JP4354321B2 - 固体撮像素子パッケージ、半導体パッケージ、カメラモジュール、及び固体撮像素子パッケージの製造方法 - Google Patents
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Description
3上に光透過性保護部材205を一括で貼り付けた後、ダイシングにより切り分ける方法とが考えられるが、工程の簡略化やコストを考えると、ダイシングにより切り分ける後者の方法が増加するものと考えられる。
る二酸化ケイ素(SiO2)等の酸化膜を使用することができる。
ージの製造方法において、前記固体撮像素子が形成された半導体チップの裏面から、吸引することにより前記絶縁膜を破り、孔を形成することを特徴としている。
本発明の一実施形態について図1ないし図11に基づいて説明すれば、以下の通りである。
の深さまでエッチングして、非貫通状態の空気孔用貫通孔11及び貫通電極用貫通孔21を形成する。本実施の形態では、エッチング深さを、例えば110μm〜120μmとする。その後、図5(a)(b)に示すように、レジストマスク層25を除去する。
を行う部分つまり貫通電極7となる部分を開口し、銅(Cu)メッキを行う。すなわち、図8(a)に示す空気孔用貫通孔11には電解メッキを行わないためレジストマスク層26を全面に覆っている。一方、図8(b)に示すように、固体撮像素子10aの外部入出力端子6つまり電極パッドと貫通電極7となる貫通電極用貫通孔21とに銅(Cu)メッキを成長させている。なお、この時、図8(a)に示す空気孔用貫通孔11が形成された半導体ウエハ1に液状レジストをスピンコートすることが困難で有れば、レジストマスク層26の形成のためにドライフィルムレジストを用いることができる。
SiO2)からなる酸化膜を使用する場合を説明したが、必ずしもこれに限らず、例えば
、図6(a)(b)において、絶縁膜12として感光性のポリイミドや、感光性の有機絶縁材料を用いることも可能である。又は、半導体ウエハ1を陰極として、ポリイミドを電着により形成しても良い。
ある。したがって、一般的に、絶縁膜として使用されるCVD(Chemical Vapor Deposition)による二酸化ケイ素(SiO2)等の酸化膜を使用することができる。
本発明の他の実施の形態について図12ないし図15に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、上記実施の形態1と同じである。また、説明の便宜上、上記の実施の形態1の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
ジュール50の組み立て工程の管理が容易になるメリットがある。
3 光透過性保護部材
4 受光センサ領域
5 封止剤
7 貫通電極
8 裏面再配線層
9 外部取り出し電極
10 固体撮像素子パッケージ
10a 固体撮像素子
11 空気孔用貫通孔
12 絶縁膜
12a 底蓋絶縁膜(半導体ウエハの裏面側を塞ぐ絶縁膜)
17 内部空間
21 貫通電極用貫通孔
40 固体撮像素子パッケージ
40a 固体撮像素子
45 半導体パッケージ
50 カメラモジュール
51 回路基板
52 スルーホール(回路基板スルーホール)
56 封止材
56a 切れ目(空隙)
57 隙間
60 カメラモジュール
Claims (13)
- 半導体ウエハに形成された固体撮像素子と、
上記固体撮像素子の受光センサ領域から間隔をおいて対向配置された光透過性保護部材と、
上記受光センサ領域以外の領域にて、上記光透過性保護部材と上記半導体ウエハの表面とを接着固定する封止剤と、
上記半導体ウエハにおける受光センサ領域以外のフィールド領域において、半導体ウエハを貫通する1個又は複数個の空気孔用貫通孔と、
上記空気孔用貫通孔における半導体ウエハの裏面側を塞ぐべく形成された絶縁膜とを含むことを特徴とする固体撮像素子パッケージ。 - 前記絶縁膜が酸化膜であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子パッケージ。
- 前記絶縁膜が窒化膜であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子パッケージ。
- 前記絶縁膜がポリイミドであることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子パッケージ。
- 前記絶縁膜の厚みは、0.05μm〜50μmであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体撮像素子パッケージ。
- 前記半導体ウエハを貫通する空気孔用貫通孔の大きさは、一辺が10μm〜100μmの正方形若しくは長方形、又は直径10μm〜100μmの円形状であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の固体撮像素子パッケージ。
- 回路基板上に、請求項1〜6のいずれか1項に記載の固体撮像素子パッケージが搭載されていることを特徴とする半導体パッケージ。
- レンズ、及び該レンズを保持するレンズホルダが、請求項7記載の半導体パッケージにおける回路基板上に搭載されていることを特徴とするカメラモジュール。
- 前記回路基板には、固体撮像素子パッケージに形成された空気孔用貫通孔の延長線上となる位置に、回路基板スルーホールが形成されていることを特徴とする請求項8記載のカメラモジュール。
- 前記回路基板と固体撮像素子との間には、前記固体撮像素子パッケージの外部空間から、前記空気孔用貫通孔に形成された絶縁膜に通ずる隙間が形成されていると共に、前記レンズホルダと上記回路基板との接着剤による接着接合部の一部に該接着剤の存在しない空隙が1個又は複数個設けられていることを特徴とする請求項8記載のカメラモジュール。
- 固体撮像素子が形成された半導体チップの表面から半導体ウエハのシリコン(Si)をエッチングして非貫通状態の空気孔用貫通孔を形成する工程と、
上記空気孔用貫通孔の内壁に絶縁膜を形成する工程と、
上記半導体ウエハの裏面からシリコン(Si)をエッチングして、上記空気孔用貫通孔の底面の絶縁膜を露出させる工程と、
上記半導体ウエハの表面に形成された受光センサ領域から間隔をおいて対向配置された光透過性保護部材を該半導体ウエハの表面に接着剤で接着する工程と、
上記半導体チップをダイシング加工する工程と、
上記空気孔用貫通孔の底面の絶縁膜に穴を開ける工程とを含むことを特徴とする固体撮
像素子パッケージの製造方法。 - 前記空気孔用貫通孔における半導体ウエハのシリコン(Si)のエッチング深さは、110μm〜120μmであることを特徴とする請求項11記載の固体撮像素子パッケージの製造方法。
- 前記固体撮像素子が形成された半導体チップの裏面から、吸引することにより前記絶縁膜を破り、孔を形成することを特徴とする請求項11記載の固体撮像素子パッケージの製造方法。
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