 이면에서의 적어도 상기 관통 홀의 개구 개소를 둘러싸고 피착된 제2 절연막과, 상기 관통 홀에 충전되어 상기 본딩 패드의 하면에 전기적으로 접속됨과 함께 상기 관통 홀의 상기 개구로부터 노출되는 도전 재료를 포함한다.
또한, 본 발명은, 복수의 광 센서 및 본딩 패드가 표면에 형성된 반도체 기판을 포함하는 고체 촬상 장치를 제조하는 방법으로서, 상기 고체 촬상 장치의 반도체 기판 부분이 복수 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에, 판면을 상기 표면에 대향시켜 상기 반도체 웨이퍼와 동등한 크기의 투명판을 접착하고, 상기 투명판이 접착된 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여 상기 반도체 웨이퍼의 두께를 감소시켜, 상기 반도체 웨이퍼의 이면으로부터 상기 본딩 패드의 하면에 이르는 관통 홀을 형성하며, 상기 관통 홀의 내면에 제1 절연막을 피착시키고, 상기 반도체 웨이퍼의 이면에서의 적어도 상기 관통 홀의 개구 개소를 둘러싸고 제2 절연막을 피착시켜, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 투명판과 함께 고체 촬상 장치마다 절단하는 것을 포함한다.
본 발명의 고체 촬상 장치 및 그의 제조 방법에 의해 제조한 고체 촬상 장치는, 광 센서가 배열된 반도체 기판의 표면에, 투명판을 접합시킨 구조이므로, 종래와 같이 패키지 내에 반도체 기판을 수용하는 경우와 달리, 평면에서 볼 때의 사이 즈는 반도체 기판의 사이즈 그 자체로 할 수 있고, 또한, 두께도 투명판과 반도체 기판의 두께를 더한 것으로 된다. 따라서, 본 발명에 의해 고체 촬상 장치를 대폭 소형화, 박형화하는 것이 가능해진다.
또한, 고체 촬상 장치의 이면에 예를 들면 플렉시블 회로 기판을 접합시키고, 반도체 기판 상의 본딩 패드와, 플렉시블 회로 기판 상의 배선과는 관통 홀에 충전된 상기 도전 재료로 접속하는 구성으로 할 수 있기 때문에, 외부 회로도 포함하여 박형화를 실현할 수 있다.
그리고, 종래와 같이 개개의 고체 촬상 장치마다 패키지에 반도체 기판을 수용하여 패키지와 반도체 기판을 본딩 와이어로 접속하는 공정은 불필요하게 되며, 반도체 웨이퍼의 상태에서 투명판을 접합시켜, 가공함으로써, 다수의 고체 촬상 장치를 일괄하여 제작할 수 있기 때문에, 제조 비용은 대폭 저하된다.
다음으로 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
도 1의 (a)는 본 발명의 실시예로서의 고체 촬상 장치를 도시하는 측단면도이며, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)에서의 B부의 부분 확대 측단면도이다. 또한, 도 2는 실시예의 평면도이며, 도 3은 도 2에서 하방으로부터 본 경우의 측면도이고, 도 4는 도 2에서 우측으로부터 본 경우의 측면도이며, 도 5는 실시예의 배면도이다. 또한, 도 1은 도 2에 도시한 AA'선을 따른 단면을 도시하고 있다.
도 2로부터 도 5에 도시한 바와 같이, 본 실시예의 고체 촬상 장치(2)는, 고체 촬상 소자(4), 투명판(6), 플렉시블 회로 기판(8)로 구성되어 있다.
고체 촬상 소자(4)는, 반도체 기판(10)의 표면(12)에서의 중앙부의 구형 영역인 촬상 에리어(14)에 다수의 광 센서를 배열하여 이루어지고, 반도체 기판 표면의 변부에는 복수의 본딩 패드(16)가 형성되어 있다. 반도체 기판(10)의 두께는 예를 들면 100㎛ 이하이고, 또한 투명판(6)의 재료는 석영 유리 등을 이용할 수 있다. 고체 촬상 소자(4) 및 투명판(6)은 평면에서 볼 때, 모두 구형으로 동일 형상, 동일 치수로 형성되며, 투명판(6)은 반도체 기판(10)의 표면(12)에, 판면을 대향시켜 위치 정렬한 상태로 고착되어 있다.
투명판(6)의, 반도체 기판(10)과 반대측의 능선부(18)는, 도 3, 도 4 등에 도시한 바와 같이, 모따기되어 있다.
반도체 기판(10)과 투명판(6)과는, 도 1에 도시한 바와 같이, 밀봉제(20)에 의해 서로 접착되어 있다. 밀봉제(20)는, 반도체 기판(10) 및 투명판(6)의 주변부에, 촬상 에리어(14) 전체를 둘러싸고 연장되어 있다. 이에 의해, 반도체 기판(10) 및 투명판(6)의 중앙부의, 반도체 기판(10)의 표면(12)과 투명판(6)의 하면 사이에는, 밀봉제(20)의 두께에 상당하는 간극이 형성되며, 이 간극 공간(22)은 기밀하게 되어 있다.
복수의 본딩 패드(16)는, 그 표면이 반도체 기판(10)의 표면에 일치되도록 반도체 기판(10)에 매설하여 형성되어 있다. 또한 반도체 기판(10)에는, 각 본딩 패드(16)마다 본딩 패드(16)의 하면으로부터 반도체 기판(10)의 이면(24)에 이르는 관통 홀(26)이 형성되어 있다. 관통 홀(26)의 직경은 본딩 패드(16)의 직경보다 작고, 관통 홀(26)의 내면에는 절연막(28)이 피착되어 있다. 또한, 반도체 기판(10)의 이면(24)에는, 관통 홀(26)의 개구 개소를 제외하고, 이면(24) 전체에 절연막(30)이, 예를 들면 수㎛의 두께로 피착되어 있다. 절연막(28, 30)의 재료로서는 예를 들면 폴리이미드를 이용할 수 있다.
반도체 기판(10)의 이면(24)에는, 접착제(32)에 의해 플렉시블 회로 기판(8)이, 그 판면을 반도체 기판(10)의 이면(24)에 대향시켜 접착되어 있다. 플렉시블 회로 기판(8)의 표면에는 고체 촬상 장치(2)의 외부 리드 배선으로 하는 구리 배선(34)이 형성되어 있고, 플렉시블 회로 기판(8)은 구리 배선(34)이 외측이 되도록 하여 반도체 기판(10)에 접착되어 있다. 또한, 플렉시블 회로 기판(8)상의, 관통 홀(26)에 대응하는 개소에는, 구리 배선(34)에 접속되는 랜드(36)(도 5)가 형성되어 있다. 각 랜드(36)의 개소에는, 관통 홀(26)보다 직경이 큰 관통 홀이 형성되고, 상기 접착제(32)의 대응 개소에도 거의 동일한 직경의 개구가 형성되어 있다.
그리고, 반도체 기판(10)의 관통 홀(26) 및 플렉시블 회로 기판(8)의 관통 홀에는, 랜드(36) 상으로 돌출되는 도전 재료(38)가 충전되고, 이 도전 재료(38)를 통해 반도체 기판(10)의 본딩 패드(16)와 플렉시블 회로 기판(8)의 랜드(36), 즉 구리 배선(34)이 전기적으로 접속되어 있다. 도전 재료(38)는 구체적으로는 도전 페이스트를 경화시킨 것으로 할 수 있다.
플렉시블 회로 기판(8)은, 가로 길이로 형성되며, 일단부는 반도체 기판(10)의 측방으로 연장되어 있다.
이와 같이, 본 실시예의 고체 촬상 장치(2)는, 광 센서가 배열된 반도체 기판(10)의 표면(12)에, 투명판(6)을 접합시킨 구조이기 때문에, 종래와 같이 패키지 내에 반도체 기판을 수용하는 경우와 달리, 평면에서 볼 때의 사이즈는, 반도체 기판(10)의 사이즈 그 자체로 되며, 또한, 두께도 투명판(6)과 반도체 기판(10)의 두 께를 더한 것으로 된다. 따라서, 고체 촬상 장치(2)를 대폭 소형화, 박형화하는 것이 가능해진다.
또한, 고체 촬상 장치(2)의 이면(24)에 플렉시블 회로 기판(8)을 접합시키고, 반도체 기판(10) 상의 본딩 패드(16)와, 플렉시블 회로 기판(8)상의 배선과는 관통 홀(26)에 충전된 도전 재료(38)로 접속하는 구성이므로, 외부 회로(플렉시블 회로 기판(8))를 포함하여 박형화를 실현할 수 있다.
고체 촬상 장치(2)를 내장한 디지털 스틸 카메라 등의 기기에서는, 고체 촬상 장치(2)의 전방에 반드시 광학 렌즈가 배치되기 때문에, 기기가 두꺼워지는 경향이 있다. 따라서, 상술된 바와 같이 고체 촬상 장치(2)를 박형화할 수 있는 것은 기기의 박형화에 매우 유리하다.
또한, 본 실시예에서는 투명판(6)의 능선부(18)가 모따기되어 있기 때문에, 고체 촬상 장치(2)를 기기에 내장할 때에, 투명판(6)이 렌즈 블록 등에 닿거나 했을 때에, 투명판(6)이 이지러지게 되는 것을 방지할 수 있다.
고체 촬상 장치(2)를 디지털 스틸 카메라 등에 내장할 때는, 예를 들면 투명판(6)의 측면에 설정한 기준면(40, 42, 44)을 기준으로 함으로써 양호한 정밀도로 위치 결정하여 기기에 설치할 수 있다. 기준면(40, 42)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 동일한 측면(46)에 서로 간격을 두고 설정되며, 기준면(44)은, 도 4에 도시한 바와 같이, 측면(46)에 직교하는 다른 측면(48)에 설정되어 있다. 이와 같이 투명판(6)의 측면을 기준으로 해도, 투명판(6)의 측면과 반도체 기판(10)의 측면과의 위치 어긋남은 없기 때문에, 고정밀도로 반도체 기판(10)을 위치 결정할 수 있다. 그리고, 반도체 기판(10)의 측면과 촬상 에리어(14)의 위치 관계의 정밀도는, 웨이퍼를 절단하여 개개의 고체 촬상 장치(2)를 얻을 때의 절단 정밀도에 의해 결정되며, 이것은 10㎛ 이하로 할 수 있다. 따라서, 10㎛ 이하의 근소한 오차로, 촬상 에리어(14)를 기기에 대하여 위치 결정할 수 있게 된다. 또한, 고정밀도의 위치 결정을 용이하게 행할 수 있기 때문에, 고체 촬상 장치(2)의 기기에의 설치에 필요한 시간을 단축할 수 있다.
이러한 구조의 고체 촬상 장치(2)는 이하에 설명하는 방법에 의해 매우 저비용으로 제작할 수 있다.
본 발명의 고체 촬상 장치(2)의 제조 방법의 일례에 대하여, 도 1로부터 도 5를 적절하게 참조하여 설명한다.
우선, 고체 촬상 장치의 반도체 기판 부분이 복수 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에 반도체 웨이퍼와 동등한 크기의 투명판을 밀봉제(20)(접착제)에 의해 접착한다. 이 접착에서는, 밀봉제(20)를, 반도체 웨이퍼 상의 각 고체 촬상 장치에서 촬상 에리어(14)를 둘러싸는 상태로 반도체 웨이퍼 또는 투명판에 도포하여, 반도체 웨이퍼 및 투명판을 접합시킨다. 밀봉제(20)는 가열 또는 자외광의 조사에 의해 경화시킨다.
다음으로, 투명판이 접착된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여 반도체 웨이퍼의 두께를, 예를 들면 100㎛ 이하로 감소시킨다.
계속해서, 반도체 웨이퍼의 이면으로부터 본딩 패드(16)의 하면에 이르는 관통 홀(26)을 형성한다. 이 형성에는, 레이저 가공이나, 포토리소그래피 등의 가공 기술을 이용할 수 있다.
그 후, 관통 홀(26)의 내면에, 폴리이미드 등에 의한 절연막(28)을 피착시키고, 또한, 반도체 웨이퍼의 이면(24)에 관통 홀(26)의 개구 개소를 제외하고 절연막(30)을 피착시킨다. 절연막(30)은 예를 들면 폴리이미드 테이프를 이용하여 형성할 수 있다.
계속해서, 반도체 웨이퍼를 투명판과 함께 고체 촬상 장치마다 절단하여 개개의 고체 촬상 장치를 얻는다. 이 때, 절단에 앞서서 투명판의 표면에, 횡단면이 V자형인 홈을 형성하고, 이 홈을 따라 반도체 웨이퍼 및 투명판을 절단하면, 투명판의 능선 모따기가 행해진 고체 촬상 장치를 얻을 수 있다.
그 후, 예를 들면 플렉시블 회로 기판(8)을 이면(24)에 접합시키고, 관통 홀(26)에 예를 들면 도전성 페이스트를 충전하고, 가열하여 경화시켜, 반도체 기판(10)의 본딩 패드(16)와 플렉시블 회로 기판(8)의 구리 배선(34)을 접속한다.
이러한 제조 방법에서는, 종래와 같이, 개개의 고체 촬상 장치마다 패키지에 반도체 기판을 수용하고, 패키지와 반도체 기판을 본딩 와이어로 접속하는 공정은 불필요하게 되며, 그리고, 반도체 웨이퍼의 상태에서 투명판을 접합시켜, 가공함으로써, 다수의 고체 촬상 장치를 일괄하여 제작할 수 있기 때문에, 제조 비용은 대폭 저하된다.
예를 들면, 여기서는, 반도체 기판(10)의 이면(24)에 플렉시블 회로 기판(8)을 접합시키는 것으로 하였지만, 플렉시블 회로 기판(8)은 사용하지 않고, 반도체 기판(10)의 이면(24)에 절연 처리를 실시한 후, 관통 홀(26)의 개구부에 범프 등을 형성하는 구조로 하는 것도 유효하다.
또한, 도 1에 도시한 실시예에서는, 밀봉제를 반도체 기판 및 투명판의 주변부에, 촬상 영역 전체를 둘러싸고 연장시키도록 하였지만, 도 7에 도시한 바와 같이, 밀봉제로서 광 투과성 재료를 이용하여, 밀봉제를 반도체 기판 표면 전체와 투명판 사이에 개재시키도록 해도 된다. 이 경우, 특히 소형화된 촬상 장치의 제조에서, 밀봉제의 촬상 영역에 대한 형성 위치를 제어할 필요가 없게 되고, 반도체 웨이퍼와 투명판과의 접합 공정에서, 밀봉제를 반도체 웨이퍼 표면 전체에 도포할 수 있다. 이 때문에, 밀봉제의 형성 위치의 제어가 어려울수록 소형화된 촬상 장치를 제작할 수 있다.
본 발명의 고체 촬상 소자 및 고체 촬상 장치의 제조 방법은 상술한 예에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 그 밖의 다양한 구성을 얻을 수 있다.
도 1의 (a)는 본 발명의 실시예에서의 고체 촬상 장치를 도시하는 측단면도이고, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)에서의 B 부분의 부분 확대 측단면도.
도 2는 실시예의 고체 촬상 장치를 도시하는 평면도.
도 3은 도 2에서 하방으로부터 본 경우의 고체 촬상 장치의 측면도.
도 4는 도 2에서 우측으로부터 본 경우의 고체 촬상 장치의 측면도.
도 5는 실시예의 고체 촬상 장치의 배면도.
도 6은 종래의 고체 촬상 장치를 도시하는 측단면도.
도 7의 (a)는 본 발명의 다른 실시예에서의 고체 촬상 장치를 도시하는 측단면도이고, 도 7의 (b)는 도 7의 (a)에서의 B 부분의 확대 측단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
2, 102 : 고체 촬상 장치
4, 108 : 고체 촬상 소자
6, 120 : 투명판
8 : 플렉시블 회로 기판
10 : 반도체 기판
16, 112 : 본딩 패드
18 : 능선부
20 : 밀봉제
26 : 관통 홀
28, 30 : 절연막
38 : 도전 재료
104 : 패키지
116 : 본딩 와이어

Claims (5)

  1. 복수의 광 센서 및 본딩 패드가 표면에 형성된 반도체 기판을 포함하는 고체 촬상 장치를 제조하는 방법에 있어서,
    본딩 패드의 표면이 반도체 웨이퍼의 표면에 일치되도록 본딩 패드를 반도체 웨이퍼에 매설하여 상기 고체 촬상 장치의 반도체 기판 부분이 복수 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에, 상기 반도체 웨이퍼와 동등한 크기의 투명판을, 상기 투명판의 판면을 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 대항시켜 접착하고,
    상기 투명판이 표면에 접착된 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하고,
    상기 반도체 웨이퍼의 이면으로부터 상기 본딩 패드의 하면에 이르는 관통 홀을 형성하고,
    상기 관통 홀의 내면에 제1 절연막을 피착시키며,
    상기 반도체 웨이퍼의 이면에서의 적어도 상기 관통 홀의 개구 개소를 둘러싸고 제2 절연막을 피착시키고,
    상기 반도체 웨이퍼를 상기 투명판과 함께 고체 촬상 장치마다 절단하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 본딩 패드의 하면에 전기적으로 접속됨과 함께 상기 관통 홀의 상기 개구로부터 노출되는 도전 재료를 상기 관통 홀에 충전하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼의 절단에 앞서서, 상기 투명판의 표면에 횡단면이 V자형인 홈을 형성하고, 이 홈을 따라 상기 반도체 웨이퍼 및 상기 투명판을 절단하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 투명판은 상기 반도체 웨이퍼의 표면과의 사이에 개재하는 밀봉제에 의해 상기 반도체 웨이퍼에 접착되고, 상기 밀봉제는, 각 고체 촬상 장치마다의 상기 광 센서의 배열 개소 전체를 둘러싸고 도포되며, 상기 투명판 및 상기 반도체 웨이퍼에 의해 사이에 끼워지며 상기 밀봉제에 의해 둘러싸인 간극 공간은 기밀하게 형성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 도전 재료로서 도전 페이스트를 이용하고, 상기 도전 페이스트는 상기 관통 홀에 충전한 후, 열에 의해 경화시키는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4000507B2 (ja) * 2001-10-04 2007-10-31 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
TWI232560B (en) 2002-04-23 2005-05-11 Sanyo Electric Co Semiconductor device and its manufacture
EP1369929B1 (en) * 2002-05-27 2016-08-03 STMicroelectronics Srl A process for manufacturing encapsulated optical sensors, and an encapsulated optical sensor manufactured using this process
TWI229435B (en) 2002-06-18 2005-03-11 Sanyo Electric Co Manufacture of semiconductor device
JP4443865B2 (ja) 2002-06-24 2010-03-31 富士フイルム株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
TWI227550B (en) 2002-10-30 2005-02-01 Sanyo Electric Co Semiconductor device manufacturing method
US6807503B2 (en) * 2002-11-04 2004-10-19 Brion Technologies, Inc. Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication
JP4510403B2 (ja) * 2003-05-08 2010-07-21 富士フイルム株式会社 カメラモジュール及びカメラモジュールの製造方法
JP2004349593A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
TWI275168B (en) * 2003-06-06 2007-03-01 Sanyo Electric Co Semiconductor device and method for making the same
KR100526191B1 (ko) * 2003-06-18 2005-11-03 삼성전자주식회사 고체 촬상용 반도체 장치
JP4401181B2 (ja) 2003-08-06 2010-01-20 三洋電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
EP1542272B1 (en) * 2003-10-06 2016-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101012700B1 (ko) * 2003-11-12 2011-02-09 삼성테크윈 주식회사 이미지 센서용 모듈과 그것을 구비한 카메라 모듈 및,그것의 제조 방법
JP4542768B2 (ja) * 2003-11-25 2010-09-15 富士フイルム株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
EP1699081A4 (en) * 2003-12-18 2007-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd TUBE-FREE IMAGING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, CAMERA WITH THE TUBE-FREE IMAGING DEVICE AND LIGHT RECEPTION CHIP
JP4236594B2 (ja) * 2004-01-27 2009-03-11 シャープ株式会社 光学装置用モジュール及び光学装置用モジュールの製造方法
KR100546411B1 (ko) * 2004-05-20 2006-01-26 삼성전자주식회사 플립 칩 패키지, 그 패키지를 포함하는 이미지 센서 모듈및 그 제조방법
US7498647B2 (en) * 2004-06-10 2009-03-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US20060043513A1 (en) * 2004-09-02 2006-03-02 Deok-Hoon Kim Method of making camera module in wafer level
KR100608420B1 (ko) * 2004-11-01 2006-08-02 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 칩 패키지 및 그 제조방법
US7285434B2 (en) * 2005-03-09 2007-10-23 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and method for manufacturing the same
JP2007012995A (ja) * 2005-07-01 2007-01-18 Toshiba Corp 超小型カメラモジュール及びその製造方法
KR100692977B1 (ko) 2005-09-15 2007-03-12 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100752713B1 (ko) * 2005-10-10 2007-08-29 삼성전기주식회사 이미지센서의 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지 및 그제조방법
JP2009512213A (ja) * 2005-10-11 2009-03-19 ボク，タエソック シリコン・バイア・コンタクトを利用したシーモス・イメージセンサーのウェハー・レべル・パッケージおよびその製造方法
JP4764710B2 (ja) * 2005-12-06 2011-09-07 株式会社ザイキューブ 半導体装置とその製造方法
JP2007165789A (ja) 2005-12-16 2007-06-28 Olympus Corp 半導体装置の製造方法
TWI324800B (en) 2005-12-28 2010-05-11 Sanyo Electric Co Method for manufacturing semiconductor device
JP2006191126A (ja) * 2006-01-30 2006-07-20 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP4403424B2 (ja) * 2006-11-30 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置
DE102008024443A1 (de) 2007-05-18 2008-12-18 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Integrierte Halbleiterschaltkreispackung, Herstellungsverfahren, optisches Bauelementmodul und elektronisches System
US20080284041A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package with through silicon via and related method of fabrication
KR100860308B1 (ko) * 2007-06-05 2008-09-25 삼성전기주식회사 카메라 모듈 패키지 및 그 제조방법
CN101123231B (zh) * 2007-08-31 2010-11-03 晶方半导体科技（苏州）有限公司 微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构及其制造方法
JP5197219B2 (ja) * 2007-11-22 2013-05-15 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4799542B2 (ja) * 2007-12-27 2011-10-26 株式会社東芝 半導体パッケージ
JP4799543B2 (ja) * 2007-12-27 2011-10-26 株式会社東芝 半導体パッケージ及びカメラモジュール
JP4908528B2 (ja) * 2009-01-26 2012-04-04 株式会社フジクラ 半導体パッケージ
US9142586B2 (en) 2009-02-24 2015-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad design for backside illuminated image sensor
US8531565B2 (en) * 2009-02-24 2013-09-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Front side implanted guard ring structure for backside illuminated image sensor
JP5985136B2 (ja) 2009-03-19 2016-09-06 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
KR100997797B1 (ko) * 2009-04-10 2010-12-02 주식회사 하이닉스반도체 이미지 센서 모듈
JP2011009645A (ja) * 2009-06-29 2011-01-13 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US8421175B2 (en) * 2009-09-10 2013-04-16 STMicroelectronics ( Research & Development) Limited Wafer level packaged integrated circuit
JP5442394B2 (ja) 2009-10-29 2014-03-12 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5853351B2 (ja) * 2010-03-25 2016-02-09 ソニー株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器
CN202120913U (zh) * 2011-06-08 2012-01-18 旭丽电子(广州)有限公司 薄型化图像撷取模块
JP2013034046A (ja) 2011-08-01 2013-02-14 Sony Corp カメラモジュール、製造装置、及び製造方法
CN104284060B (zh) * 2013-07-12 2019-07-02 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 相机模组
US9634059B2 (en) * 2014-12-30 2017-04-25 Semiconductor Components Industries, Llc Methods of forming image sensor integrated circuit packages
JP6633067B2 (ja) * 2015-05-27 2020-01-22 オリンパス株式会社 撮像装置および内視鏡
US10466576B2 (en) * 2017-10-20 2019-11-05 Himax Technologies Limited Method for controlling projector and associated electronic device
US10340306B1 (en) * 2018-02-08 2019-07-02 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor package with chamfered corners and related methods
JP6996459B2 (ja) * 2018-09-06 2022-01-17 三菱電機株式会社 物理量検出センサの製造方法、物理量検出センサ
CN109917593B (zh) * 2019-02-22 2022-05-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
GB2583366B (en) * 2019-04-25 2023-05-24 Vojo Ip Ltd System and method of verifying display of visual information
KR20210016230A (ko) * 2019-08-02 2021-02-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2022021100A (ja) 2020-07-21 2022-02-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
RU2769232C1 (ru) * 2021-06-23 2022-03-29 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Томский государственный университет» Фоточувствительная к инфракрасному излучению структура и способ ее изготовления

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH085566Y2 (ja) * 1989-07-12 1996-02-14 オリンパス光学工業株式会社 固体撮像装置
JP2001257334A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2631287B2 (ja) * 1987-06-30 1997-07-16 日本メクトロン 株式会社 混成多層回路基板の製造法
JPH04370958A (ja) 1991-06-20 1992-12-24 Hitachi Ltd 半導体基板、これを用いた半導体集積回路装置および半導体基板の製造方法
US6262477B1 (en) * 1993-03-19 2001-07-17 Advanced Interconnect Technologies Ball grid array electronic package
JP3161142B2 (ja) * 1993-03-26 2001-04-25 ソニー株式会社 半導体装置
US5753529A (en) * 1994-05-05 1998-05-19 Siliconix Incorporated Surface mount and flip chip technology for total integrated circuit isolation
US5677202A (en) * 1995-11-20 1997-10-14 Eastman Kodak Company Method for making planar color filter array for image sensors with embedded color filter arrays
US6013948A (en) * 1995-11-27 2000-01-11 Micron Technology, Inc. Stackable chip scale semiconductor package with mating contacts on opposed surfaces
JP3735163B2 (ja) 1996-08-02 2006-01-18 オリンパス株式会社 固体撮像装置
US5689091A (en) * 1996-09-19 1997-11-18 Vlsi Technology, Inc. Multi-layer substrate structure
US6117705A (en) * 1997-04-18 2000-09-12 Amkor Technology, Inc. Method of making integrated circuit package having adhesive bead supporting planar lid above planar substrate
JP3724110B2 (ja) * 1997-04-24 2005-12-07 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US5808873A (en) * 1997-05-30 1998-09-15 Motorola, Inc. Electronic component assembly having an encapsulation material and method of forming the same
FR2765398B1 (fr) * 1997-06-25 1999-07-30 Commissariat Energie Atomique Structure a composant microelectronique en materiau semi-conducteur difficile a graver et a trous metallises
KR100244965B1 (ko) * 1997-08-12 2000-02-15 윤종용 인쇄회로기판과 볼 그리드 어레이 패키지의 제조 방법
US5962810A (en) * 1997-09-09 1999-10-05 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit package employing a transparent encapsulant
JPH11186294A (ja) * 1997-10-14 1999-07-09 Sumitomo Metal Smi Electron Devices Inc 半導体パッケージ及びその製造方法
US6020629A (en) * 1998-06-05 2000-02-01 Micron Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of fabrication
JP2000003785A (ja) 1998-06-15 2000-01-07 Sony Corp エレクトロルミネッセント・ディスプレイの製造方法
US6154285A (en) * 1998-12-21 2000-11-28 Secugen Corporation Surface treatment for optical image capturing system
US6384473B1 (en) * 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
JP2002094082A (ja) * 2000-07-11 2002-03-29 Seiko Epson Corp 光素子及びその製造方法並びに電子機器
JP2002057271A (ja) 2000-08-10 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置、およびその製造方法
JP4000507B2 (ja) * 2001-10-04 2007-10-31 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
US7180149B2 (en) * 2003-08-28 2007-02-20 Fujikura Ltd. Semiconductor package with through-hole
JP4542768B2 (ja) * 2003-11-25 2010-09-15 富士フイルム株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP4271625B2 (ja) * 2004-06-30 2009-06-03 株式会社フジクラ 半導体パッケージ及びその製造方法
KR100687069B1 (ko) * 2005-01-07 2007-02-27 삼성전자주식회사 보호판이 부착된 이미지 센서 칩과 그의 제조 방법
JP4463193B2 (ja) 2005-12-27 2010-05-12 ソニー株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JP4463194B2 (ja) 2005-12-27 2010-05-12 ソニー株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH085566Y2 (ja) * 1989-07-12 1996-02-14 オリンパス光学工業株式会社 固体撮像装置
JP2001257334A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法

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