WO2020100709A1 - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents

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WO2020100709A1
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啓介 畑野
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ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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Definitions

  • the present technology relates to solid-state imaging devices and electronic devices.
  • Patent Document 1 For example, a miniaturization technique of a solid-state imaging device using a packaging technique using a chip size package has been proposed (see Patent Document 1).
  • the present technology has been made in view of such a situation, and provides a solid-state imaging device capable of further improving the design freedom of rewiring, and an electronic device equipped with the solid-state imaging device.
  • the main purpose is to provide.
  • the present inventor succeeded in further improving the degree of freedom in designing the rewiring provided in the solid-state imaging device, and completed the present technique. ..
  • a light receiving element having a first main surface on the light incident side and a second main surface opposite to the first main surface, and the two-dimensionally arranged light receiving element is provided on the first main surface.
  • the second redistribution line may be disposed below the first redistribution line.
  • a plurality of the first redistribution lines may be formed, A plurality of the second redistribution lines may be formed, At least one first redistribution line of the plurality of first redistribution lines and at least one second redistribution line of the plurality of second redistribution lines may be connected.
  • a plurality of the first redistribution lines may be formed, A plurality of the second redistribution lines may be formed,
  • the wiring layer may include a plurality of signal lines formed in a predetermined direction, Among the plurality of signal lines, the plurality of first redistribution lines and the plurality of second redistribution lines are formed so as to generate a plurality of magnetic fields having different magnetic field directions in a region between two adjacent signal lines. Re-wiring and may be arranged.
  • At least one pair in which one first rewiring of the plurality of first rewirings and one second rewiring of the plurality of second rewirings are configured in the vertical direction is at least one. May be formed of In the one pair, the direction of the first current flowing through the one first redistribution line and the direction of the second current flowing through the one second redistribution line may be opposite to each other.
  • a plurality of the first redistribution lines may be formed, A plurality of the second redistribution lines may be formed,
  • the wiring layer may include a plurality of signal lines formed in a predetermined direction, At least one first redistribution of the plurality of first redistributions and / or at least one second redistribution of the plurality of second redistributions is viewed from a side opposite to the light incident side. Then, at least a part of at least one signal line of the plurality of signal lines may be covered.
  • a plurality of the first redistribution lines may be formed, A groove may be formed on the second main surface side of the semiconductor substrate, At least a part of at least one first redistribution line among the plurality of first redistribution lines may be formed in the groove.
  • the depth of the groove may be equal to or larger than the thickness of at least one first redistribution line among the plurality of first redistribution lines.
  • a light receiving element having a first main surface on the light incident side and a second main surface opposite to the first main surface, and the two-dimensionally arranged light receiving element is provided on the first main surface.
  • a light transmissive substrate disposed above the light receiving element, A first rewiring electrically connected to an internal electrode formed on the second wiring layer;
  • the second redistribution line may be disposed below the first redistribution line.
  • a plurality of the first redistribution lines may be formed, A plurality of the second redistribution lines may be formed, At least one first redistribution line of the plurality of first redistribution lines and at least one second redistribution line of the plurality of second redistribution lines may be connected.
  • a plurality of the first redistribution lines may be formed, A plurality of the second redistribution lines may be formed,
  • the second wiring layer may include a plurality of signal lines formed in a predetermined direction, The plurality of first redistribution lines and the plurality of second redistribution lines are formed so as to generate a plurality of magnetic fields having different magnetic field directions in a region between two adjacent signal lines of the plurality of signal lines.
  • a wiring layer may be arranged.
  • At least one pair in which one first rewiring of the plurality of first rewirings and one second rewiring of the plurality of second rewirings are configured in the vertical direction is at least one. May be formed of In the one pair, the direction of the first current flowing through the one first redistribution line and the direction of the second current flowing through the one second redistribution line may be opposite to each other.
  • a plurality of the first redistribution lines may be formed, A plurality of the second redistribution lines may be formed,
  • the wiring layer may include a plurality of signal lines formed in a predetermined direction, At least one first redistribution of the plurality of first redistributions and / or at least one second redistribution of the plurality of second redistributions is viewed from a side opposite to the light incident side. Then, at least a part of at least one signal line of the plurality of signal lines may be covered.
  • a plurality of the first redistribution lines may be formed, A groove portion may be formed on the fourth main surface side of the second semiconductor substrate, At least a part of at least one first redistribution wire among the plurality of first redistribution wires may be formed in the groove.
  • the depth of the groove may be equal to or greater than the thickness of at least one first redistribution line among the plurality of first redistribution lines.
  • the present technology provides an electronic device on which the solid-state imaging device according to the first aspect of the present technology or the solid-state imaging device according to the second aspect of the present technology is mounted.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied. It is a figure which shows the structural example of the solid-state imaging device to which this technique is applied. It is a top view showing an example of composition of a plurality of 1st rewiring with which a solid-state imaging device to which this art is applied is provided.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • It is sectional drawing which shows the structural example of the solid-state imaging device to which this technique is applied.
  • It is a figure which shows the usage example of the solid-state imaging device of the 1st-5th embodiment to which this technique is applied.
  • a chip size package type solid-state imaging device includes, for example, a sensor substrate (also referred to as an image sensor substrate; hereinafter the same) in which a pixel region is formed, and a circuit substrate (for example, a logic circuit) that processes pixel signals output from the pixel unit. And a circuit board).
  • a photoelectric conversion unit for example, a photodiode (PD) is formed
  • PD photodiode
  • a light-transmissive substrate is formed, and a rewiring is provided below the circuit board (on the side opposite to the light incident side), so that the connection terminal with the module board is taken out.
  • the rewiring which is the connection wiring up to the connection terminal, is made of, for example, a single-layer metal film, and the degree of freedom in designing the rewiring may be low.
  • a technique for forming a rewiring having a two-layer structure This technique is not used for solid-state imaging devices. Since this technology takes out the terminals for module connection from the main surface side of the device, this technology and the terminals for module connection are taken out from the surface opposite to the main surface of the device, and the thickness is on the order of 100 microns. There is a difference in the order of film thickness of rewiring from the technology related to solid-state imaging devices in which through holes are provided in a silicon substrate (semiconductor substrate) to configure rewiring. In some cases, it is an essential requirement that the interlayer film structure between the rewirings to be laminated and the manufacturing method be largely different.
  • noise may occur in the output signal from the pixel due to the structure and layout of the rewiring, and it is necessary to form the rewiring in consideration of the influence on the imaging characteristics. There are cases.
  • the present technology has been made in view of the above. According to the present technology, it is possible to improve the flexibility of the rewiring layout and the imaging characteristics in a chip-size package type solid-state imaging device, and further improve the flexibility of the rewiring layout and the imaging characteristics. It is possible to achieve both.
  • connection terminals By connecting a plurality of layers of rewiring formed on the surface of the substrate opposite to the light incident side on which the light transmissive substrate is arranged, the connection terminals By forming the connection wiring of the above, there is an effect that it is possible to improve the design freedom of the rewiring, and further, it is possible to suppress the image noise by the layout of the rewiring of the laminated structure. Is played.
  • a solid-state imaging device of a first embodiment (example 1 of solid-state imaging device) according to the present technology includes a first main surface on a light incident side, A first semiconductor substrate having a second main surface opposite to the first main surface and having a two-dimensionally arranged light receiving element formed on the first main surface; A first wiring layer formed on the second main surface of the first semiconductor substrate; a third main surface that is a light incident side; and a side opposite to the third main surface.
  • a second semiconductor substrate having a fourth main surface of the second semiconductor substrate, and a second wiring layer formed on the third main surface of the second semiconductor substrate, and above the light receiving element.
  • the solid-state imaging device has a laminated structure with a substrate.
  • the second redistribution line may be arranged below the first redistribution line.
  • a plurality of first rewirings are formed, and a plurality of second rewirings are formed. At least one first redistribution line of the first redistribution lines and at least one second redistribution line of the plurality of second redistribution lines may be connected.
  • the solid-state imaging device of the first embodiment (Example 1 of solid-state imaging device) according to the present technology, it is possible to improve the flexibility of the rewiring layout and the imaging characteristics, and further, it is possible to realize the rewiring layout. It is possible to realize both the improvement of the degree of freedom of the above and the improvement of the imaging characteristic. Then, according to the solid-state imaging device of the first embodiment (Example 1 of solid-state imaging device) according to the present technology, there is an effect that it is possible to improve the degree of freedom in designing rewiring, and further, stacking is performed. Due to the rewiring layout of the structure, it is possible to suppress image noise.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration example of a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present technology, and more specifically, a solid-state imaging device according to a first embodiment of a chip size package structure having rewiring of a laminated structure. It is sectional drawing which shows the structure of an imaging device.
  • 2 to 10 are cross-sectional views for explaining the method for manufacturing the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present technology, and more specifically, the first embodiment of the chip size package structure having the rewiring of the laminated structure.
  • FIG. 6A is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the solid-state imaging device according to the first embodiment in the order of steps.
  • FIG. 1 shows a solid-state imaging device 1.
  • the solid-state imaging device 1 mainly includes a sensor substrate 4000 including a first semiconductor substrate 102 and a first wiring layer 101, and a circuit substrate 5000 including a second semiconductor substrate 109 and a second wiring layer 107. , The first redistribution line 110 and the second redistribution line 112.
  • a light receiving element for example, a photodiode in a photoelectric conversion region
  • a light receiving element for example, a photodiode in a photoelectric conversion region
  • the microlens 103 arranged in the light receiving region R is arranged on the light receiving element (for example, the photodiode formed in the photoelectric conversion region) 102a, and the flattening layer for flattening the microlens 103 is formed.
  • 104 is disposed, and a light-transmissive substrate (for example, a transparent protective substrate) 106 is disposed on the flattening layer 104 via an adhesive layer 105.
  • a signal from a pixel is provided below a first wiring layer (also referred to as an image sensor substrate wiring portion) 102 formed on the second main surface P2 of the first semiconductor substrate 102 (lower side in FIG. 1).
  • a second semiconductor substrate 109 also referred to as a circuit board silicon portion
  • Circuit board 5000 composed of the second wiring layer (circuit board wiring portion) 107 and the first wiring layer (image sensor substrate wiring portion) 101 is connected to the connection portion 700-.
  • the sensor board 4000 and the circuit board 5000 are electrically connected to each other by being connected via 1 and 700-2.
  • the internal electrode 108 is formed in the second wiring layer (circuit board wiring portion) 107
  • the first redistribution wiring 110 is formed of the second semiconductor substrate (circuit board silicon portion) 109 and the second semiconductor substrate (circuit board silicon portion) 109. Is formed so as to penetrate the wiring layer (circuit board wiring portion) 107 of FIG.
  • the second redistribution line 112 is formed on the fourth main surface P4 side of the second semiconductor substrate via the first interlayer insulating film 111, and the second redistribution line 112 is formed.
  • a solder bump 114 is formed in a lower portion (lower side in FIG.
  • the solder bump 114 serves as a connection contact to an external module substrate, thereby enabling the configuration of a solid-state imaging device having a two-layer rewiring including the first rewiring 110 and the second rewiring 112. ing.
  • the first interlayer insulating film 111 and the second interlayer insulating film 113 may be made of the same material or different materials.
  • the first redistribution line 110 includes a first member 110-1 and a third member 110-3 that are substantially parallel to the third main surface P3 and the fourth main surface P4 of the second semiconductor substrate 109.
  • the fourth member 110-4, the second member 110-2 and the fifth member 110-5 which are substantially perpendicular to the third main surface P3 and the fourth main surface P4 of the second semiconductor substrate. It consists of and.
  • the second redistribution line 112 is substantially parallel to the fourth main surface P4 of the second semiconductor substrate 109, and the first member 112-1, the second member 112-2, and the third member 112-3. It consists of and.
  • the first member 110-1 of the first rewiring 110 is connected to the internal electrode 108, and the fourth member 110-4 of the first rewiring and the first member 112 of the second rewiring are connected.
  • ⁇ 1 is connected, and the second rewiring 112-3 and the solder bump 114 are connected.
  • a rewiring having a two-layer structure including the first rewiring 110 and the second rewiring 112 is formed.
  • the layout flexibility can be increased.
  • the placement position of the solder bump can be placed in a desired region of the chip. This is possible, and there is an advantage that the connection strength can be increased at the time of joining with the module.
  • a sensor substrate 4000 that outputs an image signal by photoelectric conversion and a circuit substrate 5000 that receives a signal from the sensor substrate 4000 and performs signal processing are prepared.
  • the sensor substrate 4000 and the circuit substrate 5000 are electrically connected to each other via the wiring layers (first wiring layer 201 and second wiring layer 207) formed on the respective substrates.
  • Light is passed through the adhesive layer 205 on the flattening film 204 on the microlens 203 formed on the upper portion (upper side in FIG. 2) of the light receiving element (for example, the photodiode (PD) formed in the photoelectric conversion region) 202a.
  • a transparent substrate (for example, a transparent protective substrate) 206 is formed.
  • a through hole 215 is formed in the internal electrode 208 formed on the second wiring layer (circuit board wiring portion) 207 (FIG. 3).
  • the first rewiring 210 is formed in substantially the same layer (FIG. 4).
  • an insulating film is formed at the boundary between the first redistribution line 210 and the second semiconductor substrate (silicon portion of the circuit board) 209 so as not to electrically short-circuit. You can stay.
  • the first redistribution line 210 is formed of a copper film or the like by an electroplating method using a resist material having an opening pattern in a desired region as a mask, and the thickness of the first redistribution line 210 is several microns to several tens of microns. It is formed with a film thickness of.
  • the first rewiring 210 is covered with the first interlayer insulating film 211 (FIG. 5).
  • a solder resist or the like which is an organic material may be used.
  • a photosensitive solder resist is preferably used in order to provide the first interlayer insulating film 211 with an insulating film opening serving as a connection part with the second redistribution line 212.
  • an insulating film opening 216 is formed in the first interlayer insulating film 211 (FIG. 6).
  • an opening can be provided by a lithography method, and when a material film which is not a photosensitive material is used, a resist formed by a lithography method is used.
  • the opening may be provided by a dry etching method using the pattern as a mask.
  • the second redistribution line 212 is formed of a copper film or the like by an electroplating method using a resist material having an opening pattern in a predetermined region as a mask, and the film thickness of the second redistribution line 212 is from several microns to several tens. It is formed with a film thickness of micron.
  • the second rewiring 212 is covered with the second interlayer insulating film 213 (FIG. 8).
  • the second interlayer insulating film 2113 a solder resist or the like which is an organic material is used.
  • the second interlayer insulating film 213 is provided with an insulating film opening for arranging a solder bump or the like to be a connecting portion with the module substrate, and therefore it is desirable to use a photosensitive solder resist. ..
  • an insulating film opening 217 is formed in the second interlayer insulating film 213 (FIG. 9).
  • solder bumps 214 are formed on the second rewiring 212 exposed in the insulating film opening formed in the second interlayer insulating film 213, and the solid-state imaging device 1 is completed (FIG. 10).
  • the solder bump is a joint that serves as a contact point between the solid-state imaging device and the module substrate on which the solid-state imaging device is mounted.
  • it may be formed by forming a metal material such as copper or nickel in the opening formed in the second interlayer insulating film 213 by a plating method.
  • the interlayer insulating film 211 that covers the first redistribution line 210 and the interlayer that covers the second redistribution line 212 is formed in the insulating film 213 by using a photosensitive solder resist, which means that the wiring width of the first redistribution line 210 and / or the second redistribution line 212 is several tens of microns.
  • This is a manufacturing method that can be used in the rewiring formation peculiar to a wide solid-state imaging device, and discloses a material and a manufacturing method different from the micron-order rewiring formation technology in a general semiconductor device.
  • the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present technology is the solid-state imaging device according to second to fourth embodiments of the present technology described below unless there is a technical contradiction in addition to the contents described above.
  • the contents described in the column can be applied as they are.
  • a solid-state imaging device of a second embodiment includes a first main surface that is a light incident side, and A first semiconductor substrate having a second main surface opposite to the first main surface and having a two-dimensionally arranged light receiving element formed on the first main surface; A first wiring layer formed on the second main surface of the first semiconductor substrate; a third main surface that is a light incident side; and a side opposite to the third main surface.
  • a second semiconductor substrate having a fourth main surface of the second semiconductor substrate, and a second wiring layer formed on the third main surface of the second semiconductor substrate, and above the light receiving element.
  • the solid-state imaging device has a laminated structure with a substrate. Then, in the solid-state imaging device of the second embodiment (Example 2 of solid-state imaging device) according to the present technology, a plurality of first rewirings are formed, and a plurality of second rewirings are formed.
  • a plurality of signal lines formed in a predetermined direction are provided, and a plurality of magnetic fields having different magnetic field directions are generated in a region between two adjacent signal lines of the plurality of signal lines, A plurality of first redistribution lines and a plurality of second wiring layers are arranged.
  • one first rewiring among a plurality of first rewirings and a plurality of first rewirings are used. At least one pair in which one of the second redistribution lines and the second redistribution line is arranged in the up-down direction is formed, and in one pair, the first redistribution line flows to one first redistribution line. The direction of the electric current is opposite to the direction of the second electric current flowing through the one second redistribution line.
  • the second redistribution line may be arranged below the first redistribution line. Further, in the solid-state imaging device of the second embodiment (Example 2 of solid-state imaging device) according to the present technology, a plurality of first rewirings are formed, a plurality of second rewirings are formed, and a plurality of second rewirings are formed. At least one first redistribution line of the first redistribution lines and at least one second redistribution line of the plurality of second redistribution lines may be connected.
  • the solid-state imaging device of the second embodiment (Example 2 of solid-state imaging device) according to the present technology, it is possible to improve the flexibility of the rewiring layout and the imaging characteristics, and further, it is possible to realize the rewiring layout. It is possible to achieve both the improvement of the degree of freedom of the above and the improvement of the imaging characteristic. Then, according to the solid-state imaging device of the second embodiment (Example 2 of solid-state imaging device) according to the present technology, there is an effect that it is possible to improve the degree of freedom in designing rewiring, and further, stacking is performed. With the rewiring layout of the structure, it is possible to suppress image noise.
  • FIG. 11 is a plan view showing a configuration example of a plurality of first rewirings included in the solid-state imaging device of the second embodiment according to the present technology
  • FIG. 12 is a plan view of the second embodiment according to the present technology
  • FIG. 13 is a plan view showing a configuration example of a plurality of second rewirings included in the solid-state imaging device
  • FIG. 13 is a configuration of a plurality of first rewirings included in the solid-state imaging device according to the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 14 is a perspective view showing a configuration example of a plurality of first redistribution lines, a plurality of second redistribution lines, and a plurality of signal lines included in the solid-state imaging device according to the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 11 schematically shows a plane layout of the first rewiring, and in FIG. 11, the power supply wiring 310a and the GND wiring 310b are alternately arranged.
  • FIG. 12 schematically shows a plane layout of the second rewiring, and in FIG. 12, power supply wirings 312a and GND wirings 312b are alternately arranged.
  • FIG. 13 shows a schematic cross-sectional view corresponding to the line A-A ′ shown in FIG. 11 and the line B-B ′ shown in FIG. 12.
  • the power supply wirings 310a and 312a and the GND wirings 310b and 312b in FIG. 13 currents flow from the back of the paper to the front in the wirings with (dots), and the wiring with ⁇ in the circles is the paper surface. It schematically shows how the current flows from the front to the back.
  • FIG. 13 for example, in one pair 3000 composed of a first redistribution line 310a and a second redistribution line 312b that are vertically adjacent (vertical direction in FIG.
  • FIG. 13 discloses that the pair of first rewirings and second rewirings that are vertically adjacent to each other have different current directions, but if necessary, some first rewirings may be used. The current direction of the wiring may be different.
  • the magnetic fields generated by the current application in the respective rewirings are adjacent rewirings (for example, the first rewiring in the vertical direction and It is possible to cancel each other by the magnetic field generated by the second rewiring, the first wirings in the left-right direction and the second wirings in the left-right direction, and the signal charge extracted from the pixel is transmitted by the magnetic field generated by the rewiring. It is possible to suppress the occurrence of image noise due to electromotive force generated in the signal wiring.
  • FIG. 14 shows, as a specific example, a configuration of a plurality of first rewirings, a plurality of second rewirings, and a plurality of signal lines.
  • a second wiring layer (circuit board wiring section) 207 and a rewiring forming section are provided below the second wiring layer (circuit board wiring section) 207 (lower side of FIG. 14). 1000 are formed.
  • a plurality of signal lines 317a to 317d are formed in the second wiring layer (circuit board wiring portion) 207, and a plurality of first rewiring groups 3140 are formed in the rewiring forming unit 1000, and a plurality of first rewiring groups 3140 are formed.
  • a plurality of second redistribution groups 3160 are formed below the first redistribution group 3140 (lower side in FIG. 14).
  • first rewiring groups 3140 As a plurality of first rewiring groups 3140, power supply wirings 314a and GND wirings 314b are alternately arranged from the left side of FIG. 14, and a plurality of second rewiring groups 3160 are shown in FIG. From the left side, the GND wiring 316b and the power supply wiring 316a are alternately arranged. That is, when the plurality of first redistribution group 3140 and the plurality of second redistribution group 3160 are viewed together (when viewed in the vertical direction (vertical direction) of FIG. 14), one power supply wiring and one One GND wiring pair has a two-layer structure and a plurality of pairs are arranged.
  • the solid-state imaging device according to the second embodiment of the present technology is the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present technology described above, as long as there is no technical contradiction other than the contents described above.
  • the content described in the section of (1) and the content described in the section of the solid-state imaging device of the third to fourth embodiments according to the present technology described later can be applied as they are.
  • a solid-state imaging device according to a third embodiment (example 3 of solid-state imaging device) according to the present technology includes a first main surface on a light incident side, A first semiconductor substrate having a second main surface opposite to the first main surface and having a two-dimensionally arranged light receiving element formed on the first main surface; A first wiring layer formed on the second main surface of the first semiconductor substrate; a third main surface that is a light incident side; and a side opposite to the third main surface.
  • a second semiconductor substrate having a fourth main surface of the second semiconductor substrate, and a second wiring layer formed on the third main surface of the second semiconductor substrate, and above the light receiving element.
  • the solid-state imaging device has a laminated structure with a substrate.
  • a plurality of first rewirings are formed and a plurality of second rewirings are formed, and a wiring layer A plurality of signal lines formed in a predetermined direction, and at least one first rewiring of the plurality of first rewirings and / or at least one second rewiring of the plurality of second rewirings.
  • Rewiring covers at least a part of at least one signal line of the plurality of signal lines when viewed from the side opposite to the light incident side.
  • the second redistribution line may be arranged below the first redistribution line. Further, in the solid-state imaging device of the third embodiment (Example 3 of solid-state imaging device) according to the present technology, a plurality of first rewirings are formed, a plurality of second rewirings are formed, and a plurality of second rewirings are formed. At least one first redistribution line of the first redistribution lines and at least one second redistribution line of the plurality of second redistribution lines may be connected.
  • the solid-state imaging device of the third embodiment (Example 3 of solid-state imaging device) according to the present technology, it is possible to improve the degree of freedom of the rewiring layout and the imaging characteristics, and further, the rewiring layout. It is possible to achieve both the improvement of the degree of freedom of the above and the improvement of the imaging characteristic. Then, according to the solid-state imaging device of the third embodiment (Example 3 of solid-state imaging device) according to the present technology, there is an effect that it is possible to improve the degree of freedom in designing rewiring, and further, stacking is performed. With the rewiring layout of the structure, it is possible to suppress image noise.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing a configuration example of the solid-state imaging device according to the second embodiment of the present technology, and more specifically, the solid-state imaging device according to the second embodiment having a chip size package structure having rewiring of a laminated structure. It is sectional drawing which shows the structure of an imaging device.
  • FIG. 15 shows the solid-state imaging device 3.
  • FIG. 15 a signal line 418 for transmitting a signal charge from the sensor substrate 4000, which is formed in the second wiring layer (circuit board wiring portion) 407, is shown.
  • the first rewiring 410b and the second rewiring 412b are arranged in a region immediately below the signal line 418 so as to spatially overlap with at least a partial region of the signal line 418. It has become a thing. That is, the first rewiring 410b and the second rewiring 412b are the signal lines when viewed from the opposite side (front side, lower side in FIG. 15) of the light incident side (back side, upper side in FIG. 15). It covers at least a portion of 418.
  • the first rewiring 410b and the second rewiring 412b arranged immediately below the signal line 418 may be fixed to the ground potential or the like by a place not shown in FIG.
  • the first redistribution line 410a includes a first member 410a-1 and a third member 410a-3 that are substantially parallel to the third main surface P3 and the fourth main surface P4 of the second semiconductor substrate 409.
  • the fourth member 410a-4, the second member 410a-2 and the fifth member 410a- that are substantially perpendicular to the third main surface P3 and the fourth main surface P4 of the second semiconductor substrate 409. It is composed of 5 and.
  • the second redistribution line 412a is substantially parallel to the fourth main surface P4 of the second semiconductor substrate 409, and the first member 412a-1, the second member 412a-2, and the third member 412a-3. It consists of and.
  • the first member 410a-1 of the first rewiring 410a and the signal line 418 are connected, and the fourth member 410a-4 of the first rewiring and the first member 412a of the second rewiring are connected.
  • -1 is connected, and the second rewiring 412a-3 and the solder bump 414 are connected.
  • the first redistribution line 410c is substantially parallel to the third main surface P3 and the fourth main surface P4 of the second semiconductor substrate 409, and the first member 410c-1 and the third member 410c-.
  • the third and fourth members 410c-4, the second member 410c-2 and the fifth member which are substantially perpendicular to the third main surface P3 and the fourth main surface P4 of the second semiconductor substrate 409. And 410c-5.
  • the second redistribution line 412c is substantially parallel to the fourth main surface P4 of the second semiconductor substrate 409, and the first member 412c-1, the second member 412c-2, and the third member 412c-3. It consists of and.
  • the first member 410c-1 of the first rewiring 410c and the internal electrode 408 are connected, and the fourth member 410c-4 of the first rewiring and the first member 412c of the second rewiring are connected.
  • -1 is connected, and the second rewiring 412c-3 and the solder bump 414 are connected.
  • the influence of the magnetic field from the module substrate connected to the solid-state imaging device 3 is blocked from reaching the signal line 418, It is possible to suppress the noise from being added to the pixel signal. Further, by arranging the first rewiring 410b and the second rewiring 412b in the region directly below the power supply of the pixel, the GND wiring, etc., the magnetic field from the solid-state imaging device 3 is applied to the circuit mounted on the module substrate. It is also possible to prevent the influence.
  • the solid-state imaging device according to the third embodiment of the present technology is the solid-state imaging device according to the first or second embodiment of the present technology described above, unless there is a technical contradiction in addition to the contents described above.
  • the contents described in the column of the imaging device and the contents described in the column of the solid-state imaging device of the fourth embodiment according to the present technology described later can be applied as they are.
  • a solid-state imaging device of a fourth embodiment includes a first main surface on a light incident side, A first semiconductor substrate having a second main surface opposite to the first main surface and having a two-dimensionally arranged light receiving element formed on the first main surface; A first wiring layer formed on the second main surface of the first semiconductor substrate; a third main surface that is a light incident side; and a side opposite to the third main surface.
  • a second semiconductor substrate having a fourth main surface of the second semiconductor substrate, and a second wiring layer formed on the third main surface of the second semiconductor substrate, and above the light receiving element.
  • the solid-state imaging device has a laminated structure with a substrate. Then, in the solid-state imaging device of the fourth embodiment (Example 4 of solid-state imaging device) according to the present technology, a plurality of first rewirings are formed, and the first main wiring side of the second semiconductor substrate is on the fourth main surface side. A groove is formed, and at least a part of at least one first rewiring among the plurality of first rewirings is formed in the groove.
  • the depth of the groove is at least one of the plurality of first rewirings. It is equal to or larger than the rewiring thickness of 1.
  • the second redistribution line may be arranged below the first redistribution line. Further, in the solid-state imaging device of the fourth embodiment (Example 4 of solid-state imaging device) according to the present technology, a plurality of first rewirings are formed, a plurality of second rewirings are formed, and a plurality of second rewirings are formed. At least one first redistribution line of the first redistribution lines and at least one second redistribution line of the plurality of second redistribution lines may be connected.
  • the solid-state imaging device of the fourth embodiment (Example 4 of solid-state imaging device) according to the present technology, it is possible to improve the degree of freedom of the rewiring layout and the imaging characteristics, and further, the rewiring layout. It is possible to achieve both the improvement of the degree of freedom of the above and the improvement of the imaging characteristic. Then, according to the solid-state imaging device of the fourth embodiment (Example 4 of the solid-state imaging device) according to the present technology, there is an effect that it is possible to improve the degree of freedom in designing rewiring, and further, stacking is performed. With the rewiring layout of the structure, it is possible to suppress image noise.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a configuration example of the solid-state imaging device according to the fourth embodiment of the present technology, and more specifically, the solid-state imaging device according to the fourth embodiment of the chip size package structure having the rewiring of the laminated structure.
  • It is sectional drawing which shows the structure of an imaging device. 17 to 26 are sectional views for explaining the method for manufacturing the solid-state imaging device according to the fourth embodiment of the present technology. More specifically, FIG. 17 to FIG. 26 are sectional views of a chip size package structure having rewiring of a laminated structure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the solid-state imaging device according to the fourth embodiment in the order of steps.
  • FIG. 16 shows the solid-state imaging device 4.
  • the thickness of the solid-state imaging device is increased by the thickness of the rewiring or the thickness of the interlayer insulating film between the rewirings, and by extension, the camera using the same. It is possible to provide a structure in which the thickness of the solid-state imaging device using the laminated rewiring structure can be reduced (a structure with a low profile) against the increase in the thickness of the entire module.
  • the second wiring layer (circuit That is, the silicon dug portions S1 to S3 are formed in the (substrate silicon portion) 509.
  • the silicon dug portions S-1 to S-3 have depths d1 to d3 that are equal to or greater than the thickness T1 to T3 of the first redistribution wiring 510.
  • the depths d1 to d3 of the silicon dug portions S1 to S3 may be smaller than the thicknesses T1 to T3 of the first redistribution wiring 510.
  • the solid-state imaging device 4 With the structure of the solid-state imaging device 4 according to the present embodiment, it is possible to suppress an increase in the thickness of the solid-state imaging device even when it has a laminated rewiring, and thus to suppress the thickness of the entire camera module using the solid-state imaging device. Become.
  • the first redistribution line 510 includes a first member 510-1 and a third member 510-3 that are substantially parallel to the third main surface P3 and the fourth main surface P4 of the second semiconductor substrate 509.
  • the fourth member 510-4, the second member 510-2 and the fifth member 510- that are substantially perpendicular to the third main surface P3 and the fourth main surface P4 of the second semiconductor substrate 509. It is composed of 5 and.
  • the second redistribution line 512 is substantially parallel to the fourth main surface P4 of the second semiconductor substrate 509, and the first member 512-1, the second member 512-2, and the third member 512-3. It consists of and.
  • the first member 510-1 of the first rewiring 510 and the internal electrode 508 are connected, and the fourth member 510-4 of the first rewiring and the first member 512 of the second rewiring are connected.
  • ⁇ 1 is connected, and the second rewiring 512-3 and the solder bump 514 are connected.
  • the thickness T1 of the first redistribution line 510 (the same applies to T2 to T3) is specifically the thickness of the third member 510-3 or / and the fourth member 510-4 of the first redistribution line 510. (The vertical length in FIG. 16).
  • a sensor substrate 4000 that outputs an image signal by photoelectric conversion and a circuit substrate 5000 that receives a signal from the sensor substrate 4000 and performs signal processing are prepared.
  • the sensor substrate 4000 and the circuit substrate 5000 are electrically connected to each other via the wiring portions (the first wiring layer 601 and the second wiring layer 607) formed on the respective substrates, and the photoelectric conversion region 602 upper part is provided.
  • a light-transmitting substrate (for example, a transparent protective substrate) 606 is formed on the flattening film 604 formed on the microlens 603 via the adhesive layer 605.
  • a silicon dug portion 614 is formed on the second semiconductor substrate (circuit board silicon portion) 609 (FIG. 18).
  • a through hole 615 is formed in the internal electrode 608 formed in the second wiring layer (circuit board wiring portion) 607 (FIG. 19).
  • the first rewiring 610 is formed in substantially the same layer (FIG. 20).
  • the first redistribution line 610 is formed with an insulating film at a boundary portion with the second semiconductor substrate (circuit board silicon portion) 609 so as not to electrically short-circuit. You can stay.
  • the first rewiring 610 is formed of a copper film or the like by an electric field plating method using a resist material having an opening pattern in a predetermined region as a mask, and the film thickness of the first rewiring is several microns to several tens of microns. It is formed with a film thickness of.
  • the first redistribution line 610 is covered with the first interlayer insulating film 611 (FIG. 21).
  • a solder resist or the like which is an organic material is used.
  • the first interlayer insulating film 611 is provided with an insulating film opening to be a connecting portion with the second rewiring 612, so that it is preferable to use a photosensitive solder resist.
  • an insulating film opening 616 is formed in the first interlayer insulating film 611 (FIG. 22).
  • an opening can be provided by a lithography method, and when a material film which is not a photosensitive material is used, a resist formed by a lithography method is used.
  • the opening may be provided by a dry etching method using the pattern as a mask.
  • the second redistribution layer 612 is formed of a copper film or the like by an electric field plating method using a resist material having an opening pattern in a predetermined region as a mask, and the thickness of the second redistribution layer is several microns to several tens of microns. It is formed with a film thickness of.
  • the second redistribution line 612 is covered with the second interlayer insulating film 613 (FIG. 24).
  • a solder resist or the like which is an organic material is used.
  • the second interlayer insulating film 613 is preferably provided with a photosensitive solder resist in order to provide an insulating film opening for arranging a solder bump or the like to be a connection portion with the module substrate. ..
  • an insulating film opening 617 is formed in the second interlayer insulating film 613 (FIG. 25).
  • solder bumps 614 are formed on the second rewirings 612 exposed in the insulating film openings formed in the second interlayer insulating film 613, and the solid-state solid-state imaging device 4 is completed (FIG. 26).
  • a metal material such as copper or nickel may be formed by a plating method, as in the solid-state imaging device 1 of the first first embodiment according to the present technology.
  • silicon is formed on the second semiconductor substrate (circuit board silicon portion) 609, which is the formation region of the first rewiring 610.
  • the thickness of the solid-state imaging device corresponding to the thickness of the first rewiring 610 can be reduced, and the thickness of the entire camera module itself can be reduced. It is possible to realize miniaturization (in particular, reduction in height).
  • the solid-state imaging device according to the fourth embodiment of the present technology is the solid-state imaging device according to any one of the first to third embodiments of the present technology described above, as long as there is no technical contradiction in addition to the contents described above.
  • the contents described in the section of the imaging device can be applied as they are.
  • a solid-state imaging device according to a fifth embodiment (example 5 of solid-state imaging device) according to the present technology includes a first main surface that is a light incident side, and A semiconductor substrate having a second main surface opposite to the first main surface and having a two-dimensionally arranged light receiving element formed on the first main surface, and above the light receiving element.
  • the second rewiring may be arranged below the first rewiring. Further, in the solid-state imaging device of the fifth embodiment (Example 5 of solid-state imaging device) according to the present technology, a plurality of first rewirings are formed and a plurality of second rewirings are formed. At least one first redistribution line of the first redistribution lines and at least one second redistribution line of the plurality of second redistribution lines may be connected.
  • a plurality of first rewirings are formed, a plurality of second rewirings are formed, and in the wiring layer, A plurality of signal lines formed in a predetermined direction are provided, and a plurality of signal lines having different magnetic field directions are generated in a region between two adjacent signal lines among the plurality of signal lines.
  • a first redistribution line and a plurality of second redistribution lines may be arranged.
  • one first rewiring among a plurality of first rewirings and a plurality of first rewirings are used. At least one pair in which one of the second redistribution lines and the second redistribution line is arranged in the up-down direction is formed, and in one pair, the first redistribution line flows to one first redistribution line.
  • the direction of the current and the direction of the second current flowing through the one second redistribution line may be opposite to each other.
  • a plurality of first rewirings are formed and a plurality of second rewirings are formed, and a wiring layer is formed.
  • a plurality of signal lines formed in a predetermined direction, and at least one first rewiring of the plurality of first rewirings and / or at least one second rewiring of the plurality of second rewirings.
  • the rewiring may cover at least a part of at least one signal line of the plurality of signal lines when viewed from the side opposite to the light incident side.
  • a plurality of first redistribution wirings are formed and a groove portion is formed on the second main surface side of the semiconductor substrate. Therefore, at least a part of at least one first redistribution line among the plurality of first redistribution lines may be formed in the groove.
  • the depth of the groove portion is at least one of the plurality of first rewirings.
  • the thickness may be equal to or larger than the thickness of one rewiring.
  • the solid-state imaging device of the fifth embodiment (Example 5 of solid-state imaging device) according to the present technology, it is possible to improve the flexibility of the rewiring layout and the imaging characteristics, and further, it is possible to realize the rewiring layout. It is possible to achieve both the improvement of the degree of freedom of the above and the improvement of the imaging characteristic. Then, according to the solid-state imaging device of the fifth embodiment (Example 5 of the solid-state imaging device) according to the present technology, there is an effect that it is possible to improve the degree of freedom in designing rewiring, and further, stacking is performed. With the rewiring layout of the structure, it is possible to suppress image noise.
  • the solid-state imaging device according to the fifth embodiment of the present technology is the solid-state imaging device according to the first to fourth embodiments of the present technology described above, as long as there is no technical contradiction in addition to the contents described above.
  • the contents described in the section of the imaging device can be applied as they are.
  • An electronic device is an electronic device equipped with the solid-state imaging device according to the first aspect of the present technology.
  • the solid-state imaging device having the first side surface includes a first main surface that is a light incident side and a second main surface that is opposite to the first main surface.
  • the electronic device of the sixth embodiment according to the present technology is an electronic device equipped with the solid-state imaging device according to the second aspect of the present technology, and the solid-state imaging device according to the second aspect of the present technology is , A light receiving side having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface, and the two-dimensionally arranged light receiving surface on the first main surface.
  • a sensor substrate including a first semiconductor substrate on which elements are formed and a first wiring layer formed on the second main surface of the first semiconductor substrate, and a third light incident side third substrate.
  • a second semiconductor substrate having a main surface and a fourth main surface opposite to the third main surface, and second wiring formed on the third main surface of the second semiconductor substrate.
  • a circuit board including a layer, a light-transmissive substrate disposed above the light receiving element, and a first rewiring electrically connected to an internal electrode formed in the second wiring layer, A second rewiring formed on the fourth main surface side of the second semiconductor substrate, the first wiring layer of the sensor substrate and the second wiring layer of the circuit board.
  • the electronic device of the sixth embodiment according to the present technology is mounted with the solid-state imaging device according to any one of the solid-state imaging devices of the first to fifth embodiments according to the present technology. Is an electronic device.
  • FIG. 27 is a diagram showing a usage example of the solid-state imaging devices of the first to fifth embodiments according to the present technology as an image sensor.
  • the solid-state imaging devices according to the first to fifth embodiments described above can be used in various cases for sensing light such as visible light, infrared light, ultraviolet light, and X-rays as described below. it can. That is, as shown in FIG. 27, for example, the fields of appreciation for shooting images used for appreciation, the fields of transportation, the fields of home appliances, the fields of medical and healthcare, the fields of security, the fields of beauty, and sports.
  • the solid-state imaging device according to any one of the first to fifth embodiments is used for an apparatus (for example, the electronic device according to the above-described sixth embodiment) used in the field of the above, the field of agriculture, and the like. You can
  • a device for taking an image used for appreciation such as a digital camera, a smartphone, a mobile phone with a camera function, etc.
  • the solid-state imaging device of any one of the embodiments can be used.
  • in-vehicle sensors for photographing the front and rear of the car, the surroundings, the inside of the car, monitoring the traveling vehicle and the road
  • the solid-state imaging device is used for a device used for traffic, such as a monitoring camera, a distance measuring sensor for measuring a distance between vehicles, and the like. be able to.
  • a device provided for home appliances such as a television receiver, a refrigerator, an air conditioner, etc. for photographing a gesture of a user and performing a device operation according to the gesture.
  • the solid-state imaging device according to any one of the fifth embodiments can be used.
  • the first to fifth embodiments are applied to devices used for medical care and healthcare, such as an endoscope and a device for taking angiography by receiving infrared light.
  • the solid-state imaging device of any one of the embodiments can be used.
  • a security camera such as a surveillance camera for security use, a camera for person authentication, or the like can be used as a solid-state device according to any one of the first to fifth embodiments.
  • An image sensor can be used.
  • a device for beauty treatment such as a skin measuring device for photographing the skin or a microscope for photographing the scalp, is used to implement any one of the first to fifth embodiments.
  • a device for beauty treatment such as a skin measuring device for photographing the skin or a microscope for photographing the scalp.
  • Any form of solid-state imaging device can be used.
  • a solid-state imaging device according to any one of the first to fifth embodiments is applied to an apparatus used for sports, such as an action camera or a wearable camera for sports applications.
  • the device can be used.
  • a solid-state imaging device In the field of agriculture, for example, a solid-state imaging device according to any one of the first to fifth embodiments is applied to an apparatus used for agriculture such as a camera for monitoring the condition of fields and crops.
  • the device can be used.
  • the solid-state imaging device according to any one of the first to fifth embodiments described above has, as the solid-state imaging device 101, a camera system such as a digital still camera or a video camera, or an imaging function.
  • the present invention can be applied to all types of electronic devices having an imaging function, such as a mobile phone included therein.
  • FIG. 28 shows a schematic configuration of the electronic device 102 (camera) as an example.
  • the electronic device 102 is, for example, a video camera capable of capturing a still image or a moving image, and drives the solid-state imaging device 101, an optical system (optical lens) 310, a shutter device 311, and the solid-state imaging device 101 and the shutter device 311. It has a drive unit 313 that operates and a signal processing unit 312.
  • the optical system 310 guides image light (incident light) from a subject to the pixel unit 101a of the solid-state imaging device 101.
  • the optical system 310 may be composed of a plurality of optical lenses.
  • the shutter device 311 controls a light irradiation period and a light shielding period for the solid-state imaging device 101.
  • the drive unit 313 controls the transfer operation of the solid-state imaging device 101 and the shutter operation of the shutter device 311.
  • the signal processing unit 312 performs various kinds of signal processing on the signal output from the solid-state imaging device 101.
  • the image-processed video signal Dout is stored in a storage medium such as a memory, or is output to a monitor or the like.
  • the present technology can be applied to various products.
  • the technology (the technology) according to the present disclosure may be applied to an endoscopic surgery system.
  • FIG. 29 is a diagram showing an example of a schematic configuration of an endoscopic surgery system to which the technology according to the present disclosure (the present technology) can be applied.
  • FIG. 29 illustrates a situation in which an operator (doctor) 11131 is performing an operation on a patient 11132 on a patient bed 11133 using the endoscopic operation system 11000.
  • the endoscopic surgery system 11000 includes an endoscope 11100, other surgical tools 11110 such as a pneumoperitoneum tube 11111 and an energy treatment tool 11112, and a support arm device 11120 that supports the endoscope 11100.
  • a cart 11200 on which various devices for endoscopic surgery are mounted.
  • the endoscope 11100 includes a lens barrel 11101 into which a region of a predetermined length from the distal end is inserted into the body cavity of the patient 11132, and a camera head 11102 connected to the base end of the lens barrel 11101.
  • the endoscope 11100 configured as a so-called rigid endoscope having the rigid barrel 11101 is illustrated, but the endoscope 11100 may be configured as a so-called flexible mirror having a flexible barrel. Good.
  • An opening in which an objective lens is fitted is provided at the tip of the lens barrel 11101.
  • a light source device 11203 is connected to the endoscope 11100, and the light generated by the light source device 11203 is guided to the tip of the lens barrel by a light guide extending inside the lens barrel 11101. It is irradiated toward the observation target in the body cavity of the patient 11132 via the lens.
  • the endoscope 11100 may be a direct-viewing endoscope, or may be a perspective or side-viewing endoscope.
  • An optical system and an image pickup device are provided inside the camera head 11102, and the reflected light (observation light) from the observation target is condensed on the image pickup device by the optical system.
  • the observation light is photoelectrically converted by the imaging element, and an electric signal corresponding to the observation light, that is, an image signal corresponding to the observation image is generated.
  • the image signal is transmitted to the camera control unit (CCU: Camera Control Unit) 11201 as RAW data.
  • the CCU 11201 is composed of a CPU (Central Processing Unit), a GPU (Graphics Processing Unit), and the like, and controls the operations of the endoscope 11100 and the display device 11202 in a centralized manner. Further, the CCU 11201 receives the image signal from the camera head 11102, and performs various image processing such as development processing (demosaic processing) on the image signal for displaying an image based on the image signal.
  • image processing such as development processing (demosaic processing)
  • the display device 11202 displays an image based on the image signal subjected to the image processing by the CCU 11201 under the control of the CCU 11201.
  • the light source device 11203 is composed of a light source such as an LED (Light Emitting Diode), for example, and supplies the endoscope 11100 with irradiation light when photographing a surgical site or the like.
  • a light source such as an LED (Light Emitting Diode), for example, and supplies the endoscope 11100 with irradiation light when photographing a surgical site or the like.
  • the input device 11204 is an input interface for the endoscopic surgery system 11000.
  • the user can input various kinds of information and instructions to the endoscopic surgery system 11000 via the input device 11204.
  • the user inputs an instruction to change the imaging conditions (type of irradiation light, magnification, focal length, etc.) by the endoscope 11100.
  • the treatment instrument control device 11205 controls driving of the energy treatment instrument 11112 for cauterization of tissue, incision, sealing of blood vessel, or the like.
  • the pneumoperitoneum device 11206 is used to inflate the body cavity of the patient 11132 through the pneumoperitoneum tube 11111 in order to inflate the body cavity of the patient 11132 for the purpose of securing the visual field by the endoscope 11100 and the working space of the operator.
  • the recorder 11207 is a device capable of recording various information regarding surgery.
  • the printer 11208 is a device capable of printing various information regarding surgery in various formats such as text, images, and graphs.
  • the light source device 11203 that supplies irradiation light to the endoscope 11100 when imaging a surgical site can be configured by, for example, an LED, a laser light source, or a white light source configured by a combination thereof.
  • a white light source is formed by a combination of RGB laser light sources
  • the output intensity and output timing of each color (each wavelength) can be controlled with high accuracy, so that the light source device 11203 adjusts the white balance of the captured image. It can be carried out.
  • the laser light from each of the RGB laser light sources is time-divided to the observation target, and the drive of the image pickup device of the camera head 11102 is controlled in synchronization with the irradiation timing, so that each of the RGB colors can be handled. It is also possible to take the captured image in time division. According to this method, a color image can be obtained without providing a color filter on the image sensor.
  • the drive of the light source device 11203 may be controlled so as to change the intensity of the output light at predetermined time intervals.
  • the drive of the image sensor of the camera head 11102 in synchronization with the timing of changing the intensity of the light to acquire an image in a time-division manner and synthesizing the images, a high dynamic without so-called blackout and whiteout. Images of the range can be generated.
  • the light source device 11203 may be configured to be able to supply light in a predetermined wavelength band corresponding to special light observation.
  • the special light observation for example, the wavelength dependence of the absorption of light in body tissues is used to irradiate a narrow band of light as compared with the irradiation light (that is, white light) at the time of normal observation, so that the mucosal surface layer
  • the so-called narrow band imaging is performed in which a predetermined tissue such as blood vessels is imaged with high contrast.
  • fluorescence observation in which an image is obtained by fluorescence generated by irradiating the excitation light may be performed.
  • the body tissue is irradiated with excitation light to observe the fluorescence from the body tissue (autofluorescence observation), or a reagent such as indocyanine green (ICG) is locally injected into the body tissue and the body tissue is also injected.
  • the excitation light corresponding to the fluorescence wavelength of the reagent can be irradiated to obtain a fluorescence image and the like.
  • the light source device 11203 can be configured to be capable of supplying narrowband light and / or excitation light compatible with such special light observation.
  • FIG. 30 is a block diagram showing an example of the functional configuration of the camera head 11102 and the CCU 11201 shown in FIG.
  • the camera head 11102 includes a lens unit 11401, an imaging unit 11402, a driving unit 11403, a communication unit 11404, and a camera head control unit 11405.
  • the CCU 11201 has a communication unit 11411, an image processing unit 11412, and a control unit 11413.
  • the camera head 11102 and the CCU 11201 are communicably connected to each other via a transmission cable 11400.
  • the lens unit 11401 is an optical system provided at the connecting portion with the lens barrel 11101.
  • the observation light taken in from the tip of the lens barrel 11101 is guided to the camera head 11102 and enters the lens unit 11401.
  • the lens unit 11401 is configured by combining a plurality of lenses including a zoom lens and a focus lens.
  • the image pickup unit 11402 includes an image pickup element.
  • the number of image pickup elements forming the image pickup section 11402 may be one (so-called single-plate type) or plural (so-called multi-plate type).
  • image signals corresponding to RGB are generated by each image pickup element, and a color image may be obtained by combining them.
  • the image capturing unit 11402 may be configured to have a pair of image capturing elements for respectively acquiring the image signals for the right eye and the left eye corresponding to 3D (Dimensional) display. By performing the 3D display, the operator 11131 can more accurately grasp the depth of the living tissue in the operation site.
  • a plurality of lens units 11401 may be provided corresponding to each image pickup element.
  • the image pickup unit 11402 does not necessarily have to be provided in the camera head 11102.
  • the imaging unit 11402 may be provided inside the lens barrel 11101 immediately after the objective lens.
  • the drive unit 11403 is composed of an actuator, and moves the zoom lens and the focus lens of the lens unit 11401 by a predetermined distance along the optical axis under the control of the camera head control unit 11405. Accordingly, the magnification and focus of the image captured by the image capturing unit 11402 can be adjusted appropriately.
  • the communication unit 11404 is composed of a communication device for transmitting and receiving various information to and from the CCU11201.
  • the communication unit 11404 transmits the image signal obtained from the imaging unit 11402 as RAW data to the CCU 11201 via the transmission cable 11400.
  • the communication unit 11404 receives a control signal for controlling the driving of the camera head 11102 from the CCU 11201 and supplies it to the camera head control unit 11405.
  • the control signal includes, for example, information that specifies the frame rate of the captured image, information that specifies the exposure value at the time of capturing, and / or information that specifies the magnification and focus of the captured image. Contains information about the condition.
  • the image capturing conditions such as the frame rate, the exposure value, the magnification, and the focus may be appropriately designated by the user, or may be automatically set by the control unit 11413 of the CCU 11201 based on the acquired image signal. Good. In the latter case, the so-called AE (Auto Exposure) function, AF (Auto Focus) function, and AWB (Auto White Balance) function are installed in the endoscope 11100.
  • AE Auto Exposure
  • AF Auto Focus
  • AWB Auto White Balance
  • the camera head control unit 11405 controls driving of the camera head 11102 based on a control signal from the CCU 11201 received via the communication unit 11404.
  • the communication unit 11411 is composed of a communication device for transmitting and receiving various information to and from the camera head 11102.
  • the communication unit 11411 receives the image signal transmitted from the camera head 11102 via the transmission cable 11400.
  • the communication unit 11411 transmits a control signal for controlling the driving of the camera head 11102 to the camera head 11102.
  • the image signal and the control signal can be transmitted by electric communication, optical communication, or the like.
  • the image processing unit 11412 performs various types of image processing on the image signal that is the RAW data transmitted from the camera head 11102.
  • the control unit 11413 performs various controls regarding imaging of a surgical site or the like by the endoscope 11100 and display of a captured image obtained by imaging the surgical site or the like. For example, the control unit 11413 generates a control signal for controlling the driving of the camera head 11102.
  • control unit 11413 causes the display device 11202 to display a captured image of the surgical site or the like based on the image signal subjected to the image processing by the image processing unit 11412.
  • the control unit 11413 may recognize various objects in the captured image using various image recognition techniques.
  • the control unit 11413 detects a surgical instrument such as forceps, a specific body part, bleeding, and a mist when the energy treatment instrument 11112 is used by detecting the shape and color of the edge of the object included in the captured image. Can be recognized.
  • the control unit 11413 may superimpose and display various types of surgery support information on the image of the operation unit using the recognition result. By displaying the surgery support information in a superimposed manner and presenting it to the operator 11131, the burden on the operator 11131 can be reduced, and the operator 11131 can proceed with the operation reliably.
  • the transmission cable 11400 that connects the camera head 11102 and the CCU 11201 is an electric signal cable compatible with electric signal communication, an optical fiber compatible with optical communication, or a composite cable of these.
  • wired communication is performed using the transmission cable 11400, but communication between the camera head 11102 and the CCU 11201 may be performed wirelessly.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to the endoscope 11100, the camera head 11102 (the image capturing unit 11402 thereof), and the like among the configurations described above.
  • the solid-state imaging device 111 of the present disclosure can be applied to the imaging unit 10402.
  • the endoscopic surgery system has been described as an example, but the technique according to the present disclosure may be applied to, for example, a microscopic surgery system or the like.
  • the technology according to the present disclosure (this technology) can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure is realized as a device mounted on any type of moving body such as an automobile, an electric vehicle, a hybrid electric vehicle, a motorcycle, a bicycle, personal mobility, an airplane, a drone, a ship, and a robot. May be.
  • FIG. 31 is a block diagram showing a schematic configuration example of a vehicle control system which is an example of a mobile body control system to which the technology according to the present disclosure can be applied.
  • the vehicle control system 12000 includes a plurality of electronic control units connected via a communication network 12001.
  • the vehicle control system 12000 includes a drive system control unit 12010, a body system control unit 12020, a vehicle exterior information detection unit 12030, a vehicle interior information detection unit 12040, and an integrated control unit 12050.
  • a microcomputer 12051, an audio / video output unit 12052, and an in-vehicle network I / F (interface) 12053 are illustrated as a functional configuration of the integrated control unit 12050.
  • the drive system control unit 12010 controls the operation of devices related to the drive system of the vehicle according to various programs.
  • the drive system control unit 12010 includes a drive force generation device for generating a drive force of a vehicle such as an internal combustion engine or a drive motor, a drive force transmission mechanism for transmitting the drive force to wheels, and a steering angle of the vehicle. It functions as a steering mechanism for adjusting and a control device such as a braking device for generating a braking force of the vehicle.
  • the body system control unit 12020 controls the operation of various devices mounted on the vehicle body according to various programs.
  • the body system control unit 12020 functions as a keyless entry system, a smart key system, a power window device, or a control device for various lamps such as a head lamp, a back lamp, a brake lamp, a winker, or a fog lamp.
  • the body system control unit 12020 can be input with radio waves or signals of various switches transmitted from a portable device that substitutes for a key.
  • the body system control unit 12020 receives input of these radio waves or signals and controls the vehicle door lock device, power window device, lamp, and the like.
  • the vehicle exterior information detection unit 12030 detects information outside the vehicle equipped with the vehicle control system 12000.
  • the image pickup unit 12031 is connected to the vehicle exterior information detection unit 12030.
  • the vehicle exterior information detection unit 12030 causes the image capturing unit 12031 to capture an image of the vehicle exterior and receives the captured image.
  • the vehicle exterior information detection unit 12030 may perform object detection processing or distance detection processing such as people, vehicles, obstacles, signs, or characters on the road surface based on the received image.
  • the image pickup unit 12031 is an optical sensor that receives light and outputs an electric signal according to the amount of received light.
  • the image pickup unit 12031 can output the electric signal as an image or as distance measurement information.
  • the light received by the imaging unit 12031 may be visible light or invisible light such as infrared light.
  • the in-vehicle information detection unit 12040 detects in-vehicle information.
  • a driver state detection unit 12041 that detects the state of the driver is connected.
  • the driver state detection unit 12041 includes, for example, a camera that images the driver, and the in-vehicle information detection unit 12040 determines the degree of fatigue or concentration of the driver based on the detection information input from the driver state detection unit 12041. It may be calculated or it may be determined whether or not the driver is asleep.
  • the microcomputer 12051 calculates the control target value of the driving force generation device, the steering mechanism or the braking device based on the information on the inside and outside of the vehicle acquired by the outside information detection unit 12030 or the inside information detection unit 12040, and the drive system control unit.
  • a control command can be output to 12010.
  • the microcomputer 12051 realizes a function of ADAS (Advanced Driver Assistance System) that includes collision avoidance or impact mitigation of a vehicle, follow-up traveling based on an inter-vehicle distance, vehicle speed maintenance traveling, a vehicle collision warning, or a vehicle lane departure warning. It is possible to perform cooperative control for the purpose.
  • ADAS Advanced Driver Assistance System
  • the microcomputer 12051 controls the driving force generation device, the steering mechanism, the braking device, or the like on the basis of the information around the vehicle acquired by the vehicle exterior information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040, so that the driver's It is possible to perform cooperative control for the purpose of autonomous driving or the like that autonomously travels without depending on the operation.
  • the microcomputer 12051 can output a control command to the body system control unit 12020 based on the information outside the vehicle acquired by the outside information detection unit 12030.
  • the microcomputer 12051 controls the headlamp according to the position of the preceding vehicle or the oncoming vehicle detected by the vehicle exterior information detection unit 12030, and performs cooperative control for the purpose of antiglare such as switching the high beam to the low beam. It can be carried out.
  • the voice image output unit 12052 transmits an output signal of at least one of a voice and an image to an output device capable of visually or audibly notifying information to a passenger of the vehicle or the outside of the vehicle.
  • an audio speaker 12061, a display unit 12062, and an instrument panel 12063 are illustrated as output devices.
  • the display unit 12062 may include at least one of an on-board display and a head-up display, for example.
  • FIG. 32 is a diagram showing an example of the installation position of the imaging unit 12031.
  • the vehicle 12100 has imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, 12105 as the imaging unit 12031.
  • the imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, 12105 are provided at positions such as the front nose of the vehicle 12100, the side mirrors, the rear bumper, the back door, and the upper part of the windshield inside the vehicle.
  • the image capturing unit 12101 provided on the front nose and the image capturing unit 12105 provided on the upper part of the windshield in the vehicle interior mainly acquire an image in front of the vehicle 12100.
  • the imaging units 12102 and 12103 included in the side mirrors mainly acquire images of the side of the vehicle 12100.
  • the image capturing unit 12104 provided in the rear bumper or the back door mainly acquires an image behind the vehicle 12100.
  • the front images acquired by the image capturing units 12101 and 12105 are mainly used for detecting a preceding vehicle, a pedestrian, an obstacle, a traffic signal, a traffic sign, a lane, or the like.
  • FIG. 32 shows an example of the shooting range of the imaging units 12101 to 12104.
  • the imaging range 12111 indicates the imaging range of the imaging unit 12101 provided on the front nose
  • the imaging ranges 12112 and 12113 indicate the imaging ranges of the imaging units 12102 and 12103 provided on the side mirrors
  • the imaging range 12114 indicates The imaging range of the imaging part 12104 provided in a rear bumper or a back door is shown.
  • a bird's-eye view image of the vehicle 12100 viewed from above can be obtained.
  • At least one of the imaging units 12101 to 12104 may have a function of acquiring distance information.
  • at least one of the image capturing units 12101 to 12104 may be a stereo camera including a plurality of image capturing elements or may be an image capturing element having pixels for phase difference detection.
  • the microcomputer 12051 based on the distance information obtained from the imaging units 12101 to 12104, the distance to each three-dimensional object in the imaging range 12111 to 12114 and the temporal change of this distance (relative speed with respect to the vehicle 12100). It is possible to extract the closest three-dimensional object on the traveling path of the vehicle 12100, which is traveling in a substantially same direction as the vehicle 12100 at a predetermined speed (for example, 0 km / h or more), as a preceding vehicle. it can. Further, the microcomputer 12051 can set an inter-vehicle distance to be secured in front of the preceding vehicle in advance, and can perform automatic braking control (including follow-up stop control), automatic acceleration control (including follow-up start control), and the like. In this way, it is possible to perform cooperative control for the purpose of autonomous driving, which autonomously travels without depending on the operation of the driver.
  • automatic braking control including follow-up stop control
  • automatic acceleration control including follow-up start control
  • the microcomputer 12051 uses the distance information obtained from the image capturing units 12101 to 12104 to convert three-dimensional object data regarding a three-dimensional object to other three-dimensional objects such as two-wheeled vehicles, ordinary vehicles, large vehicles, pedestrians, telephone poles, and the like. It can be classified, extracted, and used for automatic avoidance of obstacles. For example, the microcomputer 12051 distinguishes obstacles around the vehicle 12100 into obstacles visible to the driver of the vehicle 12100 and obstacles difficult to see. Then, the microcomputer 12051 determines the collision risk indicating the risk of collision with each obstacle, and when the collision risk is equal to or more than the set value and there is a possibility of collision, the microcomputer 12051 outputs the audio through the audio speaker 12061 and the display unit 12062. A driver can be assisted for avoiding a collision by outputting an alarm to the driver and performing forced deceleration or avoidance steering through the drive system control unit 12010.
  • At least one of the image capturing units 12101 to 12104 may be an infrared camera that detects infrared rays.
  • the microcomputer 12051 can recognize a pedestrian by determining whether or not the pedestrian is present in the images captured by the imaging units 12101 to 12104. To recognize such a pedestrian, for example, a procedure for extracting a feature point in an image captured by the image capturing units 12101 to 12104 as an infrared camera and pattern matching processing on a series of feature points indicating the contour of an object are performed to determine whether or not the pedestrian is a pedestrian.
  • the voice image output unit 12052 causes the recognized pedestrian to have a rectangular contour line for emphasis.
  • the display unit 12062 is controlled so as to superimpose. Further, the audio image output unit 12052 may control the display unit 12062 to display an icon indicating a pedestrian or the like at a desired position.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to, for example, the imaging unit 12031 or the like among the configurations described above.
  • the solid-state imaging device 111 of the present disclosure can be applied to the imaging unit 12031.
  • a light receiving element having a first main surface that is a light incident side and a second main surface opposite to the first main surface, and the two-dimensionally arranged light receiving element is provided on the first main surface.
  • a plurality of the first rewirings are formed, A plurality of the second rewirings are formed, At least one first rewiring of the plurality of first rewirings and at least one second rewiring of the plurality of second rewirings are connected, [1] or [1 2]
  • a plurality of the first rewirings are formed, A plurality of the second rewirings are formed,
  • the wiring layer includes a plurality of signal lines formed in a predetermined direction, Among the plurality of signal lines, the plurality of first redistribution lines and the plurality of second redistribution lines are formed so as to generate a plurality of magnetic fields having different magnetic field directions in a region between two adjacent signal lines. And the rewiring of the above is arranged.
  • the solid-state imaging device according to any one of [1] to [3].
  • At least one pair in which one first rewiring of the plurality of first rewirings and one second rewiring of the plurality of second rewirings are configured in the vertical direction is at least one. Formed by one In the one pair, the direction of the first current flowing through the one first redistribution line and the direction of the second current flowing through the one second redistribution line are opposite to each other.
  • a plurality of the first rewirings are formed, A plurality of the second rewirings are formed,
  • the wiring layer includes a plurality of signal lines formed in a predetermined direction, At least one first redistribution of the plurality of first redistributions and / or at least one second redistribution of the plurality of second redistributions is viewed from a side opposite to the light incident side.
  • the solid-state imaging device according to any one of [1] to [5], which covers at least a part of at least one signal line of the plurality of signal lines.
  • a plurality of the first rewirings are formed, A groove is formed on the second main surface side of the semiconductor substrate, The solid-state imaging device according to any one of [1] to [6], wherein at least a part of at least one first redistribution wire among the plurality of first redistribution wires is formed in the groove portion. apparatus. [8] The solid-state imaging device according to [7], wherein the depth of the groove portion is equal to or larger than the thickness of at least one first redistribution line among the plurality of first redistribution lines. [9] A light receiving element having a first main surface that is a light incident side and a second main surface opposite to the first main surface, and the two-dimensionally arranged light receiving element is provided on the first main surface.
  • a plurality of the first rewirings are formed, A plurality of the second rewirings are formed, A plurality of signal lines formed in a predetermined direction on the second wiring layer, The plurality of first redistribution lines and the plurality of second redistribution lines are formed so as to generate a plurality of magnetic fields having different magnetic field directions in a region between two adjacent signal lines of the plurality of signal lines.
  • the solid-state imaging device according to any one of [9] to [11], in which rewiring is arranged.
  • At least one pair in which one first rewiring of the plurality of first rewirings and one second rewiring of the plurality of second rewirings are configured in the vertical direction is at least one.
  • the direction of the first current flowing through the one first redistribution line and the direction of the second current flowing through the one second redistribution line are opposite to each other.
  • a plurality of the first rewirings are formed,
  • a plurality of the second rewirings are formed,
  • the wiring layer includes a plurality of signal lines formed in a predetermined direction, At least one first redistribution of the plurality of first redistributions and / or at least one second redistribution of the plurality of second redistributions is viewed from a side opposite to the light incident side.
  • the solid-state imaging device according to any one of [9] to [13], which covers at least a part of at least one signal line of the plurality of signal lines.
  • a plurality of the first rewirings are formed, A groove portion is formed on the fourth main surface side of the second semiconductor substrate, The solid-state imaging device according to any one of [9] to [14], wherein at least a part of at least one first redistribution wire among the plurality of first redistribution wires is formed in the groove portion. apparatus.
  • the solid-state imaging device according to [15], wherein the depth of the groove is equal to or greater than the thickness of at least one first redistribution line among the plurality of first redistribution lines.
  • Solid-state imaging device 108, 208, 408, 508, 608 ... Internal electrode, 110, 210, 310, 410, 510, 610 ... First rewiring, 112, 212 312, 412, 512 ... Second rewiring

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Abstract

固体撮像装置と固体撮像装置を実装するモジュール基板との接点となる接合部と接続する再配線の設計自由度の更なる向上を実現することができる固体撮像装置を提供すること。光入射側である第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、該第１の主面に二次元状に配置された受光素子が形成された第１の半導体基板と、該第１の半導体基板の該第２の主面に形成された第１の配線層と、を備えるセンサ基板と、光入射側である第３の主面と、該第３の主面とは反対側の第４の主面とを有する第２の半導体基板と、該第２の半導体基板の該３の主面に形成された第２の配線層と、を備える回路基板と、該受光素子の上方に配された光透過性基板と、該第２の配線層に形成された内部電極と電気的に接続された第１の再配線と、該第２の半導体基板の該第４の主面側に形成された第２の再配線と、を備え、該センサ基板の該第１の配線層と該回路基板の該第２の配線層とが、貼り合わされることで、該センサ基板と該回路基板との積層構造が構成されている、固体撮像装置を提供する。

Description

固体撮像装置及び電子機器
　本技術は、固体撮像装置及び電子機器に関する。
　スマートフォン等で用いるカメラモジュールにおいては、スマートフォンの小型化、薄膜化のために、カメラモジュール自体の小型化、薄膜化が求められている。
　例えば、チップサイズパッケージによるパッケージング技術を用いた固体撮像装置の小型化技術が提案されている（特許文献１を参照）。
特開２０１５－１３５９３８号公報
　しかしながら、特許文献１で提案された技術では、固体撮像装置と固体撮像装置を実装するモジュール基板との接点となる接合部（例えば接続端子）と接続する再配線の設計自由度の更なる向上が図れないおそれがある。
　そこで、本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、再配線の設計自由度の更なる向上を実現することができる固体撮像装置、及びその固体撮像装置を搭載した電子機器を提供することを主目的とする。
　本発明者は、上述の目的を解決するために鋭意研究を行った結果、固体撮像装置に備えられる再配線の設計自由度の更なる向上の実現に成功し、本技術を完成するに至った。
すなわち、本技術では、第１の側面として、
　光入射側である第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、該第１の主面に二次元状に配置された受光素子が形成された半導体基板と、
　該受光素子の上方に配された光透過性基板と、
　該半導体基板の該第２の主面に形成された配線層と、
　該配線層に形成された内部電極と電気的に接続された第１の再配線と、
　該半導体基板の該第２の主面側に形成された第２の再配線と、を備える、固体撮像装置を提供する。
　本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
　前記第２の再配線が、前記第１の再配線の下方に配されてよい。
　本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
　前記第１の再配線が複数で形成されてよく、
　前記第２の再配線が複数で形成されてよく、
　該複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線と、該複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線とが接続されていてよい。
　本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
　前記第１の再配線が複数で形成されてよく、
　前記第２の再配線が複数で形成されてよく、
　前記配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備えてよく、
　該複数の信号線のうち、隣接する２つの信号線の間の領域内に、磁界の方向が互いに異なる複数の磁界を生じさせるように、該複数の第１の再配線と該複数の第２の再配線とが配置されていてよい。
　本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
　前記複数の第１の再配線のうち１つの第１の再配線と、前記複数の第２の再配線のうち１つの第２の再配線とが上下方向に構成された１つのペアが少なくとも１つで形成されてよく、
　該１つのペアにおいて、該１つの第１の再配線に流れる第１の電流の向きと該１つの第２の再配線に流れる第２の電流の向きとは逆方向でよい。
　本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
　前記第１の再配線が複数で形成されてよく、
　前記第２の再配線が複数で形成されてよく、
　前記配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備えてよく、
　該複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線及び／又は該複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線が、前記光入射側の反対側から見て、該複数の信号線のうち少なくとも１つの信号線の少なくとも一部を覆っていてよい。
　本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
　前記第１の再配線が複数で形成されてよく、
　前記半導体基板の前記第２の主面側に溝部が形成されてよく、
　該複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の少なくとも一部が、該溝部に形成されていてよい。
　本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
　前記溝部の深さが、前記複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の厚み以上でよい。
　また、本技術では、第２の側面として、
　光入射側である第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、該第１の主面に二次元状に配置された受光素子が形成された第１の半導体基板と、
　該第１の半導体基板の該第２の主面に形成された第１の配線層と、を備えるセンサ基板と、
　光入射側である第３の主面と、該第３の主面とは反対側の第４の主面とを有する第２の半導体基板と、
　該第２の半導体基板の該３の主面に形成された第２の配線層と、を備える回路基板と、
　該受光素子の上方に配された光透過性基板と、
　該第２の配線層に形成された内部電極と電気的に接続された第１の再配線と、
　該第２の半導体基板の該第４の主面側に形成された第２の再配線と、を備え、
　該センサ基板の該第１の配線層と該回路基板の該第２の配線層とが、貼り合わされることで、該センサ基板と該回路基板との積層構造が構成されている、固体撮像装置を提供する。
　本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
　前記第２の再配線が、前記第１の再配線の下方に配されてよい。
　本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
　前記第１の再配線が複数で形成されてよく、
　前記第２の再配線が複数で形成されてよく、
　該複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線と、該複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線とが接続されていてよい。
　本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
　前記第１の再配線が複数で形成されてよく、
　前記第２の再配線が複数で形成されてよく、
　前記第２の配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備えてよく、
　該複数の信号線のうち隣接する２つの信号線の間の領域内に、磁界の方向が互いに異なる複数の磁界を生じさせるように、該複数の第１の再配線と該複数の第２の配線層とが配置されていてよい。
　本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
　前記複数の第１の再配線のうち１つの第１の再配線と、前記複数の第２の再配線のうち１つの第２の再配線とが上下方向に構成された１つのペアが少なくとも１つで形成されてよく、
　該１つのペアにおいて、該１つの第１の再配線に流れる第１の電流の向きと該１つの第２の再配線に流れる第２の電流の向きとは逆方向でよい。
　本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
　前記第１の再配線が複数で形成されてよく、
　前記第２の再配線が複数で形成されてよく、
　前記配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備えてよく、
　該複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線及び／又は該複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線が、前記光入射側の反対側から見て、該複数の信号線のうち少なくとも１つの信号線の少なくとも一部を覆っていてよい。
　本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
　前記第１の再配線が複数で形成されてよく、
　前記第２の半導体基板の前記第４の主面側に溝部が形成されてよく、
　該複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の少なくとも一部が、該溝部に形成されていてよい。
　本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
　前記溝部の深さが、前記複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の厚み以上でよい。
　さらに、本技術では、本技術に係る第１の側面の固体撮像装置又は本技術に係る第２の側面の固体撮像装置が搭載された、電子機器を提供する。
　本技術によれば、固体撮像装置に備えられる再配線の設計自由度の更なる向上を実現することができる。なお、ここに記載された効果は、必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した固体撮像装置が備える複数の第１の再配線の構成例を示す平面図である。 本技術を適用した固体撮像装置が備える複数の第２の再配線の構成例を示す平面図である。 本技術を適用した固体撮像装置が備える複数の第１の再配線の構成例及び複数の第２の再配線の構成例を示す断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置が備える複数の第１の再配線、複数の第２の再配線及び複数の信号線の構成例を示す斜視図である。 本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す断面図である。 本技術を適用した第１～第５の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。 本技術を適用した第６の実施形態に係る電子機器の一例の機能ブロック図である。 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
　以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。なお、特に断りがない限り、図面において、「上」とは図中の上方向又は上側を意味し、「下」とは、図中の下方向又は下側を意味し、「左」とは図中の左方向又は左側を意味し、「右」とは図中の右方向又は右側を意味する。また、図面については、同一又は同等の要素又は部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
　説明は以下の順序で行う。
　１．本技術の概要
　２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）
　３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）
　４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）
　５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）
　６．第５の実施形態（固体撮像装置の例５）
　７．第６の実施形態（電子機器の例）
　８．本技術を適用した固体撮像装置の使用例
　９．内視鏡手術システムへの応用例
　１０．移動体への応用例
＜１．本技術の概要＞
　まず、本技術の概要について説明をする。
　チップサイズパッケージ型の固体撮像装置は、例えば、画素領域が形成されたセンサ基板（イメージセンサ基板とも言う。以下、同じ。）と、画素部から出力された画素信号を処理する回路基板（例えばロジック回路基板が挙げられる。）とが積層されて構成されている。センサ基板が備える半導体基板には光電変換部（例えばフォトダイオード（ＰＤ）が挙げられる。）が形成され、センサ基板が備える半導体基板の上方に配置されたオンチップレンズ上に、接着層を介して光透過性基板が形成され、さらに、回路基板の下方（光入射側とは反対側）に再配線を設けることで、モジュール基板との接続端子が取り出されている。ここでの接続端子までの接続配線である再配線は、例えば、単一層の金属膜によって構成されており、再配線の設計自由度が低い可能性がある。
　また、例えば、二層構成の再配線を形成する技術がある。この技術は固体撮像装置に用いられるものではない。この技術は装置の主面側からモジュール接続用の端子取り出しを行うので、この技術と、装置の主面とは反対側の面からモジュール接続用の端子取り出しを行い、厚さが百ミクロンオーダーのシリコン基板（半導体基板）に貫通孔を設けて再配線を構成する固体撮像装置に関する技術とは、再配線の膜厚オーダーの点で桁が違っており、この技術を固体撮像装置に適用するには、積層される再配線の間の層間膜構造や製造方法を大きく異ならせることが必須の要件となる場合がある。
　さらに、固体撮像装置においては、再配線の構造やレイアウトに起因して、画素からの出力信号にノイズが乗ることがあり、撮像特性への影響を考慮した再配線の形成を行うことが必要な場合がある。
　本技術は、上記に鑑みてなされたものである。本技術によれば、チップサイズパッケージ型の固体撮像装置における再配線レイアウトの自由度の向上や撮像特性向上を実現することができ、さらには、再配線レイアウトの自由度の向上と撮像特性向上との両立を実現することができる。
　そして、本技術に係る固体撮像装置においては、光透過性基板が配置された光入射側である基板の面とは反対側の基板の面に形成された複数層の再配線により、接続端子までの接続配線を形成することで、再配線の設計自由度を向上することを可能になるという効果が奏され、さらに、積層構造の再配線のレイアウトにより、画像ノイズの抑制が可能になるという効果が奏される。
　以下に、本技術に係る実施の形態について詳細に説明をする。
＜２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）＞　本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置は、光入射側である第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、該第１の主面上に二次元状に配置された受光素子が形成された第１の半導体基板と、該第１の半導体基板の該第２の主面に形成された第１の配線層と、を備えるセンサ基板と、光入射側である第３の主面と、該第３の主面とは反対側の第４の主面とを有する第２の半導体基板と、該第２の半導体基板の該３の主面に形成された第２の配線層と、を備える回路基板と、該受光素子の上方に配された光透過性基板と、該第２の配線層に形成された内部電極と電気的に接続された第１の再配線と、該第２の半導体基板の該第４の主面側に形成された第２の再配線と、を備え、該センサ基板の該第１の配線層と該回路基板の該第２の配線層とが、貼り合わされることで、該センサ基板と該回路基板との積層構造が構成されている、固体撮像装置である。
　本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置においては、第２の再配線が、第１の再配線の下方に配されてよい。また、本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置においては、第１の再配線が複数で形成され、第２の再配線が複数で形成され、複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線と、複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線とが接続されていてよい。
　本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置によれば、再配線レイアウトの自由度の向上や撮像特性向上を実現することができ、さらには、再配線レイアウトの自由度の向上と撮像特性向上との両立を実現することができる。そして、本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置によれば、再配線の設計自由度を向上することを可能になるという効果が奏され、さらに、積層構造の再配線のレイアウトにより、画像ノイズの抑制が可能になるという効果が奏される。
　以下、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置について、図１～図１０を用いて更に詳細に説明をする。
　図１は、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す断面図であり、より詳しくは、積層構造の再配線を有するチップサイズパッケージ構造の第１の実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図である。図２～図１０は、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図であり、より詳しくは、積層構造の再配線を有するチップサイズパッケージ構造の第１の実施形態の固体撮像装置の製造方法を工程順で説明するための断面図である。
　まず、図１を用いて説明をする。図１には固体撮像装置１が示されている。固体撮像装置１は、主に、第１の半導体基板１０２と第１の配線層１０１とを備えるセンサ基板４０００と、第２の半導体基板１０９と第２の配線層１０７とを備える回路基板５０００と、第１の再配線１１０と、第２の再配線１１２とから構成されている。
図１に示される固体撮像装置１では、撮像信号を得るための受光素子（例えば、光電変換領域のフォトダイオード）１０２ａが、第１の半導体基板１０２の第１の主面Ｐ１に形成されている。そして、受光素子（例えば、光電変換領域に形成されたフォトダイオード）１０２ａ上には、受光領域Ｒ内に配置されるマイクロレンズ１０３が配置されており、マイクロレンズ１０３上を平坦化する平坦化層１０４が配置され、平坦化層１０４上には、接着層１０５を介して、光透過性基板（例えば、透明保護基板）１０６が配置されている。
　第１の半導体基板１０２の第２の主面Ｐ２に形成された第１の配線層（イメージセンサ基板配線部とも言う。）１０２の下部（図１の下側）には、画素からの信号を受けて信号処理を行う、第２の半導体基板１０９（回路基板シリコン部とも言う。）と、第２の半導体基板の第３の主面Ｐ３に形成された第２の配線層（回路基板配線部とも言う。）１０７とから構成される回路基板５０００が接続されており、第２の配線層（回路基板配線部）１０７と第１の配線層（イメージセンサ基板配線部）１０１が接続部７００－１及び７００－２を介して接続されることで、センサ基板４０００と回路基板５０００とが電気的な接続がなされる。
　さらに、第２の配線層（回路基板配線部）１０７中には、内部電極１０８が形成されており、第１の再配線１１０は、第２の半導体基板（回路基板シリコン部）１０９及び第２の配線層（回路基板配線部）１０７を貫通して形成されている。第１の再配線１１０には、第１の層間絶縁膜１１１を介して、第２の半導体基板の第４の主面Ｐ４側に第２の再配線１１２が形成され、第２の再配線１１２の下部（図１の下側）には第２の層間絶縁膜１１３の一部に形成された絶縁膜開口部に半田バンプ１１４が形成されている。半田バンプ１１４は、外部のモジュール基板への接続接点となることで、第１の再配線１１０及び第２の再配線１１２とからなる二層構造の再配線を備える固体撮像装置の構成を可能にしている。第１の層間絶縁膜１１１と第２の層間絶縁膜１１３とは同じ材料から構成されてもよいし、異なった材料から構成されてもよい。
　第１の再配線１１０は、第２の半導体基板１０９の第３の主面Ｐ３及び第４の主面Ｐ４と略平行である、第１の部材１１０－１と第３の部材１１０－３と第４の部材１１０－４と、第２の半導体基板の第３の主面Ｐ３及び第４の主面Ｐ４に対して略垂直である第２の部材１１０－２と第５の部材１１０－５とから構成されている。
　第２の再配線１１２は、第２の半導体基板１０９の第４の主面Ｐ４と略平行である、第１の部材１１２－１と第２の部材１１２－２と第３の部材１１２－３とから構成されている。
　そして、第１の再配線１１０の第１の部材１１０－１と内部電極１０８とが接続され、第１の再配線の第４の部材１１０－４と第２の再配線の第１の部材１１２－１とが接続され、第２の再配線１１２－３と半田バンプ１１４とが接続されている。
　本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置１によれば、再配線においては、第１の再配線１１０及び第２の再配線１１２とからなる二層構造の再配線が形成されており、レイアウトの自由度を高めることができる。また、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置１によれば、再配線の設計自由度を向上することで、例えば、半田バンプの配置位置をチップの所望の領域に配置することが可能になり、モジュールとの接合の際に接続強度を高めることが可能になるという利点がある。
　ここで、上記で説明をした固体撮像装置１における二層構造の再配線の形成には、特有の製造方法を用いることが必要である。以下に、図２～図１０を用いて、固体撮像装置１の製造方法を詳細に説明する。
　まず、図２に示されるように、光電変換により画像信号を出力するセンサ基板４０００と、センサ基板４０００からの信号を受け信号処理を行う回路基板５０００が接続されたものを準備する。センサ基板４０００と回路基板５０００とは、それぞれの基板に形成された配線層（第１の配線層２０１及び第２の配線層２０７）を介して電気的に接続されている。受光素子（例えば、光電変換領域に形成されたフォトダイオード（ＰＤ））２０２ａの上部（図２の上側）に形成されたマイクロレンズ２０３上の平坦化膜２０４上に接着層２０５を介して、光透過性基板（例えば、透明保護基板）２０６を形成する。
　次に、第２配線層（回路基板配線部）２０７に形成された内部電極２０８に対して、貫通孔２１５を形成する（図３）。
　次いで、略同一層で、第１の再配線２１０を形成する（図４）。なお、図４中に図示はされていないが、第１の再配線２１０の第２の半導体基板（回路基板シリコン部）２０９との境界部分には、電気的に短絡しないよう絶縁膜が形成されていてよい。第１の再配線２１０は、所望領域に開口パターンを設けたレジスト材料をマスクとした電界めっき法により銅膜などにより形成し、第１の再配線２１０の膜厚は、数ミクロンから数十ミクロンの膜厚で形成する。
　次に、第１の再配線２１０上を第１の層間絶縁膜２１１で被覆する（図５）。第１の層間絶縁膜２１１には、有機材料であるソルダーレジストなどを用いてよい。また、次の工程で第１の層間絶縁膜２１１には、第２の再配線２１２との接続部となる絶縁膜開口部を設けるため、感光性のソルダーレジストを用いることが望ましい。
　次いで、第１の層間絶縁膜２１１に絶縁膜開口部２１６を形成する（図６）。このとき、第１の層間絶縁膜２１１が感光性材料である場合には、リスグラフィ法により開口を設けることができるし、感光性材料でない材料膜を用いる場合には、リソグラフィ法により形成したレジストパターンをマスクとしたドライエッチング法により開口を設けることもできる。
　次に、略同一層で、第２の再配線２１２を形成する（図７）。第２の再配線２１２は、所定の領域に開口パターンを設けたレジスト材料をマスクとした電界めっき法により銅膜などにより形成し、第２の再配線２１２の膜厚は、数ミクロンから数十ミクロンの膜厚で形成する。
　次いで、第２の再配線２１２上を第２の層間絶縁膜２１３で被覆する（図８）。第２の層間絶縁膜２１３には、有機材料であるソルダーレジストなどを用いる。また、次の工程で第２の層間絶縁膜２１３には、モジュール基板との接続部となる半田バンプなどを配置するための絶縁膜開口部を設けるため、感光性のソルダーレジストを用いることが望ましい。
　次に、第２の層間絶縁膜２１３に絶縁膜開口部２１７を形成する（図９）。
　最後に、第２の層間絶縁膜２１３に形成した絶縁膜開口部に露出した第２の再配線２１２に、半田バンプ２１４を形成し、固体撮像装置１が完成する（図１０）。
　ここで、半田バンプは、固体撮像装置とこれを実装するモジュール基板との接点となる接合部であるが、ボール状の半田材料を配置し、熱処理を加えることでバンプ状に形成する以外にも、第２の層間絶縁膜２１３に形成した開口部にめっき法により、銅やニッケルなどの金属材料を形成することによって形成してもよい。
　固体撮像装置１の積層構造の第１の再配線２１０及び第２の再配線２１２の形成においては、第１の再配線２１０を被覆する層間絶縁膜２１１及び第２の再配線２１２を被覆する層間絶縁膜２１３に感光性のソルダーレジストを用いて接続開口部を形成できることを示したが、これは、第１の再配線２１０及び／又は第２の再配線２１２の配線幅が数十ミクロンと配線幅が広い固体撮像装置における特有の再配線形成において用いることができる製造方法であり、一般的な半導体装置におけるミクロンオーダーの再配線形成技術とは異なる材料や製法を開示するものである。
　本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置は、上記で述べた内容の他に、特に技術的な矛盾がない限り、後述する本技術に係る第２～４の実施形態の固体撮像装置の欄で述べる内容がそのまま適用することができる。
＜３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）＞　本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置は、光入射側である第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、該第１の主面上に二次元状に配置された受光素子が形成された第１の半導体基板と、該第１の半導体基板の該第２の主面に形成された第１の配線層と、を備えるセンサ基板と、光入射側である第３の主面と、該第３の主面とは反対側の第４の主面とを有する第２の半導体基板と、該第２の半導体基板の該３の主面に形成された第２の配線層と、を備える回路基板と、該受光素子の上方に配された光透過性基板と、該第２の配線層に形成された内部電極と電気的に接続された第１の再配線と、該第２の半導体基板の該第４の主面側に形成された第２の再配線と、を備え、該センサ基板の該第１の配線層と該回路基板の該第２の配線層とが、貼り合わされることで、該センサ基板と該回路基板との積層構造が構成されている、固体撮像装置である。そして、本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置においては、第１の再配線が複数で形成され、第２の再配線が複数で形成され、配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備え、複数の信号線のうち隣接する２つの信号線の間の領域内に、磁界の方向が互いに異なる複数の磁界を生じさせるように、複数の第１の再配線と複数の第２の配線層とが配置されている。
　さらに、本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置においては、好適には、複数の第１の再配線のうち１つの第１の再配線と、複数の第２の再配線のうち１つの第２の再配線とが上下方向に構成された１つのペアが少なくとも１つで形成され、１つのペアにおいて、１つの第１の再配線に流れる第１の電流の向きと該１つの第２の再配線に流れる第２の電流の向きとは逆方向である。
　本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置においては、第２の再配線が、第１の再配線の下方に配されてよい。また、本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置においては、第１の再配線が複数で形成され、第２の再配線が複数で形成され、複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線と、複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線とが接続されていてよい。
　本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置によれば、再配線レイアウトの自由度の向上や撮像特性向上を実現することができ、さらには、再配線レイアウトの自由度の向上と撮像特性向上との両立を実現することができる。そして、本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置によれば、再配線の設計自由度を向上することを可能になるという効果が奏され、さらに、積層構造の再配線のレイアウトにより、画像ノイズの抑制が可能になるという効果が奏される。
　以下、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置について、図１１～図１４を用いて更に詳細に説明をする。図１１は、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置が備える複数の第１の再配線の構成例を示す平面図であり、図１２は、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置が備える複数の第２の再配線の構成例を示す平面図であり、図１３は、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置が備える複数の第１の再配線の構成例及び複数の第２の再配線の構成例を示す断面図である。図１４は、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置が備える複数の第１の再配線、複数の第２の再配線及び複数の信号線の構成例を示す斜視図である。
　積層構造の再配線を有する第２の実施形態の固体撮像装置においては、再配線の配置パターンにおいて、固体撮像装置特有のレイアウトを用いることができる。まず、図１１を用いて説明をする。
　図１１は、第１の再配線の平面レイアウトを模式的に示したものであり、図１１には、電源配線３１０ａとＧＮＤ配線３１０ｂとが交互に配置されている
　図１２は、第２の再配線の平面レイアウトを模式的に示したものであり、図１２には、電源配線３１２ａとＧＮＤ配線３１２ｂとが交互に配置されている。
　図１３には、図１１に示されるＡ－Ａ’線、及び図１２に示されるＢ－Ｂ’線に相当する断面模式図を示す。図１３中の電源配線３１０ａ及び３１２ａ並びにＧＮＤ配線３１０ｂ及び３１２ｂの断面の丸中に・（点）を配置した配線は紙面の奥から手前に電流が流れ、丸中に×を配した配線は紙面の手前から奥に電流が流れる様子を模式的に示したものである。図１３に示されるように、例えば、縦方向（図１３中の上下方向）に隣接する第１の再配線３１０ａと第２の再配線３１２ｂとか構成される１つのペア３０００では、流れる電流向きが逆向きになるようになされている。なお、図１３では、全ての縦方向に隣接する第１の再配線と第２の再配線のペアで電流向きが異なることを開示しているが、必要に応じて一部の第１の再配線の電流向きを異ならせてもよい。
　図１１～図１３に示される第１の再配線及び第２の再配線のレイアウトでは、それぞれの再配線において電流印加により生じる磁界を隣接する再配線（例えば、上下方向の第１の再配線及び第２の再配線、左右方向の第１の配線同士及び左右方向の第２の配線同士）によって生じる磁界で打ち消し合うことが可能となり、再配線によって生じる磁界によって画素から取り出される信号電荷を伝送するための信号配線に起電力が生じ、画像ノイズとなることを抑制することが可能になる。
　図１４に、具体的な一例として、複数の第１の再配線、複数の第２の再配線及び複数の信号線の構成を示す。図１４に示されるように、第２の配線層（回路基板配線部）２０７と、第２の配線層（回路基板配線部）２０７の下部（図１４の下側）には、再配線形成部１０００が形成されている。第２の配線層（回路基板配線部）２０７には複数の信号線３１７ａ～３１７ｄが形成され、再配線形成部１０００には、複数の第１の再配線の群３１４０が形成され、複数の第１の再配線の群３１４０の下部（図１４中の下側）に複数の第２の再配線の群３１６０が形成されている。
　複数の第１の再配線の群３１４０としては、図１４の左側から、電源配線３１４ａとＧＮＤ配線３１４ｂとが交互に配置され、複数の第２の再配線の群３１６０としては、図１４中の左側から、ＧＮＤ配線３１６ｂと電源配線３１６ａとが交互に配置されている。すなわち、複数の第１の再配線の群３１４０と複数の第２の再配線の群３１６０とを併せて見ると（図１４の上下方向（縦方向）で見ると）、１つの電源配線と１つのＧＮＤ配線とから構成される１つのペアが２層構造で、複数で配置されている。ペアにおいて電源配線の電流の向きとＧＮＤ配線の電流の向きとを逆方向にさせることよって、隣接する信号線３１７ａと３１７ｂとの間の領域Ｕａｂ内、隣接する信号線３１７ｂと３１７ｃとの間の領域Ｕｂｃ内及び隣接する信号線３１７ｃと３１７ｄとの間の領域Ｕｃｄ内では、電流印加により生じる磁界を打ち消し合うことができ、画像ノイズの抑制を図ることができる
　本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置は、上記で述べた内容の他に、特に技術的な矛盾がない限り、上記で述べた本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の欄で述べた内容及び後述する本技術に係る第３～４の実施形態の固体撮像装置の欄で述べる内容がそのまま適用することができる。
＜４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）＞　本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置は、光入射側である第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、該第１の主面上に二次元状に配置された受光素子が形成された第１の半導体基板と、該第１の半導体基板の該第２の主面に形成された第１の配線層と、を備えるセンサ基板と、光入射側である第３の主面と、該第３の主面とは反対側の第４の主面とを有する第２の半導体基板と、該第２の半導体基板の該３の主面に形成された第２の配線層と、を備える回路基板と、該受光素子の上方に配された光透過性基板と、該第２の配線層に形成された内部電極と電気的に接続された第１の再配線と、該第２の半導体基板の該第４の主面側に形成された第２の再配線と、を備え、該センサ基板の該第１の配線層と該回路基板の該第２の配線層とが、貼り合わされることで、該センサ基板と該回路基板との積層構造が構成されている、固体撮像装置である。そして、本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置においては、第１の再配線が複数で形成され、第２の再配線が複数で形成され、配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備え、複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線及び／又は複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線が、光入射側の反対側から見て、複数の信号線のうち少なくとも１つの信号線の少なくとも一部を覆っている。
　本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置においては、第２の再配線が、第１の再配線の下方に配されてよい。また、本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置においては、第１の再配線が複数で形成され、第２の再配線が複数で形成され、複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線と、複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線とが接続されていてよい。
　本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置によれば、再配線レイアウトの自由度の向上や撮像特性向上を実現することができ、さらには、再配線レイアウトの自由度の向上と撮像特性向上との両立を実現することができる。そして、本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置によれば、再配線の設計自由度を向上することを可能になるという効果が奏され、さらに、積層構造の再配線のレイアウトにより、画像ノイズの抑制が可能になるという効果が奏される。
　以下、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置について、図１５を用いて更に詳細に説明をする。図１５は、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す断面図であり、より詳しくは、積層構造の再配線を有するチップサイズパッケージ構造の第２の実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図である。
　図１５を用いて説明する。図１５には固体撮像装置３が示されている。
　図１５においては、第２の配線層（回路基板配線部）４０７に形成された、センサ基板４０００からの信号電荷を伝送するための信号線４１８が示されている。図１５に示されるように、信号線４１８の直下の領域に第１の再配線４１０ｂと第２の再配線４１２ｂとを、信号線４１８の少なくとも一部の領域と空間的に重なるように配置したものとなっている。すなわち、第１の再配線４１０ｂ及び第２の再配線４１２ｂが、光入射側（裏面側、図１５中の上側）の反対側（表面側、図１５中の下側）から見て、信号線４１８の少なくとも一部を覆っている。ここで、信号線４１８の直下に配した第１の再配線４１０ｂ及び第２の再配線４１２ｂは、図１５では図示されていない箇所によって接地電位等に固定されていてもよい。
　第１の再配線４１０ａは、第２の半導体基板４０９の第３の主面Ｐ３及び第４の主面Ｐ４と略平行である、第１の部材４１０ａ－１と第３の部材４１０ａ－３と第４の部材４１０ａ－４と、第２の半導体基板４０９の第３の主面Ｐ３及び第４の主面Ｐ４に対して略垂直である第２の部材４１０ａ－２と第５の部材４１０ａ－５とから構成されている。
　第２の再配線４１２ａは、第２の半導体基板４０９の第４の主面Ｐ４と略平行である、第１の部材４１２ａ－１と第２の部材４１２ａ－２と第３の部材４１２ａ－３とから構成されている。
　そして、第１の再配線４１０ａの第１の部材４１０ａ－１と信号線４１８とが接続され、第１の再配線の第４の部材４１０ａ－４と第２の再配線の第１の部材４１２ａ－１とが接続され、第２の再配線４１２ａ－３と半田バンプ４１４とが接続されている。
　さらに、第１の再配線４１０ｃは、第２の半導体基板４０９の第３の主面Ｐ３及び第４の主面Ｐ４と略平行である、第１の部材４１０ｃ－１と第３の部材４１０ｃ－３と第４の部材４１０ｃ－４と、第２の半導体基板４０９の第３の主面Ｐ３及び第４の主面Ｐ４に対して略垂直である第２の部材４１０ｃ－２と第５の部材４１０ｃ－５とから構成されている。
　第２の再配線４１２ｃは、第２の半導体基板４０９の第４の主面Ｐ４と略平行である、第１の部材４１２ｃ－１と第２の部材４１２ｃ－２と第３の部材４１２ｃ－３とから構成されている。
　そして、第１の再配線４１０ｃの第１の部材４１０ｃ－１と内部電極４０８とが接続され、第１の再配線の第４の部材４１０ｃ－４と第２の再配線の第１の部材４１２ｃ－１とが接続され、第２の再配線４１２ｃ－３と半田バンプ４１４とが接続されている。
　図１５に示される第１の再配線４１０ｂ及び第２の再配線４１２ｂのレイアウトによって、例えば、固体撮像装置３と接続されるモジュール基板からの磁界の影響が信号線４１８に及ぶことを遮断し、画素信号にノイズが乗ることを抑制することが可能となる。また、第１の再配線４１０ｂ及び第２の再配線４１２ｂを画素の電源、GND配線等の直下の領域に配置することで、固体撮像装置３からの磁界が、モジュール基板に搭載された回路に及ぼす影響を阻止すようにすることも可能である。
　本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置は、上記で述べた内容の他に、特に技術的な矛盾がない限り、上記で述べた本技術に係る第１～２の実施形態の固体撮像装置の欄で述べた内容及び後述する本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置の欄で述べる内容がそのまま適用することができる。
＜５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）＞　本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置は、光入射側である第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、該第１の主面上に二次元状に配置された受光素子が形成された第１の半導体基板と、該第１の半導体基板の該第２の主面に形成された第１の配線層と、を備えるセンサ基板と、光入射側である第３の主面と、該第３の主面とは反対側の第４の主面とを有する第２の半導体基板と、該第２の半導体基板の該３の主面に形成された第２の配線層と、を備える回路基板と、該受光素子の上方に配された光透過性基板と、該第２の配線層に形成された内部電極と電気的に接続された第１の再配線と、該第２の半導体基板の該第４の主面側に形成された第２の再配線と、を備え、該センサ基板の該第１の配線層と該回路基板の該第２の配線層とが、貼り合わされることで、該センサ基板と該回路基板との積層構造が構成されている、固体撮像装置である。そして、本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置においては、第１の再配線が複数で形成され、第２の半導体基板の第４の主面側に溝部が形成され、複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の少なくとも一部が、溝部に形成されている。

　さらに、本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置においては、好適には、溝部の深さは、複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の厚み以上である。
　本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置においては、第２の再配線が、第１の再配線の下方に配されてよい。また、本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置においては、第１の再配線が複数で形成され、第２の再配線が複数で形成され、複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線と、複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線とが接続されていてよい。
　本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置によれば、再配線レイアウトの自由度の向上や撮像特性向上を実現することができ、さらには、再配線レイアウトの自由度の向上と撮像特性向上との両立を実現することができる。そして、本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置によれば、再配線の設計自由度を向上することを可能になるという効果が奏され、さらに、積層構造の再配線のレイアウトにより、画像ノイズの抑制が可能になるという効果が奏される。
　以下、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置について、図１６～図２６を用いて更に詳細に説明をする。図１６は、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す断面図であり、より詳しくは、積層構造の再配線を有するチップサイズパッケージ構造の第４の実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図である。図１７～図２６は、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明するための断面図であり、より詳しくは、積層構造の再配線を有するチップサイズパッケージ構造の第４の実施形態の固体撮像装置の製造方法を工程順で説明するための断面図である。
　まず、図１６を用いて説明をする。図１６には固体撮像装置４が示されている。固体撮像装置４によれば、再配線を積層化するときに、再配線の厚さや再配線間の層間絶縁膜の厚さ分だけ、固体撮像装置の厚みが増し、ひいては、これを用いたカメラモジュール全体の厚みが増してしまうということに対して、積層の再配線構造を用いる固体撮像装置の厚みが低減される得る構造（低背化の構造）を提供することができる。
　図１６に示される固体撮像装置４の構造と、図１に示される固体撮像装置１の構造との相違点は、３つの第１の再配線５１０の形成領域となる第２の配線層（回路基板シリコン部）５０９にシリコン掘り込み部Ｓ１～Ｓ３を形成したことである。図１６では、シリコン掘り込み部Ｓ－１～Ｓ－３は、第１の再配線５１０の厚みＴ１～Ｔ３以上の深さｄ１～ｄ３を有している。なお、シリコン掘り込み部Ｓ１～Ｓ３の深さｄ１～ｄ３は、第１の再配線５１０の厚みＴ１～Ｔ３よりも小さくてよい。
　本実施形態に係る固体撮像装置４の構造により、積層型の再配線を有する場合でも固体撮像装置の厚み増加を抑制し、ひいては、これを用いたカメラモジュール全体の厚みも抑制することが可能になる。
　第１の再配線５１０は、第２の半導体基板５０９の第３の主面Ｐ３及び第４の主面Ｐ４と略平行である、第１の部材５１０－１と第３の部材５１０－３と第４の部材５１０－４と、第２の半導体基板５０９の第３の主面Ｐ３及び第４の主面Ｐ４に対して略垂直である第２の部材５１０－２と第５の部材５１０－５とから構成されている。
　第２の再配線５１２は、第２の半導体基板５０９の第４の主面Ｐ４と略平行である、第１の部材５１２－１と第２の部材５１２－２と第３の部材５１２－３とから構成されている。
　そして、第１の再配線５１０の第１の部材５１０－１と内部電極５０８とが接続され、第１の再配線の第４の部材５１０－４と第２の再配線の第１の部材５１２－１とが接続され、第２の再配線５１２－３と半田バンプ５１４とが接続されている。
　第１の再配線５１０の厚みＴ１（Ｔ２～Ｔ３も同様。）は、具体的には、第１の再配線５１０の第３の部材５１０－３又は／及び第４の部材５１０－４の厚み（図１６中では上下方向の長さ）である。
　次に、固体撮像装置４の製造方法を、図１７～図２６を参照して説明する。
　まず、図１７に示されるように、光電変換により画像信号を出力するセンサ基板４０００と、センサ基板４０００からの信号を受け信号処理を行う回路基板５０００が接続されたものを準備する。センサ基板４０００と回路基板５０００とは、それぞれの基板に形成された配線部（第１の配線層６０１及び第２の配線層６０７）を介して電気的に接続されており、光電変換領域６０２上部に形成されたマイクロレンズ６０３上の平坦化膜６０４上に接着層６０５を介して、光透過性基板（例えば、透明保護基板）を形成する６０６を形成する。
　次に、第２の半導体基板（回路基板シリコン部）６０９にシリコン掘り込み部６１４を形成する（図１８）。
　次に、第２の配線層（回路基板配線部）６０７に形成された内部電極６０８に対して、貫通孔６１５を形成する（図１９）。
　次いで、略同一層で、第１の再配線６１０を形成する（図２０）。なお、図２０には示されていないが、第１の再配線６１０は、第２の半導体基板（回路基板シリコン部）６０９との境界部分には、電気的に短絡しないよう絶縁膜が形成されていてよい。第１の再配線６１０は、所定の領域に開口パターンを設けたレジスト材料をマスクとした電界めっき法により銅膜などにより形成し、第１の再配線の膜厚は、数ミクロンから数十ミクロンの膜厚で形成する。
　次に、第１の再配線６１０を第１の層間絶縁膜６１１で被覆する（図２１）。第１の層間絶縁膜６１１には、有機材料であるソルダーレジストなどを用いる。また、次の工程で第１の層間絶縁膜６１１には、第２の再配線６１２との接続部となる絶縁膜開口部を設けるため、感光性のソルダーレジストを用いることが望ましい。
　次いで、第１の層間絶縁膜６１１に絶縁膜開口部６１６を形成する（図２２）。このとき、第１の層間絶縁膜６１１が感光性材料である場合には、リスグラフィ法により開口を設けることができるし、感光性材料でない材料膜を用いる場合には、リソグラフィ法により形成したレジストパターンをマスクとしたドライエッチング法により開口を設けることもできる。
　次に、略同一層で、第２の再配線６１２を形成する（図２３）。第２の再配線６１２は、所定の領域に開口パターンを設けたレジスト材料をマスクとした電界めっき法により銅膜などにより形成し、第２の再配線の膜厚は、数ミクロンから数十ミクロンの膜厚で形成する。
　次いで、第２の再配線６１２を第２の層間絶縁膜６１３で被覆する（図２４）。第２の層間絶縁膜６１３には、有機材料であるソルダーレジストなどを用いる。また、次の工程で第２の層間絶縁膜６１３には、モジュール基板との接続部となる半田バンプなどを配置するための絶縁膜開口部を設けるため、感光性のソルダーレジストを用いることが望ましい。
　次に、第２の層間絶縁膜６１３に絶縁膜開口部６１７を形成する（図２５）。最後に、第２の層間絶縁膜６１３に形成した絶縁膜開口部に露出した第２の再配線６１２に、半田バンプ６１４を形成し、固体固体撮像装置４が完成する（図２６）。ここで、半田バンプの代わりに銅やニッケルなどの金属材料をめっき法により形成してもよいことは、本技術に係る第１の第１の実施形態の固体撮像装置１と同様である。
　本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置４の積層構造の再配線の形成においては、第１の再配線６１０の形成領域となる第２の半導体基板（回路基板シリコン部）６０９にシリコン掘り込み部を形成することで、第１の再配線６１０の厚み分の固体撮像装置の厚さを低減でき、カメラモジュール全体の厚み自体を低減することが可能となり、それを用いた装置全体の小型化（特には、低背化）を実現することができる。
　さらに、第１の再配線６１０と内部電極６０８とのの接続部となる貫通孔を形成する際のドライエッチング加工の処理時間を短縮することが可能となり、ドライエッチング加工で生じるプラズマダメージを低減することができ、固体撮像装置や回路基板に形成したトランジスタなどの素子特性の変動を抑制できるという利点も併せ持つ。
　本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置は、上記で述べた内容の他に、特に技術的な矛盾がない限り、上記で述べた本技術に係る第１～３の実施形態の固体撮像装置の欄で述べた内容がそのまま適用することができる。
＜６．第５の実施形態（固体撮像装置の例５）＞　本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置は、光入射側である第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、該第１の主面上に二次元状に配置された受光素子が形成された半導体基板と、該受光素子の上方に配された光透過性基板と、該半導体基板の該第２の主面に形成された配線層と、該配線層に形成された内部電極と電気的に接続された第１の再配線と、該半導体基板の該第２の主面側に形成された第２の再配線と、を備える、固体撮像装置である。
　本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置においては、第２の再配線が、第１の再配線の下方に配されてよい。また、本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置においては、第１の再配線が複数で形成され、第２の再配線が複数で形成され、複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線と、複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線とが接続されていてよい。
　本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置においては、第１の再配線が複数で形成され、第２の再配線が複数で形成され、配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備え、複数の信号線のうち隣接する２つの信号線の間の領域内に、磁界の方向が互いに異なる複数の磁界を生じさせるように、複数の第１の再配線と複数の第２の再配線とが配置されてよい。
　さらに、本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置においては、好適には、複数の第１の再配線のうち１つの第１の再配線と、複数の第２の再配線のうち１つの第２の再配線とが上下方向に構成された１つのペアが少なくとも１つで形成され、１つのペアにおいて、１つの第１の再配線に流れる第１の電流の向きと１つの第２の再配線に流れる第２の電流の向きとは逆方向でよい。
　また、本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置においては、第１の再配線が複数で形成され、第２の再配線が複数で形成され、配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備え、複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線及び／又は複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線が、光入射側の反対側から見て、複数の信号線のうち少なくとも１つの信号線の少なくとも一部を覆っていてよい。
　さらに、本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置においては、第１の再配線が複数で形成され、半導体基板の第２の主面側に溝部が形成され、複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の少なくとも一部が、溝部に形成されていてよい。

　そして、本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置においては、好適には、溝部の深さは、複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の厚み以上でよい。
　本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置によれば、再配線レイアウトの自由度の向上や撮像特性向上を実現することができ、さらには、再配線レイアウトの自由度の向上と撮像特性向上との両立を実現することができる。そして、本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置によれば、再配線の設計自由度を向上することを可能になるという効果が奏され、さらに、積層構造の再配線のレイアウトにより、画像ノイズの抑制が可能になるという効果が奏される。
　本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置は、上記で述べた内容の他に、特に技術的な矛盾がない限り、上記で述べた本技術に係る第１～４の実施形態の固体撮像装置の欄で述べた内容がそのまま適用することができる。
＜７．第６の実施形態（電子機器の例）＞　本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、本技術に係る第１の側面の固体撮像装置が搭載された電子機器であり、本技術に係る第１の側面の固体撮像装置は、光入射側である第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、該第１の主面上に二次元状に配置された受光素子が形成された半導体基板と、該受光素子の上方に配された光透過性基板と、該半導体基板の該第２の主面に形成された配線層と、該配線層に形成された内部電極と電気的に接続された第１の再配線と、該半導体基板の該第２の主面側に形成された第２の再配線と、を備える、固体撮像装置である。
　また、本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、本技術に係る第２の側面の固体撮像装置が搭載された電子機器であり、本技術に係る第２の側面の固体撮像装置は、光入射側である第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、該第１の主面上に二次元状に配置された受光素子が形成された第１の半導体基板と、該第１の半導体基板の該第２の主面に形成された第１の配線層と、を備えるセンサ基板と、光入射側である第３の主面と、該第３の主面とは反対側の第４の主面とを有する第２の半導体基板と、該第２の半導体基板の該３の主面に形成された第２の配線層と、を備える回路基板と、該受光素子の上方に配された光透過性基板と、該第２の配線層に形成された内部電極と電気的に接続された第１の再配線と、該第２の半導体基板の該第４の主面側に形成された第２の再配線と、を備え、該センサ基板の該第１の配線層と該回路基板の該第２の配線層とが、貼り合わされることで、該センサ基板と該回路基板との積層構造が構成されている、固体撮像装置である。
　例えば、本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、本技術に係る第１の実施形態～第５の実施形態の固体撮像装置のうち、いずれか一つ実施形態の固体撮像装置が搭載された電子機器である。
　＜８．本技術を適用した固体撮像素子の使用例＞
　図２７は、イメージセンサとしての本技術に係る第１～第５の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。
　上述した第１～第５の実施形態の固体撮像装置は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングするさまざまなケースに使用することができる。すなわち、図２７に示すように、例えば、鑑賞の用に供される画像を撮影する鑑賞の分野、交通の分野、家電の分野、医療・ヘルスケアの分野、セキュリティの分野、美容の分野、スポーツの分野、農業の分野等において用いられる装置（例えば、上述した第６の実施形態の電子機器）に、第１～第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　具体的には、鑑賞の分野においては、例えば、デジタルカメラやスマートフォン、カメラ機能付きの携帯電話機等の、鑑賞の用に供される画像を撮影するための装置に、第１～第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　交通の分野においては、例えば、自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置に、第１～第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　家電の分野においては、例えば、ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、テレビ受像機や冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置で、第１～第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　医療・ヘルスケアの分野においては、例えば、内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置に、第１～第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　セキュリティの分野においては、例えば、防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置に、第１～第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像素子を使用することができる。
　美容の分野においては、例えば、肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置に、第１～第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　スポーツの分野において、例えば、スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラプルカメラ等の、スポーツの用に供される装置に、第１～第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　農業の分野においては、例えば、畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置に、第１～第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
　次に、本技術に係る第１～第５の実施形態の固体撮像装置の使用例を具体的に説明する。例えば、上述で説明をした第１～第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置１０１として、例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話など、撮像機能を備えたあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。図２８に、その一例として、電子機器１０２（カメラ）の概略構成を示す。この電子機器１０２は、例えば静止画または動画を撮影可能なビデオカメラであり、固体撮像装置１０１と、光学系（光学レンズ）３１０と、シャッタ装置３１１と、固体撮像装置１０１およびシャッタ装置３１１を駆動する駆動部３１３と、信号処理部３１２とを有する。
　光学系３１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１０１の画素部１０１ａへ導くものである。この光学系３１０は、複数の光学レンズから構成されていてもよい。シャッタ装置３１１は、固体撮像装置１０１への光照射期間および遮光期間を制御するものである。駆動部３１３は、固体撮像装置１０１の転送動作およびシャッタ装置３１１のシャッタ動作を制御するものである。信号処理部３１２は、固体撮像装置１０１から出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Ｄｏｕｔは、メモリなどの記憶媒体に記憶されるか、あるいは、モニタ等に出力される。
＜９．内視鏡手術システムへの応用例＞
　本技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術（本技術）は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
　図２９は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
　図２９では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。
　内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
　鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
　カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ：　Ｃａｍｅｒａ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　Ｕｎｉｔ）１１２０１に送信される。
　ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
　表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
　光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。
　入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。
　処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
　なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
　また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
　また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Ｎａｒｒｏｗ　Ｂａｎｄ　Ｉｍａｇｉｎｇ）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ＩＣＧ）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。
　図３０は、図２９に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。
　カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。
　レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
　撮像部１１４０２は、撮像素子で構成される。撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。
　また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
　駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
　通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。
　また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
　なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Ａｕｔｏ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）機能、ＡＦ（Ａｕｔｏ　Ｆｏｃｕｓ）機能及びＡＷＢ（Ａｕｔｏ　Ｗｈｉｔｅ　Ｂａｌａｎｃｅ）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。
　カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。
　通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。
　また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
　画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
　制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。
　また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。
　カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
　ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。
　以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に適用され得る。具体的には、本開示の固体撮像装置１１１は、撮像部１０４０２に適用することができる。内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に本開示に係る技術を適用することにより、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等の性能や品質等を向上させることができる。
　ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
＜１０．移動体への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　図３１は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図３１に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。
　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｄｒｉｖｅｒ　Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図３１の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
　図３２は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
　図３２では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。
　撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
　なお、図３２には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
　以上、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部１２０３１等に適用され得る。具体的には、本開示の固体撮像装置１１１は、撮像部１２０３１に適用することができる。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、撮像部１２０３１の性能や品質等を向上させることができる。
　なお、本技術は、上述した実施形態及び応用例に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
　また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
　また、本技術は、以下のような構成も取ることができる。［１］
　光入射側である第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、該第１の主面に二次元状に配置された受光素子が形成された半導体基板と、
　該受光素子の上方に配された光透過性基板と、
　該半導体基板の該第２の主面に形成された配線層と、
　該配線層に形成された内部電極と電気的に接続された第１の再配線と、
　該半導体基板の該第２の主面側に形成された第２の再配線と、を備える、固体撮像装置。
［２］
　前記第２の再配線が、前記第１の再配線の下方に配されている、［１］に記載の固体撮像装置。
［３］
　前記第１の再配線が複数で形成され、
　前記第２の再配線が複数で形成され、
　該複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線と、該複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線とが接続されている、［１］又は［２］請求項１に記載の固体撮像装置。
［４］
　前記第１の再配線が複数で形成され、
　前記第２の再配線が複数で形成され、
　前記配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備え、
　該複数の信号線のうち、隣接する２つの信号線の間の領域内に、磁界の方向が互いに異なる複数の磁界を生じさせるように、該複数の第１の再配線と該複数の第２の再配線とが配置されている、［１］から［３］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［５］
　前記複数の第１の再配線のうち１つの第１の再配線と、前記複数の第２の再配線のうち１つの第２の再配線とが上下方向に構成された１つのペアが少なくとも１つで形成され、
　該１つのペアにおいて、該１つの第１の再配線に流れる第１の電流の向きと該１つの第２の再配線に流れる第２の電流の向きとは逆方向である、［４］に記載の固体撮像装置。
［６］
　前記第１の再配線が複数で形成され、
　前記第２の再配線が複数で形成され、
　前記配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備え、
　該複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線及び／又は該複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線が、前記光入射側の反対側から見て、該複数の信号線のうち少なくとも１つの信号線の少なくとも一部を覆っている、［１］から［５］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［７］
　前記第１の再配線が複数で形成され、
　前記半導体基板の前記第２の主面側に溝部が形成され、
　該複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の少なくとも一部が、該溝部に形成されている、［１］から［６］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［８］
　前記溝部の深さが、前記複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の厚み以上である、［７］に記載の固体撮像装置。
［９］
　光入射側である第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、該第１の主面に二次元状に配置された受光素子が形成された第１の半導体基板と、
　該第１の半導体基板の該第２の主面に形成された第１の配線層と、を備えるセンサ基板と、
　光入射側である第３の主面と、該第３の主面とは反対側の第４の主面とを有する第２の半導体基板と、
　該第２の半導体基板の該３の主面に形成された第２の配線層と、を備える回路基板と、
　該受光素子の上方に配された光透過性基板と、
　該第２の配線層に形成された内部電極と電気的に接続された第１の再配線と、
　該第２の半導体基板の該第４の主面側に形成された第２の再配線と、を備え、
　該センサ基板の該第１の配線層と該回路基板の該第２の配線層とが、貼り合わされることで、該センサ基板と該回路基板との積層構造が構成されている、固体撮像装置。
［１０］
　前記第２の再配線が、前記第１の再配線の下方に配されている、［９］に記載の固体撮像装置。
［１１］
　前記第１の再配線が複数で形成され、
　前記第２の再配線が複数で形成され、
　該複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線と、該複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線とが接続されている、［９］又は［１０］に記載の固体撮像装置。
［１２］
　前記第１の再配線が複数で形成され、
　前記第２の再配線が複数で形成され、
　前記第２の配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備え、
　該複数の信号線のうち隣接する２つの信号線の間の領域内に、磁界の方向が互いに異なる複数の磁界を生じさせるように、該複数の第１の再配線と該複数の第２の再配線とが配置されている、［９］から［１１］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１３］
　前記複数の第１の再配線のうち１つの第１の再配線と、前記複数の第２の再配線のうち１つの第２の再配線とが上下方向に構成された１つのペアが少なくとも１つで形成され、
　該１つのペアにおいて、該１つの第１の再配線に流れる第１の電流の向きと該１つの第２の再配線に流れる第２の電流の向きとは逆方向である、［１２］に記載の固体撮像装置。
［１４］
　前記第１の再配線が複数で形成され、
　前記第２の再配線が複数で形成され、
　前記配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備え、
　該複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線及び／又は該複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線が、前記光入射側の反対側から見て、該複数の信号線のうち少なくとも１つの信号線の少なくとも一部を覆っている、［９］から［１３］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１５］
　前記第１の再配線が複数で形成され、
　前記第２の半導体基板の前記第４の主面側に溝部が形成され、
　該複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の少なくとも一部が、該溝部に形成されている、［９］から［１４］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１６］
　前記溝部の深さが、前記複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の厚み以上である、［１５］に記載の固体撮像装置。
［１７］
　［１］から［１６］のいずれか１つに記載の固体撮像装置が搭載された、電子機器。
　１、３、４・・・固体撮像装置、１０８、２０８、４０８、５０８、６０８・・・内部電極、１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０・・・第１の再配線、１１２、２１２、３１２、４１２、５１２・・・第２の再配線
 
 

Claims (18)

  1. 　光入射側である第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、該第１の主面に二次元状に配置された受光素子が形成された半導体基板と、
    　該受光素子の上方に配された光透過性基板と、
    　該半導体基板の該第２の主面に形成された配線層と、
    　該配線層に形成された内部電極と電気的に接続された第１の再配線と、
    　該半導体基板の該第２の主面側に形成された第２の再配線と、を備える、固体撮像装置。
  2. 　前記第２の再配線が、前記第１の再配線の下方に配されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. 　前記第１の再配線が複数で形成され、
    　前記第２の再配線が複数で形成され、
    　該複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線と、該複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線とが接続されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
  4. 　前記第１の再配線が複数で形成され、
    　前記第２の再配線が複数で形成され、
    　前記配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備え、
    　該複数の信号線のうち隣接する２つの信号線の間の領域内に、磁界の方向が互いに異なる複数の磁界を生じさせるように、該複数の第１の再配線と該複数の第２の再配線とが配置されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
  5. 　前記複数の第１の再配線のうち１つの第１の再配線と、前記複数の第２の再配線のうち１つの第２の再配線とが上下方向に構成された１つのペアが少なくとも１つで形成され、
    　該１つのペアにおいて、該１つの第１の再配線に流れる第１の電流の向きと該１つの第２の再配線に流れる第２の電流の向きとは逆方向である、請求項４に記載の固体撮像装置。
  6. 　前記第１の再配線が複数で形成され、
    　前記第２の再配線が複数で形成され、
    　前記配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備え、
    　該複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線及び／又は該複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線が、前記光入射側の反対側から見て、該複数の信号線のうち少なくとも１つの信号線の少なくとも一部を覆っている、請求項１に記載の固体撮像装置。
  7. 　前記第１の再配線が複数で形成され、
    　前記半導体基板の前記第２の主面側に溝部が形成され、
    　該複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の少なくとも一部が、該溝部に形成されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
  8. 　前記溝部の深さが、前記複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の厚み以上である、請求項７に記載の固体撮像装置。
  9. 　光入射側である第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、該第１の主面に二次元状に配置された受光素子が形成された第１の半導体基板と、
    　該第１の半導体基板の該第２の主面に形成された第１の配線層と、を備えるセンサ基板と、
    　光入射側である第３の主面と、該第３の主面とは反対側の第４の主面とを有する第２の半導体基板と、
    　該第２の半導体基板の該３の主面に形成された第２の配線層と、を備える回路基板と、
    　該受光素子の上方に配された光透過性基板と、
    　該第２の配線層に形成された内部電極と電気的に接続された第１の再配線と、
    　該第２の半導体基板の該第４の主面側に形成された第２の再配線と、を備え、
    　該センサ基板の該第１の配線層と該回路基板の該第２の配線層とが、貼り合わされることで、該センサ基板と該回路基板との積層構造が構成されている、固体撮像装置。
  10. 　前記第２の再配線が、前記第１の再配線の下方に配されている、請求項９に記載の固体撮像装置。
  11. 　前記第１の再配線が複数で形成され、
    　前記第２の再配線が複数で形成され、
    　該複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線と、該複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線とが接続されている、請求項９に記載の固体撮像装置。
  12. 　前記第１の再配線が複数で形成され、
    　前記第２の再配線が複数で形成され、
    　前記第２の配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備え、
    　該複数の信号線のうち隣接する２つの信号線の間の領域内に、磁界の方向が互いに異なる複数の磁界を生じさせるように、該複数の第１の再配線と該複数の第２の再配線とが配置されている、請求項９に記載の固体撮像装置。
  13. 　前記複数の第１の再配線のうち１つの第１の再配線と、前記複数の第２の再配線のうち１つの第２の再配線とが上下方向に構成された１つのペアが少なくとも１つで形成され、
    　該１つのペアにおいて、該１つの第１の再配線に流れる第１の電流の向きと該１つの第２の再配線に流れる第２の電流の向きとは逆方向である、請求項１２に記載の固体撮像装置。
  14. 　前記第１の再配線が複数で形成され、
    　前記第２の再配線が複数で形成され、
    　前記配線層に、所定の方向に形成された複数の信号線を備え、
    　該複数の第１の再配線のうち少なくとも１つの第１の再配線及び／又は該複数の第２の再配線のうち少なくとも１つの第２の再配線が、前記光入射側の反対側から見て、該複数の信号線のうち少なくとも１つの信号線の少なくとも一部を覆っている、請求項９に記載の固体撮像装置。
  15. 　前記第１の再配線が複数で形成され、
    　前記第２の半導体基板の前記第４の主面側に溝部が形成され、
    　該複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の少なくとも一部が、該溝部に形成されている、請求項９に記載の固体撮像装置。
  16. 　前記溝部の深さが、前記複数の第１の再配線のうち少なくも１つの第１の再配線の厚み以上である、請求項１５に記載の固体撮像装置。
  17. 　請求項１に記載の固体撮像装置が搭載された、電子機器。
  18. 　請求項９に記載の固体撮像装置が搭載された、電子機器。
     
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