JP2019040893A - 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents

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昌也 長田
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Abstract

【課題】端子数を増大する。
【解決手段】固体撮像装置は、入射された光を電気信号へ変換する画素が行列状に配置された受光領域を備えるイメージセンサ基板と、イメージセンサ基板の平面方向外側に配置され、電気信号を出力するはんだボールと、イメージセンサ基板およびはんだボールと、対向して配置されたガラス基板と、ガラス基板に形成された配線パターンとはんだボールとを、その間に挿入されたガラス接着樹脂を貫通して接続する貫通電極とを備える。本開示は、例えば、イメージセンサ基板を備えるパッケージ等に適用できる。
【選択図】図1

Description

本技術は、固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関し、特に、端子数を増大することができるようにした固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。
イメージセンサの半導体パッケージ(PKG)としては、セラミックPKGや、有機基板にBGAを載せた有機BGAPKG、Fan-in型のChip Size Wafer Level PKGなどが一般的である(例えば、特許文献1参照)。Fan-in型とは、イメージセンサチップの下面に端子を配置した構造である。
一方、Memory/Logicの分野においては、近年、チップの高性能化や小型化の要求が強く、高密度実装可能なFan-out型の半導体パッケージが広まりつつある(例えば、特許文献2参照)。Fan-out型とは、チップより外側に端子を配置した構造である。
特開2012−114370号公報 特開2000−323616号公報
イメージセンサの半導体パッケージにおいても、高性能化、高速化に伴い、高速InterFaceが必要となってきており、端子数のさらなる増加が見込まれる。
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、端子数を増大することができるようにするものである。
本技術の第1の側面の固体撮像装置は、入射された光を電気信号へ変換する画素が行列状に配置された受光領域を備えるイメージセンサ基板と、前記イメージセンサ基板の平面方向外側に配置され、前記電気信号を出力する外部端子と、前記イメージセンサ基板および前記外部端子と、対向して配置されたガラス基板と、前記ガラス基板に形成された配線と前記外部端子とを、その間に挿入された接着樹脂を貫通して接続する貫通電極とを備える。
本技術の第2の側面の固体撮像装置の製造方法は、ガラス基板上に配線を形成し、前記配線が形成された前記ガラス基板に接着樹脂を形成し、個片化されたイメージセンサ基板を、前記配線と接続されるように前記ガラス基板と貼り合わせ、前記イメージセンサ基板の平面方向外側に、前記接着樹脂を貫通して前記配線と接続する貫通電極を形成し、前記貫通電極に接続するように外部端子を形成する。
本技術の第3の側面の電子機器は、入射された光を電気信号へ変換する画素が行列状に配置された受光領域を備えるイメージセンサ基板と、前記イメージセンサ基板の平面方向外側に配置され、前記電気信号を出力する外部端子と、前記イメージセンサ基板および前記外部端子と、対向して配置されたガラス基板と、前記ガラス基板に形成された配線と前記外部端子とを、その間に挿入された接着樹脂を貫通して接続する貫通電極とを備える固体撮像装置を備える。
本技術の第1および第3の側面においては、固体撮像装置において、入射された光を電気信号へ変換する画素が行列状に配置された受光領域を備えるイメージセンサ基板と、前記イメージセンサ基板の平面方向外側に配置され、前記電気信号を出力する外部端子と、前記イメージセンサ基板および前記外部端子と、対向して配置されたガラス基板と、前記ガラス基板に形成された配線と前記外部端子とを、その間に挿入された接着樹脂を貫通して接続する貫通電極とが設けられる。
本技術の第2の側面においては、ガラス基板上に配線が形成され、前記配線が形成された前記ガラス基板に接着樹脂が形成され、個片化されたイメージセンサ基板が、前記配線と接続されるように前記ガラス基板と貼り合わされ、前記イメージセンサ基板の平面方向外側に、前記接着樹脂を貫通して前記配線と接続する貫通電極が形成され、前記貫通電極に接続するように外部端子が形成される。
固体撮像装置及び電子機器は、独立した装置であっても良いし、他の装置に組み込まれるモジュールであっても良い。
本技術の第1乃至第3の側面によれば、パッケージを小型化しつつ、端子数を増大することができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
本開示を適用した固体撮像装置としてのイメージセンサPKGの第1実施の形態の断面図である。 図1のイメージセンサPKGに再配線を形成した場合の断面図である。 第1実施の形態に係るイメージセンサPKGの製造方法について説明する図である。 第1実施の形態に係るイメージセンサPKGの製造方法について説明する図である。 第1実施の形態の第1変形例を示す断面図である。 第1実施の形態の第2変形例を示す断面図である。 本開示を適用した固体撮像装置としてのイメージセンサPKGの第2実施の形態の断面図である。 第2実施の形態の変形例を示す断面図である。 第2実施の形態に係るイメージセンサPKGの製造方法について説明する図である。 金属膜の変形例を示す平面図である。 本開示を適用した固体撮像装置としてのイメージセンサPKGの第3実施の形態の断面図である。 第3実施の形態の第1変形例を示す断面図である。 第3実施の形態の第2変形例を示す断面図である。 第3実施の形態に係るイメージセンサPKGの製造方法について説明する図である。 第3実施の形態の第2変形例に係るイメージセンサPKGの製造方法について説明する図である。 本開示に係る技術を適用し得る積層型の固体撮像装置の構成例の概要を示す図である。 積層型の固体撮像装置23020の第1の構成例を示す断面図である。 積層型の固体撮像装置23020の第2の構成例を示す断面図である。 積層型の固体撮像装置23020の第3の構成例を示す断面図である。 本開示に係る技術を適用し得る積層型の固体撮像装置の他の構成例を示す断面図である。 本開示に係る技術を適用した電子機器としての撮像装置の構成例を示すブロック図である。 イメージセンサの使用例を説明する図である。 体内情報取得システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びCCUの機能構成の一例を示すブロック図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
以下、本技術を実施するための形態(以下、実施の形態という)について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.固体撮像装置の第1実施の形態(Fan-out型のイメージセンサPKGの構成例)
2.固体撮像装置の第2実施の形態(イメージセンサ基板の下面に金属膜を追加した構成例)
3.固体撮像装置の第3実施の形態(放熱板を追加した構成例)
4.イメージセンサ基板11として適用し得る固体撮像装置の構成例
5.電子機器への適用例
6.イメージセンサの使用例
7.体内情報取得システムへの応用例
8.内視鏡手術システムへの応用例
9.移動体への応用例
<1.固体撮像装置の第1実施の形態>
<イメージセンサPKGの断面図>
図1は、本開示を適用した固体撮像装置としてのイメージセンサPKG(パッケージ)の第1実施の形態の断面図である。
図1に示されるイメージセンサPKG1は、図中の上側から入射される光を電気信号へ変換するイメージセンサ基板11を備える。以下では、図中、イメージセンサ基板11の光入射面となる上側の面を上面、光入射面と反対側の面を下面という。
個片化されたイメージセンサ基板11の光入射側となる上側には、ガラス基板13が配置され、イメージセンサ基板11とガラス基板13が、ガラス接着樹脂12により間隙なく接続されている。
ガラス基板13の平面サイズはイメージセンサ基板11よりも大きく、イメージセンサ基板11は、平面視において、ガラス基板13の略中央部に配置されており、イメージセンサ基板11と同一平面上の、イメージセンサ基板11より外側は、モールド樹脂18によって、ガラス接着樹脂12が封止されている。
従って、換言すれば、イメージセンサPKG1の略中央部に配置されたイメージセンサ基板11と、その同一平面の外周に形成されたモールド樹脂18とが、ガラス接着樹脂12を介して、ガラス基板13と対向して配置されている。
ガラス接着樹脂12の材料としては、ガラス基板13と同程度の屈折率、例えば、1.4乃至1.6程度の屈折率の樹脂が用いられる。ガラス接着樹脂12は、入射された光をイメージセンサ基板11の画素へ入射させるため、光透過性であることは勿論である。
イメージセンサ基板11は、入射された光を電気信号へ変換する画素が行列状に配置された受光領域を備え、各画素の最上層にオンチップレンズ14が形成されている。各画素は、例えば、光電変換するためのフォトダイオード(PD)と、光電変換動作や光電変換された電気信号を読み出す動作を制御する、複数個の画素トランジスタ、R(赤)、G(緑)、またはB(青)等のカラーフィルタを備える。画素トランジスタは、例えば、MOSトランジスタであることが望ましい。
イメージセンサ基板11の上面(ガラス基板13と向き合う面)の、受光領域に形成されたオンチップレンズ14の外周側には、イメージセンサ基板11へ信号や電源等を入出力するための電極パッド15が複数形成されている。各電極パッド15は、ピラー16を介して、ガラス基板13の下面に形成された配線パターン17と接続されている。
配線パターン17は、イメージセンサPKG1の外周側へ拡がるように形成され、イメージセンサ基板11の外周部分で、ガラス接着樹脂12およびモールド樹脂18を貫通する複数の貫通電極19に接続されている。各貫通電極19は、モールド樹脂18の外側に形成された複数のはんだボール20の少なくとも1つと接続されている。
はんだボール20は、装置外部の不図示の配線と電気的に接続し、イメージセンサ基板11の電極パッド15、ピラー16、配線パターン17、および、貫通電極19を経由して伝送されるイメージセンサ基板11の信号や電源等を、装置外部に対して入出力する外部端子である。
以上のように構成されるイメージセンサPKG1の特徴的構造の1つは、イメージセンサ基板11の平面方向外側(外周部)に外部端子としてはんだボール20を設け、イメージセンサ基板11の入出力信号や電源等をはんだボール20から入出力する、いわゆるFan-out型のパッケージ構造を有する点である。これにより、イメージセンサPKG1の端子数を増大することができる。
また、イメージセンサPKG1の特徴的構造の他の1つは、ガラス基板13と、対向するイメージセンサ基板11およびモールド樹脂18との間隙が、光透過性のガラス接着樹脂12で埋められ、キャビティレスで形成されている点である。ガラス基板13とイメージセンサ基板11との間を埋める樹脂と、ガラス基板13とモールド樹脂18との間を埋める樹脂が、同一のガラス接着樹脂12である点も特徴である。ガラス基板13の配線パターン17とイメージセンサ基板11の電極パッド15との間を信号等を伝送するピラー16は、ガラス接着樹脂12を貫通するように形成され、ガラス基板13の配線パターン17とはんだボール20との間を信号等を伝送する貫通電極19は、ガラス接着樹脂12およびモールド樹脂18を貫通するように形成される。このキャビティレス構造により、後述する製造工程において詳述するが、イメージセンサ基板11の厚みを、必要最低限の薄さまで薄くすることができ、ひいては、イメージセンサPKG1の低背化および小型化を実現することができる。
なお、図1では、紙面の都合上、電極パッド15、ピラー16、および、配線パターン17の1つの配線経路に、複数の貫通電極19およびはんだボール20が接続されるように図示されているが、当然に、各信号線および各制御線、電源ラインやGNDラインは、適切に分離、絶縁されて、配線されている。
また、図1では、貫通電極19の直下にはんだボール20が配置される構成のみが図示されているが、例えば、図2に示されるように、モールド樹脂18下面に再配線21を形成し、再配線21を介して貫通電極19とはんだボール20が電気的に接続される構成も取り得る。
<第1実施の形態の製造方法>
次に、図3および図4を参照して、第1実施の形態に係るイメージセンサPKG1の製造方法について説明する。
初めに、図3のAおよびBに示されるように、用意されたガラス基板13の一方の面(図中、下面)に対して、所定の配線パターン17が形成される。配線パターン17は、Al、AlCu、AlSiCu、Cu、Ti、Cr、Niなどの金属材料の単層または積層で形成することができる。また、形成方法についても、スパッタ法、電解めっき法、無電解めっき法、蒸着法など任意の方法を採用することができる。例えば、シード層としてTiやCuをスパッタ法などで形成した後、電解めっき法によりCu、Cr、Niを形成することで、配線パターン17が形成される。配線パターン17のパターン領域以外については、次のピラー形成工程において無電解めっき法を用いる場合には、シード層を含め除去されるが、電解めっき法を用いる場合には、シード層は残される。また、例えば、金属材料として、Al、AlCu、AlSiCuなどを用いる場合には、スパッタ法、蒸着法などを用いて、配線パターン17が形成される。
次に、図3のCに示されるように、形成された配線パターン17の所定の部分に、電解めっき法または無電解めっき法により、Au、Cu、Niなどの金属材料を用いて、ピラー16が形成される。配線パターン17のピラー16が形成される部分以外については、レジスト(不図示)で覆われる。ピラー16形成後、レジストが除去されるが、電解めっき法を用いた場合には、図3のBの配線パターン17の形成工程で残しておいたシード層も合わせて除去される。
次に、図3のDに示されるように、ピラー16および配線パターン17が形成されたガラス基板13上に、ピラー16を覆う程度まで、ガラス接着樹脂12が形成される。ガラス接着樹脂12の樹脂材料には、半硬化タイプのものが採用され、その屈折率は、ガラス基板13と同程度の1.4乃至1.6程度に設定される。また、ガラス接着樹脂12の屈折率は、オンチップレンズ14よりも低く設計される。
次に、図3のEに示されるように、フォトダイオード、複数個の画素トランジスタ、信号処理回路等が形成され、個片化されたイメージセンサ基板11が、ピラー16や配線パターン17が形成されたガラス基板13と貼り合わされる。この貼り合わせ工程では、イメージセンサ基板11に形成された電極パッド15が、ピラー16と接続されるように水平方向の位置合わせがされた後、加圧される。加圧により、ピラー16上部のガラス接着樹脂12は周辺に押し出され、電極パッド15とピラー16とが物理的に接続された後、ガラス接着樹脂12が硬化される。
次に、図3のFに示されるように、マウントされたイメージセンサ基板11と、その周辺のガラス接着樹脂12の上面(図3では、下面)に、モールド樹脂18が塗布された後、硬化される。モールド樹脂18の樹脂材料は、熱膨張係数の低いものが好ましい。なお、モールド樹脂18とガラス接着樹脂12を同時に硬化してもよい。
次に、図4のAに示されるように、モールド樹脂18とイメージセンサ基板11が、バックグラインダにより研削され、イメージセンサ基板11が、所定の厚みとなるまで薄肉化される。これにより、イメージセンサ基板11を配置した面全体が平坦化され、モールド樹脂18とイメージセンサ基板11は同一の厚みとなる。
この研削工程では、イメージセンサ基板11に対してガラス基板13方向の所定の力が加わるが、ガラス基板13とイメージセンサ基板11との間がガラス接着樹脂12で完全に埋められたキャビティレス構造であるため、ガラス基板13方向へ加わる力に対する強度が増し、イメージセンサ基板11を極限まで薄肉化することができる。例えば、ガラス基板13とイメージセンサ基板11との間にガラス接着樹脂12を埋め込まず、空隙とした場合には、約80μm程度の厚みでイメージセンサ基板11が破損することがあるが、キャビティレス構造の場合には、数μm程度の厚みまで薄肉化することができる。
次に、図4のBに示されるように、イメージセンサ基板11の平面方向外側のモールド樹脂18の所定の領域、具体的には、貫通電極19を形成する部分に、モールド樹脂18およびガラス接着樹脂12を貫通する貫通穴31が形成される。貫通穴31は、例えば、ドライエッチングまたはレーザドリル等で形成することができる。モールド樹脂18が形成された平面領域に複数形成された貫通穴31は、ガラス基板13表面に形成された配線パターン17に到達するまで形成される。
次に、図4のCに示されるように、モールド樹脂18の平面領域に複数形成された貫通穴31それぞれに、電極となる金属材料が埋め込まれ、貫通電極19が形成される。例えば、シード層として、TiおよびCuの積層をスパッタ法などで形成した後、電解めっき法によりCuやNiを形成することで、貫通電極19を形成することができる。
図2に示したように、モールド樹脂18表面に再配線21を形成する場合には、モールド樹脂18表面の再配線21が形成されない領域に対してソルダマスクを形成した後、上記の電解めっき法によりCu等の金属材料を形成することで、貫通電極19と再配線21を同時に形成することができる。貫通電極19と再配線21を形成後、不要部分に形成されたシード層は除去される。貫通電極19となる金属材料としては、Alを埋め込む場合には、スパッタ法が用いられる。シード層は、TiおよびNiの積層などでもよい。
最後に、図4のDに示されるように、貫通電極19と電気的に接続されるように、貫通電極19の直下、または、貫通電極19と接続された再配線21上に、外部端子としてのはんだボール20が、はんだボールマウント法などにより形成される。はんだボール20が形成される領域以外は、ソルダマスクで保護され、ソルダマスクが開口された領域に対してのみ、はんだボール20が形成される。なお、はんだボール20は、スクリーン印刷法で形成してもよい。
以上で、図1に示したイメージセンサPKG1が完成する。
図3のDに示したように、ガラス接着樹脂12は、イメージセンサ基板11で挟まれる領域と、モールド樹脂18で挟まれる領域の両方の領域に、一括で形成されるので、貫通電極19の形成領域と、イメージセンサ基板11の受光領域上に形成される樹脂は同一となる。
<第1実施の形態の変形例>
次に、図1に示した第1実施の形態の変形例について説明する。
図5は、第1実施の形態の第1変形例を示す断面図である。
図5において、図1に示した第1実施の形態と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は省略して、異なる部分について説明する。図6に示す第1実施の形態の第2変形例についても同様である。
図1に示した第1実施の形態では、イメージセンサ基板11の下面(ガラス基板13側とは反対側の面)には、何も形成されていなかったが、図5に示される第1変形例では、メモリやロジックICなどのコンパニオンチップ41が少なくとも1つ以上配置されている。
コンパニオンチップ41は、マイクロバンプ42と配線43を介して、イメージセンサ基板11と電気的に接続されている。
イメージセンサ基板11の下側の面に形成される配線43は、モールド樹脂18表面に再配線21を形成する工程において、再配線21と同時に形成することができる。マイクロバンプ42は、はんだボール20を形成する工程と同時に形成することができる。マイクロバンプ42を形成後、コンパニオンチップ41がマウントされる。
このように、イメージセンサPKG1として、イメージセンサ基板11の光入射面とは反対側の下面に、コンパニオンチップ41を追加した構成も可能である。
図6は、第1実施の形態の第2変形例を示す断面図である。
図1に示した第1実施の形態では、イメージセンサ基板11とモールド樹脂18の厚みが同一とされ、イメージセンサ基板11の光入射面とは反対側の面には、モールド樹脂18が形成されていなかった。
これに対して、図6に示される第2変形例では、イメージセンサ基板11の光入射面とは反対側の下面には、モールド樹脂18が形成されている。また、イメージセンサ基板11の厚みが、図1の第1実施の形態よりも厚く形成されている。
図1に示した第1実施の形態のイメージセンサPKG1を製造する場合には、図4のAを参照して説明したように、イメージセンサ基板11が所定の厚みとなるまで、モールド樹脂18とイメージセンサ基板11が、バックグラインダにより研削され、薄肉化される。
一方、図6の第2変形例に係るイメージセンサPKG1を製造する場合には、図3のFに示した状態から、モールド樹脂18のみをバックグラインダにより研削し、イメージセンサ基板11に到達する前に、研削が終了される。これにより、モールド樹脂18で、イメージセンサ基板11が覆われる構造となる。
このように、イメージセンサPKG1として、イメージセンサ基板11の光入射面とは反対側の下面を露出させずに、モールド樹脂18で覆う構成も可能である。この場合、イメージセンサ基板11が露出しないので、防水性に優れ、イメージセンサ基板11の破損をより防ぐことができる。
<2.固体撮像装置の第2実施の形態>
<イメージセンサPKGの断面図>
次に、イメージセンサPKGの第2実施の形態について説明する。
以下で説明するイメージセンサPKGの第2実施の形態および第3実施の形態は、上述した第1実施の形態に、放熱性を向上させた形態である。
図7は、本開示を適用した固体撮像装置としてのイメージセンサPKGの第2実施の形態の断面図である。
図7において、図1に示した第1実施の形態と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は省略して、異なる部分について説明する。
図7の第2実施の形態では、図1の第1実施の形態と比較すると、イメージセンサ基板11の光入射面とは反対側の下面に、金属膜61が新たに形成されている点が異なる。
金属膜61は、ベタ膜として、イメージセンサ基板11の下面全面に形成されており、モールド樹脂18の下面に複数形成されているはんだボール20の少なくとも1つに接続するように形成されている。金属膜61と接続されたはんだボール20は、例えば、GND端子とされる。
なお、イメージセンサ基板11の半導体基板がP型基板かまたはN型基板かなど、必要に応じて、イメージセンサ基板11の下面と金属膜61との間に絶縁膜を形成してもよい。
この第2実施の形態のように、イメージセンサ基板11の下面に金属膜61を形成し、はんだボール20の一部を金属膜61と接続する構成とすることにより、イメージセンサPKG1に発生する熱を、金属膜61と接続されたはんだボール20から効率的に排熱することができ、放熱性が向上する。
<第2実施の形態の変形例>
次に、第2実施の形態の変形例について説明する。
図8は、第2実施の形態の変形例を示す断面図である。
図8において、図7に示した第2実施の形態と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は省略して、異なる部分について説明する。
図7に示した第2実施の形態では、イメージセンサ基板11の下面の金属膜61の面上には何も形成されていなかったが、図8に示される変形例では、ダミーのはんだボール20dが複数形成されている。
すなわち、金属膜61の面上に形成されている複数のはんだボール20dは、イメージセンサ基板11の制御に必要な信号や電源電圧等を入出力する端子ではなく、放熱性を高めるための端子である。なお、ダミーのはんだボール20dは、GND電位とは接続されていてもよい。
<第2実施の形態の製造方法>
次に、図9を参照して、第2実施の形態に係るイメージセンサPKG1の製造方法について説明する。
第2実施の形態に係るイメージセンサPKG1の製造方法のうち、第1実施の形態の製造方法で説明した図3のAから図4のCまで工程は、第2実施の形態においても同様である。図9のAは、第1実施の形態の製造方法で説明した図4のCと同じ状態を示している。
図9のAのように、モールド樹脂18が形成された平面領域に複数の貫通電極19が形成された後、図9のBに示されるように、イメージセンサ基板11の下面に、金属膜61が形成される。なお、金属膜61は、モールド樹脂18表面に形成する再配線21と同時に形成してもよいし、別々に形成してもよい。
次に、図9のCに示されるように、貫通電極19の直下、または、貫通電極19と接続された再配線21上に、外部端子としてのはんだボール20が、はんだボールマウント法などにより形成される。これにより、図7に示した第2実施の形態に係るイメージセンサPKG1が完成する。
一方、図9のDに示されるように、外部端子としてのはんだボール20と同時に、金属膜61の面上にも、ダミーのはんだボール20dを複数形成した場合、図8に示した第2実施の形態の変形例に係るイメージセンサPKG1が完成する。
<金属膜の変形例>
上述した例では、金属膜61は、ベタ膜として、イメージセンサ基板11の下面全面に形成されると説明したが、応力緩和のため、金属膜61の領域内に、複数の貫通穴を等間隔に形成してもよい。
図10のAは、金属膜61をベタ膜として形成した場合のイメージセンサPKG1の下面全体の平面図を示している。
図10のBは、金属膜61の領域内に複数の貫通穴62を等間隔に形成した場合の、イメージセンサPKG1の下面全体の平面図を示している。これにより、金属膜61による反り等の応力を緩和することができる。
<3.固体撮像装置の第3実施の形態>
<イメージセンサPKGの断面図>
次に、イメージセンサPKGの第3実施の形態について説明する。
図11は、本開示を適用した固体撮像装置としてのイメージセンサPKGの第3実施の形態の断面図である。
図11において、図1に示した第1実施の形態と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は省略して、異なる部分について説明する。
図11の第3実施の形態では、図1の第1実施の形態と比較すると、複数のはんだボール20が形成されるモールド樹脂18の下面(ガラス基板13側と反対側の面)の一部に、放熱板(スティフナ)71Aが新たに形成されている点が異なる。放熱板71Aは、例えば、ステンレス、Cu、Al、Ni、Tiなどの金属材料で構成される。
放熱板71Aは、モールド樹脂18の下面と接着剤等で接続されるとともに、貫通電極19の一部である放熱用の貫通電極19dとも接続するように形成されている。放熱用の貫通電極19dは、ガラス基板13の下面に形成された配線パターン17の一部とも接続されており、イメージセンサ基板11から発生した熱は、配線パターン17、放熱用の貫通電極19d、放熱板71Aへと伝達され、排熱される。
<第3実施の形態の変形例>
次に、第3実施の形態の変形例について説明する。
図12は、第3実施の形態の第1変形例を示す断面図である。
図12において、図11に示した第3実施の形態と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は省略して、異なる部分について説明する。
図11に示した第3実施の形態では、モールド樹脂18の下面の一部分(例えば、外周部分)のみに、放熱板71Aが形成されていた。
これに対して、図12の第1変形例では、放熱板71Aの他に、イメージセンサ基板11のガラス基板13側と反対側の面にも、放熱板71Bが形成されている。放熱板71Bの材料は、放熱板71Aと同じである。
図13は、第3実施の形態の第2変形例を示す断面図である。
図13において、図11に示した第3実施の形態と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は省略して、異なる部分について説明する。
図11に示した第3実施の形態では、モールド樹脂18の下面となるイメージセンサPKG1の外側に、放熱板71Aが形成されていた。
これに対して、図13の第2変形例では、放熱板71Aが、モールド樹脂18で覆われるように、ガラス接着樹脂12とモールド樹脂18の間に形成され、イメージセンサPKG1の内側に形成されている。
図13において、放熱板71Aは、貫通電極19の一部である放熱用の貫通電極19dと、放熱用の再配線21dと、接続されている。放熱用の貫通電極19dは、ガラス基板13の下面に形成された配線パターン17の一部と、放熱用のはんだボール20dとも接続するように形成されている。これにより、イメージセンサ基板11から発生した熱は、配線パターン17、放熱用の貫通電極19d、放熱用の再配線21d、放熱板71Aへと伝達され、排熱される。また、放熱用のはんだボール20dからも排熱される。
なお、図13の第2変形例に、さらに、図12に示した放熱板71Bを追加してもよい。
<第3実施の形態の製造方法>
次に、図14を参照して、第3実施の形態に係るイメージセンサPKG1の製造方法について説明する。
第3実施の形態に係るイメージセンサPKG1の製造方法のうち、第1実施の形態の製造方法で説明した図3のAから図4のCまで工程は、第3実施の形態においても同様である。図14のAは、第1実施の形態の製造方法で説明した図4のCと同じ状態を示している。
図14のAのように、モールド樹脂18が形成された平面領域に複数の貫通電極19が形成された後、図14のBに示されるように、モールド樹脂18の下面の一部に、放熱板71Aが、接着剤により接着される。複数形成された貫通電極19のうち、放熱板71Aと接続される貫通電極19が、放熱用の貫通電極19dとなる。
最後に、図14のCに示されるように、放熱板71Aが配置されていない貫通電極19の直下、または、貫通電極19と接続された再配線21上に、外部端子としてのはんだボール20が、はんだボールマウント法などにより形成される。これにより、図11に示した第3実施の形態に係るイメージセンサPKG1が完成する。
なお、図12に示したイメージセンサPKG1を製造する場合には、図14のBの放熱板71Aを接着する工程において、イメージセンサ基板11の下面にも、放熱板71Bを同時に接着すればよい。あるいはまた、放熱板71Aと放熱板71Bは、同時ではなく、個別に接着してもよい。
次に、図15を参照して、第3実施の形態の第2変形例に係るイメージセンサPKG1の製造方法について説明する。
第3実施の形態の第2変形例に係るイメージセンサPKG1の製造方法のうち、第1実施の形態の製造方法で説明した図3のAからEまで工程は、第3実施の形態の第2変形例においても同様である。図15のAは、第1実施の形態の製造方法で説明した図3のEと同じ状態である、個片化されたイメージセンサ基板11が、ガラス接着樹脂12が塗布されたガラス基板13に貼り合わされた状態を示している。
図15のAのように、個片化されたイメージセンサ基板11がガラス基板13に貼り合わされて、ガラス接着樹脂12が硬化された後、図15のBに示されるように、ガラス接着樹脂12の下面の一部に、放熱板71Aが、接着剤により接着される。
次に、図示は省略するが、図3のFで示した工程と同様に、イメージセンサ基板11と、その周辺のガラス接着樹脂12の領域に(放熱板71Aが形成された面を含む)、モールド樹脂18が塗布され、硬化された後、図4のAで示した工程と同様に、モールド樹脂18とイメージセンサ基板11が、バックグラインダにより研削され、所定の厚みとなるまで薄肉化される。
そして、モールド樹脂18とイメージセンサ基板11の両方が所定の厚みとなるまで薄肉化された後、図15のCに示されるように、モールド樹脂18が形成された所定の領域、具体的には、貫通電極19を形成する部分に、モールド樹脂18およびガラス接着樹脂12を貫通する貫通穴31が形成される。この工程は、図4のBで示した工程と同様である。このとき、放熱板71Aと接続する箇所についても、モールド樹脂18をエッチングし、開口部32が形成される。
次に、図15のDに示されるように、モールド樹脂18の平面領域に複数形成された貫通穴31それぞれに、電極となる金属材料が埋め込まれ、貫通電極19が形成される。また、モールド樹脂18表面に、必要に応じて再配線21(不図示)が形成され、開口部32にも金属材料が埋め込まれる。
複数形成された貫通電極19のうち、放熱板71Aへ接続される貫通電極19が放熱用の貫通電極19dとなり、複数形成される再配線21のうち、放熱用の貫通電極19dと放熱板71Aに接続された再配線21が、放熱用の再配線21dとなる。
最後に、図15のEに示されるように、貫通電極19の直下、または、貫通電極19と接続された再配線21上に、外部端子としてのはんだボール20が、はんだボールマウント法などにより形成される。
各貫通電極19に対応して形成されたはんだボール20のうち、放熱用の貫通電極19dまたは放熱用の再配線21dに接続するはんだボール20が、放熱用のはんだボール20dとなる。
以上により、第3実施の形態の第2変形例に係るイメージセンサPKG1が完成する。
以上のように、第1乃至第3実施の形態およびその変形例に係るイメージセンサPKG1は、イメージセンサ基板11の平面方向外側(外周部)に外部端子としてはんだボール20を設け、イメージセンサ基板11の入出力信号や電源等をはんだボール20から入出力する、いわゆるFan-out型のパッケージ構造を有する。これにより、イメージセンサPKG1の端子数を増大することができる。
また、ガラス基板13と、それに対向するイメージセンサ基板11およびモールド樹脂18との間がガラス接着樹脂12で隙間なく埋められ、キャビティレスで形成されているので、イメージセンサ基板11を薄肉化する工程の応力に強く、極限までイメージセンサ基板11を薄肉化することができ、パッケージの低背化に貢献する。
したがって、イメージセンサPKG1によれば、パッケージを小型化(低背化)しつつ、端子数を増大することができる。
さらに、金属膜61、放熱板71Aや放熱板71B、ダミーのはんだボール20dの少なくとも1つをさらに設けることにより、放熱性を向上させることができる。
<4.イメージセンサ基板11として適用し得る固体撮像装置の構成例>
上述したイメージセンサ基板11としては、以下のような非積層型の固体撮像装置や、複数の基板を積層して構成する積層型の固体撮像装置を適用することができる。
図16は、イメージセンサ基板11として適用し得る固体撮像装置の構成例の概要を示す図である。
図16のAは、非積層型の固体撮像装置の概略構成例を示している。固体撮像装置23010は、図16のAに示すように、1枚のダイ(半導体基板)23011を有する。このダイ23011には、画素がアレイ状に配置された画素領域23012と、画素の駆動その他の各種の制御を行う制御回路23013と、信号処理するためのロジック回路23014とが搭載されている。
図16のB及びCは、積層型の固体撮像装置の概略構成例を示している。固体撮像装置23020は、図14のB及びCに示すように、センサダイ23021とロジックダイ23024との2枚のダイが積層され、電気的に接続されて、1つの半導体チップとして構成されている。
図16のBでは、センサダイ23021には、画素領域23012と制御回路23013が搭載され、ロジックダイ23024には、信号処理を行う信号処理回路を含むロジック回路23014が搭載されている。
図16のCでは、センサダイ23021には、画素領域23012が搭載され、ロジックダイ23024には、制御回路23013及びロジック回路23014が搭載されている。
図17は、積層型の固体撮像装置23020の第1の構成例を示す断面図である。
センサダイ23021には、画素領域23012となる画素を構成するPD(フォトダイオード)や、FD(フローティングディフュージョン)、Tr(MOS FET)、及び、制御回路23013となるTr等が形成される。さらに、センサダイ23021には、複数層、本例では3層の配線23110を有する配線層23101が形成される。なお、制御回路23013(となるTr)は、センサダイ23021ではなく、ロジックダイ23024に構成することができる。
ロジックダイ23024には、ロジック回路23014を構成するTrが形成される。さらに、ロジックダイ23024には、複数層、本例では3層の配線23170を有する配線層23161が形成される。また、ロジックダイ23024には、内壁面に絶縁膜23172が形成された接続孔23171が形成され、接続孔23171内には、配線23170等と接続される接続導体23173が埋め込まれる。
センサダイ23021とロジックダイ23024とは、互いの配線層23101及び23161が向き合うように貼り合わされ、これにより、センサダイ23021とロジックダイ23024とが積層された積層型の固体撮像装置23020が構成されている。センサダイ23021とロジックダイ23024とが貼り合わされる面には、保護膜等の膜23191が形成されている。
センサダイ23021には、センサダイ23021の裏面側(PDに光が入射する側)(上側)からセンサダイ23021を貫通してロジックダイ23024の最上層の配線23170に達する接続孔23111が形成される。さらに、センサダイ23021には、接続孔23111に近接して、センサダイ23021の裏面側から1層目の配線23110に達する接続孔23121が形成される。接続孔23111の内壁面には、絶縁膜23112が形成され、接続孔23121の内壁面には、絶縁膜23122が形成される。そして、接続孔23111及び23121内には、接続導体23113及び23123がそれぞれ埋め込まれる。接続導体23113と接続導体23123とは、センサダイ23021の裏面側で電気的に接続され、これにより、センサダイ23021とロジックダイ23024とが、配線層23101、接続孔23121、接続孔23111、及び、配線層23161を介して、電気的に接続される。
図18は、積層型の固体撮像装置23020の第2の構成例を示す断面図である。
固体撮像装置23020の第2の構成例では、センサダイ23021に形成する1つの接続孔23211によって、センサダイ23021(の配線層23101(の配線23110))と、ロジックダイ23024(の配線層23161(の配線23170))とが電気的に接続される。
すなわち、図18では、接続孔23211が、センサダイ23021の裏面側からセンサダイ23021を貫通してロジックダイ23024の最上層の配線23170に達し、且つ、センサダイ23021の最上層の配線23110に達するように形成される。接続孔23211の内壁面には、絶縁膜23212が形成され、接続孔23211内には、接続導体23213が埋め込まれる。上述の図17では、2つの接続孔23111及び23121によって、センサダイ23021とロジックダイ23024とが電気的に接続されるが、図18では、1つの接続孔23211によって、センサダイ23021とロジックダイ23024とが電気的に接続される。
図19は、積層型の固体撮像装置23020の第3の構成例を示す断面図である。
図19の固体撮像装置23020は、センサダイ23021とロジックダイ23024とが貼り合わされる面に、保護膜等の膜23191が形成されていない点で、センサダイ23021とロジックダイ23024とが貼り合わされる面に、保護膜等の膜23191が形成されている図17の場合と異なる。
図19の固体撮像装置23020は、配線23110及び23170が直接接触するように、センサダイ23021とロジックダイ23024とを重ね合わせ、所要の加重をかけながら加熱し、配線23110及び23170を直接接合することで構成される。
図20は、本開示に係る技術を適用し得る積層型の固体撮像装置の他の構成例を示す断面図である。
図20では、固体撮像装置23401は、センサダイ23411と、ロジックダイ23412と、メモリダイ23413との3枚のダイが積層された3層の積層構造になっている。
メモリダイ23413は、例えば、ロジックダイ23412で行われる信号処理において一時的に必要となるデータの記憶を行うメモリ回路を有する。
図20では、センサダイ23411の下に、ロジックダイ23412及びメモリダイ23413が、その順番で積層されているが、ロジックダイ23412及びメモリダイ23413は、逆順、すなわち、メモリダイ23413及びロジックダイ23412の順番で、センサダイ23411の下に積層することができる。
なお、図20では、センサダイ23411には、画素の光電変換部となるPDや、画素Trのソース/ドレイン領域が形成されている。
PDの周囲にはゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、ゲート電極と対のソース/ドレイン領域により画素Tr23421、画素Tr23422が形成されている。
PDに隣接する画素Tr23421が転送Trであり、その画素Tr23421を構成する対のソース/ドレイン領域の一方がFDになっている。
また、センサダイ23411には、層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜には、接続孔が形成される。接続孔には、画素Tr23421、及び、画素Tr23422に接続する接続導体23431が形成されている。
さらに、センサダイ23411には、各接続導体23431に接続する複数層の配線23432を有する配線層23433が形成されている。
また、センサダイ23411の配線層23433の最下層には、外部接続用の電極となるアルミパッド23434が形成されている。すなわち、センサダイ23411では、配線23432よりもロジックダイ23412との接着面23440に近い位置にアルミパッド23434が形成されている。アルミパッド23434は、外部との信号の入出力に係る配線の一端として用いられる。
さらに、センサダイ23411には、ロジックダイ23412との電気的接続に用いられるコンタクト23441が形成されている。コンタクト23441は、ロジックダイ23412のコンタクト23451に接続されるとともに、センサダイ23411のアルミパッド23442にも接続されている。
そして、センサダイ23411には、センサダイ23411の裏面側(上側)からアルミパッド23442に達するようにパッド孔23443が形成されている。
イメージセンサ基板11は、以上のような固体撮像装置の構造を適用することができる。
<5.電子機器への適用例>
本開示に係る技術は、固体撮像装置への適用に限られるものではない。即ち、本開示に係る技術は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像装置を用いる複写機など、画像取込部(光電変換部)に固体撮像装置を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像装置は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
図21は、本開示に係る技術を適用した電子機器としての、撮像装置の構成例を示すブロック図である。
図21の撮像装置300は、レンズ群などからなる光学部301、図1のイメージセンサPKG1の構成が採用される固体撮像装置(撮像デバイス)302、およびカメラ信号処理回路であるDSP(Digital Signal Processor)回路303を備える。また、撮像装置300は、フレームメモリ304、表示部305、記録部306、操作部307、および電源部308も備える。DSP回路303、フレームメモリ304、表示部305、記録部306、操作部307および電源部308は、バスライン309を介して相互に接続されている。
光学部301は、被写体からの入射光(像光)を取り込んで固体撮像装置302の撮像面上に結像する。固体撮像装置302は、光学部301によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。この固体撮像装置302として、図1のイメージセンサPKG1、即ち、小型化(低背化)しつつ、端子数を増大したイメージセンサパッケージを用いることができる。
表示部305は、例えば、LCD(Liquid Crystal Display)や有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ等の薄型ディスプレイで構成され、固体撮像装置302で撮像された動画または静止画を表示する。記録部306は、固体撮像装置302で撮像された動画または静止画を、ハードディスクや半導体メモリ等の記録媒体に記録する。
操作部307は、ユーザによる操作の下に、撮像装置300が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部308は、DSP回路303、フレームメモリ304、表示部305、記録部306および操作部307の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
上述したように、固体撮像装置302として、上述した第1乃至第3実施の形態またはその変形例に係るイメージセンサPKG1を用いることで、小型化(低背化)しつつ、端子数を増大したイメージセンサパッケージことができる。従って、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、さらには携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置300においても、小型化を実現しつつ、例えば高速InterFaceを実現することができる。
<6.イメージセンサの使用例>
図22は、上述のイメージセンサPKG1を用いたイメージセンサの使用例を示す図である。
上述のイメージセンサPKG1を用いたイメージセンサは、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
<7.体内情報取得システムへの応用例>
本開示に係る技術(本技術)は、上述したように様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、カプセル型内視鏡を用いた患者の体内情報取得システムに適用されてもよい。
図23は、本開示に係る技術が適用され得る、カプセル型内視鏡を用いた患者の体内情報取得システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
体内情報取得システム10001は、カプセル型内視鏡10100と、外部制御装置10200とから構成される。
カプセル型内視鏡10100は、検査時に、患者によって飲み込まれる。カプセル型内視鏡10100は、撮像機能及び無線通信機能を有し、患者から自然排出されるまでの間、胃や腸等の臓器の内部を蠕動運動等によって移動しつつ、当該臓器の内部の画像(以下、体内画像ともいう)を所定の間隔で順次撮像し、その体内画像についての情報を体外の外部制御装置10200に順次無線送信する。
外部制御装置10200は、体内情報取得システム10001の動作を統括的に制御する。また、外部制御装置10200は、カプセル型内視鏡10100から送信されてくる体内画像についての情報を受信し、受信した体内画像についての情報に基づいて、表示装置(図示せず)に当該体内画像を表示するための画像データを生成する。
体内情報取得システム10001では、このようにして、カプセル型内視鏡10100が飲み込まれてから排出されるまでの間、患者の体内の様子を撮像した体内画像を随時得ることができる。
カプセル型内視鏡10100と外部制御装置10200の構成及び機能についてより詳細に説明する。
カプセル型内視鏡10100は、カプセル型の筐体10101を有し、その筐体10101内には、光源部10111、撮像部10112、画像処理部10113、無線通信部10114、給電部10115、電源部10116、及び制御部10117が収納されている。
光源部10111は、例えばLED(Light Emitting Diode)等の光源から構成され、撮像部10112の撮像視野に対して光を照射する。
撮像部10112は、撮像素子、及び当該撮像素子の前段に設けられる複数のレンズからなる光学系から構成される。観察対象である体組織に照射された光の反射光(以下、観察光という)は、当該光学系によって集光され、当該撮像素子に入射する。撮像部10112では、撮像素子において、そこに入射した観察光が光電変換され、その観察光に対応する画像信号が生成される。撮像部10112によって生成された画像信号は、画像処理部10113に提供される。
画像処理部10113は、CPU(Central Processing Unit)やGPU(Graphics Processing Unit)等のプロセッサによって構成され、撮像部10112によって生成された画像信号に対して各種の信号処理を行う。画像処理部10113は、信号処理を施した画像信号を、RAWデータとして無線通信部10114に提供する。
無線通信部10114は、画像処理部10113によって信号処理が施された画像信号に対して変調処理等の所定の処理を行い、その画像信号を、アンテナ10114Aを介して外部制御装置10200に送信する。また、無線通信部10114は、外部制御装置10200から、カプセル型内視鏡10100の駆動制御に関する制御信号を、アンテナ10114Aを介して受信する。無線通信部10114は、外部制御装置10200から受信した制御信号を制御部10117に提供する。
給電部10115は、受電用のアンテナコイル、当該アンテナコイルに発生した電流から電力を再生する電力再生回路、及び昇圧回路等から構成される。給電部10115では、いわゆる非接触充電の原理を用いて電力が生成される。
電源部10116は、二次電池によって構成され、給電部10115によって生成された電力を蓄電する。図23では、図面が煩雑になることを避けるために、電源部10116からの電力の供給先を示す矢印等の図示を省略しているが、電源部10116に蓄電された電力は、光源部10111、撮像部10112、画像処理部10113、無線通信部10114、及び制御部10117に供給され、これらの駆動に用いられ得る。
制御部10117は、CPU等のプロセッサによって構成され、光源部10111、撮像部10112、画像処理部10113、無線通信部10114、及び、給電部10115の駆動を、外部制御装置10200から送信される制御信号に従って適宜制御する。
外部制御装置10200は、CPU,GPU等のプロセッサ、又はプロセッサとメモリ等の記憶素子が混載されたマイクロコンピュータ若しくは制御基板等で構成される。外部制御装置10200は、カプセル型内視鏡10100の制御部10117に対して制御信号を、アンテナ10200Aを介して送信することにより、カプセル型内視鏡10100の動作を制御する。カプセル型内視鏡10100では、例えば、外部制御装置10200からの制御信号により、光源部10111における観察対象に対する光の照射条件が変更され得る。また、外部制御装置10200からの制御信号により、撮像条件(例えば、撮像部10112におけるフレームレート、露出値等)が変更され得る。また、外部制御装置10200からの制御信号により、画像処理部10113における処理の内容や、無線通信部10114が画像信号を送信する条件(例えば、送信間隔、送信画像数等)が変更されてもよい。
また、外部制御装置10200は、カプセル型内視鏡10100から送信される画像信号に対して、各種の画像処理を施し、撮像された体内画像を表示装置に表示するための画像データを生成する。当該画像処理としては、例えば現像処理(デモザイク処理)、高画質化処理(帯域強調処理、超解像処理、NR(Noise reduction)処理及び/若しくは手ブレ補正処理等)、並びに/又は拡大処理(電子ズーム処理)等、各種の信号処理を行うことができる。外部制御装置10200は、表示装置の駆動を制御して、生成した画像データに基づいて撮像された体内画像を表示させる。あるいは、外部制御装置10200は、生成した画像データを記録装置(図示せず)に記録させたり、印刷装置(図示せず)に印刷出力させてもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る体内情報取得システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部10112に適用され得る。具体的には、撮像部10112として、上述したイメージセンサPKG1を適用することができる。撮像部10112に本開示に係る技術を適用することにより、カプセル型内視鏡10100をより小型化できるため、患者の負担を更に軽減することができる。また、カプセル型内視鏡10100を小型化しつつも、端子数を増大させることができるため、例えば高速InterFaceを実現することができる。
<8.内視鏡手術システムへの応用例>
本開示に係る技術は、例えば、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
図24は、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
図24では、術者(医師)11131が、内視鏡手術システム11000を用いて、患者ベッド11133上の患者11132に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム11000は、内視鏡11100と、気腹チューブ11111やエネルギー処置具11112等の、その他の術具11110と、内視鏡11100を支持する支持アーム装置11120と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート11200と、から構成される。
内視鏡11100は、先端から所定の長さの領域が患者11132の体腔内に挿入される鏡筒11101と、鏡筒11101の基端に接続されるカメラヘッド11102と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒11101を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡11100を図示しているが、内視鏡11100は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
鏡筒11101の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡11100には光源装置11203が接続されており、当該光源装置11203によって生成された光が、鏡筒11101の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者11132の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡11100は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
カメラヘッド11102の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光(観察光)は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、RAWデータとしてカメラコントロールユニット(CCU: Camera Control Unit)11201に送信される。
CCU11201は、CPU(Central Processing Unit)やGPU(Graphics Processing Unit)等によって構成され、内視鏡11100及び表示装置11202の動作を統括的に制御する。さらに、CCU11201は、カメラヘッド11102から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理(デモザイク処理)等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
表示装置11202は、CCU11201からの制御により、当該CCU11201によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
光源装置11203は、例えばLED(Light Emitting Diode)等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡11100に供給する。
入力装置11204は、内視鏡手術システム11000に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置11204を介して、内視鏡手術システム11000に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡11100による撮像条件(照射光の種類、倍率及び焦点距離等)を変更する旨の指示等を入力する。
処置具制御装置11205は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具11112の駆動を制御する。気腹装置11206は、内視鏡11100による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者11132の体腔を膨らめるために、気腹チューブ11111を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ11207は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ11208は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
なお、内視鏡11100に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置11203は、例えばLED、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。RGBレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色(各波長)の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置11203において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、RGBレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド11102の撮像素子の駆動を制御することにより、RGBそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
また、光源装置11203は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド11102の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
また、光源装置11203は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光(すなわち、白色光)に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察(Narrow Band Imaging)が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること(自家蛍光観察)、又はインドシアニングリーン(ICG)等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置11203は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び/又は励起光を供給可能に構成され得る。
図25は、図24に示すカメラヘッド11102及びCCU11201の機能構成の一例を示すブロック図である。
カメラヘッド11102は、レンズユニット11401と、撮像部11402と、駆動部11403と、通信部11404と、カメラヘッド制御部11405と、を有する。CCU11201は、通信部11411と、画像処理部11412と、制御部11413と、を有する。カメラヘッド11102とCCU11201とは、伝送ケーブル11400によって互いに通信可能に接続されている。
レンズユニット11401は、鏡筒11101との接続部に設けられる光学系である。鏡筒11101の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド11102まで導光され、当該レンズユニット11401に入射する。レンズユニット11401は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
撮像部11402は、撮像素子で構成される。撮像部11402を構成する撮像素子は、1つ(いわゆる単板式)であってもよいし、複数(いわゆる多板式)であってもよい。撮像部11402が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってRGBそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部11402は、3D(Dimensional)表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための1対の撮像素子を有するように構成されてもよい。3D表示が行われることにより、術者11131は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部11402が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット11401も複数系統設けられ得る。
また、撮像部11402は、必ずしもカメラヘッド11102に設けられなくてもよい。例えば、撮像部11402は、鏡筒11101の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
駆動部11403は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部11405からの制御により、レンズユニット11401のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部11402による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
通信部11404は、CCU11201との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部11404は、撮像部11402から得た画像信号をRAWデータとして伝送ケーブル11400を介してCCU11201に送信する。
また、通信部11404は、CCU11201から、カメラヘッド11102の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部11405に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに/又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてCCU11201の制御部11413によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるAE(Auto Exposure)機能、AF(Auto Focus)機能及びAWB(Auto White Balance)機能が内視鏡11100に搭載されていることになる。
カメラヘッド制御部11405は、通信部11404を介して受信したCCU11201からの制御信号に基づいて、カメラヘッド11102の駆動を制御する。
通信部11411は、カメラヘッド11102との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部11411は、カメラヘッド11102から、伝送ケーブル11400を介して送信される画像信号を受信する。
また、通信部11411は、カメラヘッド11102に対して、カメラヘッド11102の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
画像処理部11412は、カメラヘッド11102から送信されたRAWデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
制御部11413は、内視鏡11100による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部11413は、カメラヘッド11102の駆動を制御するための制御信号を生成する。
また、制御部11413は、画像処理部11412によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置11202に表示させる。この際、制御部11413は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部11413は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具11112の使用時のミスト等を認識することができる。制御部11413は、表示装置11202に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者11131に提示されることにより、術者11131の負担を軽減することや、術者11131が確実に手術を進めることが可能になる。
カメラヘッド11102及びCCU11201を接続する伝送ケーブル11400は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
ここで、図示する例では、伝送ケーブル11400を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド11102とCCU11201との間の通信は無線で行われてもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、カメラヘッド11102の撮像部11402に適用され得る。具体的には、撮像部11402として、上述したイメージセンサPKG1を適用することができる。撮像部11402に本開示に係る技術を適用することにより、カメラヘッド11102を小型化しつつも、端子数を増大させることができるため、例えば高速InterFaceを実現することができる。
なお、ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
<9.移動体への応用例>
さらに、本開示に係る技術は、例えば、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図26は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
車両制御システム12000は、通信ネットワーク12001を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図26に示した例では、車両制御システム12000は、駆動系制御ユニット12010、ボディ系制御ユニット12020、車外情報検出ユニット12030、車内情報検出ユニット12040、及び統合制御ユニット12050を備える。また、統合制御ユニット12050の機能構成として、マイクロコンピュータ12051、音声画像出力部12052、及び車載ネットワークI/F(interface)12053が図示されている。
駆動系制御ユニット12010は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット12010は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
ボディ系制御ユニット12020は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット12020は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット12020には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット12020は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
車外情報検出ユニット12030は、車両制御システム12000を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット12030には、撮像部12031が接続される。車外情報検出ユニット12030は、撮像部12031に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット12030は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
撮像部12031は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部12031は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部12031が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
車内情報検出ユニット12040は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット12040には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部12041が接続される。運転者状態検出部12041は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット12040は、運転者状態検出部12041から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット12010に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むADAS(Advanced Driver Assistance System)の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット12020に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
音声画像出力部12052は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図26の例では、出力装置として、オーディオスピーカ12061、表示部12062及びインストルメントパネル12063が例示されている。表示部12062は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
図27は、撮像部12031の設置位置の例を示す図である。
図27では、車両12100は、撮像部12031として、撮像部12101,12102,12103,12104,12105を有する。
撮像部12101,12102,12103,12104,12105は、例えば、車両12100のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部12101及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として車両12100の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部12102,12103は、主として車両12100の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部12104は、主として車両12100の後方の画像を取得する。撮像部12101及び12105で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
なお、図27には、撮像部12101ないし12104の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲12111は、フロントノーズに設けられた撮像部12101の撮像範囲を示し、撮像範囲12112,12113は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部12102,12103の撮像範囲を示し、撮像範囲12114は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部12104の撮像範囲を示す。例えば、撮像部12101ないし12104で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両12100を上方から見た俯瞰画像が得られる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を基に、撮像範囲12111ないし12114内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化(車両12100に対する相対速度)を求めることにより、特に車両12100の進行路上にある最も近い立体物で、車両12100と略同じ方向に所定の速度(例えば、0km/h以上)で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ12051は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御(追従停止制御も含む)や自動加速制御(追従発進制御も含む)等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、2輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両12100の周辺の障害物を、車両12100のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ12051は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ12061や表示部12062を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット12010を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部12101ないし12104の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ12051が、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部12052は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部12062を制御する。また、音声画像出力部12052は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部12062を制御してもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部12031に適用され得る。具体的には、撮像部12031として、上述したイメージセンサPKG1を適用することができる。撮像部12031に本開示に係る技術を適用することにより、小型化しつつも、端子数を増大させることができるため、例えば高速InterFaceを実現することができる。
本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
例えば、上述した複数の実施の形態の全てまたは一部を組み合わせた形態を採用することができる。
また、本技術は、固体撮像装置に限らず、他の半導体集積回路を有する半導体装置全般に対して適用可能である。
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
(1)
入射された光を電気信号へ変換する画素が行列状に配置された受光領域を備えるイメージセンサ基板と、
前記イメージセンサ基板の平面方向外側に配置され、前記電気信号を出力する外部端子と、
前記イメージセンサ基板および前記外部端子と、対向して配置されたガラス基板と、
前記ガラス基板に形成された配線と前記外部端子とを、その間に挿入された接着樹脂を貫通して接続する貫通電極と
を備える固体撮像装置。
(2)
前記イメージセンサ基板と前記ガラス基板との間にも、前記接着樹脂が挿入されるように形成された
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記外部端子は、前記イメージセンサ基板と同一平面上のモールド樹脂の外側に形成され、
前記貫通電極は、前記モールド樹脂も貫通するように形成された
前記(1)または(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記イメージセンサ基板の前記ガラス基板側と反対側の面にも、前記モールド樹脂が形成された
前記(3)に記載の固体撮像装置。
(5)
前記モールド樹脂の前記ガラス基板側と反対側の面に、第1の放熱板をさらに備える
前記(3)に記載の固体撮像装置。
(6)
前記モールド樹脂と前記接着樹脂との間に、第1の放熱板をさらに備える
前記(3)に記載の固体撮像装置。
(7)
前記イメージセンサ基板の前記ガラス基板側と反対側の面に、第2の放熱板をさらに備える
前記(5)または(6)に記載の固体撮像装置。
(8)
前記第1の放熱板は、複数の前記貫通電極の少なくとも1つと接続するように形成された
前記(5)または(6)に記載の固体撮像装置。
(9)
前記第1の放熱板は、複数の前記外部端子の少なくとも1つと接続するように形成された
前記(6)に記載の固体撮像装置。
(10)
前記イメージセンサ基板の前記ガラス基板側と反対側の面に、金属膜をさらに備える
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(11)
前記金属膜の面上にダミーの外部端子をさらに備える
前記(1)乃至(10)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(12)
前記金属膜は、複数の貫通穴を備える
前記(10)に記載の固体撮像装置。
(13)
前記金属膜は、複数の前記外部端子の少なくとも1つと接続するように形成された
前記(10)乃至(12)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(14)
前記イメージセンサ基板の前記ガラス基板側と反対側の面に、コンパニオンチップをさらに備える
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(15)
前記イメージセンサ基板の前記ガラス基板と向き合う面上に電極パッドを備え、
前記電極パッドは、前記ガラス基板に形成された配線と接続されている
前記(1)乃至(14)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(16)
前記接着樹脂は、光透過性である
前記(1)乃至(15)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(17)
前記接着樹脂の屈折率は、前記ガラス基板と同程度である
前記(1)乃至(16)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(18)
前記接着樹脂の屈折率は、前記イメージセンサ基板に形成されたオンチップレンズの屈折率よりも低い
前記(1)乃至(17)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(19)
ガラス基板上に配線を形成し、
前記配線が形成された前記ガラス基板に接着樹脂を形成し、
個片化されたイメージセンサ基板を、前記配線と接続されるように前記ガラス基板と貼り合わせ、
前記イメージセンサ基板の平面方向外側に、前記接着樹脂を貫通して前記配線と接続する貫通電極を形成し、
前記貫通電極に接続するように外部端子を形成する
固体撮像装置の製造方法。
(20)
入射された光を電気信号へ変換する画素が行列状に配置された受光領域を備えるイメージセンサ基板と、
前記イメージセンサ基板の平面方向外側に配置され、前記電気信号を出力する外部端子と、
前記イメージセンサ基板および前記外部端子と、対向して配置されたガラス基板と、
前記ガラス基板に形成された配線と前記外部端子とを、その間に挿入された接着樹脂を貫通して接続する貫通電極と
を備える固体撮像装置
を備える電子機器。
1 イメージセンサPKG, 11 イメージセンサ基板, 12 ガラス接着樹脂, 13 ガラス基板, 14 オンチップレンズ, 15 電極パッド, 16 ピラー, 17 配線パターン, 18 モールド樹脂, 19,19d 貫通電極, 20,20d はんだボール, 21,21d 再配線, 31 貫通穴, 41 コンパニオンチップ, 61 金属膜, 62 貫通穴, 71A,71B 放熱板, 300 撮像装置, 302 固体撮像装置

Claims (20)

  1. 入射された光を電気信号へ変換する画素が行列状に配置された受光領域を備えるイメージセンサ基板と、
    前記イメージセンサ基板の平面方向外側に配置され、前記電気信号を出力する外部端子と、
    前記イメージセンサ基板および前記外部端子と、対向して配置されたガラス基板と、
    前記ガラス基板に形成された配線と前記外部端子とを、その間に挿入された接着樹脂を貫通して接続する貫通電極と
    を備える固体撮像装置。
  2. 前記イメージセンサ基板と前記ガラス基板との間にも、前記接着樹脂が挿入されるように形成された
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記外部端子は、前記イメージセンサ基板と同一平面上のモールド樹脂の外側に形成され、
    前記貫通電極は、前記モールド樹脂も貫通するように形成された
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  4. 前記イメージセンサ基板の前記ガラス基板側と反対側の面にも、前記モールド樹脂が形成された
    請求項3に記載の固体撮像装置。
  5. 前記モールド樹脂の前記ガラス基板側と反対側の面に、第1の放熱板をさらに備える
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  6. 前記モールド樹脂と前記接着樹脂との間に、第1の放熱板をさらに備える
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  7. 前記イメージセンサ基板の前記ガラス基板側と反対側の面に、第2の放熱板をさらに備える
    請求項5に記載の固体撮像装置。
  8. 前記第1の放熱板は、複数の前記貫通電極の少なくとも1つと接続するように形成された
    請求項5に記載の固体撮像装置。
  9. 前記第1の放熱板は、複数の前記外部端子の少なくとも1つと接続するように形成された
    請求項5に記載の固体撮像装置。
  10. 前記イメージセンサ基板の前記ガラス基板側と反対側の面に、金属膜をさらに備える
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  11. 前記金属膜の面上にダミーの外部端子をさらに備える
    請求項10に記載の固体撮像装置。
  12. 前記金属膜は、複数の貫通穴を備える
    請求項10に記載の固体撮像装置。
  13. 前記金属膜は、複数の前記外部端子の少なくとも1つと接続するように形成された
    請求項10に記載の固体撮像装置。
  14. 前記イメージセンサ基板の前記ガラス基板側と反対側の面に、コンパニオンチップをさらに備える
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  15. 前記イメージセンサ基板の前記ガラス基板と向き合う面上に電極パッドを備え、
    前記電極パッドは、前記ガラス基板に形成された配線と接続されている
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  16. 前記接着樹脂は、光透過性である
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  17. 前記接着樹脂の屈折率は、前記ガラス基板と同程度である
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  18. 前記接着樹脂の屈折率は、前記イメージセンサ基板に形成されたオンチップレンズの屈折率よりも低い
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  19. ガラス基板上に配線を形成し、
    前記配線が形成された前記ガラス基板に接着樹脂を形成し、
    個片化されたイメージセンサ基板を、前記配線と接続されるように前記ガラス基板と貼り合わせ、
    前記イメージセンサ基板の平面方向外側に、前記接着樹脂を貫通して前記配線と接続する貫通電極を形成し、
    前記貫通電極に接続するように外部端子を形成する
    固体撮像装置の製造方法。
  20. 入射された光を電気信号へ変換する画素が行列状に配置された受光領域を備えるイメージセンサ基板と、
    前記イメージセンサ基板の平面方向外側に配置され、前記電気信号を出力する外部端子と、
    前記イメージセンサ基板および前記外部端子と、対向して配置されたガラス基板と、
    前記ガラス基板に形成された配線と前記外部端子とを、その間に挿入された接着樹脂を貫通して接続する貫通電極と
    を備える固体撮像装置
    を備える電子機器。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020230404A1 (ja) * 2019-05-15 2020-11-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体パッケージ、半導体パッケージの製造方法、および、電子装置
US11710757B2 (en) 2020-08-13 2023-07-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package and method of fabricating the same

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019040893A (ja) 2017-08-22 2019-03-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP2021125624A (ja) * 2020-02-07 2021-08-30 ローム株式会社 半導体装置
CN111341796A (zh) * 2020-02-26 2020-06-26 南通智通达微电子物联网有限公司 一种图像传感器的扇出型封装方法
US11450622B2 (en) * 2021-01-20 2022-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor package
US12046620B2 (en) 2021-12-15 2024-07-23 Nanya Technology Corporation Optical semiconductor device with composite intervening structure

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3575001B2 (ja) 1999-05-07 2004-10-06 アムコー テクノロジー コリア インコーポレーティド 半導体パッケージ及びその製造方法
KR100616670B1 (ko) 2005-02-01 2006-08-28 삼성전기주식회사 웨이퍼 레벨의 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법
KR100642753B1 (ko) * 2005-02-11 2006-11-10 삼성전자주식회사 이미지 센서
US20080083980A1 (en) 2006-10-06 2008-04-10 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Cmos image sensor chip scale package with die receiving through-hole and method of the same
JP5344336B2 (ja) * 2008-02-27 2013-11-20 株式会社ザイキューブ 半導体装置
US20110180891A1 (en) * 2009-08-06 2011-07-28 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Conductor package structure and method of the same
JP5568451B2 (ja) 2010-11-26 2014-08-06 株式会社フジクラ 半導体パッケージ
JP5760923B2 (ja) * 2011-10-04 2015-08-12 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2013143520A (ja) 2012-01-12 2013-07-22 Sony Corp 撮像装置および撮像装置の製造方法
CN107768389B (zh) * 2012-07-20 2022-03-22 株式会社尼康 拍摄单元
WO2014083750A1 (ja) * 2012-11-30 2014-06-05 パナソニック株式会社 光学装置及びその製造方法
JP6315262B2 (ja) 2014-06-12 2018-04-25 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、撮像装置
JP6325920B2 (ja) * 2014-07-02 2018-05-16 日本放送協会 高精細撮像素子用パッケージ
JP2017139316A (ja) * 2016-02-03 2017-08-10 ソニー株式会社 半導体装置および製造方法、並びに電子機器
JP2019040893A (ja) 2017-08-22 2019-03-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020230404A1 (ja) * 2019-05-15 2020-11-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体パッケージ、半導体パッケージの製造方法、および、電子装置
JPWO2020230404A1 (ja) * 2019-05-15 2020-11-19
JP7462620B2 (ja) 2019-05-15 2024-04-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体パッケージ、半導体パッケージの製造方法、および、電子装置
US11710757B2 (en) 2020-08-13 2023-07-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package and method of fabricating the same

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